KR101041459B1 - 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법 - Google Patents

기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101041459B1
KR101041459B1 KR1020080119387A KR20080119387A KR101041459B1 KR 101041459 B1 KR101041459 B1 KR 101041459B1 KR 1020080119387 A KR1020080119387 A KR 1020080119387A KR 20080119387 A KR20080119387 A KR 20080119387A KR 101041459 B1 KR101041459 B1 KR 101041459B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
coating
unit
fluid
support member
Prior art date
Application number
KR1020080119387A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100060689A (ko
Inventor
조수현
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080119387A priority Critical patent/KR101041459B1/ko
Publication of KR20100060689A publication Critical patent/KR20100060689A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101041459B1 publication Critical patent/KR101041459B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

기판 코팅 유닛은 기판 지지부재, 코팅 노즐 및 적어도 하나의 유체 공급 노즐을 구비한다. 코팅 노즐은 기판 지지부재에 안착된 기판에 코팅 유체를 분사하여 기판 상에 박막을 형성한다. 유체 공급 노즐은 배면에 유체를 분사하여 기판의 온도를 조절한다. 이에 따라, 기판 코팅 유닛은 코팅 공정시 박막의 균일도를 향상시킬 수 있으므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{SUBSTRATES COATING UNIT, SUBSTRATES TREATING APPARATUS HAVING THE SAME AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES USING THE SAME}
본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판 처리 시 반도체 기판에 박막을 코팅하는 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치의 제조 공정은 박막을 코팅하는 코팅 공정, 기판을 가열하는 베이크 공정 및 현상 공정 등을 포함하며, 이러한 공정들을 통해 반도체 기판 상에 소정의 회로 패턴이 형성된다.
이러한 공정들을 수행하기 위한 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 형성하기 위한 코팅 유닛들, 박막을 형성하기 전에 기판을 예열시키거나 패터닝된 박막을 경화시키는 가열 유닛들, 노광 처리된 박막을 현상하기 위한 현상 유닛들, 가열된 반도체 기판을 냉각시키기 위한 냉각 유닛들, 및 기판들을 이송하는 이송 로봇들을 포함할 수 있다.
이러한 기판 처리 장치를 이용한 기판의 박막 코팅 과정을 살펴보면, 먼저, 가열 유닛에서 기판을 예열하고, 이송 로봇은 예열된 기판을 코팅 유닛에 제공한다. 코팅 유닛에서는 기판에 코팅 약액을 분사하여 기판 상에 박막을 형성한다. 이와 같이, 이송 로봇은 고온의 기판을 이송하므로, 기판이 안착되는 이송 로봇의 암 또한 기판으로부터 전달된 열에 의해 온도가 상승한다.
이렇게 온도가 상승된 암이 기판을 코팅 유닛에 이송할 경우, 암에 의해 기판의 온도가 상승하므로, 박막이 불균일하게 코팅될 수 있다.
본 발명의 목적은 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 기판 코팅 유닛을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 코팅 유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 코팅 유닛을 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 코팅 유닛은 기판 지지부재, 코팅 노즐 및 적어도 하나의 유체 공급 노즐로 이루어진다.
기판 지지부재는 기판을 지지하고, 회전 가능하다. 코팅 노즐은 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 유체 공급 노즐은 상기 기판 지지부재의 아래에 구비되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판의 배면에 유체를 분사하여 상기 기판의 온도를 조절한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 장치는 베이크 유닛 및 기판 코팅 유닛으로 이루어진다.
베이크 유닛은 기판을 가열한다. 코팅 유닛은 상기 베이크 유닛으로부터 가열된 기판을 제공받아 상기 기판에 박막을 형성한다. 구체적으로, 기판 코팅 유닛은 기판 지지부재, 코팅 노즐 및 적어도 하나의 유체 공급 노즐을 구비한다. 기판 지지부재는 상기 기판을 지지하고, 회전 가능하다. 코팅 노즐은 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 유체 공급 노즐은 상기 기판 지지부재의 아래에 구비되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판의 배면에 유체를 분사하여 상기 베이크 유닛에서 가열된 기판의 온도를 적정 온도로 조절한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 방법은 다음과 같다. 먼저, 기판을 가열한다. 가열된 기판을 기판 지지부재에 안착시킨다. 상기 기판 지지부재를 회전시키면서 상기 기판의 배면에 유체를 분사하여 상기 기판의 온도를 조절한다. 상기 기판 지지부재를 회전시키면서 상기 기판의 상면에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다.
상술한 본 발명에 따르면, 기판 코팅 유닛은 기판의 배면에 유체를 분사하여 기판의 온도를 적정 온도로 유지시킨다. 이에 따라, 기판 코팅 유닛은 코팅 공정시 박막의 균일도를 향상시키고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서는 웨이퍼를 기판의 일례로 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 로딩/언로딩부(110), 인덱스 로봇(Index Robot)(200), 버퍼부(300), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(500), 다수의 베이크 유닛(600), 및 다수의 기판 코팅 유닛(700)을 포함할 수 있다.
