JPH1041251A - Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ方法Info
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- JPH1041251A JPH1041251A JP19753196A JP19753196A JPH1041251A JP H1041251 A JPH1041251 A JP H1041251A JP 19753196 A JP19753196 A JP 19753196A JP 19753196 A JP19753196 A JP 19753196A JP H1041251 A JPH1041251 A JP H1041251A
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- purge gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ膜の堆積によるパーティクル発生を防
止し、理論収率を向上させるＣＶＤ装置およびＣＶＤ方
法を提供する。 【解決手段】 半導体基板２１に層間絶縁膜２２、Ｔｉ
Ｎ膜２３を堆積した半導体ウェハ３を載置するサセプタ
８の半導体ウェハ３周縁部下方に、パージガス吹き出し
部３２を設け、このパージガス吹き出し部３２から放出
されるパージガスの流れを、半導体ウェハ３の中央上方
に向けさせるガイドリング３０を半導体ウェハ３周縁部
の周囲に設けたＣＶＤ装置により、ブランケットＷ膜２
４を堆積する。 【効果】 半導体装置の製造歩留向上および理論収率向
上が可能になる。
止し、理論収率を向上させるＣＶＤ装置およびＣＶＤ方
法を提供する。 【解決手段】 半導体基板２１に層間絶縁膜２２、Ｔｉ
Ｎ膜２３を堆積した半導体ウェハ３を載置するサセプタ
８の半導体ウェハ３周縁部下方に、パージガス吹き出し
部３２を設け、このパージガス吹き出し部３２から放出
されるパージガスの流れを、半導体ウェハ３の中央上方
に向けさせるガイドリング３０を半導体ウェハ３周縁部
の周囲に設けたＣＶＤ装置により、ブランケットＷ膜２
４を堆積する。 【効果】 半導体装置の製造歩留向上および理論収率向
上が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＶＤ装置およびＣ
ＶＤ方法に関し、さらに詳しくは、層間絶縁膜を堆積し
た半導体ウェハとの密着性が悪いタングステン膜等を成
膜するＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法に関する。
ＶＤ方法に関し、さらに詳しくは、層間絶縁膜を堆積し
た半導体ウェハとの密着性が悪いタングステン膜等を成
膜するＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化、微細化に
伴い、半導体装置を構成する素子等のコンタクトホール
は益々微細化して、コンタクトホールの深さとコンタク
トホール径との比、所謂アスペクト比が大きくなり、従
来のようなＡｌ合金膜による電極配線形成法では段差被
覆性（ステップカバレージ）が悪いため、この電極配線
形成法は使用出来ない状態となっている。またＡｌ合金
膜により電極配線はエレクトロマイグレーションやスト
レスマイグレーション耐性が悪いために、高集積化で高
速化した半導体装置には使用されなくなっきた。
伴い、半導体装置を構成する素子等のコンタクトホール
は益々微細化して、コンタクトホールの深さとコンタク
トホール径との比、所謂アスペクト比が大きくなり、従
来のようなＡｌ合金膜による電極配線形成法では段差被
覆性（ステップカバレージ）が悪いため、この電極配線
形成法は使用出来ない状態となっている。またＡｌ合金
膜により電極配線はエレクトロマイグレーションやスト
レスマイグレーション耐性が悪いために、高集積化で高
速化した半導体装置には使用されなくなっきた。
【０００３】高アスペクト比のコンタクトホールによる
半導体装置の製造における電極配線形成には、ＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法によるタングステン膜（ブランケットＷ膜）の堆
積とエッチバックによるタングステンの埋め込みプラグ
（タングステンプラグ）形成や、タングステン膜の選択
ＣＶＤ法によるタングステンの埋め込みプラグ等による
電極部の形成と、コンタクトホール部の埋め込みプラグ
間等を接続する配線形成とを分離した電極配線形成が行
われている。
半導体装置の製造における電極配線形成には、ＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法によるタングステン膜（ブランケットＷ膜）の堆
積とエッチバックによるタングステンの埋め込みプラグ
（タングステンプラグ）形成や、タングステン膜の選択
ＣＶＤ法によるタングステンの埋め込みプラグ等による
電極部の形成と、コンタクトホール部の埋め込みプラグ
間等を接続する配線形成とを分離した電極配線形成が行
われている。
【０００４】上述したタングステンプラグ形成で、ＣＶ
Ｄ法によるブランケットＷ膜堆積に用いる、従来のＣＶ
Ｄ装置およびＣＶＤ方法を図４および図５を参照して説
明する。
Ｄ法によるブランケットＷ膜堆積に用いる、従来のＣＶ
Ｄ装置およびＣＶＤ方法を図４および図５を参照して説
明する。
【０００５】従来のＣＶＤ装置１は、図４に示すよう
に、ＣＶＤの反応容器であるチャンバ２内に、半導体ウ
ェハ３を載置し、加熱する半導体ウェハ載置部４と、こ
の半導体ウェハ載置部４に対向する位置に設けられ、タ
ングステン膜形成のための反応ガスを放出させるガス吹
き出し部５とが設置された概略構成となっている。ま
た、チャンバ２には、ＣＶＤによるタングステン膜形成
