JPH10135591A - 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板 - Google Patents
熱伝導性基板および熱伝導性配線基板Info
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- JPH10135591A JPH10135591A JP8287113A JP28711396A JPH10135591A JP H10135591 A JPH10135591 A JP H10135591A JP 8287113 A JP8287113 A JP 8287113A JP 28711396 A JP28711396 A JP 28711396A JP H10135591 A JPH10135591 A JP H10135591A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
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- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品を搭載するに必要な電気絶縁性を保
持しながら熱伝導性を確保することができ、しかも、安
価に製造できる熱伝導性基板を提供する。 【解決手段】 Mn−Znフェライト粉体（2）をPPS樹脂ペ
レット（1） にこれら両者のトータル重量に対するフェ
ライト粉体（2） の重量比が87ｗｔ％となるように加
え、混錬機によって混合する。次に、この混合物を２軸
押出機に投入し、200〜250℃の温度でPPS樹脂ペレット
（1）を溶解させるとともにフェライト粉体（2）をPPS
樹脂（1） の中に練り込み、吐出ノズルから線状に押し
出して水中で冷却固化させる。次に、冷却固化物をペレ
タイザーによってペレット状に切断して混合ペレットと
し、この混合ペレットをインラインスクリュー射出成形
機に投入して約350℃ で加熱溶解して金型中に約1000ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で射出し、続いて圧力を500ｋｇ／ｃ
ｍ2 まで減圧した状態で約200℃まで金型を冷却する。
持しながら熱伝導性を確保することができ、しかも、安
価に製造できる熱伝導性基板を提供する。 【解決手段】 Mn−Znフェライト粉体（2）をPPS樹脂ペ
レット（1） にこれら両者のトータル重量に対するフェ
ライト粉体（2） の重量比が87ｗｔ％となるように加
え、混錬機によって混合する。次に、この混合物を２軸
押出機に投入し、200〜250℃の温度でPPS樹脂ペレット
（1）を溶解させるとともにフェライト粉体（2）をPPS
樹脂（1） の中に練り込み、吐出ノズルから線状に押し
出して水中で冷却固化させる。次に、冷却固化物をペレ
タイザーによってペレット状に切断して混合ペレットと
し、この混合ペレットをインラインスクリュー射出成形
機に投入して約350℃ で加熱溶解して金型中に約1000ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で射出し、続いて圧力を500ｋｇ／ｃ
ｍ2 まで減圧した状態で約200℃まで金型を冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子機器の分野で使
用される熱伝導性基板及び熱伝導性配線基板に関し、特
に、実装された電子部品から発生した熱を効率よく外部
に放散させることができる熱伝導性基板及び熱伝導性配
線基板に関する。
用される熱伝導性基板及び熱伝導性配線基板に関し、特
に、実装された電子部品から発生した熱を効率よく外部
に放散させることができる熱伝導性基板及び熱伝導性配
線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】産業用、民生用を問わず最近の電子機器
は小型化、薄型化が一段と進展し、そのため電子機器を
構成する各種の部品の小型化や実装技術の革新が急速に
進行している。例えば、小型化、薄型化された電子部品
の実装母体となるプリント配線基板においても高密度実
装を可能にするための様々な技術開発がなされている。
かかる技術開発の例として、実装配線パターンの微細
化、高多層配線化、及び多層配線基板間の配線パターン
を接続するビアホールの小径化などである。特に最近の
電子機器（大規模ＬＳＩ等）における高集積度化（高密
度化）の進行はめざましいものがあり、表面実装の高密
度化のための技術開発により拍車がかかっている。かか
る背景から、本件出願人は、表面実装の高密度化に適し
た全層がＩＶＨ（インナービアホール）構造を有する多
層基板を開発した。しかしながら、かかる多層基板にお
いては、実装されたＬＳＩ、パワーＩＣ、および電源回
路部品等の電子部品から発生する熱の周辺部品（他の実
装されている電子部品）への影響が大きな問題になって
いる。
は小型化、薄型化が一段と進展し、そのため電子機器を
構成する各種の部品の小型化や実装技術の革新が急速に
進行している。例えば、小型化、薄型化された電子部品
の実装母体となるプリント配線基板においても高密度実
装を可能にするための様々な技術開発がなされている。
かかる技術開発の例として、実装配線パターンの微細
化、高多層配線化、及び多層配線基板間の配線パターン
を接続するビアホールの小径化などである。特に最近の
電子機器（大規模ＬＳＩ等）における高集積度化（高密
度化）の進行はめざましいものがあり、表面実装の高密
度化のための技術開発により拍車がかかっている。かか
る背景から、本件出願人は、表面実装の高密度化に適し
た全層がＩＶＨ（インナービアホール）構造を有する多
層基板を開発した。しかしながら、かかる多層基板にお
いては、実装されたＬＳＩ、パワーＩＣ、および電源回
路部品等の電子部品から発生する熱の周辺部品（他の実
装されている電子部品）への影響が大きな問題になって
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電子部品が発生する熱
を放散させる方策としては、電子部品側ではアルミニウ
ム製の放熱フィンを取り付け、その広い表面積を利用し
て熱を放散させたり、放熱ファンを取り付けてこれによ
って強制的に冷却する方法が一般的である。一方、電子
部品を搭載する配線基板側では、本来絶縁材料であるフ
ェノール樹脂やエポキシ樹脂等を基材としているため
に、基板の熱伝導率は極めて低く、電子部品が発生する
熱を充分に放散させることが困難である。そこで、熱伝
導性に優れたアルミニウム等の金属基板の表面に電気絶
縁性の塗膜を形成して得られた熱伝導性基板の上面に配
線パターンを形成したプリント配線基板（以下、熱伝導
性配線基板とも称する。）を用い、この熱伝導性配線基
板にパワーＩＣや電源回路部品等を搭載してこれらから
の発生熱を基板を介して外部に放散させるという策がと
られている。しかしながら、前記の熱伝導性基板は、金
属基板の表面に絶縁膜または絶縁層を形成する必要があ
り、当然高コストになることを免れない。一方、アルミ
ナや酸化ベリリウムを含有するセラミック基板またはフ
ェライトの板状成形体をそのまま熱伝導性基板として用
いる例についても報告または製品が発表されているが、
コスト的な問題は解決されていない。
を放散させる方策としては、電子部品側ではアルミニウ
ム製の放熱フィンを取り付け、その広い表面積を利用し
て熱を放散させたり、放熱ファンを取り付けてこれによ
って強制的に冷却する方法が一般的である。一方、電子
部品を搭載する配線基板側では、本来絶縁材料であるフ
ェノール樹脂やエポキシ樹脂等を基材としているため
に、基板の熱伝導率は極めて低く、電子部品が発生する
熱を充分に放散させることが困難である。そこで、熱伝
導性に優れたアルミニウム等の金属基板の表面に電気絶
縁性の塗膜を形成して得られた熱伝導性基板の上面に配
線パターンを形成したプリント配線基板（以下、熱伝導
性配線基板とも称する。）を用い、この熱伝導性配線基
板にパワーＩＣや電源回路部品等を搭載してこれらから
の発生熱を基板を介して外部に放散させるという策がと
られている。しかしながら、前記の熱伝導性基板は、金
属基板の表面に絶縁膜または絶縁層を形成する必要があ
り、当然高コストになることを免れない。一方、アルミ
ナや酸化ベリリウムを含有するセラミック基板またはフ
ェライトの板状成形体をそのまま熱伝導性基板として用
いる例についても報告または製品が発表されているが、
コスト的な問題は解決されていない。
【０００４】本発明は前記のような課題を解決するため
になされたものであり、電子部品を搭載するに必要な電
気絶縁性を保持しながら熱伝導性を確保することがで
き、しかも、安価に製造することができる熱伝導性基板
及び熱伝導性配線基板を提供することを目的とする。
になされたものであり、電子部品を搭載するに必要な電
気絶縁性を保持しながら熱伝導性を確保することがで
き、しかも、安価に製造することができる熱伝導性基板
及び熱伝導性配線基板を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の熱伝導性基板は、合成樹脂基体中にフェラ
イト粉体を混入してなる基板とした。このような本発明
の熱伝導性基板では、基体を構成する合成樹脂によって
実装基板として必要な電気絶縁性が確保されるととも
に、合成樹脂基体中に分散しているフェライト粉体によ
って優れた熱伝導効率と電磁波を遮蔽する効果が得られ
る。従って、電子部品を実装した場合、電子部品から発
生した熱が基板を介して外部に効率よく放散される。ま
た、電子部品から発生した電磁波が基板によって遮蔽さ
れるので、基板の一方の主面に実装された電子部品から
発生した電磁波が他方の主面に実装された電子部品の動
作に悪影響を与えるのを防止することができる。また、
熱伝導性材料としてのフェライト粉体の使用量が従来の
この種の基板における熱伝導性材料の使用量に比べて少
なくて済み、また、簡単な工程で製造できるので、従来
のこの種の基板に比して製品コストを低減することがで
きる。
に、本発明の熱伝導性基板は、合成樹脂基体中にフェラ
イト粉体を混入してなる基板とした。このような本発明
の熱伝導性基板では、基体を構成する合成樹脂によって
実装基板として必要な電気絶縁性が確保されるととも
に、合成樹脂基体中に分散しているフェライト粉体によ
って優れた熱伝導効率と電磁波を遮蔽する効果が得られ
る。従って、電子部品を実装した場合、電子部品から発
生した熱が基板を介して外部に効率よく放散される。ま
た、電子部品から発生した電磁波が基板によって遮蔽さ
れるので、基板の一方の主面に実装された電子部品から
発生した電磁波が他方の主面に実装された電子部品の動
作に悪影響を与えるのを防止することができる。また、
熱伝導性材料としてのフェライト粉体の使用量が従来の
この種の基板における熱伝導性材料の使用量に比べて少
なくて済み、また、簡単な工程で製造できるので、従来
のこの種の基板に比して製品コストを低減することがで
きる。
