JPH0765624A - プロトン伝導性薄膜電解質 - Google Patents
プロトン伝導性薄膜電解質Info
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- JPH0765624A JPH0765624A JP5214472A JP21447293A JPH0765624A JP H0765624 A JPH0765624 A JP H0765624A JP 5214472 A JP5214472 A JP 5214472A JP 21447293 A JP21447293 A JP 21447293A JP H0765624 A JPH0765624 A JP H0765624A
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- JP
- Japan
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- electrolyte
- thin film
- proton
- proton conductive
- conducting
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜電解質のイオン伝導率を向上させる。
【構成】 高分子微多孔膜にプロトン伝導性固体電解質
〔Ｈ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ） 12・２９Ｈ2 Ｏ，ＺｒＯ（Ｈ2
ＳＯ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏ，Ｈ3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・３Ｈ2 Ｏ
など〕を含有又は保持させ（通常、アルミナ等の担体を
用いる）、空孔中にプロトン伝導性電解質溶液を充填、
固定する。１０-3Ｓ／cm以上のイオン伝導率が可能であ
る。
〔Ｈ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ） 12・２９Ｈ2 Ｏ，ＺｒＯ（Ｈ2
ＳＯ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏ，Ｈ3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・３Ｈ2 Ｏ
など〕を含有又は保持させ（通常、アルミナ等の担体を
用いる）、空孔中にプロトン伝導性電解質溶液を充填、
固定する。１０-3Ｓ／cm以上のイオン伝導率が可能であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプロトン伝導性薄膜電解
質に係る。より詳しく述べると、高分子微多孔膜にプロ
トン導伝性固体電解質を担持し、さらにその空孔中に電
解質溶液を含浸してなる薄膜電解質に関し、常温型燃料
電池、水電解等の電解質への応用が期待される。
質に係る。より詳しく述べると、高分子微多孔膜にプロ
トン導伝性固体電解質を担持し、さらにその空孔中に電
解質溶液を含浸してなる薄膜電解質に関し、常温型燃料
電池、水電解等の電解質への応用が期待される。
【０００２】
【従来の技術】固体高分子電解質膜としてはスルホン酸
基をもつパーフルオロカーボン系の膜（商品名Ｎａｆｉ
ｏｎR ）に代表されるイオン交換膜やポリエチレンオキ
サイド（以下ＰＥＯと称する）とアルカリ金属塩との複
合体に代表されるイオン導電性材料などがあり、広く研
究され、一部実用化されている。これらの膜は固体であ
るために液洩れがなく、加工し易く、コンパクトである
という利点をもっている。パーフルオロスルフォン酸や
パーフルオロカルボン酸などのイオン交換膜は化学的、
熱的性質にすぐれ、正極や負極と一体化したコンパクト
なセルを構成できるので食塩電解に利用され、さらに燃
料電池や水電解等への応用も検討されている。ＰＥＯと
アルカリ金属塩（ＬｉＣＦ3 ＳＯ3 ，ＬｉＣｌＯ4 ，Ｌ
ｉＡS Ｆ6など）との複合体は出力密度やエネルギー密
度の大きな二次電池や一次電池、エレクトロクロミック
素子やセンサーへの応用が期待されている。
基をもつパーフルオロカーボン系の膜（商品名Ｎａｆｉ
ｏｎR ）に代表されるイオン交換膜やポリエチレンオキ
サイド（以下ＰＥＯと称する）とアルカリ金属塩との複
合体に代表されるイオン導電性材料などがあり、広く研
究され、一部実用化されている。これらの膜は固体であ
るために液洩れがなく、加工し易く、コンパクトである
という利点をもっている。パーフルオロスルフォン酸や
パーフルオロカルボン酸などのイオン交換膜は化学的、
熱的性質にすぐれ、正極や負極と一体化したコンパクト
なセルを構成できるので食塩電解に利用され、さらに燃
料電池や水電解等への応用も検討されている。ＰＥＯと
アルカリ金属塩（ＬｉＣＦ3 ＳＯ3 ，ＬｉＣｌＯ4 ，Ｌ
ｉＡS Ｆ6など）との複合体は出力密度やエネルギー密
度の大きな二次電池や一次電池、エレクトロクロミック