時の副生成物や未反応ガスをチャンバ２より排出させる
排気口６が設けられている。
に、ＣＶＤの反応容器であるチャンバ２内に、半導体ウ
ェハ３を載置し、加熱する半導体ウェハ載置部４と、こ
の半導体ウェハ載置部４に対向する位置に設けられ、タ
ングステン膜形成のための反応ガスを放出させるガス吹
き出し部５とが設置された概略構成となっている。ま
た、チャンバ２には、ＣＶＤによるタングステン膜形成
時の副生成物や未反応ガスをチャンバ２より排出させる
排気口６が設けられている。
【０００６】半導体ウェハ載置部４は、加熱ヒータ７を
内蔵したサセプタ８と、サセプタ８を取り囲み、半導体
ウェハ３上に堆積されるブランケットＷ膜の領域を制限
する遮蔽板９を支持する支持部１０より構成されてい
る。ガス吹き出し部５は中空の円板状になっていて、反
応ガス供給源（図示省略）よりガス配管１１を通して反
応ガスが導入され、このガス吹き出し部５の半導体ウェ
ハ３に対向する面には多数の小孔１２が設けられ、半導
体ウェハ３表面に反応ガスが均一に供給されるようにな
っている。
内蔵したサセプタ８と、サセプタ８を取り囲み、半導体
ウェハ３上に堆積されるブランケットＷ膜の領域を制限
する遮蔽板９を支持する支持部１０より構成されてい
る。ガス吹き出し部５は中空の円板状になっていて、反
応ガス供給源（図示省略）よりガス配管１１を通して反
応ガスが導入され、このガス吹き出し部５の半導体ウェ
ハ３に対向する面には多数の小孔１２が設けられ、半導
体ウェハ３表面に反応ガスが均一に供給されるようにな
っている。
【０００７】次に、このＣＶＤ装置によるブランケット
Ｗ膜形成のためのＣＶＤ方法を説明する。まず、半導体
装置の構成素子が形成された半導体基板上に層間絶縁膜
を堆積し、コンタクトホールを形成し、スパッタリング
装置によりＴｉ膜およびＴｉＮ膜を堆積した半導体ウェ
ハ３を、ＣＶＤ装置１のサセプタ８に載置し、その後半
導体ウェハ３上に堆積されるブランケットＷ膜の領域を
制限する遮蔽板９を、半導体ウェハ３表面に密着させた
状態で、支持部１０に取り付ける。次にチャンバ２内を
排気し、続いてサセプタ８の温度制御装置（図示省略）
により加熱ヒータ７に電力を供給してサセプタ８を加熱
し、半導体ウェハ３を４００〜５００°Ｃにする。その
後、反応ガス供給部よりブランケットＷ膜形成のための
反応ガスであるＷＦ6 ガスとＨ2 ガスとＡｒガスとの混
合ガスを、ガス吹き出し部５を介して、チャンバ２内に
導入し、半導体ウェハ３表面にブランケットＷ膜を堆積
する。
Ｗ膜形成のためのＣＶＤ方法を説明する。まず、半導体
装置の構成素子が形成された半導体基板上に層間絶縁膜
を堆積し、コンタクトホールを形成し、スパッタリング
装置によりＴｉ膜およびＴｉＮ膜を堆積した半導体ウェ
ハ３を、ＣＶＤ装置１のサセプタ８に載置し、その後半
導体ウェハ３上に堆積されるブランケットＷ膜の領域を
制限する遮蔽板９を、半導体ウェハ３表面に密着させた
状態で、支持部１０に取り付ける。次にチャンバ２内を
排気し、続いてサセプタ８の温度制御装置（図示省略）
により加熱ヒータ７に電力を供給してサセプタ８を加熱
し、半導体ウェハ３を４００〜５００°Ｃにする。その
後、反応ガス供給部よりブランケットＷ膜形成のための
反応ガスであるＷＦ6 ガスとＨ2 ガスとＡｒガスとの混
合ガスを、ガス吹き出し部５を介して、チャンバ２内に
導入し、半導体ウェハ３表面にブランケットＷ膜を堆積
する。
【０００８】上述のＣＶＤ装置１を用いたブランケット
Ｗ膜のＣＶＤ方法の詳細を、図４のＢ部を拡大した図で
ある図５を参照して説明する。まず、図５に示すよう
に、ブランケットＷ膜２４を堆積する前の、サセプタ８
に載置された半導体ウェハ３は、半導体基板２１上に層
間絶縁膜２２が堆積され、その上にＴｉ膜（図示省略）
およびＴｉＮ膜２３が、半導体基板２１の周縁部より距
離Ｌ1 だけ内側に制限された形で、スパッタリング法に
より堆積された構成となっている。ここでＴｉ膜（図示
省略）は、ＴｉＮ膜２３形成領域より更に内側に制限さ
れた形で、スパッタリングされるか、又はＴｉ膜やＴｉ
Ｎ膜２３のスパッタリング後に窒素（Ｎ）系ガス雰囲気
の熱処理により、Ｔｉ膜が半導体ウェハ３の表面に出て
いる部分はＴｉＮ膜化し、Ｔｉ膜が表面に出てないよう
にする。これはＴｉ膜が半導体ウェハ３の表面に出てい
ると、ブランケットＷ膜２４形成時のＷＦ6ガスがＨ2
ガスで還元されて発生するＦがＴｉと反応し、Ｔｉ
Ｆ3 、ＴｉＦ4 が生成されて体積膨張して、上部のＴｉ
Ｎ膜を剥離し、これがパーティクルの原因となり、半導
体装置の製造歩留を低下させるからである。
Ｗ膜のＣＶＤ方法の詳細を、図４のＢ部を拡大した図で
ある図５を参照して説明する。まず、図５に示すよう
に、ブランケットＷ膜２４を堆積する前の、サセプタ８
に載置された半導体ウェハ３は、半導体基板２１上に層
間絶縁膜２２が堆積され、その上にＴｉ膜（図示省略）
およびＴｉＮ膜２３が、半導体基板２１の周縁部より距
離Ｌ1 だけ内側に制限された形で、スパッタリング法に
より堆積された構成となっている。ここでＴｉ膜（図示
省略）は、ＴｉＮ膜２３形成領域より更に内側に制限さ
れた形で、スパッタリングされるか、又はＴｉ膜やＴｉ
Ｎ膜２３のスパッタリング後に窒素（Ｎ）系ガス雰囲気
の熱処理により、Ｔｉ膜が半導体ウェハ３の表面に出て
いる部分はＴｉＮ膜化し、Ｔｉ膜が表面に出てないよう
にする。これはＴｉ膜が半導体ウェハ３の表面に出てい
ると、ブランケットＷ膜２４形成時のＷＦ6ガスがＨ2
ガスで還元されて発生するＦがＴｉと反応し、Ｔｉ
Ｆ3 、ＴｉＦ4 が生成されて体積膨張して、上部のＴｉ
Ｎ膜を剥離し、これがパーティクルの原因となり、半導
体装置の製造歩留を低下させるからである。
【０００９】次に、サセプタ８に載置された半導体ウェ