【０００６】前記本発明の熱伝導性基板においては、基
板全体当りのフェライト粉体の含有量が７０〜９８ｗｔ
％であるのが好ましく、このような構成により、基板と
しての形態を損なうことなく、しかも、実装基板として
必要な基板抵抗（一般に表面抵抗が１×１０10Ω／ｃｍ
2 以上）を維持しながら、極めて優れた熱伝導性を得る
ことができる。
板全体当りのフェライト粉体の含有量が７０〜９８ｗｔ
％であるのが好ましく、このような構成により、基板と
しての形態を損なうことなく、しかも、実装基板として
必要な基板抵抗（一般に表面抵抗が１×１０10Ω／ｃｍ
2 以上）を維持しながら、極めて優れた熱伝導性を得る
ことができる。
【０００７】また前記本発明の熱伝導性基板において
は、フェライト粉体とともにアルミナ粉体、マグネシア
粉体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ素粉体、酸化ベ
リリウム粉体及びシリカガラス粉体から選ばれる少なく
とも一つの粉体が混入されているのが好ましく、このよ
うな構成により、基板の機械的強度が向上するととも
に、製造時における基板の成形性が向上する。
は、フェライト粉体とともにアルミナ粉体、マグネシア
粉体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ素粉体、酸化ベ
リリウム粉体及びシリカガラス粉体から選ばれる少なく
とも一つの粉体が混入されているのが好ましく、このよ
うな構成により、基板の機械的強度が向上するととも
に、製造時における基板の成形性が向上する。
【０００８】また前記好ましい構成の本発明の熱伝導性
基板においては、基板全体当りのフェライト粉体とアル
ミナ粉体、マグネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、炭
化ケイ素粉体、酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス粉
体から選ばれる少なくとも一つの粉体とのトータルの含
有量が７０〜９８ｗｔ％であるのがより好ましく、この
ような構成により、基板としての形態を損なうことな
く、しかも、実装基板として必要な基板抵抗（一般に表
面抵抗が１×１０10Ω／ｃｍ2 以上）を維持しながら、
極めて優れた熱伝導性を得ることができる。
基板においては、基板全体当りのフェライト粉体とアル
ミナ粉体、マグネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、炭
化ケイ素粉体、酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス粉
体から選ばれる少なくとも一つの粉体とのトータルの含
有量が７０〜９８ｗｔ％であるのがより好ましく、この
ような構成により、基板としての形態を損なうことな
く、しかも、実装基板として必要な基板抵抗（一般に表
面抵抗が１×１０10Ω／ｃｍ2 以上）を維持しながら、
極めて優れた熱伝導性を得ることができる。
【０００９】また前記より好ましい構成の本発明の熱伝
導性基板においては、フェライト粉体と、アルミナ粉
体、マグネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ
素粉体、酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス粉体から
選ばれる少なくとも一つの粉体との配合比（フェライト
粉体：アルミナ粉体、マグネシア粉体、窒化アルミニウ
ム粉体、炭化ケイ素粉体、及び酸化ベリリウム粉体から
選ばれる少なくとも一つの粉体）が重量比で２：１〜２
０：１であるのが更に好ましく、このような構成によ
り、電磁波遮蔽効果を損なうことなく、極めて優れた熱
伝導性及び機械的強度が得られる。
導性基板においては、フェライト粉体と、アルミナ粉
体、マグネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ
素粉体、酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス粉体から
選ばれる少なくとも一つの粉体との配合比（フェライト
粉体：アルミナ粉体、マグネシア粉体、窒化アルミニウ
ム粉体、炭化ケイ素粉体、及び酸化ベリリウム粉体から
選ばれる少なくとも一つの粉体）が重量比で２：１〜２
０：１であるのが更に好ましく、このような構成によ
り、電磁波遮蔽効果を損なうことなく、極めて優れた熱
伝導性及び機械的強度が得られる。
【００１０】また前記本発明の熱伝導性基板において
は、合成樹脂が熱可塑性樹脂であるのが好ましく、この
ような構成により、射出成形法により簡単に信頼性の高
い製品を製造することができる。また、射出成形の金型
内に銅箔パターン等の配線パターンを配置してインサー
ト成形することにより後述の熱伝導性配線基板を簡単に
製造することができる。
は、合成樹脂が熱可塑性樹脂であるのが好ましく、この
ような構成により、射出成形法により簡単に信頼性の高
い製品を製造することができる。また、射出成形の金型
内に銅箔パターン等の配線パターンを配置してインサー
ト成形することにより後述の熱伝導性配線基板を簡単に
製造することができる。
【００１１】また前記本発明の熱伝導性基板において
は、合成樹脂が弾性体樹脂であるのが好ましく、このよ
うな構成により、折り曲げ可能なフレキシブル基板にす
ることができる。
は、合成樹脂が弾性体樹脂であるのが好ましく、このよ
うな構成により、折り曲げ可能なフレキシブル基板にす
ることができる。
【００１２】また前記本発明の熱伝導性基板において
は、合成樹脂が熱硬化性樹脂であるのが好ましく、この
ような構成により、圧縮成形法またはトランスファ成形
法により簡単に信頼性の高い製品を製造することができ
る。また、トランスファーモールディング成形法を用い
て銅箔パターン等の配線パターンをインサート成形する
ことにより後述の熱伝導性配線基板を簡単に製造するこ
とができる。
は、合成樹脂が熱硬化性樹脂であるのが好ましく、この
ような構成により、圧縮成形法またはトランスファ成形
法により簡単に信頼性の高い製品を製造することができ
る。また、トランスファーモールディング成形法を用い
て銅箔パターン等の配線パターンをインサート成形する
ことにより後述の熱伝導性配線基板を簡単に製造するこ
とができる。
【００１３】また前記本発明の熱伝導性基板において
は、合成樹脂基体が、無機繊維もしくは有機繊維の布か
らなる芯材に熱硬化性樹脂を含浸して硬化せしめてなる
基体であるのが好ましく、このような構成により、基板
の機械的強度を向上させることができる。
は、合成樹脂基体が、無機繊維もしくは有機繊維の布か
らなる芯材に熱硬化性樹脂を含浸して硬化せしめてなる
基体であるのが好ましく、このような構成により、基板
の機械的強度を向上させることができる。
【００１４】また、本発明の他の熱伝導性基板は、多層
構造の熱伝導性基板であって、少なくともその一層が前
記本発明の熱伝導性基板からなることを特徴とする。こ
のような本発明の他の熱伝導性基板では、前記本発明の
熱伝導性基板以外の基板として、例えば合成樹脂基板
や、無機質繊維または有機質繊維の布からなる芯材に熱
硬化性樹脂を含浸して硬化せしめてなる基板等の熱伝導
性材料を含有しない樹脂製基板を用いることにより、多
層構造の熱伝導性基板全体の機械的強度を高く保持でき
る。従って、熱伝導性基板単体の薄厚化を図ることがで
き、フェライト粉体や、アルミナ粉体、マグネシア粉
体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ素粉体、酸化ベリ
リウム粉体及びシリカガラス粉体から選ばれる少なくと
も一つの粉体の使用量を低減することができる。
構造の熱伝導性基板であって、少なくともその一層が前
記本発明の熱伝導性基板からなることを特徴とする。こ
のような本発明の他の熱伝導性基板では、前記本発明の
熱伝導性基板以外の基板として、例えば合成樹脂基板
や、無機質繊維または有機質繊維の布からなる芯材に熱
硬化性樹脂を含浸して硬化せしめてなる基板等の熱伝導
性材料を含有しない樹脂製基板を用いることにより、多
層構造の熱伝導性基板全体の機械的強度を高く保持でき
る。従って、熱伝導性基板単体の薄厚化を図ることがで
き、フェライト粉体や、アルミナ粉体、マグネシア粉
体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ素粉体、酸化ベリ
リウム粉体及びシリカガラス粉体から選ばれる少なくと
も一つの粉体の使用量を低減することができる。
【００１５】また、本発明の熱伝導性配線基板は、前記
本発明の単層構造の熱伝導性基板または多層構造の熱伝
導性基板の少なくとも一方の主面に配線パターンを形成
したものである。このような本発明の熱伝導性配線基板
では電子部品を基板の主面に高密度に実装することがで
きる。また、かかる熱伝導性配線基板が弾性体樹脂から
なる合成樹脂基体を用いたフレキシブルな熱伝導性基板
を用いてなるものである場合、これによって複数の熱伝
導性配線基板間を電気的に接続することにより放熱面積
が拡大化した実装基板を作成できる。
本発明の単層構造の熱伝導性基板または多層構造の熱伝
導性基板の少なくとも一方の主面に配線パターンを形成
したものである。このような本発明の熱伝導性配線基板
では電子部品を基板の主面に高密度に実装することがで
きる。また、かかる熱伝導性配線基板が弾性体樹脂から
なる合成樹脂基体を用いたフレキシブルな熱伝導性基板
を用いてなるものである場合、これによって複数の熱伝
導性配線基板間を電気的に接続することにより放熱面積
が拡大化した実装基板を作成できる。
【００１６】前記本発明の熱伝導性配線基板において
は、熱伝導性基板の表裏両主面に配線パターンが形成さ
れ、前記表裏両面の配線パターンがスルーホールを介し
て接続されているのが好ましく、このような構成によ
り、電子部品を基板の表裏両主面の配線パターンに高密
度に実装することができる。また、表裏両主面の配線パ
ターンがスルーホールで接続されているので、基板の表
裏両主面に実装された電子部品の熱が基板の表裏両主面
から効率よく放散される。
は、熱伝導性基板の表裏両主面に配線パターンが形成さ
れ、前記表裏両面の配線パターンがスルーホールを介し
て接続されているのが好ましく、このような構成によ
り、電子部品を基板の表裏両主面の配線パターンに高密
度に実装することができる。また、表裏両主面の配線パ
ターンがスルーホールで接続されているので、基板の表
裏両主面に実装された電子部品の熱が基板の表裏両主面
から効率よく放散される。
【００１７】また、本発明の他の熱伝導性配線基板は、
多層構造の熱伝導性配線基板であって、少なくとも、前
記本発明の単層構造の熱伝導性基板または多層構造の熱
伝導性基板の表裏両主面に配線パターンを形成し、前記
表裏両主面の配線パターンをスルーホールを介して接続
してなる熱伝導性配線基板と、その表裏両主面に形成さ
れた配線パターンをスルーホールを介して接続してなる
