JPH0758189A - 改質装置 - Google Patents
改質装置Info
- Publication number
- JPH0758189A JPH0758189A JP20614493A JP20614493A JPH0758189A JP H0758189 A JPH0758189 A JP H0758189A JP 20614493 A JP20614493 A JP 20614493A JP 20614493 A JP20614493 A JP 20614493A JP H0758189 A JPH0758189 A JP H0758189A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- plates
- ultraviolet rays
- plate
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置等の改質装置におけるごみの付着低
減。 【構成】被処理物を処理室内でその周辺を保持する。 【効果】処理性能を大幅に犠牲にすること無くごみの付
着量を１／１０００程度に低減出来る。
減。 【構成】被処理物を処理室内でその周辺を保持する。 【効果】処理性能を大幅に犠牲にすること無くごみの付
着量を１／１０００程度に低減出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置，液晶ディ
スプレー，光学装置，磁気ディスク等の製造装置に関す
る。
スプレー，光学装置，磁気ディスク等の製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等において集積密度が高くな
っている現在及び将来の課題に、製造工程中での被処理
物へのごみの付着がその製造歩留まり、装置の信頼性に
大きく影響することから製造装置におけるごみの付着量
低減に対する要望が厳しいものになっている。例えば、
従来比較的問題にしなかった被処理物裏面に対してもご
みの数は１cm2当たり０.１ケ程度が要求されている。
っている現在及び将来の課題に、製造工程中での被処理
物へのごみの付着がその製造歩留まり、装置の信頼性に
大きく影響することから製造装置におけるごみの付着量
低減に対する要望が厳しいものになっている。例えば、
従来比較的問題にしなかった被処理物裏面に対してもご
みの数は１cm2当たり０.１ケ程度が要求されている。
【０００３】しかし、特に枚葉式で被処理物を加熱しな
がら改質処理する装置は従来では、日立評論Ｖｏｌ．７
１，Ｎo.５ ページ４３の図７に示されているように、
加熱効果を早くするために、加熱ヒータを内蔵した被処
理物搭載台に真空吸着によって密着させ熱伝導を利用す
る方法をとっていた。このため、被処理物と搭載台との
摩擦力によって発生したごみが被処理物の裏面に付着し
０.３μｍ 以上のごみが１cm2 当たり１００ケ程度付着
していた。
がら改質処理する装置は従来では、日立評論Ｖｏｌ．７
１，Ｎo.５ ページ４３の図７に示されているように、
加熱効果を早くするために、加熱ヒータを内蔵した被処
理物搭載台に真空吸着によって密着させ熱伝導を利用す
る方法をとっていた。このため、被処理物と搭載台との
摩擦力によって発生したごみが被処理物の裏面に付着し
０.３μｍ 以上のごみが１cm2 当たり１００ケ程度付着
していた。
【０００４】付着するごみの数を減らすには被処理物を
装置に接触させないことが理想であるが、被処理物を加
熱しながら処理することに対しては現実的ではない。
装置に接触させないことが理想であるが、被処理物を加
熱しながら処理することに対しては現実的ではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は解決し
ようとする直接の課題は被処理物へのごみの付着を低減
することにあり、同時に発生する新たな課題である温度
上昇の早い被処理物の加熱方法を提供することである。
ようとする直接の課題は被処理物へのごみの付着を低減
することにあり、同時に発生する新たな課題である温度
上昇の早い被処理物の加熱方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ごみの付着を低減するに
は、被処理物の搭載台上での固定のために接触する面積
を減らすことでありその手段は、被処理物の固定をその
周辺の数個所に留めることである。そしてこの手段によ
って被処理物が発熱体と非接触となるためにその温度上
昇が遅くなるという新たに発生する課題に対して熱伝導
加熱から輻射熱による加熱をすることである。
は、被処理物の搭載台上での固定のために接触する面積
を減らすことでありその手段は、被処理物の固定をその
周辺の数個所に留めることである。そしてこの手段によ
って被処理物が発熱体と非接触となるためにその温度上
昇が遅くなるという新たに発生する課題に対して熱伝導
加熱から輻射熱による加熱をすることである。
【０００７】
【作用】被処理物は、その周辺の数個所のみで保持する
ためにごみの付着は大幅に低減できる。また、加熱源と
