JPH0749219A - Ｉｃリード高さ測定装置 - Google Patents
Ｉｃリード高さ測定装置Info
- Publication number
- JPH0749219A JPH0749219A JP19379093A JP19379093A JPH0749219A JP H0749219 A JPH0749219 A JP H0749219A JP 19379093 A JP19379093 A JP 19379093A JP 19379093 A JP19379093 A JP 19379093A JP H0749219 A JPH0749219 A JP H0749219A
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- JP
- Japan
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- lead
- laser light
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- scanning
- sensor
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- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子のリードを測定するための時間を短
縮する。 【構成】レーザ光源１と、レーザ光を一方向に走査する
ミラー２と、半導体素子４のリードに斜角より平行にレ
ーザ光を走査する投光レンズ３と、レーザ光がリードで
反射して得られたレーザ光を集光する集光レンズ５と、
センサ６と、レーザ光源７と、レーザ光を一方向に走査
するミラー８と、走査されたレーザ光を集光すると同時
に平行にする投光レンズ９と、平行走査されたレーザ光
を半導体素子４のリードに垂直上方から照射するために
光路を曲げるとともにレーザ光がリードで反射して得ら
れたレーザ光を透過させるハーフミラー１０と、レーザ
光を集光する集光レンズ１１と、センサ１２と、半導体
素子４を副走査方向に移動させるための副走査移動機構
１３と、センサ６とセンサ１２の出力信号からリードの
２次元画像をつくり、その画像からリード先端高さを演
算する高さ演算回路１４とから構成される。
縮する。 【構成】レーザ光源１と、レーザ光を一方向に走査する
ミラー２と、半導体素子４のリードに斜角より平行にレ
ーザ光を走査する投光レンズ３と、レーザ光がリードで
反射して得られたレーザ光を集光する集光レンズ５と、
センサ６と、レーザ光源７と、レーザ光を一方向に走査
するミラー８と、走査されたレーザ光を集光すると同時
に平行にする投光レンズ９と、平行走査されたレーザ光
を半導体素子４のリードに垂直上方から照射するために
光路を曲げるとともにレーザ光がリードで反射して得ら
れたレーザ光を透過させるハーフミラー１０と、レーザ
光を集光する集光レンズ１１と、センサ１２と、半導体
素子４を副走査方向に移動させるための副走査移動機構
１３と、センサ６とセンサ１２の出力信号からリードの
２次元画像をつくり、その画像からリード先端高さを演
算する高さ演算回路１４とから構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣリード高さ測定装
置、特に、半導体素子のリ−ド形状のＩＣリード高さ測
定装置に関する。
置、特に、半導体素子のリ−ド形状のＩＣリード高さ測
定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のリードの平坦度を測定する
ための従来のリード高さ測定装置は、半導体素子の下方
からリードにレーザ光を走査し、走査線内における反射
ビームスポットの位置変化を検出して高さを測定し、半
導体素子または高さ測定光学系のいずれか一方を機械的
に移動させリードの高さを測定するように構成されてい
る。
ための従来のリード高さ測定装置は、半導体素子の下方
からリードにレーザ光を走査し、走査線内における反射
ビームスポットの位置変化を検出して高さを測定し、半
導体素子または高さ測定光学系のいずれか一方を機械的
に移動させリードの高さを測定するように構成されてい
る。
【０００３】次に従来のリード高さ測定装置について図
面を参照して詳細に説明する。図３は従来のリード高さ
測定装置の一例を示す斜視図である。図３に示すリード
高さ測定装置は、レーザ光を出射するレーザ光源１と、
レーザ光を一方向に走査するポリゴンミラー２と、走査
されたレーザ光を集光して半導体素子４のリードに斜角
より平行にレーザ光を走査する投光レンズ３と、レーザ
光がリードで反射して得られたレーザ光の走査方向と凸
面の曲率半径の方向を直交して設けられたシリンドリカ
ルレンズ１５と、レーザ光がシリンドリカルレンズ１５
