JP3234091B2 - 表面処理装置 - Google Patents

表面処理装置

Info

Publication number
JP3234091B2
JP3234091B2 JP03941894A JP3941894A JP3234091B2 JP 3234091 B2 JP3234091 B2 JP 3234091B2 JP 03941894 A JP03941894 A JP 03941894A JP 3941894 A JP3941894 A JP 3941894A JP 3234091 B2 JP3234091 B2 JP 3234091B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface treatment
processed
treatment apparatus
support
support mechanism
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP03941894A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07249603A (ja
Inventor
助芳 恒川
圭亮 船津
建一 川澄
暁勇 稲田
雅郎 加来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12552444&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3234091(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP03941894A priority Critical patent/JP3234091B2/ja
Priority to KR1019950004238A priority patent/KR100335845B1/ko
Priority to US08/399,512 priority patent/US5478401A/en
Publication of JPH07249603A publication Critical patent/JPH07249603A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3234091B2 publication Critical patent/JP3234091B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面処理装置、更に詳し
くいえば、オゾンあるいはオゾンと紫外線を用いて被処
理物表面を処理する装置に関する。特に半導体基板表面
の有機物を効果的に除去する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面処理装置は、図２に示すよう
に被処理物１は、加熱機構部３上の支持機構部２上に載
置され、吸気口４により真空吸引することにより支持機
構部２に固定されていた。その目的は被処理物１の温度
を制御することと、ノズル板５と被処理物１との間隙を
０.２〜１.０ｍｍにした時にノズル板５と被処理物１と
が接触しない様に被処理物１を支持機構部２に固定する
ことであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
被処理物の表面に形成されるパタ−ンサイズの微細化に
伴い、被処理物の裏面の異物が無視できなくなり問題に
なってきた。即ち、被処理物裏面に付着した異物はその
後の工程において被処理物表面に回り込み、正常なパタ
−ン形成を妨げる。また、その異物が金属であった場合
にはパタ−ンサイズの形成を妨げない様な微細なもので
あっても半導体素子に特性変動等重大な影響を及ぼす。
【０００４】本発明の目的は被処理物の裏面に付着する
異物を減少させる表面処理装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、被処理物の裏面の異物を減
少し、同時に、オゾンあるいはオゾンと紫外線により半
導体基板表面の有機物を効果的に除去する表面処理装置
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の表面処理装置は、支持台の被処理物側に複
数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物
の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記
支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間
に空隙を設けた。上記空隙は０.１〜０.５ｍｍの範囲に
設定することが好ましい。また、上記突起体に被処理物
の裏面を吸着するための吸気口を設ける。上記被処理物
の裏面に直接支持台側からオゾンを供給するガス供給手
段を設けることが望ましい。更に、支持台は被処理物を
加熱する加熱機構部と被処理物を支持する支持機構部で
構成し、支持機構部を加熱機構部の材料の熱放射率より
大きい熱放射率の材料で形成する。
【０００６】
【作用】調査の結果、半導体ウエハである被処理物の裏
面に付着する異物には、被処理物１が真空吸引された時
に支持機構部２との滑り摩擦によって発生する異物や傷
と、被処理物１と支持機構部２の単なる接触によって付
着する異物が有ることが分かった。本発明の表面処理装
置に於いては、被処理物は複数の突起体で支持され、被
処理物と支持台との接触面積は被処理物の裏側の面積に
比べきわめて小されるため。被処理物と支持機構部との
滑り摩擦による異物と傷の発生を抑えることができる。
また、接触面積を減少させることにより接触による異物
転写を減少させることができる。被処理物の裏面と上記
支持台との間に空隙を設ることにより、被処理物の裏面
の清浄処理が効率よくおこなわれる。被処理物の裏面と
上記支持台との間に空隙を設ることによ加熱効率の低下
は、支持機構部を加熱機構部の材料の熱放射率より大き
い熱放射率の材料で形成することにより防止できる。
【０００７】
【実施例】＜実施例１＞ 図１は本発明による表面処理装置の一実施例の断面模式
図を示す。図に示すように、表面処理装置は容器０内の
下側から順に、加熱機構部３、加熱機構部３に密着して
装着された支持機構部２が設けられ、支持機構部２の上
側面には被処理物１を載置するための複数の突起体１１
が形成されている。突起体１１の高さ、すなわち、被処
理物１の裏面と支持機構部２の空隙は０.１〜０.５ｍｍ
の範囲に設定される。支持機構部２と加熱機構部３は円
盤状で、回転かつ上下移動できるように上下駆動機構
（図示せず）が設けられている。容器０内の上部は、容
器０内の下部にオゾンを供給するためのノズル６と、ノ
