JPH08111395A - 平坦化絶縁膜の形成方法 - Google Patents
平坦化絶縁膜の形成方法Info
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- JPH08111395A JPH08111395A JP6246051A JP24605194A JPH08111395A JP H08111395 A JPH08111395 A JP H08111395A JP 6246051 A JP6246051 A JP 6246051A JP 24605194 A JP24605194 A JP 24605194A JP H08111395 A JPH08111395 A JP H08111395A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フッ素を含む酸化シリコン膜で構成される平
坦化絶縁膜を形成する。 【構成】 第１工程では、凹凸形状を有するウエハ１０
の上面にフッ素を含む酸化シリコン膜１５を成膜する。
次にこの上面に、酸化シリコン膜１６を成膜してフッ化
酸化シリコン膜１５上に形成された凹凸形状を埋め込
む。第２工程では、化学的機械研磨法によって酸化シリ
コン膜１６のみを研磨してその表面を平坦化する。これ
によって、ＣＭＰの際に研磨面上の研磨液のｐＨを変化
させることなく研磨を行い、研磨速度を確保する。
坦化絶縁膜を形成する。 【構成】 第１工程では、凹凸形状を有するウエハ１０
の上面にフッ素を含む酸化シリコン膜１５を成膜する。
次にこの上面に、酸化シリコン膜１６を成膜してフッ化
酸化シリコン膜１５上に形成された凹凸形状を埋め込
む。第２工程では、化学的機械研磨法によって酸化シリ
コン膜１６のみを研磨してその表面を平坦化する。これ
によって、ＣＭＰの際に研磨面上の研磨液のｐＨを変化
させることなく研磨を行い、研磨速度を確保する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において、凹凸形状を有するウエハの上面に平坦化絶縁
膜を形成する方法に関する。
において、凹凸形状を有するウエハの上面に平坦化絶縁
膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程で、配線パターン
や素子分離領域等によって凹凸形状が形成されたウエハ
の上面に平坦化絶縁膜を形成する場合には、例えば以下
のようにしている。先ず、凹凸形状を埋め込む状態で上
記ウエハの上面に酸化シリコン膜を成膜する。次に、化
学的機械研磨法（Chemical Mechanical Polishing ：Ｃ
ＭＰ）によって、上記酸化シリコン膜を研磨し当該酸化
シリコン膜の表面を平坦化する。この際、ｐＨ１０程度
に保たれた研磨液を研磨面に供給して研磨面上の研磨液
のｐＨを１０程度に保って研磨を行う。
や素子分離領域等によって凹凸形状が形成されたウエハ
の上面に平坦化絶縁膜を形成する場合には、例えば以下
のようにしている。先ず、凹凸形状を埋め込む状態で上
記ウエハの上面に酸化シリコン膜を成膜する。次に、化
学的機械研磨法（Chemical Mechanical Polishing ：Ｃ
ＭＰ）によって、上記酸化シリコン膜を研磨し当該酸化
シリコン膜の表面を平坦化する。この際、ｐＨ１０程度
に保たれた研磨液を研磨面に供給して研磨面上の研磨液
のｐＨを１０程度に保って研磨を行う。
【０００３】上記平坦化絶縁膜の形成方法では、研磨面
上の研磨液のｐＨを所定の値に保つことで、研磨速度を
確保した研磨が行われる。
上の研磨液のｐＨを所定の値に保つことで、研磨速度を
確保した研磨が行われる。
【０００４】一方、素子構造の微細化の進展に伴い、今
後配線間容量が素子の動作速度を律速する要因になるこ
とが予測される。そこで、さらに素子構造の微細化を進
めていく上で半導体装置の高機能化を保つためには、配
線間に配置される平坦化絶縁膜として酸化シリコン膜よ
りも低誘電率の絶縁性材料を適用することによって上記
配線間容量を抑制する必要がある。このような絶縁性材