は非接触となり被処理物との間の直接的な熱伝導がなく
なり温度上昇が遅くなることに対しては輻射加熱方法に
することにより改善される。
ためにごみの付着は大幅に低減できる。また、加熱源と
は非接触となり被処理物との間の直接的な熱伝導がなく
なり温度上昇が遅くなることに対しては輻射加熱方法に
することにより改善される。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例を図１によって詳しく説明
する。図１は、本発明の要点を説明するための説明図で
ある。
する。図１は、本発明の要点を説明するための説明図で
ある。
【０００９】被処理物１は、その周辺を保持する搬送ア
ーム（図示省略）によって紫外線と加熱用輻射線の両方
を透過する二枚の板２，３の間に配置した被処理物１の
周辺のみ保持する回転可能な支持台４に搭載する。二枚
の板２，３の間を処理室５と称する。処理室５内への被
処理物１の搬入出口６は、処理室５内が低圧、高圧時に
ガスの漏れの生じないように気密性を有するものとす
る。被処理物１は紫外線と加熱用輻射線の両方を透過す
る二枚の板２，３の一方２の側に主に処理したい面（被
処理物の表面と称し、その反対側を裏面と称す）となる
ように搭載する。二枚の板の内の一方の板２の被処理物
１に対して反対側に紫外線供給源である低圧水銀放電灯
７を配置し、他方の板３の被処理物１に対して反対側に
輻射加熱源であるタングステン・ハロゲン電球８を配置
する。被処理物１が支持台４に搭載されると同時に輻射
加熱源８に電力が供給され被処理物１を加熱する。搬入
出口６を閉じた後、直ぐに酸化性ガスを供給する。酸化
性ガスは、板２を貫通する複数個のノズル９より供給し
生成ガスの排出を処理室５に設けた排出口１０より排出
するか、図２に示す様に処理室５の中に配置したガス吹
きだし孔１１から被処理物１の周辺より供給して板２に
設けた排出口１２から生成ガスを排出する方法が好まし
い。
ーム（図示省略）によって紫外線と加熱用輻射線の両方
を透過する二枚の板２，３の間に配置した被処理物１の
周辺のみ保持する回転可能な支持台４に搭載する。二枚
の板２，３の間を処理室５と称する。処理室５内への被
処理物１の搬入出口６は、処理室５内が低圧、高圧時に
ガスの漏れの生じないように気密性を有するものとす
る。被処理物１は紫外線と加熱用輻射線の両方を透過す
る二枚の板２，３の一方２の側に主に処理したい面（被
処理物の表面と称し、その反対側を裏面と称す）となる
ように搭載する。二枚の板の内の一方の板２の被処理物
１に対して反対側に紫外線供給源である低圧水銀放電灯
７を配置し、他方の板３の被処理物１に対して反対側に
輻射加熱源であるタングステン・ハロゲン電球８を配置
する。被処理物１が支持台４に搭載されると同時に輻射
加熱源８に電力が供給され被処理物１を加熱する。搬入
出口６を閉じた後、直ぐに酸化性ガスを供給する。酸化
性ガスは、板２を貫通する複数個のノズル９より供給し
生成ガスの排出を処理室５に設けた排出口１０より排出
するか、図２に示す様に処理室５の中に配置したガス吹
きだし孔１１から被処理物１の周辺より供給して板２に
設けた排出口１２から生成ガスを排出する方法が好まし
い。
【００１０】処理室５内を減圧した状態にして処理する
場合は、図３，図４に示すように被処理物１を支持台４
に搭載した後、処理室５に設けた排出口１０の先に排気
量調整弁１３を介して排気ポンプ１４で排気する。圧力
は処理室５に設けた圧力センサ１６によつて検出し、排
気量調整弁１３と連動させて調整する。排気ポンプ１４
の処理室５側に酸化性ガスの排ガス処理装置１５を配置
することが排気ポンプ１４のメンテナンスの面からは好
ましい。
場合は、図３，図４に示すように被処理物１を支持台４
に搭載した後、処理室５に設けた排出口１０の先に排気
量調整弁１３を介して排気ポンプ１４で排気する。圧力
は処理室５に設けた圧力センサ１６によつて検出し、排
気量調整弁１３と連動させて調整する。排気ポンプ１４
の処理室５側に酸化性ガスの排ガス処理装置１５を配置
することが排気ポンプ１４のメンテナンスの面からは好
ましい。
【００１１】処理室５内を加圧した状態で処理する場合
には、図３，図４に示した処理室５内の圧力センサ１６
を高圧タイプに変更して酸化性ガスの供給圧を調整す
る。さらに排気量調整弁１３を調整して閉じたり開けた
りすることによつて生成ガスを適度に排出する。
には、図３，図４に示した処理室５内の圧力センサ１６
を高圧タイプに変更して酸化性ガスの供給圧を調整す
る。さらに排気量調整弁１３を調整して閉じたり開けた
りすることによつて生成ガスを適度に排出する。
【００１２】減圧，加圧の場合には紫外線と加熱用輻射
線の両方を透過する二枚の板２，３がそれぞれの圧力に
耐える厚さにする。ちなみに板の材質が石英板の場合で
は、処理室５内外の圧力がほぼ同圧の時はその厚さは、
２〜３ｍｍ程度でよいが一気圧以上のときは１０〜１５
ｍｍ程度が好ましい。
線の両方を透過する二枚の板２，３がそれぞれの圧力に
耐える厚さにする。ちなみに板の材質が石英板の場合で