素子やセンサーへの応用が期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】固体高分子電解質膜を
用いる系では電気エネルギー効率が膜の電気抵抗による
オーム損のために低下するという問題がある。ＰＥＯと
アルカリ金属塩との複合体のようなイオン伝導体を用い
た固体高分子電解質膜は固体であるという利点がある
が、拡散、アルカリ、塩などの水溶液系に比して常温で
は比伝導率が２〜３桁低く、膜のオーム損の制約から用
途が限定される。例えば、５０μｍの膜厚で常温におけ
る比伝導率が１０-6Ｓ・cm-1であるような電解質膜の実
効抵抗は５０００ohmcm -1となる。電気抵抗を下げるた
めには薄膜化が一つの解決策であるが、主として力学的
強度の制約から限界がある。
用いる系では電気エネルギー効率が膜の電気抵抗による
オーム損のために低下するという問題がある。ＰＥＯと
アルカリ金属塩との複合体のようなイオン伝導体を用い
た固体高分子電解質膜は固体であるという利点がある
が、拡散、アルカリ、塩などの水溶液系に比して常温で
は比伝導率が２〜３桁低く、膜のオーム損の制約から用
途が限定される。例えば、５０μｍの膜厚で常温におけ
る比伝導率が１０-6Ｓ・cm-1であるような電解質膜の実
効抵抗は５０００ohmcm -1となる。電気抵抗を下げるた
めには薄膜化が一つの解決策であるが、主として力学的
強度の制約から限界がある。
【０００４】このような事情に鑑みて、本発明者らは、
固体高分子多孔質薄膜の孔中に電解質溶液を充填し固定
化して電解質薄膜を構成することによって上記問題点を
解決することを検討し、成功をおさめているが、電解質
薄膜の実用化、応用の拡大を図るためにはイオン導電率
をより高めることが望まれる。（特開平１−１５８０５
１号、特開平２−２９１６０７号公報参照）
固体高分子多孔質薄膜の孔中に電解質溶液を充填し固定
化して電解質薄膜を構成することによって上記問題点を
解決することを検討し、成功をおさめているが、電解質
薄膜の実用化、応用の拡大を図るためにはイオン導電率
をより高めることが望まれる。（特開平１−１５８０５
１号、特開平２−２９１６０７号公報参照）
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、高分子微多孔膜の空孔中にプロトン伝導
性の電解質溶液を充填、固定化した実質的に固体の薄膜
電解質であり、かつ高分子微多孔膜にプロトン伝導性の
固体電解質を含有又は保持させたことを特徴とするプロ
トン伝導性薄膜電解質を提供する。
成するために、高分子微多孔膜の空孔中にプロトン伝導
性の電解質溶液を充填、固定化した実質的に固体の薄膜
電解質であり、かつ高分子微多孔膜にプロトン伝導性の
固体電解質を含有又は保持させたことを特徴とするプロ
トン伝導性薄膜電解質を提供する。
【０００６】前記の如く、本出願人が先に開示している
電解質薄膜は実質的に固体として取扱うことができるに
もかかわらず、電解質溶液を利用するので高いイオン伝
導率が得られるが、それでも１０-3Ｓ／cm程度が限度で
ある。一方、プロトン系イオン伝導性電解質としてＨ3
ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ 2 Ｏ，ＺｒＯ（Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏ，Ｈ3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・３Ｈ2 Ｏな
どが知られており、これらでは１０-3Ｓ／cmを越えるイ
オン導電性も報告されている。しかしながら、これらは
そのままで電解質として燃料電池などとして使用できる
わけではない。
電解質薄膜は実質的に固体として取扱うことができるに
もかかわらず、電解質溶液を利用するので高いイオン伝
導率が得られるが、それでも１０-3Ｓ／cm程度が限度で
ある。一方、プロトン系イオン伝導性電解質としてＨ3
ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ 2 Ｏ，ＺｒＯ（Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏ，Ｈ3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・３Ｈ2 Ｏな
どが知られており、これらでは１０-3Ｓ／cmを越えるイ
オン導電性も報告されている。しかしながら、これらは
そのままで電解質として燃料電池などとして使用できる
わけではない。
【０００７】しかし、本発明により、上記の如き高いイ
オン伝導性を有するプロトン系イオン導伝性電解質を、
高分子微多孔膜に保持し、かつ空孔中にプロトン導電性
の電解質を充填、固定化することにより、燃料電池など
に使用可能な高イオン伝導率の電解質薄膜を得ることが
できた。これにより、実質的に固体として取り扱うこと
ができる薄膜電解質において、１０-3Ｓ／cm-1を越える
