JPH07321019A - ステージ装置、並びにこれを有する走査型露光装置やデバイス製造方法 - Google Patents

ステージ装置、並びにこれを有する走査型露光装置やデバイス製造方法

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JPH07321019A
JPH07321019A JP11515394A JP11515394A JPH07321019A JP H07321019 A JPH07321019 A JP H07321019A JP 11515394 A JP11515394 A JP 11515394A JP 11515394 A JP11515394 A JP 11515394A JP H07321019 A JPH07321019 A JP H07321019A
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scanning
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moving
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JP11515394A
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Ryuichi Ebinuma
隆一 海老沼
Nobushige Korenaga
伸茂 是永
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 走査露光装置に適したステージを提供する。 【構成】 X線ワーキングマスク基板や半導体ウエハな
どの被露光基板を所定方向に移動させる第1の駆動手段
と、移動方向に剛性を有しかつ移動方向を法線とする面
内に自由度を有する案内手段と、該自由度を有する面内
方向のうち、異なる複数の方向に対応して前記物体を移
動させる第2の駆動手段とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は走査型露光装置に好適な
ステージ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】メモリをはじめとする半導体デバイスを
製造するための露光装置は、高集積度のチップの製造に
対応するために、転写領域の拡大と解像力の向上を要求
される。現在、半導体製造上で最も線幅寸法が小さいパ
ターンを露光する工程に利用されているのは、紫外線を
用いた縮小投影露光装置である。この装置は、レチクル
パターンを1/5に縮小してワーキングマスク基板上に
転写し、1枚のワーキングマスク基板上を縦横にステッ
プ移動して複数のショット領域に転写を行う、いわゆる
ステップ&リピート方式の露光装置である。
【0003】一般的に1ショットの転写領域には複数の
チップが含まれるので、投影光学系によって定まる露光
領域は、2チップ分の矩形領域に外接する円よりも大き
い。従って、より大きなチップサイズに対応するために
は、より大きな投影光学系が必要になる。256Mbi
tDRAMの世代の半導体集積回路を製造するために
は、投影光学系の硝材の大きさが問題となる。
【0004】これを解決するために、スリット形状の露
光領域を走査移動させることによって実質的に転写領域
を拡大する方式、走査露光方式が提案されている。この
方式では、ステップ&リピート方式に比べて、同一の大
きさの結像領域を有する投影光学系を用いた場合に、走
査方向には実質的にサイズ制限がなく、走査方向に直角
な方向には概ね1.4倍の転写領域を確保することがで
きる。従って、同じ大きさの転写領域に対して、より小
さい投影光学系で露光装置が構成できる。
【0005】通常、露光装置のウエハステージは、投影
光学系の結像面に対してウエハを6軸方向に位置合わせ
する機能を有している。これは露光光軸方向をz,露光
面内の方向をx,yとすると、フォーカス方向を位置合
わせするz−ωx−ωyステージと、転写するパターン
の方向を位置決めするx−yーωzステージからなる。
従来のステップ&リピート方式の露光装置に用いられる
ステージでは、1ショットの露光領域の形状が正方形に
なることを前提にしているため(投影光学系は通常円形
の露光領域を有しており、これに内接する最大面積の矩
形は正方形である)、x方向、y方向はそれぞれ正方形
の各辺に対応させており、それぞれの方向に対して位置
決めの駆動系として同様な方式のものを用いている。
【0006】
【発明が解決しようとしている課題】ところが、ステッ
プ&リピート方式と違って、走査露光方法では露光領域
の形状がスリット状であり、走査方向の寸法はこれに直
角の方向の寸法よりも小さい。フォーカス方向の位置合
わせに対する要求は、露光領域内で同様であるから、走
査方向軸回りの傾きを調整する機構に要求される性能