ハ３上には、ブランケットＷ膜２４の半導体ウェハ３上
に形成される領域を、半導体基板２１の周縁部より距離
Ｌ2だけ内側に制限する遮蔽板９が密着して配置されて
いる。これは、層間絶縁膜２２上に密着性の悪いブラン
ケットＷ膜を堆積させないためで、層間絶縁膜２２上に
堆積したブランケットＷ膜２４が密着性の悪いために剥
がれて、パーティクルの原因となり、半導体装置の製造
歩留が低下するのを避けるためである。上述の半導体ウ
ェハ３がサセプタ８により加熱され、所定の温度になっ
た後、ブランケットＷ膜２４形成のための反応ガスが導
入され、半導体ウェハ３上にブランケットＷ膜２４が堆
積される。このブランケットＷ膜２４の成長は、堆積す
る被処理物表面温度に大きく依存するので、通常半導体
ウェハ３より温度が低い遮蔽板９表面や側壁には半導体
ウェハ３より薄いブランケットＷ膜２４が堆積する。そ
の後、反応ガスの供給を停止して、遮蔽板９を支持部１
０より取りはずし、半導体ウェハ３を半導体ウェハ載置
部４より取り出す。
ハ３上には、ブランケットＷ膜２４の半導体ウェハ３上
に形成される領域を、半導体基板２１の周縁部より距離
Ｌ2だけ内側に制限する遮蔽板９が密着して配置されて
いる。これは、層間絶縁膜２２上に密着性の悪いブラン
ケットＷ膜を堆積させないためで、層間絶縁膜２２上に
堆積したブランケットＷ膜２４が密着性の悪いために剥
がれて、パーティクルの原因となり、半導体装置の製造
歩留が低下するのを避けるためである。上述の半導体ウ
ェハ３がサセプタ８により加熱され、所定の温度になっ
た後、ブランケットＷ膜２４形成のための反応ガスが導
入され、半導体ウェハ３上にブランケットＷ膜２４が堆
積される。このブランケットＷ膜２４の成長は、堆積す
る被処理物表面温度に大きく依存するので、通常半導体
ウェハ３より温度が低い遮蔽板９表面や側壁には半導体
ウェハ３より薄いブランケットＷ膜２４が堆積する。そ
の後、反応ガスの供給を停止して、遮蔽板９を支持部１
０より取りはずし、半導体ウェハ３を半導体ウェハ載置
部４より取り出す。
【００１０】しかしながら、上述したＣＶＤ装置でのブ
ランケットＷ膜２４堆積においては、遮蔽板９を支持部
１０より取りはずして、半導体ウェハ３上から移動させ
る際に半導体ウェハ３上と遮蔽板９側壁間に連続して堆
積しているブランケットＷ膜２４が剥がれる、所謂マイ
クロピーリング（Ｍｉｃｒｏ−ｐｅｅｌｉｎｇ）が起こ
り、ダストとなるパーティクルが発生するという問題が
発生する。このマイクロピーリングを避けるために、半
導体ウェハ３と遮蔽板９とを僅かな間隔をおいて配置す
ると、この隙間より反応ガスが入り込み、半導体ウェハ
３周縁部付近の層間絶縁膜２２上にブランケットＷ膜２
４が堆積し、この部分のブランケットＷ膜２４は、密着
性が悪いため、後工程で剥離し、パーティクルとして半
導体装置の製造歩留を低下させる。
ランケットＷ膜２４堆積においては、遮蔽板９を支持部
１０より取りはずして、半導体ウェハ３上から移動させ
る際に半導体ウェハ３上と遮蔽板９側壁間に連続して堆
積しているブランケットＷ膜２４が剥がれる、所謂マイ
クロピーリング（Ｍｉｃｒｏ−ｐｅｅｌｉｎｇ）が起こ
り、ダストとなるパーティクルが発生するという問題が
発生する。このマイクロピーリングを避けるために、半
導体ウェハ３と遮蔽板９とを僅かな間隔をおいて配置す
ると、この隙間より反応ガスが入り込み、半導体ウェハ
３周縁部付近の層間絶縁膜２２上にブランケットＷ膜２
４が堆積し、この部分のブランケットＷ膜２４は、密着
性が悪いため、後工程で剥離し、パーティクルとして半
導体装置の製造歩留を低下させる。
【００１１】上記の半導体ウェハ３と遮蔽板９とを僅か
な間隔をおいて配置し、この隙間よりパージガスを半導
体ウェハ３の中央に向け放出するＣＶＤ装置も考案され
ており、この場合は上述した半導体ウェハ３周縁部付近
の層間絶縁膜２２上へのブランケットＷ膜２４堆積は避
けられる。しかしながら、このＣＶＤ装置においては、
遮蔽板９の真下の半導体ウェハ３部、および遮蔽板９側
壁より半導体ウェハ３の中央に向けての、ブランケット
Ｗ膜２４膜厚がパージガスの影響で薄くなった部分の半
導体ウェハ３部では、半導体装置が作製困難となるた
め、一枚の半導体ウェハ３から得られる半導体装置数、
所謂理論収率が低下するという問題が生じる。
な間隔をおいて配置し、この隙間よりパージガスを半導
体ウェハ３の中央に向け放出するＣＶＤ装置も考案され
ており、この場合は上述した半導体ウェハ３周縁部付近
の層間絶縁膜２２上へのブランケットＷ膜２４堆積は避
けられる。しかしながら、このＣＶＤ装置においては、
遮蔽板９の真下の半導体ウェハ３部、および遮蔽板９側
壁より半導体ウェハ３の中央に向けての、ブランケット
Ｗ膜２４膜厚がパージガスの影響で薄くなった部分の半
導体ウェハ３部では、半導体装置が作製困難となるた
め、一枚の半導体ウェハ３から得られる半導体装置数、
所謂理論収率が低下するという問題が生じる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したＣ
ＶＤ装置およびＣＶＤ方法における問題点を解決するこ
とをその目的とする。即ち本発明の課題は、ＣＶＤ膜の
堆積によるパーティクル発生を防止し、理論収率を向上
させるＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法を提供することを目
的とする。
ＶＤ装置およびＣＶＤ方法における問題点を解決するこ
とをその目的とする。即ち本発明の課題は、ＣＶＤ膜の
堆積によるパーティクル発生を防止し、理論収率を向上
させるＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法を提供することを目
的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のＣＶＤ装置およ