高いイオン伝導率を得ることも可能になった。
オン伝導性を有するプロトン系イオン導伝性電解質を、
高分子微多孔膜に保持し、かつ空孔中にプロトン導電性
の電解質を充填、固定化することにより、燃料電池など
に使用可能な高イオン伝導率の電解質薄膜を得ることが
できた。これにより、実質的に固体として取り扱うこと
ができる薄膜電解質において、１０-3Ｓ／cm-1を越える
高いイオン伝導率を得ることも可能になった。
【０００８】高分子微多孔膜としては、膜厚が０．１ミ
クロン〜５０ミクロン、空孔率が４０〜９０％、破断強
度が２００kg／cm2 以上、平均貫通孔径が０．００１ミ
クロン〜０．７ミクロンのものが好ましく使用される。
好適な膜厚は０．１〜５０μｍである。膜材料や製造方
法によっても左右されるが、一般に０．１μｍ未満では
実用強度や取扱い、作業性の面で不利となり、５０μｍ
を越えると実効抵抗が大きくなる。
クロン〜５０ミクロン、空孔率が４０〜９０％、破断強
度が２００kg／cm2 以上、平均貫通孔径が０．００１ミ
クロン〜０．７ミクロンのものが好ましく使用される。
好適な膜厚は０．１〜５０μｍである。膜材料や製造方
法によっても左右されるが、一般に０．１μｍ未満では
実用強度や取扱い、作業性の面で不利となり、５０μｍ
を越えると実効抵抗が大きくなる。
【０００９】好適な空孔率は４０〜９０％である。４０
％以下ではプロトン導電性電解質溶液の量が少なすぎ
て、充分なイオン導電率が得られにくい。一方、９０％
を越えると実用的な薄膜強度を得ることが困難となる。
破断強度は２００kg／cm2 以上が好適である。破断強度
がこれより小さいと、製膜、電解液の含浸、あるいは製
品組立工程における加工処理を難しくする。
％以下ではプロトン導電性電解質溶液の量が少なすぎ
て、充分なイオン導電率が得られにくい。一方、９０％
を越えると実用的な薄膜強度を得ることが困難となる。
破断強度は２００kg／cm2 以上が好適である。破断強度
がこれより小さいと、製膜、電解液の含浸、あるいは製
品組立工程における加工処理を難しくする。
【００１０】平均貫通孔径は０．００１μｍ〜０．７μ
ｍが好適である。平均貫通孔径が小さいとイオン伝導性
が小さくなり、一方、大きすぎると電解質溶液を固定化
し、漏出防止することが困難になる。高分子微多孔膜の
材料として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステル、テトラ
フルオロポリエチレン等を用いることができる。薄膜の
材料としては、化学的、電気化学的安定性の面から例え
ばポリオレフィン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
フッ化ビニリデンを用いることができるがこれらに限定
されない。ポリオレフィンを用いるに際しては、特に重
量平均分子量が５×１０5 以上のポリオレフィンが好適
である。
ｍが好適である。平均貫通孔径が小さいとイオン伝導性
が小さくなり、一方、大きすぎると電解質溶液を固定化
し、漏出防止することが困難になる。高分子微多孔膜の
材料として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステル、テトラ
フルオロポリエチレン等を用いることができる。薄膜の
材料としては、化学的、電気化学的安定性の面から例え
ばポリオレフィン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
フッ化ビニリデンを用いることができるがこれらに限定
されない。ポリオレフィンを用いるに際しては、特に重
量平均分子量が５×１０5 以上のポリオレフィンが好適
である。
【００１１】薄膜に担持するプロトン伝導性固体電解質
としては、Ｈ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ2 Ｏ，Ｚｒ
Ｏ（Ｈ2 ＳＯ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏ，Ｈ3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・
３Ｈ 2 Ｏ等が使用できる。またこれらに限定されない。
例えばＨ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ） 12・２９Ｈ2 Ｏ及びＺｒＯ
（Ｈ2 ＳＯ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏについては、S.K.Mohapatr
a, G.D.Boyd, F.G.Storz, S.Wagner and F.Wudl, J.Ele
ctrochem.Soc.126 (1979) 805等の報告があり、室温で
０．１〔Ｓ／cm〕のイオン導伝率が報告されている。Ｈ
3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・３Ｈ2 Ｏについては、A.T.Howe, S.
