JP2009062579A

JP2009062579A - 成膜装置

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Publication number: JP2009062579A
Application number: JP2007231285A
Authority: JP
Inventors: Shin Shimozawa; 慎下沢; Yuji Tsukahara; 祐二塚原
Original assignee: Fuji Electric Systems Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2007-09-06
Filing date: 2007-09-06
Publication date: 2009-03-26
Anticipated expiration: 2027-09-06
Also published as: JP5077748B2

Abstract

【課題】異常放電の発生を抑制し、薄膜を正常に形成し、歩留まりを向上させる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行う空間である成膜室２と、成膜室２の内部に配置された第１の電極４および第２の電極５と、高周波電源および整合回路から構成され、かつ第１の電極４および第２の電極５のうち一方の電極に成膜室２の外部から電力を供給する機構と、第１の電極４および第２の電極５のうち他方の電極に成膜室２の外部から電力を供給し、または接地電位に接続する機構と、第１の電極４と第２の電極５との間にガスを流入させて、電極を供給することによりプラズマを形成し、このプラズマを利用して成膜を行うように成膜室２を加熱する機構と、成膜室２内を囲むように成膜室２内の複数の側面部に対応させて配置している複数の防着板６と、を備えている成膜装置に関するものであり、防着板６を複数に分割し、近接する防着板６同士の間に隙間６ａ，６ｂを設けていることを特徴とする成膜装置。
【選択図】図４

Description

本発明は、プラズマを利用して成膜を行う成膜室を備えている成膜装置に関する。

製品の表面に薄膜を形成させる成膜装置は、太陽電池モジュールの製造等多くの製品に用いられている。特に太陽電池モジュールでは、フィルム基板上等に光電変換層等を成膜する際、プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術が用いられており、成膜装置内に設けられた成膜室で前記フィルム基板上にＳｉ系薄膜を形成し、光電変換層を成膜することが行われている。具体的には、真空状態の成膜室内にＳｉ系（例えばＳｉＨ₄）等の成膜ガスを充填させ、プラズマ放電を行うことによってフィルム基板上にＳｉ系薄膜等を形成している。このとき、成膜室の内壁に薄膜が付着するおそれがあるため、内壁を覆うように防着板が配置されている。

また、フィルム状の太陽電池モジュールの成膜装置には、ロールツーロール方式およびステッピングロール方式が採用されている。ここで具体的に成膜装置の構造について説明すると、成膜装置は巻出し用コアおよび巻取り用コアを備えており、巻出し用コアおよび巻取り用コアはフィルム基板の搬送方向に間隔を空けて配置されている。フィルム基板は、巻出し用コアから巻出され、かつ巻取り用コアで巻取られて、成膜装置内で搬送されることとなる。また、成膜装置内では、成膜室が巻出し用コアと巻取り用コアとの間の区間に配置されており、フィルム基板は、成膜室を通過し、成膜室内で成膜されることとなる。そのため、成膜室は、成膜室を通過する前記フィルム基板の形状に対応させて、真空状態を保つために密閉性を高めて、補強し易く、かつ簡単な構造とすることが求められており、略直方体に形成されている。また、防着板は、略直方体に形成された成膜室の内壁に対応させて配置されている。このような成膜装置の構造は特許文献１に開示されている。

このような装置を用いて薄膜を形成する工程では、まず成膜室内をある程度の真空状態にするため、成膜装置に設けられたガス排気系の機構によって真空引きを行い、その後、必要に応じて成膜装置に設けられたヒーターにより基板を加熱して、脱ガスを行っている。この脱ガスの後、場合によっては数種類の成膜ガスを適当な流量比で混合した混合ガスを、成膜装置に設けられたガス導入ラインから成膜室内に流入させ、成膜装置に設けられた圧力制御器により成膜室内を適切な圧力に維持し、高周波電極に電力を印加して、電極間にプラズマを発生させて、基板上に薄膜を形成している。このような工程によって、例えば、種々の成膜条件で基板上に多層膜を形成し、薄膜太陽電池等を作製することが可能となる。