상기 로딩/언로딩부(110)는 다수의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 포한다. 이 실시예에 있어서, 상기 로딩/언로딩부(110)는 네 개의 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)를 구비하나, 상기 로드 포트(110a, 110b, 110c, 110d)의 개수는 상기 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트(Foot print) 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
상기 로드 포트들(110a, 110b, 110c, 110d)에는 웨이퍼들이 수납되는 풉들(Front Open Unified Pods: FOUPs)(120a, 120b, 120c, 120d)이 안착된다. 각 풉(120a, 120b, 120c, 120d)은 웨이퍼들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. 상기 풉(120a, 120b, 120c, 120d)에는 상기 기판 코팅 유닛(700)에서 처리가 완료된 웨이퍼들 또는 상기 기판 코팅 유닛(700)에 투입할 웨이퍼들을 수납한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 상기 기판 코팅 유닛(700)에 의해 처리가 완료된 웨이퍼를 가공 웨이퍼라 하고, 아직 처리되지 않은 웨이퍼를 원시 웨이퍼라 한다.
상기 로딩/언로딩부(110)와 상기 버퍼부(300) 사이에는 제1 이송 통로(410)가 위치하고, 상기 제1 이송 통로(410)에는 제1 이송 레일(420)이 설치된다. 상기 제1 이송 레일(420)에는 상기 인덱스 로봇(200)이 설치되고, 상기 인덱스 로봇(200)은 상기 제1 이송 레일(420)을 따라 이동하면서 상기 로딩/언로딩부(110)와 상기 버퍼부(300) 간에 웨이퍼들을 이송한다. 즉, 상기 인덱스 로봇(200)은 다수의 인덱스 암(210)을 구비하고, 각 인덱스 암에는 1 매의 웨이퍼가 안착된다.
상기 인덱스 로봇(200)은 상기 로딩/언로딩부(110)에 안착된 풉(120a, 120b, 120c, 120d)으로부터 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 버퍼부(300)에 적재하고, 상기 버퍼부(300)로부터 가공 웨이퍼를 인출하여 상기 로딩/언로딩부(110)에 안착된 풉(120a, 120b, 120c, 120d)에 적재한다.
한편, 상기 버퍼부(300)는 상기 인덱스 로봇(200)이 설치된 영역의 일측에 설치된다. 상기 버퍼부(300)는 상기 인덱스 로봇(200)에 의해 이송된 원시 웨이퍼들을 수납하고, 상기 기판 코팅 유닛들(700)에서 처리된 가공 웨이퍼들을 수납한다.
상기 메인 이송 로봇(500)은 제2 이송 통로(430)에 설치되고, 상기 제2 이송 통로(430)는 상기 베이크 유닛들(600)과 상기 기판 코팅 유닛들(700)과의 사이에 위치한다. 상기 제2 이송 통로(430)에는 제2 이송 레일(440)이 설치되며, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 제2 이송 레일(440)에 결합되어 상기 제2 이송 레일(440)을 따라 이동하면서 웨이퍼를 이송한다.
구체적으로, 상기 메인 이송 로봇(500)은 다수의 이송 암(510)을 구비하고, 각 이송 암에는 1매의 웨이퍼가 안착된다. 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 버퍼부(300)와 상기 베이크 유닛들(600) 간에, 상기 베이크 유닛들(600)과 상기 기판 코팅 유닛들(700) 간에 및 상기 버퍼부(300)와 상기 기판 코팅 유닛들(700) 간에 웨이퍼를 이송한다. 즉, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 버퍼부(300)로부터 적어도 한 매의 원시 웨이퍼를 인출하여 상기 베이크 유닛(600)에 제공하고, 상기 베이크 유닛(600)에서 처리된 웨이퍼를 상기 기판 코팅 유닛(700)에 제공한다. 또한, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 기판 코팅 유닛(700)에서 처리된 웨이퍼, 즉 가공 웨이퍼를 상기 버퍼부(300)에 적재한다.
상기 베이크 유닛들(600)과 상기 기판 코팅 유닛들(700)은 상기 제2 이송 레일(912)이 설치된 이송 통로(400)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치된다. 각 베이크 유닛(600)은 베이크 플레이트(610) 및 냉각 플레이트(620)를 구비한다. 상기 베이크 플레이트(610)는 상기 원시 웨이퍼를 가열하고, 상기 냉각 플레이트(620)는 상기 베이크 플레이트(610)에서 가열된 원시 웨이퍼를 적정 온도로 냉각시킨다. 본 발명의 일례로, 상기 베이크 유닛들(600)은 3개 내지 5개가 수직 방향으로 적층된 다층으로 구조로 배치될 수 있다.
상기 베이크 유닛(600)에서 예열된 웨이퍼는 상기 메인 이송 로봇(500)에 의해 상기 기판 코팅 유닛(700)에 투입된다. 각 기판 코팅 유닛(700)은 투입된 원시 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하여 가공 웨이퍼 생성한다.
이하, 도면을 참조하여 각 기판 코팅 유닛(700)에 대해 구체적으로 설명한다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 코팅 유닛을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 기판 코팅 유닛(700)은 기판 지지부재(710), 처리 용기(730), 승강 부재(750), 코팅 노즐(760), 다수의 유체 공급 노즐(771, 772), 및 린스 공급부(780)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 기판 지지부재(710)는 스핀 헤드(711), 회전축(712) 및 구동부(713)를 포함할 수 있다. 상기 스핀 헤드(711)는 대체로 원판 형상을 갖고, 상기 베이크 유닛(600)에서 예열된 웨이퍼(10)가 안착된다. 상기 스핀 헤드(711)는 상기 웨이퍼(10)의 지름보다 작은 지름을 갖으며, 상기 웨이퍼(10)의 중앙부를 지지한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(10)는 중앙부를 제외한 영역, 즉, 단부가 상기 스핀 헤드(711)의 외측에 위치한다. 상기 스핀 헤드(711)는 진공척 또는 전정척의 구조로 이루어져 상기 웨이퍼(10)를 상면에 고정시킨다.
상기 스핀 헤드(711)의 배면에는 상기 회전축(712)이 결합된다. 상기 회전축(712)은 상기 스핀 헤드(711)를 지지하고, 상기 구동부(713)로부터 전달된 회전력에 의해 회전하여 상기 스핀 헤드(711)를 회전시킨다.
