JPH07108836B2 - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH07108836B2 JPH07108836B2 JP3033709A JP3370991A JPH07108836B2 JP H07108836 B2 JPH07108836 B2 JP H07108836B2 JP 3033709 A JP3033709 A JP 3033709A JP 3370991 A JP3370991 A JP 3370991A JP H07108836 B2 JPH07108836 B2 JP H07108836B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- heated
- ring
- low pressure
- shaped holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハー等の表面にタ
ングステン膜やシリコン膜を成膜する減圧ＣＶＤ装置に
関し、とくに加熱源としてランプを使用する急速加熱型
ＣＶＤ装置に関する。
ングステン膜やシリコン膜を成膜する減圧ＣＶＤ装置に
関し、とくに加熱源としてランプを使用する急速加熱型
ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ランプを加熱源とした急速加熱型Ｃ
ＶＤ装置として、減圧チャンバー内に配置されたリング
状ホルダーに被加熱物を支持し、この被加熱物に対向さ
せて加熱用ランプのランプユニットを配置し、このラン
プユニットから照射した熱線を被加熱物に作用させるこ
とにより被加熱物を６００〜１０００℃に加熱するよう
に構成し、減圧チャンバー内に処理ガスを供給して被加
熱物の表面に金属薄膜を成膜するように構成したものが
提供されている。そして、この装置では、減圧チャンバ
ーとランプユニットとの間にクオーツウインドウが配置
してあった。
ＶＤ装置として、減圧チャンバー内に配置されたリング
状ホルダーに被加熱物を支持し、この被加熱物に対向さ
せて加熱用ランプのランプユニットを配置し、このラン
プユニットから照射した熱線を被加熱物に作用させるこ
とにより被加熱物を６００〜１０００℃に加熱するよう
に構成し、減圧チャンバー内に処理ガスを供給して被加
熱物の表面に金属薄膜を成膜するように構成したものが
提供されている。そして、この装置では、減圧チャンバ
ーとランプユニットとの間にクオーツウインドウが配置
してあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の急速
加熱型ＣＶＤ装置では、減圧チャンバーを１室で形成し
ていたことから、減圧チャンバー内に供給した処理ガス
が高温化したクオーツウインドウのチャンバーへの露出
面に接触して、クオーツウインドウと化学反応してしま
い、クオーツウインドを曇らせることがあった。そし
て、クオーツウインドウが曇ると、ランプユニットから
の熱供給量が低下して被加熱物を十分に加熱することが
できず、成膜性能が低下するという問題があった。本発
明は、このような点に着目してなされたもので、クオー
ツウインドウを曇らせない急速加熱型ＣＶＤ装置を提供
することを目的とする。
加熱型ＣＶＤ装置では、減圧チャンバーを１室で形成し
ていたことから、減圧チャンバー内に供給した処理ガス
が高温化したクオーツウインドウのチャンバーへの露出
面に接触して、クオーツウインドウと化学反応してしま
い、クオーツウインドを曇らせることがあった。そし
て、クオーツウインドウが曇ると、ランプユニットから
の熱供給量が低下して被加熱物を十分に加熱することが
できず、成膜性能が低下するという問題があった。本発
明は、このような点に着目してなされたもので、クオー
ツウインドウを曇らせない急速加熱型ＣＶＤ装置を提供
することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、減圧チャンバー内に隔壁を形成し、こ
の隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを設置し、
リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁とで減圧チ
ャンバー内を区画することにより反応室と加熱室とを形
成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわずかに高く
なるように両室の内圧を設定し、反応室に処理ガス供給
路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加熱室の壁面
にクオーツウインドウを形成し、このクオーツウインド
ウに臨ませてランプユニットを配置したことを特徴と
し、また、減圧チャンバーとランプユニットとの間に配
置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて積層した
複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士間の微小
間隙に冷却液を高速で流通させるように構成したことを
特徴としている。
めに、本発明は、減圧チャンバー内に隔壁を形成し、こ
の隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを設置し、
リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁とで減圧チ
ャンバー内を区画することにより反応室と加熱室とを形
成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわずかに高く
なるように両室の内圧を設定し、反応室に処理ガス供給