この工程のうち真空引きを行った直後では、成膜室内や基板の表面等に水分等が吸着することが多くなっている。これらの不純物が十分に脱ガスされない状態で薄膜形成を行った場合、薄膜中に大量の不純物が含まれることとなり、膜質の低下につながるおそれがある。そのため、成膜室内の脱ガスを促進する目的で、薄膜形成前にガス導入ラインから成膜室内にガスを導入し、圧力制御器およびガス排気ラインによって成膜室内を一定の圧力に維持した状態で、成膜室内の加熱（ベーキング）を数時間行っている。この加熱中、成膜室内に流入させるガスには、Ｈ₂等の熱伝導性の良いガス、Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガス、あるいは成膜を行う際に成膜室内に流入させる成膜ガス等が採用されている。
特開２００６−１４４０９１号公報

特許文献１に開示されている成膜装置の成膜室は、略直方体の形状であり、近接した内壁に囲まれ、急激に形状の変化する角部を有することとなる。前記プラズマ放電は、高周波電力により生成されるプラズマを用いており、突起部分や窪み部分等急激に形状が変化している箇所で異常放電を引き起こし易い。異常放電が発生した場合、前記薄膜が正常に形成されず、歩留まりが低下する問題がある。

また、特に基板上にＳｉ系薄膜をプラズマにより成膜する成膜装置では、ヒーターにより加熱する温度を１００℃〜３５０℃程度とすることが多く、成膜室を形成する内壁および防着板はヒーターからの輻射およびガスからの伝熱により加熱されることとなる。そのため、成膜室の構成部品は、熱に対して形状等の安定性を確保することが求められる。この安定性が確保されない場合、成膜中に防着板等の変形が発生し、急激に形状の変化する突起部分および窪み部分等が形成される結果となり、異常放電の発生要因となり、薄膜が正常に形成されず、歩留まりが低下する問題がある。

さらに、熱安定性を確保する目的で成膜室の内壁および防着板等、ヒーター以外の成膜室の構成部材を冷却水等により冷却する構成を有する場合、基板上にＳｉ系薄膜がプラズマにより形成されると共に、冷却された部分で粉末状の副生成物が大量に形成されることとなる。この副生成物が基板上に形成される薄膜に混入すると、薄膜が正常に形成されずに、良品率が大幅に低下してしまう問題がある。

そのために本発明の課題は、異常放電の発生を抑制し、薄膜を正常に形成し、歩留まりを向上させる成膜装置を提供することにある。

課題を解決するために本発明の成膜装置は、成膜を行う空間である成膜室と、前記成膜室の内部に配置された第１の電極および第２の電極と、高周波電源および整合回路から構成され、かつ前記第１の電極および前記第２の電極のうち一方の電極に成膜室の外部から電力を供給する機構と、前記第１の電極および前記第２の電極のうち他方の電極に前記成膜室の外部から電力を供給し、または接地電極に接続する機構と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にガスを流入させて、電極を供給することによりプラズマを形成し、前記プラズマを利用して成膜を行うように成膜室を加熱する機構と、前記成膜室内を囲むように前記成膜室内の複数の側面部に対応させて配置している複数の防着板と、を備えている成膜装置において、前記防着板を複数に分割し、近接する前記防着板同士の間に隙間を設けていることを特徴としている。

本発明の成膜装置は、前記成膜室内の角部に対応する部分で前記防着板の端部が湾曲していても良い。

本発明の成膜装置では、前記第１の電極板の周縁部または前記第１の電極板および前記第２の電極板の周縁部と、前記防着板の端部同士の間に形成された直線部と、の距離がＸとなっている成膜装置において、湾曲した前記防着板の前記端部と、前記第１の電極板または前記第１の電極板および前記第２の電極板と、の距離が０．９５Ｘ〜１．０５Ｘとなるように前記端部が形成されていても良い。