料として、フッ素を含む酸化シリコン膜が注目されてい
る。
後配線間容量が素子の動作速度を律速する要因になるこ
とが予測される。そこで、さらに素子構造の微細化を進
めていく上で半導体装置の高機能化を保つためには、配
線間に配置される平坦化絶縁膜として酸化シリコン膜よ
りも低誘電率の絶縁性材料を適用することによって上記
配線間容量を抑制する必要がある。このような絶縁性材
料として、フッ素を含む酸化シリコン膜が注目されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記平坦化絶
縁膜の形成方法には、以下のような課題があった。すな
わち、フッ素を含む酸化シリコン膜からなる平坦化絶縁
膜を上記の方法によって形成しようとすると、ＣＭＰに
よる研磨の際にフッ素を含む酸化シリコン膜から遊離し
たフッ素が研磨液中の水と反応してフッ酸が生成され
る。しかし、上記平坦化方法では、一定のｐＨの研磨液
を研磨面に供給してＣＭＰを行うため、上記のようにし
て研磨面でフッ酸が生成された場合には、研磨面上の研
磨液のｐＨが低下して研磨速度が低下する。
縁膜の形成方法には、以下のような課題があった。すな
わち、フッ素を含む酸化シリコン膜からなる平坦化絶縁
膜を上記の方法によって形成しようとすると、ＣＭＰに
よる研磨の際にフッ素を含む酸化シリコン膜から遊離し
たフッ素が研磨液中の水と反応してフッ酸が生成され
る。しかし、上記平坦化方法では、一定のｐＨの研磨液
を研磨面に供給してＣＭＰを行うため、上記のようにし
て研磨面でフッ酸が生成された場合には、研磨面上の研
磨液のｐＨが低下して研磨速度が低下する。
【０００６】そこで、本発明は、ＣＭＰの際に研磨速度
を確保しながらフッ素を含む酸化シリコン膜で構成され
る平坦化絶縁膜を形成する方法を提供し、これによっ
て、低誘電性材料からなる平坦化絶縁膜の形成を実現す
ることを目的とする。
を確保しながらフッ素を含む酸化シリコン膜で構成され
る平坦化絶縁膜を形成する方法を提供し、これによっ
て、低誘電性材料からなる平坦化絶縁膜の形成を実現す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の平坦化絶縁膜の形成方法は、以下のように行
う。先ず、第１の平坦化絶縁膜の形成方法では、第１工
程で、凹凸形状を有するウエハの上面にフッ素を含む酸
化シリコン膜を成膜し、さらにこの上面に酸化シリコン
膜を成膜してフッ素を含む酸化シリコン膜上の凹凸形状
を埋め込む。次の第２工程で、化学的機械研磨法によっ
て上記酸化シリコン膜を研磨してその表面を平坦化す
る。
の本発明の平坦化絶縁膜の形成方法は、以下のように行
う。先ず、第１の平坦化絶縁膜の形成方法では、第１工
程で、凹凸形状を有するウエハの上面にフッ素を含む酸
化シリコン膜を成膜し、さらにこの上面に酸化シリコン
膜を成膜してフッ素を含む酸化シリコン膜上の凹凸形状
を埋め込む。次の第２工程で、化学的機械研磨法によっ
て上記酸化シリコン膜を研磨してその表面を平坦化す
る。
【０００８】第２の平坦化絶縁膜の形成方法では、第２
工程の化学的機械研磨法によって、酸化シリコン膜と前
記フッ素を含む酸化シリコン膜とを研磨する。この際、
フッ素を含む酸化シリコン膜の削れ量に対応させながら
ｐＨを変化させた研磨液を供給することによって研磨面
上の研磨液のｐＨを所定の値に保って研磨を行う。
工程の化学的機械研磨法によって、酸化シリコン膜と前
記フッ素を含む酸化シリコン膜とを研磨する。この際、
フッ素を含む酸化シリコン膜の削れ量に対応させながら
ｐＨを変化させた研磨液を供給することによって研磨面
上の研磨液のｐＨを所定の値に保って研磨を行う。
【０００９】第３の平坦化絶縁膜の形成方法では、第１
工程で、凹凸形状を有するウエハの上面にフッ素を含む
酸化シリコン膜を成膜して上記凹凸形状を埋め込む。次
の第２工程では、上記第２の方法と同様の化学的機械研
磨法によって、上記フッ素を含む酸化シリコン膜を研磨
する。
工程で、凹凸形状を有するウエハの上面にフッ素を含む
酸化シリコン膜を成膜して上記凹凸形状を埋め込む。次
