JPH0757303A - 光学的情報記録担体の製造方法および情報記録担体 - Google Patents
光学的情報記録担体の製造方法および情報記録担体Info
- Publication number
- JPH0757303A JPH0757303A JP5200501A JP20050193A JPH0757303A JP H0757303 A JPH0757303 A JP H0757303A JP 5200501 A JP5200501 A JP 5200501A JP 20050193 A JP20050193 A JP 20050193A JP H0757303 A JPH0757303 A JP H0757303A
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- Japan
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- recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 相変化型記録膜を有する消去可能な円盤状光
学的記録情報担体の初期化において、効率的に初期化を
行い、且つ記録膜を保護する樹脂を熱的に劣化させない
ことを目的にしている。 【構成】 レプリカ基板上に記録膜４を成膜した基板を
レーザ光１０を用いた初期化装置で加熱初期化し、初期
化後の記録膜上にオーバコート層５を付加し、更にホッ
トメルト樹脂を塗布し、上記ホットメルト樹脂を塗布後
の基板２枚を一対としてホットメルト樹脂を塗布された
面を内側にして重ね合わし、そして基板に圧力を加え一
枚の両面ディスクに仕上げるようにした。
学的記録情報担体の初期化において、効率的に初期化を
行い、且つ記録膜を保護する樹脂を熱的に劣化させない
ことを目的にしている。 【構成】 レプリカ基板上に記録膜４を成膜した基板を
レーザ光１０を用いた初期化装置で加熱初期化し、初期
化後の記録膜上にオーバコート層５を付加し、更にホッ
トメルト樹脂を塗布し、上記ホットメルト樹脂を塗布後
の基板２枚を一対としてホットメルト樹脂を塗布された
面を内側にして重ね合わし、そして基板に圧力を加え一
枚の両面ディスクに仕上げるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は相変化型記録膜を有する
消去可能な円盤状などの光学的記録情報担体の初期化を
効率的に行う方法を示しており、光学的記録情報担体の
製造工程で利用する。
消去可能な円盤状などの光学的記録情報担体の初期化を
効率的に行う方法を示しており、光学的記録情報担体の
製造工程で利用する。
【０００２】
【従来の技術】従来から相変化型記録膜を有する消去可
能な円盤状光学的記録情報担体（以下光ディスクと呼
ぶ）は既に記録されている情報を消去する過程を必要と
しない直接追加記録ができるダイレクトオーバライト可
能な光ディスクとして既に商品化されている。この光デ
ィスクは可逆性の相転移を生じる記録膜を有し、アモル
ファス状態と結晶状態の相変化で情報を蓄積（ストア）
し、また前記相状態を光学的な反射率の差として情報を
読み出し（リード）している。
能な円盤状光学的記録情報担体（以下光ディスクと呼
ぶ）は既に記録されている情報を消去する過程を必要と
しない直接追加記録ができるダイレクトオーバライト可
能な光ディスクとして既に商品化されている。この光デ
ィスクは可逆性の相転移を生じる記録膜を有し、アモル
ファス状態と結晶状態の相変化で情報を蓄積（ストア）
し、また前記相状態を光学的な反射率の差として情報を
読み出し（リード）している。
【０００３】この光ディスクは図２に示す様な製造工程
で作られる。成形工程で、スタンパー１の凹凸パターン
をインジェクション成形によって転写されたレプリカ基
板２は使用環境など必要に応じてハードコート工程でレ
プリカ基板２の表面にハードコート層３を付加される。
このハードコート層３によってレプリカ基板の表面硬度
は鉛筆硬度でＨ程度となり、更に表面抵抗値も１０15Ω
程度に下がり導電性が改善される。その後、ハードコー
トされたレプリカ基板は成膜工程で記録膜４をスパッタ
リング工法で基板上に成膜される。記録膜４の構造は図
３に示す様に４層で、ＧｅＴｅＳｂから成る記録層４ａ
と、その両側にＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る誘電体層４ｂ
及び４ｃと、Ａｌ合金から成る反射層４ｄから構成され
ている。
で作られる。成形工程で、スタンパー１の凹凸パターン
をインジェクション成形によって転写されたレプリカ基
