JPH077099A - 集積回路用パッケージおよび電磁放射を減衰させる方法 - Google Patents

集積回路用パッケージおよび電磁放射を減衰させる方法

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 誘電体ボディを貫通して延びる複数の導電端
子部材を有する集積回路チップを包囲する誘電体ボディ
を含む集積回路用のパッケージが供給される。 【構成】 誘電体ボディは集積回路から発生される電磁
放射に対する磁気シールド層を含む。磁気シールド層は
高透磁率および高抵抗率を有する材料から構成される。
従って、その誘電体ボディは、集積回路によって発生さ
れた周波数の電磁放射を吸収し、それによって集積回路
から発生される電磁放射は減衰される。さらに効果的な
電磁シールドを提供するために、必要に応じて、大きな
電磁放射を行う特定の集積回路チップに個々のパッケー
ジがカスタマイズされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路パッケー
ジ、パッケージおよび集積回路の組立体並びに電磁放射
を減衰させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子システムの能動素子、すなわち、マ
イクロプロセッサ、コントローラ、ＡＳＩＣＳ（特殊用
途向けＩＣ）および他のマイクロエレクトロニクス装置
のような集積回路（ＩＣ）は、電磁干渉（ＥＭＩ）を生
じる不要な電磁放射源となる。干渉を阻止するために、
装置から放出された電磁放射は、種々の規定および標準
に合致するように制御されなければならない。不要な電
磁放射の制御は、電子システムに大きななコストを課す
ことになる。放射された電磁放射の抑圧は、シールドさ
れたハウジング中の装置をシールドする囲いによって、
あるいは、装置の一部、たとえば、回路基板で囲むこと
によって、システム・レベルで達成できる。
【０００３】Jewellによって１９８７年４月２８日に特
許された米国特許4、661、888において「ＲＦ回路用の取
り外し可能なモジュール式ハウジング」に述べられてい
るように、回路基板は接地金属（アルミニウム）ケース
中に包囲されている。しかしながら、多くの応用におい
て、このタイプの接地された金属外箱、すなわちハウジ
ングは、メンテナンスの目的からすれば、容積が大き
く、非経済的および非実用的である。
【０００４】１９８４年７月にSukedaによって特許され
た米国特許4、459、680の「磁気バブルメモリカセット」
において、ＥＭＩシールドは、強磁性の外箱の形で供給
されることが記述される。Sukedaはシールド板を有す
る、プリント基板（ＰＣＢ）上にマウントされた関連素
子を有する集積回路パッケージを開示している。このパ
ッケージは、鉄またはパーマロイ（０．５〜０．３ｍｍ
厚さ）のシートで構成され、動作中の装置およびそれを
支持している回路基板およびコネクタを囲んでいる。電
子導電効果を有し強磁性金属および合金を含む導電性の
シールド材料を使用することによって、接地シールド層
は、不要な導電パスまたはショートを防止するために、
たとえば、包囲されたＩＣパッケージの端子ピンおよび
ＰＣＢ上の導電性の通路のような他の導体から十分に離
す必要がある。したがって、シールド板は、実質的にパ
ッケージされた素子のサイズを増加させ、このため、熱
発散は減少し熱応力が増加する。
【０００５】集積回路用の従来のパッケージは、誘電体
材料、典型的には、プラスチックまたはセラミック材料
から構成される。このパッケージは包囲されたチップの
物理的および環境的な保護を行う。
【０００６】図１は集積回路（ＩＣ）ダイ１４用の従来
タイプ（先行技術）のパッケージ１０の概略を示す。パ
ッケージ１０は、プラスチック（有機樹脂）またはセラ
ミック材料で形成された誘電体ボディ２０によって構成
される。パッケージは外的圧力および汚染から集積回路
ダイ１４を保護するために機能し、このパッケージは、
端子ピン１６によって適切な外部導電端子部材を供給す
る。誘電体ボディの底部１８はチップを支えるための基
板を形成し、誘電体ボディ２０の上部はパッケージのカ
バーを形成する。端子ピン１６は、従来のワイヤボンデ
ィングリード線２２によって、ＩＣ上のボンドパッド２
４に接続される。導線は、チップからパッケージの誘電
体ボディを貫通して延び、ＰＣＢ２８上の外部回路とＩ
／Ｏ接続を行う。
【０００７】従来のＩＣパッケージの誘電体ボディ２０
に用いられるプラスチックまたはセラミック誘電体材料
は、電磁シールド特性を有しないので、発生源からの電
磁放射、すなわち、閉ざされたＩＣ１４上のデバイスか
らの電磁放射は、図２の放射線で示されるように、パッ
ケージの誘電体ボディ２０を通じてほとんど減衰しない
で通過する。一般に、電磁気は端子ピンから多少放射さ
れるが、図示されるようにパッケージＩＣからの放射の
おもな発生源は、ＩＣ上の構成素子からの直接放射であ
る。ワイヤボンディングされたＩＣにおいて、電磁放射
の量はワイヤボンディングの構造および長さによって変
化する。電磁放射はチップの前後両面から行われるが、
チップが単一層のＰＣＢ上にパッケージングおよびマウ
ントされる場合は、図２に示されるように、ＰＣＢから
離れた方のパッケージ表面からの電磁放射量がより多く
なる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、このパ
ッケージは、包囲された回路が動作中に発生する電磁放
射を減衰させることについては何等の効果もない。この
ように、改善された回路設計およびレイアウトは、たと
えば、集積回路それ自身からの電磁放射の抑圧を行うよ
うに使用される。しかしながら、この解決案は、回路設
計の複雑さおよびコストを増加させ、あるいは回路の性
能を落とすことになる。一方、回路基板上の素子（たと
えば、フィルタ、チョーク、デカップリングコンデンサ
等）は、電磁放射を減少させあるいは制御することが要
求される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の問題を
避けまたは減少するために、集積回路および他のマイク
ロエレクトロニクス装置のような電磁放射源からの望ま
しくない電磁放射を減衰させることを目的とする。
【００１０】したがって、本発明の一見地によれば、本
発明は、集積回路用パッケージにおいて、集積回路をサ
ポートするための室を形成する誘電体ボディを有し、そ
の誘電体ボディは導電端子部材がその誘電体ボディを貫
通して外部に延びるように形成され、その誘電体ボディ
はさらに電磁放射をシールドするための磁気シールド手
段を有し、その磁気シールド手段は集積回路が動作する
ことによって発生される周波数の電磁放射に対して高透
磁率を有する磁性材料から構成され、それによって誘電
体ボディは、集積回路が動作することによって発生され
た電磁放射を減衰させるように構成される。
【００１１】このように集積回路用パッケージが供給さ
れ、このパッケージの誘電体ボディは誘電体でなく、す
なわち、高抵抗率を有し、電気的に非電導である。一
方、電磁放射をシールドするための磁気シールド手段と
しての役目をする磁気特性を有する。好ましくは、パッ
ケージの誘電体ボディは、高透磁率を有する磁性材料の
電磁放射シールド手段によって構成され、集積回路の動
作によって発生された電磁放射に対しては低い磁気イン
ピーダンスを示す。このように、この磁性材料は、包囲
された集積回路からの電磁放射を吸収するかまたは減少
させる。たとえば、磁性材料は、実質的に非伝導であ
り、磁気シールド手段は、好ましくは、磁性材料から形
成される誘電体ボディの外部クラッドまたは障壁層とし
て供給される。
【００１２】磁気シールド障壁層がこのパッケージの外
部クラッドを形成するところでは、この障壁層に対する
適切な材料はフェリ磁性材料、たとえば、フェライトを
含む。フェライトは、高誘電体および高透磁率を有する
材料である。電磁放射は、電子導電効果ではなく主に磁
気効果によって吸収されまたは減衰される。低い磁気イ
ンピーダンスを有する磁性材料において、磁界はフェリ
磁性材料の内部に集中し、このパッケージの外側への電
磁放射を減少させる。磁気シールド用に電気的に非電導
の磁性材料を使用する利点は、このパッケージを集積回
路等の近くに置くことができることである。あるいは、