상기 스핀 헤드(711)는 상기 처리 용기(730) 내에 수용되며, 상기 처리 용기(730)는 코팅 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상기 처리 용기(730)는 대체로 원형의 플레이트 형상을 갖는 바닥면(731), 상기 바닥면(731)으로부터 수직하게 연장되어 대체로 링 형상을 갖는 측벽(732), 및 상기 측벽(732)의 상단부로부터 상기 바닥면(731)과 마주하게 연장된 상면(733)을 포함할 수 있다. 상기 처리 용기(730)의 상면(733)은 중앙부가 개구되고, 상기 측벽(732)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상기 처리 용기(730)의 바닥면(731)에는 배기구(734)가 구비되며, 상기 배기구(734)는 코팅 공정을 진행하는 과정에서 발생된 상기 처리 용기(730) 안의 공정 잔여물들을 외부로 배출한다.
상기 처리 용기(730)의 외측에는 상기 승강 부재(750)가 설치된다. 상기 승강 부재(750)는 상기 처리 용기(730)를 상하 방향으로 이동시켜 상기 처리 용기(730)의 바닥면(731)과 상기 스핀 헤드(711) 간의 거리를 변경시킨다. 이에 따라, 상기 처리 용기(730)의 바닥면(731)에 대한 상기 스핀 헤드(711)에 안착된 웨이퍼(10)의 수직 위치가 조절된다.
이 실시예에 있어서, 상기 기판 코팅 유닛(700)은 두 개의 승강 부재(750)를 구비하나, 상기 승강 부재(750)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.
한편, 상기 코팅 노즐(760)은 상기 처리 용기(730)의 외부에 설치된다. 상기 코팅 노즐(760)은 상기 웨이퍼(10)의 상면에 포토레지스트와 같은 박막을 도포하기 위한 코팅액을 분사한다. 구체적으로, 상기 코팅 노즐(760)은 상기 코팅액을 분사하는 분사부(761), 상기 분사부(761)의 상부에서 상기 분사부(761)와 결합된 수직암(762), 및 상기 수직암(762)의 상부에서 상기 수직암(762)과 결합된 수평암(763)을 구비한다. 상기 코팅 공정시 상기 분사부(761) 및 상기 수직암(762)은 상기 스핀 헤드(711)의 중앙부 상부에 배치되고, 상기 스핀 헤드(711)에 안착된 웨이퍼(10)에 상기 코팅액을 분사한다.
상기 다수의 유체 공급 노즐(771, 772)은 상기 처리 용기(730)의 바닥면(731)에 설치된다. 이 실시예에 있어서, 상기 기판 코팅 유닛(700)은 두 개의 유체 공급 노즐(771, 772)을 구비하나, 상기 유체 공급 노즐(771, 772)의 개수는 공 정 효율 및 웨이퍼(10)의 크기에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.
상기 유체 공급 노즐들(771, 772)은 상기 회전축(712)을 사이에 두고 서로 마주하게 배치되며, 상기 스핀 헤드(711)의 아래에 설치된다. 상기 유체 공급 노즐들(771, 772)은 상기 스핀 헤드(711)의 외측에 위치하며, 상기 스핀 헤드(711)에 안착된 웨이퍼(10)에 유체(RL)를 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 온도를 조절한다.
구체적으로, 상기 메인 이송 로봇(500)은 상기 베이크 유닛들(600)에서 예열된 웨이퍼들을 상기 기판 코팅 유닛들(700)로 이송하는 과정이 반복되면서 상기 이송암들(510)의 온도가 상기 가열된 웨이퍼들에 의해 상승된다. 이로 인해, 상기 베이크 유닛(600)에서 적정 온도로 예열된 웨이퍼가 상기 메인 이송 로봇(500)에 의해 이송되는 과정에서, 웨이퍼의 온도가 이송암에 의해 적정 온도보다 높게 상승할 수 있다. 웨이퍼의 온도가 적정 온도보다 상승할 경우, 박막이 불균일하게 도포될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 상기 유체 공급 노즐들(771, 772)은 상기 스핀 헤드(711)에 안착된 웨이퍼(10)의 배면에 상기 유체(RL)를 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 온도를 적정 온도로 냉각시킨다. 상기 유체 공급 노즐들(771, 772)은 유체 공급 라인들(791, 792)을 통해 린스액 공급부(780)와 연결되며, 상기 린스액 공급부(780)로부터 유체(RL)를 제공받는다. 여기서, 상기 유체(RL)는 웨이퍼(10)를 린스처리하기 위한 액체일 수도 있고, 기체일 수도 있다. 상기 유체 공급 노즐들(771, 772)은 상기 린스액(RL)을 상기 스핀 헤드(711)의 외측으로 노출된 웨이퍼(10)의 배면, 즉, 상기 웨이퍼(10)의 배면 단부에 분사한다. 이에 따라, 상기 기 판 코팅 유닛(700)은 상기 웨이퍼(10)의 온도를 적정 온도로 일정하게 유지시킬 수 있으므로, 코팅 공정 시 박막의 균일도를 향상시킬 수 있고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 기판 코팅 유닛(700)에서 웨이퍼(10)에 박막을 도포하는 과정을 구체적으로 설명한다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 기판 코팅 유닛의 박막 코팅 과정을 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 3a를 참조하면, 먼저, 메인 이송 로봇(500)이 베이크 유닛(600)으로부터 예열된 웨이퍼(10)를 스핀 헤드(711)에 안착시킨다.
상기 스핀 헤드(711)를 회전시켜 상기 스핀 헤드(711)에 고정된 웨이퍼(10)를 회전시키고, 상기 유체 공급 노즐들(771, 772)은 회전중인 웨이퍼(10)의 배면에서 단부측으로 상기 린스액(RL)을 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 온도를 적정 온도로 냉각시킨다.
도 1 및 도 3b를 참조하면, 상기 유체 공급 노즐들(771, 772)에 의해 웨이퍼(10)의 온도 조절이 완료되면, 상기 웨이퍼(10)의 상부에 상기 코팅 노즐(760)을 배치시킨다. 상기 코팅 노즐(760)는 상기 스핀 헤드(711)에 의해 회전하고 있는 웨이퍼(10)의 상면에 코팅액(CL)을 분사하여 상기 웨이퍼(10)의 상면에 박막을 도포한다.
이와 같이, 상기 유체 공급 노즐들(771, 772)은 코팅 공정 전에 웨이퍼(10) 의 온도를 적정 온도로 조절한다. 이에 따라, 기판 코팅 유닛(700)은 상기 웨이퍼(10)의 온도를 적정 온도로 유지시킨 상태에서 코팅 공정을 실시할 수 있으므로, 박막의 균일도를 향상시키고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 코팅 유닛을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 기판 코팅 유닛이 기판에 박막을 코팅하는 과정을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
110 : 로딩/언로딩부 200 : 인덱스 로봇
300 : 버퍼부 500 : 메인 이송 로봇
600 : 베이크 유닛 700 : 기판 코팅 유닛
1000 : 기판 처리 시스템

