JPH07319108A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH07319108A JPH07319108A JP6115356A JP11535694A JPH07319108A JP H07319108 A JPH07319108 A JP H07319108A JP 6115356 A JP6115356 A JP 6115356A JP 11535694 A JP11535694 A JP 11535694A JP H07319108 A JPH07319108 A JP H07319108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- layer
- recording medium
- laser beam
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、多値記録による従来よりも高密度
記録が可能な書換型の光記録媒体を提供することを目的
とする。 【構成】 本発明の光記録媒体は、基板と、前記基板上
に形成された記録層と、前記記録層の上面に形成された
紫外線硬化樹脂層等からなる保護層と、を備えた光記録
媒体であって、前記記録層が、相変化記録膜と、フォト
クロミック層と、を備えた構成を有している。
記録が可能な書換型の光記録媒体を提供することを目的
とする。 【構成】 本発明の光記録媒体は、基板と、前記基板上
に形成された記録層と、前記記録層の上面に形成された
紫外線硬化樹脂層等からなる保護層と、を備えた光記録
媒体であって、前記記録層が、相変化記録膜と、フォト
クロミック層と、を備えた構成を有している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録装置等に用いら
れる光記録媒体、特に高密度記録が可能な書換型の光記
録媒体に関するものである。
れる光記録媒体、特に高密度記録が可能な書換型の光記
録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報の高度化、大容量化が急速に
進み、それにともない情報を記録する媒体の小型化、大
容量化が望まれている。高密度記録が可能な媒体として
は、光記録媒体が知られており、光記録媒体の特徴とし
ては高記録密度で大容量、非接触での記録・再生、ディ
スクの差し換えが可能等が挙げられる。光記録媒体は、
この様な特徴を有するため活発な研究、開発が進められ
ている。
進み、それにともない情報を記録する媒体の小型化、大
容量化が望まれている。高密度記録が可能な媒体として
は、光記録媒体が知られており、光記録媒体の特徴とし
ては高記録密度で大容量、非接触での記録・再生、ディ
スクの差し換えが可能等が挙げられる。光記録媒体は、
この様な特徴を有するため活発な研究、開発が進められ
ている。
【0003】光記録媒体には再生専用型、追記型、書換
型の3タイプがありユーザの使用目的により光記録媒体
の使い分けがなされている。書換型光記録媒体では、レ
ーザー光線の波長またはレーザー光線による熱を利用し
て記録膜に光学定数の差が生じるような変化をおこすこ
とで情報の記録・消去・再生をおこなっている。
型の3タイプがありユーザの使用目的により光記録媒体
の使い分けがなされている。書換型光記録媒体では、レ
ーザー光線の波長またはレーザー光線による熱を利用し
て記録膜に光学定数の差が生じるような変化をおこすこ
とで情報の記録・消去・再生をおこなっている。
【0004】以下に従来の光記録媒体について説明す
る。図7は従来の光記録媒体の基本構成を示す要部断面
図である。
る。図7は従来の光記録媒体の基本構成を示す要部断面
図である。
【0005】51は光記録媒体、52はポリカーボネー
ト樹脂,アクリル樹脂,エポキシ樹脂,ガラス,アルミ
ニウム,セラミックス等で形成される基板、53は下部
誘電体膜、54は記録膜、55は上部誘電体膜、56は
反射膜、57は紫外線硬化樹脂層、58は下部誘電体膜
53と記録膜54と上部誘電体膜55と反射膜56とか
ら構成される積層薄膜である。
ト樹脂,アクリル樹脂,エポキシ樹脂,ガラス,アルミ
ニウム,セラミックス等で形成される基板、53は下部
誘電体膜、54は記録膜、55は上部誘電体膜、56は
反射膜、57は紫外線硬化樹脂層、58は下部誘電体膜
53と記録膜54と上部誘電体膜55と反射膜56とか
ら構成される積層薄膜である。
【0006】以上のように構成された従来の光記録媒体
について、以下その記録方式を説明する。
について、以下その記録方式を説明する。
【0007】光記録媒体のなかで情報の記録・再生・消
去が可能で大記録容量の書換型の光記録媒体の記録方式
としては、光磁気記録方式、フォトンモード記録方式、
相変化記録方式の3タイプがある。
去が可能で大記録容量の書換型の光記録媒体の記録方式
としては、光磁気記録方式、フォトンモード記録方式、
相変化記録方式の3タイプがある。
【0008】図8は従来の一般的な光磁気記録方式を示
す模式図である。60はレーザー光線、61は光記録媒
体51にレーザー光線60を集光して照射する対物レン
ズ、62は磁石である。
す模式図である。60はレーザー光線、61は光記録媒
体51にレーザー光線60を集光して照射する対物レン
ズ、62は磁石である。
【0009】光磁気記録方式は、レーザー光線60を光
記録媒体51に照射することで垂直磁化膜である記録膜
54がレーザー光線60による熱によりキューリ点温度
以上に加熱され、加熱された部分にレーザー光線60と
は反対側にある磁石62により外部磁界をかけ垂直磁化
膜の磁化の向きを外部磁界と同じ向きに反転させること
で記録が行われ、消去には記録したときと逆の外部磁界
をかけることで消去を行い、また再生には記録膜54の
磁気光学効果であるカー効果を利用して行う記録・再生
を行っている。
記録媒体51に照射することで垂直磁化膜である記録膜
54がレーザー光線60による熱によりキューリ点温度
以上に加熱され、加熱された部分にレーザー光線60と
は反対側にある磁石62により外部磁界をかけ垂直磁化
膜の磁化の向きを外部磁界と同じ向きに反転させること
で記録が行われ、消去には記録したときと逆の外部磁界
をかけることで消去を行い、また再生には記録膜54の
磁気光学効果であるカー効果を利用して行う記録・再生
を行っている。
【0010】次にフォトンモード記録方式について説明
する。図9は従来の一般的なフォトンモード記録方式を
示す模式図である。図中54aはフォトクロミック材料
で成膜されたフォトクロミック層である。
する。図9は従来の一般的なフォトンモード記録方式を
示す模式図である。図中54aはフォトクロミック材料
で成膜されたフォトクロミック層である。
【0011】フォトンモード記録方式は、異なる波長の
レーザー光線60をフォトクロミック層54aに照射し
フォトクロミック層54aのレーザー光線60の波長依
存性によっておこる光化学反応を利用して記録・消去・
再生を行っている。
レーザー光線60をフォトクロミック層54aに照射し
フォトクロミック層54aのレーザー光線60の波長依
存性によっておこる光化学反応を利用して記録・消去・
再生を行っている。
【0012】次に、相変化記録方式について説明する。
図10は従来の一般的な相変化記録方式を示す模式図で
ある。図中、54bは相変化記録膜である。
図10は従来の一般的な相変化記録方式を示す模式図で
ある。図中、54bは相変化記録膜である。
【0013】相変化記録方式は、記録パワーでレーザー
光線60を相変化記録膜54bに照射するとレーザー光
線60の熱により相変化記録膜54bが融点以上に加熱
され融解し、次いで急冷されることで非晶質になり、ま
た消去パワーで相変化記録膜54bにレーザー光線60
を照射すると相変化記録膜54bが結晶化温度以上に加
熱され、相変化記録膜54bが結晶状態になることを利
用して情報の記録・消去を行い、情報の再生は、記録パ
ワーや消去パワーよりも低いレーザー光線60のパワー
を相変化記録膜54bに照射し相変化記録膜54bの非
晶質、結晶状態での光学定数の差を利用して行ってい
る。
光線60を相変化記録膜54bに照射するとレーザー光
線60の熱により相変化記録膜54bが融点以上に加熱
され融解し、次いで急冷されることで非晶質になり、ま
た消去パワーで相変化記録膜54bにレーザー光線60
を照射すると相変化記録膜54bが結晶化温度以上に加
熱され、相変化記録膜54bが結晶状態になることを利
用して情報の記録・消去を行い、情報の再生は、記録パ
ワーや消去パワーよりも低いレーザー光線60のパワー
を相変化記録膜54bに照射し相変化記録膜54bの非
晶質、結晶状態での光学定数の差を利用して行ってい
る。
【0014】以上説明したように従来の書換型の光記録
媒体は、レーザー光線60のヒートモード、フォトンモ
ードのいずれかを利用して情報の記録・消去を行い、再
生は、記録膜54の光学定数の差を利用しておこなって
いる。
媒体は、レーザー光線60のヒートモード、フォトンモ
ードのいずれかを利用して情報の記録・消去を行い、再
生は、記録膜54の光学定数の差を利用しておこなって
いる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光記録媒体では、記録容量は末だ不十分で、光記録