の第２工程では、上記第２の方法と同様の化学的機械研
磨法によって、上記フッ素を含む酸化シリコン膜を研磨
する。
【００１０】
【作用】上記第１の方法では、フッ素を含む酸化シリコ
ン膜上の酸化シリコン膜を化学的機械研磨法によって研
磨することから、研磨の際には研磨面上の研磨液のｐＨ
は変化しない。このため、所定の研磨速度を保って研磨
が行われ、これによって、フッ素を含む酸化シリコン膜
の上面を酸化シリコン膜で覆った状態の平坦化絶縁膜が
ウエハ上に形成される。
ン膜上の酸化シリコン膜を化学的機械研磨法によって研
磨することから、研磨の際には研磨面上の研磨液のｐＨ
は変化しない。このため、所定の研磨速度を保って研磨
が行われ、これによって、フッ素を含む酸化シリコン膜
の上面を酸化シリコン膜で覆った状態の平坦化絶縁膜が
ウエハ上に形成される。
【００１１】上記第２の方法では、フッ素を含む酸化シ
リコン膜の削れ量に対応させてｐＨを変化させた研磨液
を研磨面に供給することによって研磨面上の研磨液のｐ
Ｈを所定の値に保ちながら酸化シリコン膜とフッ素を含
む酸化シリコン膜とを化学的機械研磨する。このことか
ら、所定の研磨速度を保って酸化シリコン膜とフッ素を
含む酸化シリコン膜との研磨が行われ、これによって、
ウエハ上には少なくともフッ素を含む酸化シリコン膜か
らなる平坦化絶縁膜が形成される。
リコン膜の削れ量に対応させてｐＨを変化させた研磨液
を研磨面に供給することによって研磨面上の研磨液のｐ
Ｈを所定の値に保ちながら酸化シリコン膜とフッ素を含
む酸化シリコン膜とを化学的機械研磨する。このことか
ら、所定の研磨速度を保って酸化シリコン膜とフッ素を
含む酸化シリコン膜との研磨が行われ、これによって、
ウエハ上には少なくともフッ素を含む酸化シリコン膜か
らなる平坦化絶縁膜が形成される。
【００１２】上記第３の方法では、ウエハ上に成膜した
フッ素を含む酸化シリコン膜を上記第２の方法と同様に
研磨する。このことから、所定の研磨速度を保ってフッ
素を含む酸化シリコン膜の研磨が行われ、これによっ
て、ウエハ上にはフッ素を含む酸化シリコン膜からなる
平坦化絶縁膜が形成される。
フッ素を含む酸化シリコン膜を上記第２の方法と同様に
研磨する。このことから、所定の研磨速度を保ってフッ
素を含む酸化シリコン膜の研磨が行われ、これによっ
て、ウエハ上にはフッ素を含む酸化シリコン膜からなる
平坦化絶縁膜が形成される。
【００１３】
【実施例】本発明の第１実施例を図１の断面模式図によ
り説明する。図１（１）に示すように、平坦化絶縁膜を
形成するウエハ１０は、例えば以下のように構成された
ものである。すなわち、Ｓｉ基板１１の上面には、酸化
シリコン膜１２が成膜されている。この酸化シリコン膜
１２の上面にはアルミニウムからなる配線１３がパター
ン形成されている。
り説明する。図１（１）に示すように、平坦化絶縁膜を
形成するウエハ１０は、例えば以下のように構成された
ものである。すなわち、Ｓｉ基板１１の上面には、酸化
シリコン膜１２が成膜されている。この酸化シリコン膜
１２の上面にはアルミニウムからなる配線１３がパター
ン形成されている。
【００１４】上記のように配線１３による凹凸形状が形
成されているウエハ１０の上面に平坦化絶縁膜を形成す
る場合には、以下のように行う。先ず、第１工程では、
ウエハ１０の上面にフッ素を含む酸化シリコン膜（以
下、ＳｉＯＦと記す）膜１５を成膜する。このＳｉＯＦ
膜１５は、例えば、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い
て、配線１３間を埋め込みながら形成する。成膜条件
は、例えば以下のように設定する。成膜ガス及び流量：
シラン／酸素／６フッ化エタン＝４０／２０／１０ｓｃ
ｃｍ，成膜圧力：１Ｐａ，マイクロ波パワー：２．５ｋ
Ｗ，ＲＦバイアス（２ＭＨｚ）：１００Ｗ。
成されているウエハ１０の上面に平坦化絶縁膜を形成す
る場合には、以下のように行う。先ず、第１工程では、
ウエハ１０の上面にフッ素を含む酸化シリコン膜（以
下、ＳｉＯＦと記す）膜１５を成膜する。このＳｉＯＦ