路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加熱室の壁面
にクオーツウインドウを形成し、このクオーツウインド
ウに臨ませてランプユニットを配置したことを特徴と
し、また、減圧チャンバーとランプユニットとの間に配
置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて積層した
複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士間の微小
間隙に冷却液を高速で流通させるように構成したことを
特徴としている。
【０００５】
【作用】本発明では、減圧チャンバー内に隔壁を形成
し、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを嵌
着固定し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁
とで減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加
熱室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわ
ずかに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処
理ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加
熱室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオー
ツウインドウに臨ませてランプユニットを配置している
ので、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込む
ことがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高
温になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがな
くなり、クオーツウインドウを曇らせることがない。
し、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダーを嵌
着固定し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁
とで減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加
熱室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわ
ずかに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処
理ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加
熱室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオー
ツウインドウに臨ませてランプユニットを配置している
ので、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込む
ことがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高
温になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがな
くなり、クオーツウインドウを曇らせることがない。
【０００６】また、減圧チャンバーとランプユニットと
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されて高温化す
ることがなく、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なくなる。
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されて高温化す
ることがなく、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なくなる。
【０００７】
【実施例】図面は本発明の実施例を示し、図１は要部の
取出し拡大図、図２はＣＶＤ装置のチャンバー部断面図
である。
取出し拡大図、図２はＣＶＤ装置のチャンバー部断面図
である。
【０００８】このＣＶＤ装置は、減圧チャンバー(１)の
上方にランプユニット(２)を配置し、このランプユニッ
ト(２)から熱線を減圧チャンバー(１)内に表面を下向き
にした状態で支持させたウエハー基板等の被加熱物(３)
に照射することにより被加熱物(３)を裏面側から加熱す
るように構成し、減圧チャンバー(１)内にシランガス等
の処理ガスを下側から噴出供給して、被加熱物(３)の表
面に薄膜を成膜するに構成した急速加熱型ＣＶＤ装置で
ある。
上方にランプユニット(２)を配置し、このランプユニッ
ト(２)から熱線を減圧チャンバー(１)内に表面を下向き
にした状態で支持させたウエハー基板等の被加熱物(３)
に照射することにより被加熱物(３)を裏面側から加熱す
るように構成し、減圧チャンバー(１)内にシランガス等
の処理ガスを下側から噴出供給して、被加熱物(３)の表
面に薄膜を成膜するに構成した急速加熱型ＣＶＤ装置で
ある。
【０００９】減圧チャンバー(１)内は伏椀状に形成した
石英製の隔壁(４)で上下二室に区画してあり、この隔壁
(４)に頂部に開口部(５)が開設してある。そして、この
開口部(５)に被加熱物(３)を支持するリング状ホルダー
(６)が安定に設置してある。このリング状ホルダー(６)
は石英等の耐熱材料で形成してあり、被加熱物(３)を表
面(処理面)を下向きにした状態で装着することにより、