本発明の成膜装置では、前記防着板が絶縁体により作製されていても良い。

本発明の成膜装置では、前記防着板のプラズマに暴露される側の端部が面取り形状またはＲ形状となっていても良い。

本発明の成膜装置では、前記成膜室内の角部に対応する部分に配置された前記防着板の前記端部に近接する前記電極板の角部が面取り形状またはＲ形状となっていても良い。

本発明の成膜装置では、前記防着板のプラズマに暴露される側面部のみが凹凸形状を有するように加工されていても良い。

本発明の成膜装置では、前記防着板の両側の側面部が凹凸形状を有するように加工されていても良い。

本発明の成膜装置では、前記凹凸形状が、前記防着板の前記側面部から見て直径５μｍ〜２００μｍの略円形状に形成されていても良い。

本発明の成膜装置によれば、以下の効果を得ることができる。すなわち、本発明の成膜装置は、防着板を複数に分割し、近接する前記防着板同士の間に隙間を設けていることにより、成膜室の内壁および前記防着板が加熱された状態で、前記防着板の熱膨張に対する逃げを確保することが可能となり、熱変形に伴う突起および窪みの形成を抑制することが可能となる。また、前記防着板１枚当たりの面積を小さくすることにより、加熱された場合の熱膨張による変形量を小さく抑えることが可能となる。さらに熱変形を抑制するためのネジなどの固定具の数を減らすことにより、取付け・取外しなどのメンテナンス時間を短縮することが可能となる。

前記成膜室内の角部に対応する部分で前記防着板の端部が湾曲していても良く、角部など形状の急激に変化する部分に放電集中する傾向のある高周波放電において、前記成膜室内の急激に変化する部分の減少により、異常放電の発生を減少させることが可能となる。

前記第１の電極板の周縁部または前記第１の電極板および前記第２の電極板の周縁部と前記防着板の端部同士の間に形成された直線部との距離がＸとなっている成膜装置において、湾曲した前記防着板の前記端部と、前記第１の電極板または前記第１の電極板および前記第２の電極板との距離が０．９５Ｘ〜１．０５Ｘとなるように前記端部が形成されていても良く、前記電極板と前記防着板との距離を前記成膜室内全体で均一に保つことが容易となる。高周波電極と接地電位を有する部分との距離は、放電し易さに影響し、この距離が他の部位と異なると、この部分で放電集中または放電が立たなくなるなどの現象が発生し、プラズマの均一性が悪化することとなる。プラズマの均一性の悪化は基板上に形成される薄膜の膜圧の均一性を悪化させる要因となるからである。

前記防着板が絶縁体により作製されていても良く、前記防着板自体に高周波放電が印加されなくなり、前記防着板の端部の形状などに起因した異常放電を抑制することが可能となる。

前記防着板のプラズマに暴露される側の端部が面取り形状またはＲ形状となっていても良く、前記防着板の全体で角形状部分が減少し、異常放電の発生要因となる形状の急激に変化する部分が減少させることが可能となる。

前記成膜室内の角部に対応する部分に配置された前記防着板の前記端部に近接する前記電極板の角部が面取り形状またはＲ形状となっていても良く、前記成膜室の角部における前記第１の電極板および前記第２の電極板と前記防着板との距離を、前記防着板の直線部と電極板の直線部との距離に対して０．９５倍〜１．０５倍に保ち易くなり、成膜室の角部での放電環境の変化を抑制することが可能となる。

前記防着板のプラズマに暴露される側面部のみが凹凸形状を有するように加工されていても良く、前記防着板上に形成された薄膜の剥離を抑制することが可能となる。このような片面のみ凹凸形状を施した防着板の場合、前記防着板自体が凹凸形状を形成する時に反り等の変形が生じ易い。これは、特に前記防着板の厚さが薄くなると、その傾向が顕著になる。

前記防着板の両側の側面部が凹凸形状を有するように加工されていても良く、プラズマに暴露されない側に凹凸形状を設けることにより、凹凸形状形成時に発生する前記防着板内の内部応力を緩和することが可能となり、ブラスト処理等の防着板への付着膜の除去工程を数回繰り返しても、前記防着板の形状を直線状または面状形状に保つことが可能となる。