もしこのパッケージが集積回路端子ピンと接触したとし
ても、その集積回路端子ピンから漏れる電磁放射ノイズ
をこのピンから吸収できることである。
【００１３】ＩＣパッケージが電磁放射に対するバリヤ
またはシールド層を形成するために外部表面上に供給さ
れる有機樹脂またはセラミック材料および市販のフェラ
イト材料の薄い板または層のような従来の誘電体材料で
形成される誘電体ボディであるときは、この集積回路か
らの電磁放射を１５ｄＢ〜２５ｄＢ減衰させることがで
きる。その結果、電磁放射雑音を減少させることによっ
て、ハードウェア設計者はＰＣＢ構造およびレイアウト
のＥＭＣの要求を緩和させることができ、それによっ
て、ＰＣＢ上のＥＭＣ要素を除去または減少できる。
【００１４】従来のタイプのＩＣパッケージの一以上の
面上にフェリ磁気シールドを提供する実際的な方法にお
いては、ＩＣパッケージは、たとえば、フェライト材料
のシートまたは板で積層されたセラミック材料またはプ
ラスチックのような従来の誘電体パッケージ材料で形成
される。従来のパッケージは、このように磁気シールド
層によって供給される。電磁放射による減衰は電子導電
効果よりむしろ磁気効果によって起こるので、磁気シー
ルド層を接地することは必要でない。
【００１５】このパッケージの全体が、たとえば、モー
ルドされたフェライトのような既知の非伝導で高抵抗率
の磁気シールド材料で構成されるときは、それは磁気シ
ールド手段として使用できる。このように、好ましくは
このフェリ磁気シールドは、チップを囲むパッケージの
誘電体ボディを形成する。この磁気シールドは、ショー
トを起こすことなく、電気的に導電体であるパッケージ
の端子ピンと接触する。
【００１６】一方、磁気シールド手段は、パッケージの
誘電体ボディを形成する誘電体材料のマトリクス内で分
散された適切なフェリ磁性材料または強磁性材料の粒子
を形成する。このように、たとえば、パッケージの誘電
体ボディは、強磁性材料またはフェリ磁性材料の粒子が
分散された有機樹脂の誘電体マトリクスで構成される。
後者は、たとえば、樹脂バインダ中にフェライトのよう
なフェリ磁性材料の粒子含むことができる。一方、も
し、誘電体材料マトリクス中で粒子が囲まれ、それによ
って粒子が分離されるならば、導電体である鉄、コバル
ト、ニッケルおよびそれらの混合物のような既知の強磁
性金属または合金を使用することができる。
【００１７】本発明の他の見地によると、本発明は、マ
イクロエレクトロニクス装置用パッケージにおいて、マ
イクロエレクトロニクス装置をサポートするための室を
形成する誘電体ボディを有し、その誘電体ボディは導電
端子部材がその誘電体ボディを貫通して延びるように形
成され、その誘電体ボディはさらに電磁放射をシールド
するための磁気シールド手段を有し、その磁気シールド
手段はマイクロエレクトロニクス装置が動作することに
よって発生する周波数の電磁放射に対して高透磁率を有
する磁性材料から構成され、それによってその誘電体ボ
ディは、集積回路が動作することによって発生された電
磁放射を減衰させるように構成される。
【００１８】本発明の他の見地によると、本発明は、マ
イクロエレクトロニクス装置およびパッケージの組立体
において、パッケージはマイクロエレクトロニクス装置
を包囲する誘電体ボディによって構成され、その誘電体
ボディを貫通してマイクロエレクトロニクス装置に電気
的に接続される複数の導電端子部材を有し、その誘電体
ボディは電磁放射をシールドするための磁気シールド手
段を供給し、その磁気シールド手段はマイクロエレクト
ロニクスの動作によって発生する電磁放射周波数におい
て高透磁率を有する磁性材料から構成され、それによっ
て誘電体ボディは、実質的に非電導であり、包囲された
マイクロエレクトロニクス装置の動作によって発生した
電磁放射を減衰させるマイクロエレクトロニクス装置用
パッケージの組立体を提供する。
【００１９】本発明の他の見地によると、本発明は集積
回路パッケージにおいて、集積回路チップとその集積回
路チップを包囲する誘電体ボディによって構成されるパ
ッケージを有し、そのパッケージは電気的に集積回路に
接続され、誘電体ボディを貫通して誘電体ボディの外部
に延びる導電端子部材を含み、その誘電体ボディは電磁
放射をシールドするための磁気シールド手段を供給し、
その磁気シールド手段は集積回路の動作によって発生す
る周波数に対して高透磁率を有する磁性材料から構成さ
れ、それによって誘電体ボディは、集積回路から放射さ
れる電磁放射を減衰させる集積回路パッケージを提供す
る。
【００２０】好ましくは、パッケージは従来の誘電体基
板部材およびカバー部材を含み、磁気シールド手段はパ
ッケージのカバーまたは基板の一以上の外部表面を形成
するフェライト材料層のクラッドを含む。
【００２１】本発明の他の見地によると、本発明はパッ
ケージされた複数の集積回路を含む電子装置から放射さ
れる電磁放射を減衰させる方法において、電磁放射をシ
ールドするための磁気シールド手段を有する誘電体ボデ
ィを含むパッケージを個々の集積回路に選択的に供給
し、その磁気シールド手段は包囲された集積回路の動作
によって発生する周波数において高抵抗率および高透磁
率である磁性材料から構成され、それによってパッケー
ジの誘電体ボディは集積回路の動作によって発生した電
磁放射を減衰させる方法を提供する。
【００２２】
【作用】個々の集積回路または能動マイクロエレクトロ
ニクス装置は、本発明によって供給されカスタマイズさ
れたパッケージによって個々にシールドできるので、電
子装置中の電磁障害の主な発生源である個々のＩＣを選
択的にシールドできる。
【００２３】本発明の誘電体ボディは集積回路から発生
される電磁放射に対する磁気シールド層を含む。この磁
気シールド層は高透磁率および高抵抗率を有する材料か
ら構成される。従って、その誘電体ボディは、集積回路
によって発生された周波数の電磁放射を吸収し、それに
よって集積回路から発生される電磁放射は減衰される。
高誘電率および高透磁率を有する適切な材料はフェライ
トを含む。便宜上、フェライト板を含むフェリ磁性材料
のシールド層は、従来のプラスチックの表面またはセラ
ミックパッケージ材料に塗布されてもよい。一方、フェ
ライト粒子は、バインダに含まれ、ＩＣパッケージを形
成するための適切な合成材料を形成する。シールドの磁
気的性質は、ＩＣによって発生される電磁障害を非導電
誘電体パッケージによって包囲することによってかなり
減衰および抑制することである。さらに効果的な電磁シ
ールドを提供するために、必要に応じて、大きな電磁放
射を行う特定の集積回路チップに個々のパッケージがカ
スタマイズされる。このように、本発明によれば、全装
置に対してシールドを行うハウジングの使用を避けまた
は減少でき、その結果、電子システムまたは装置をシー
ルドする際の全コストを減少できる。
【００２４】
【実施例】（実施例１）図３（ａ）は本発明の第１の実
施例によるＩＣパッケージの断面図を示す図である。図
３（ｂ）は図３（ａ）における集積回路の動作中の電磁
界を示す図である。本発明の第１の実施例によると、Ｉ
Ｃパッケージ５０において、パッケージは先行技術のパ
ッケージと類似の形式であり、集積回路を包囲する誘電
体ボディ５２を有し、その誘電体ボディ５２は集積回路
ダイ６０を支える基板部材５４およびカバー部材５６を
含む。前記集積回路ダイ６０は、リード線６４によって
外部導電端子ピン６２に接続される。前記リード線６４
はＩＣダイ６０上のボンドパッド６６にワイヤボンディ
ングされる。しかしながら、パッケージの誘電体ボディ
５２は、電磁放射をシールドする磁気シールド手段を有
し、包囲された集積回路が動作することによって発生す
る電磁放射に対し高透磁率を有する材料で構成される障
壁層７０を含む点で従来のパッケージと異なる。
【００２５】障壁層７０は磁性材料で構成され、その磁
性材料は高抵抗率を有しており、それは、たとえば、フ
ェライト材料の積層板またはタイルのような非導電の材
料である。そのフェライト材料の積層板またはタイル
は、カバー材料５６の表面およびパッケージの基板材料
５４に接着される。フェライト層７０はＩＣからの電磁
放射を吸収または減衰させるように機能する。薄い板の
形で市販されている適切なフェリ磁性材料は、Fair-Rit
e Products Corporationによって製造され、８５０−３
０００Ｈ／ｍの範囲の透磁率μ、および２７５０ガウス
の飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する。利用可能なシート材
料の最小厚さは、１．５ｍｍである。
【００２６】たとえば、セラミック・ピングリッド配列
（ＰＧＡ）型のパッケージ、あるいは、モトローラの２
Ｂ１ＱチップＭＣ１４５４７２Ａまたはモトローラのマ
イクロプロセッサ（８８１００または６８０００）を積
載し、周波数３０ＭＨｚ〜９００ＭＨｚの範囲で放射を
発生するプラスチックパッケージを用いて実験が行われ
た。その際、チップパッケージの外部表面上にほぼ２ｍ
ｍの厚さのフェリ磁性材料の薄い板が用いられた。図５
は電磁放射強度を示す図である。図５に示すように、本
発明におけるチップからの電磁放射（ａ）は、従来のシ
ールドされていないパッケージからの電磁放射（ｂ）と
比較すると、１５ｄＢ〜２５ｄＢ減衰している。短点線
（ｃ）は（ａ）と（ｂ）との差を示す。多少の電磁放射
は端子ピンによって伝搬され放射されるが、全電磁放射
量は、パッケージの磁気シールド７０によってかなり減
少される。このように、従来のセラミックまたはプラス
チックパッケージの表面にフェライト材料の積層板を設
けることは、ＥＭＣを改良する簡単でかつ経済的な方法
である。
【００２７】フェライト材料の薄い板は、回路基板のア
タッチメントを著しく妨害することなく現存の公知のセ
ラミックパッケージの１つ以上の外表面に取り付けられ
る。しかしながら、電磁放射量をさらに減衰したい場合
は、およびカバーまたは基板に、より厚いフェライト板
を用いることによってパッケージの厚さを増さなければ
ならない。そのような場合、以下に述べる本発明の第２
の実施例によるパッケージを用いることができる。
【００２８】（実施例２）図４（ａ）は本発明の第２の
実施例によるＩＣパッケージの断面図を示す図である。
図４（ｂ）は図４（ａ）における集積回路の動作中の電
磁界を示す図である。実施例２による集積回路（ＩＣ）
パッケージにおいて、図４に示されるパッケージ８０
は、図３に示されたパッケージ５０に類似しているが、
パッケージ材料の誘電体ボディ８２が誘電体材料のマト
リクス中で選択されたフェライト材料のフェリ磁性粒子
を含む誘電体材料から形成されている点において異な
る。従ってパッケージの全誘電体ボディが磁気シールド
層を形成し、この磁気シールド層が集積回路チップを包
囲しおよび端子ピンと接触する。パッケージを形成する
ための適切な材料は、バインダ中で常温で硬化するフェ
リ磁性材料のペーストを含む。そのような材料は、モー
ルドされおよび／またはＩＣパッキング用の従来のプラ
スチックまたはセラミック材料のように処理されてもよ
い。
【００２９】フェライト材料の熱抵抗は、従来のセラミ
ックパッケージ材料の熱抵抗と同様であり、パッケージ
上のフェライトクラッドは、パッケージの熱性能を非常
に劣化させることはない。セラミックのように、フェラ
イトは一般的にプラスチックより高い熱伝導率を有す
る。従来のプラスチックパッケージと比較すると、フェ
ライト・パッケージは実際に熱管理を改善することがで
きる。
【００３０】典型的には、通信アプリケーションにおけ
る電磁障害に関係する集積回路からの電磁放射の周波数
範囲は１ＭＨｚから１ＧＨｚである。このフェリ磁性の
磁気特性対フェリ磁性材料の周波数依存性は、たとえ
ば、１ＧＨｚ以上の高い周波数ではかなり異なる。
【００３１】実施例１の変形に関し、他のフェライトま
たはフェリ磁性材料は、所定の周波数範囲で電磁放射が
減衰するように選択され、磁気シールド層の材料および
厚さは適切な減衰量を与えるように選択されることも可
能である。
【００３２】典型的には、フェライトは、（１〜１０）
×１０6Ωｍの範囲の高抵抗率を有し、飽和磁化Ｂ
（ｓ）はフェリ磁性材料より低い。公知のフェライト
は、マンガン−亜鉛［Ｍｎ−Ｚｎ］フェライトおよびニ
ッケル−亜鉛（Ｎｉ−Ｚｎ）フェライトを含む。フェラ
イトは、典型的には、（ＭＯ）（Ｆｅ2Ｏ3）グループ
（ここでＭは金属である）の材料を含み、それは粉末の
鉄酸化物、金属酸化物を混合し、およびスピネル結晶構
造に焼結する混合物を燃やすことによって形成される。
フェライトは、機械的には、セラミックのようなもろい
特性を有し、機械強度の低い板に形成される。しかしな
がら、合成材料はモールドされまたはプラスチックのよ
うに処理されてもよく、または従来のセラミックパッケ
ージ材料はバインダまたは有機樹脂のマトリクス中でフ
ェライト材料の粒子を含むように形成されてもよい。
【００３３】一方、フェリ磁性材料は、バインダ中のフ
ェライト粒子のスラリによって形成された薄いコーティ
ングとして塗布され、それは硬化され従来のセラミック
パッケージの表面上に形成されるクラッドを形成する。
【００３４】本発明の実施例の他の変形に関し、図示さ
れないが、フェリ磁性材料を含む磁気シールド層はマル
チチップ・モジュール（ＭＣＭ）の誘電体ボディに組み
込まれ、モジュール内で複数チップのシールドを供給す
ることもできる。
【００３５】本発明の他の実施例に関し、磁気シールド
手段は誘電体ボディによって供給され、その誘電体ボデ
ィは強磁性材料の分離した粒子を含む誘電体マトリクス
を含む。公知の強磁性の要素は、たとえば、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、およびそれらの合金を含む。Manlyに
よって１９８３年２月１日に特許された米国特許4,371,
742の「伝送線からのＥＭＩ抑圧」において、強磁性粒
子は金属シールド伝送線用のフレキシブルコーティング
を形成するために、樹脂中に強磁性粒子を含んだ数多く
の磁気材料の特性が記述される。しかしながら、強磁性
化合物の磁気シールド特性は、強磁性粒子のサイズに依
存する周波数を有する。
【００３６】回路基板または他の基板上にマウントされ
た複数のパッケージチップを含む電子システムにおい
て、本発明の実施例による磁気シールド手段を有するパ
ッケージ中の選択的シールドを行う各集積回路または他
のマイクロエレクトロニクス装置によって、全システム
に対してハウジングをシールドすること、または他の電
磁放射を制御することを排除あるいは緩和できる。
【００３７】以上、本発明の実施例を詳細に記述した
が、クレーム中で定義される発明の範囲内で、多数の修
正、変形および適用ができる。
【００３８】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、集積
回路用のパッケージが誘電体ボディを貫通して延びる複
数の導電端子部材を有する集積回路チップを包囲するよ
うに形成することによって、その誘電体ボディが集積回
路によって発生された周波数の電磁放射を吸収し、それ
によって集積回路から発生される電磁放射をかなり減衰
させることができる。大きな電磁放射を行う特定の集積
回路チップに個々のパッケージをカスタマイズすること
によって、さらに、効果的な電磁シールドをすることが
できる。これによって、電子システムまたは装置を磁気
シールドする際の全コストを減少できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＩＣパッケージの切断斜視図を示す図で
ある。
【図２】図１の矢印II−IIに沿った従来のＩＣパッケー
ジの断面図を示す図であり、包囲された集積回路が動作
中の電磁界を示している。
【図３】（ａ）は本発明の第１の実施例によるＩＣパッ
ケージの断面図を示す図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
る集積回路の動作中の電磁界を示す図である。
【図４】（ａ）は本発明の第２の実施例によるＩＣパッ
ケージの断面図を示す図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
る集積回路の動作中の電磁界を示す図である。
【図５】電磁放射強度を示す図である。（ａ）は従来の
プラスチックパッケージでパッケージされた集積回路チ
ップの周波数対電磁放射強度を示し、（ｂ）は本発明の
第１の実施例によるパッケージで包囲された集積回路チ
ップの周波数対電磁放射強度を示し、（ｃ）は本発明の
パッケージからの電磁放射と従来のパッケージからの電
磁放射との差を示す。
【符号の説明】