ズル６下側は被処理物１の表面に面している。また、ノ
ズル６下側には仕切りを兼ねたノズル板５が設けられて
いる。ノズル板５の下側面と被処理物１の上面の空隙は
加熱機構部３の上下駆動機構により、０.２〜１.０ｍｍ
の所望の値に調節されるようになっている。また、容器
０内の上部は、必要に応じて紫外線を被処理物１に照射
する複数個の紫外線ランプ７が配設されている。そのた
め、ノズル板５は紫外線を透過し易い合成石英等の材料
で構成されている。なお、公知例調査を行った結果、試
料台にピンを有するレジスト灰化装置は特開平１−２５
８４２６号公報、特開平２−４６７２５号公報、特開平
３−４０４１８号公報及び特開平６−１３３０７号公報
がある。しかしながら、ステージ材料の熱放射率につい
ては記載されていない。
【０００８】上記表面処理装置による被処理物１の清浄
のための表面処理は次のように行われる。まず、加熱機
構部３(加熱ヒ−タは図示していない)の上下機構(図示
せず)により支持機構部２が下がり、被処理物１が搬送
ア−ム(図示せず)により支持機構部２上に０.１〜０.５
ｍｍの空隙を設けて載置される。次に加熱機構部３の上
下駆動機構により被処理物１とノズル板５とのギャップ
が０.２〜１.０ｍｍの所望の値に調節され、ノズル６か
らオゾンを供給すると共に加熱機構部３を回転し、処理
を行う。被処理物の表面不要な有機物はオゾンと反応
し、炭酸ガス、水蒸気となり、これを排気口８より排気
する。必要に応じて紫外線ランプ７により紫外線を被処
理物に照射することにより、オゾンと有機物の反応を促
進する。
【０００９】被処理物１を突起体１１で空隙を設けて支
持機構部２に載置したことにより、被処理物１の裏面の
付着異物は接触面積の減少比に見合って減少した。ま
た、上記被処理物１の上下面部の空隙がともに０.２ｍ
ｍにおいて被処理物表面の有機物除去速度は、真空吸引
により支持機構部２に固定されていた従来装置とほぼ同
等であった。これは加熱機構部３の材料(アルミニウム)
の熱放射率より大きい熱放射率の材料(石英)を支持機構
部２に用いたため、被処理物１が効率良く加熱されたた
めと考えられる。また、支持機構部２と被処理物１の空
隙としては０.１〜０.５ｍｍが最適であった。空隙を
０.１ｍｍより小さくすると支持機構部２から被処理物
１の裏面に異物が転写し易くなり、反対に０.５ｍｍを
越えると支持機構部２から被処理物１への熱伝達が著し
く低下した。
【００１０】＜実施例２＞図３は本発明による表面処理
装置の第２の実施例の断面模式図を示す。本実施例は、
支持機構部２周辺の表面の高さを被処理物１の高さと同
等としたもので、他の部分は、実施例１のものと実質的
に同じで、同一構成部分には同一の番号をつけ、説明を
省く。以下の実施例について同様である。本実施例は実
施例１に比較して、有機物除去速度の均一性を５〜１０
％改善できた。これは被処理物周辺のオゾンガスの流れ
が均一化されたためと考えられる。被処理物１の厚みが
規格化され、一定のものを処理する場合に、支持機構部
２周辺の表面の高さを上述のように固定することができ
有効である。
【００１１】＜実施例３＞図４は本発明による表面処理
装置の第３の実施例の断面模式図を示す。本実施例は突
起体１１を吸引管で構成したものである。吸気口４によ
り被処理物１を真空吸着することにより被処理物１の反
りが有る場合においても従来装置と同様に表面処理がで
きる。
【００１２】＜実施例４＞図５は本発明による表面処理
装置の第４の実施例の断面模式図を示す。本実施ではガ
ス供給手段として、第１の実施例に更に被処理物裏面側
にもガス供給口９を配置した。本実施例はガス供給口９
につながるパイプを支持機構部２、加熱機構部３内に設
け、オゾンガスを供給する。紫外線ランプ７からの紫外
線によるオゾンの分解は期待できないが、支持機構部３
からの熱放射によりオゾンが分解され被処理物裏面の有
機物が効率よく除去された。特にシリコンウェ−ハの様
な被処理物の側面に付着した有機物の除去に効果があ
る。
【００１３】＜実施例５＞図６は本発明による表面処理
装置の第５の実施例の断面模式図を示す。本実施例は第
１の実施例に赤外線ランプ１０を付加し、被処理物１を
表面からも加熱する構成とした。赤外線ランプ１０は被
処理物１を裏面から加熱するのを補う効果の他に、被処
理物１表面のレジスト等の有機物を直接加熱できるこ
と、被処理物１周辺の赤外線ランプ１０の電力を中心の
それより増加することにより被処理物１の温度むら補正
できること、ランプ１０の電力を処理時間に対してプロ
グラマブルに変えることができ、かつ、その結果が被処
理物の温度に速やかに反映される等の利点がある。赤外
線ランプ１０の代わりに加熱ヒ−タを用いてもほぼ同様
の効果が得られる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、接触による異物転写は
接触面積の減少比に見合って減少させることができる。
上記実施例では支持機構部２に石英を用いたが加熱機構
部３のアルミニウムより放射率の大きい材料を用いた場
合同様の効果のあることが確認された。即ち、支持機構
部２に加熱機構部３の材料の放射率より大きい放射率を
もつ材料を用いることにより被処理物を効果的に加熱で
き、被処理物表面の有機物を効率良く除去できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による表面処理装置の第１の実施例の断
面模式図
【図２】従来装置を説明するための断面模式図
【図３】本発明による表面処理装置の第２の実施例の断
面模式図
【図４】本発明による表面処理装置の第３の実施例の断
面模式図
【図５】本発明による表面処理装置の第４の実施例の断
面模式図
【図６】本発明による表面処理装置の第５の実施例の断
面模式図
【符号の説明】
１………被処理物 ２………支持機構部 ３………加熱機構部 ４………吸気口 ５………ノズル板 ６………ノズル ７………紫外線ランプ ８………排気口 ９………ガス供給口 １０………赤外線ランプ又はヒ−タ １１………突起体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲田 暁勇 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日 立製作所リビング機器事業部内 (72)発明者 加来 雅郎 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日 立製作所リビング機器事業部内 (56)参考文献 特開 平６−333896（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−116823（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 645 H01L 21/027