びＣＶＤ方法は、上述の課題を解決するために提案する
ものであり、本発明のＣＶＤ装置は、反応容器内に、被
処理基板を載置して加熱するサセプタと、反応ガス放出
部とを有するＣＶＤ装置において、サセプタに載置され
た被処理基板の周縁部下方にパージガス吹き出し部を設
け、被処理基板の周縁部での、パージガス吹き出し部か
らのパージガスの流れを被処理基板処理面の中央上方に
向けるためのガイドリングを被処理基板周縁部の周囲に
設置したことを特徴とするものである。
びＣＶＤ方法は、上述の課題を解決するために提案する
ものであり、本発明のＣＶＤ装置は、反応容器内に、被
処理基板を載置して加熱するサセプタと、反応ガス放出
部とを有するＣＶＤ装置において、サセプタに載置され
た被処理基板の周縁部下方にパージガス吹き出し部を設
け、被処理基板の周縁部での、パージガス吹き出し部か
らのパージガスの流れを被処理基板処理面の中央上方に
向けるためのガイドリングを被処理基板周縁部の周囲に
設置したことを特徴とするものである。
【００１４】本発明のＣＶＤ方法は、上記のＣＶＤ装置
を用いたＣＶＤ方法において、被処理基板をサセプタに
載置する工程と、パージガス吹き出し部よりパージガス
を反応容器内に吹き出させる工程と、反応ガス放出部よ
り反応ガスを反応容器内に吹き出させる工程と、被処理
基板の処理面にＣＶＤ膜を堆積する工程とを有すること
を特徴とするものである。
を用いたＣＶＤ方法において、被処理基板をサセプタに
載置する工程と、パージガス吹き出し部よりパージガス
を反応容器内に吹き出させる工程と、反応ガス放出部よ
り反応ガスを反応容器内に吹き出させる工程と、被処理
基板の処理面にＣＶＤ膜を堆積する工程とを有すること
を特徴とするものである。
【００１５】本発明によれば、サセプタに載置された被
処理基板の周縁部下方にパージガス吹き出し部を設け、
被処理基板の周縁部での、パージガス吹き出し部からの
パージガスの流れを被処理基板処理面の中央上方に向け
るためのガイドリングを被処理基板周縁部の周囲に設置
することで、被処理基板の周縁部にＣＶＤ膜を形成する
ための反応ガスが到達するのを防止して、被処理基板の
周縁部にはＣＶＤ膜が堆積しないようにすることができ
る。従って、被処理基板の周縁部にＣＶＤ膜との密着性
の悪い領域がある被処理基板においては、この領域にＣ
ＶＤ膜が形成されないため、ＣＶＤ膜の剥がれによるダ
スト発生がなく、この被処理基板による装置、例えば半
導体装置の製造歩留低下が避けられる。
処理基板の周縁部下方にパージガス吹き出し部を設け、
被処理基板の周縁部での、パージガス吹き出し部からの
パージガスの流れを被処理基板処理面の中央上方に向け
るためのガイドリングを被処理基板周縁部の周囲に設置
することで、被処理基板の周縁部にＣＶＤ膜を形成する
ための反応ガスが到達するのを防止して、被処理基板の
周縁部にはＣＶＤ膜が堆積しないようにすることができ
る。従って、被処理基板の周縁部にＣＶＤ膜との密着性
の悪い領域がある被処理基板においては、この領域にＣ
ＶＤ膜が形成されないため、ＣＶＤ膜の剥がれによるダ
スト発生がなく、この被処理基板による装置、例えば半
導体装置の製造歩留低下が避けられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図４および図５中の構成部分と同様の
構成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図４および図５中の構成部分と同様の
構成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
【００１７】本実施の形態例はＣＶＤ装置およびＣＶＤ
方法に本発明を適用した例であり、これを図１〜図３を
参照して説明する。まず、図１に示すように、ＣＶＤ装
置１の基本的構成は従来例と同様で、ＣＶＤの反応容器
であるチャンバ２内に被処理基板、例えば半導体ウェハ
３を載置し、加熱する半導体ウェハ載置部４と、この半
導体ウェハ載置部４に対向する位置に設けられ、タング
ステン膜形成のための反応ガスを放出させるガス吹き出
し部５とで概略構成されている。
方法に本発明を適用した例であり、これを図１〜図３を
参照して説明する。まず、図１に示すように、ＣＶＤ装
置１の基本的構成は従来例と同様で、ＣＶＤの反応容器
であるチャンバ２内に被処理基板、例えば半導体ウェハ
３を載置し、加熱する半導体ウェハ載置部４と、この半
導体ウェハ載置部４に対向する位置に設けられ、タング
ステン膜形成のための反応ガスを放出させるガス吹き出
し部５とで概略構成されている。
【００１８】半導体ウェハ載置部４の構成は、加熱ヒー
タ７を内蔵したサセプタ８と、ガイドリング３０と、サ
セプタ８を取り囲み、ガイドリング３０を支持する支持
部１０とで構成されている。支持部１０には、不活性ガ
ス、例えばＡｒガスによるパージガス供給部（図示省
略）よりパージガスを供給するガス配管３１が接続して
いる。ガス配管３１より導入されるパージガスは、サセ
プタ８側壁と支持部１０の間隙を通り、更にサセプタ８
とガイドリング３０の間隙を通って、半導体ウェハ３の
周縁部より上方に放出する。
タ７を内蔵したサセプタ８と、ガイドリング３０と、サ
セプタ８を取り囲み、ガイドリング３０を支持する支持
部１０とで構成されている。支持部１０には、不活性ガ
ス、例えばＡｒガスによるパージガス供給部（図示省
略）よりパージガスを供給するガス配管３１が接続して
いる。ガス配管３１より導入されるパージガスは、サセ
プタ８側壁と支持部１０の間隙を通り、更にサセプタ８
とガイドリング３０の間隙を通って、半導体ウェハ３の
周縁部より上方に放出する。
【００１９】上述した半導体ウェハ載置部４に半導体ウ
ェハ３が載置された状態で、半導体ウェハ載置部４を上