リング状ホルダー(６)に支持された被加熱物(３)の表面
が隔壁(４)で区画された下側の部屋に露出するように構
成してある。
石英製の隔壁(４)で上下二室に区画してあり、この隔壁
(４)に頂部に開口部(５)が開設してある。そして、この
開口部(５)に被加熱物(３)を支持するリング状ホルダー
(６)が安定に設置してある。このリング状ホルダー(６)
は石英等の耐熱材料で形成してあり、被加熱物(３)を表
面(処理面)を下向きにした状態で装着することにより、
リング状ホルダー(６)に支持された被加熱物(３)の表面
が隔壁(４)で区画された下側の部屋に露出するように構
成してある。
【００１０】そして、減圧チャンバー(１)内での隔壁
(４)の上側に位置する部屋(７)でのチャンバー周側壁に
被加熱物(３)を給排する開口部(８)を開設し、この開口
部(８)を被加熱物(３)の搬送装置(９)が出退移動するよ
うにしてある。また、この隔壁(４)よりも上側に位置す
る部屋(７)に窒素や水素等のパージ用ガスを導入する導
入路(10)と室内気体を外部に排出するための排気路とが
連通させてある。
(４)の上側に位置する部屋(７)でのチャンバー周側壁に
被加熱物(３)を給排する開口部(８)を開設し、この開口
部(８)を被加熱物(３)の搬送装置(９)が出退移動するよ
うにしてある。また、この隔壁(４)よりも上側に位置す
る部屋(７)に窒素や水素等のパージ用ガスを導入する導
入路(10)と室内気体を外部に排出するための排気路とが
連通させてある。
【００１１】一方、減圧チャンバー(１)内での隔壁(４)
よりも下側に位置する部屋(11)でのチャンバー周側壁に
被加熱物(３)をリング状ホルダー(６)に案内装着するた
めの被加熱物装着具(12)の差し込み口(13)が開口してお
り、この差し込み口(13)に被加熱物装着具(12)が装着し
てある。この被加熱物装着具(12)はロッドの先端部をリ
ング部分(14)に形成し、このリング部分(14)に周方向適
当間隔おきにピン(15)を立設形成してあり、このピン(1
5)の上端部分はリング状ホルダー(６)の被加熱物支持台
(17)部分に形成した孔に進退昇降可能に装着してある。
また、被加熱物装着具(12)は昇降機構(16)の作動で上下
に移動して、上側室(７)に被加熱物搬送装置(９)で搬入
された被加熱物(３)をリング状ホルダー(６)に位置決め
装着、或いはリング状ホルダー(６)から被加熱物搬送装
置(９)に受け渡すように構成してある。また、この隔壁
(７)よりも下側に位置する部屋(11)にシランガス等の処
理ガスの供給路(18)と排気路が連通させてあり、反応用
ガス導入路(18)の先端部はリング状ホルダー(６)よりも
下側部分で、噴出させた反応用ガスが被加熱物(３)の表
面に接触できる適当な個所に位置して開口している。
よりも下側に位置する部屋(11)でのチャンバー周側壁に
被加熱物(３)をリング状ホルダー(６)に案内装着するた
めの被加熱物装着具(12)の差し込み口(13)が開口してお
り、この差し込み口(13)に被加熱物装着具(12)が装着し
てある。この被加熱物装着具(12)はロッドの先端部をリ
ング部分(14)に形成し、このリング部分(14)に周方向適
当間隔おきにピン(15)を立設形成してあり、このピン(1
5)の上端部分はリング状ホルダー(６)の被加熱物支持台
(17)部分に形成した孔に進退昇降可能に装着してある。
また、被加熱物装着具(12)は昇降機構(16)の作動で上下
に移動して、上側室(７)に被加熱物搬送装置(９)で搬入
された被加熱物(３)をリング状ホルダー(６)に位置決め
装着、或いはリング状ホルダー(６)から被加熱物搬送装
置(９)に受け渡すように構成してある。また、この隔壁
(７)よりも下側に位置する部屋(11)にシランガス等の処
理ガスの供給路(18)と排気路が連通させてあり、反応用
ガス導入路(18)の先端部はリング状ホルダー(６)よりも
下側部分で、噴出させた反応用ガスが被加熱物(３)の表
面に接触できる適当な個所に位置して開口している。
【００１２】したがって、本実施例の減圧チャンバー
(１)では隔壁(４)の下側に位置する部屋(11)が反応室と
なり、隔壁(４)の上側に位置する部屋(７)が加熱室とな
る。そして、成膜作業時には、加熱室(７)側の内圧を
１.０〜数十Torr程度になるように減圧するとともに、
反応室(11)側での内圧を０.１〜１０Torr程度になるよ
うに減圧して、加熱室(７)と反応室(11)とで内圧差を持
たせる。このように両室(７)(11)の内圧に圧力差を持た
せることにより、反応室(11)内の処理ガスが加熱室(７)
側に流れ込むことがなくなる。
(１)では隔壁(４)の下側に位置する部屋(11)が反応室と
なり、隔壁(４)の上側に位置する部屋(７)が加熱室とな
る。そして、成膜作業時には、加熱室(７)側の内圧を
１.０〜数十Torr程度になるように減圧するとともに、
反応室(11)側での内圧を０.１〜１０Torr程度になるよ
うに減圧して、加熱室(７)と反応室(11)とで内圧差を持
たせる。このように両室(７)(11)の内圧に圧力差を持た
せることにより、反応室(11)内の処理ガスが加熱室(７)
側に流れ込むことがなくなる。
【００１３】また、加熱室(７)の被加熱物(３)と対向す
る上壁にクオーツウインドウ(19)が形成してあり、この
クオーツウインドウ(19)に臨む状態で前述のランプユニ
ット(２)が配置してある。このクオーツウインドウ(19)
は、微小間隔へだてて積層した２枚の石英ガラス(20)(2
0)と、この石英ガラス(20)(20)の外周部分に形成した冷
却液チャンバー(21)とで構成してあり、石英ガラス(20)
(20)同士間の微小間隙(22)に冷却液を高速で流通させる
ように構成してある。
る上壁にクオーツウインドウ(19)が形成してあり、この
クオーツウインドウ(19)に臨む状態で前述のランプユニ