板２は使用環境など必要に応じてハードコート工程でレ
プリカ基板２の表面にハードコート層３を付加される。
このハードコート層３によってレプリカ基板の表面硬度
は鉛筆硬度でＨ程度となり、更に表面抵抗値も１０15Ω
程度に下がり導電性が改善される。その後、ハードコー
トされたレプリカ基板は成膜工程で記録膜４をスパッタ
リング工法で基板上に成膜される。記録膜４の構造は図
３に示す様に４層で、ＧｅＴｅＳｂから成る記録層４ａ
と、その両側にＺｎＳ−ＳｉＯ2 から成る誘電体層４ｂ
及び４ｃと、Ａｌ合金から成る反射層４ｄから構成され
ている。
【０００４】この記録膜４の構造は記録層の両側に誘電
体層と反射層を配置して、記録膜を保護すると共に適度
な熱拡散を持つ様にしてダイレクトオーバライトを実現
している。
体層と反射層を配置して、記録膜を保護すると共に適度
な熱拡散を持つ様にしてダイレクトオーバライトを実現
している。
【０００５】成膜された基板はオーバコート工程で記録
膜４を保護する為にＵＶ樹脂等からなるオーバコート層
５を付加される。オーバコート層５を付加された基板は
貼合せ工程でホットメルト樹脂６を塗布された後、基板
２枚を一対として接着剤としてのホットメルト樹脂６を
塗布された面を内側にして重ね合わされた後、圧力を加
えられ一枚の両面ディスク８に仕上げられる。
膜４を保護する為にＵＶ樹脂等からなるオーバコート層
５を付加される。オーバコート層５を付加された基板は
貼合せ工程でホットメルト樹脂６を塗布された後、基板
２枚を一対として接着剤としてのホットメルト樹脂６を
塗布された面を内側にして重ね合わされた後、圧力を加
えられ一枚の両面ディスク８に仕上げられる。
【０００６】このディスク８の記録膜４、特に記録層４
ａはアモルファス状態にあり、この為反射率が低く、光
学的情報記録再生装置では使用できない。この為に従来
から相変化記録膜を有する光ディスクではトラック毎ま
たは複数のトラックをまとめてレーザ光９を照射して初
期化を行ない、記録層の状態をアモルファス状態から結
晶状態に遷移させて反射率を上昇させている。初期化工
程では図４の様な初期化装置を使用して初期化を行って
いる。熱源としては１Ｗ以上の高出力レーザ１０例えば
Ａｒレーザや半導体レーザ等を使用し、レ−ザの出射ビ
ームＡは対物レンズやミラー等を有した光学ピックアッ
プ１１をへて光ディスク８の記録膜面上に約φ２０〜３
０μｍ径のビームＢとして集束照射される。またこの光
学ピックアップ１１は移動装置１２によって光ディスク
８の径方向に移動させることで、ビームＢの光ディスク
上での照射位置を変えることができる。光ピックアップ
の位置はリニアスケール１３で検出され、位置データは
マイクロコンピューター等で構成させた制御回路１４に
入力される。制御回路１４はターンテーブルモータ１５
と移動装置１２を制御して、タ−ンテーブルモータ１５
上の光ディスク８の記録膜４が線速度によって消去条件
が変化するため一定線速度（ＣＬＶ）で且つ一定の送り
ピッチで光ビームの照射を受ける様にしている。
ａはアモルファス状態にあり、この為反射率が低く、光
学的情報記録再生装置では使用できない。この為に従来
から相変化記録膜を有する光ディスクではトラック毎ま
たは複数のトラックをまとめてレーザ光９を照射して初
期化を行ない、記録層の状態をアモルファス状態から結
晶状態に遷移させて反射率を上昇させている。初期化工
程では図４の様な初期化装置を使用して初期化を行って
いる。熱源としては１Ｗ以上の高出力レーザ１０例えば
Ａｒレーザや半導体レーザ等を使用し、レ−ザの出射ビ
ームＡは対物レンズやミラー等を有した光学ピックアッ
プ１１をへて光ディスク８の記録膜面上に約φ２０〜３
０μｍ径のビームＢとして集束照射される。またこの光
学ピックアップ１１は移動装置１２によって光ディスク
８の径方向に移動させることで、ビームＢの光ディスク
上での照射位置を変えることができる。光ピックアップ
の位置はリニアスケール１３で検出され、位置データは
マイクロコンピューター等で構成させた制御回路１４に
入力される。制御回路１４はターンテーブルモータ１５
と移動装置１２を制御して、タ−ンテーブルモータ１５
上の光ディスク８の記録膜４が線速度によって消去条件
が変化するため一定線速度（ＣＬＶ）で且つ一定の送り
ピッチで光ビームの照射を受ける様にしている。
【０００７】この初期化装置によって記録膜の結晶化温
度以上に加熱昇温してアモルファス状態から結晶状態に
遷移させている。
度以上に加熱昇温してアモルファス状態から結晶状態に
遷移させている。
【０００８】本従来例ではＣＬＶ状態での初期化で説明