１０ ＩＣパッケージ １４ 集積回路ダイ １６ 端子ピン １８ 誘電体ボディ底部 ２０ 誘電体ボディ ２２ リード線 ２４ ボンドパッド ２８ プリント基板（ＰＣＢ） ５０ パッケージ ５２ 誘電体ボディ ５４ 基板材料 ５６ カバー材料 ６０ 集積回路ダイ ６２ 端子ピン ６４ リード線 ６６ ボンドパッド ７０ 障壁層 ８０ パッケージ ８２ 誘電体ボディ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ボリス・エル・リブシッツ カナダ国，ケイ２ジェイ，３ブイ６，オン タリオ，ネピーン，ベンリア ドライブ 133 (72)発明者 ケビン・イー・ハーペル カナダ国，ケイ１ゼット，８エル４，オン タリオ，オタワ，エイピーティー ＃43, シリントン アベニュー 1196

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 集積回路用パッケージにおいて、 集積回路をサポートするための室を形成する誘電体ボデ
    ィを有し、 その誘電体ボディは導電端子部材がその誘電体ボディを
    貫通して外部に延びるように形成され、 その誘電体ボディはさらに電磁放射をシールドするため
    の磁気シールド手段を有し、その磁気シールド手段は集
    積回路が動作することによって発生される周波数の電磁
    放射に対して高透磁率を有する磁性材料から構成され、 それによってその誘電体ボディは、集積回路が動作する
    ことによって発生された電磁放射を減衰させることを特
    徴とする集積回路用パッケージ。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記磁性材料は実質的に電気的に非電導であり、 前記磁気シールド手段は前記磁性材料の障壁層を含むこ
    とを特徴とする集積回路用パッケージ。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記磁性材料は、フェリ磁性材料であることを特徴とす
    る集積回路用パッケージ。
  4. 【請求項４】 請求項２記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記磁性材料は、フェライトであることを特徴とする集
    積回路用パッケージ。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記誘電体ボディは磁気シールド手段を形成するフェラ
    イト材料の層によって形成されることを特徴とする集積
    回路用パッケージ。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記磁気シールド手段は誘電体ボディを形成する誘電体
    材料のマトリクス中に分散された磁性材料の粒子を含む
    ことを特徴とする集積回路用パッケージ。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記誘電体ボディは、高抵抗率を有するフェリ磁性材料
    を含み、磁気シールド手段を形成することを特徴とする
    集積回路用パッケージ。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記磁気シールド手段は、磁性材料の粒子を含み、 前記誘電体ボディは、パッケージの誘電体ボディを形成
    するために処理される有機樹脂およびセラミック材料の
    グループから選択された絶縁体によって構成され、 前記磁気粒子は誘電体材料のマトリクス中で分散される
    ことを特徴とする集積回路用パッケージ。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の集積回路用パッケージに
    おいて、 前記磁性材料はフェリ磁性粒子を含むことを特徴とする
    集積回路用パッケージ。
  10. 【請求項１０】 請求項８記載の集積回路用パッケージ
    において、 前記磁性材料はフェライト粒子を含むことを特徴とする
    集積回路用パッケージ。
  11. 【請求項１１】 請求項８記載の集積回路用パッケージ
    において、 前記磁性材料は強磁性の粒子を含むことを特徴とする集
    積回路用パッケージ。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の集積回路用パッケー
    ジにおいて、 前記強磁性材料は、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、マ
    ンガンを含むグループから選択された要素の金属または
    合金を含み、 その強磁性材料の粒子は、誘電体材料のマトリクス中で
    分散され、それによって誘電体ボディは、実質的に電気
    的に非電導であることを特徴とする集積回路用パッケー
    ジ。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の集積回路用パッケー
    ジにおいて、 前記誘電体ボディは容積で約３０％の金属または金属合
    金化合物を含み、実質的に電気的に非電導の誘電体ボデ
    ィを形成し、 それによって集積回路から発生する電磁放射の減衰は主
    に磁気の影響によって行われることを特徴とする集積回
    路用パッケージ。
  14. 【請求項１４】 マイクロエレクトロニクス装置用パッ
    ケージにおいて、 マイクロエレクトロニクス装置をサポートするための室
    を形成する誘電体ボディを有し、その誘電体ボディは導
    電端子部材がその誘電体ボディを貫通して延びるように
    形成され、 その誘電体ボディはさらに電磁放射をシールドするため
    の磁気シールド手段を有し、その磁気シールド手段はマ
    イクロエレクトロニクス装置が動作することによって発
    生される周波数の電磁放射に対して高透磁率を有する磁
    性材料から構成され、 それによってその誘電体ボディは、集積回路が動作する
    ことによって発生された電磁放射を減衰させることを特
    徴とする集積回路用パッケージ。
  15. 【請求項１５】 請求項１４記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージにおいて、 前記磁性材料は実質的に電気的に非電導であり、 前記磁気シールド手段は前記磁性材料の障壁層を含むこ
    とを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置用パッケ
    ージ。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージにおいて、 前記障壁層は誘電体ボディの外部クラッドを形成するこ
    とを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置用パッケ
    ージ。
  17. 【請求項１７】 請求項１４記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージにおいて、 前記磁気シールド手段はフェライト材料の層を含んでい
    ることを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置用パ
    ッケージ。
  18. 【請求項１８】 請求項１４記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージにおいて、 前記誘電体ボディは高抵抗率を有するフェリ磁性材料を
    含み、磁気シールド手段を形成することを特徴とするマ
    イクロエレクトロニクス装置用パッケージ。
  19. 【請求項１９】 請求項１４記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージにおいて、 前記磁気シールド手段は誘電体ボディを形成する誘電体
    材料のマトリクス中に分布された前記磁性材料の粒子を
    含むことを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置用
    パッケージ。
  20. 【請求項２０】 請求項１９記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージにおいて、 前記磁性材料の粒子は有機樹脂マトリクス内に含まれる
