JPH077221A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH077221A JPH077221A JP17244793A JP17244793A JPH077221A JP H077221 A JPH077221 A JP H077221A JP 17244793 A JP17244793 A JP 17244793A JP 17244793 A JP17244793 A JP 17244793A JP H077221 A JPH077221 A JP H077221A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- electrodes
- light emitting
- layer
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子の寿命を向上させた半導体レーザ素子を
提供する。 【構成】 半導体基板７上に、活性層１、Ａｕ合金から
なる電極２を順次積層した半導体レーザ素子において、
前記電極２を活性層１の発光部直上を避けて形成する。
提供する。 【構成】 半導体基板７上に、活性層１、Ａｕ合金から
なる電極２を順次積層した半導体レーザ素子において、
前記電極２を活性層１の発光部直上を避けて形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信などに使用する
半導体レーザ素子に関する。
半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来の埋め込み型半導体レーザ素子は、例
えば図２に示す構造をしている。即ち、ｐ−ＩｎＰ基板
７上に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１、ｎ−ＩｎＰクラッド
層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３を順次積層し、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層１の両側をｐ−ＩｎＰ電流狭窄層
６とｎ−ＩｎＰ電流狭窄層５で埋め込んだものである。
２はｎ電極、８はｐ電極である。ここで、ｐ電極材とし
てはＡｕＺｎ合金が、また、ｎ電極材料としてはＡｕＧ
ｅＮｉ合金などが一般的に用いられる。
えば図２に示す構造をしている。即ち、ｐ−ＩｎＰ基板
７上に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１、ｎ−ＩｎＰクラッド
層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３を順次積層し、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層１の両側をｐ−ＩｎＰ電流狭窄層
６とｎ−ＩｎＰ電流狭窄層５で埋め込んだものである。
２はｎ電極、８はｐ電極である。ここで、ｐ電極材とし
てはＡｕＺｎ合金が、また、ｎ電極材料としてはＡｕＧ
ｅＮｉ合金などが一般的に用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、活性層上にＡｕ合金からなる電極を設けると、
通電時にＡｕが半導体層内を拡散して活性層に達し、ま
た、電極／半導体層界面の歪みにより活性層近傍の欠陥
を増殖させ、素子を劣化させるという問題があった。
ように、活性層上にＡｕ合金からなる電極を設けると、
通電時にＡｕが半導体層内を拡散して活性層に達し、ま
た、電極／半導体層界面の歪みにより活性層近傍の欠陥
を増殖させ、素子を劣化させるという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体レーザ素子を提供するもので、半導体基板
上に、活性層、Ａｕ合金からなる電極を積層した半導体
レーザ素子において、前記電極を活性層の発光部直上を
避けて形成したことを特徴とするものである。
決した半導体レーザ素子を提供するもので、半導体基板
上に、活性層、Ａｕ合金からなる電極を積層した半導体
レーザ素子において、前記電極を活性層の発光部直上を
避けて形成したことを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】上述のように、半導体基板の発光部側に設けら
れたＡｕ合金からなる電極を、活性層の発光部直上を避
けて形成すると、前記電極のＡｕが通電中に拡散して発
光部に到達するのを防ぎ、また、電極と半導体層との界
面の歪みによる欠陥が活性層の発光部付近に発生するこ
とも防ぐことができるので、素子の寿命を向上させるこ
とができる。
れたＡｕ合金からなる電極を、活性層の発光部直上を避
けて形成すると、前記電極のＡｕが通電中に拡散して発
光部に到達するのを防ぎ、また、電極と半導体層との界
面の歪みによる欠陥が活性層の発光部付近に発生するこ
とも防ぐことができるので、素子の寿命を向上させるこ
とができる。
【０００６】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる半導体レー
ザ素子の一実施例の斜視図である。図中の符号は、従来
例に説明に用いた図２の符号と同一である。図１に示す
ように、本実施例は、ｐ−ＩｎＰ基板７上に、ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層１、ｎ−ＩｎＰクラッド層４、ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層３を順次積層し、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層１の両側をｐ−ＩｎＰ電流狭窄層６とｎ−ＩｎＰ電
流狭窄層５で埋め込んだものである。ここまでは従来と