配線基板とを含むことを特徴とする。このような本発明
の他の熱伝導性配線基板では、前記配線基板として、例
えば、合成樹脂基板の表裏両主面に配線パターンを形成
し、前記表裏両主面の配線パターンをスルーホールを介
して接続してなる配線基板や、無機質繊維もしくは有機
質繊維の布からなる芯材に熱硬化性樹脂を含浸して硬化
せしめてなる基板の表裏両主面に配線パターンを形成
し、前記表裏両主面の配線パターンをスルーホールを介
して接続してなる配線基板等を用いて、これらの配線基
板と前記熱伝導性配線基板の重ねる数、重ねる順序等を
変えることにより、熱放散性、電磁波遮蔽性、及び基板
強度等の配線基板の諸特性を調整することができる。
多層構造の熱伝導性配線基板であって、少なくとも、前
記本発明の単層構造の熱伝導性基板または多層構造の熱
伝導性基板の表裏両主面に配線パターンを形成し、前記
表裏両主面の配線パターンをスルーホールを介して接続
してなる熱伝導性配線基板と、その表裏両主面に形成さ
れた配線パターンをスルーホールを介して接続してなる
配線基板とを含むことを特徴とする。このような本発明
の他の熱伝導性配線基板では、前記配線基板として、例
えば、合成樹脂基板の表裏両主面に配線パターンを形成
し、前記表裏両主面の配線パターンをスルーホールを介
して接続してなる配線基板や、無機質繊維もしくは有機
質繊維の布からなる芯材に熱硬化性樹脂を含浸して硬化
せしめてなる基板の表裏両主面に配線パターンを形成
し、前記表裏両主面の配線パターンをスルーホールを介
して接続してなる配線基板等を用いて、これらの配線基
板と前記熱伝導性配線基板の重ねる数、重ねる順序等を
変えることにより、熱放散性、電磁波遮蔽性、及び基板
強度等の配線基板の諸特性を調整することができる。
【００１８】前記本発明の熱伝導性配線基板において
は、配線パターンと熱伝導性基板との間に電気絶縁膜が
形成されているのが好ましく、このような構成により、
優れた熱伝導性を有し、かつ、高い表面電気抵抗を備え
た熱伝導性配線基板を得ることができる。
は、配線パターンと熱伝導性基板との間に電気絶縁膜が
形成されているのが好ましく、このような構成により、
優れた熱伝導性を有し、かつ、高い表面電気抵抗を備え
た熱伝導性配線基板を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態によ
る熱伝導性基板の断面図である。図において、３は熱伝
導性基板で、これは合成樹脂基体１中にフェライト粉体
２が混入されて構成されている。
説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態によ
る熱伝導性基板の断面図である。図において、３は熱伝
導性基板で、これは合成樹脂基体１中にフェライト粉体
２が混入されて構成されている。
【００２０】本実施形態の熱伝導性基板３の合成樹脂基
体１を構成する合成樹脂としては、例えば、ポリブチレ
ンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、及びポリフェニレンオ
キサイド（ＰＰＯ）等の熱可塑性樹脂や、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、及びジアリルフタレート樹
脂等の熱硬化性樹脂が使用される。熱可塑性樹脂または
熱硬化性樹脂のいずれを使用する場合においても、前記
例示の樹脂の１種または２種以上を使用することができ
る。
体１を構成する合成樹脂としては、例えば、ポリブチレ
ンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、及びポリフェニレンオ
キサイド（ＰＰＯ）等の熱可塑性樹脂や、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、及びジアリルフタレート樹
脂等の熱硬化性樹脂が使用される。熱可塑性樹脂または
熱硬化性樹脂のいずれを使用する場合においても、前記
例示の樹脂の１種または２種以上を使用することができ
る。
【００２１】また、合成樹脂基体１中に混入するフェラ
イト粉体２としては、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚ
ｎ系、ＮｉーＺｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系等の各種フェ
ライトを使用でき、これらから選ばれる１種または２種
以上が使用される。フェライト粉体２の粒径は体積平均
粒径で一般に０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜３
μｍである。フェライト粉体の形状は特に限定されず、
球状、針状等の各種形状のものを使用することができる
が、成形性、熱伝導性の点から球状の粉体を用いるのが
好ましい。フェライト粉体２の合成樹脂基体１中への混
入量（配合量）は一般に基板３全体当り７０ｗｔ％以上
にするのが好ましい。これは、７０ｗｔ％未満であると
基板３へ充分な熱伝導性（３．５Ｗ／ｍ・℃以上の熱伝
導率を示す熱伝導性）を付与することが困難になるため
である。一方、フェライト粉体２の合成樹脂基体１中へ
の混入量を多くし過ぎると、基板３の電気抵抗（表面電
気抵抗）を実装基板として必要な抵抗値（一般に１×１
０10Ω／ｃｍ2 以上）に維持することが困難になり、ま
た、基板としての形態を保持することが困難になる。こ
のため、フェライト粉体２の合成樹脂基体１中への混入
量（配合量）の上限は基板３全体当り９８ｗｔ％以下に
するのが好ましい。なお、合成樹脂基体１を構成する合
成樹脂の種類等によっても異なるが、フェライト粉体２
の混入量（配合量）を基板３全体当り８０〜９５ｗｔ％
の範囲内にした場合に、基板３の熱伝導性が極めて良好
（４．５Ｗ／ｍ・℃以上）になり、かつ、基板の電気抵
抗（表面電気抵抗）が極めて高抵抗（１×１０11Ω／ｃ
ｍ2 以上）になる。なお、本実施形態の熱伝導性基板３
の厚みは特に限定されないが一般に０．１〜３ｍｍであ
る。
イト粉体２としては、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚ
ｎ系、ＮｉーＺｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系等の各種フェ
ライトを使用でき、これらから選ばれる１種または２種
以上が使用される。フェライト粉体２の粒径は体積平均
粒径で一般に０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜３
μｍである。フェライト粉体の形状は特に限定されず、
球状、針状等の各種形状のものを使用することができる
が、成形性、熱伝導性の点から球状の粉体を用いるのが
好ましい。フェライト粉体２の合成樹脂基体１中への混
入量（配合量）は一般に基板３全体当り７０ｗｔ％以上
にするのが好ましい。これは、７０ｗｔ％未満であると
基板３へ充分な熱伝導性（３．５Ｗ／ｍ・℃以上の熱伝
導率を示す熱伝導性）を付与することが困難になるため
である。一方、フェライト粉体２の合成樹脂基体１中へ
の混入量を多くし過ぎると、基板３の電気抵抗（表面電
気抵抗）を実装基板として必要な抵抗値（一般に１×１
０10Ω／ｃｍ2 以上）に維持することが困難になり、ま
た、基板としての形態を保持することが困難になる。こ
のため、フェライト粉体２の合成樹脂基体１中への混入
量（配合量）の上限は基板３全体当り９８ｗｔ％以下に
するのが好ましい。なお、合成樹脂基体１を構成する合
成樹脂の種類等によっても異なるが、フェライト粉体２
の混入量（配合量）を基板３全体当り８０〜９５ｗｔ％
の範囲内にした場合に、基板３の熱伝導性が極めて良好
（４．５Ｗ／ｍ・℃以上）になり、かつ、基板の電気抵
抗（表面電気抵抗）が極めて高抵抗（１×１０11Ω／ｃ
ｍ2 以上）になる。なお、本実施形態の熱伝導性基板３
の厚みは特に限定されないが一般に０．１〜３ｍｍであ
る。
【００２２】本実施形態の熱伝導性基板３の製造方法は
特に限定されないが、その一具体例について簡単に説明
する。最初に合成樹脂基体１が熱可塑性樹脂（ＰＰＳ樹
脂）で構成された熱伝導性基板３の製法について説明す
る。まず、Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉体をＰＰＳ樹脂のペ
レットにこれら両者のトータル重量に対するＭｎ−Ｚｎ
フェライト粉体の重量比が８７ｗｔ％となるように加
え、混練機により充分混合する。この混合工程において
フェライト粉体をステアリン酸やリノール酸等の脂肪酸
を用いて表面処理しておくとフェライト粉体のＰＰＳ樹
脂ペレット表面での分散性が向上して、成形後に得られ
る熱伝導性基板の機械的特性が向上する。特に、優れた
弾性を付与することができる。次に、前記その表面にフ
ェライト粉末を付着させたＰＰＳ樹脂ペレットを２軸押
出機に投入し、２００〜２５０℃の温度に加熱してＰＰ
Ｓ樹脂を溶解させるとともにフェライト粉体を充分にＰ
ＰＳ樹脂の中に練り込み、２軸押出機の先端の吐出ノズ
ルから線状に押し出して水中で冷却固化させる。次に、
この冷却固化物をペレタイザーによってペレット状に切
断し、これを混合ペレットとする。次に、この混合ペレ
ットをインラインスクリュー射出成形機に投入し、約３
５０℃で加熱溶解して金型中に約１０００ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で射出し、続いてその圧力を５００ｋｇ／ｃｍ2
まで一旦減圧した状態で約２００℃まで金型を冷却す
る。この後、金型から完成した熱伝導性基板を取り出
す。なお、射出成形の際に金型内に例えば銅箔からなる
配線パターン（インサート）を配置して、インサート成
形を行うと、表面に配線パターンが形成された熱伝導性
配線基板を得ることができる。
特に限定されないが、その一具体例について簡単に説明
する。最初に合成樹脂基体１が熱可塑性樹脂（ＰＰＳ樹
脂）で構成された熱伝導性基板３の製法について説明す
る。まず、Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉体をＰＰＳ樹脂のペ
レットにこれら両者のトータル重量に対するＭｎ−Ｚｎ
フェライト粉体の重量比が８７ｗｔ％となるように加
え、混練機により充分混合する。この混合工程において
フェライト粉体をステアリン酸やリノール酸等の脂肪酸
を用いて表面処理しておくとフェライト粉体のＰＰＳ樹
脂ペレット表面での分散性が向上して、成形後に得られ
る熱伝導性基板の機械的特性が向上する。特に、優れた
弾性を付与することができる。次に、前記その表面にフ
ェライト粉末を付着させたＰＰＳ樹脂ペレットを２軸押
出機に投入し、２００〜２５０℃の温度に加熱してＰＰ
Ｓ樹脂を溶解させるとともにフェライト粉体を充分にＰ
ＰＳ樹脂の中に練り込み、２軸押出機の先端の吐出ノズ
ルから線状に押し出して水中で冷却固化させる。次に、
この冷却固化物をペレタイザーによってペレット状に切
断し、これを混合ペレットとする。次に、この混合ペレ
ットをインラインスクリュー射出成形機に投入し、約３