ット(２)が配置してある。このクオーツウインドウ(19)
は、微小間隔へだてて積層した２枚の石英ガラス(20)(2
0)と、この石英ガラス(20)(20)の外周部分に形成した冷
却液チャンバー(21)とで構成してあり、石英ガラス(20)
(20)同士間の微小間隙(22)に冷却液を高速で流通させる
ように構成してある。
【００１４】上述の構成からなるＣＶＤ装置では、減圧
チャンバー(１)内を隔壁(４)で反応室(11)と加熱室(７)
とに区画しているうえ、加熱室(７)側の内圧を反応室(1
1)側の内圧よりも高く設定していることから、処理ガス
が加熱室(７)側に流入することがなくなり、クオーツウ
インドウ(19)に嵌め込んだ石英ガラス(20)が高熱化して
も、石英ガラス(20)に処理ガスが作用することがなくな
って石英ガラス(20)と処理ガスが反応して石英ガラス(2
0)を曇らせることがなくなる。これにより、ランプユニ
ット(２)からの熱線が確実に被加熱物(３)に到達するこ
とになるから、加熱効率が向上するうえ、石英ガラス(2
0)の曇りを取るための作業を省略することができる。
チャンバー(１)内を隔壁(４)で反応室(11)と加熱室(７)
とに区画しているうえ、加熱室(７)側の内圧を反応室(1
1)側の内圧よりも高く設定していることから、処理ガス
が加熱室(７)側に流入することがなくなり、クオーツウ
インドウ(19)に嵌め込んだ石英ガラス(20)が高熱化して
も、石英ガラス(20)に処理ガスが作用することがなくな
って石英ガラス(20)と処理ガスが反応して石英ガラス(2
0)を曇らせることがなくなる。これにより、ランプユニ
ット(２)からの熱線が確実に被加熱物(３)に到達するこ
とになるから、加熱効率が向上するうえ、石英ガラス(2
0)の曇りを取るための作業を省略することができる。
【００１５】さらに、加熱室(７)とランプユニット(２)
との間に配置したクオーツウインドウ(19)を２重ガラス
で構成し、このガラス同士の間隙に冷却水を高速で流通
させるようにしてあるから、クオーツウインドウ(19)の
ガラス自体が高温化しにくくなり、仮に処理ガスが加熱
室(７)側に漏れることがあっても、ガラス表面温度が低
くなることから、処理ガスとの反応が起こりにくくなっ
てガラスの曇りを抑制することができる。
との間に配置したクオーツウインドウ(19)を２重ガラス
で構成し、このガラス同士の間隙に冷却水を高速で流通
させるようにしてあるから、クオーツウインドウ(19)の
ガラス自体が高温化しにくくなり、仮に処理ガスが加熱
室(７)側に漏れることがあっても、ガラス表面温度が低
くなることから、処理ガスとの反応が起こりにくくなっ
てガラスの曇りを抑制することができる。
【００１６】図３は、光ＣＶＤ装置に適用した例を示
し、これは減圧チャンバー(１)内を隔壁(４)で加熱室
(７)と反応室(11)に区画し、隔壁(４)にリング状ホルダ
ー(６)を介してウエハー等の被加熱物(３)を支持させ、
反応室(11)に反応用ガスを供給するように構成し、反応
室(11)の下側に紫外線発生装置(23)を配置し、この紫外
線発生装置(23)から反応室(11)内に照射した紫外線で被
加熱物(３)の表面に薄膜を成膜するようにしたものであ
る。そして、紫外線発生装置(23)と反応室(11)との間に
形成したガラス窓(24)に嵌め込んだ窓ガラス(25)は２重
窓に形成してあり、この窓ガラス(25)間にパージ用の水
素ガスや窒素ガスを流通させるように構成してある。
し、これは減圧チャンバー(１)内を隔壁(４)で加熱室
(７)と反応室(11)に区画し、隔壁(４)にリング状ホルダ
ー(６)を介してウエハー等の被加熱物(３)を支持させ、
反応室(11)に反応用ガスを供給するように構成し、反応
室(11)の下側に紫外線発生装置(23)を配置し、この紫外
線発生装置(23)から反応室(11)内に照射した紫外線で被
加熱物(３)の表面に薄膜を成膜するようにしたものであ
る。そして、紫外線発生装置(23)と反応室(11)との間に
形成したガラス窓(24)に嵌め込んだ窓ガラス(25)は２重
窓に形成してあり、この窓ガラス(25)間にパージ用の水
素ガスや窒素ガスを流通させるように構成してある。
【００１７】
【発明の効果】本発明では、減圧チャンバー内に隔壁を
形成し、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダー
を設置し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁
とで減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加
熱室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわ
ずかに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処
理ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加
熱室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオー
ツウインドウに臨ませてランプユニットを配置している
ので、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込む
ことがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高
温になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがな
くなり、クオーツウインドウを曇らせることがなく、ラ
ンプユニットでの長時間にわたって加熱効率を高く維持
することができる。
形成し、この隔壁に開設した開口部にリング状ホルダー