M.Sheffield, P.E.Childs and M.G.Shilton, Thin Soli
d Films 67(1980) 365 の研究例があり、室温で５Ｘ１
０-3〔Ｓ／cm〕のイオン伝導率との報告がある。
としては、Ｈ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ2 Ｏ，Ｚｒ
Ｏ（Ｈ2 ＳＯ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏ，Ｈ3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・
３Ｈ 2 Ｏ等が使用できる。またこれらに限定されない。
例えばＨ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ） 12・２９Ｈ2 Ｏ及びＺｒＯ
（Ｈ2 ＳＯ4 ）2 ・７Ｈ2 Ｏについては、S.K.Mohapatr
a, G.D.Boyd, F.G.Storz, S.Wagner and F.Wudl, J.Ele
ctrochem.Soc.126 (1979) 805等の報告があり、室温で
０．１〔Ｓ／cm〕のイオン導伝率が報告されている。Ｈ
3 ＯＵＯ2 ＰＯ4 ・３Ｈ2 Ｏについては、A.T.Howe, S.
M.Sheffield, P.E.Childs and M.G.Shilton, Thin Soli
d Films 67(1980) 365 の研究例があり、室温で５Ｘ１
０-3〔Ｓ／cm〕のイオン伝導率との報告がある。
【００１２】プロトン伝導性固体電解質は直接に薄膜に
担持させることも考えられるが、一般的には、無機質担
体に担持させ、これを薄膜に保持する。担体としてはア
ルミナ、シリカ等の触媒担体として知られているものを
用いることができる。担体の粒径としては一般に１００
〜８００nm程度の超微粒子がよい。具体的には、超微粒
子（粒径：１０〜８０nm）のアルミナまたはシリカの担
体をまず上記薄膜に固定化させる。固定化方法として
は、 薄膜に超微粒子を均一に散布したのち、ブロワー等
で余分な粒子を除去した後、温度を上げてプレスする。
温度は薄膜の材質や厚みで異なるが、一般にガラス転移
温度付近±１５℃程度が好ましい。
担持させることも考えられるが、一般的には、無機質担
体に担持させ、これを薄膜に保持する。担体としてはア
ルミナ、シリカ等の触媒担体として知られているものを
用いることができる。担体の粒径としては一般に１００
〜８００nm程度の超微粒子がよい。具体的には、超微粒
子（粒径：１０〜８０nm）のアルミナまたはシリカの担
体をまず上記薄膜に固定化させる。固定化方法として
は、 薄膜に超微粒子を均一に散布したのち、ブロワー等
で余分な粒子を除去した後、温度を上げてプレスする。
温度は薄膜の材質や厚みで異なるが、一般にガラス転移
温度付近±１５℃程度が好ましい。
【００１３】 薄膜にシリカ、アルミナ等超微粒子担
体の前駆体を含浸させ、反応によりシリカ、アルミナ等
を形成する。などが実施可能であるが、要は、薄膜に保
持され、かつ空孔中で電解質溶液と接触できるように露
出していればよい。プロトン伝導性固体電解質の量はで
きるだけ多くすることが好ましい。プロトン伝導性電解
質がイオン伝導率の主な担い手であり、その量を多くす
ることでイオン伝導率を上げるためである。
体の前駆体を含浸させ、反応によりシリカ、アルミナ等
を形成する。などが実施可能であるが、要は、薄膜に保
持され、かつ空孔中で電解質溶液と接触できるように露
出していればよい。プロトン伝導性固体電解質の量はで
きるだけ多くすることが好ましい。プロトン伝導性電解
質がイオン伝導率の主な担い手であり、その量を多くす
ることでイオン伝導率を上げるためである。
【００１４】薄膜の空孔に充填し、固定化する電解質溶
液としては、本出願人が既に開示している前記先願に開
示のものその他を広く使用できるが、例えば、ベンゾニ
トリル、ベンジルシアナイド、１−フェニル−１−シク
ロプロパンカルボニトリル、ＤＬ−２フェニルブチロニ
トリル、４−フェニルブチロニトリル、２，２−ジフェ