５０℃で加熱溶解して金型中に約１０００ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で射出し、続いてその圧力を５００ｋｇ／ｃｍ2
まで一旦減圧した状態で約２００℃まで金型を冷却す
る。この後、金型から完成した熱伝導性基板を取り出
す。なお、射出成形の際に金型内に例えば銅箔からなる
配線パターン（インサート）を配置して、インサート成
形を行うと、表面に配線パターンが形成された熱伝導性
配線基板を得ることができる。
【００２３】次に、合成樹脂基体１が熱硬化性樹脂（加
熱硬化性エポキシ樹脂）からなる熱伝導性基板３の製法
について説明する。まず、エポキシ樹脂主材とポリアミ
ド硬化剤を混合した後、この混合物にＣｕ−Ｚｎフェラ
イトの粉体をこれら両者のトータルの重量に対するＣｕ
−Ｚｎフェライト粉体の重量比が９５ｗｔ％となるよう
に加えて、均質になるまで３本ロール機によって混練す
る。次にこの混練物を予備硬化させてタブレットとし、
このタブレットを所定の形状を有する成形金型内に移
し、加熱加圧した状態で圧縮成形することにより完全硬
化させて熱伝導性基板とする。なお、圧縮成形法に代え
てトランスファー成形法を用いてもよく、特に、トラン
スファーモールディング成形法を用いることにより、金
型内に配置した配線パターン（インサート）に損傷を与
えることなくインサート成形を行うことがき、表面に配
線パターンが形成された熱伝導性配線基板を高い歩留ま
りで製造することができる。
熱硬化性エポキシ樹脂）からなる熱伝導性基板３の製法
について説明する。まず、エポキシ樹脂主材とポリアミ
ド硬化剤を混合した後、この混合物にＣｕ−Ｚｎフェラ
イトの粉体をこれら両者のトータルの重量に対するＣｕ
−Ｚｎフェライト粉体の重量比が９５ｗｔ％となるよう
に加えて、均質になるまで３本ロール機によって混練す
る。次にこの混練物を予備硬化させてタブレットとし、
このタブレットを所定の形状を有する成形金型内に移
し、加熱加圧した状態で圧縮成形することにより完全硬
化させて熱伝導性基板とする。なお、圧縮成形法に代え
てトランスファー成形法を用いてもよく、特に、トラン
スファーモールディング成形法を用いることにより、金
型内に配置した配線パターン（インサート）に損傷を与
えることなくインサート成形を行うことがき、表面に配
線パターンが形成された熱伝導性配線基板を高い歩留ま
りで製造することができる。
【００２４】以上のような熱可塑性樹脂または熱硬化性
樹脂からなる合成樹脂基体１を用いて形成された熱伝導
性基板３は硬質基板になるが、合成樹脂基体１をポリブ
タジエン、エチレンプロピレンゴム等のエラストマー
（常温付近でゴム状弾性を有する樹脂）からなるものと
することにより、熱伝導性基板３を折り曲げ可能なフレ
キシブルな基板にすることができる。
樹脂からなる合成樹脂基体１を用いて形成された熱伝導
性基板３は硬質基板になるが、合成樹脂基体１をポリブ
タジエン、エチレンプロピレンゴム等のエラストマー
（常温付近でゴム状弾性を有する樹脂）からなるものと
することにより、熱伝導性基板３を折り曲げ可能なフレ
キシブルな基板にすることができる。
【００２５】このような本実施形態の熱伝導性基板３で
は、合成樹脂基体１によって実装基板として必要な電気
絶縁性が得られるとともに、基体１中に分散しているフ
ェライト粉体２によって優れた熱伝導効率と電磁波遮蔽
効果が得られる。従って、これに電子部品を実装した場
合、電子部品から発生した熱が基板３を介して外部に効
率よく放散される。また、電子部品から発生した電磁波
が基板３によって遮蔽されるので、一方の主面（表面）
に実装されている電子部品から発生する電磁波によっ
て、他方の主面（裏面）に実装されている電子部品が悪
影響を受けるのを防止できる。また、従来のこの種の基
板に比べて熱伝導性材料（フェライト粉体）の使用量が
少なくて済み、また、製造工程も簡単であることから、
製品コストを大きく低減することができる。
は、合成樹脂基体１によって実装基板として必要な電気
絶縁性が得られるとともに、基体１中に分散しているフ
ェライト粉体２によって優れた熱伝導効率と電磁波遮蔽
効果が得られる。従って、これに電子部品を実装した場
合、電子部品から発生した熱が基板３を介して外部に効
率よく放散される。また、電子部品から発生した電磁波
が基板３によって遮蔽されるので、一方の主面（表面）
に実装されている電子部品から発生する電磁波によっ
て、他方の主面（裏面）に実装されている電子部品が悪
影響を受けるのを防止できる。また、従来のこの種の基
板に比べて熱伝導性材料（フェライト粉体）の使用量が
少なくて済み、また、製造工程も簡単であることから、
製品コストを大きく低減することができる。
【００２６】なお、本実施形態による熱伝導性基板３は
それ単体で実装基板として使用することが多いが、例え
ば、その一方の主面に、合成樹脂のみで成形された基板
（合成樹脂基板）や、ガラス繊維、金属繊維、木質繊
維、または合成樹脂繊維の布からなる芯材に熱硬化性樹
脂を含浸して硬化せしめてなる基板（芯材含有熱硬化性
樹脂基板）を貼り合わせたり、２枚の熱伝導性基板３の
間に、前記合成樹脂基板や芯材含有熱硬化性樹脂基板を
挟むことにより、多層構造の実装基板を構成することも
できる。この場合、多層構造の基板全体の強度が合成樹
脂基板または芯材含有熱硬化性樹脂基板よって補強され
るので、熱伝導性基板の薄厚化を図ることができ（例え
ば０．１ｍｍ以下）、フェライト粉体の使用量を低減す
ることができる。また、熱伝導性基板３が折り曲げ可能
なフレキシブル基板である場合に、前記合成樹脂基板を
前述のエラストマーからなるものにすると、多層構造基
板をフレキシブル基板にできる。
それ単体で実装基板として使用することが多いが、例え
ば、その一方の主面に、合成樹脂のみで成形された基板
（合成樹脂基板）や、ガラス繊維、金属繊維、木質繊
維、または合成樹脂繊維の布からなる芯材に熱硬化性樹
脂を含浸して硬化せしめてなる基板（芯材含有熱硬化性
樹脂基板）を貼り合わせたり、２枚の熱伝導性基板３の
間に、前記合成樹脂基板や芯材含有熱硬化性樹脂基板を
挟むことにより、多層構造の実装基板を構成することも
できる。この場合、多層構造の基板全体の強度が合成樹
脂基板または芯材含有熱硬化性樹脂基板よって補強され
るので、熱伝導性基板の薄厚化を図ることができ（例え
ば０．１ｍｍ以下）、フェライト粉体の使用量を低減す
ることができる。また、熱伝導性基板３が折り曲げ可能
なフレキシブル基板である場合に、前記合成樹脂基板を
前述のエラストマーからなるものにすると、多層構造基
板をフレキシブル基板にできる。
【００２７】（第２の実施形態）図２は本発明の第２の
実施形態による熱伝導性基板の断面図である。図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
４は熱伝導性基板で、これは合成樹脂基体１中にフェラ
イト粉体２と、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）粉体、ＭｇＯ（マ
グネシア）粉体、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）粉体、Ｓ
ｉＣ（炭化ケイ素）粉体、ＢｅＯ（酸化ベリリウム）粉
体及びシリカガラス粉体から選ばれる少なくとも一つの
粉体（補助熱伝導性粉体）５が混入されて構成されてい
る。
実施形態による熱伝導性基板の断面図である。図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
４は熱伝導性基板で、これは合成樹脂基体１中にフェラ
イト粉体２と、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）粉体、ＭｇＯ（マ
グネシア）粉体、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）粉体、Ｓ
ｉＣ（炭化ケイ素）粉体、ＢｅＯ（酸化ベリリウム）粉
体及びシリカガラス粉体から選ばれる少なくとも一つの
粉体（補助熱伝導性粉体）５が混入されて構成されてい
る。
【００２８】すなわち、本実施形態の熱伝導性基板４
は、前記第１の実施形態の熱伝導性基板３の合成樹脂基
体１中に更に補助熱伝導性粉体５としてＡｌ2Ｏ3粉体、
ＭｇＯ粉体、ＡｌＮ粉体、ＳｉＣ粉体、ＢｅＯ粉体及び
シリカガラス粉体から選ばれる少なくとも一つの粉体を
混入したものである。製法もフェライト粉体２とともに
補助熱伝導性粉体５を用いる以外は前記第１の実施形態
の熱伝導性基板３のそれと基本的に同じである。このよ
うな本実施形態の熱伝導性基板４は、理由は明らかでは
ないが、合成樹脂基体１中にフェライト粉体２のみを混
入した前記第１の実施形態の熱伝導性基板３に比べて機
械的強度が向上し、また、製造時における合成樹脂と粉
体の混合物を板状に成形する際の成形性が良好になる。
は、前記第１の実施形態の熱伝導性基板３の合成樹脂基
体１中に更に補助熱伝導性粉体５としてＡｌ2Ｏ3粉体、
ＭｇＯ粉体、ＡｌＮ粉体、ＳｉＣ粉体、ＢｅＯ粉体及び
シリカガラス粉体から選ばれる少なくとも一つの粉体を
混入したものである。製法もフェライト粉体２とともに
補助熱伝導性粉体５を用いる以外は前記第１の実施形態
の熱伝導性基板３のそれと基本的に同じである。このよ
うな本実施形態の熱伝導性基板４は、理由は明らかでは
ないが、合成樹脂基体１中にフェライト粉体２のみを混
入した前記第１の実施形態の熱伝導性基板３に比べて機
械的強度が向上し、また、製造時における合成樹脂と粉
体の混合物を板状に成形する際の成形性が良好になる。
【００２９】本実施形態の熱伝導性基板４において、補
助熱伝導性粉体５の粒径は体積平均粒径で一般に０．１
〜１０μｍ、好ましくは０．５〜３μｍである。補助熱
伝導性粉体５の形状は特に限定されないが、成形性、熱
伝導性の点から球状の粉体を用いるのが好ましい。フェ
ライト粉体２及び補助熱伝導性粉体５の合成基体１中へ
の混入量（フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５のト
ータルの配合量）は一般に基板４全体当り７０ｗｔ％以
上にするのが好ましい。これは、前記第１の実施形態の
熱伝導性基板３において好ましいフェライト粉体２の混
入量を基板３全体当り７０ｗｔ％以上にするのと同様の
理由による。また、前記第１の実施形態の熱伝導性基板
３と同様の理由により、フェライト粉体２及び補助熱伝
導性粉体５（Ａｌ2Ｏ3粉体、ＭｇＯ粉体、ＡｌＮ粉体、
ＳｉＣ粉体、ＢｅＯ粉体及びシリカガラス粉体から選ば
れる少なくとも一つの粉体）の合成基体１中への混入量
（配合量）の上限は基板４全体当り９８ｗｔ％以下にす
るのが好ましい。また、本実施形態の熱伝導性基板４に
おいても、フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５の合
成樹脂基体１中への混入量（フェライト粉体２と補助熱
伝導性粉体５のトータルの配合量）が基板３全体当り８
０〜９５ｗｔ％の範囲内にある時に、基板４の熱伝導性