は、処理室５内外の圧力がほぼ同圧の時はその厚さは、
２〜３ｍｍ程度でよいが一気圧以上のときは１０〜１５
ｍｍ程度が好ましい。
【００１３】また、特に減圧，加圧の場合には紫外線と
加熱用輻射線の両方を透過する二枚の板２，３の間のな
す処理室５の体積は、可能な限り小さいことが好まし
い。被処理物１の大きさによりその体積は当然異なる
が、板２，３の間の間隔を可能な限り狭くすることが、
被処理物１の搬入出の際の大気と反応ガスである酸化性
ガスとの切り換え時間を速くする。
加熱用輻射線の両方を透過する二枚の板２，３の間のな
す処理室５の体積は、可能な限り小さいことが好まし
い。被処理物１の大きさによりその体積は当然異なる
が、板２，３の間の間隔を可能な限り狭くすることが、
被処理物１の搬入出の際の大気と反応ガスである酸化性
ガスとの切り換え時間を速くする。
【００１４】本発明の方法で８インチ径のシリコンウェ
ハ上に塗布したノボラック系のレジストを除去した場合
の結果の一例では、ごみの付着量は従来のウェハ裏面全
面真空吸着固定の時の約二万ケに対して、ウェハ周辺の
裏面のみで３０ケ以下であり、レジストの除去速度は従
来方法の９０％であった。
ハ上に塗布したノボラック系のレジストを除去した場合
の結果の一例では、ごみの付着量は従来のウェハ裏面全
面真空吸着固定の時の約二万ケに対して、ウェハ周辺の
裏面のみで３０ケ以下であり、レジストの除去速度は従
来方法の９０％であった。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、被処理物に付着するご
みの量を最小限にすることが出来、かつ処理の時間をそ
れほど犠牲にせず改質が可能である。
みの量を最小限にすることが出来、かつ処理の時間をそ
れほど犠牲にせず改質が可能である。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図。
【図２】本発明の第二の実施例を示す説明図。
【図３】本発明の第三の実施例を示す説明図。
【図４】本発明の第四の実施例を示す説明図。
１…被処理物、２，３…板、４…支持台、５…処理室、
６…搬入出口、７…紫外線源、８…輻射加熱源、９…ノ
ズル、１０，１２…排出口。
６…搬入出口、７…紫外線源、８…輻射加熱源、９…ノ
ズル、１０，１２…排出口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 純男 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日立 製作所リビング機器事業部内 (72)発明者 小泉 浩太郎 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日立 製作所リビング機器事業部内
Claims (9)
- 【請求項１】被処理物がその周辺で保持され、前記被処
理物を輻射加熱すると同時に紫外線と酸化性の反応ガス
に曝し前記被処理物表面を改質することを特徴とする改
質装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記被処理物が紫外線
と加熱用輻射線の両方を透過する二枚の板の間にあって
前記板の外側に紫外線源及び輻射加熱源を配置した改質
装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記被処理物が回転可
能な保持台に搭載される改質装置。 - 【請求項４】請求項１において、前記紫外線源が低圧水
銀放電灯で、加熱用熱輻射源がタングステン・ハロゲン
電球である改質装置。 - 【請求項５】請求項１において、酸化性反応ガスが
Ｏ3，ＮＯｘ，Ｈ2Ｏ，アンモニア，アルコール、ハロゲ
ン化合物の中から選ばれた一種以上を含む改質装置。 - 【請求項６】請求項１において、酸化性反応ガスを前記
被処理物の表面に対向して配置された紫外線と加熱用輻
射線の両方を透過する板を貫通する一ヶ所以上の孔から
供給することを特徴とした請求項１の改質装置。 - 【請求項７】請求項１において、酸化性反応ガスを紫外
線と加熱用輻射線の両方を透過する二枚の板にはさまれ
た前記被処理物の周辺に供給して、前記被処理物の表面
に対向して配置された紫外線と加熱用輻射線の両方を透
過する板を貫通する一ヶ所以上の孔から排出するように
した改質装置。 - 【請求項８】請求項１において、前記被処理物が紫外線
と加熱用輻射線の両方を透過する二枚の板の間にあって
前記被処理物の表面側の板の外側に紫外線源、該被処理
物の裏面側の板の外側に輻射加熱源を配置した改質装
置。 - 【請求項９】請求項１において、前記被処理物が紫外線
と加熱用輻射線の両方を透過する二枚の板の間にあって
前記板の外側に紫外線源及び輻射加熱源を配置し前記二
枚の板の間の処理中の圧力が１×１０2から３×１０5パ