したが一定回転数（ＣＡＶ）の状態で照射ビームＢの強
度を制御しても同様に初期化は行える。
したが一定回転数（ＣＡＶ）の状態で照射ビームＢの強
度を制御しても同様に初期化は行える。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来例では相変化型記
録膜を有する光ディスクはその製造工程において貼合せ
後に初期化を行っていた。しかし記録膜４上にオーバコ
ート層５を有する為に、初期化の際に照射されるレーザ
ビームの熱がオーバコート層５に伝搬し吸収されること
で、加熱昇温が効率的に行われないし、また加熱されこ
とでオーバコート材料自身が熱的なダメージを受け記録
膜との密着性が劣化するだけでなく、熱分解によってガ
ス化するという課題を有していた。
録膜を有する光ディスクはその製造工程において貼合せ
後に初期化を行っていた。しかし記録膜４上にオーバコ
ート層５を有する為に、初期化の際に照射されるレーザ
ビームの熱がオーバコート層５に伝搬し吸収されること
で、加熱昇温が効率的に行われないし、また加熱されこ
とでオーバコート材料自身が熱的なダメージを受け記録
膜との密着性が劣化するだけでなく、熱分解によってガ
ス化するという課題を有していた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明においては，成膜
工程でレプリカ基板上に記録膜を成膜した基板を加熱す
る事によって初期化し、初期化後の記録膜上にオーバコ
ート層を付加し、更にホットメルト樹脂を塗布し、上記
ホットメルト樹脂を塗布後の基板２枚を一対としてホッ
トメルト樹脂を塗布された面を内側にして重ね合わし、
重ね合わした基板に圧力を加え一枚の両面ディスクに仕
上げるようにしたものである。
工程でレプリカ基板上に記録膜を成膜した基板を加熱す
る事によって初期化し、初期化後の記録膜上にオーバコ
ート層を付加し、更にホットメルト樹脂を塗布し、上記
ホットメルト樹脂を塗布後の基板２枚を一対としてホッ
トメルト樹脂を塗布された面を内側にして重ね合わし、
重ね合わした基板に圧力を加え一枚の両面ディスクに仕
上げるようにしたものである。
【００１１】
【作用】本発明は光ディスクの加熱による初期化をオー
バコート層を設ける前の成膜後の基板に行うことで、従
来と比べてオーバコート層による熱吸収が無くなり、初
期化時のレーザ光による加熱昇温が効率的に行え、且つ
初期化後の基板にオーバコート樹脂を付加することで、
オーバコート樹脂の記録膜への密着性の向上が可能とな
る。また記録膜の保護層であるオーバコート樹脂の塗布
を初期化後に行うことでオーバコート樹脂が熱的なダメ
ージを受けることが無いため記録膜に対しての強い密着
性が維持できるという作用効果を有するものである。
バコート層を設ける前の成膜後の基板に行うことで、従
来と比べてオーバコート層による熱吸収が無くなり、初
期化時のレーザ光による加熱昇温が効率的に行え、且つ
初期化後の基板にオーバコート樹脂を付加することで、
オーバコート樹脂の記録膜への密着性の向上が可能とな
る。また記録膜の保護層であるオーバコート樹脂の塗布
を初期化後に行うことでオーバコート樹脂が熱的なダメ
ージを受けることが無いため記録膜に対しての強い密着
性が維持できるという作用効果を有するものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図１は実施例における光ディスクの製造工
程を示し、従来例と同一の工程については同一番号を付
し説明を省略する。
て説明する。図１は実施例における光ディスクの製造工
程を示し、従来例と同一の工程については同一番号を付
し説明を省略する。
【００１３】成膜工程で記録膜４を成膜された基板は初
期化工程でレーザ光９の照射を受け初期化される。この
時、記録層４ａの状態をアモルファス状態から結晶状態
に遷移させ、反射率が上昇させる。
期化工程でレーザ光９の照射を受け初期化される。この
時、記録層４ａの状態をアモルファス状態から結晶状態
に遷移させ、反射率が上昇させる。
【００１４】この時、使用する初期化装置は図４に示し
たもので、従来例と同一のものである。しかしながら熱
の拡散が少ない為に、レーザ１０の光出力を同一にする
とＣＬＶの線速度を従来例の１．５倍以上に設定して初
期化を行うことができる。あるいはレーザスポット面積
を１．５倍にする事によっても実現可能である。
たもので、従来例と同一のものである。しかしながら熱
の拡散が少ない為に、レーザ１０の光出力を同一にする
とＣＬＶの線速度を従来例の１．５倍以上に設定して初
期化を行うことができる。あるいはレーザスポット面積