前記凹凸形状が、前記防着板の前記側面部から見て直径５μｍ〜２００μｍの略円形状に形成されていても良く、防着板へ付着した膜の剥離強度を高めることが可能となる。

本発明の第一実施形態について以下に説明する。図１は、成膜装置１の内部の概略を示している。成膜装置１の内部には、略直方体の成膜室２が配置され、加工対象であるフィルム基板３が搬送方向Ａに沿って搬送されるように配置されている。成膜室２の略中央の高さに入口開口２ａおよび出口開口２ｂが設けられており、フィルム基板３は、入口開口２ａから挿入され、成膜室２内を通過し、出口開口２ｂから搬出されている。成膜室２の内部には、高周波電源および整合回路から構成された高周波電極（第１の電極に相当）４および接地電極（第２の電極に相当）５が設けられている。高周波電極４は、成膜室２の外部から電力を供給する機構を備えており、フィルム基板３の一方の面側に配置されている。接地電極５はフィルム基板３の他方の面側に配置されている。また、接地電極５内には基板を加熱するヒーター（図示せず）が備えられており、フィルム基板３の他方の面側に配置されている。成膜室２の接地電極５側の内壁は、フィルム基板３に接近する方向に稼動する機構を備えており、フィルム基板３に光電変換素子などを成膜する際は、成膜室２の内壁で基板３を挟み込み、成膜室２が外部と隔離された状態で成膜ガスを充填され、高周波電極４に高周波電力を印加することにより高周波電極４から接地電極５に向かうプラズマを発生させる。

図２は、図１で示した成膜装置１のＢ−Ｂ断面図を示している。成膜装置１の略中央部に略長方形の高周波電極４は配置され、成膜室２の四方の内壁に対応させて防着板６がそれぞれ配置されている。成膜室２の各側面部に配置された防着板６は図２のＢ−Ｂ断面で見て２分割されており、室温時では防着板６，６同士の間に、成膜室２の直線部の隙間６ａおよび成膜室２の角部の隙間６ｂが存在している。成膜室２内を加熱する時には、防着板６は、成膜室２を構成する部材との差、または熱容量の差から防着板６，６同士の間の隙間６ａ，６ｂを狭める方向に伸びることとなる。薄膜太陽電池を形成する際、基板上に複数の薄膜から成る積層膜を形成する必要がある。成膜装置１は各種の薄膜を形成するための成膜室２、防着板６などをそれぞれ有し、ヒーター温度およびガス圧力等がそれぞれ異なり、各々の成膜室２、防着板６などの温度が異なっている。加熱後の成膜開始時の熱平衡状態で、防着板６，６同士の間の隙間６ａ，６ｂが無くなるように設定することが好ましい。

さらに、成膜室２における到達温度以上の耐熱性を有し、かつ絶縁性の材質で形成された防着板６を適用することにより、高周波電極４と防着板６との間で放電が発生しない構成となり、異常放電を抑制することが可能となる。

第一実施形態の第一変形例として、防着板６，６同士の間の隙間６ａ，６ｂを高周波電極４と接地電極５間との距離（電極間距離）の１／１０以下にしても良い。そのため、室温時における防着板６，６同士の間の隙間６ａ，６ｂは、各々の成膜室２などの使用環境に合わせて異なる値にすることが好ましい。

また、第一実施形態の第二変形例として、成膜室２の側面部における防着板６の分割数は２である必要はなく、３以上であってもよい。また、分割数は全ての成膜室２の側面部で同じにする必要はなく、例えば取付け易さを考慮して、取付け困難な側面部の分割数を低く、取付け容易な側面部の分割数を高くしても良い。

このような防着板６を成膜室２に設けることにより、成膜室２の加熱時に防着板６の熱膨張に伴う突起発生要素を減少させることが可能であり、成膜中に異常放電の発生回数を減少させることが可能となる。

図３は、本発明の第二実施形態における防着板６および成膜室２を示した図である。第二実施形態は、基本的な構造を第一実施形態、第一実施形態の第一変形例または第二変形例のいずれかと同様としており、これらと異なる部分を以下に説明する。具体的には、成膜室２内の角部に対応する部分で防着板６の端部６ｄを湾曲させると共に、防着板６の端部６ｄを近接させて配置している。隣り合っている２枚の防着板６，６は、隙間６ｂを空けながら端部６ｄの湾曲形状に合わせて一体となり、１つの湾曲形状を形成している。また、この隙間６ｂは防着板６が高温下で線膨張した場合でも、隣り合っている２枚の防着板６，６が互いに当接しないような間隔に設定している。