と、走査方向に対して直角の方向軸回りの傾きを調整す
る機構に要求される性能とが異なる。
【0007】また、露光面内の位置決めに関しても、走
査方向は等速度の移動であり、これに直角の方向は、ス
テップ移動および走査移動の直進性が要求される移動で
ある。つまり、方向によって移動の仕方が異なってお
り、それぞれで要求される性能が異なる。
【0008】本発明は上記課題に鑑みてなされたもので
あり、方向によって要求性能が異なることを利用した、
走査露光装置に好適なステージ装置を提供することを目
的とする。更にはこのステージ装置を有する走査型露光
装置や、デバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明のステージ装置は、物体を所定方向に移動させる第1
の駆動手段と、移動方向に剛性を有しかつ移動方向を法
線とする面内に自由度を有する案内手段と、該自由度を
有する面内方向のうち、異なる複数の方向に対応して前
記物体を移動させる第2の駆動手段とを有することを特
徴とするものである。
【0010】また、本発明の走査型露光装置は、基板を
搭載する上記構成のステージ装置と、該ステージ装置に
よって基板を移動走査しながら基板に露光を行う手段と
を有することを特徴とするものである。
【0011】ここで、前記ステージ装置を搭載する別の
ステージ装置を有し、該別のステージ装置によって前記
走査方向に対して交差する方向にステップ移動すること
が好ましい。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。本実施例の走査型露光装置は、X線ワ
ーキングマスクを作成するためのものであり、DUV光
源を用いて原版であるレチクルに描かれたパターンを、
被露光基板であるX線ワーキングマスク基板上に縮小投
影し、投影面内でレチクルとワーキングマスク基板とを
互いに同期させて走査移動させることにより、レチクル
のパターンの全体をワーキングマスク基板上に転写す
る。
【0013】図1は本実施例の露光装置の要部断面図で
あり、同図において、11は原版となるレチクルで、転
写しようとするパターン(作成するX線ワーキングマス
クのマスクパターン)が描かれている。12はレチクル
が搭載されているレチクルチャックである。レチクルは
レチクルステージによって走査移動する。レチクルステ
ージは、レチクルを走査移動させるための駆動手段およ
び案内手段、レチクルの走査方向の位置および走査面内
の姿勢を計測するための計測手段などから構成されてい
る。具体的には、レチクルステージの駆動手段はリニア
モータ211及び212が用いられる。また、レチクル
ステージの案内手段はエアベアリングを用いており、ス
テージの可動部に固定された複数のエアパッド224、
225、226、227と、エアパッドを支えるガイド
部材222、223より構成されている。ガイド部材2
22、223はフレーム3に保持されている。
【0014】レチクルの位置および姿勢の計測手段とし
てはレーザ測長器を用いており、231、232はレチ
クルステージの可動部に固定された測長用のコーナーキ
ューブミラーである。各コーナーキューブミラー23
1、232は、露光領域の中心に対して対称位置に配置
されており、それぞれの位置でレチクルの走査方向の位
置と姿勢を計測する。
【0015】41は不図示の光源からの遠紫外光によっ
てレチクルを照明するための照明光学系、42はレチク
ルのパターンをワーキングマスク基板上に投影するため
の投影光学系である。X線マスクに要求される最小パタ
ーン線幅寸法は、例えば0.25μm以下となるので、
解像力の要求から、例えば光源としてKrFエキシマレ
ーザが用いられ、投影光学系のNAは0.6以上であ
る。露光領域は細長いスリット状の矩形であり、走査方
向には小さくこれと直角な方向には大きい寸法を持つ。
投影光学系42はこの露光領域に相当するレチクルのパ
ターンの一部を0.25倍に縮小し、感光剤が塗布され
たワーキングマスク基板51上に結像させる。
【0016】ワーキングマスク基板を投影面内で移動さ
せるためのステージは、走査方向(x方向)に十分なス
トロークを有する走査ステージと、走査方向に対して直
角な方向(y方向)と、光軸方向(z方向)と、投影面
に対してワーキングマスク基板面を傾かせる方向(ω
x、ωy)と、に小さなストロークを有する微動ステー
ジとで構成される。
【0017】ワーキングマスク基板用のステージの位置
および姿勢はレーザ測長器によって計測される。61
1、612は測長用のコーナーキューブミラーである。
613は高い平面度の反射面を有する平面ミラーであ
り、ワーキングマスク基板を走査露光するためのストロ
ークに対して十分な長さを有している。613は反射面
がワーキングマスク基板の走査方向と平行になるように
配置されている。621、622、623は干渉計であ
り、フレーム3に固定されている。不図示のレーザ光源