を１．５倍にする事によっても実現可能である。
【００１５】初期化された基板はオーバコート工程で記
録膜を保護する為にＵＶ樹脂からなるオーバコート層５
を付加される。オーバコート層５を付加された基板は貼
合せ工程でホットメルト樹脂６を塗布された後、基板２
枚を一対としてホットメルト樹脂を塗布された面を内側
にして重ね合わされた後、圧力を加えられ一枚の両面デ
ィスク７に仕上げられる。
録膜を保護する為にＵＶ樹脂からなるオーバコート層５
を付加される。オーバコート層５を付加された基板は貼
合せ工程でホットメルト樹脂６を塗布された後、基板２
枚を一対としてホットメルト樹脂を塗布された面を内側
にして重ね合わされた後、圧力を加えられ一枚の両面デ
ィスク７に仕上げられる。
【００１６】上記実施例では光ディスクを例にとって説
明したが、その形状に限定される事なく、カード状やド
ラム状、テープ状などの形状の記録媒体への応用が可能
な事は自明であり、また相変化記録材料で説明したが熱
を利用した記録原理を有する可逆記録膜の初期化や熱と
磁界の両方を必要とする光磁気記録材料に対しても磁界
手段を追加する事によって応用可能である。
明したが、その形状に限定される事なく、カード状やド
ラム状、テープ状などの形状の記録媒体への応用が可能
な事は自明であり、また相変化記録材料で説明したが熱
を利用した記録原理を有する可逆記録膜の初期化や熱と
磁界の両方を必要とする光磁気記録材料に対しても磁界
手段を追加する事によって応用可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上に述べて来た様に、本発明を用いる
ことで初期化を効率的に行うことが可能となり、従来の
初期化に比べて同一のレーザパワーを照射しても、線速
度を上げて行うことができ、この結果一枚あたりの初期
化に要する時間を従来に比べて７０％以下に出来、大幅
に短縮することが可能となる。
ことで初期化を効率的に行うことが可能となり、従来の
初期化に比べて同一のレーザパワーを照射しても、線速
度を上げて行うことができ、この結果一枚あたりの初期
化に要する時間を従来に比べて７０％以下に出来、大幅
に短縮することが可能となる。
【００１８】また記録膜の保護層であるオーバコート樹
脂の塗布を初期化後に行うことでオーバコート樹脂が熱
的なダメージを受けること無く、本来の特性が保たれ記
録膜に対しての強い密着性が維持でき高品質、長寿命の
光ディスクを供給する事が可能になるものである。
脂の塗布を初期化後に行うことでオーバコート樹脂が熱
的なダメージを受けること無く、本来の特性が保たれ記
録膜に対しての強い密着性が維持でき高品質、長寿命の
光ディスクを供給する事が可能になるものである。
【図１】本発明の実施例での光ディスク製造工程図
【図２】従来例での光ディスク製造工程図
【図３】記録膜の構造を示す図
【図４】初期化装置の構成図
１ スタンパー ２ レプリカ基板 ３ ハードコート層 ４ 記録膜 ４ａ 記録層 ４ｂ ４ｃ 誘電体層 ４ｃ 反射層 ５ オーバコート層 ６ ホットメルト樹脂 ７ 本発明の製造工程で作られた両面構造光ディスク ８ 従来例の製造工程で作られた両面構造光ディスク ９ レーザ光 １０ レーザ １１ 光ピックアップ １２ 移動装置 １３ リニアスケール １４ 制御回路 １５ ターンテーブルモータ
Claims (4)
- 【請求項１】 基材と前記基材上に可逆性の相転移を生
じる記録膜を配置し、前記記録膜上に樹脂層からなる光
学的情報記録担体の製造工程であって、前記樹脂層をコ
ートする前に前記記録膜を加熱し、前記記録膜のアモル
ファス状態から結晶状態へ転移させたことを特徴とする
光学的情報記録担体の製造方法。 - 【請求項２】前記記録膜の加熱に際しレーザを所定のス
ポットに絞り込み、前記記録担体と前記レーザの間に相
対速度を発生させ記録膜上のスポット位置を走査させ加
熱することを特徴とする請求項１記載の光学的情報記録
担体の製造方法。 - 【請求項３】 基材と前記基材上に可逆性の相転移を生
じる記録膜を配置し、前記記録膜上に樹脂層からなる光
学的情報記録担体の製造工程であって、前記樹脂層をコ
ートする前に前記記録膜を加熱し、前記記録膜のアモル
ファス状態から結晶状態へ転移させたことを特徴とする
光学的情報記録担体。 - 【請求項４】 前記樹脂に紫外線硬化樹脂を用いたこと