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】加熱機構部と支持機構部で構成され支持台
    に被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用
    いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数
    の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の
    裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支
    持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に
    空隙を設けて構成され、上記支持機構部が上記加熱機構
    部の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で構成さ
    れたことを特徴とする表面処理装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の表面処理装置において、上
    記空隙が０.１〜０.５ｍｍの範囲であることを特徴とす
    る表面処理装置。
  3. 【請求項３】請求項１又は２記載の表面処理装置におい
    て、上記支持機構部が周辺より低い面をもち、上記突起
    体は上記面に形成され、上記突起体の高さが、上記被処
    理物を上記突起体に載置したとき、上記被処理物の表面
    の高さが上記支持機構部の周辺の表面の高さと実質的に
    同等としたことを特徴とする表面処理装置。
  4. 【請求項４】請求項１、２又は３記載の表面処理装置に
    おいて、支持台に上記支持機構部と上記被処理物との空
    隙にもオゾンを供給する機構をもうけたことを特徴とす
    る表面処理装置。
  5. 【請求項５】請求項１、２、３又は４記載の表面処理装
    置において、上記被処理物表面に紫外線を照射する手段
    を付加して構成されたことを特徴とする表面処理装置。
  6. 【請求項６】請求項１、２、３、４又は５記載の表面処
    理装置において、上記被処理物が上記支持台と共に回転
    するように上記支持台の回転駆動機構を付加して構成さ
    れたことを特徴とする表面処理装置。
JP03941894A 1994-03-10 1994-03-10 表面処理装置 Expired - Fee Related JP3234091B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03941894A JP3234091B2 (ja) 1994-03-10 1994-03-10 表面処理装置
KR1019950004238A KR100335845B1 (ko) 1994-03-10 1995-03-02 표면처리장치및표면처리방법
US08/399,512 US5478401A (en) 1994-03-10 1995-03-07 Apparatus and method for surface treatment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03941894A JP3234091B2 (ja) 1994-03-10 1994-03-10 表面処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07249603A JPH07249603A (ja) 1995-09-26
JP3234091B2 true JP3234091B2 (ja) 2001-12-04