媒体の記録容量の向上が求められている。
来の光記録媒体では、記録容量は末だ不十分で、光記録
媒体の記録容量の向上が求められている。
【0016】そこで光記録媒体の記録密度を向上させる
方法として、1)レーザー光線の短波長化,2)対物レ
ンズの高NA化,3)ディスクの狭トラックピッチ化,
4)マークエッジ記録,等により書換型の光記録媒体の
高記録密度化が検討されているが、光記録媒体の多値記
録による高記録密度化は検討がなされていない。
方法として、1)レーザー光線の短波長化,2)対物レ
ンズの高NA化,3)ディスクの狭トラックピッチ化,
4)マークエッジ記録,等により書換型の光記録媒体の
高記録密度化が検討されているが、光記録媒体の多値記
録による高記録密度化は検討がなされていない。
【0017】本発明は、多値記録による従来よりも高密
度記録が可能で大記録容量の書換型の光記録媒体を提供
することを目的とする。
度記録が可能で大記録容量の書換型の光記録媒体を提供
することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明による光記録媒体は、以下の構成を有してい
る。
に本発明による光記録媒体は、以下の構成を有してい
る。
【0019】請求項1に記載の光記録媒体は、基板と、
前記基板上に形成された記録層と、前記記録層の上面に
形成された紫外線硬化樹脂層等からなる保護層と、を備
えた光記録媒体であって、前記記録層が、相変化記録膜
と、フォトクロミック層と、を備えている構成を有して
いる。
前記基板上に形成された記録層と、前記記録層の上面に
形成された紫外線硬化樹脂層等からなる保護層と、を備
えた光記録媒体であって、前記記録層が、相変化記録膜
と、フォトクロミック層と、を備えている構成を有して
いる。
【0020】請求項2に記載の光記録媒体は、請求項1
において、前記記録層の前記相変化記録膜と前記フォト
クロミック層との間に成膜された誘電体層を備えている
構成を有している。
において、前記記録層の前記相変化記録膜と前記フォト
クロミック層との間に成膜された誘電体層を備えている
構成を有している。
【0021】請求項3に記載の光記録媒体は、請求項1
又は2の内いずれか1において、前記記録層と、前記保
護層との間に成膜された反射膜を備えている構成を有し
ている。
又は2の内いずれか1において、前記記録層と、前記保
護層との間に成膜された反射膜を備えている構成を有し
ている。
【0022】請求項4に記載の光記録媒体は、請求項3
において、前記記録層と前記反射膜との間に成膜された
誘電体層を備えている構成を有している。
において、前記記録層と前記反射膜との間に成膜された
誘電体層を備えている構成を有している。
【0023】請求項5に記載の光記録媒体は、請求項1
乃至4の内いずれか1において、前記基板と前記記録層
との間に成膜された誘電体層を備えている構成を有して
いる。
乃至4の内いずれか1において、前記基板と前記記録層
との間に成膜された誘電体層を備えている構成を有して
いる。
【0024】請求項6に記載の光記録媒体は、請求項1
乃至5の内いずれか1に記載された光記録媒体の各々を
対向させ前記保護層を介して両外面に前記基板が位置す
るように積層して形成された構成を有している。
乃至5の内いずれか1に記載された光記録媒体の各々を
対向させ前記保護層を介して両外面に前記基板が位置す
るように積層して形成された構成を有している。
【0025】ここで、フォトクロミック層を構成するフ
ォトクロミック材料としては、レーザー光線の波長によ
り発色状態が変化する材料が用いられ、そのような材料
としてはスピロピラン系、アゾベンゼン系、ジアリール
エテン系、フルギド系等がある。
ォトクロミック材料としては、レーザー光線の波長によ
り発色状態が変化する材料が用いられ、そのような材料
としてはスピロピラン系、アゾベンゼン系、ジアリール
エテン系、フルギド系等がある。
【0026】相変化記録膜の材料としては、結晶と非晶
質との間で可逆的に相変化する材料が選ばれ、このよう
な材料としてGe−Te,Ge−Sb−Te,Ge−T
e−S,Ge−Se−Sb,In−Sb−Te,Ge−
As−Se,In−Te,Se−Te,Se−As,I
n−Sb等が好適に用いられる。
質との間で可逆的に相変化する材料が選ばれ、このよう
な材料としてGe−Te,Ge−Sb−Te,Ge−T
e−S,Ge−Se−Sb,In−Sb−Te,Ge−
As−Se,In−Te,Se−Te,Se−As,I
n−Sb等が好適に用いられる。
【0027】誘電体層の材料としては、ZnS・SiO
2 ,SiO2 ,SiO,TiO2 ,Ta2 O5 ,Mg
O,GeO2 ,Si3 N4 ,BN,AlN,ZnS,Z
nSe,ZnTe,PbS等が好適に用いられる。誘電
体層に求められる機能としては記録層との良好な密着性
があり、又、レーザー光線の照射の際、熱より生じる記
録層の流動化または湿度等による記録層の劣化を抑制す
ることが要求される。
2 ,SiO2 ,SiO,TiO2 ,Ta2 O5 ,Mg
O,GeO2 ,Si3 N4 ,BN,AlN,ZnS,Z
nSe,ZnTe,PbS等が好適に用いられる。誘電
体層に求められる機能としては記録層との良好な密着性
があり、又、レーザー光線の照射の際、熱より生じる記
録層の流動化または湿度等による記録層の劣化を抑制す
ることが要求される。
【0028】反射膜の材料としては、Al,Al−C
r,Au,Cu等が用いられる。機能としては、再生信
号のエンハンス効果およびレーザー光線の照射により生
じる熱の拡散効果等が求められる。
r,Au,Cu等が用いられる。機能としては、再生信
号のエンハンス効果およびレーザー光線の照射により生
じる熱の拡散効果等が求められる。
【0029】フォトクロミック層は、スピンコータによ
り成膜されるが、相変化記録膜、誘電体層、反射膜とい
った薄膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプ
レーティング法、プラズマCVD法、光CVD法、スパ
ッタリング法等によって形成される。中でもArガスに
よるスパッタリング法が好適に用いられるが、薄膜材料
によっては(Ar+N2 )ガス、(Ar+H2 )ガス、
N2 ガス、H2 ガスによるスパッタリング法を用いても
よい。
り成膜されるが、相変化記録膜、誘電体層、反射膜とい
った薄膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンプ
レーティング法、プラズマCVD法、光CVD法、スパ
ッタリング法等によって形成される。中でもArガスに
よるスパッタリング法が好適に用いられるが、薄膜材料
によっては(Ar+N2 )ガス、(Ar+H2 )ガス、
N2 ガス、H2 ガスによるスパッタリング法を用いても
よい。
【0030】両面記録が可能な光記録媒体を作製する方
法としては、例えば、基板に上記した方法で記録層、誘
電体層、反射膜を順次形成し、その上にスピンコータに
より紫外線硬化樹脂を塗布し硬化させ保護層を形成した
後、保護層の上に接着剤を塗布し光記録媒体の貼り合わ
せを行って作製する方法等が用いられる。尚、その際に
用いる接着剤としては、ホットメルトタイプが一般によ
く知られている。
法としては、例えば、基板に上記した方法で記録層、誘
電体層、反射膜を順次形成し、その上にスピンコータに
より紫外線硬化樹脂を塗布し硬化させ保護層を形成した
後、保護層の上に接着剤を塗布し光記録媒体の貼り合わ
せを行って作製する方法等が用いられる。尚、その際に
用いる接着剤としては、ホットメルトタイプが一般によ
く知られている。
【0031】光記録媒体の表面に潤滑剤または帯電防止
剤を塗布してもかまわない。
剤を塗布してもかまわない。
【0032】
【作用】この構成によって、本発明による光記録媒体
は、レーザー光線のヒートモードにより記録・消去をお
こなう相変化記録膜とレーザー光線のフォトンモードに
より記録・消去をおこなうフォトクロミック層を組み合
わせて記録層としたので、レーザー光線の波長と出力を
以下のように変調させることにより多値記録を行うこと
ができる。
は、レーザー光線のヒートモードにより記録・消去をお
こなう相変化記録膜とレーザー光線のフォトンモードに
より記録・消去をおこなうフォトクロミック層を組み合
わせて記録層としたので、レーザー光線の波長と出力を
以下のように変調させることにより多値記録を行うこと
ができる。
【0033】図1は本発明の記録層の多値記録状態を示
す模式図である。(i)はフォトクロミック層、(ii)
はフォトクロミック層(i)上に積層された相変化記録
膜である。
す模式図である。(i)はフォトクロミック層、(ii)
はフォトクロミック層(i)上に積層された相変化記録
膜である。
【0034】(1)記録状態1:レーザー光線をフォト
クロミック層(i)が記録状態になるレーザー光線の波
長で、しかも相変化記録膜(ii)が相変化を起こさない
低パワーで照射されたとき、図1の〔記録状態1〕に示
されるようにフォトクロミック層(i)はレーザー光線
の波長により記録状態(消色状態A)になるが、その上
に積層された相変化記録膜(ii)はレーザー光線のパワ
ーが低いため相変化を起こさず、結晶状態Cのままであ
る。すなわち、記録層におけるフォトクロミック層