及び電気抵抗（表面電気抵抗）が極めて良好となる。な
お、フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５の配合比
（フェライト粉体２：補助熱伝導性粉体５）は一般に
２：１〜５０：１、好ましくは２：１〜２０：１であ
る。これは補助熱伝導性粉体５の配合量が前記配合比を
越えて多くなると、基板４全体における電磁波を遮蔽す
る効果が小さくなり、前記配合比を越えて少なくなる
と、フェライト粉体２のみを用いた場合の基板の機械的
強度や基板成形性と殆ど変わらなくなるためである。本
実施形態の熱伝導性基板４の厚みは特に限定されない
が、一般に０．１〜３．０ｍｍである。また、本実施形
態の熱伝導性基板４についても、これに前述の合成樹脂
基板や芯材含有熱硬化性樹脂基板を積層することによっ
て多層構造基板を構成できることは言うまでもない。
助熱伝導性粉体５の粒径は体積平均粒径で一般に０．１
〜１０μｍ、好ましくは０．５〜３μｍである。補助熱
伝導性粉体５の形状は特に限定されないが、成形性、熱
伝導性の点から球状の粉体を用いるのが好ましい。フェ
ライト粉体２及び補助熱伝導性粉体５の合成基体１中へ
の混入量（フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５のト
ータルの配合量）は一般に基板４全体当り７０ｗｔ％以
上にするのが好ましい。これは、前記第１の実施形態の
熱伝導性基板３において好ましいフェライト粉体２の混
入量を基板３全体当り７０ｗｔ％以上にするのと同様の
理由による。また、前記第１の実施形態の熱伝導性基板
３と同様の理由により、フェライト粉体２及び補助熱伝
導性粉体５（Ａｌ2Ｏ3粉体、ＭｇＯ粉体、ＡｌＮ粉体、
ＳｉＣ粉体、ＢｅＯ粉体及びシリカガラス粉体から選ば
れる少なくとも一つの粉体）の合成基体１中への混入量
（配合量）の上限は基板４全体当り９８ｗｔ％以下にす
るのが好ましい。また、本実施形態の熱伝導性基板４に
おいても、フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５の合
成樹脂基体１中への混入量（フェライト粉体２と補助熱
伝導性粉体５のトータルの配合量）が基板３全体当り８
０〜９５ｗｔ％の範囲内にある時に、基板４の熱伝導性
及び電気抵抗（表面電気抵抗）が極めて良好となる。な
お、フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５の配合比
（フェライト粉体２：補助熱伝導性粉体５）は一般に
２：１〜５０：１、好ましくは２：１〜２０：１であ
る。これは補助熱伝導性粉体５の配合量が前記配合比を
越えて多くなると、基板４全体における電磁波を遮蔽す
る効果が小さくなり、前記配合比を越えて少なくなる
と、フェライト粉体２のみを用いた場合の基板の機械的
強度や基板成形性と殆ど変わらなくなるためである。本
実施形態の熱伝導性基板４の厚みは特に限定されない
が、一般に０．１〜３．０ｍｍである。また、本実施形
態の熱伝導性基板４についても、これに前述の合成樹脂
基板や芯材含有熱硬化性樹脂基板を積層することによっ
て多層構造基板を構成できることは言うまでもない。
【００３０】（第３の実施形態）図３（ａ），図３
（ｂ）は本発明の第３の実施形態による熱伝導性基板の
製造工程を示す工程別断面図であり、図において、図１
と同一符号は同一または相当する部分を示している。以
下、この図に基づいて製造工程を説明する。
（ｂ）は本発明の第３の実施形態による熱伝導性基板の
製造工程を示す工程別断面図であり、図において、図１
と同一符号は同一または相当する部分を示している。以
下、この図に基づいて製造工程を説明する。
【００３１】まず、２枚のガラス繊維の布からなる芯材
７を用意し、それぞれに、フェライト粉体２を分散させ
たエポキシ樹脂６を含浸させ、乾燥してプリプレグ８
ａ，８ｂを形成した後、これらプリプレグ８ａ，８ｂを
重ね合わせる。そして、図示しないホットプレス成形機
によりプリプレグ８ａ，８ｂを加熱、加圧（図３
（ａ）：図中の符号５０は加圧力を示している。）して
圧縮するとともにエポキシ樹脂６を硬化させると、合成
樹脂基体１中にフェライト粉体２が混入され、かつ、２
枚のガラス繊維の布からなる芯材７が挿設されてなる熱
伝導性基板８が得られる（図３（ｂ）：プリプレグ８ａ
の裏面側の樹脂層とプリプレグ８ｂの表面側の樹脂層が
圧縮成形により一体化されている。）。前記では、芯材
７にガラス繊維の布を使用しているが、ステンレス繊維
やチタン合金繊維などの金属繊維からなる布、木質繊維
からなる布、またはアラミド繊維などの合成樹脂繊維か
らなる布等を使用することもできる。布の形態は特に限
定されないが、強度の点から不織布であるのが好まし
い。また、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂１を使用し
ているが、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の他の熱
硬化性樹脂を使用することもできる。また、前記第２の
実施形態と同様にフェライト粉体２とともに前記補助熱
伝導性粉体（Ａｌ2Ｏ3粉体、ＭｇＯ粉体、ＡｌＮ粉体、
ＳｉＣ粉体、ＢｅＯ粉体及びシリカガラス粉体から選ば
れる少なくとも一つの粉体）５を用いることもできる。
また、プリプレグ８ａ，８ｂ２枚を重ねて加熱、加圧し
て基板を得たが、１枚のプリプレグを加熱、加圧して基
板にしてもよい。
７を用意し、それぞれに、フェライト粉体２を分散させ
たエポキシ樹脂６を含浸させ、乾燥してプリプレグ８
ａ，８ｂを形成した後、これらプリプレグ８ａ，８ｂを
重ね合わせる。そして、図示しないホットプレス成形機
によりプリプレグ８ａ，８ｂを加熱、加圧（図３
（ａ）：図中の符号５０は加圧力を示している。）して
圧縮するとともにエポキシ樹脂６を硬化させると、合成
樹脂基体１中にフェライト粉体２が混入され、かつ、２
枚のガラス繊維の布からなる芯材７が挿設されてなる熱
伝導性基板８が得られる（図３（ｂ）：プリプレグ８ａ
の裏面側の樹脂層とプリプレグ８ｂの表面側の樹脂層が
圧縮成形により一体化されている。）。前記では、芯材
７にガラス繊維の布を使用しているが、ステンレス繊維
やチタン合金繊維などの金属繊維からなる布、木質繊維
からなる布、またはアラミド繊維などの合成樹脂繊維か
らなる布等を使用することもできる。布の形態は特に限
定されないが、強度の点から不織布であるのが好まし
い。また、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂１を使用し
ているが、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の他の熱
硬化性樹脂を使用することもできる。また、前記第２の
実施形態と同様にフェライト粉体２とともに前記補助熱
伝導性粉体（Ａｌ2Ｏ3粉体、ＭｇＯ粉体、ＡｌＮ粉体、
ＳｉＣ粉体、ＢｅＯ粉体及びシリカガラス粉体から選ば
れる少なくとも一つの粉体）５を用いることもできる。
また、プリプレグ８ａ，８ｂ２枚を重ねて加熱、加圧し
て基板を得たが、１枚のプリプレグを加熱、加圧して基
板にしてもよい。
【００３２】本実施形態の熱伝導性基板８において、フ
ェライト粉体２の基板への混入量（配合量）、または、
フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５のトータルの基
板への混入量（配合量）は、前記第１及び第２の実施形
態の熱伝導性基板３，４と同様に基板全体当り７０ｗｔ
％以上にするのが好ましい。これは、前記第１及び第２
の実施形態の熱伝導性基板３，４における理由と同様の
理由による。また、その上限も前記第１及び第２の実施
形態の熱伝導性基板３，４と同様に基板全体当り９８ｗ
ｔ％以下にするのが好ましい。更に前記第１及び第２の
実施形態の熱伝導性基板３，４と同様に、フェライト粉
体２の基板への混入量（配合量）、または、フェライト
粉体２と補助熱伝導性粉体５のトータルの基板への混入
量（配合量）が、基板全体当り８０〜９５ｗｔ％の範囲
内にある時に、熱伝導性基板８の熱伝導性及び電気抵抗
（表面電気抵抗）が極めて良好になる。
ェライト粉体２の基板への混入量（配合量）、または、
フェライト粉体２と補助熱伝導性粉体５のトータルの基
板への混入量（配合量）は、前記第１及び第２の実施形
態の熱伝導性基板３，４と同様に基板全体当り７０ｗｔ
％以上にするのが好ましい。これは、前記第１及び第２
の実施形態の熱伝導性基板３，４における理由と同様の
理由による。また、その上限も前記第１及び第２の実施
形態の熱伝導性基板３，４と同様に基板全体当り９８ｗ
ｔ％以下にするのが好ましい。更に前記第１及び第２の
実施形態の熱伝導性基板３，４と同様に、フェライト粉
体２の基板への混入量（配合量）、または、フェライト
粉体２と補助熱伝導性粉体５のトータルの基板への混入
量（配合量）が、基板全体当り８０〜９５ｗｔ％の範囲
内にある時に、熱伝導性基板８の熱伝導性及び電気抵抗
（表面電気抵抗）が極めて良好になる。
【００３３】このような本実施形態の熱伝導性基板８
は、合成樹脂基体１が繊維布からなる芯材７を含んでい
るので、機械的強度が極めて向上した基板となる。ま
た、プリプレグ８ａ，８ｂのホットプレス成形工程時に
例えば銅箔のパターンからなる配線パターンをプリプレ
グ８ａ，８ｂの表面に配置することにより熱伝導性配線
基板を製造することができる。また、本実施形態の熱伝
導性基板８についても、これに前述の合成樹脂基板や芯
材含有熱硬化性樹脂基板を積層することによって多層構
造基板を構成できることは言うまでもない。
は、合成樹脂基体１が繊維布からなる芯材７を含んでい
るので、機械的強度が極めて向上した基板となる。ま
た、プリプレグ８ａ，８ｂのホットプレス成形工程時に
例えば銅箔のパターンからなる配線パターンをプリプレ
グ８ａ，８ｂの表面に配置することにより熱伝導性配線
基板を製造することができる。また、本実施形態の熱伝
導性基板８についても、これに前述の合成樹脂基板や芯
材含有熱硬化性樹脂基板を積層することによって多層構
造基板を構成できることは言うまでもない。
【００３４】（第４の実施形態）図４は本発明の第４の
実施形態による熱伝導性配線基板の断面図である。図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、１１は熱伝導性配線基板で、これは第１の実施形態
の熱伝導性基板３の表裏両主面に例えば銅箔等の導電体
からなる配線パターン１０が形成され、この表裏両主面
の配線パターン１０が熱伝導性基板３の所要位置に形成
されたスルーホール９によって接続されて構成されてい
る。なお、図では基板の表裏両主面に配線パターン１０
を形成しているが、基板の一方の主面にのみ配線パター
ン１０を形成した場合は、当然、スルーホール９は不要
になる。また、スルーホール９の形成は配線パターン１
０の形成前でも、配線パターン１０の形成後でもよい。
また、スルーホール９の形成は例えばドリルやレーザー
光照射等によって基板に貫通穴を形成した後、貫通穴の