このような構成を取ることにより、成膜室２内で急激に形状の変化する箇所を減少させることが可能となり、異常放電の発生回数を減少させることが可能となる。第一実施形態と同様に、防着板６，６同士の間の隙間６ｂは、加熱後の成膜開始時の熱平衡状態で隙間が無くなくなる距離にするように設定することが好ましい。

また、成膜室２の一対の角部の間に配置された高周波電極４の直線部４ａと防着板６の直線部６ｃとの距離をＸ（図３および図４中のＸ）としている成膜装置１で、防着板６に設けた湾曲部の曲率を変えることにより、成膜室２の角部における高周波電極４と防着板６との距離Ｄ（図３および図４中のＤ）を０．９５Ｘ〜１．０５Ｘにした場合が、同０．９Ｘおよび同１．１Ｘとした場合と比較して±５％程度膜圧の均一性が改善することとなる。

第二実施形態の変形例として、防着板６，６同士の湾曲部の突合せ部を熱平衡状態で、隙間６ｂが無くなるようにすることが難しい場合、防着板６の湾曲部を有する端部６ｄの近傍を成膜室２の内壁に他の部位と比較して強く固定し、他方の湾曲部を有しない端部６ｄが優先的に熱膨張で伸張するような構成にすると良い。

図４は、本発明の第三実施形態における高周波電極４と防着板６とを示している。第三実施形態は、基本的な構造を第二実施形態または第二実施形態の変形例と同様としており、第二実施形態と異なる部分を以下に説明する。具体的には、高周波電極４の角部４ｂと成膜室２の角部に配置された防着板６の端部６ｄとが湾曲している。このような構成とすることにより、高周波電極４の角部４ｂと防着板６の湾曲部を有する端部６ｄとの距離Ｄを０．９５Ｘ〜１．０５Ｘに保ち易くなり、膜圧の均一性を確保することが容易となっている。加えて、高周波電極４の突起部も減少するので、異常放電の発生回数も抑制することが可能となる。

さらに、本発明の第四実施形態について説明する。図５（ａ）は、図２〜４に示した第一実施形態〜第三実施形態の防着板６のうち第一実施形態の防着板６を代表例として示している。具体的には、図５（ａ）に示した防着板６の端部６ｄは、鋭角な角部分を有する形状となっている。第四実施形態では、基本的な構造は、第一実施形態〜第三実施形態（各変形例を含む）のいずれかと同様であり、これらと異なる点について説明する。図５（ｂ）に示すように、図２のＢ−Ｂ断面に示した防着板６の端部６ｄを面取り形状としている。この面取り箇所はプラズマに暴露される側の端部６ｄの全てで行われることが好ましく、異常放電の発生を防止することが可能となる。または、この面取り形状をＲ形状としても良く、同様の効果が得られる。

第四実施形態の変形例として、プラズマに暴露されない側も、防着板６の端部６ｄを面取り形状とすることで、防着板６の表裏どちらをプラズマに暴露しても成膜室２の全体の構成が変わらなくなり、防着板６の表裏両側を使用することが可能となり、防着板６の有効利用を図ることが可能となる。

加えて、本発明の第五実施形態について説明する。図６（ａ）は、第二実施形態〜第三実施形態の防着板６を示している。具体的には、図６（ａ）に示した防着板６の端部６ｄは、鋭角な角部分を有する形状となっている。第五実施形態では、基本的な構造は、第二実施形態または第三実施形態（各変形例を含む）のいずれかと同様であり、これらと異なる点について説明する。図６（ｂ）に示すように、図３のＣ部における防着板６の端部６ｄを面取り形状としている。図６（ｂ）のような構成の防着板６を使用することによって、異常放電の発生を防止することが可能となる。また、この面取り形状をＲ形状としても良く、同様の効果が得られる。

本発明の第六実施形態について説明する。第六実施形態は基本的な構成は第一実施形態〜第五実施形態（各変形例を含む）のいずれかと同様になっており、これらと異なる点について以下に説明する。上述したような熱膨張対策および異常放電対策を施した防着板６の側面部で、プラズマに暴露される側にのみブラスト処理により凹凸形状を設けている。その結果、防着板６に付着した膜の剥離が発生し難くなり、薄膜太陽電池の良品率を向上することが可能となる。