(i)は記録状態で、相変化記録膜(ii)は消去状態と
なる。
クロミック層(i)が記録状態になるレーザー光線の波
長で、しかも相変化記録膜(ii)が相変化を起こさない
低パワーで照射されたとき、図1の〔記録状態1〕に示
されるようにフォトクロミック層(i)はレーザー光線
の波長により記録状態(消色状態A)になるが、その上
に積層された相変化記録膜(ii)はレーザー光線のパワ
ーが低いため相変化を起こさず、結晶状態Cのままであ
る。すなわち、記録層におけるフォトクロミック層
(i)は記録状態で、相変化記録膜(ii)は消去状態と
なる。
【0035】(2)記録状態2:レーザー光線をフォト
クロミック層(i)が記録状態(消色状態A)になるレ
ーザー光線の波長でしかも相変化記録膜(ii)が相変化
を起こす高パワーで照射された時、図1の〔記録状態
2〕に示されるように相変化記録膜(ii)は、レーザー
光線の熱により結晶状態Cから非晶質状態Dに変化し、
その下のフォトクロミック層(i)もレーザー光線の波
長により記録状態(消色状態A)となる。すなわち、フ
ォトクロミック層(i)、相変化記録膜(ii)のいずれ
もが記録状態となる。
クロミック層(i)が記録状態(消色状態A)になるレ
ーザー光線の波長でしかも相変化記録膜(ii)が相変化
を起こす高パワーで照射された時、図1の〔記録状態
2〕に示されるように相変化記録膜(ii)は、レーザー
光線の熱により結晶状態Cから非晶質状態Dに変化し、
その下のフォトクロミック層(i)もレーザー光線の波
長により記録状態(消色状態A)となる。すなわち、フ
ォトクロミック層(i)、相変化記録膜(ii)のいずれ
もが記録状態となる。
【0036】(3)記録状態3:レーザー光線をフォト
クロミック層(i)が消去状態(発色状態B)になるレ
ーザー光線の波長でしかも相変化記録膜(ii)が相変化
を起こさない低パワーで照射された時、図1の〔記録状
態3〕に示されるようにフォトクロミック層(i)は、
レーザー光線の波長により消去状態(発色状態B)とな
り、その上に積層された相変化記録膜(ii)はレーザー
光線のパワーが低いことから相変化を起こさない。すな
わち、フォトクロミック層(i)、相変化記録膜(ii)
のいずれも消去状態となる。
クロミック層(i)が消去状態(発色状態B)になるレ
ーザー光線の波長でしかも相変化記録膜(ii)が相変化
を起こさない低パワーで照射された時、図1の〔記録状
態3〕に示されるようにフォトクロミック層(i)は、
レーザー光線の波長により消去状態(発色状態B)とな
り、その上に積層された相変化記録膜(ii)はレーザー
光線のパワーが低いことから相変化を起こさない。すな
わち、フォトクロミック層(i)、相変化記録膜(ii)
のいずれも消去状態となる。
【0037】(4)記録状態4:レーザー光線をフォト
クロミック層(i)が消去状態(発色状態B)になるレ
ーザー光線の波長でしかも相変化記録膜(ii)が相変化
を起こす高パワーで照射された時、図1の〔記録状態
4〕に示されるようにフォトクロミック層(i)は、レ
ーザー光線の波長により消去状態(発色状態B)とな
り、その上に積層された相変化記録膜(ii)はレーザー
光線の熱により相変化を起こし、結晶状態Cから非晶質
状態Dに変化する。すなわち、フォトクロミック層
(i)は消去状態で、相変化記録膜(ii)は記録状態と
なる。
クロミック層(i)が消去状態(発色状態B)になるレ
ーザー光線の波長でしかも相変化記録膜(ii)が相変化
を起こす高パワーで照射された時、図1の〔記録状態
4〕に示されるようにフォトクロミック層(i)は、レ
ーザー光線の波長により消去状態(発色状態B)とな
り、その上に積層された相変化記録膜(ii)はレーザー
光線の熱により相変化を起こし、結晶状態Cから非晶質
状態Dに変化する。すなわち、フォトクロミック層
(i)は消去状態で、相変化記録膜(ii)は記録状態と
なる。
【0038】以上のようにフォトクロミック層(i)と
相変化記録膜(ii)を組み合わせることにより4タイプ
の記録状態を生じさせることができるので、光記録媒体
において多値記録を行うことができる。
相変化記録膜(ii)を組み合わせることにより4タイプ
の記録状態を生じさせることができるので、光記録媒体
において多値記録を行うことができる。
【0039】尚、上記記録状態の消去は、記録時と同様
にレーザー光線の波長または出力を変化させることで消
去を行うことができる。
にレーザー光線の波長または出力を変化させることで消
去を行うことができる。
【0040】また、再生は、フォトクロミック層(i)
が反応しないレーザー光線の波長でしかも相変化記録膜
(ii)が相変化を起こさない低パワーの出力で行うこと
により再生できる。
が反応しないレーザー光線の波長でしかも相変化記録膜
(ii)が相変化を起こさない低パワーの出力で行うこと
により再生できる。
【0041】成膜された光記録媒体をホットメルタイプ
の接着剤で貼り合わせることにより両面記録をおこなう
光記録媒体を作成することが可能である。
の接着剤で貼り合わせることにより両面記録をおこなう
光記録媒体を作成することが可能である。
【0042】
【実施例】以下に、本発明の一実施例について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【0043】(実施例1)図2は本発明の第1実施例に
おける光記録媒体の基本構成を示す要部断面図である。
おける光記録媒体の基本構成を示す要部断面図である。
【0044】1は表面にトラッキング溝、アドレス及び
セクタマーク等が形成されたポリカーボネート,アクリ
ル樹脂,エポキシ樹脂,ガラス,アルミニウム,セラミ
ックス等からなる基板、2は基板1上に成膜されたフル
ギド化合物等からなるフォトクロミック層、3はフォト
クロミック層2の上にスパッタ装置等で成膜されたGe
−Sb−Te等からなる相変化記録膜、4はフォトクロ
ミック層2と相変化記録膜3の積層膜からなる記録層、
5は記録層4の上面に紫外線硬化樹脂をスピンコータに
より塗布した後紫外線を照射して硬化された保護層であ
る。
セクタマーク等が形成されたポリカーボネート,アクリ
ル樹脂,エポキシ樹脂,ガラス,アルミニウム,セラミ
ックス等からなる基板、2は基板1上に成膜されたフル
ギド化合物等からなるフォトクロミック層、3はフォト
クロミック層2の上にスパッタ装置等で成膜されたGe
−Sb−Te等からなる相変化記録膜、4はフォトクロ
ミック層2と相変化記録膜3の積層膜からなる記録層、
5は記録層4の上面に紫外線硬化樹脂をスピンコータに
より塗布した後紫外線を照射して硬化された保護層であ
る。
【0045】以上のように構成された光記録媒体につい
て、以下その製造方法について説明する。
て、以下その製造方法について説明する。
【0046】1.6μmピッチのトラック溝等が形成さ
れた直径が86mmのポリカーボネート製等の基板1をス
ピンコータにセットし、フォトクロミック材料であるフ
ルギド化合物を3000rpmの回転数で塗布してフォ
トクロミック層を形成する。フォトクロミック層2が塗
布された基板1をRFマグネトロンスパッタ装置にセッ
トし、チャンバー内を5×10-7Torrの高真空にす
る。次にチャンバー内にArガスを導入し、スパッタを
行いGe−Sb−Teの相変化記録膜材料を略20nm
の厚さで成膜し相変化記録膜3を形成する。このように
して形成された記録層4の上に紫外線硬化樹脂をスピン
コータに略10μmの厚さで塗布した後、紫外線を照射
し硬化させて保護層5を形成する。その後、基板1の表
面にスピンコータにより潤滑剤、または帯電防止剤を塗
布してもかまわない。
れた直径が86mmのポリカーボネート製等の基板1をス
ピンコータにセットし、フォトクロミック材料であるフ
ルギド化合物を3000rpmの回転数で塗布してフォ
トクロミック層を形成する。フォトクロミック層2が塗
布された基板1をRFマグネトロンスパッタ装置にセッ
トし、チャンバー内を5×10-7Torrの高真空にす
る。次にチャンバー内にArガスを導入し、スパッタを
行いGe−Sb−Teの相変化記録膜材料を略20nm
の厚さで成膜し相変化記録膜3を形成する。このように
して形成された記録層4の上に紫外線硬化樹脂をスピン
コータに略10μmの厚さで塗布した後、紫外線を照射
し硬化させて保護層5を形成する。その後、基板1の表
面にスピンコータにより潤滑剤、または帯電防止剤を塗
布してもかまわない。
【0047】また、両面記録の光記録媒体を作製する場
合は、保護層5の上にホットメルトタイプの接着剤を塗
布し光記録媒体の貼り合わせをおこなって作製する。
合は、保護層5の上にホットメルトタイプの接着剤を塗
布し光記録媒体の貼り合わせをおこなって作製する。
【0048】(実験例1)上記のようにして得られた第
1実施例の光記録媒体を用い、3つの異なる波長のレー
ザー光線で、出力を変調させて記録・再生試験を行っ
た。
1実施例の光記録媒体を用い、3つの異なる波長のレー
ザー光線で、出力を変調させて記録・再生試験を行っ
た。
【0049】実験方法としては、静止特性評価装置に第
1実施例の光記録媒体をセットし、フォトクロミック層
2の記録用レーザー光線としてArレーザー光線(51
4nm)、消去用のレーザー光線としてN2 レーザー光
線(337nm)、再生用のレーザー光線として半導体