スカルである改質装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20614493A JPH0758189A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 改質装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20614493A JPH0758189A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 改質装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758189A true JPH0758189A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16518524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20614493A Pending JPH0758189A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 改質装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758189A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001004944A2 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-18 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for simultaneously cleaning and annealing a workpiece |
| WO2001082349A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system and thermal processing method |
| WO2001082348A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system |
| JP2002246327A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置並びに半導体装置の作製方法 |
| JP2014123769A (ja) * | 2014-03-06 | 2014-07-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 紫外線照射装置および紫外線照射方法 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP20614493A patent/JPH0758189A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001004944A2 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-18 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for simultaneously cleaning and annealing a workpiece |
| WO2001004944A3 (en) * | 1999-07-12 | 2001-07-12 | Nutool Inc | Method and apparatus for simultaneously cleaning and annealing a workpiece |
| WO2001082349A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system and thermal processing method |
| WO2001082348A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system |
| JP2004514269A (ja) * | 2000-04-20 | 2004-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム |
| US6891131B2 (en) | 2000-04-20 | 2005-05-10 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system |
| JP2002246327A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置並びに半導体装置の作製方法 |
| JP2014123769A (ja) * | 2014-03-06 | 2014-07-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 紫外線照射装置および紫外線照射方法 |
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