を特徴とする請求項３記載の光学的情報記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20050193A JP3399033B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 光学的情報記録担体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20050193A JP3399033B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 光学的情報記録担体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757303A true JPH0757303A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3399033B2 JP3399033B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=16425371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20050193A Expired - Fee Related JP3399033B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 光学的情報記録担体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399033B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034420A1 (fr) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'un support d'enregistrement optique et appareil de fabrication d'un support d'enregistrement optique |
| US6959540B2 (en) | 1998-06-23 | 2005-11-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purification device of internal combustion engine |
-
1993
- 1993-08-12 JP JP20050193A patent/JP3399033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6959540B2 (en) | 1998-06-23 | 2005-11-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purification device of internal combustion engine |
| US7086222B2 (en) | 1998-06-23 | 2006-08-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purification device of internal combustion engine |
| US7086223B2 (en) | 1998-06-23 | 2006-08-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purification device of internal combustion engine |
| US7272924B2 (en) | 1998-06-23 | 2007-09-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purification device of internal combustion engine |
| WO2003034420A1 (fr) * | 2001-10-12 | 2003-04-24 | Tdk Corporation | Procede de fabrication d'un support d'enregistrement optique et appareil de fabrication d'un support d'enregistrement optique |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3399033B2 (ja) | 2003-04-21 |
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Legal Events
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