内壁にメッキ処理によって銅の電極を形成する、また
は、貫通穴に銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペース
トを印刷充填する方法等が用いられる。
実施形態による熱伝導性配線基板の断面図である。図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、１１は熱伝導性配線基板で、これは第１の実施形態
の熱伝導性基板３の表裏両主面に例えば銅箔等の導電体
からなる配線パターン１０が形成され、この表裏両主面
の配線パターン１０が熱伝導性基板３の所要位置に形成
されたスルーホール９によって接続されて構成されてい
る。なお、図では基板の表裏両主面に配線パターン１０
を形成しているが、基板の一方の主面にのみ配線パター
ン１０を形成した場合は、当然、スルーホール９は不要
になる。また、スルーホール９の形成は配線パターン１
０の形成前でも、配線パターン１０の形成後でもよい。
また、スルーホール９の形成は例えばドリルやレーザー
光照射等によって基板に貫通穴を形成した後、貫通穴の
内壁にメッキ処理によって銅の電極を形成する、また
は、貫通穴に銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペース
トを印刷充填する方法等が用いられる。
【００３５】このような本実施形態の熱伝導性配線基板
１１では、パワーＩＣや電源トランス等の発熱性の電子
部品を配線パターン１０上に実装した場合、その熱放散
を効果的に行うことができる。また、配線基板１１の表
裏両面に電子部品を実装した場合に、一方の面に実装さ
れた電子部品から発生する電磁波によって他方の面に実
装された電子部品が悪影響を受けることを防止すること
ができる。
１１では、パワーＩＣや電源トランス等の発熱性の電子
部品を配線パターン１０上に実装した場合、その熱放散
を効果的に行うことができる。また、配線基板１１の表
裏両面に電子部品を実装した場合に、一方の面に実装さ
れた電子部品から発生する電磁波によって他方の面に実
装された電子部品が悪影響を受けることを防止すること
ができる。
【００３６】なお、本実施形態の熱伝導性配線基板１１
では、熱伝導性基板を第１の実施形態の熱伝導性基板３
にしているが、熱伝導性基板を第２の実施形態の熱伝導
性基板４や第３の実施形態の熱伝導性基板８にすること
も可能である。第３の実施形態の熱伝導性基板８にする
場合、熱伝導性配線基板は以下のようにして製造され
る。まず、第３の実施形態で説明したプリプレグを作成
し、このプリプレグにレーザ光を照射して所望の位置に
貫通穴を形成し、銀ペーストまたは銅ペースト等の導電
性ペーストを印刷充填してスルーホールを形成した後、
プリプレグの表裏両主面に銅箔を配置し、加熱加圧によ
ってプリプレグを圧縮硬化させる。次にフォトリソグラ
フ法により銅箔をパターニングして配線パターンを形成
して、熱伝導性配線基板を完成させる。
では、熱伝導性基板を第１の実施形態の熱伝導性基板３
にしているが、熱伝導性基板を第２の実施形態の熱伝導
性基板４や第３の実施形態の熱伝導性基板８にすること
も可能である。第３の実施形態の熱伝導性基板８にする
場合、熱伝導性配線基板は以下のようにして製造され
る。まず、第３の実施形態で説明したプリプレグを作成
し、このプリプレグにレーザ光を照射して所望の位置に
貫通穴を形成し、銀ペーストまたは銅ペースト等の導電
性ペーストを印刷充填してスルーホールを形成した後、
プリプレグの表裏両主面に銅箔を配置し、加熱加圧によ
ってプリプレグを圧縮硬化させる。次にフォトリソグラ
フ法により銅箔をパターニングして配線パターンを形成
して、熱伝導性配線基板を完成させる。
【００３７】（第５の実施形態）図５は本発明の第５の
実施形態による熱伝導性多層配線基板の断面図であり、
図において、図４と同一符号は同一または相当する部分
を示し、１９は熱伝導性多層配線基板で、これは、前記
第４の実施形態の熱伝導性配線基板１１と、フェライト
粉体を含まない両面配線基板１６と、中間接続体１８と
が積層されて構成されている。両面配線基板１６は、ア
ラミド繊維の不織布を芯材として含むエポキシ樹脂基材
１２の表裏両主面に配線パターン１３，１４を形成し、
これら表裏両主面の配線パターン１３，１４をエポキシ
樹脂基材１２の所要位置に形成したスルーホール（ビア
ホール）１５によって接続したものである。中間接続体
１８はアラミド繊維の不織布を芯材として含むエポキシ
樹脂基材の所定位置にスルーホール（ビアホール）１７
を形成したものである。
実施形態による熱伝導性多層配線基板の断面図であり、
図において、図４と同一符号は同一または相当する部分
を示し、１９は熱伝導性多層配線基板で、これは、前記
第４の実施形態の熱伝導性配線基板１１と、フェライト
粉体を含まない両面配線基板１６と、中間接続体１８と
が積層されて構成されている。両面配線基板１６は、ア
ラミド繊維の不織布を芯材として含むエポキシ樹脂基材
１２の表裏両主面に配線パターン１３，１４を形成し、
これら表裏両主面の配線パターン１３，１４をエポキシ
樹脂基材１２の所要位置に形成したスルーホール（ビア
ホール）１５によって接続したものである。中間接続体
１８はアラミド繊維の不織布を芯材として含むエポキシ
樹脂基材の所定位置にスルーホール（ビアホール）１７
を形成したものである。
【００３８】以下、本実施形態の熱伝導性多層配線基板
の製造方法について簡単に説明する。アラミド繊維の不
織布を芯材を用意し、これにエポキシ樹脂を含浸させ乾
燥してプリプレグを得る。次に、このプリプレグの所要
位置にレーザ光照射により貫通孔を形成し、更にこの貫
通孔に銅ペーストや銀ペースト等の導電性ペーストを充
填してスルーホール（ビアホール）１５を形成する。次
に、プリプレグの表裏両主面に銅箔を貼着し、プリプレ
グを加圧、加熱することによってプリプレグを圧縮、硬
化させた後、銅箔をフォトリソグラフ法により所定のパ
ターンにパターニングして配線パターン１３，１４を形
成すると、配線パターン１３と配線パターン１４がスル
ーホール（ビアホール）１５で電気的に接続された両面
配線基板１６が完成する。ここで、スルーホール（ビア
ホール）１５の導電性ペーストはプリプレグの圧縮硬化
時にその導電体（パウダー）の密度が上昇する。
の製造方法について簡単に説明する。アラミド繊維の不
織布を芯材を用意し、これにエポキシ樹脂を含浸させ乾
燥してプリプレグを得る。次に、このプリプレグの所要
位置にレーザ光照射により貫通孔を形成し、更にこの貫
通孔に銅ペーストや銀ペースト等の導電性ペーストを充
填してスルーホール（ビアホール）１５を形成する。次
に、プリプレグの表裏両主面に銅箔を貼着し、プリプレ
グを加圧、加熱することによってプリプレグを圧縮、硬
化させた後、銅箔をフォトリソグラフ法により所定のパ
ターンにパターニングして配線パターン１３，１４を形
成すると、配線パターン１３と配線パターン１４がスル
ーホール（ビアホール）１５で電気的に接続された両面
配線基板１６が完成する。ここで、スルーホール（ビア
ホール）１５の導電性ペーストはプリプレグの圧縮硬化
時にその導電体（パウダー）の密度が上昇する。
【００３９】次に、アラミド繊維の不織布を芯材にエポ
キシ樹脂を含浸させて乾燥させた多孔質プリプレグを用
意し、このプリプレグの所定位置にレーザ光照射により
貫通孔を形成し、更にこの貫通孔に銅ペーストや銀ペー
スト等の導電性ペーストを充填してスルーホール（ビア
ホール）１７を形成して中間接続体１８を作成する。
キシ樹脂を含浸させて乾燥させた多孔質プリプレグを用
意し、このプリプレグの所定位置にレーザ光照射により
貫通孔を形成し、更にこの貫通孔に銅ペーストや銀ペー
スト等の導電性ペーストを充填してスルーホール（ビア
ホール）１７を形成して中間接続体１８を作成する。
【００４０】最後に、前記得られた両面配線基板１６、
第４の実施形態の熱伝導性配線基板１１、及び中間接続
体１８を、両面配線基板１６と第４の実施形態の熱伝導
性配線基板１１の間に中間接続体１８が配置されるよう
に重ね合わせ、これらを上下より加熱加圧して中間接続
体１８を圧縮することにより、中間接続体１８のスルー
ホール（ビアホール）１７の導電ペーストを硬化させ
て、熱伝導性配線基板１１の裏面（下面）の配線パター
ン１０と両面配線基板１６の表面（上面）の配線パター
ン１３を接続させ、最上層（表面層）に熱伝導性配線基
板１１を有する熱伝導性多層配線基板１９が得られる。
第４の実施形態の熱伝導性配線基板１１、及び中間接続
体１８を、両面配線基板１６と第４の実施形態の熱伝導
性配線基板１１の間に中間接続体１８が配置されるよう
に重ね合わせ、これらを上下より加熱加圧して中間接続
体１８を圧縮することにより、中間接続体１８のスルー
ホール（ビアホール）１７の導電ペーストを硬化させ
て、熱伝導性配線基板１１の裏面（下面）の配線パター
ン１０と両面配線基板１６の表面（上面）の配線パター
ン１３を接続させ、最上層（表面層）に熱伝導性配線基
板１１を有する熱伝導性多層配線基板１９が得られる。
【００４１】このような本実施形態の熱伝導性多層配線
基板１９では、パワーＩＣや電源トランス等の発熱性の
電子部品を配線パターン１０上に実装した場合、その熱
放散を効果的に行うことができる。また、多層配線基板
基板１９の裏面の配線パターン１４へ発熱性の電子部品
を実装した場合、この電子部品からの発生熱が多層配線
基板基板１９内の配線パターン１３，１０及びスルーホ
ール（ビアホール）１５，１７を介して最上層（表面
層）の熱伝導性配線基板１１に伝わり、最上層（表面
層）の熱伝導性配線基板１１から放散される。また、多
層配線基板１９の表裏両面に電子部品を実装した場合
に、一方の面に実装された電子部品から発生する電磁波
によって他方の面に実装された電子部品が悪影響を受け
ることを防止することができる。
基板１９では、パワーＩＣや電源トランス等の発熱性の
電子部品を配線パターン１０上に実装した場合、その熱
放散を効果的に行うことができる。また、多層配線基板
基板１９の裏面の配線パターン１４へ発熱性の電子部品
を実装した場合、この電子部品からの発生熱が多層配線
基板基板１９内の配線パターン１３，１０及びスルーホ
ール（ビアホール）１５，１７を介して最上層（表面
層）の熱伝導性配線基板１１に伝わり、最上層（表面
層）の熱伝導性配線基板１１から放散される。また、多
層配線基板１９の表裏両面に電子部品を実装した場合
に、一方の面に実装された電子部品から発生する電磁波
によって他方の面に実装された電子部品が悪影響を受け
ることを防止することができる。
【００４２】なお、前記熱伝導性多層配線基板１９では
最下層（裏面層）に両面配線基板１６を用いたが、最下
層（裏面層）に最上層（表面層）と同様の熱伝導性配線
基板１１を用いることもできる。また、前記熱伝導性多
層配線基板１９は３層構造であるが、両面配線基板１６
及び／または熱伝導性配線基板１１の数を更に増やし
て、これらを中間接続体１８を介して更に積層すること
も可能である。また、両面配線基板１６は、アラミド繊
