JPH0778743A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0778743A JPH0778743A JP22157993A JP22157993A JPH0778743A JP H0778743 A JPH0778743 A JP H0778743A JP 22157993 A JP22157993 A JP 22157993A JP 22157993 A JP22157993 A JP 22157993A JP H0778743 A JPH0778743 A JP H0778743A
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- JP
- Japan
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- substrate
- semiconductor substrate
- pattern
- jet
- liquid
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- Withdrawn
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板を回転させ薬液塗布を行う際、半導
体基板裏面に付着したごみの除去および半導体基板裏面
へのごみの廻り込みを防止し、噴出流体による半導体基
板への冷却効果によって生ずる感光性樹脂膜の膜厚ばら
つき、パターン形成不良、パターン寸法不良等の低減を
図る。 【構成】半導体基板１を真空吸着しパルスモーター３で
回転運動させる基体２の側面部に複数の噴出口１０を放
射状に設け、この噴出口１０より半導体基板１の裏面に
温調器５を介した気体または液体７を噴出させる。これ
により、半導体基板１の裏面へのごみの廻り込みを防止
すると同時に半導体基板１の温度変化が生じないため、
感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、パターン形成不良、パタ
ーン寸法不良を低減する他、後工程におけるパターン形
成不良も低減できる。
体基板裏面に付着したごみの除去および半導体基板裏面
へのごみの廻り込みを防止し、噴出流体による半導体基
板への冷却効果によって生ずる感光性樹脂膜の膜厚ばら
つき、パターン形成不良、パターン寸法不良等の低減を
図る。 【構成】半導体基板１を真空吸着しパルスモーター３で
回転運動させる基体２の側面部に複数の噴出口１０を放
射状に設け、この噴出口１０より半導体基板１の裏面に
温調器５を介した気体または液体７を噴出させる。これ
により、半導体基板１の裏面へのごみの廻り込みを防止
すると同時に半導体基板１の温度変化が生じないため、
感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、パターン形成不良、パタ
ーン寸法不良を低減する他、後工程におけるパターン形
成不良も低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に半導体基板を回転させその表面に種々の薬剤を滴下
あるいは噴霧し、基板の表面に所望の厚さの薄膜やパタ
ーンを形成する半導体製造装置に関するものである。
特に半導体基板を回転させその表面に種々の薬剤を滴下
あるいは噴霧し、基板の表面に所望の厚さの薄膜やパタ
ーンを形成する半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体製造装置は、図３
の断面図に示す様に半導体基板１を支持しパルスモータ
ー３により回転させる基体２と、半導体基板１の表面に
対し薬剤６を滴下あるいは噴霧するノズル４と、半導体
基板１の裏面に対し異物付着防止のための気体あるいは
液体７を垂直に噴出するノズル９とを備えている。
の断面図に示す様に半導体基板１を支持しパルスモータ
ー３により回転させる基体２と、半導体基板１の表面に
対し薬剤６を滴下あるいは噴霧するノズル４と、半導体
基板１の裏面に対し異物付着防止のための気体あるいは
液体７を垂直に噴出するノズル９とを備えている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体製造
装置では、半導体基板表面に種々の加工処理を行う場合
に、回転によって発生する半導体基板裏面での乱れた気
流によるごみ付着及び基板表面からの薬液の廻り込みに
よる異物付着が発生していた。そこで、これら裏面での
異物付着対策のために基体下方に流体噴出用のノズルを
設けているが、裏面側に浮遊するごみ及び表面から廻り
込む異物に対して十分な障壁にはならず、異物付着を防
止するには到っていない。そのため、異物付着防止を強
めようとノズルからの噴出圧及び量を増加させると、半
導体基板への冷却効果が発生し、半導体基板表面におい
て加工時に膜厚あるいはパターン寸法等のばらつきを生
じさせるという問題点があった。
装置では、半導体基板表面に種々の加工処理を行う場合
に、回転によって発生する半導体基板裏面での乱れた気
流によるごみ付着及び基板表面からの薬液の廻り込みに
よる異物付着が発生していた。そこで、これら裏面での
異物付着対策のために基体下方に流体噴出用のノズルを
設けているが、裏面側に浮遊するごみ及び表面から廻り
込む異物に対して十分な障壁にはならず、異物付着を防
止するには到っていない。そのため、異物付着防止を強
めようとノズルからの噴出圧及び量を増加させると、半
導体基板への冷却効果が発生し、半導体基板表面におい
て加工時に膜厚あるいはパターン寸法等のばらつきを生
じさせるという問題点があった。
【０００４】又、裏面に付着する異物は、年々半導体回
路パターンの縮小化が進むにつれてフォトレジスト工程
における部分的パターン形成不良を誘発し、又、後工程
のエッチング処理工程で異常エッチングの原因となり、
半導体装置の製造歩留りや品質低下を招くという問題点
があった。
路パターンの縮小化が進むにつれてフォトレジスト工程
における部分的パターン形成不良を誘発し、又、後工程
のエッチング処理工程で異常エッチングの原因となり、
半導体装置の製造歩留りや品質低下を招くという問題点
があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板を
吸着しこれを回転運動させる基体と、半導体基板の表面
に種々の薬剤を滴下あるいは噴霧するノズルとを有する
半導体製造装置において、前記基体の側面部に気体ある
いは液体を噴出する複数の噴出口を放射状に設けるとと
もに、この噴出口に前記気体あるいは液体を温度調節し
て送り込むための温調器を前記基体に接続している。
吸着しこれを回転運動させる基体と、半導体基板の表面
に種々の薬剤を滴下あるいは噴霧するノズルとを有する
半導体製造装置において、前記基体の側面部に気体ある
いは液体を噴出する複数の噴出口を放射状に設けるとと
もに、この噴出口に前記気体あるいは液体を温度調節し
て送り込むための温調器を前記基体に接続している。
【０００６】
【実施例】次に本発明の一実施例につき図を用いて説明
する。図１は一実施例の断面図，図２はそのＡ−Ａ断面
図である。
する。図１は一実施例の断面図，図２はそのＡ−Ａ断面
図である。
【０００７】図において、本実施例は、搬送部から送ら