方より見た概略平面図が図２である。図２に示すよう
に、半導体ウェハ３が直接接するサセプタ８の載置部８
ａの周縁部は、半導体ウェハ３周縁部より内側、例えば
１ｍｍ程内側になっており、ガイドリング３０の内周部
は、半導体ウェハ３周縁部より外側、例えば２ｍｍ程外
側になっている。半導体ウェハ３周縁部は円形部とオリ
エンテーションフラット部３ａの直線部とで構成された
形状で、サセプタ８の載置部８ａの周縁部とガイドリン
グ３０の内周部とはこの半導体ウェハ３周縁部の構成形
状に類似させた形で構成する。この様にすることで、図
２に示すように、半導体ウェハ３周縁部に等間隔のパー
ジガス吹き出し部３２が形成される。
ェハ３が載置された状態で、半導体ウェハ載置部４を上
方より見た概略平面図が図２である。図２に示すよう
に、半導体ウェハ３が直接接するサセプタ８の載置部８
ａの周縁部は、半導体ウェハ３周縁部より内側、例えば
１ｍｍ程内側になっており、ガイドリング３０の内周部
は、半導体ウェハ３周縁部より外側、例えば２ｍｍ程外
側になっている。半導体ウェハ３周縁部は円形部とオリ
エンテーションフラット部３ａの直線部とで構成された
形状で、サセプタ８の載置部８ａの周縁部とガイドリン
グ３０の内周部とはこの半導体ウェハ３周縁部の構成形
状に類似させた形で構成する。この様にすることで、図
２に示すように、半導体ウェハ３周縁部に等間隔のパー
ジガス吹き出し部３２が形成される。
【００２０】次に、図１のＡ部の拡大図である、図３を
参照してパージガス吹き出し部３２付近の詳細説明をす
る。サセプタ８は、半導体ウェハ３の周縁部より外側
で、半導体ウェハ３を載置するサセプタ８の載置部８ａ
表面より一段低くなっている。一方、ガイドリング３０
の底部表面位置は、サセプタ８の載置部８ａ表面位置よ
り低くなる位置で、ガイドリング３０の支持部１０に固
定されている。
参照してパージガス吹き出し部３２付近の詳細説明をす
る。サセプタ８は、半導体ウェハ３の周縁部より外側
で、半導体ウェハ３を載置するサセプタ８の載置部８ａ
表面より一段低くなっている。一方、ガイドリング３０
の底部表面位置は、サセプタ８の載置部８ａ表面位置よ
り低くなる位置で、ガイドリング３０の支持部１０に固
定されている。
【００２１】半導体ウェハ３上面よりガイドリング３０
上面までの高さＨは、例えば約１０ｍｍ程度とし、ガイ
ドリング３０底面とガイドリング３０側面との角度θ
は、例えば８０°とする。なお、ガイドリング３０の高
さＨは、あまり低いと半導体ウェハ３周縁部へのブラン
ケットＷ膜成長防止効果が無く、あまり高いと半導体ウ
ェハ３のブランケットＷ膜の膜厚均一性が悪くなる。ま
た、ガイドリング３０側壁の角度θは余り小さいと半導
体ウェハ３周縁部へのブランケットＷ膜成長防止効果が
無く、９０°より大きいとブランケットＷ膜形成領域を
狭くするだけでなく、半導体ウェハ３をサセプタ８に載
置する際にガイドリング３０を取り外す必要が生じるの
で、６０°≦θ≦９０°とすることが望ましい。ガイド
リング３０の材料としては、サセプタ８からの輻射熱等
の熱吸収の少ない材料、例えば石英材料を用いた方がよ
い。これは、熱吸収の少ない材料をガイドリング３０と
して用いると、ガイドリング３０の温度が上がらず、従
ってガイドリング３０表面へのタングステン膜成長を低
く抑えることができ、ダスト発生を抑えることができ
る。
上面までの高さＨは、例えば約１０ｍｍ程度とし、ガイ
ドリング３０底面とガイドリング３０側面との角度θ
は、例えば８０°とする。なお、ガイドリング３０の高
さＨは、あまり低いと半導体ウェハ３周縁部へのブラン
ケットＷ膜成長防止効果が無く、あまり高いと半導体ウ
ェハ３のブランケットＷ膜の膜厚均一性が悪くなる。ま
た、ガイドリング３０側壁の角度θは余り小さいと半導
体ウェハ３周縁部へのブランケットＷ膜成長防止効果が
無く、９０°より大きいとブランケットＷ膜形成領域を
狭くするだけでなく、半導体ウェハ３をサセプタ８に載
置する際にガイドリング３０を取り外す必要が生じるの
で、６０°≦θ≦９０°とすることが望ましい。ガイド
リング３０の材料としては、サセプタ８からの輻射熱等
の熱吸収の少ない材料、例えば石英材料を用いた方がよ
い。これは、熱吸収の少ない材料をガイドリング３０と
して用いると、ガイドリング３０の温度が上がらず、従
ってガイドリング３０表面へのタングステン膜成長を低
く抑えることができ、ダスト発生を抑えることができ
る。
【００２２】パージガスは、サセプタ８表面とガイドリ
ング３０底部との間隙に沿って導入され、サセプタ８の
載置部８ａ側壁にくると、載置部８ａ側壁とガイドリン
グ３０側壁との間隙で構成される、半導体ウェハ３周縁
部のパージガス吹き出し部３２より上方に向けて放出さ
れる。
ング３０底部との間隙に沿って導入され、サセプタ８の
載置部８ａ側壁にくると、載置部８ａ側壁とガイドリン
グ３０側壁との間隙で構成される、半導体ウェハ３周縁
部のパージガス吹き出し部３２より上方に向けて放出さ
れる。
【００２３】次に、このＣＶＤ装置によるブランケット
Ｗ膜形成のためのＣＶＤ方法を説明する。まず、半導体
装置の構成素子が形成された半導体基板上に層間絶縁膜
を堆積し、コンタクトホールを形成し、スパッタリング
装置によりＴｉ膜およびＴｉＮ膜を堆積した半導体ウェ
ハ３を、ＣＶＤ装置１のサセプタ８に載置する。次にチ
ャンバ２内を排気し、続いてサセプタ８の温度制御装置
（図示省略）により加熱ヒータ７に電力を供給してサセ
プタ８を加熱し、半導体ウェハ３温度を約４５０°Ｃに
する。
Ｗ膜形成のためのＣＶＤ方法を説明する。まず、半導体
装置の構成素子が形成された半導体基板上に層間絶縁膜
を堆積し、コンタクトホールを形成し、スパッタリング
装置によりＴｉ膜およびＴｉＮ膜を堆積した半導体ウェ
ハ３を、ＣＶＤ装置１のサセプタ８に載置する。次にチ