さらに、防着板６の側面部から見た凹凸形状は略円形状となっており、この略円形状の直径を５μｍ以上とすることにより、成膜中、防着板６へ付着した薄膜の防着板６からの剥離を少なくすることが可能となる。具体的には５μｍ〜２００μｍとすると良く、防着板６へ付着した薄膜の防着板６からの剥離をより少なくすることが可能となる。また、防着板６の凹凸の度合いは、５μｍ〜１００μｍ程度であるとさらに好適である。

また、第六実施形態の変形例として、凹凸形状を防着板６のプラズマに露出する側だけでなく、防着板６のプラズマに露出されない側にも同様に設けても良く、防着板６自体の反りや変形等を抑制することが可能となる。また、両側の側面部に凹凸形状を形成することにより、防着板６の両側の側面部を使用することが可能となり、防着板６の有効利用が可能となる。

上述した実施形態では高周波電極４の詳細な形状に関してのみ記載したが、接地電極５を高周波電極４と同様の形状としても良く、また接地電極５のみを上述した高周波電極４の形状としても良い。

本発明の実施形態における成膜装置の内部構造をフィルム基板の搬送方向の側面から見た概略である。本発明の第一実施形態における成膜装置を図１のＢ-Ｂ断面で見た図である。本発明の第二実施形態における成膜装置を図１のＢ-Ｂ断面で見た図である。本発明の第三実施形態における成膜装置を図１のＢ-Ｂ断面で見た図である。（ａ）図２の防着板を拡大して表した図である。（ｂ）本発明の第四実施形態における防着板を図５（ａ）と同様に表した図である。（ａ）図３および図４のＣ部を表した図である。（ｂ）本発明の第五実施形態における防着板を図６（ａ）と同様に表した図である。

符号の説明

１成膜装置
２成膜室
２ａ入口開口
２ｂ出口開口
３フィルム基板
４高周波電極（第１の電極）
４ａ直線部
４ｂ角部
５接地電極（第２の電極）
６防着板
６ａ，６ｂ隙間
６ｃ直線部
６ｄ端部
Ａ搬送方向
Ｘ距離
Ｄ距離

Claims

成膜を行う空間である成膜室と、前記成膜室の内部に配置された第１の電極および第２の電極と、高周波電源および整合回路から構成され、かつ前記第１の電極および前記第２の電極のうち一方の電極に成膜室の外部から電力を供給する機構と、前記第１の電極および前記第２の電極のうち他方の電極に成膜室の外部から電力を供給し、または接地電位に接続する機構と、前記第１の電極と前記第２の電極との間にガスを流入させて、電極を供給することによりプラズマを形成し、前記プラズマを利用して成膜を行うように前記成膜室を加熱する機構と、前記成膜室内を囲むように前記成膜室内の複数の側面部に対応させて配置している複数の防着板と、を備えている成膜装置において、
前記防着板を複数に分割し、近接する前記防着板同士の間に隙間を設けていることを特徴とする成膜装置。
前記成膜室内の角部に対応する部分で前記防着板の端部が湾曲していることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
前記第１の電極板の周縁部または前記第１の電極板および前記第２の電極板の周縁部と、前記防着板の端部同士の間に形成された直線部と、の距離がＸとなっている成膜装置において、
湾曲した前記防着板の前記端部と、前記第１の電極板または前記第１の電極板および前記第２の電極板と、の距離が０．９５Ｘ〜１．０５Ｘとなるように前記端部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
前記防着板が絶縁体により作製されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
前記防着板のプラズマに暴露される側の端部が面取り形状またはＲ形状となっていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の成膜装置。
前記成膜室内の角部に対応する部分に配置された前記防着板の前記端部に近接する前記電極板の角部が面取り形状またはＲ形状となっていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の成膜装置。
前記防着板のプラズマに暴露される側面部のみが凹凸形状を有するように加工されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の成膜装置。
前記防着板の両側の側面部が凹凸形状を有するように加工されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の成膜装置。
前記凹凸形状が、前記防着板の前記側面部から見て直径５μｍ〜２００μｍの略円形状に形成されていることを特徴とする請求項７または８に記載の成膜装置。