維の不織布を芯材にエポキシ樹脂を含浸させて乾燥させ
た多孔質プリプレグにレーザ光照射により貫通孔を形成
し、この貫通孔に銅ペーストや銀ペースト等の導電性ペ
ーストを充填してスルーホール（ビアホール）１７を形
成してなる両面配線基板であるが、従来からこの分野で
汎用されているガラス−エポキシ基板の表裏両主面に配
線パターンを形成し、表裏両主面の配線パターンを形成
した両面配線基板を用いることも可能である。
最下層（裏面層）に両面配線基板１６を用いたが、最下
層（裏面層）に最上層（表面層）と同様の熱伝導性配線
基板１１を用いることもできる。また、前記熱伝導性多
層配線基板１９は３層構造であるが、両面配線基板１６
及び／または熱伝導性配線基板１１の数を更に増やし
て、これらを中間接続体１８を介して更に積層すること
も可能である。また、両面配線基板１６は、アラミド繊
維の不織布を芯材にエポキシ樹脂を含浸させて乾燥させ
た多孔質プリプレグにレーザ光照射により貫通孔を形成
し、この貫通孔に銅ペーストや銀ペースト等の導電性ペ
ーストを充填してスルーホール（ビアホール）１７を形
成してなる両面配線基板であるが、従来からこの分野で
汎用されているガラス−エポキシ基板の表裏両主面に配
線パターンを形成し、表裏両主面の配線パターンを形成
した両面配線基板を用いることも可能である。
【００４３】（実施の形態６）図６は本発明の第６の実
施形態による熱伝導性配線基板の断面図であり、図にお
いて、図４と同一符号は同一または相当する部分を示
し、２０は熱伝導性配線基板で、これは第１の実施形態
の熱伝導性基板３の一方の主面（表面）に電気絶縁膜５
１が形成され、この電気絶縁膜５１の表面と熱伝導性基
板３の他方の主面（裏面）に配線パターン１０が形成さ
れ、この表裏両面の配線パターン１０が熱伝導性基板３
及び電気絶縁膜５１の所要の位置に形成されたスルーホ
ール９によって接続されて構成されている。すなわち、
本実施形態の熱伝導性配線基板２０は、熱伝導性基板３
と配線パターン１０の間に電気絶縁膜５１を設けて、基
板の表面抵抗を１×１０13Ω／ｃｍ2 以上（好ましくは
１×１０13〜１×１０18Ω／ｃｍ2 ）に高めたものであ
る。ここでの電気絶縁膜５１は例えば、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂等の材料からなり、塗布やフィルム貼り
付け等の方法で形成する。また、電気絶縁膜５１の厚み
は一般に１０μｍ以下にする。これは、厚みが１０μｍ
より大きくなると基板の熱放散性が低下する傾向を示す
ためである。なお、電気絶縁膜５１の厚みが小さくなり
過ぎると、基板の表面抵抗を充分に高める（１０13／ｃ
ｍ2 以上に高める）ことが困難になるため、０．５μｍ
以上にする必要がある。
施形態による熱伝導性配線基板の断面図であり、図にお
いて、図４と同一符号は同一または相当する部分を示
し、２０は熱伝導性配線基板で、これは第１の実施形態
の熱伝導性基板３の一方の主面（表面）に電気絶縁膜５
１が形成され、この電気絶縁膜５１の表面と熱伝導性基
板３の他方の主面（裏面）に配線パターン１０が形成さ
れ、この表裏両面の配線パターン１０が熱伝導性基板３
及び電気絶縁膜５１の所要の位置に形成されたスルーホ
ール９によって接続されて構成されている。すなわち、
本実施形態の熱伝導性配線基板２０は、熱伝導性基板３
と配線パターン１０の間に電気絶縁膜５１を設けて、基
板の表面抵抗を１×１０13Ω／ｃｍ2 以上（好ましくは
１×１０13〜１×１０18Ω／ｃｍ2 ）に高めたものであ
る。ここでの電気絶縁膜５１は例えば、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂等の材料からなり、塗布やフィルム貼り
付け等の方法で形成する。また、電気絶縁膜５１の厚み
は一般に１０μｍ以下にする。これは、厚みが１０μｍ
より大きくなると基板の熱放散性が低下する傾向を示す
ためである。なお、電気絶縁膜５１の厚みが小さくなり
過ぎると、基板の表面抵抗を充分に高める（１０13／ｃ
ｍ2 以上に高める）ことが困難になるため、０．５μｍ
以上にする必要がある。
【００４４】このような本実施形態の熱伝導性配線基板
２０では、熱伝導性基板３の主面に電気絶縁膜５１を設
けたことにより、基板の熱放散性を阻害することなく、
基板の表面の電気抵抗を高めることができ、実装基板と
しての信頼性を高めることができる。なお、このような
電気絶縁膜５１を前記第５の実施形態の熱伝導性多層配
線基板１９における熱伝導性基板３の主面に形成しても
同様の効果が得られることは言うまでもない。
２０では、熱伝導性基板３の主面に電気絶縁膜５１を設
けたことにより、基板の熱放散性を阻害することなく、
基板の表面の電気抵抗を高めることができ、実装基板と
しての信頼性を高めることができる。なお、このような
電気絶縁膜５１を前記第５の実施形態の熱伝導性多層配
線基板１９における熱伝導性基板３の主面に形成しても
同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００４５】（第７の実施形態）図７（ａ）は本発明の
第７の実施形態による熱伝導性配線基板の平面図、図７
（ｂ）は図７（ａ）に示す熱伝導性配線基板を用いた電
子機器の一具体例の側面図、図７（ｃ）は図７（ａ）に
示す熱伝導性配線基板を用いた電子機器の他の具体例の
側面図である。
第７の実施形態による熱伝導性配線基板の平面図、図７
（ｂ）は図７（ａ）に示す熱伝導性配線基板を用いた電
子機器の一具体例の側面図、図７（ｃ）は図７（ａ）に
示す熱伝導性配線基板を用いた電子機器の他の具体例の
側面図である。
【００４６】図７（ａ）において、４０は熱伝導性配線
基板で、これはポリブタジエンからなる合成樹脂基体中
にフェライト粉体を混入してなる熱伝導性基板２１の主
面に互いに平行に走る複数本の配線パターン２２を形成
し、配線パターン２２の両端に接続パッド２３を形成し
てなるもので、折り曲げ可能なフレキシブル基板になっ
ている。
基板で、これはポリブタジエンからなる合成樹脂基体中
にフェライト粉体を混入してなる熱伝導性基板２１の主
面に互いに平行に走る複数本の配線パターン２２を形成
し、配線パターン２２の両端に接続パッド２３を形成し
てなるもので、折り曲げ可能なフレキシブル基板になっ
ている。
【００４７】図７（ｂ）において、２４は例えば第４の
実施形態の熱伝導性配線基板１１であって、主面にはコ
ンデンサ等の発熱量が小さい電子部品２５が実装され、
主面の端部には接続端子２６が設けられている。２７は
例えば第４の実施形態の熱伝導性配線基板１１であっ
て、主面には電源トランス、パワーＩＣ等の複数の発熱
性の電子部品２８が高密度に実装され、主面の端部には
接続端子２９が設けられている。熱伝導性配線基板２４
と熱伝導性配線基板２７のそれぞれの接続端子２６，２
９には図７（ａ）のフレキブルな熱伝導性配線基板４０
の接続パッド２３がはんだまたは金属バンプを用いて接
続されており、これによって、電気回路的に２枚の配線
基板（熱伝導性配線基板２４、熱伝導性配線基板２７）
が接続されている。このように構成された電子機器で
は、熱伝導性配線基板２７上に電源トランス、パワーＩ
Ｃ等の複数の発熱性の電子部品２８が高密度に実装して
なるモジュールが動作して発熱性の電子部品２８が発熱
すると、この熱は熱伝導性配線基板２７から放散される
だけでなく、フレキシブルな熱伝導性配線基板４０を介
して熱伝導性配線基板２４へ伝導し、フレキシブルな熱
伝導性配線基板４０及び熱伝導性配線基板２４からも放
散されることとなる。この結果、極めて効率よく電子部
品２８からの発生熱が放散され、電子部品２８が安定に
動作する。一方、図７（ｃ）において、図７（ｂ）と同
一符号は同一または相当する部分を示し、３０は例えば
アルミニウム等の熱伝導性に優れた金属から作られたケ
ーシング３０であって、ケーシング３０の内面には例え
ばアルミ、銅等の熱伝導性を有する金属から作られたコ
ネクター３１が取り付けられている。フレキブルな熱伝
導性配線基板４０の一方の端部にある接続パッド２３が
熱伝導性配線基板２７の接続端子２９にはんだまたは金
属バンプを用いて接続され、他方の端部がネジ止め等に
よってコネクター３１に取り付けられている。このよう
に構成された電子機器では、発熱部品２８から発生した
熱は熱伝導性配線基板２７から放散されるとともに、フ
レキシブルな熱伝導性配線基板４０及びコネクター３１
を介してケーシング３０へ伝導してケーシング３０から
も放散されることとなり、その結果、極めて効率よく電
子部品２８からの発生熱を放散でき、電子部品２８が安
定に動作する。なお、ここでは熱伝導性配線基板２７及
び電子部品２８を収容するためのケーシング３０を熱放
散手段として使用しているが、例えばアルミニウム等の
熱伝導性に優れた金属の板に単にコネクター３１を取り
付けたものを熱放散手段として使用することも可能であ
る。
実施形態の熱伝導性配線基板１１であって、主面にはコ
ンデンサ等の発熱量が小さい電子部品２５が実装され、
主面の端部には接続端子２６が設けられている。２７は
例えば第４の実施形態の熱伝導性配線基板１１であっ
て、主面には電源トランス、パワーＩＣ等の複数の発熱
性の電子部品２８が高密度に実装され、主面の端部には
接続端子２９が設けられている。熱伝導性配線基板２４
と熱伝導性配線基板２７のそれぞれの接続端子２６，２
９には図７（ａ）のフレキブルな熱伝導性配線基板４０
の接続パッド２３がはんだまたは金属バンプを用いて接
続されており、これによって、電気回路的に２枚の配線
基板（熱伝導性配線基板２４、熱伝導性配線基板２７）
が接続されている。このように構成された電子機器で
は、熱伝導性配線基板２７上に電源トランス、パワーＩ
Ｃ等の複数の発熱性の電子部品２８が高密度に実装して
なるモジュールが動作して発熱性の電子部品２８が発熱
すると、この熱は熱伝導性配線基板２７から放散される
だけでなく、フレキシブルな熱伝導性配線基板４０を介
して熱伝導性配線基板２４へ伝導し、フレキシブルな熱
伝導性配線基板４０及び熱伝導性配線基板２４からも放
散されることとなる。この結果、極めて効率よく電子部
品２８からの発生熱が放散され、電子部品２８が安定に
動作する。一方、図７（ｃ）において、図７（ｂ）と同
一符号は同一または相当する部分を示し、３０は例えば
アルミニウム等の熱伝導性に優れた金属から作られたケ
ーシング３０であって、ケーシング３０の内面には例え
ばアルミ、銅等の熱伝導性を有する金属から作られたコ
ネクター３１が取り付けられている。フレキブルな熱伝
導性配線基板４０の一方の端部にある接続パッド２３が
熱伝導性配線基板２７の接続端子２９にはんだまたは金
属バンプを用いて接続され、他方の端部がネジ止め等に
よってコネクター３１に取り付けられている。このよう
に構成された電子機器では、発熱部品２８から発生した
熱は熱伝導性配線基板２７から放散されるとともに、フ
レキシブルな熱伝導性配線基板４０及びコネクター３１
を介してケーシング３０へ伝導してケーシング３０から
も放散されることとなり、その結果、極めて効率よく電