同様である。２はＡｕＧｅＮｉ合金からなるｎ電極、８
はＡｕＺｎ合金からなるｐ電極である。ここで、ｎ電極
２はストライプ状活性層１側面から１０μｍ以上離れ
て、その両側に設けられている。このｎ電極２は、レジ
ストでパターニングを行い、蒸着後にリフトオフを行う
ことにより形成することができる。このようにｎ電極２
を形成すると、活性層１直上近傍にｎ電極２が存在しな
いため、活性層１にｎ電極２による欠陥が発生すること
がなく、また、活性層１にｎ電極２のＡｕが侵入するこ
ともない。さらに、このようなｎ電極２を用いても、接
触面積が充分に広いため、コンタクト抵抗も充分に低
く、従来に比較して特性が低下することはない。なお、
半導体基板の発光部側の電極の位置は、上記実施例のよ
うにストライプ状活性層の両側に設けるとは限らないこ
とはいうまでもない。
を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる半導体レー
ザ素子の一実施例の斜視図である。図中の符号は、従来
例に説明に用いた図２の符号と同一である。図１に示す
ように、本実施例は、ｐ−ＩｎＰ基板７上に、ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層１、ｎ−ＩｎＰクラッド層４、ｎ−ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層３を順次積層し、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層１の両側をｐ−ＩｎＰ電流狭窄層６とｎ−ＩｎＰ電
流狭窄層５で埋め込んだものである。ここまでは従来と
同様である。２はＡｕＧｅＮｉ合金からなるｎ電極、８
はＡｕＺｎ合金からなるｐ電極である。ここで、ｎ電極
２はストライプ状活性層１側面から１０μｍ以上離れ
て、その両側に設けられている。このｎ電極２は、レジ
ストでパターニングを行い、蒸着後にリフトオフを行う
ことにより形成することができる。このようにｎ電極２
を形成すると、活性層１直上近傍にｎ電極２が存在しな
いため、活性層１にｎ電極２による欠陥が発生すること
がなく、また、活性層１にｎ電極２のＡｕが侵入するこ
ともない。さらに、このようなｎ電極２を用いても、接
触面積が充分に広いため、コンタクト抵抗も充分に低
く、従来に比較して特性が低下することはない。なお、
半導体基板の発光部側の電極の位置は、上記実施例のよ
うにストライプ状活性層の両側に設けるとは限らないこ
とはいうまでもない。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板上に、活性層、Ａｕ合金からなる電極を積層し
た半導体レーザ素子において、前記電極を活性層の発光
部直上を避けて形成するため、電極金属の発光部への侵
入を防ぐことができ、また、発光部付近の欠陥の発生を
防止することができるので、素子の寿命が向上するとい
う優れた効果がある。
導体基板上に、活性層、Ａｕ合金からなる電極を積層し
た半導体レーザ素子において、前記電極を活性層の発光
部直上を避けて形成するため、電極金属の発光部への侵
入を防ぐことができ、また、発光部付近の欠陥の発生を
防止することができるので、素子の寿命が向上するとい
う優れた効果がある。
【図１】本発明に係る半導体レーザ素子の一実施例の斜
視図である。
視図である。
【図２】従来の埋め込み型半導体レーザ素子の断面図で
ある。
ある。
１ 活性層 ２ ｎ電極 ３ ｎ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ５ ｎ−ＩｎＰ電流狭窄層 ６ ｐ−ＩｎＰ電流狭窄層 ７ ｐ−ＩｎＰ基板 ８ ｐ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、活性層、Ａｕ合金から
なる電極を積層した半導体レーザ素子において、前記電
極を活性層の発光部直上を避けて形成したことを特徴と
する半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17244793A JPH077221A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17244793A JPH077221A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077221A true JPH077221A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15942157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17244793A Pending JPH077221A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI402911B (zh) * | 2004-09-06 | 2013-07-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| JP2021153124A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP17244793A patent/JPH077221A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI402911B (zh) * | 2004-09-06 | 2013-07-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| JP2021153124A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
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