レーザー光線(830nm)を用い、レーザー光線の出
力を1mW〜12mWの範囲で変調させて反射光量の測
定を行った。
1実施例の光記録媒体をセットし、フォトクロミック層
2の記録用レーザー光線としてArレーザー光線(51
4nm)、消去用のレーザー光線としてN2 レーザー光
線(337nm)、再生用のレーザー光線として半導体
レーザー光線(830nm)を用い、レーザー光線の出
力を1mW〜12mWの範囲で変調させて反射光量の測
定を行った。
【0050】Arレーザー光線(514nm)を5mW
の出力で光記録媒体に照射した時、フルギド化合物で形
成されたフォトクロミック層2は消色状態(記録状態)
になり、相変化記録膜3は結晶状態(消去状態)のまま
で、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線(8
30nm)の1mWの出力で反射光量を測定した時の反
射光量は42%であった。また、Arレーザー光線(5
14nm)を12mWの出力で光記録媒体に照射した
時、フルギド化合物で形成されたフォトクロミック層2
は消色状態(記録状態)になり、相変化記録膜3は高パ
ワーのレーザー光線の熱により結晶状態から非晶質状態
(記録状態)となり、再生用レーザー光線である半導体
レーザー光線(830nm)の1mWの出力で反射光量
を測定したときの反射光量は33%であった。
の出力で光記録媒体に照射した時、フルギド化合物で形
成されたフォトクロミック層2は消色状態(記録状態)
になり、相変化記録膜3は結晶状態(消去状態)のまま
で、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線(8
30nm)の1mWの出力で反射光量を測定した時の反
射光量は42%であった。また、Arレーザー光線(5
14nm)を12mWの出力で光記録媒体に照射した
時、フルギド化合物で形成されたフォトクロミック層2
は消色状態(記録状態)になり、相変化記録膜3は高パ
ワーのレーザー光線の熱により結晶状態から非晶質状態
(記録状態)となり、再生用レーザー光線である半導体
レーザー光線(830nm)の1mWの出力で反射光量
を測定したときの反射光量は33%であった。
【0051】次に、N2 レーザー光線(337nm)を
5mWの出力で光記録媒体に照射した時、フルギド化合
物で形成されたフォトクロミック層2は発色状態(消去
状態)になり、相変化記録膜3は結晶状態(消去状態)
となり、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線
(830nm)の1mWの出力で反射光量を測定したと
きの反射光量は25%であった。また、N2 レーザー光
線(337nm)を12mWの出力で光記録媒体に照射
した時、フォトクロミック層2は発色状態(消去状態)
になり、相変化記録膜3は高パワーの再生用レーザー光
線の熱により非晶質状態(記録状態)となり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は9
%であった。このことから、レーザー光線の波長及び出
力を変調することにより4タイプの反射光量、すなわち
4タイプの記録状態が可能なことが確認された。
5mWの出力で光記録媒体に照射した時、フルギド化合
物で形成されたフォトクロミック層2は発色状態(消去
状態)になり、相変化記録膜3は結晶状態(消去状態)
となり、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線
(830nm)の1mWの出力で反射光量を測定したと
きの反射光量は25%であった。また、N2 レーザー光
線(337nm)を12mWの出力で光記録媒体に照射
した時、フォトクロミック層2は発色状態(消去状態)
になり、相変化記録膜3は高パワーの再生用レーザー光
線の熱により非晶質状態(記録状態)となり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は9
%であった。このことから、レーザー光線の波長及び出
力を変調することにより4タイプの反射光量、すなわち
4タイプの記録状態が可能なことが確認された。
【0052】(実施例2)図3は本発明の第2実施例に
おける光記録媒体の基本構成を示す要部断面図である。
図1の第1実施例の光記録媒体と異なる点は、記録層4
の上面に形成されたAl層等からなる反射膜6が形成さ
れている点である。
おける光記録媒体の基本構成を示す要部断面図である。
図1の第1実施例の光記録媒体と異なる点は、記録層4
の上面に形成されたAl層等からなる反射膜6が形成さ
れている点である。
【0053】以上のように構成された第2実施例の光記
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
【0054】1.6μmピッチのトラック溝が形成され
た直径86mmのポリカーボネート製等の基板1をスピン
コータにセットし、フォトクロミック材料であるフルギ
ド化合物を3000rpmの回転数で塗布する。フォト
クロミック層2が塗布された基板1をRFマグネトロン
スパッタ装置にセットし、チャンバー内を5×10-7T
orrの高真空にする。次に、チャンバー内にArガス
を導入し、スパッタを行いGe−Sb−Teを略20n
mの厚みで成膜し相変化記録膜3を形成し、次いで連続
してAlを略100nmの厚みで成膜し反射膜6を連続
して成膜する。このようにして形成された記録層4、反
射膜6の上に紫外線硬化樹脂をスピンコータにより略1
0μmの厚みで塗布した後紫外線を照射し硬化させ保護
層5を形成する。その後、基板1の表面にスピンコータ
により潤滑剤、又は帯電防止剤を塗布してもかまわな
い。また、両面記録の光記録媒体を作製する場合は、保
護層5の上にホットメルトタイプの接着剤を塗布し光記
録媒体を貼り合わせて作製する。次に、この光記録媒体
に対し、3つの異なる波長のレーザー光線を用い、出力
を変調させて記録・再生を行った結果について説明す
る。
た直径86mmのポリカーボネート製等の基板1をスピン
コータにセットし、フォトクロミック材料であるフルギ
ド化合物を3000rpmの回転数で塗布する。フォト
クロミック層2が塗布された基板1をRFマグネトロン
スパッタ装置にセットし、チャンバー内を5×10-7T
orrの高真空にする。次に、チャンバー内にArガス
を導入し、スパッタを行いGe−Sb−Teを略20n
mの厚みで成膜し相変化記録膜3を形成し、次いで連続
してAlを略100nmの厚みで成膜し反射膜6を連続
して成膜する。このようにして形成された記録層4、反
射膜6の上に紫外線硬化樹脂をスピンコータにより略1
0μmの厚みで塗布した後紫外線を照射し硬化させ保護
層5を形成する。その後、基板1の表面にスピンコータ
により潤滑剤、又は帯電防止剤を塗布してもかまわな
い。また、両面記録の光記録媒体を作製する場合は、保
護層5の上にホットメルトタイプの接着剤を塗布し光記
録媒体を貼り合わせて作製する。次に、この光記録媒体
に対し、3つの異なる波長のレーザー光線を用い、出力
を変調させて記録・再生を行った結果について説明す
る。
【0055】(実験例2)上記のようにして得られた第
2実施例の光記録媒体を用い、第1実施例で使用したレ
ーザー光線を用い、出力を1mW〜12mWまで変調さ
せて反射光量の測定を行った。
2実施例の光記録媒体を用い、第1実施例で使用したレ
ーザー光線を用い、出力を1mW〜12mWまで変調さ
せて反射光量の測定を行った。
【0056】Arレーザー光線(514nm)を5mW
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)であり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
7%であった。Arレーザー光線(514nm)を12
mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミッ
ク層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)にな
り、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱によ
り結晶状態から非晶質状態(記録状態)となり、再生用
レーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)
の1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は
37%であった。次に、N2 レーザー光線(337n
m)を5mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォト
クロミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状
態)になり、相変化記録膜3も結晶状態(消去状態)と
なり、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線
(830nm)の1mWの出力で反射光量を測定したと
きの反射光量は31%であった。また、N2 レーザー光
線(337nm)を12mWの出力で光記録媒体に照射