膜１５は、例えば、バイアスＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い
て、配線１３間を埋め込みながら形成する。成膜条件
は、例えば以下のように設定する。成膜ガス及び流量：
シラン／酸素／６フッ化エタン＝４０／２０／１０ｓｃ
ｃｍ，成膜圧力：１Ｐａ，マイクロ波パワー：２．５ｋ
Ｗ，ＲＦバイアス（２ＭＨｚ）：１００Ｗ。
【００１５】その後、上記ＳｉＯＦ膜１５の上面に、当
該ＳｉＯＦ膜１５上面の凹凸を埋め込む状態で酸化シリ
コン膜（以下、ＳｉＯ2 と記す）膜１６を成膜する。成
膜条件は例えば以下のように設定する。成膜ガス及び流
量：シラン／酸素＝４０／２０／１０ｓｃｃｍ，成膜圧
力：１Ｐａ，マイクロ波パワー：２．５ｋＷ。
該ＳｉＯＦ膜１５上面の凹凸を埋め込む状態で酸化シリ
コン膜（以下、ＳｉＯ2 と記す）膜１６を成膜する。成
膜条件は例えば以下のように設定する。成膜ガス及び流
量：シラン／酸素＝４０／２０／１０ｓｃｃｍ，成膜圧
力：１Ｐａ，マイクロ波パワー：２．５ｋＷ。
【００１６】次に、図１（２）に示す第２工程では、Ｃ
ＭＰ法によってＳｉＯ2 膜１６を研磨する。上記研磨液
は、コロイダルシリカと水酸化カリウムや水酸化アンモ
ニウム等のアルカリ溶液とを混合した研磨剤と水とで構
成する。そして、研磨条件は、例えば以下のように設定
する。加工圧力：１２０ｇ／ｃｍ2 ，テーブル回転数：
９０ｒｐｍ，砥粒：コロイダルシリカ，供給する研磨液
のｐＨ：１０，研磨液供給量：３ｍｌ／ｍｉｎ。ここで
は、ＳｉＯ2 膜１６の表面が平坦になるまで当該ＳｉＯ
2 膜１６を研磨する。これによって、ＳｉＯＦ膜１５と
その上面を覆うＳｉＯ2 膜１６とからなる平坦化絶縁膜
１７をウエハ１０上に形成する。
ＭＰ法によってＳｉＯ2 膜１６を研磨する。上記研磨液
は、コロイダルシリカと水酸化カリウムや水酸化アンモ
ニウム等のアルカリ溶液とを混合した研磨剤と水とで構
成する。そして、研磨条件は、例えば以下のように設定
する。加工圧力：１２０ｇ／ｃｍ2 ，テーブル回転数：
９０ｒｐｍ，砥粒：コロイダルシリカ，供給する研磨液
のｐＨ：１０，研磨液供給量：３ｍｌ／ｍｉｎ。ここで
は、ＳｉＯ2 膜１６の表面が平坦になるまで当該ＳｉＯ
2 膜１６を研磨する。これによって、ＳｉＯＦ膜１５と
その上面を覆うＳｉＯ2 膜１６とからなる平坦化絶縁膜
１７をウエハ１０上に形成する。
【００１７】上記第１実施例では、ＳｉＯ2 膜１６のみ
を化学的機械研磨法によって研磨することから、研磨の
際には研磨面上の研磨液のｐＨの変化が防止されて所定
の研磨速度を保った研磨が行われる。このため、ＣＭＰ
の際には、良好な研磨特性が保たれ、平坦な研磨面が得
られる。
を化学的機械研磨法によって研磨することから、研磨の
際には研磨面上の研磨液のｐＨの変化が防止されて所定
の研磨速度を保った研磨が行われる。このため、ＣＭＰ
の際には、良好な研磨特性が保たれ、平坦な研磨面が得
られる。
【００１８】次に、第２実施例の平坦化絶縁膜の形成方
法を図２に基づいて説明する。平坦化絶縁膜を形成する
ウエハは、上記第１実施例で示したウエハ１０と同様に
構成されたものとする。
法を図２に基づいて説明する。平坦化絶縁膜を形成する
ウエハは、上記第１実施例で示したウエハ１０と同様に
構成されたものとする。
【００１９】先ず、図２（１）に示す第１工程では、ウ
エハ１０の上面に、ＳｉＯＦ膜２１を成膜し、この上面
にＳｉＯ2 膜２２を成膜する。これらのＳｉＯＦ膜２１
とＳｉＯ膜２２とは、ウエハ１０表面の凹凸形状よりも
ＳｉＯ膜２２の上面の方が高い位置になるように成膜す
る。それぞれの膜の成膜は、例えば上記第１実施例と同
様に行う。
エハ１０の上面に、ＳｉＯＦ膜２１を成膜し、この上面
にＳｉＯ2 膜２２を成膜する。これらのＳｉＯＦ膜２１
とＳｉＯ膜２２とは、ウエハ１０表面の凹凸形状よりも
ＳｉＯ膜２２の上面の方が高い位置になるように成膜す
る。それぞれの膜の成膜は、例えば上記第１実施例と同
様に行う。
【００２０】次に、図２（２）に示す第２工程では、Ｃ