ャンバ２内を排気し、続いてサセプタ８の温度制御装置
（図示省略）により加熱ヒータ７に電力を供給してサセ
プタ８を加熱し、半導体ウェハ３温度を約４５０°Ｃに
する。
【００２４】その後、反応ガス供給部（図示省略）より
ブランケットＷ膜形成のための反応ガスをガス吹き出し
部５に送り、ガス吹き出し部５の小孔より反応ガスをチ
ャンバ２内に導入し、ＣＶＤ法によるブランケットＷ膜
を半導体ウェハ３表面へ堆積する。このブランケットＷ
膜のＣＶＤ条件は、例えば下記のようなものである。 〔ブランケットＷ膜のＣＶＤ条件〕 ＷＦ6 ガス流量 ： １００ ｓｃｃｍ Ｈ2 ガス流量 ： ４００ ｓｃｃｍ Ａｒガス流量 ： １５００ ｓｃｃｍ 圧力 ： １０ ｋＰａ 温度 ： ４５０ °Ｃ
ブランケットＷ膜形成のための反応ガスをガス吹き出し
部５に送り、ガス吹き出し部５の小孔より反応ガスをチ
ャンバ２内に導入し、ＣＶＤ法によるブランケットＷ膜
を半導体ウェハ３表面へ堆積する。このブランケットＷ
膜のＣＶＤ条件は、例えば下記のようなものである。 〔ブランケットＷ膜のＣＶＤ条件〕 ＷＦ6 ガス流量 ： １００ ｓｃｃｍ Ｈ2 ガス流量 ： ４００ ｓｃｃｍ Ａｒガス流量 ： １５００ ｓｃｃｍ 圧力 ： １０ ｋＰａ 温度 ： ４５０ °Ｃ
【００２５】上述のＣＶＤ装置１を用いたブランケット
Ｗ膜のＣＶＤ方法の詳細を、図２と、図１のＡ部を拡大
した図である図３を参照して説明する。まず、図３に示
すように、ブランケットＷ膜２４を堆積する前の半導体
ウェハ３は、半導体基板２１上に層間絶縁膜２２が堆積
され、その上にＴｉ膜（図示省略）およびＴｉＮ膜２３
が、スパッタリング法により半導体基板２１表面の全面
に堆積された構成となっている。ただ、Ｔｉ膜やＴｉＮ
膜２３のスパッタリング後に窒素（Ｎ）系ガス雰囲気の
熱処理により、Ｔｉ膜が表面に出ている部分はＴｉＮ化
させ、Ｔｉ膜が直接表面に出ないようになっている。
Ｗ膜のＣＶＤ方法の詳細を、図２と、図１のＡ部を拡大
した図である図３を参照して説明する。まず、図３に示
すように、ブランケットＷ膜２４を堆積する前の半導体
ウェハ３は、半導体基板２１上に層間絶縁膜２２が堆積
され、その上にＴｉ膜（図示省略）およびＴｉＮ膜２３
が、スパッタリング法により半導体基板２１表面の全面
に堆積された構成となっている。ただ、Ｔｉ膜やＴｉＮ
膜２３のスパッタリング後に窒素（Ｎ）系ガス雰囲気の
熱処理により、Ｔｉ膜が表面に出ている部分はＴｉＮ化
させ、Ｔｉ膜が直接表面に出ないようになっている。
【００２６】上記半導体ウェハ３は、図２に示すよう
に、サセプタ８の載置部８ａ周縁部と半導体ウェハ３周
縁部がオリエンテーションフラット部３ａも含めてほぼ
等間隔となるように、サセプタ８の載置部８ａに載置さ
れている。ブランケットＷ膜２４のＣＶＤ時には、まず
Ａｒガス等によるパージガスを半導体ウェハ３周縁部下
方にあるパージガス吹き出し部３２より約１５００ｓｃ
ｃｍ程度の流量でチャンバ２内に放出し、続いて上述し
た反応ガスがガス吹き出し部５よりチャンバ２に放出す
る。反応ガスがチャンバ２内に導入されると、ブランケ
ットＷ膜２４が半導体ウェハ３上に堆積し始めるが、半
導体ウェハ３周縁部には、図３に示すように、ガイドリ
ング３０の効果によりパージガスの気流が半導体ウェハ
３側壁から上部方向および半導体ウェハ３の中央方向に
形成されるため、反応ガスが半導体ウェハ３周縁部に到
達できず、半導体ウェハ３周縁部でのブランケットＷ膜
２４成長はほとんど無い。
に、サセプタ８の載置部８ａ周縁部と半導体ウェハ３周
縁部がオリエンテーションフラット部３ａも含めてほぼ
等間隔となるように、サセプタ８の載置部８ａに載置さ
れている。ブランケットＷ膜２４のＣＶＤ時には、まず
Ａｒガス等によるパージガスを半導体ウェハ３周縁部下
方にあるパージガス吹き出し部３２より約１５００ｓｃ
ｃｍ程度の流量でチャンバ２内に放出し、続いて上述し
た反応ガスがガス吹き出し部５よりチャンバ２に放出す
る。反応ガスがチャンバ２内に導入されると、ブランケ
ットＷ膜２４が半導体ウェハ３上に堆積し始めるが、半
導体ウェハ３周縁部には、図３に示すように、ガイドリ
ング３０の効果によりパージガスの気流が半導体ウェハ
３側壁から上部方向および半導体ウェハ３の中央方向に
形成されるため、反応ガスが半導体ウェハ３周縁部に到
達できず、半導体ウェハ３周縁部でのブランケットＷ膜
２４成長はほとんど無い。
【００２７】上述したＣＶＤ装置１およびＣＶＤ方法を
とれば、ブランケットＷ膜２４は半導体ウェハ３のＴｉ
Ｎ膜２３形成領域より内側に形成され、ＴｉＮ膜２３が
形成されていない半導体ウェハ３側壁部の層間絶縁膜２
２上には堆積しない。従って層間絶縁膜２２とブランケ
ットＷ膜２４の密着性の悪さに起因するダスト発生がな
く、半導体装置の製造歩留を低下させる虞がない。更
に、従来例の様に半導体ウェハ３と遮蔽板９が接してい
ることで起こるマイクロピーリングが無く、また従来例
は、遮蔽板９による半導体ウェハ３上へのブランケット
Ｗ膜２４形成領域、即ち半導体ウェハ３周縁部より距離
Ｌ2 だけ内部の領域が半導体装置形成領域に制限される
が、本発明では半導体ウェハ３周縁部近くまで半導体装
置形成領域が広がる。従って、マイクロピーリングに起
因したダスト発生が無く、また半導体装置の理論収率向
上が図れる。
とれば、ブランケットＷ膜２４は半導体ウェハ３のＴｉ
Ｎ膜２３形成領域より内側に形成され、ＴｉＮ膜２３が
形成されていない半導体ウェハ３側壁部の層間絶縁膜２
２上には堆積しない。従って層間絶縁膜２２とブランケ
ットＷ膜２４の密着性の悪さに起因するダスト発生がな
く、半導体装置の製造歩留を低下させる虞がない。更
に、従来例の様に半導体ウェハ３と遮蔽板９が接してい
ることで起こるマイクロピーリングが無く、また従来例