を通過して得られたレーザ光の走査方向と凸面の曲率半
径の方向を平行にして設けられたシリンドリカルレンズ
１６と、レーザ光がシリンドリカルレンズ１６で集光し
て得られたビームスポットを受光してその位置を検出す
る一次元センサ１７とから構成される高さ測定光学系
と、一次元センサ１７の出力信号から高さ信号を演算す
る受光位置演算回路１８と、高さ測定光学系を移動させ
る副走査移動機構１３とを含んで構成される。
面を参照して詳細に説明する。図３は従来のリード高さ
測定装置の一例を示す斜視図である。図３に示すリード
高さ測定装置は、レーザ光を出射するレーザ光源１と、
レーザ光を一方向に走査するポリゴンミラー２と、走査
されたレーザ光を集光して半導体素子４のリードに斜角
より平行にレーザ光を走査する投光レンズ３と、レーザ
光がリードで反射して得られたレーザ光の走査方向と凸
面の曲率半径の方向を直交して設けられたシリンドリカ
ルレンズ１５と、レーザ光がシリンドリカルレンズ１５
を通過して得られたレーザ光の走査方向と凸面の曲率半
径の方向を平行にして設けられたシリンドリカルレンズ
１６と、レーザ光がシリンドリカルレンズ１６で集光し
て得られたビームスポットを受光してその位置を検出す
る一次元センサ１７とから構成される高さ測定光学系
と、一次元センサ１７の出力信号から高さ信号を演算す
る受光位置演算回路１８と、高さ測定光学系を移動させ
る副走査移動機構１３とを含んで構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリード
高さ測定装置は、半導体素子のリードの高さを測定する
ために三角測量の原理を用いており、一次元センサとし
て一般的にはＰＳＤを用いている。ＰＳＤは応答速度が
遅いために、走査速度を高速化し検査時間を短くするこ
とができないという欠点があった。
高さ測定装置は、半導体素子のリードの高さを測定する
ために三角測量の原理を用いており、一次元センサとし
て一般的にはＰＳＤを用いている。ＰＳＤは応答速度が
遅いために、走査速度を高速化し検査時間を短くするこ
とができないという欠点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＣリード高さ
測定装置は、第１のレーザ光を出射する第１のレーザ光
源と、前記のレーザ光を一方向に走査する第１のミラー
と、前記走査されたレーザ光を集光して半導体素子のリ
ードに斜角より平行に前記レーザ光を走査する第１の投
光レンズと、前記レーザ光が前記リードで反射して得ら
れたレーザ光を集光する第１の集光レンズと、集光した
レーザ光を受光する第１のセンサと、第２のレーザ光を
出射する第２のレーザ光源と、前記のレーザ光を一方向
に走査する第２のミラーと、前記走査されたレーザ光を
集光すると同時に平行にする第２の投光レンズと、前記
平行走査されたレーザ光を半導体素子のリードに垂直上
方から照射するために光路を曲げるとともに前記レーザ
光が前記リードで反射して得られたレーザ光を透過させ
るハーフミラーと、前記レーザ光を集光する第２の集光
レンズと、集光したレーザ光を受光する第２のセンサ
と、半導体素子を副走査方向に移動させるための副走査
移動機構と、第１のセンサと第２のセンサの出力信号か
らリードの２次元画像をつくり、その画像からリード先
端高さを演算する高さ演算回路とを含んで構成される。
測定装置は、第１のレーザ光を出射する第１のレーザ光
源と、前記のレーザ光を一方向に走査する第１のミラー
と、前記走査されたレーザ光を集光して半導体素子のリ
ードに斜角より平行に前記レーザ光を走査する第１の投
光レンズと、前記レーザ光が前記リードで反射して得ら
れたレーザ光を集光する第１の集光レンズと、集光した
レーザ光を受光する第１のセンサと、第２のレーザ光を
出射する第２のレーザ光源と、前記のレーザ光を一方向
に走査する第２のミラーと、前記走査されたレーザ光を
集光すると同時に平行にする第２の投光レンズと、前記
平行走査されたレーザ光を半導体素子のリードに垂直上
方から照射するために光路を曲げるとともに前記レーザ
光が前記リードで反射して得られたレーザ光を透過させ
るハーフミラーと、前記レーザ光を集光する第２の集光
レンズと、集光したレーザ光を受光する第２のセンサ
と、半導体素子を副走査方向に移動させるための副走査
移動機構と、第１のセンサと第２のセンサの出力信号か
らリードの２次元画像をつくり、その画像からリード先
端高さを演算する高さ演算回路とを含んで構成される。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示す光
路図である。図１に示すＩＣリード高さ測定装置は、第
１のレーザ光を出射する第１のレーザ光源１と、レーザ
光を一方向に走査する第１のミラー２０と、走査された
レーザ光を集光して半導体素子４のリードに斜角より平
行にレーザ光を走査する第１の投光レンズ３と、レーザ