ＭＰ法によってＳｉＯ2 膜２２の上面から当該ＳｉＯ2
膜２２とＳｉＯＦ膜２１とを研磨面が平坦になるまで研
磨していく。この際、研磨面に供給する研磨液のｐＨ以
外の研磨条件は、上記第１実施例と同様に設定して研磨
を行う。
ＭＰ法によってＳｉＯ2 膜２２の上面から当該ＳｉＯ2
膜２２とＳｉＯＦ膜２１とを研磨面が平坦になるまで研
磨していく。この際、研磨面に供給する研磨液のｐＨ以
外の研磨条件は、上記第１実施例と同様に設定して研磨
を行う。
【００２１】上記研磨液のｐＨは以下のように設定す
る。先ず、図３に示すように、研磨面がＳｉＯＦ膜（２
１）に達するまでは、研磨面に供給する研磨液のｐＨを
１０に保つ。その後、研磨面がＳｉＯＦ膜（２１）に達
して当該ＳｉＯＦ膜（２１）の研磨が始まってからは、
研磨面に供給する研磨液のｐＨをＳｉＯＦ膜（２１）の
削れ量に対応させて上昇させる。これによって、ＳｉＯ
Ｆ膜（２１）の研磨の際に当該ＳｉＯＦ膜（２１）から
遊離したフッ素と研磨液中の水とで生成されるフッ酸に
よって研磨面上の研磨液のｐＨが低下することを防止し
て、研磨面上の研磨液を例えばｐＨ１０に保ちながらＳ
ｉＯ2 膜（２２）及びＳｉＯＦ膜（２１）の研磨を行
う。
る。先ず、図３に示すように、研磨面がＳｉＯＦ膜（２
１）に達するまでは、研磨面に供給する研磨液のｐＨを
１０に保つ。その後、研磨面がＳｉＯＦ膜（２１）に達
して当該ＳｉＯＦ膜（２１）の研磨が始まってからは、
研磨面に供給する研磨液のｐＨをＳｉＯＦ膜（２１）の
削れ量に対応させて上昇させる。これによって、ＳｉＯ
Ｆ膜（２１）の研磨の際に当該ＳｉＯＦ膜（２１）から
遊離したフッ素と研磨液中の水とで生成されるフッ酸に
よって研磨面上の研磨液のｐＨが低下することを防止し
て、研磨面上の研磨液を例えばｐＨ１０に保ちながらＳ
ｉＯ2 膜（２２）及びＳｉＯＦ膜（２１）の研磨を行
う。
【００２２】ここでは、研磨面が平坦になるまでＳｉＯ
2 膜（２２）とＳｉＯＦ膜（２１）とを研磨する。これ
によって、ＳｉＯＦ膜（２１）とその上面のＳｉＯ2 膜
（２２）とからなる平坦化絶縁膜（２３）をウエハ（１
０）上に形成する。
2 膜（２２）とＳｉＯＦ膜（２１）とを研磨する。これ
によって、ＳｉＯＦ膜（２１）とその上面のＳｉＯ2 膜
（２２）とからなる平坦化絶縁膜（２３）をウエハ（１
０）上に形成する。
【００２３】上記第２実施例の平坦化絶縁膜の形成方法
では、研磨面上の研磨液を所定のｐＨに保って化学的機
械研磨を行うことから、所定の研磨速度を保った研磨が
行われる。このため、ＣＭＰの際には、良好な研磨特性
が保たれ、平坦な研磨面が得られる。
では、研磨面上の研磨液を所定のｐＨに保って化学的機
械研磨を行うことから、所定の研磨速度を保った研磨が
行われる。このため、ＣＭＰの際には、良好な研磨特性
が保たれ、平坦な研磨面が得られる。
【００２４】次に、第３実施例の平坦化絶縁膜の形成方
法を図４に基づいて説明する。平坦化絶縁膜を形成する
ウエハは、上記第１及び第２実施例で示したウエハ１０
と同様に構成されたものとする。
法を図４に基づいて説明する。平坦化絶縁膜を形成する
ウエハは、上記第１及び第２実施例で示したウエハ１０
と同様に構成されたものとする。
【００２５】先ず、図４（１）に示す第１工程では、ウ
エハ１０の上面に、当該ウエハ１０表面の凹凸形状を埋
め込む状態でＳｉＯＦ膜４１を成膜する。ＳｉＯＦ膜４
１の成膜は、例えば上記第１実施例と同様に行う。
エハ１０の上面に、当該ウエハ１０表面の凹凸形状を埋
め込む状態でＳｉＯＦ膜４１を成膜する。ＳｉＯＦ膜４
１の成膜は、例えば上記第１実施例と同様に行う。
【００２６】次に、図４（２）に示す第２工程では、Ｃ
ＭＰ法によってＳｉＯＦ膜４１をその表面が平坦になる
まで研磨していく。この際、研磨面に供給する研磨液の
ｐＨ以外の研磨条件は、上記第１実施例と同様に設定し
て研磨を行う。上記研磨面に供給する研磨液は、研磨面
上の研磨液のｐＨを１０に保つように、ＳｉＯＦ膜４１
の削れ量に対応させてｐＨを上昇させたものを供給す
る。
ＭＰ法によってＳｉＯＦ膜４１をその表面が平坦になる