は、遮蔽板９による半導体ウェハ３上へのブランケット
Ｗ膜２４形成領域、即ち半導体ウェハ３周縁部より距離
Ｌ2 だけ内部の領域が半導体装置形成領域に制限される
が、本発明では半導体ウェハ３周縁部近くまで半導体装
置形成領域が広がる。従って、マイクロピーリングに起
因したダスト発生が無く、また半導体装置の理論収率向
上が図れる。
【００２８】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、実施の形態例のサセプタは加熱ヒー
タを内蔵したサセプタとしたが、チャンバを石英チャン
バとし、石英チャンバ外より赤外線ランプを設置し、こ
のランプによりサセプタを加熱してもよい。また、被処
理基板として半導体ウェハを用いて説明したが、石英基
板やガラス基板であってもよい。更に、ＣＶＤ膜として
ブランケットＷ膜を用いて説明したが、Ｍｏ等の高融点
金属膜や高融点金属シリサイド膜等のＣＶＤ膜にも適応
できる。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、実施
の形態例で説明したガイドリングの形状、材質およびパ
ージガス吹き出し部幅やパージガス流量は適宜変更が可
能である。
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、実施の形態例のサセプタは加熱ヒー
タを内蔵したサセプタとしたが、チャンバを石英チャン
バとし、石英チャンバ外より赤外線ランプを設置し、こ
のランプによりサセプタを加熱してもよい。また、被処
理基板として半導体ウェハを用いて説明したが、石英基
板やガラス基板であってもよい。更に、ＣＶＤ膜として
ブランケットＷ膜を用いて説明したが、Ｍｏ等の高融点
金属膜や高融点金属シリサイド膜等のＣＶＤ膜にも適応
できる。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、実施
の形態例で説明したガイドリングの形状、材質およびパ
ージガス吹き出し部幅やパージガス流量は適宜変更が可
能である。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法は、ブランケットＷ膜が
堆積しない領域を、半導体ウェハ周縁部のごく近傍のみ
に限定することが可能となり、従ってブランケットＷ膜
の剥がれによるパーティクル発生防止ができ、半導体装
置の製造歩留向上が可能となり、しかも半導体装置の理
論収率向上を図ることもできる。
のＣＶＤ装置およびＣＶＤ方法は、ブランケットＷ膜が
堆積しない領域を、半導体ウェハ周縁部のごく近傍のみ
に限定することが可能となり、従ってブランケットＷ膜
の剥がれによるパーティクル発生防止ができ、半導体装
置の製造歩留向上が可能となり、しかも半導体装置の理
論収率向上を図ることもできる。
【図１】本発明を適用した実施の形態例のＣＶＤ装置の
概略側面断面図である。
概略側面断面図である。
【図２】本発明を適用した実施の形態例のＣＶＤ装置の
半導体ウェハ載置部の概略平面図である。
半導体ウェハ載置部の概略平面図である。
【図３】図１のＡ部の拡大図である。
【図４】従来のＣＶＤ装置の概略側面断面図である。
【図５】図４のＢ部の拡大図である。
１…ＣＶＤ装置、２…チャンバ、３…半導体ウェハ、４
…半導体ウェハ載置部、５…ガス吹き出し部、６…排気
口、７…加熱ヒータ、８…サセプタ、８ａ…載置部、９
…遮蔽板、１０…支持部、１１…ガス配管、１２…小
孔、２１…半導体基板、２２…層間絶縁膜、２３…Ｔｉ
Ｎ膜、２４…ブランケットＷ膜、３０…ガイドリング、
３１…ガス配管、３２…パージガス吹き出し部
…半導体ウェハ載置部、５…ガス吹き出し部、６…排気
口、７…加熱ヒータ、８…サセプタ、８ａ…載置部、９
…遮蔽板、１０…支持部、１１…ガス配管、１２…小
孔、２１…半導体基板、２２…層間絶縁膜、２３…Ｔｉ
Ｎ膜、２４…ブランケットＷ膜、３０…ガイドリング、
３１…ガス配管、３２…パージガス吹き出し部
Claims (8)
- 【請求項１】 反応容器内に、被処理基板を載置して加
熱するサセプタと、反応ガス放出部とを有するＣＶＤ装
置において、 前記サセプタに載置された前記被処理基板の周縁部下方
にパージガス吹き出し部を設け、 前記被処理基板の周縁部での、前記パージガス吹き出し
部からのパージガスの流れを前記被処理基板処理面の中
央上方に向けるためのガイドリングを前記被処理基板周
縁部の周囲に設置したことを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記パージガス吹き出し部の平面形状
は、前記被処理基板周縁部形状と類似形状を持つ、所定
幅のリング状であることを特徴とする、請求項１に記載
のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記ガイドリングの前記パージガス吹き
出し部側の側壁は、前記被処理基板周縁部形状と類似形
状を有し、前記ガイドリングの上面位置は、被処理基板
の処理面位置より所定距離だけ高い位置とし、前記ガイ
ドリングの下面と側面のなす角度は９０°以下の所定角
度としたことを特徴とする、請求項１に記載のＣＶＤ装
置。 - 【請求項４】 前記ガイドリングの材料は、前記サセプ
タより熱吸収率の少ない材料であることを特徴とする、
請求項１に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 請求項１のＣＶＤ装置を用いたＣＶＤ方
法において、 被処理基板をサセプタに載置する工程と、 パージガス吹き出し部よりパージガスを反応容器内に吹
き出させる工程と、 反応ガス放出部より反応ガスを前記反応容器内に吹き出
させる工程と、 前記被処理基板の処理面にＣＶＤ膜を堆積する工程とを
有することを特徴とするＣＶＤ方法。 - 【請求項６】 前記被処理基板は、半導体基板上に層間