から測長用の干渉計及びミラーにレーザ光が供給され
る。各コーナーキューブミラー611、612は、露光
領域の中心に対して対称の位置に配置されており、それ
ぞれの位置でワーキングマスク基板の走査方向の位置を
計測するようになっている。613によって走査方向に
対して直角の方向の位置を計測できるようになってい
る。
【0018】631、632は投影光学系42の鏡筒に
対して固定された測距センサで、投影面に対するワーキ
ングマスク基板51の表面の面位置を計測する。計測す
る位置は露光領域内ではなく、走査方向で露光領域より
も前の位置である。また、スリット形状の露光領域の両
端近傍に相当する位置に配置されている。走査露光中は
この点で予めワーキングマスク基板の高さを計測してお
き、計測点が露光領域に入った時にワーキングマスク基
板の表面が結像面と一致するように、微動ステージ機構
71によってz−ωx方向を制御する。
【0019】図2はこの微動ステージ機構のωyステー
ジを示した図である。52はワーキングマスク基板51
を保持するワーキングマスクチャックである。712は
ωy方向の案内となる複数の板バネであり、ワーキング
マスク基板チャックの両側にある板バネ部材713、7
14から切り出されて構成されている。714はωy方
向を駆動するピエゾ素子である。
【0020】図3は微動ステージ機構のy−z−ωxス
テージおよび走査ステージ(xステージ)を示した図で
ある。同図の(A)はy−z−ωxステージの可動部分
を抜き出して示している。図中、611、612は走査
方向の位置および姿勢を計測するためのコーナーキュー
ブミラーであり、613は走査方向に対して直角の方向
を計測するための平面ミラーである。651、652は
ωyステージの固定側に取り付けられたz−ωx方向駆
動用のリニアモータの磁石であり、微動ステージフレー
ム71に取り付けられたコイル653、654から駆動
力を与えられる。653、654に流す電流をそれぞれ
個別に制御することによって、z方向と、ωx方向とに
移動させることができる。655はωyステージの固定
側に取り付けられたy方向駆動用のリニアモータの磁石
であり、反対側にも取り付けられている。その反対側の
磁石に対して駆動力を与えるのが、リニアモータのコイ
ル656である。このコイルは反対側にも取り付けられ
ている。656および不図示の反対側のコイルの電流は
同一の制御がなされ、図3(A)に示される可動部全体
をy方向に移動させる。661、662はy−z−ωx
の可動部全体の重量を支えるバランサーのパッドであ
る。バランサーは反対側の不図示の2つを含めて4つの
エアベアリングで構成される。これらのエアベアリング
はz方向の剛性が不要なのでz方向の可動範囲に対して
十分に余裕のある隙間を有している。715、716、
717はエアベアリングのパッドであり、ωyステージ
の固定側に取り付けられている。このエアベアリングは
反対面にも3つ取り付けられている。
【0021】図3(B)は、微動ステージ機構の固定部
分を示している。同図において、718、719は微動
ステージフレーム71の一部であり、y−z−ωxステ
ージの案内となるエアベアリングの案内部材となってい
る。各案内部材718、719はそれぞれ対面する2つ
の面を有しており、それぞれの面に対応して3つずつパ
ッドがある。これらによって構成されるエアベアリング
は走査方向(x方向)および露光光軸回りの回転方向
(ωz方向)、走査方向に対して直角の方向回りの回転
方向(ωy方向)には十分な剛性を有しており、後述す
る走査ステージの駆動力を伝えることができる。以上の
構成によって、y−z−ωxステージの可動部は固定部
に対して非接触が保たれている。
【0022】微動ステージフレーム71は、走査ステー
ジによって露光装置のフレーム3に対してx方向及びω
z方向に駆動される。731、732、733は微動ス
テージフレーム71に固定されたエアベアリングのパッ
ドである。737、738は走査ステージのy方向の案
内となるエアベアリングの案内部材である。739、7
40はz方向の案内となる案内部材であり、ステージ定
盤上に固定されている。パッド732、733の反対側
にはさらに2つのパッド(不図示)がそれぞれ案内部材
739、740に対面して配置されている。パッド73
1の反対側には不図示のもう1つのパッドが取り付けら
れており、この2つのパッドと案内部材737、738
による案内手段はy方向には大きな剛性を有している
が、ωz方向の剛性は小さくなっており、適当な駆動力
を与えることによって、微動ステージフレームがωz方
向に可動なように構成されている。走査ステージは走査
方向軸に対して対称の位置に2つの電磁駆動手段を有し
ている。741、742は微動ステージフレームに固定
された磁石であり、743は案内部材に対して固定され
たコイルである。これと反対側にコイル744がある
(図1)。2つのコイル743、744の電流を個別に