まで研磨していく。この際、研磨面に供給する研磨液の
ｐＨ以外の研磨条件は、上記第１実施例と同様に設定し
て研磨を行う。上記研磨面に供給する研磨液は、研磨面
上の研磨液のｐＨを１０に保つように、ＳｉＯＦ膜４１
の削れ量に対応させてｐＨを上昇させたものを供給す
る。
【００２７】上記第３実施例の平坦化絶縁膜の形成方法
では、研磨面上の研磨液を所定のｐＨに保って化学的機
械研磨を行うことから、所定の研磨速度を保った研磨が
行われる。このため、ＣＭＰの際には、良好な研磨特性
が保たれ、平坦な研磨面が得られる。
では、研磨面上の研磨液を所定のｐＨに保って化学的機
械研磨を行うことから、所定の研磨速度を保った研磨が
行われる。このため、ＣＭＰの際には、良好な研磨特性
が保たれ、平坦な研磨面が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の第１の平
坦化絶縁膜の形成方法によれば、フッ素を含む酸化シリ
コン膜上に成膜した酸化シリコン膜のみをＣＭＰ法によ
って研磨することで、所定の研磨速度を保った研磨を行
うことができるため、ウエハ上に低誘電性材料であるフ
ッ素を含む酸化シリコン膜からなる平坦化絶縁膜を形成
することが可能になる。また、本発明の第２及び第３の
平坦化絶縁膜の形成方法によれば、ＣＭＰの際にフッ素
を含む酸化シリコン膜の削れ量に対応させてｐＨを変化
させた研磨液を研磨面に供給して研磨面上の研磨液のｐ
Ｈを所定の値に保つことで、所定の研磨速度を保った研
磨を行うことができる。このため、ウエハ上に低誘電性
材料であるフッ素を含む酸化シリコン膜からなる平坦化
絶縁膜を形成することが可能になる。
坦化絶縁膜の形成方法によれば、フッ素を含む酸化シリ
コン膜上に成膜した酸化シリコン膜のみをＣＭＰ法によ
って研磨することで、所定の研磨速度を保った研磨を行
うことができるため、ウエハ上に低誘電性材料であるフ
ッ素を含む酸化シリコン膜からなる平坦化絶縁膜を形成
することが可能になる。また、本発明の第２及び第３の
平坦化絶縁膜の形成方法によれば、ＣＭＰの際にフッ素
を含む酸化シリコン膜の削れ量に対応させてｐＨを変化
させた研磨液を研磨面に供給して研磨面上の研磨液のｐ
Ｈを所定の値に保つことで、所定の研磨速度を保った研
磨を行うことができる。このため、ウエハ上に低誘電性
材料であるフッ素を含む酸化シリコン膜からなる平坦化
絶縁膜を形成することが可能になる。
【図１】第１実施例を示す断面模式図である。
【図２】第２実施例を示す断面模式図である。
【図３】第２実施例を説明するグラフである。
【図４】第３実施例を示す断面模式図である。
１０ ウエハ １５，２１，４１ フッ素を含む酸化シリコン（ＳｉＯ
Ｆ）膜 １６，２２ 酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜 １７，２３，４２ 平坦化絶縁膜
Ｆ）膜 １６，２２ 酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜 １７，２３，４２ 平坦化絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】 凹凸形状を有するウエハの上面にフッ素
を含む酸化シリコン膜を成膜し、さらに当該フッ素を含
む酸化シリコン膜上に形成された凹凸形状を埋め込む状
態で酸化シリコン膜を成膜する第１工程と、 化学的機械研磨法によって前記酸化シリコン膜を研磨
し、当該酸化シリコン膜の表面を平坦化する第２工程と
を行うことを特徴とする平坦化絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 凹凸形状を有するウエハの上面をフッ素
を含む酸化シリコン膜で覆い、さらに当該フッ素を含む
酸化シリコン膜上に少なくとも前記ウエハの凹凸形状よ
りも高く酸化シリコン膜を成膜する第１工程と、 前記フッ素を含む酸化シリコン膜の削れ量に対応させな
がらｐＨを変化させた研磨液を供給することによって研
磨面上の研磨液のｐＨを所定の値に保って前記酸化シリ
コン膜と前記フッ素を含む酸化シリコン膜とを化学的機