    フェライト粒子を含むことを特徴とするマイクロエレク
    トロニクス装置用パッケージ。
  21. 【請求項２１】 請求項１９記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージにおいて、 前記磁性材料はセラミックマトリクス内に含まれるフェ
    ライト粒子を含んでいることを特徴とするマイクロエレ
    クトロニクス装置用パッケージ。
  22. 【請求項２２】 マイクロエレクトロニクス装置および
    パッケージの組立体において、 パッケージはマイクロエレクトロニクス装置を包囲する
    誘電体ボディによって構成され、その誘電体ボディを貫
    通してマイクロエレクトロニクス装置に電気接続される
    複数の導電端子部材を有し、 誘電体ボディは電磁放射をシールドするための磁気シー
    ルド手段を供給し、その磁気シールド手段はマイクロエ
    レクトロニクスの動作によって発生される電磁放射周波
    数において高透磁率を有する磁性材料から構成され、 それによって誘電体ボディは、実質的に非電導であり、
    包囲されたマイクロエレクトロニクス装置の動作によっ
    て発生された電磁放射を減衰させることを特徴とするマ
    イクロエレクトロニクス装置用パッケージの組立体。
  23. 【請求項２３】 請求項２２記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージの組立体において、 前記マイクロエレクトロニクス装置は集積回路を含むこ
    とを特徴とするマイクロエレクトロニクス装置用パッケ
    ージの組立体。
  24. 【請求項２４】 請求項２２記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージの組立体において、 前記磁気シールド手段は実質的に電気的に非電導のフェ
    リ磁性材料の障壁層を含むことを特徴とするマイクロエ
    レクトロニクス装置用パッケージの組立体。
  25. 【請求項２５】 請求項２２記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージの組立体において、 前記誘電体ボディはフェライトを含み、それによって磁
    気シールドを行うことを特徴とするマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージの組立体。
  26. 【請求項２６】 請求項２２記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージの組立体において、 前記磁気シールド手段は誘電体ボディの外部クラッドを
    形成するフェライト材料の板を含むことを特徴とするマ
    イクロエレクトロニクス装置用パッケージの組立体。
  27. 【請求項２７】 請求項２２記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージの組立体において、 前記磁気シールド手段は誘電体ボディを形成する誘電体
    材料のマトリクス中でサポートされるフェリ磁性材料の
    粒子を含むことを特徴とするマイクロエレクトロニクス
    装置用パッケージの組立体。
  28. 【請求項２８】 請求項２２記載のマイクロエレクトロ
    ニクス装置用パッケージの組立体において、 前記磁気シールド手段は誘電体ボディを形成している誘
    電体材料のマトリクス中でサポートされる強磁性材料の
    粒子を含むことを特徴とするマイクロエレクトロニクス
    装置用パッケージの組立体。
  29. 【請求項２９】 集積回路パッケージにおいて、 集積回路チップとその集積回路チップを包囲する誘電体
    ボディによって構成されるパッケージを有し、 そのパッケージは電気的に集積回路に接続され、誘電体
    ボディを貫通して誘電体ボディの外部に延びる導電端子
    部材を含み、 その誘電体ボディは電磁放射をシールドするための磁気
    シールド手段を供給し、その磁気シールド手段は集積回
    路の動作によって発生される周波数に対して高透磁率を
    有する磁性材料から構成され、 それによって誘電体ボディは、集積回路から放射される
    電磁放射を減衰させることを特徴とする集積回路パッケ
    ージ。
  30. 【請求項３０】 請求項２９記載の集積回路パッケージ
    において、 前記誘電体ボディは集積回路チップおよびカバー部材を
    サポートする基板部材を含み、 前記磁気シールド手段はそのカバー部材および基板部材
    の少くとも１つの外表面に積層されたフェライト材料の
    層から構成されることを特徴とする集積回路パッケー
    ジ。
  31. 【請求項３１】 パッケージされた複数の集積回路を含
    む電子装置から放射される電磁放射を減衰させる方法に
    おいて、 電磁放射をシールドするための磁気シールド手段を有す
    る誘電体ボディを含むパッケージを個々の集積回路に選
    択的に供給し、 その磁気シールド手段は包囲された集積回路の動作によ
    って発生される周波数において高抵抗率および高透磁率
    である磁性材料から構成され、 それによってパッケージの誘電体ボディは集積回路の動
    作によって発生された電磁放射を減衰させることを特徴
    とする電磁放射を減衰させる方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135591A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板
JP2006351986A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Fuji Electric Device Technology Co Ltd パワー半導体モジュール
US7176473B2 (en) 2003-11-27 2007-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha Shielding leadframe for semiconductors for optical coupling and electronic apparatus including same
KR101362398B1 (ko) * 2012-07-10 2014-02-13 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6613978B2 (en) 1993-06-18 2003-09-02 Maxwell Technologies, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5880403A (en) 1994-04-01 1999-03-09 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US6261508B1 (en) 1994-04-01 2001-07-17 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Method for making a shielding composition
US6720493B1 (en) 1994-04-01 2004-04-13 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages
US6455864B1 (en) 1994-04-01 2002-09-24 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Methods and compositions for ionizing radiation shielding
JP3011944U (ja) * 1994-12-01 1995-06-06 船井電機株式会社 電気機器
JP3608063B2 (ja) * 1996-08-23 2005-01-05 Ｎｅｃトーキン株式会社 Ｅｍｉ対策部品及びそれを備えた能動素子