れた半導体基板１を真空吸着しこれをパルスモーター３
にて回転させる基体２と、薬剤６を滴下あるいは噴出す
るノズル４と、気体あるいは液体７を温度調節する温調
器５とから構成されている。更に本実施例は、半導体基
板１を載置する基体２の側面部に、気体あるいは液体７
を半導体基板１の裏面に沿って噴出する複数の噴出口１
０を放射状に有している。
れた半導体基板１を真空吸着しこれをパルスモーター３
にて回転させる基体２と、薬剤６を滴下あるいは噴出す
るノズル４と、気体あるいは液体７を温度調節する温調
器５とから構成されている。更に本実施例は、半導体基
板１を載置する基体２の側面部に、気体あるいは液体７
を半導体基板１の裏面に沿って噴出する複数の噴出口１
０を放射状に有している。
【０００８】これにより、薬剤６をノズル４から噴出す
る際には、基体２の側面部の複数の噴出口１０よりフィ
ルター８，温調器５を介した気体あるいは液体７を半導
体基板１の裏面に噴出することにより、半導体基板１へ
の冷却効果の発生は無くなり、ごみの付着も防止でき
る。
る際には、基体２の側面部の複数の噴出口１０よりフィ
ルター８，温調器５を介した気体あるいは液体７を半導
体基板１の裏面に噴出することにより、半導体基板１へ
の冷却効果の発生は無くなり、ごみの付着も防止でき
る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板裏面へのごみの廻り込みを防止すると同時に、
半導体基板裏面へ噴出する気体あるいは液体の温度を調
節することができるので、半導体基板の温度変化が生じ
なくなり、感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、感光性樹脂膜
のパターン形成不良、パターン寸法不良等を低減するこ
とができる。また、前述したように、異物付着によって
後工程で生じる段差によるパターン形成不良に対しても
有効であり、半導体装置の製造歩留り向上にも貢献でき
る。
導体基板裏面へのごみの廻り込みを防止すると同時に、
半導体基板裏面へ噴出する気体あるいは液体の温度を調
節することができるので、半導体基板の温度変化が生じ
なくなり、感光性樹脂膜の膜厚ばらつき、感光性樹脂膜
のパターン形成不良、パターン寸法不良等を低減するこ
とができる。また、前述したように、異物付着によって
後工程で生じる段差によるパターン形成不良に対しても
有効であり、半導体装置の製造歩留り向上にも貢献でき
る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】従来装置を示す断面図である。
１ 半導体基板 ２ 基体 ３ パルスモーター ４ ノズル ５ 温調器 ６ 薬剤 ７ 気体あるいは液体 ８ フィルター ９ ノズル １０ 噴出口
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を真空吸着しこれを回転させ
る基体と、半導体基板の表面に薬剤を滴下あるいは噴霧
するノズルとを有する半導体製造装置において、前記基
体の側面に気体あるいは液体を噴出する複数の噴出口を
放射状に設けるとともに、この噴出口に前記気体あるい
は液体を温度調節して送り込むための温調器を前記基体
に接続したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22157993A JPH0778743A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22157993A JPH0778743A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778743A true JPH0778743A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16768960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22157993A Withdrawn JPH0778743A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778743A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101041459B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-06-16 | 세메스 주식회사 | 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법 |
| KR20120001681A (ko) | 2010-06-29 | 2012-01-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 방법 및 도포 장치 |
| KR20170024211A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
| KR20210122198A (ko) * | 2020-03-31 | 2021-10-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
| KR20220031509A (ko) * | 2020-09-04 | 2022-03-11 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 회전 유지 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치 |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP22157993A patent/JPH0778743A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101041459B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-06-16 | 세메스 주식회사 | 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법 |
| KR20120001681A (ko) | 2010-06-29 | 2012-01-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 방법 및 도포 장치 |
| KR20170024211A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
| KR20210122198A (ko) * | 2020-03-31 | 2021-10-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
| KR20220031509A (ko) * | 2020-09-04 | 2022-03-11 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 회전 유지 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001107 |