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 기판을 가열하는 베이크 유닛; 및
    상기 베이크 유닛으로부터 가열된 기판을 제공받아 상기 기판에 박막을 형성하는 기판 코팅 유닛을 포함하고,
    상기 기판 코팅 유닛은,
    상기 기판을 지지하고, 회전 가능한 기판 지지부재;
    상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판 상에 박막을 형성하는 코팅 노즐; 및
    상기 기판 지지부재의 아래에 구비되고, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판의 배면에 유체를 분사하여 상기 베이크 유닛에서 가열된 기판의 온도를 적정 온도로 조절하는 적어도 하나의 유체 공급 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판 지지부재는,
    상기 기판의 중앙부를 지지하고, 상기 기판의 크기 보다 작은 크기를 갖는 스핀 헤드; 및
    상기 스핀 헤드의 아래에 설치되고, 상기 스핀 헤드를 회전시키는 회전축을 포함하고,
    상기 유체 공급 노즐은 상기 스핀 헤드의 외측에 설치되며, 상기 스핀 헤드의 외측으로 노출된 기판의 단부에 상기 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 베이크 유닛과 상기 기판 코팅 유닛 간에 기판을 이송하는 이송 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 5 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 베이크 유닛이 상기 기판을 가열하는 단계;
    상기 가열된 기판을 상기 기판 지지부재에 안착시키는 단계;
    상기 기판 지지부재를 회전시키면서 상기 유체 공급 노즐이 상기 기판의 배면에 유체를 분사하여 상기 기판의 온도를 조절하는 단계; 및
    상기 기판 지지부재를 회전시키면서 상기 코팅 노즐이 상기 기판의 상면에 코팅 유체를 분사하여 상기 기판상에 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유체는 상기 기판의 단부에 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방 법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유체는 냉각 유체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020080119387A 2008-11-28 2008-11-28 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법 KR101041459B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080119387A KR101041459B1 (ko) 2008-11-28 2008-11-28 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080119387A KR101041459B1 (ko) 2008-11-28 2008-11-28 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100060689A KR20100060689A (ko) 2010-06-07
KR101041459B1 true KR101041459B1 (ko) 2011-06-16