ニルプロピオニトリル、ポリエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ポリプロピレングリコールジメチルエーテ
ルの少なくとも１種と過塩素酸リチウム、過塩素酸ナト
リウムなどのアルカリ金属塩及びこれにプロトン供与体
を加えてなる電解質の溶液が使用可能であるがこれに限
定されない。
液としては、本出願人が既に開示している前記先願に開
示のものその他を広く使用できるが、例えば、ベンゾニ
トリル、ベンジルシアナイド、１−フェニル−１−シク
ロプロパンカルボニトリル、ＤＬ−２フェニルブチロニ
トリル、４−フェニルブチロニトリル、２，２−ジフェ
ニルプロピオニトリル、ポリエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ポリプロピレングリコールジメチルエーテ
ルの少なくとも１種と過塩素酸リチウム、過塩素酸ナト
リウムなどのアルカリ金属塩及びこれにプロトン供与体
を加えてなる電解質の溶液が使用可能であるがこれに限
定されない。
【００１５】電解質溶液は、それ自体プロトン伝導性で
あるが、高プロトン伝導性固体電解質を保持する薄膜の
空孔中にあって、高プロトン伝導性固体電解質間の界面
インピーダンスを下げる効果と、ガスシール性を付与す
る作用を有する。図１に、本発明の薄膜電解質の内部組
織を模式的に示す。微多孔性薄膜の高分子網状組織１の
間に担体微粒子２が充填され保持され、この担体微粒子
２の表面にプロトン伝導性固体電解質が担持されてい
る。そして、空孔中の残る間隙をプロトン伝導性の電解
質溶液３が充満し、プロトン伝導性固体電解質の界面に
介在している。
あるが、高プロトン伝導性固体電解質を保持する薄膜の
空孔中にあって、高プロトン伝導性固体電解質間の界面
インピーダンスを下げる効果と、ガスシール性を付与す
る作用を有する。図１に、本発明の薄膜電解質の内部組
織を模式的に示す。微多孔性薄膜の高分子網状組織１の
間に担体微粒子２が充填され保持され、この担体微粒子
２の表面にプロトン伝導性固体電解質が担持されてい
る。そして、空孔中の残る間隙をプロトン伝導性の電解
質溶液３が充満し、プロトン伝導性固体電解質の界面に
介在している。
【００１６】
実施例１ 二軸延伸して得た２５ミクロン厚ポリエチレン微多孔膜
（空孔率４１％、平均貫通孔径０．２５μｍ、破断強度
２５０kg／cm2 ）に平均粒径５００nmのアルミナ超微粒
子を散布した後、１２０℃で６０分ホットプレスで加圧
した。其の後、５％−Ｈ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ
2 Ｏの水溶液を含浸させてから１００℃で乾燥させた。
（空孔率４１％、平均貫通孔径０．２５μｍ、破断強度
２５０kg／cm2 ）に平均粒径５００nmのアルミナ超微粒
子を散布した後、１２０℃で６０分ホットプレスで加圧
した。其の後、５％−Ｈ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ
2 Ｏの水溶液を含浸させてから１００℃で乾燥させた。
【００１７】得られた担持薄膜に電解質溶液として、２
−フェニルブチロニトリルに８５％燐酸水溶液とポリエ
チレングリコールジメチルエーテルを１：８：１で混合
した溶液を含浸した。其の結果、イオン伝導率が３×１
０-3Ｓ／cmで１０-3Ｓ／cmを越えた薄膜担持電解質が得
られた（膜厚４５μｍ）。
−フェニルブチロニトリルに８５％燐酸水溶液とポリエ
チレングリコールジメチルエーテルを１：８：１で混合
した溶液を含浸した。其の結果、イオン伝導率が３×１
０-3Ｓ／cmで１０-3Ｓ／cmを越えた薄膜担持電解質が得
られた（膜厚４５μｍ）。
【００１８】上記と同様にして、但し、アルミナ超微粒
子及びＨ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ2 Ｏの含浸なし
で作製した薄膜電解質では、イオン伝導率が４．５×１
０-4Ｓ／cmであった。
子及びＨ3 ＰＯ4 （ＷＯ3 ）12・２９Ｈ2 Ｏの含浸なし
で作製した薄膜電解質では、イオン伝導率が４．５×１
０-4Ｓ／cmであった。
【００１９】実施例２ 実施例１と同様にして、ポリエチレン微多孔膜にシリカ