AU5777598A (en) * 1997-01-30 1998-08-25 Space Electronics, Inc. Methods and compositions for ionizing radiation shielding
US6566596B1 (en) * 1997-12-29 2003-05-20 Intel Corporation Magnetic and electric shielding of on-board devices
US6350951B1 (en) 1997-12-29 2002-02-26 Intel Corporation Electric shielding of on-board devices
JP2000236189A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Minebea Co Ltd 航空機用電子回路のシールド装置
FR2790327B1 (fr) * 1999-02-26 2001-04-13 Commissariat Energie Atomique Systeme electronique fonctionnant sous irradiation, procede de conception d'un tel systeme, et application de celui-ci a la commande d'un robot mobile
US6052045A (en) * 1999-03-12 2000-04-18 Kearney-National, Inc. Electromechanical switching device package with controlled impedance environment
US6195267B1 (en) * 1999-06-23 2001-02-27 Ericsson Inc. Gel structure for combined EMI shielding and thermal control of microelectronic assemblies
US6414383B1 (en) * 1999-07-16 2002-07-02 Agere Systems Guardian Corp. Very low magnetic field integrated circuit
US6643501B1 (en) * 1999-12-02 2003-11-04 Sierra Wireless, Inc. Flexible ferrite gasket for receiver second image protection
US6368899B1 (en) * 2000-03-08 2002-04-09 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Electronic device packaging
DE10011463A1 (de) * 2000-03-10 2001-09-13 Abb Patent Gmbh Bus-Transceiver mit Abschirmgehäuse sowie Abschirmgehäuse für einen Bus-Transceiver
JP2001291989A (ja) * 2000-04-04 2001-10-19 Tokin Corp 金属筐体を備えた電子部品
JP2001297905A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Tokin Corp 高周波電流抑制体
US6479886B1 (en) 2000-06-19 2002-11-12 Intel Corporation Integrated circuit package with EMI shield
US6365960B1 (en) * 2000-06-19 2002-04-02 Intel Corporation Integrated circuit package with EMI shield
USRE38381E1 (en) 2000-07-21 2004-01-13 Kearney-National Inc. Inverted board mounted electromechanical device
US6625040B1 (en) * 2000-08-31 2003-09-23 Micron Technology, Inc. Shielded PC board for magnetically sensitive integrated circuits
US6452253B1 (en) * 2000-08-31 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for magnetic shielding of an integrated circuit
US6727781B2 (en) * 2000-09-18 2004-04-27 Daido Steel Co., Ltd. High frequency amplifier
US6515352B1 (en) * 2000-09-25 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Shielding arrangement to protect a circuit from stray magnetic fields
US6590354B2 (en) * 2000-10-19 2003-07-08 Lear Corporation Seat adjusting system having motor with integrated sensor and control electronics
DE10057918A1 (de) * 2000-11-21 2002-06-06 Kerafol Keramische Folien Gmbh Ferritfolie
FR2817445B1 (fr) * 2000-11-28 2006-09-01 Sagem Dispositif muni d'un circuit integre de puissance et son utilisation associee
US6906396B2 (en) 2002-01-15 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Magnetic shield for integrated circuit packaging
US6573590B1 (en) * 2002-02-11 2003-06-03 Sun Microsystems, Inc. Integrated circuit package with EMI containment features
ES2294279T3 (es) * 2002-03-08 2008-04-01 Kearney-National, Inc. Rele moldeado de montaje superficial y el metodo de fabricacion del mismo.
US7115817B2 (en) * 2002-09-18 2006-10-03 Sun Microsystems, Inc. Heat sink and electromagnetic interference reduction device
US7382043B2 (en) * 2002-09-25 2008-06-03 Maxwell Technologies, Inc. Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation
US6956285B2 (en) 2003-01-15 2005-10-18 Sun Microsystems, Inc. EMI grounding pins for CPU/ASIC chips
US6943436B2 (en) * 2003-01-15 2005-09-13 Sun Microsystems, Inc. EMI heatspreader/lid for integrated circuit packages
DE10325541A1 (de) * 2003-06-04 2005-01-13 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil, sowie Halbleiterwafer und Bauteilträger zur Herstellung des Bauteils