を設置し、リング状ホルダーに装着した被加熱物と隔壁
とで減圧チャンバー内を区画することにより反応室と加
熱室とを形成し、加熱室の内圧が反応室の内圧よりもわ
ずかに高くなるように両室の内圧を設定し、反応室に処
理ガス供給路の先端部を開口し、被加熱物と対向する加
熱室の壁面にクオーツウインドウを形成し、このクオー
ツウインドウに臨ませてランプユニットを配置している
ので、反応室に供給した処理ガスは加熱室側に流れ込む
ことがなくなる。これにより、クオーツウインドウが高
温になっても、処理ガスとの化学反応が生じることがな
くなり、クオーツウインドウを曇らせることがなく、ラ
ンプユニットでの長時間にわたって加熱効率を高く維持
することができる。
【００１８】また、減圧チャンバーとランプユニットと
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されることにな
り、クオーツウインドウの加熱室側表面が高温化するこ
とはなくなり、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なく、ランプユニットでの加熱効率を長時間にわたって
高く維持することができる。
の間に配置したクオーツウインドウを微小間隔へだてて
積層した複数枚の石英ガラスで構成し、石英ガラス同士
間の微小間隙に冷却液を高速で流通させるように構成し
ているので、クオーツウインドウが冷却されることにな
り、クオーツウインドウの加熱室側表面が高温化するこ
とはなくなり、処理ガスとの化学反応を抑制することが
できる。これにより、クオーツウインドウが曇ることは
なく、ランプユニットでの加熱効率を長時間にわたって
高く維持することができる。
【００１９】さらに、本発明では、クオーツウインドウ
の曇りを防止できるから、ウインドウガラスの取り替え
や、ガラスの磨き作業を省略することができ、成膜作業
の作業効率を向上させることができる。
の曇りを防止できるから、ウインドウガラスの取り替え
や、ガラスの磨き作業を省略することができ、成膜作業
の作業効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】要部の取出し拡大図である。
【図２】ＣＶＤ装置のチャンバー部断面図である。
【図３】光ＣＶＤ装置のチャンバー部断面図である。
１…減圧チャンバー、 ２…ランプユ
ニット、３…被加熱物、４…隔壁、５…開口部、
６…リング状ホルダー、７…加熱
室、 11…反応室、18…処理
ガス供給路 19…クオーツウインド
ウ、20…石英ガラス、 22…微小
間隙。
ニット、３…被加熱物、４…隔壁、５…開口部、
６…リング状ホルダー、７…加熱
室、 11…反応室、18…処理
ガス供給路 19…クオーツウインド
ウ、20…石英ガラス、 22…微小
間隙。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野寺 廣一 神奈川県厚木市飯山台ノ岡2453番地20 株 式会社日本生産技術研究所内 (56)参考文献 実開 昭63−106767（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】 減圧チャンバー(１)内に配置されたリン
グ状ホルダー(６)に被加熱物(３)を安定支持し、この被
加熱物(３)にランプユニット(２)からの熱線を照射する
ことにより加熱するとともに、減圧チャンバー(１)内に
処理ガスを供給して、被加熱物(３)の表面に薄膜を成膜
するように構成した減圧ＣＶＤ装置において、 減圧チャンバー(１)内に隔壁(４)を形成し、この隔壁
(４)に開設した開口部(５)にリング状ホルダー(６)を設
置し、リング状ホルダー(６)に装着した被加熱物(３)と
隔壁(４)とで減圧チャンバー(１)内を区画することによ
り反応室(11)と加熱室(７)とを形成し、加熱室(７)側の
内圧が反応室(11)側の内圧よりもわずかに高くなるよう
に両室(７)(11)の内圧を設定し、反応室(11)に処理ガス
供給路(18)の先端部を開口し、被加熱物(３)と対向する
加熱室(７)の壁面にクオーツウインドウ(19)を形成し、
このクオーツウインドウ(19)に臨ませてランプユニット
(２)を配置したことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 減圧チャンバー(１)とランプユニット
(２)との間に配置したクオーツウインドウ(19)を微小間
隔へだてて積層した複数枚の石英ガラス(20)で構成し、
石英ガラス(20)同士間の微小間隙(22)に冷却液を高速で
流通させるように構成した請求項１に記載の減圧ＣＶＤ
装置。 - 【請求項３】 減圧チャンバー(１)内に配置されたリン
グ状ホルダー(６)に被加熱物(３)を支持し、この被加熱
物(３)にランプユニット(２)からの熱線を照射すること
により加熱し、減圧チャンバー(１)内に処理ガスを供給
するとともに減圧チャンバー内に紫外線を照射して、被
加熱物(３)の表面に薄膜を成膜するように構成した減圧
ＣＶＤ装置において、 減圧チャンバー(１)内に隔壁(４)を形成し、この隔壁
(４)に開設した開口部(５)にリング状ホルダー(６)を設
置し、リング状ホルダー(６)に装着した被加熱物(３)と
隔壁(４)とで減圧チャンバー(１)内を区画することによ
り反応室(11)と加熱室(７)とを形成し、加熱室(７)側の
内圧が反応室(11)側の内圧よりもわずかに高くなるよう
に両室(７)(11)の内圧を設定し、反応室(11)に処理ガス
供給路(18)の先端部を開口したことを配置したことを特
徴とする減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033709A JPH07108836B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033709A JPH07108836B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254489A JPH04254489A (ja) | 1992-09-09 |