Family

ID=42361575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080119387A KR101041459B1 (ko) 2008-11-28 2008-11-28 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101041459B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150025901A (ko) * 2013-08-30 2015-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102385264B1 (ko) * 2015-08-28 2022-04-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778743A (ja) * 1993-09-07 1995-03-20 Hiroshima Nippon Denki Kk 半導体製造装置
JPH1145854A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置
KR20010028231A (ko) * 1999-09-20 2001-04-06 구본준, 론 위라하디락사 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778743A (ja) * 1993-09-07 1995-03-20 Hiroshima Nippon Denki Kk 半導体製造装置
JPH1145854A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置
KR20010028231A (ko) * 1999-09-20 2001-04-06 구본준, 론 위라하디락사 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150025901A (ko) * 2013-08-30 2015-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102115173B1 (ko) 2013-08-30 2020-05-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100060689A (ko) 2010-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
US8025925B2 (en) Heating apparatus, coating and development apparatus, and heating method
US20170345680A1 (en) Transfer unit, and apparatus and method for treating substrate
KR100897850B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101491992B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 연속 처리방법
KR100439608B1 (ko) 레지스트도포·현상처리시스템
KR20010062438A (ko) 막형성장치
TWI808113B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體
KR101041459B1 (ko) 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
JP3649048B2 (ja) レジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置
KR101024356B1 (ko) 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
KR100646912B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
KR101036606B1 (ko) 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
JP2004235469A (ja) 熱的処理方法および熱的処理装置
KR102012206B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
CN109545706B (zh) 衬底处理方法及衬底处理装置
KR20120126384A (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
KR100882474B1 (ko) 세정 유닛을 갖는 기판 처리 장치
US20240173738A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3629380B2 (ja) 塗布処理システムおよび塗布処理方法
KR101623011B1 (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
KR102454447B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230096569A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20160133802A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140609

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150608

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160531

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170609

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190528

Year of fee payment: 9