US7191516B2 (en) * 2003-07-16 2007-03-20 Maxwell Technologies, Inc. Method for shielding integrated circuit devices
US6909043B1 (en) 2003-11-12 2005-06-21 Sun Microsystems, Inc. EMI seal for system chassis
US7164587B1 (en) 2004-01-14 2007-01-16 Sun Microsystems, Inc. Integral heatsink grounding arrangement
US6989994B2 (en) * 2004-02-26 2006-01-24 Eagle Comtronics, Inc. Circuit board sub-assemblies, methods for manufacturing same, electronic signal filters including same, and methods, for manufacturing electronic signal filters including same
US7239507B1 (en) 2004-03-24 2007-07-03 Sun Microsystems, Inc. Slot frame with guide tabs for reducing EMI gaps
EP1594163A1 (en) 2004-05-03 2005-11-09 Commissariat A L'energie Atomique A screened electrical device and a process for manufacturing the same
US7310242B2 (en) * 2004-05-21 2007-12-18 General Motors Corporation Self-shielding high voltage distribution box
US7813145B2 (en) * 2004-06-30 2010-10-12 Endwave Corporation Circuit structure with multifunction circuit cover
US20060002099A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Stoneham Edward B Electromagnetic shield assembly
US7327015B2 (en) * 2004-09-20 2008-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
US7474499B2 (en) * 2005-07-27 2009-01-06 Seagate Technology Llc Shielded enclosure of a disc drive for reducing penetration and influence of stray fields
JP2008300686A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Toshiba Corp 集積回路
US7968978B2 (en) * 2007-06-14 2011-06-28 Raytheon Company Microwave integrated circuit package and method for forming such package
TW200903769A (en) * 2007-07-13 2009-01-16 Ind Tech Res Inst An integrated circuit package structure with EMI shielding
KR101441630B1 (ko) * 2008-02-12 2014-09-23 삼성디스플레이 주식회사 엑스레이 검출기 및 이의 제조방법
US20090315156A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Harper Peter R Packaged integrated circuit having conformal electromagnetic shields and methods to form the same
US7906376B2 (en) * 2008-06-30 2011-03-15 Intel Corporation Magnetic particle-based composite materials for semiconductor packages
US8173911B2 (en) * 2008-11-26 2012-05-08 Flir Systems, Inc. Electronic package
KR101855294B1 (ko) 2010-06-10 2018-05-08 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US9545043B1 (en) * 2010-09-28 2017-01-10 Rockwell Collins, Inc. Shielding encapsulation for electrical circuitry
US9070692B2 (en) 2013-01-12 2015-06-30 Avalanche Technology, Inc. Shields for magnetic memory chip packages
CN104103631B (zh) * 2013-04-03 2017-02-15 环旭电子股份有限公司 电子模块及其制造方法
WO2015033396A1 (ja) 2013-09-04 2015-03-12 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP2016063015A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 半導体装置
US9269673B1 (en) * 2014-10-22 2016-02-23 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages
KR102354370B1 (ko) * 2015-04-29 2022-01-21 삼성전자주식회사 쉴딩 구조물을 포함하는 자기 저항 칩 패키지
US20170170087A1 (en) 2015-12-14 2017-06-15 Intel Corporation Electronic package that includes multiple supports
US9871005B2 (en) * 2016-01-07 2018-01-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
JP2017183398A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 東芝メモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US10242954B2 (en) * 2016-12-01 2019-03-26 Tdk Corporation Electronic circuit package having high composite shielding effect
US9907179B2 (en) * 2016-04-25 2018-02-27 Tdk Corporation Electronic circuit package
KR101896435B1 (ko) * 2016-11-09 2018-09-07 엔트리움 주식회사 전자파차폐용 전자부품 패키지 및 그의 제조방법
US10388611B2 (en) 2017-03-13 2019-08-20 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming magnetic field shielding with ferromagnetic material