光がリードで反射して得られたレーザ光を集光する第１
の集光レンズ５と、集光したレーザ光を受光する第１の
センサ６と、第２のレーザ光を出射する第２のレーザ光
源７と、レーザ光を一方向に走査する第２のミラー８０
と、走査されたレーザ光を集光すると同時に平行にする
第２の投光レンズ９と、平行走査されたレーザ光を半導
体素子４のリードに垂直上方から照射するために光路を
曲げるとともにレーザ光がリードで反射して得られたレ
ーザ光を透過させるハーフミラー１０と、レーザ光を集
光する第２の集光レンズ１１と、集光したレーザ光を受
光する第２のセンサ１２と、半導体素子４を副走査方向
に移動させるための副走査移動機構１３と、第１のセン
サ６と第２のセンサ１２の出力信号からリードの２次元
画像をつくり、その画像からリード先端高さを演算する
高さ演算回路１４とから構成される。
して詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示す光
路図である。図１に示すＩＣリード高さ測定装置は、第
１のレーザ光を出射する第１のレーザ光源１と、レーザ
光を一方向に走査する第１のミラー２０と、走査された
レーザ光を集光して半導体素子４のリードに斜角より平
行にレーザ光を走査する第１の投光レンズ３と、レーザ
光がリードで反射して得られたレーザ光を集光する第１
の集光レンズ５と、集光したレーザ光を受光する第１の
センサ６と、第２のレーザ光を出射する第２のレーザ光
源７と、レーザ光を一方向に走査する第２のミラー８０
と、走査されたレーザ光を集光すると同時に平行にする
第２の投光レンズ９と、平行走査されたレーザ光を半導
体素子４のリードに垂直上方から照射するために光路を
曲げるとともにレーザ光がリードで反射して得られたレ
ーザ光を透過させるハーフミラー１０と、レーザ光を集
光する第２の集光レンズ１１と、集光したレーザ光を受
光する第２のセンサ１２と、半導体素子４を副走査方向
に移動させるための副走査移動機構１３と、第１のセン
サ６と第２のセンサ１２の出力信号からリードの２次元
画像をつくり、その画像からリード先端高さを演算する
高さ演算回路１４とから構成される。
【０００７】次に、実施例の動作について図２（ａ），
（ｂ）を用いて説明する。図１に示す副走査移動機構１
３により副走査を行い半導体素子のリードの先端部を２
次元走査した場合の第１のセンサ６からの出力信号によ
るリード先端部の像が図２（ａ）に、第２のセンサ１２
からの出力信号によるリード先端部の像が図２（ｂ）に
示される。リードＡとリードＢの高さの差は、第１のレ
ーザ光を斜め下方４５゜から照射した場合に次の式によ
り求めることができる。ただし、ｘは第１のセンサ６か
らの出力信号によるリード先端部の像から求めた先端位
置の差で、ｙは第２のセンサ１２からの出力信号による
リード先端部の像から求めた先端位置の差である。リー
ドＡとリードＢの高さの差＝ｘ−ｙすべてのリードにこ
の演算を行うことにより、半導体素子のリードの高さを
測定することができる。
（ｂ）を用いて説明する。図１に示す副走査移動機構１
３により副走査を行い半導体素子のリードの先端部を２
次元走査した場合の第１のセンサ６からの出力信号によ
るリード先端部の像が図２（ａ）に、第２のセンサ１２
からの出力信号によるリード先端部の像が図２（ｂ）に
示される。リードＡとリードＢの高さの差は、第１のレ
ーザ光を斜め下方４５゜から照射した場合に次の式によ
り求めることができる。ただし、ｘは第１のセンサ６か
らの出力信号によるリード先端部の像から求めた先端位
置の差で、ｙは第２のセンサ１２からの出力信号による
リード先端部の像から求めた先端位置の差である。リー
ドＡとリードＢの高さの差＝ｘ−ｙすべてのリードにこ
の演算を行うことにより、半導体素子のリードの高さを
測定することができる。
【０００８】
【発明の効果】本発明のリード高さ測定装置は、半導体
素子のリードを測定するためにＰＳＤを用いた三角測量
の原理をつかう代わりに、異なる２方向から半導体素子
のリードにレーザ光を照射し、その反射光による像の先
端位置の差からリードの高さを演算する構成にしたの
で、半導体素子のリードを測定するための測定時間を高
速化できるという効果がある。
素子のリードを測定するためにＰＳＤを用いた三角測量
の原理をつかう代わりに、異なる２方向から半導体素子
のリードにレーザ光を照射し、その反射光による像の先
端位置の差からリードの高さを演算する構成にしたの
で、半導体素子のリードを測定するための測定時間を高
速化できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す光路図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の動作を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】従来の一例のを示す斜視図である。