制御することによって、走査方向および露光光軸回りの
回転方向、すなわちx方向と、ωz方向とに微動ステー
ジフレームを駆動することができる。
【0023】次に、以上説明した構成の走査型露光装置
の動作について説明する。
【0024】従来のステップ&リピート方式の露光装置
では、投影光学系の結像面と被露光基板の表面とを一致
させるために、チルトステージはωx方向とωy方向と
にほぼ同等の性能で傾けることができる必要があった
が、本実施例の走査型露光装置においては、走査方向の
露光領域寸法が小さい場合は、走査方向の被露光基板の
傾きによる影響が少ないので、必ずしも同等の性能が要
求されるわけではない。これを利用して、投影光学系の
結像面とワーキングマスク基板の表面との位置合わせを
次のような方法で行う。
【0025】まず露光を行う前に、走査ステージを用い
てワーキングマスク基板51を走査して、測距センサ6
31、632によって、転写領域におけるワーキングマ
スク基板の表面のz方向位置を計測する。この計測値か
ら結像面とワーキングマスク基板表面との距離を各位置
において求める。この結果の一例を図4に示す。図4に
おいて横軸はワーキングマスク基板の走査方向の位置、
縦軸はワーキングマスク基板表面と結像面との距離であ
り、aはセンサ631の位置で計測された結果から得ら
れるデータを示し、bはセンサ632の位置で計測され
た結果から得られるデータを示す。また、Lはほぼ走査
方向の転写領域寸法であり、測定データa1とa2、b
1とb2を得る2ヶ所間の距離である。
【0026】次に4カ所のデータa1、a2、b1,b
2を用いて、ワーキングマスク基板の走査方向に対する
傾きωy0を次の式から計算する。
【0027】 ωy0=(a1+b1−a2−b2)/2L
【0028】そしてこの計算結果を用いて、露光前に予
めωy0が0になるように、図3(A)に示したωyス
テージを駆動する。
【0029】走査露光中は、少なくとも露光領域の走査
方向に直角の方向の両端で、ワーキングマスク基板表面
と投影光学系の結像面とが一致するように、z方向及び
ωx方向を制御する。この際、制御するのに必要な投影
光学系の結像面とワーキングマスク基板の表面との距離
は、先の図4のような露光前の計測データを用いても良
いし、走査露光中に得られる測距センサの計測出力を用
いても良い。
【0030】図5はワーキングマスク基板の微動ステー
ジ機構の別の構成例である。このステージの構成では、
y−z−ωxステージの案内が8つの鍵型のヒンジ機構
によって構成されている。1つの鍵型ヒンジ機構には3
つの弾性ヒンジ801、802、803があり、この弾
性ヒンジ部は鍵型を曲げる方向に対してのみ剛性が小さ
くなるようになっている。y方向、z方向、ωx方向は
図3と同様の電磁駆動手段によって駆動される。
【0031】以上説明したように、基板ステージは走査
移動中、x方向、y方向、z方向、ωx方向だけを制御
する。これらの方向は制御性に優れた電磁駆動手段と、
エアベアリングとからなる駆動系で構成されるので良質
の転写像を得ることができる。また、被露光面を結像面
に一致させるフォーカシングの駆動系がωx方向とωy
方向とに個別に設けられているので、従来のチルトステ
ージに比べて駆動範囲を大きくすることができる。これ
により、低コストで高精度のX線ワーキングマスクが得
られる。
【0032】<他の実施例>図6は半導体チップ製造に
適した走査型露光装置の実施例を示す図である。本実施
例では、微動ステージ機構と走査ステージとステップス
テージとによって構成される。
【0033】同図において、901〜905は先の図3
に示したものと同様な基本構成の、微動ステージ機構と
走査ステージである。但し、保持する被露光基板はワー
キングマスク基板ではなく、半導体ウエハである。これ
に対応して各部の寸法も図3のそれとは異なっている。
また、位置計測用の干渉計の測長ミラー900は、両方
向とも平面ミラーである。微動ステージ機構の微動ステ
ージフレームはリニアモータ902、903、案内手段
904、905他からなる走査ステージによって走査ス
テージフレーム906に対してx方向及びωz方向に駆
動される。
【0034】走査ステージはステップステージによって
走査方向と直角の方向にステップ移動される。ステップ
ステージは、クロスローラーガイドの案内と直動変換機
構とを備えた電磁駆動手段とによって構成され、走査ス
テージに比べると低コストで提供できる。911、91
2はステップステージの案内となるクロスローラーガイ
ドであり、ステージ定盤920に対して走査ステージフ
レーム906はy方向だけに可動になっている。913
はステップステージをy方向にステップ移動させる駆動
手段であり、ネジ914とボールナットとモータ915
とによって構成される直進駆動機構である。ステージ定
盤920は露光装置のフレームに固定されている。
【0035】ウエハ上に複数回の走査露光による転写を