した時、フォトクロミック層2のフルギド化合物は発色
状態(消去状態)になり、相変化記録膜3は高パワーの
レーザー光線の熱により非晶質状態(記録状態)とな
り、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線(8
30nm)の1mWの出力で反射光量を測定したときの
反射光量は17%であった。
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)であり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
7%であった。Arレーザー光線(514nm)を12
mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミッ
ク層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)にな
り、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱によ
り結晶状態から非晶質状態(記録状態)となり、再生用
レーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)
の1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は
37%であった。次に、N2 レーザー光線(337n
m)を5mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォト
クロミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状
態)になり、相変化記録膜3も結晶状態(消去状態)と
なり、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線
(830nm)の1mWの出力で反射光量を測定したと
きの反射光量は31%であった。また、N2 レーザー光
線(337nm)を12mWの出力で光記録媒体に照射
した時、フォトクロミック層2のフルギド化合物は発色
状態(消去状態)になり、相変化記録膜3は高パワーの
レーザー光線の熱により非晶質状態(記録状態)とな
り、再生用レーザー光線である半導体レーザー光線(8
30nm)の1mWの出力で反射光量を測定したときの
反射光量は17%であった。
【0057】このことから、第2実施例の光記録媒体に
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より、4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状
態が可能なことが確認された。
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より、4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状
態が可能なことが確認された。
【0058】(実施例3)図4は本発明の第3実施例に
おける光記録媒体の要部断面図である。図3の第2実施
例の光記録媒体と異なる点は、記録層4と反射膜6の間
にZnS・SiO 2 等からなる誘電体層7が積層されて
いる点である。
おける光記録媒体の要部断面図である。図3の第2実施
例の光記録媒体と異なる点は、記録層4と反射膜6の間
にZnS・SiO 2 等からなる誘電体層7が積層されて
いる点である。
【0059】以上のように構成された第3実施例の光記
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
【0060】1.6μmピッチのトラック溝が形成され
た直径86mmのポリカーボネート製の基板1上にスピン
コータによりフォトクロミック層2であるフルギド化合
物を3000rpmの回転数で塗布する。フォトクロミ
ック層2が塗布された基板1をRFマグネトロンスパッ
タ装置にセットし、チャンバー内を5×10-7Torr
の高真空にする。次に、チャンバー内にArガスを導入
し、スパッタを行いGe−Sb−Teを−略20nmの
厚みで成膜し相変化記録膜3を形成し、次いで、ZnS
・SiO2 を用いて誘電体層7を略20nmの厚みで、
次いで連続してAlを略100nmの厚みで成膜し反射
膜6を連続して成膜する。このようにして形成された記
録層4、誘電体層7、反射膜6の上に紫外線硬化樹脂を
スピンコータにより略10μm塗布した後、紫外線を照
射し硬化させ保護層5を形成する。その後、基板1の表
面にスピンコータにより潤滑剤、または帯電防止剤を塗
布してもかまわない。また、両面記録の光記録媒体を作
製する場合は、保護層5の上にホットメルトタイプの接
着剤を塗布し貼り合わせて作製する。
た直径86mmのポリカーボネート製の基板1上にスピン
コータによりフォトクロミック層2であるフルギド化合
物を3000rpmの回転数で塗布する。フォトクロミ
ック層2が塗布された基板1をRFマグネトロンスパッ
タ装置にセットし、チャンバー内を5×10-7Torr
の高真空にする。次に、チャンバー内にArガスを導入
し、スパッタを行いGe−Sb−Teを−略20nmの
厚みで成膜し相変化記録膜3を形成し、次いで、ZnS
・SiO2 を用いて誘電体層7を略20nmの厚みで、
次いで連続してAlを略100nmの厚みで成膜し反射
膜6を連続して成膜する。このようにして形成された記
録層4、誘電体層7、反射膜6の上に紫外線硬化樹脂を
スピンコータにより略10μm塗布した後、紫外線を照
射し硬化させ保護層5を形成する。その後、基板1の表
面にスピンコータにより潤滑剤、または帯電防止剤を塗
布してもかまわない。また、両面記録の光記録媒体を作
製する場合は、保護層5の上にホットメルトタイプの接
着剤を塗布し貼り合わせて作製する。
【0061】次に、この光記録媒体に対し、3つの異な
る波長のレーザー光線を用い、出力を変調させて記録、
再生を行った結果について説明する。
る波長のレーザー光線を用い、出力を変調させて記録、
再生を行った結果について説明する。
【0062】(実験例3)実験方法としては、第1実施
例で使用したレーザー光線を用い1mW〜12mwまで
出力を変調させて反射光量の測定を行った。
例で使用したレーザー光線を用い1mW〜12mwまで
出力を変調させて反射光量の測定を行った。
【0063】Arレーザー光線(514nm)を5mW
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)であり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
7%であった。Arレーザー光線(514nm)を12
mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミッ
ク層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)にな
り、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱によ
り非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光線
である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの出
力で反射光量を測定したときの反射光量は40%であっ
た。次に、N2 レーザー光線(337nm)を5mWの
出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層2
のフルギド化合物は発色状態(消去状態)になり、相変
化記録膜3も結晶状態(消去状態)となり、再生用レー
ザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の1
mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は32
%であった。また、N2 レーザー光線(337nm)を
12mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロ
ミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)に
なり、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱に
より非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光
線である半導体レーザー光線(830nm)1mWの出
力で反射光量を測定したときの反射光量は15%であっ
た。
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)であり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
7%であった。Arレーザー光線(514nm)を12
mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミッ
ク層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)にな
り、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱によ
り非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光線
である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの出
力で反射光量を測定したときの反射光量は40%であっ
た。次に、N2 レーザー光線(337nm)を5mWの
出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層2
のフルギド化合物は発色状態(消去状態)になり、相変
化記録膜3も結晶状態(消去状態)となり、再生用レー
ザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の1
mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は32
%であった。また、N2 レーザー光線(337nm)を
12mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロ
ミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)に
なり、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱に
より非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光
線である半導体レーザー光線(830nm)1mWの出
力で反射光量を測定したときの反射光量は15%であっ
た。
【0064】このことから、第3実施例の光記録媒体に
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状態
が可能なことが確認された。
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状態
が可能なことが確認された。
【0065】(実施例4)図5は本発明の第4実施例に
おける光記録媒体の要部断面図である。図4の第3実施
例の光記録媒体と異なる点は、記録層4と反射膜6の間
の上部誘電体層7aの他にZnS・SiO2 等で成膜さ
れた下部誘電体層7bが更に基板1と記録層4の間に積
層されている点である。
おける光記録媒体の要部断面図である。図4の第3実施
例の光記録媒体と異なる点は、記録層4と反射膜6の間
の上部誘電体層7aの他にZnS・SiO2 等で成膜さ
れた下部誘電体層7bが更に基板1と記録層4の間に積
層されている点である。
【0066】以上のように構成された第4実施例の光記
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
【0067】1.6μmピッチのトラック溝が形成され
た直径86mmのポリカーボネート基板1をRFマグネト
ロンスパッタ装置にセットし、チャンバー内を5×10
-7Torrの高真空にする。次に、チャンバー内にAr
ガスを導入し、ZnS・SiO2 を用いて下部誘電体層
7bを略100nmの厚みで成膜する。次に、この基板
1をスピンコータにセットしフォトクロミック層2を形
成するフルギド化合物を3000rpmの回転数で塗布
する。更に、この基板1を再びRFマグネトロンスパッ
タ装置内にセットし、チャンバー内を5×10-7Tor
rの高真空にし、チャンバー内にArガスを導入し、ス
パッタを行いGe−Sb−Teを略20nmの厚みで成
膜し相変化記録膜3を形成し、次いで、ZnS・SiO
2 を用いて上部誘電体層7aを略20nmの厚みで、次
いで連続してAlを略100nmの厚みで成膜し反射膜
6を連続して成膜する。このようにして形成された下部
誘電体層7b、記録層4、上部誘電体層7a、反射膜6
の上に保護層5をスピンコータにより略10μmの厚さ
に形成する。その後、基板1の表面にスピンコータによ
り潤滑剤、または帯電防止剤を塗布してもかまわない。
また、両面記録の光記録媒体を作製する場合は、保護層
5,5間にホットメルトタイプの接着剤を塗布し貼り合
わせて作製する。
た直径86mmのポリカーボネート基板1をRFマグネト
ロンスパッタ装置にセットし、チャンバー内を5×10
-7Torrの高真空にする。次に、チャンバー内にAr
ガスを導入し、ZnS・SiO2 を用いて下部誘電体層
7bを略100nmの厚みで成膜する。次に、この基板
1をスピンコータにセットしフォトクロミック層2を形
成するフルギド化合物を3000rpmの回転数で塗布
する。更に、この基板1を再びRFマグネトロンスパッ
タ装置内にセットし、チャンバー内を5×10-7Tor
rの高真空にし、チャンバー内にArガスを導入し、ス
パッタを行いGe−Sb−Teを略20nmの厚みで成
膜し相変化記録膜3を形成し、次いで、ZnS・SiO
2 を用いて上部誘電体層7aを略20nmの厚みで、次
いで連続してAlを略100nmの厚みで成膜し反射膜
6を連続して成膜する。このようにして形成された下部
誘電体層7b、記録層4、上部誘電体層7a、反射膜6
の上に保護層5をスピンコータにより略10μmの厚さ
に形成する。その後、基板1の表面にスピンコータによ
り潤滑剤、または帯電防止剤を塗布してもかまわない。
また、両面記録の光記録媒体を作製する場合は、保護層
5,5間にホットメルトタイプの接着剤を塗布し貼り合
わせて作製する。
【0068】次に、この光記録媒体に対し3つの異なる
波長のレーザー光線を用い、出力を変調させて記録、再
生を行った結果について説明する。
波長のレーザー光線を用い、出力を変調させて記録、再
生を行った結果について説明する。
【0069】(実験例4)実験方法としては、第1実施
例で使用したレーザー光線を用い1mW〜12mWまで
出力を変調させて反射光量の測定を行った。
例で使用したレーザー光線を用い1mW〜12mWまで
出力を変調させて反射光量の測定を行った。
【0070】Arレーザー光線(514nm)を5mW
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)となり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
5%であった。Arレーザー光線(514nm)を12
mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミッ
ク層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)にな
り、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱によ
り非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光線
である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの出
力で反射光量を測定したときの反射光量は39%であっ
た。次に、N2 レーザー光線(337nm)を5mWの
出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層2
のフルギド化合物は発色状態(消去状態)になり、相変
化記録膜3も結晶状態(消去状態)となり、再生用レー
ザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の1
mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は32
%であった。また、N2 レーザー光線(337nm)を
12mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロ
ミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)に
なり、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱に
より非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光
線である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの
出力で反射光量を測定したときの反射光量は13%であ
った。
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)となり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
5%であった。Arレーザー光線(514nm)を12
mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミッ
ク層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)にな
り、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱によ
り非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光線
である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの出
力で反射光量を測定したときの反射光量は39%であっ
た。次に、N2 レーザー光線(337nm)を5mWの
出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層2
のフルギド化合物は発色状態(消去状態)になり、相変
化記録膜3も結晶状態(消去状態)となり、再生用レー
ザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の1
mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は32
%であった。また、N2 レーザー光線(337nm)を
12mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロ
ミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)に
なり、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱に
より非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光
線である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの
出力で反射光量を測定したときの反射光量は13%であ
った。
【0071】このことから、第4実施例の光記録媒体に
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状態
が可能なことが確認された。
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状態
が可能なことが確認された。
【0072】(実施例5)図6は本発明の第5実施例に
おける光記録媒体の要部断面図である。図5の第4実施
例の光記録媒体と異なる点は、ZnS・SiO2 等で成
膜された中間誘電体層7cがフォトクロミック層2と相
変化記録膜3の間に積層されている点である。
おける光記録媒体の要部断面図である。図5の第4実施
例の光記録媒体と異なる点は、ZnS・SiO2 等で成
膜された中間誘電体層7cがフォトクロミック層2と相
変化記録膜3の間に積層されている点である。
【0073】以上のように構成された第5実施例の光記
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
録媒体について、以下その製造方法について説明する。
【0074】1.6μmピッチのトラック溝が形成され
た直径86mmのポリカーボネート基板1をRFマグネト
ロンスパッタ装置にセットし、チャンバー内を5×10
-7Torrの高真空にする。次に、チャンバー内にAr
ガスを導入し、スパッタを行いZnS・SiO2 を用い
て下部誘電体層7bを略100nmの厚みで成膜する。
次に、この基板1をスピンコータにセットしフォトクロ
ミック層2を形成するフルギド化合物を3000rpm
の回転数で塗布する。更に、この基板1を再びRFマグ
ネトロンスパッタ装置内にセットし、チャンバー内を5
×10-7Torrの高真空にし、チャンバー内にArガ
スを導入し、ZnS・SiO2 を用い中間誘電体層7c
を厚さ略20nmで成膜し、次いで、Ge−Sb−Te
を略20nmの厚みで成膜し相変化記録膜3形成し、次
いで、ZnS・SiO2 を用いて上部誘電体層7aを略
20nmの厚みで、更に連続してAlを略100nmの
厚みで成膜し反射膜6を連続して成膜する。次いで、反
射膜6の上に保護層5を形成する。その後、基板1の表
面にスピンコータにより潤滑剤、または帯電防止剤を塗
布してもかまわない。また、両面記録の光記録媒体を作
製する場合は、保護層5の上にホットメルトタイプの接
着剤を塗布し貼り合わせて作製する。
た直径86mmのポリカーボネート基板1をRFマグネト
ロンスパッタ装置にセットし、チャンバー内を5×10
-7Torrの高真空にする。次に、チャンバー内にAr
ガスを導入し、スパッタを行いZnS・SiO2 を用い
て下部誘電体層7bを略100nmの厚みで成膜する。
次に、この基板1をスピンコータにセットしフォトクロ
ミック層2を形成するフルギド化合物を3000rpm
の回転数で塗布する。更に、この基板1を再びRFマグ
ネトロンスパッタ装置内にセットし、チャンバー内を5
×10-7Torrの高真空にし、チャンバー内にArガ
スを導入し、ZnS・SiO2 を用い中間誘電体層7c
を厚さ略20nmで成膜し、次いで、Ge−Sb−Te
を略20nmの厚みで成膜し相変化記録膜3形成し、次
いで、ZnS・SiO2 を用いて上部誘電体層7aを略
20nmの厚みで、更に連続してAlを略100nmの
厚みで成膜し反射膜6を連続して成膜する。次いで、反
射膜6の上に保護層5を形成する。その後、基板1の表
面にスピンコータにより潤滑剤、または帯電防止剤を塗
布してもかまわない。また、両面記録の光記録媒体を作
製する場合は、保護層5の上にホットメルトタイプの接
着剤を塗布し貼り合わせて作製する。
【0075】次に、この光記録媒体に対し3つの異なる
波長のレーザー光線を用い、出力を変調させて記録、再
生を行った結果について説明する。
波長のレーザー光線を用い、出力を変調させて記録、再
生を行った結果について説明する。
【0076】(実験例5)実験方法としては、第1実施
例で使用したレーザー光線を用い1mW〜12mWまで
出力を変調させて反射光量の測定を行った。
例で使用したレーザー光線を用い1mW〜12mWまで
出力を変調させて反射光量の測定を行った。
【0077】Arレーザー光線(514nm)を5mW
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)となり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
8%であった。
の出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック層
2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、相
変化記録膜3は結晶状態(消去状態)となり、再生用レ
ーザー光線である半導体レーザー光線(830nm)の
1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光量は4
8%であった。
【0078】Arレーザー光線(514nm)を12m
Wの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック
層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、
相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱により非
晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光線であ
る半導体レーザー光線(830nm)の1mWの出力で
反射光量を測定したときの反射光量は42%であった。
Wの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミック
層2のフルギド化合物は消色状態(記録状態)になり、
相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱により非
晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光線であ
る半導体レーザー光線(830nm)の1mWの出力で
反射光量を測定したときの反射光量は42%であった。
【0079】次に、N2 レーザー光線(337nm)を
5mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミ
ック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)にな
り、相変化記録膜3も結晶状態(消去状態)となり、再
生用レーザー光線である半導体レーザー光線(830n
m)の1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光
量は35%であった。
5mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロミ
ック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)にな
り、相変化記録膜3も結晶状態(消去状態)となり、再
生用レーザー光線である半導体レーザー光線(830n
m)の1mWの出力で反射光量を測定したときの反射光
量は35%であった。
【0080】また、N2 レーザー光線(337nm)を
12mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロ
ミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)に