械研磨し、前記研磨面を平坦化する第２工程とを行うこ
とを特徴とする平坦化絶縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 凹凸形状を有するウエハの上面に前記凹
凸形状を埋め込む状態でフッ素を含む酸化シリコン膜を
成膜する第１工程と、 前記フッ素を含む酸化シリコン膜の削れ量に対応させな
がらｐＨを変化させた研磨液を供給することによって研
磨面上の研磨液のｐＨを所定の値に保って前記フッ素を
含む酸化シリコン膜を化学的機械研磨し、当該フッ素を
含む酸化シリコン膜の表面を平坦化する第２工程とを行
うことを特徴とする平坦化絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24605194A JP3297787B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24605194A JP3297787B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111395A true JPH08111395A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3297787B2 JP3297787B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=17142739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24605194A Expired - Fee Related JP3297787B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297787B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024526A1 (en) * | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Lucent Technologies Inc. | An integrated circuit device having a planar interlevel dielectric layer |
| JP2002252280A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014183221A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-12 JP JP24605194A patent/JP3297787B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024526A1 (en) * | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Lucent Technologies Inc. | An integrated circuit device having a planar interlevel dielectric layer |
| US6274933B1 (en) | 1999-01-26 | 2001-08-14 | Agere Systems Guardian Corp. | Integrated circuit device having a planar interlevel dielectric layer |
| JP2002252280A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014183221A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3297787B2 (ja) | 2002-07-02 |
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