１ レーザ光源 ２ ポリゴンミラー ３ 投光レンズ ４ 半導体素子 ５ 集光レンズ ６ センサ ７ レーザ光源 ８ ポリゴンミラー ９ 投光レンズ １０ ハーフミラー １１ 集光レンズ １２ センサ １３ 副走査移動機構 １４ 高さ演算回路 １５、１６ シリンドリカルレンズ １７ 一次元センサ １８ 受光位置演算回路
Claims (3)
- 【請求項１】 第１のレーザ光を出射する第１のレーザ
光源と、前記のレーザ光を一方向に走査する第１のミラ
ーと、前記走査されたレーザ光を集光して半導体素子の
リードに斜角より平行に前記レーザ光を走査する第１の
投光レンズと、前記レーザ光が前記リードで反射して得
られたレーザ光を集光する第１の集光レンズと、集光し
たレーザ光を受光する第１のセンサと、第２のレーザ光
を出射する第２のレーザ光源と、前記のレーザ光を一方
向に走査する第２のミラーと、前記走査されたレーザ光
を集光すると同時に平行にする第２の投光レンズと、前
記平行走査されたレーザ光を半導体素子のリードに垂直
上方から照射するために光路を曲げるとともに前記レー
ザ光が前記リードで反射して得られたレーザ光を透過さ
せるハーフミラーと、前記レーザ光を集光する第２の集
光レンズと、集光したレーザ光を受光する第２のセンサ
と、半導体素子を副走査方向に移動させるための副走査
移動機構と、第１のセンサと第２のセンサの出力信号か
らリードの２次元画像をつくり、その画像からリード先
端高さを演算する高さ演算回路とを含むことを特徴とす
るＩＣリード高さ測定装置。 - 【請求項２】 前記第１のレーザ光が前記リードの斜め
下方より照射される請求項１記載のＩＣリード高さ測定
装置。 - 【請求項３】 前記斜角が約４５度である請求項１記載
のＩＣリード高さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19379093A JPH0749219A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | Ｉｃリード高さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19379093A JPH0749219A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | Ｉｃリード高さ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0749219A true JPH0749219A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16313839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19379093A Pending JPH0749219A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | Ｉｃリード高さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749219A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041807B2 (ja) * | 1978-03-29 | 1985-09-19 | タツタ電線株式会社 | 難燃ケ−ブル |
| JPH04221705A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Fujitsu Ltd | 外観検査装置 |
| JPH04282407A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-10-07 | Nec Corp | 三次元形状測定装置 |
-
1993
- 1993-08-05 JP JP19379093A patent/JPH0749219A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041807B2 (ja) * | 1978-03-29 | 1985-09-19 | タツタ電線株式会社 | 難燃ケ−ブル |
| JPH04221705A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Fujitsu Ltd | 外観検査装置 |
| JPH04282407A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-10-07 | Nec Corp | 三次元形状測定装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960625 |