KR102487841B1 (ko) 2018-03-14 2023-01-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102093149B1 (ko) * 2018-07-10 2020-03-25 삼성전기주식회사 코일 부품
US11038267B2 (en) 2018-07-31 2021-06-15 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for electromagnetic shielding using an outer cobalt layer
US11961652B2 (en) * 2018-11-01 2024-04-16 Tdk Corporation Coil component
JP7325964B2 (ja) * 2019-01-11 2023-08-15 株式会社東芝 電磁波減衰体及び電子装置
KR102674087B1 (ko) * 2019-09-06 2024-06-12 에스케이하이닉스 주식회사 전자기간섭 차폐층을 포함하는 반도체 패키지
CN111740585B (zh) * 2020-06-04 2021-09-07 许继集团有限公司 一种防电磁干扰的柔性直流换流阀二次板卡及制作方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371742A (en) * 1977-12-20 1983-02-01 Graham Magnetics, Inc. EMI-Suppression from transmission lines
US4218578A (en) * 1978-08-04 1980-08-19 Burr-Brown Research Corp. RF Shield for an electronic component
JPS618472Y2 (ja) * 1980-10-30 1986-03-15
US4539433A (en) * 1982-11-24 1985-09-03 Tdk Corporation Electromagnetic shield
US4661888A (en) * 1984-07-03 1987-04-28 Hewlett-Packard Company Removable modular housing for RF circuits
US4796079A (en) * 1984-07-25 1989-01-03 Rca Licensing Corporation Chip component providing rf suppression
US4622527A (en) * 1985-06-20 1986-11-11 Rca Corporation Isolation of RF signals in a RF shield aperture
US4754101A (en) * 1986-10-23 1988-06-28 Instrument Specialties Co., Inc. Electromagnetic shield for printed circuit board
US5206620A (en) * 1987-07-01 1993-04-27 Tdk Corporation Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part
FR2653599B1 (fr) * 1989-10-23 1991-12-20 Commissariat Energie Atomique Materiau composite stratifie presentant des proprietes electromagnetiques absorbantes et son procede de fabrication.
MY105486A (en) * 1989-12-15 1994-10-31 Tdk Corp A multilayer hybrid circuit.
US5159294A (en) * 1990-03-01 1992-10-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Non-reciprocal circuit element
US5043534A (en) * 1990-07-02 1991-08-27 Olin Corporation Metal electronic package having improved resistance to electromagnetic interference
US5270488A (en) * 1990-07-27 1993-12-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Shield construction for electrical devices
US5182427A (en) * 1990-09-20 1993-01-26 Metcal, Inc. Self-regulating heater utilizing ferrite-type body
US5153379A (en) * 1990-10-09 1992-10-06 Motorola, Inc. Shielded low-profile electronic component assembly
US5175613A (en) * 1991-01-18 1992-12-29 Digital Equipment Corporation Package for EMI, ESD, thermal, and mechanical shock protection of circuit chips
US5206459A (en) * 1991-08-21 1993-04-27 Champlain Cable Corporation Conductive polymeric shielding materials and articles fabricated therefrom
US5166772A (en) * 1991-02-22 1992-11-24 Motorola, Inc. Transfer molded semiconductor device package with integral shield
US5252782A (en) * 1992-06-29 1993-10-12 E-Systems, Inc. Apparatus for providing RFI/EMI isolation between adjacent circuit areas on a single circuit board

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135591A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板
US7176473B2 (en) 2003-11-27 2007-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha Shielding leadframe for semiconductors for optical coupling and electronic apparatus including same
JP2006351986A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Fuji Electric Device Technology Co Ltd パワー半導体モジュール
JP4492454B2 (ja) * 2005-06-20 2010-06-30 富士電機システムズ株式会社 パワー半導体モジュール
KR101362398B1 (ko) * 2012-07-10 2014-02-13 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CA2092371C (en) 1999-06-29
US5561265A (en) 1996-10-01
JP3426023B2 (ja) 2003-07-14
CA2092371A1 (en) 1994-09-25

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