子部品２８からの発生熱を放散でき、電子部品２８が安
定に動作する。なお、ここでは熱伝導性配線基板２７及
び電子部品２８を収容するためのケーシング３０を熱放
散手段として使用しているが、例えばアルミニウム等の
熱伝導性に優れた金属の板に単にコネクター３１を取り
付けたものを熱放散手段として使用することも可能であ
る。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱伝導性
基板によれば、合成樹脂基体中にフェライト粉体を混入
してなる基板にしたので、実装基板として必要な電気絶
縁性を確保でき、しかも、優れた熱伝導効率と電磁波の
遮蔽効果が得られる。従って、この熱伝導性基板を実装
基板にして電子機器を構成した場合、電子部品が発熱し
ても、熱が基板を介して外部に効率よく放散され、発熱
した電子部品それ自身及び他の電子部品が安定に動作
し、また、基板の一方の主面に実装された電子部品から
発生した電磁波が他方の主面に実装された電子部品に到
達せず、電子部品が妨害ノイズから保護されることとな
り、信頼性の高い電子機器を得ることができる。また、
熱伝導性材料としてのフェライト粉体の使用量が従来の
この種の基板における熱伝導性材料の使用量に比べて少
なくて済むので、従来のこの種の基板に比して製品コス
トを低減することができる。
基板によれば、合成樹脂基体中にフェライト粉体を混入
してなる基板にしたので、実装基板として必要な電気絶
縁性を確保でき、しかも、優れた熱伝導効率と電磁波の
遮蔽効果が得られる。従って、この熱伝導性基板を実装
基板にして電子機器を構成した場合、電子部品が発熱し
ても、熱が基板を介して外部に効率よく放散され、発熱
した電子部品それ自身及び他の電子部品が安定に動作
し、また、基板の一方の主面に実装された電子部品から
発生した電磁波が他方の主面に実装された電子部品に到
達せず、電子部品が妨害ノイズから保護されることとな
り、信頼性の高い電子機器を得ることができる。また、
熱伝導性材料としてのフェライト粉体の使用量が従来の
この種の基板における熱伝導性材料の使用量に比べて少
なくて済むので、従来のこの種の基板に比して製品コス
トを低減することができる。
【００４９】また、本発明の熱伝導性配線基板によれ
ば、前記本発明の合成樹脂基体中にフェライト粉体を混
入してなる熱伝導性基板の少なくとも一方の主面に配線
パターンを形成したものとしたので、例えばパワーＩＣ
や電源トランス等の発熱性の電子部品を配線パターン上
に高密度に実装しても、極めて効率よく熱放散を行うこ
とができ、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
ば、前記本発明の合成樹脂基体中にフェライト粉体を混
入してなる熱伝導性基板の少なくとも一方の主面に配線
パターンを形成したものとしたので、例えばパワーＩＣ
や電源トランス等の発熱性の電子部品を配線パターン上
に高密度に実装しても、極めて効率よく熱放散を行うこ
とができ、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態による熱伝導性基板
の断面図である。
の断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態による熱伝導性基板
の断面図である。
の断面図である。
【図３】 本発明の第３の実施形態による熱伝導性基板
の製造工程を示す工程別断面図である。
の製造工程を示す工程別断面図である。
【図４】 本発明の第４の実施形態による熱伝導性配線
基板の断面図である。
基板の断面図である。
【図５】 本発明の第５の実施形態による熱伝導性配線
基板の断面図である。
基板の断面図である。
【図６】 本発明の第６の実施形態による熱伝導性配線
基板の断面図である。
基板の断面図である。
【図７】 図７（ａ）は本発明の第７の実施形態による
熱伝導性配線基板の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に
示す熱伝導性配線基板を用いた電子機器の一具体例の側
面図、図７（ｃ）は図７（ａ）に示す熱伝導性配線基板
を用いた電子機器の他の具体例の側面図である。
熱伝導性配線基板の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に
示す熱伝導性配線基板を用いた電子機器の一具体例の側
面図、図７（ｃ）は図７（ａ）に示す熱伝導性配線基板
を用いた電子機器の他の具体例の側面図である。
１ 合成樹脂基体 ２ フェライト粉体 ３ 熱伝導性基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｋ 3/36 Ｃ０８Ｋ 3/36 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ａ 3/46 3/46 Ｕ Ｔ 7/20 7/20 Ｃ
Claims (14)
- 【請求項１】 合成樹脂基体中にフェライト粉体を混入
してなる熱伝導性基板。 - 【請求項２】 基板全体当りのフェライト粉体の含有量
が７０〜９８ｗｔ％である請求項１に記載の熱伝導性基
板。 - 【請求項３】 フェライト粉体とともに、アルミナ粉
体、マグネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ
素粉体、酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス粉体から
選ばれる少なくとも一つの粉体が混入されている請求項
１に記載の熱伝導性基板。 - 【請求項４】 基板全体当りの、フェライト粉体と、ア
ルミナ粉体、マグネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、
炭化ケイ素粉体、酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス
粉体から選ばれる少なくとも一つの粉体とのトータルの
含有量が７０〜９８ｗｔ％である請求項３に記載の熱伝
導性基板。 - 【請求項５】 フェライト粉体と、アルミナ粉体、マグ
ネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、炭化ケイ素粉体、
酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス粉体から選ばれる
少なくとも一つの粉体との配合比（フェライト粉体：ア
ルミナ粉体、マグネシア粉体、窒化アルミニウム粉体、
炭化ケイ素粉体、酸化ベリリウム粉体及びシリカガラス
粉体から選ばれる少なくとも一つの粉体）が重量比で
２：１〜２０：１である請求項４に記載の熱伝導性基
板。 - 【請求項６】 合成樹脂が熱可塑性樹脂である請求項１
〜５のいずれかに記載の熱伝導性基板。 - 【請求項７】 合成樹脂が弾性体樹脂である請求項１〜
５のいずれかに記載の熱伝導性基板。 - 【請求項８】 合成樹脂が熱硬化性樹脂である請求項１
〜５のいずれかに記載の熱伝導性基板。 - 【請求項９】 合成樹脂基体が、無機質繊維もしくは有
機質繊維の布からなる芯材に熱硬化性樹脂を含浸して硬
化せしめてなる基板である請求項１〜５のいずれかに記
載の熱伝導性基板。 - 【請求項１０】 多層構造の熱伝導性基板であって、少
なくともその一層が請求項１〜９のいずれかに記載の熱
伝導性基板からなることを特徴とする熱伝導性基板。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の熱
伝導性基板の少なくとも一方の主面に配線パターンを形
成してなる熱伝導性配線基板。 - 【請求項１２】 熱伝導性基板の表裏両主面に配線パタ
ーンが形成され、前記表裏両主面の配線パターンがスル
ーホールを介して接続されている請求項１１に記載の熱
伝導性配線基板。 - 【請求項１３】 多層構造の熱伝導性配線基板であっ
て、少なくとも、請求項１〜１０のいずれかに記載の熱
伝導性基板の表裏両主面に配線パターンを形成し、前記
表裏両主面の配線パターンをスルーホールを介して接続
してなる熱伝導性配線基板と、その表裏両主面に形成さ
れた配線パターンをスルーホールを介して接続してなる
配線基板とを含むことを特徴とする熱伝導性配線基板。 - 【請求項１４】 最外層に設けられた熱伝導性配線基板
の熱伝導性基板と配線パターンとの間に電気絶縁膜が形
成されている請求項１１〜１３のいずれかに記載の熱伝
導性配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287113A JPH10135591A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287113A JPH10135591A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135591A true JPH10135591A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17713238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8287113A Pending JPH10135591A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 熱伝導性基板および熱伝導性配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135591A (ja) |
Cited By (6)
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| US7155820B2 (en) | 2000-06-14 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing printed circuit board |
| JP2009224720A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Tdk Corp | 電子モジュールおよび電子装置 |
| JP2012234858A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Denso Corp | 多層基板 |
| WO2016199638A1 (ja) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | 日東電工株式会社 | コイルモジュールおよびその製造方法 |
Citations (12)
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-
1996
- 1996-10-29 JP JP8287113A patent/JPH10135591A/ja active Pending
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