行う場合には、走査露光を行う前に所定の転写領域に移
動するためのステップ移動を行うが、x方向にステップ
移動を行う際は走査ステージによって行い、y方向にス
テップ移動を行う際はステップステージによって行うこ
とを特徴とする。ネジとボールナットによる直動機構の
位置決め精度では、10nmオーダーの位置合わせ精度
を要求される露光装置に対応するのは困難であるが、本
実施例のステージ装置では、ステップステージの位置決
め精度は、露光装置の位置合わせに必要な精度に対応す
る必要はない。ステップ移動の際のステップステージの
停止位置は、その停止位置と目標位置との距離が、微動
ステージ機構のy−z−ωxステージのy方向の駆動範
囲内になっていればよい。走査移動による露光の際は走
査ステージと微動ステージによって位置制御が行われ、
その間ステップステージは停止している。
【0036】このように本実施例によれば、走査移動方
向とこれと直角な方向とで、ステージの構成を異ならせ
ることによって、装置コストを抑えている。
【0037】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例
を説明する。図7は微小デバイス(ICやLSI等の半
導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
【0038】図8は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
デバイスを製造することができる。
【0039】
【発明の効果】本発明のステージ装置によれば、結像面
と被露光面とを走査中に精度良く効率的に一致させるこ
とができる。このステージ装置を走査露光装置に使用す
れば、高性能な露光装置を提供でき、高集積度なデバイ
スを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】走査型露光装置の実施例を示す図である。
【図2】ワーキングマスク基板ステージのωyステージ
を示す図である。
【図3】走査型露光装置のワーキングマスク基板ステー
ジを示す図である。
【図4】測距センサの出力を示すグラフ図である。
【図5】微動ステージ機構の別の構成例を示す図であ
る。
【図6】走査型露光装置の他の実施例の構成を示す図で
ある。
【図7】デバイス製造のフローを示す図である。
【図8】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
【符号の説明】
3 露光装置フレーム 11 レチクル 12 レチクルチャック 41 照明光学系 42 投影光学系 51 ワーキングマスク基板 52 ワーキングマスクチャック 71 微動ステージフレーム 211 212 リニアモータ 222 223 ガイド部材 231 232 コーナーキューブミラー 631 632 測距センサ 651 652 リニアモータ 715 716 717 エアベアリングパッド 718 719 案内部材 731 732 733 エアベアリングパッド 737 738 739 740 案内部材 741 742 磁石 743 コイル

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 物体を所定方向に移動させる第1の駆動
    手段と、 移動方向に剛性を有しかつ移動方向を法線とする面内に
    自由度を有する案内手段と、 該自由度を有する面内方向のうち、異なる複数の方向に
    対応して前記物体を移動させる第2の駆動手段と、 を有することを特徴とするステージ装置。
  2. 【請求項2】 基板を搭載する請求項1記載のステージ
    装置と、 該ステージ装置によって基板を移動走査しながら基板に
    露光を行う手段と、を有することを特徴とする走査型露
    光装置。
  3. 【請求項3】 前記ステージ装置を搭載する別のステー
    ジ装置を有し、該別のステージ装置によって前記走査方
    向に対して交差する方向にステップ移動することを特徴
    とする請求項2記載の走査露光装置。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の走査型露光装置によって
    X線ワーキングマスクを作成することを特徴とするデバ
    イス製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項2又は3記載の走査型露光装置に
    よって半導体チップを作成することを特徴とするデバイ
    ス製造方法。
JP11515394A 1994-05-27 1994-05-27 ステージ装置、並びにこれを有する走査型露光装置やデバイス製造方法 Withdrawn JPH07321019A (ja)

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