微粒子（５．５μｍ径）を散布、加圧後、モリブドリン
酸Ｈ3 〔ＰＭｏ12Ｏ40〕・ｎＨ2 Ｏが４０wt％、リン酸
が５０％、プロピレンカーボネートが１０wt％からなる
溶液を含浸させて電解質薄膜を作製した。
微粒子（５．５μｍ径）を散布、加圧後、モリブドリン
酸Ｈ3 〔ＰＭｏ12Ｏ40〕・ｎＨ2 Ｏが４０wt％、リン酸
が５０％、プロピレンカーボネートが１０wt％からなる
溶液を含浸させて電解質薄膜を作製した。
【００２０】この電解質薄膜のイオン伝導率は１．０１
×１０-3Ｓ／cmであった。比較のため、上記と同様で、
シリカ微粒子及びモリブドリン酸を含浸しない薄膜電解
質を作製したところ、イオン伝導率は２．４７×１０-4
Ｓ／cmであった。
×１０-3Ｓ／cmであった。比較のため、上記と同様で、
シリカ微粒子及びモリブドリン酸を含浸しない薄膜電解
質を作製したところ、イオン伝導率は２．４７×１０-4
Ｓ／cmであった。
【００２１】
【発明の効果】本発明のプロトン導伝性薄膜電解質は空
孔中に電解質溶液を固定化した実質的に固体の薄膜電解
質においてイオン伝導率を向上することができる。
孔中に電解質溶液を固定化した実質的に固体の薄膜電解
質においてイオン伝導率を向上することができる。
【図１】薄膜電解質内部の模式図である。
１…高分子 ２…担体 ３…電解質溶液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大戸 奈津子 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡１丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内 (72)発明者 櫻田 智 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡１丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 高分子微多孔膜の空孔中にプロトン伝導
性の電解質溶液を充填、固定化した実質的に固体の薄膜
電解質であり、かつ高分子微多孔膜にプロトン伝導性の
固体電解質を保持させたことを特徴とするプロトン伝導
性薄膜電解質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5214472A JPH0765624A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | プロトン伝導性薄膜電解質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5214472A JPH0765624A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | プロトン伝導性薄膜電解質 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765624A true JPH0765624A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16656296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5214472A Pending JPH0765624A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | プロトン伝導性薄膜電解質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765624A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716511A (en) * | 1996-08-07 | 1998-02-10 | Kemet Electronics Corporation | Anodizing electrolyte and its use |
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