| JPH07108836B2 true JPH07108836B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=12393942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3033709A Expired - Lifetime JPH07108836B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07108836B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2734284B1 (fr) * | 1995-05-19 | 1997-06-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de traitement chimique superficiel d'un echantillon plat au moyen d'un gaz actif |
| US20050037521A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-17 | Uwe Wellhausen | Methods and apparatus for processing semiconductor devices by gas annealing |
| FR2900226B1 (fr) * | 2006-04-25 | 2017-09-29 | Messier Bugatti | Four de traitement ou analogue |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106767U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3033709A patent/JPH07108836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04254489A (ja) | 1992-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3230836B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US5892886A (en) | Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes | |
| TW529059B (en) | Method and apparatus for thermally processing wafers | |
| US5332442A (en) | Surface processing apparatus | |
| TW451360B (en) | Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system | |
| WO1997031389A1 (fr) | Dispositif de traitement thermique | |
| JPS63108712A (ja) | 半導体基板加熱方法及び装置 | |
| KR100380213B1 (ko) | 반도체 처리 시스템 및 기판 처리 장치 | |
| JPH07108836B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP3131860B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JP3907842B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP3046446B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0410622A (ja) | ドライ洗浄装置 | |
| JPH0930893A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2005032883A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0758189A (ja) | 改質装置 | |
| JP2006093411A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001257167A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3709359B2 (ja) | 基板の熱処理装置 | |
| JP3322472B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2005093911A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2777643B2 (ja) | 半導体ウエハ熱処理装置のウエハ支持装置及び半導体ウエハ熱処理装置 | |
| TWI609988B (zh) | 製程設備及化學氣相沉積製程 | |
| KR200365533Y1 (ko) | 저압 화상기상증착 장치의 반응로 | |
| JP2006080256A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 16 |