絶縁膜とＴｉＮ膜とを有する被処理基板であることを特
徴とする、請求項５に記載のＣＶＤ方法。 - 【請求項７】 前記パージガスは、不活性ガスであるこ
とを特徴とする、請求項５に記載のＣＶＤ方法。 - 【請求項８】 前記反応ガスは、ＷＦ6 ガスを含む反応
ガスであることを特徴とする、請求項５に記載のＣＶＤ
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19753196A JPH1041251A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19753196A JPH1041251A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041251A true JPH1041251A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16376024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19753196A Pending JPH1041251A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041251A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056307A1 (en) * | 1998-04-28 | 1999-11-04 | Applied Materials, Inc. | Improved heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
| US6663714B2 (en) | 2000-05-17 | 2003-12-16 | Anelva Corporation | CVD apparatus |
| US6770144B2 (en) * | 2000-07-25 | 2004-08-03 | International Business Machines Corporation | Multideposition SACVD reactor |
| JP4531914B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2010-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ内でウェハを支持する装置 |
| JP4833496B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2011-12-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理用装置及びチャンバ内に基板を支持する方法 |
| KR20190083473A (ko) * | 2018-01-04 | 2019-07-12 | 삼성전자주식회사 | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 증착 장치 |
| CN110273134A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-09-24 | 深圳清华大学研究院 | 全口径薄膜沉积夹具 |
| WO2022225797A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | Lam Research Corporation | Backside deposition prevention on substrates |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP19753196A patent/JPH1041251A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056307A1 (en) * | 1998-04-28 | 1999-11-04 | Applied Materials, Inc. | Improved heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
| US6179924B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
| JP4531914B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2010-08-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ内でウェハを支持する装置 |
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| KR20190083473A (ko) * | 2018-01-04 | 2019-07-12 | 삼성전자주식회사 | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 증착 장치 |
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| WO2022225797A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | Lam Research Corporation | Backside deposition prevention on substrates |
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