なり、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱に
より非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光
線である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの
出力で反射光量を測定したときの反射光量は12%であ
った。
12mWの出力で光記録媒体に照射した時、フォトクロ
ミック層2のフルギド化合物は発色状態(消去状態)に
なり、相変化記録膜3は高パワーのレーザー光線の熱に
より非晶質状態(記録状態)となり、再生用レーザー光
線である半導体レーザー光線(830nm)の1mWの
出力で反射光量を測定したときの反射光量は12%であ
った。
【0081】このことから、第3実施例の光記録媒体に
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状態
が可能なことが確認された。
おいてもレーザー光線の波長及び出力を変調することに
より4タイプの反射光量、すなわち4タイプの記録状態
が可能なことが確認された。
【0082】以上のことから、レーザー光線のヒートモ
ードにより記録・消去を行う相変化記録膜とレーザー光
線のフォトンモードにより記録・消去を行うフォトクロ
ミック層を組み合わせて記録層とし、記録層の他に誘電
体層、反射膜を成膜した積層膜構造の光記録媒体を作製
し、レーザー光線の波長と出力を変調させることで4タ
イプの反射光量が得られ多値記録が可能なことが判っ
た。
ードにより記録・消去を行う相変化記録膜とレーザー光
線のフォトンモードにより記録・消去を行うフォトクロ
ミック層を組み合わせて記録層とし、記録層の他に誘電
体層、反射膜を成膜した積層膜構造の光記録媒体を作製
し、レーザー光線の波長と出力を変調させることで4タ
イプの反射光量が得られ多値記録が可能なことが判っ
た。
【0083】
【発明の効果】以上のように本発明は、 (1)レーザー光線のヒートモードにより記録・消去を
行う相変化記録膜とレーザー光線のフォトンモードによ
り記録・消去を行うフォトクロミック層を組み合わせて
記録層とし、レーザー光線の波長と出力を変調させるこ
とにより4タイプの反射光量を得ることができ、多値記
録を行うことができ、記録密度を著しく高めた光記録媒
体を実現することができるものである。
行う相変化記録膜とレーザー光線のフォトンモードによ
り記録・消去を行うフォトクロミック層を組み合わせて
記録層とし、レーザー光線の波長と出力を変調させるこ
とにより4タイプの反射光量を得ることができ、多値記
録を行うことができ、記録密度を著しく高めた光記録媒
体を実現することができるものである。
【0084】(2)相変化記録層とフォトクロミック層
からなる記録層に反射膜を備えているので、高記録密度
で、再生信号のエンハンス効果を向上させ、更にレーザ
ー光線の照射により生じる熱の拡散を図ることができ耐
久性も向上させるとともに優れた光記録媒体を実現でき
るものである。
からなる記録層に反射膜を備えているので、高記録密度
で、再生信号のエンハンス効果を向上させ、更にレーザ
ー光線の照射により生じる熱の拡散を図ることができ耐
久性も向上させるとともに優れた光記録媒体を実現でき
るものである。
【0085】(3)相変化記録層とフォトクロミック層
からなる記録層と反射膜の間に誘電体層を備えているの
で、高記録密度で熱による記録層の流動化、湿度による
記録層の劣化を防止し、耐久性を向上させるとともに繰
り返し特性に優れた光記録媒体を実現できるものであ
る。
からなる記録層と反射膜の間に誘電体層を備えているの
で、高記録密度で熱による記録層の流動化、湿度による
記録層の劣化を防止し、耐久性を向上させるとともに繰
り返し特性に優れた光記録媒体を実現できるものであ
る。
【0086】(4)基板と記録層の間及び記録層と反射
膜の間に誘電体層を備えているので、高記録密度で、高
信頼性に優れ耐久性を著しく向上させ、繰り返し特性に
優れた光記録媒体を実現できるものである。
膜の間に誘電体層を備えているので、高記録密度で、高
信頼性に優れ耐久性を著しく向上させ、繰り返し特性に
優れた光記録媒体を実現できるものである。
【0087】(5)基板とフォトクロミック層と、相変
化記録膜及び反射膜との各層間に誘電体層を備えている
ので、高記録密度で、高品質で耐久性や繰り返し特性に
優れた光記録媒体を実現できるものである。
化記録膜及び反射膜との各層間に誘電体層を備えている
ので、高記録密度で、高品質で耐久性や繰り返し特性に
優れた光記録媒体を実現できるものである。
【図1】本発明の記録層の多値記録状態を示す模式図
【図2】本発明の第1実施例における光記録媒体の要部
断面図
断面図
【図3】本発明の第2実施例における光記録媒体の要部
断面図
断面図
【図4】本発明の第3実施例における光記録媒体の要部
断面図
断面図
【図5】本発明の第4実施例における光記録媒体の要部
断面図
断面図
【図6】本発明の第5実施例における光記録媒体の要部
断面図
断面図
【図7】従来の光記録媒体の基本構成を示す要部断面図
【図8】従来の一般的な光磁気記録方式を示す模式図
【図9】従来の一般的なフォトンモード記録方式を示す
模式図
模式図
【図10】従来の一般的な相変化記録方式を示す模式図
1 基板 2 フォトクロミック層 3 相変化記録膜 4 記録層 5 保護層 6 反射膜 7 誘電体層 7a 上部誘電体層 7b 下部誘電体層 7c 中間誘電体層 (i) フォトクロミック層 (ii) 相変化記録膜 51 光記録媒体 52 基板 53 下部誘電体層 54 記録膜 54a フォトクロミック層 54b 相変化記録膜 55 上部誘電体層 56 反射膜 57 紫外線硬化樹脂層 58 積層薄膜 60 レーザー光線 61 対物レンズ 62 磁石 A 消色状態 B 発色状態 C 結晶状態 D 非晶質状態
Claims (6)
- 【請求項1】基板と、前記基板上に形成された記録層
と、前記記録層の上面に形成された紫外線硬化樹脂層等
からなる保護層と、を備えた光記録媒体であって、前記
記録層が、相変化記録膜と、フォトクロミック層と、を
備えていることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項2】前記記録層の前記相変化記録膜と前記フォ
トクロミック層との間に成膜された誘電体層を備えてい
ることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。 - 【請求項3】前記記録層と、前記保護層との間に成膜さ
れた反射膜を備えていることを特徴とする請求項1又は
2の内いずれか1に記載の光記録媒体。 - 【請求項4】前記記録層と前記反射膜との間に成膜され
た誘電体層を備えていることを特徴とする請求項3に記
載の光記録媒体。 - 【請求項5】前記基板と前記記録層との間に成膜された
誘電体層を備えていることを特徴とする請求項1乃至4
の内いずれか1に記載の光記録媒体。 - 【請求項6】請求項1乃至5の内いずれか1に記載され
た光記録媒体の各々を対向させ前記保護層を介して両外
面に前記基板が位置するように積層して形成されたこと
を特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6115356A JPH07319108A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6115356A JPH07319108A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07319108A true JPH07319108A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14660507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6115356A Pending JPH07319108A (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07319108A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7449278B2 (en) * | 2002-07-16 | 2008-11-11 | Fujitsu Limited | Multilayer optical recording medium and storage device |
-
1994
- 1994-05-27 JP JP6115356A patent/JPH07319108A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7449278B2 (en) * | 2002-07-16 | 2008-11-11 | Fujitsu Limited | Multilayer optical recording medium and storage device |
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