Family

ID=12552444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03941894A Expired - Fee Related JP3234091B2 (ja) 1994-03-10 1994-03-10 表面処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5478401A (ja)
JP (1) JP3234091B2 (ja)
KR (1) KR100335845B1 (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07253677A (ja) * 1994-03-16 1995-10-03 Mitsubishi Electric Corp 光オゾンアッシャ，光アッシング方法，及び半導体装置の製造方法
KR100203780B1 (ko) * 1996-09-23 1999-06-15 윤종용 반도체 웨이퍼 열처리 장치
KR100246963B1 (ko) * 1996-11-22 2000-03-15 윤종용 반도체 제조장치의 웨이퍼 홀더용 스테이지
US6551409B1 (en) * 1997-02-14 2003-04-22 Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
AT405655B (de) * 1997-03-26 1999-10-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum einseitigen bearbeiten scheibenförmiger gegenstände
US6013316A (en) * 1998-02-07 2000-01-11 Odme Disc master drying cover assembly
US6098637A (en) * 1998-03-03 2000-08-08 Applied Materials, Inc. In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber
DE69937255T2 (de) 1998-11-20 2008-07-03 Steag RTP Systems, Inc., San Jose Schnell-aufheiz- und -kühlvorrichtung für halbleiterwafer
US7037797B1 (en) 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
CN1111899C (zh) * 2000-04-11 2003-06-18 北京高力通科技开发公司 紫外光表面清洗机
KR100814179B1 (ko) * 2000-06-27 2008-03-14 브룩스-피알아이 오토메이션(스윗질랜드) 게엠베하 반도체 소자 생산물에 이용되는 세정장치 및 방법
JP4731694B2 (ja) * 2000-07-21 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP4328003B2 (ja) 2000-10-19 2009-09-09 日本碍子株式会社 セラミックヒーター
TWI251506B (en) * 2000-11-01 2006-03-21 Shinetsu Eng Co Ltd Excimer UV photo reactor
US6810886B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Chamber cleaning via rapid thermal process during a cleaning period
US20030192570A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US20030192577A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US6954585B2 (en) 2002-12-03 2005-10-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
JP3776092B2 (ja) * 2003-03-25 2006-05-17 株式会社ルネサステクノロジ エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法
JP4420380B2 (ja) * 2003-09-10 2010-02-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7501352B2 (en) * 2005-03-30 2009-03-10 Tokyo Electron, Ltd. Method and system for forming an oxynitride layer
US7517814B2 (en) * 2005-03-30 2009-04-14 Tokyo Electron, Ltd. Method and system for forming an oxynitride layer by performing oxidation and nitridation concurrently
US20060228898A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Cory Wajda Method and system for forming a high-k dielectric layer
US20070066084A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Cory Wajda Method and system for forming a layer with controllable spstial variation
US20070065593A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Cory Wajda Multi-source method and system for forming an oxide layer
KR101536257B1 (ko) * 2009-07-22 2015-07-13 한국에이에스엠지니텍 주식회사 수평 흐름 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
JP6020483B2 (ja) 2014-02-14 2016-11-02 トヨタ自動車株式会社 表面処理装置と表面処理方法
US20170032992A1 (en) * 2015-07-31 2017-02-02 Infineon Technologies Ag Substrate carrier, a method and a processing device
JP6698489B2 (ja) * 2016-09-26 2020-05-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6899217B2 (ja) * 2016-12-28 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム
KR101989079B1 (ko) * 2017-09-05 2019-06-13 이동현 기판 처리용 히터
US11222794B2 (en) * 2018-03-30 2022-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor fabrication system embedded with effective baking module
EP3990680A4 (en) * 2019-06-25 2023-01-11 Picosun Oy SUBSTRATE REAR FACE PROTECTION

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06132266A (ja) * 1992-10-15 1994-05-13 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および装置
JPH06267909A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Hitachi Ltd 有機物除去装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5478401A (en) 1995-12-26
KR950031560A (ko) 1995-12-18
KR100335845B1 (ko) 2002-09-04
JPH07249603A (ja) 1995-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3234091B2 (ja) 表面処理装置
JPH05291158A (ja) 熱処理装置
JPH0628254B2 (ja) フオトレジストの剥離装置
JPH04302145A (ja) 洗浄方法
JP3653735B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
JP3663674B2 (ja) 紫外線処理装置
TW469479B (en) Method of wet etching and apparatus thereof
JPH04302144A (ja) 洗浄方法
JP2001156049A (ja) 有機物剥離装置及び有機物剥離方法
JP3267306B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0927468A (ja) ウェハ表面の処理方法及びその装置
JPH0927474A (ja) アッシング方法およびその装置
JPH05315246A (ja) 露光装置
JP2579346Y2 (ja) レジスト膜のアッシング装置
JP3248320B2 (ja) レジスト除去方法及びレジスト除去装置
JP2702697B2 (ja) 処理装置および処理方法
JPH0758189A (ja) 改質装置
JP4059216B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
JPH05283346A (ja) 半導体製造装置
JP3852627B2 (ja) 紫外線処理装置
JPH09223688A (ja) 有機物除去装置
JPH06120187A (ja) 光励起ドライ洗浄装置
JPH0684843A (ja) 表面処理装置
JP3251832B2 (ja) 表面安定化装置および表面安定化方法
JPH10209132A (ja) 有機物の除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees