JPH07297256A

JPH07297256A - 基板搬送装置

Info

Publication number: JPH07297256A
Application number: JP8955094A
Authority: JP
Inventors: Seiya Sato; 誠也佐藤
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-04-27
Filing date: 1994-04-27
Publication date: 1995-11-10

Abstract

(57)【要約】【目的】洗浄後の基板への塵埃の付着と基板裏面中央
部の汚染を顕著に軽減した基板搬送装置を提供する。【構成】基板支持アーム３の支持体５ａ、５ｂには第
１支持部５１ａ、５１ｂと第２支持部５２ａ、５２ｂと
が形成されており、支持体５ａ、５ｂの間隔はアクチュ
エータ１２により変更される。支持体５ａ、５ｂの間隔
を変更することにより、洗浄前の半導体ウエハ４は第１
支持部５１ａ、５１ｂにより、洗浄後の半導体ウエハ４
は第２支持部５２ａ、５２ｂにより、それぞれその端縁
を支持されて搬送される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエ
ハ、液晶表示装置製造用ガラス基板、フォトマスク用ガ
ラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に基板と称す
る）を搬送する基板搬送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板搬送装置としては、従来よ
り例えば特開平５−１５２２６６号公報に開示されたも
のが知られている。かかる公報に記載されている基板搬
送装置は、基板を真空吸着により吸着することにより支
持して搬送するものであり、この種のものは、その真空
吸着の性質上、基板の裏面の中央部に吸着手段が平面的
に接触することが避けられず、本質的に基板の裏面を汚
染する虞が高いものであった。そのため、特に基板を洗
浄する洗浄装置に基板を搬送供給する場合にあっては、
洗浄前の基板に付着していた塵埃が、吸着アームを介し
て洗浄後の基板に付着してその洗浄後の基板を汚染して
しまうのを防止することが求められていた。

【０００３】前記公報に記載の装置は、洗浄前の基板を
吸着支持する第１の吸着アームと、洗浄後の基板を吸着
支持する第２の吸着アームとを設けることにより、かか
る要求に対処するものであり、基板の汚染を低減できる
ものであった。しかしながら、やはり、基板の裏面に吸
着手段が平面的に接触するものである以上、本質的に基
板の裏面の汚染は不可避であった。そして、近年の半導
体装置や液晶表示装置等の製造工程が微細化するに伴
い、基板の裏面の汚染が、たとえわずかであっても問題
視されることとなっている。

【０００４】一方、特開平３−１０１２４７号公報に
は、基板のエッジ部のみを支持する搬送アームを用いた
基板搬送装置が記載されている。かかる搬送アームの構
造では、搬送アームと基板との接触部分が少なく、基板
の汚染の低減においては真空吸着によるものよりも有利
であった。しかしながら、かかる装置においても、基板
を洗浄する洗浄装置に基板を搬送供給する場合にあって
は、洗浄前の基板と洗浄後の基板とを同一の部位におい
て支持しているため、やはり、洗浄前の基板に付着して
いた塵埃が、吸着アームを介して洗浄後の基板に付着す
る問題点があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の事情
に鑑みてなされたものであり、基板の裏面の中央部に平
面的に接触することがなく、また、基板を洗浄する洗浄
装置に基板を搬送供給する場合においても、洗浄前の基
板に付着していた塵埃が、吸着アームを介して洗浄後の
基板に付着することがなく、基板の汚染を顕著に抑制す
ることができる基板搬送装置を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板を多段に
収納する収納手段と、基板を洗浄する洗浄手段との間で
基板を搬送する基板搬送装置であって、互いに対向して
配置された一対の支持手段と、一対の支持手段の間隔を
変更する間隔変更手段とよりなり、一対の支持手段のそ
れぞれには、支持手段の間隔の変更に対応して洗浄前の
基板の周縁を支持する第１支持部と洗浄後の基板の周縁
を支持する第２支持部とが形成されていることを特徴と
する。

【０００７】また、間隔変更手段は、一対の支持手段の
間隔を、第１支持部に基板の周縁を支持するための第１
の間隔と、第２支持部に基板の周縁を支持するための第
２の間隔とに設定可能であることを特徴とする。

【０００８】また、第２支持部は第１支持部よりも上方
に設けられていることを特徴とする。

【０００９】また、第１支持部と前記第２支持部のそれ
ぞれには、各々の支持部に支持された基板の端縁の位置
を規制する規制部材が形成されていることを特徴とす
る。

【００１０】

【作用】本発明によれば、一対の支持手段の間隔は間隔
変更手段により変更される。そして、支持手段の間隔の
変更に対応して、洗浄前の基板は第１支持部により支持
され、洗浄後の基板は第２支持部により支持される。

【００１１】また、一対の支持手段の間隔は、間隔変更
手段により、第１支持部に基板を支持するための第１の
間隔と、第２支持部に基板を支持するための第２の間隔
とに設定され、これにより、洗浄前の基板は第１支持部
に、洗浄後の基板は第２支持部に、それぞれ支持され
る。

【００１２】洗浄後の基板を支持する第２支持部を、洗
浄前の基板を支持する第１支持部よりも上方に設けれ
ば、洗浄前の基板に付着していた塵埃が第１支持部に付
着することがあっても、第２支持部やそこに支持される
洗浄後の基板を汚染する虞は少ない。

【００１３】第１支持部と第２支持部のそれぞれに規制
部材を設ければ、各々の支持部に支持された基板の端縁
の位置が規制部材により規制され、基板は支持部材に対
して位置決めされた状態で支持される。

【００１４】

【実施例】

＜０．基板処理装置の構成＞図２は本発明の基板搬送装
置が設けられる基板処理装置の全体斜視図である。基板
収納ユニットＡは、半導体ウエハ４（基板）を多段に収
納するカセット３１が、基台上に複数載置されて構成さ
れる。半導体ウエハ４を洗浄する洗浄処理ユニットＢ
は、半導体ウエハ４を回転させつつその上面及び裏面
（下面）を洗浄する複数の回転洗浄部Ｓと、洗浄した半
導体ウエハ４を一旦加熱してその後常温にまで冷却する
複数の熱処理部Ｈと、それら回転洗浄部Ｓおよび熱処理
部Ｈとの間で半導体ウエハ４を受け渡しする搬送ロボッ
トＴＲとよりなる。搬送ユニットＣには、この発明の基
板搬送装置１が設けられている。基板搬送装置１は、カ
セット３１の載置列にそって形成された移動経路Ｒ内を
移動し、基板収納ユニットＡのカセット３１から半導体
ウエハ４を取り出して洗浄処理ユニットＢの搬送ロボッ
トＴＲへ渡し、また洗浄処理ユニットＢによって洗浄さ
れた半導体ウエハ４を搬送ロボットＴＲから受け取って
カセット３１へ戻す。基板搬送装置１と搬送ロボットＴ
Ｒとの半導体ウエハ４の受け渡しは、搬送ロボットＴＲ
の移動経路と基板搬送装置１の移動経路Ｒとの接点近傍
に規定される受け渡し位置Ｐにおいてなされる。

【００１５】＜１．基板支持アームの構成＞図１は、こ
の発明の基板搬送装置の構成を示す斜視図である。搬送
装置１は、図示しない駆動機構により、移動経路Ｒ内に
おいて水平および鉛直方向に移動可能な移動台２と、そ
の上に設置された基板支持アーム３とを有している。基
板支持アーム３は、半導体ウェハ４を支持する１組の支
持体（支持手段）５ａ、５ｂを有している。支持体５
ａ、５ｂは、半導体ウェハ４を水平に支持し得る姿勢
で、互いに対向して配置されている。支持体５ａは、支
柱６ａを介して可動台７に固定的に支持されている。支
持体５ｂ、レバー６ｂ、支柱６ｃ、および可動台６ｄは
互いに固定的に連結しており、可動台６ｄは、可動台７
上に水平に敷設されたレール８に摺動可能に支持されて
いる。すなわち支持体５ｂは、支持体５ａに常に対向す
る姿勢を保ちつつ、しかも支持体５ａとの間の間隔を所
定の範囲で任意に変えることができる。

【００１６】可動台７は、更に移動台２の上面２ａに水
平に敷設されたレール９に摺動可能に支持されている。
２種類のレール８、９は互いに平行に設けられている。
可動台７がレール９上を摺動することにより、支持体５
ａ、５ｂは互いの間隔を一定に保ちつつ、移動台２に対
して水平面内の一方向Ｘ1 に移動する。この移動の方向
Ｘ1 は、支持体５ａが支持体５ｂに相対的に移動する方
向Ｘ2 と同一である。

【００１７】移動台２にはアクチュエータ１０が固定的
に設けられている。アクチュエータ１０は、可動台７に
固定的に設けられたレバー１１を介して、可動台７をＸ
1 方向に駆動する。可動台７には、もう一つのアクチュ
エータ１２が固定的に設けられている。アクチュエータ
１２は、可動台６ｄに固定的に設けられたレバー１３を
介して、可動台６ｄをＸ2 方向へ駆動する。

【００１８】アクチュエータ１０、１２は具体的にはパ
ルスモータから構成され、図示しない制御手段により制
御されてボールネジ１０ａ、１２ａを駆動する。かかる
構成により、制御手段の制御に基づき、アクチュエータ
１０は支持体５ａ、５ｂの位置を変更し、アクチュエー
タ１２は支持体５ａ、５ｂの間隔を変更する。

【００１９】＜２．支持体５ａ、５ｂの構成＞図３およ
び図４は、支持体５ａ、５ｂの形状を示す平面図（各図
（ａ））および部分的にAA−AA線、BB−BB線で切断した
部分断面図（各図（ｂ））である。図３は、支持体５
ａ、５ｂが洗浄前の半導体ウエハ４を支持した状態を、
図４は、支持体５ａ、５ｂが洗浄後の半導体ウエハ４を
支持した状態を、それぞれ描いてある。支持体５ａ、５
ｂは、それぞれが樹脂にて形成され、その互いに対抗す
る辺において、搬送される半導体ウエハ４の周縁を支持
する第１支持部５１ａ、５１ｂ及び第２支持部５２ａ、
５２ｂが形成されている。第１支持部５１ａ、５１ｂ及
び第２支持部５２ａ、５２ｂは、搬送される半導体ウエ
ハ４の周縁を支持可能となるよう円弧形状に形成された
平坦面である。下側に形成された第１支持部５１ａ、５
１ｂの端縁からは搬送される半導体ウエハ４の周縁の形
状と同一の円弧を描く立ち上がり壁５３ａ、５３ｂが形
成され、その立ち上がり壁５３ａ、５３ｂの上端に連な
るように第２支持部５２ａ、５２ｂが形成されている。
そして、第２支持部５２ａ、５２ｂの端縁にも、搬送さ
れる半導体ウエハ４の周縁の形状と同一の円弧を描く立
ち上がり壁５４ａ、５４ｂが形成されている。立ち上が
り壁５３ａ、５３ｂは、第１支持部５１ａ、５１ｂに支
持された半導体ウエハ４の端縁の位置を規制して、半導
体ウエハ４の位置決めを行う。立ち上がり壁５４ａ、５
４ｂは、第２支持部５２ａ、５２ｂに支持された半導体
ウエハ４の端縁の位置を規制して、半導体ウエハ４の位
置決めを行う。

【００２０】図１に示すように、基板支持アーム３が受
け取るべき半導体ウェハ４が、カセット３１に収納され
ている場合がある。カセット３１は、水平な溝３２を内
側面に多数有しており、半導体ウェハ４は溝３２の各１
に１枚ずつ収納される。基板支持アーム３がカセット３
１に収納される半導体ウェハ４を受け取る際には、支持
体５ａ、５ｂ、およびレバー６ｂが、隣接する半導体ウ
ェハ４の間の空間にカセット３１の正面から挿入され
る。このため、支持体５ａ、５ｂ、およびレバー６ｂ
は、この空間に挿入され得る形状および寸法を有する。
すなわち、隣接する半導体ウェハ４の間の間隙Ｄ、対向
する内側面の間の幅Ｗに対して、支持体５ａ、５ｂの幅
Ｗ1 、Ｗ2 、およびレバー６ｂを含めた支持体５ａ、５
ｂの高さＨ（図２）は、数１の関係を満たしている。

【００２１】

【数１】

【００２２】また、カセット３１の後部、すなわち、基
板の搬入・搬出を行う正面とは反対側には、開口Ｋが形
成されている。開口Ｋの横幅ＷＫ及び支持体５ｂの幅Ｗ
２とは、支持体５ｂが開口Ｋに出入り可能となるよう、
数２の関係を満たしている。

【００２３】

【数２】

【００２４】＜３．基板支持アームの動作＞図１に戻っ
て、カセット３１に収納されている半導体ウェハ４を受
け取る際には、支持体５ａ、５ｂ、レバー６ｂがカセッ
ト３１の正面から内部へ挿入され、半導体ウェハ４を受
け取り得る所定の位置で制止する。この動作は、アクチ
ュエータ１０の働きで可動台７がレール９上を前進し、
かつストッパ１４によって可動台７の動きが所定の位置
で制止されることにより行われる。基板支持アーム３全
体のカセット３１に対する相対位置は、レール９の軸の
方向Ｘ1 が、カセット３１の正面に対して垂直になるよ
うに、かつカセット３１との間に所定の距離を有するよ
うに、移動台２によってあらかじめ調節されている。ま
た、支持体５ａ、５ｂの高さは、受け取るべき半導体ウ
ェハ４の位置に応じて、同じく移動台２によってあらか
じめ調節されている。

【００２５】図５は、半導体ウェハ４を受け取る際の基
板支持アーム３の動作を説明する平面図である。カセッ
ト３１内において、未洗浄の半導体ウェハ４はある程度
の遊びをもって収納されている。すなわち、カセット３
１内に収納されている半導体ウェハ４の水平方向の位置
には、一定範囲の誤差がある。このため、カセット３１
に収納された未洗浄の半導体ウェハ４を受け取る際に
は、支持体５ａ、５ｂの第１支持部５１ａ、５１ｂの開
口長（間隔）Ｌは、半導体ウェハ４の直径Ｄａよりもあ
らかじめ幾分大きく設定される。すなわち、収納位置が
誤差の範囲にある全ての半導体ウェハ４を受け取り得る
ように、誤差の範囲に対応して直径Ｄａよりも余分に大
きく支持体５ａ、５ｂが開口する（図３（ａ））。この
開口の大きさの設定は、アクチュエータ１２によって駆
動される可動台６ｄの位置を、前述の制御手段が所定の
位置に制御することにより実行される（図１）。

【００２６】挿入された支持体５ａ、５ｂ、レバー６ｂ
は、その後移動台２の上昇に伴って、所定の高さだけ上
昇する。これによって、半導体ウェハ４がカセット３１
による支持状態を脱して、余裕をもって開口した支持体
５ａ、５ｂの第１支持部５１ａ、５１ｂの上面に載置さ
れる。このとき、半導体ウェハ４の中心Ｃ1 は、一般に
支持体５ａ、５ｂの立ち上がり壁５３ａ、５３ｂが規定
する円弧の中心Ｃ2 からずれた位置にある（図３
（ａ））。

【００２７】支持体５ａ、５ｂが半導体ウェハ４を受け
取った後、支持体５ａ、５ｂの開口長Ｌは狭められる。
この過程で、立ち上がり壁５３ａ、５３ｂが半導体ウェ
ハ４の外縁４ａに当接して半導体ウェハ４を支持するの
で、半導体ウェハ４の中心Ｃ1 は中心Ｃ2 に接近する。
開口長Ｌは、立ち上がり壁５３ａ、５３ｂが半導体ウェ
ハ４の水平方向の位置を所定の遊びをもって規制する大
きさにまで狭められる。すなわち、最終的な開口長Ｌの
大きさは、半導体ウェハ４の直径Ｄａよりも僅かに大き
な値に設定される。この設定された大きさにまで開口長
Ｌが狭められることにより、半導体ウェハ４の中心Ｃ1
は、中心Ｃ2 にほぼ一致する。このとき、半導体ウエハ
４と、両方の支持体５ａ、５ｂの立ち上がり壁５３ａ、
５３ｂとは、半導体ウエハ４の中心Ｃ1 を支持体５ａ、
５ｂの立ち上がり壁５３ａ、５３ｂが規定する円弧の中
心Ｃ2 に位置させるように位置決めするために当接した
一部分で接触していることはあっても、その一部分以外
のところでは接触しておらず、所定の遊びを保ってい
る。したがって、半導体ウエハ４の外縁には拘束力が殆
ど作用しない。遊びの大きさは小さい方には殆ど制限が
ないので、要求される半導体ウェハ４の位置精度に応じ
て設定することができる。このため、半導体ウェハ４は
十分な位置精度をもって基板支持アーム３に支持され
る。このときの支持体５ａ、５ｂの間隔は所定の第１の
間隔となっている。

【００２８】なお、図３、４および図５（ｂ）において
は、半導体ウエハ４は支持体５ａ、５ｂの全幅にわたっ
て外縁支持体２２ａ、２２ｂと接触しているように描か
れているが、これは遊びが半導体ウエハ４等の大きさと
比べてごく小さいためであって、実際には半導体ウエハ
４と、両方の支持体５ａ、５ｂの外縁支持体２２ａ、２
２ｂとは、前述のように一部分で接触していることはあ
っても、その一部分以外の大部分のところでは接触して
いない。

【００２９】以上の動作は、アクチュエータ１２によっ
て駆動される可動台６ｄの位置を、前述の制御手段が所
定の位置に制御することにより実行される。その後、開
口長Ｌは半導体ウェハ４の搬送が終了するまで、この設
定された大きさに維持される。

【００３０】半導体ウェハ４は、オリエンテーション・
フラットと呼ばれる切り落とし部４ｄ（図３）を通常有
している。カセット３１に収納される半導体ウェハ４の
オリエンテーション・フラット４ｄの方向は、定まって
いないのが通常である。このため、支持体５ａ、５ｂの
幅Ｗ1 、Ｗ2 は、オリエンテーション・フラット４ｄの
長さＳに対して、数３の関係を満たしている。

【００３１】

【数３】

【００３２】これにより支持体５ａ、５ｂは、オリエン
テーション・フラット４ｄがどの方向にあっても、所定
の位置精度をもって半導体ウェハ４を誤りなく支持する
ことが可能となる。

【００３３】つづいて、支持体５ａ、５ｂは、半導体ウ
ェハ４を支持しつつカセット３１の外に搬出する。この
動作は、アクチュエータ１０の働きで可動台７がレール
９上を後退することにより行われる。その後、基板支持
アーム３は、移動台２の移動に伴って移動することによ
り、半導体ウェハ４を支持しつつ搬送する。

【００３４】＜４．洗浄処理ユニットＢの動作＞未洗浄
の半導体ウエハ４をカセット３１から取りだした搬送ユ
ニットＣの基板搬送装置１は、かかる未洗浄の半導体ウ
エハ４を受け渡し位置Ｐまで搬送し、洗浄処理ユニット
Ｂへ受け渡しする。具体的には、支持体５ａ、５ｂに支
持された半導体ウエハ４が受け渡し位置Ｐにある状態
で、洗浄処理ユニットＢの搬送ロボットＴＲのアーム１
４がその半導体ウエハ４の下方から上昇し、半導体ウエ
ハ４を受け取る。搬送ロボットＴＲのアーム１４はその
端縁のみを支持して搬送する。半導体ウエハ４を受け取
った搬送ロボットＴＲは、その半導体ウエハ４を洗浄処
理ユニットＢ内において搬送し、その両面を洗浄し、熱
処理する。洗浄および熱処理後の半導体ウエハ４は、再
び搬送ロボットＴＲによって受け渡し位置Ｐまで搬送さ
れ、搬送ユニットＣの基板搬送装置１に渡される。

【００３５】＜５．基板支持アームの動作＞洗浄済みの
半導体ウエハ４が搬送ロボットＴＲにより受け渡し位置
Ｐに搬送されると、搬送ユニットＣの基板搬送装置１
は、カセット３１から半導体ウエハ４を取り出したとき
と同様の動作で洗浄済みの半導体ウエハ４を受け取るの
であるが、このとき、基板搬送装置１は、洗浄済みの半
導体ウエハ４を、第１支持部５１ａ、５１ｂではなく第
２支持部５２ａ、５２ｂによって支持して受け取る。具
体的には、基板搬送装置１は、支持体５ａ、５ｂの間隔
を第２支持部５２ａ、５２ｂの開口長が半導体ウエハ４
の直径Ｄａよりも幾分大きくなるように設定しておき、
搬送ロボットＴＲのアーム１４の下方から上昇し、半導
体ウエハ４を第２支持部５２ａ、５２ｂによって支持し
て受け取る。その後、支持体５ａ、５ｂの開口長が若干
狭められ、半導体ウエハ４の位置決めの作用が前述と同
様になされる。この位置決めがなされた状態で、半導体
ウエハ４は十分な位置制度をもって、且つ所定の遊びを
保った状態で基板支持アーム３に支持される。このとき
の支持体５ａ、５ｂの間隔は所定の第２の間隔に設定さ
れる。なお、この動作においても、支持体５ａ、５ｂの
間隔は、それぞれの動作に適当な値となるように前述の
制御装置により制御される。

【００３６】以上のように、本実施例によれば、一対の
支持体５ａ、５ｂの間隔はアクチュエータ１２により変
更され、そして、支持体５ａ、５ｂの間隔の変更に対応
して、洗浄前の半導体ウエハ４は第１支持部５１ａ、５
１ｂにより支持され、洗浄後の半導体ウエハ４は第２支
持部５２ａ、５２ｂにより支持される。従って、洗浄前
の半導体ウエハ４に付着していた塵埃が、基板支持アー
ム３を介して洗浄後の半導体ウエハ４に付着してしまう
ことがない。また、第１支持部５１ａ、５１ｂおよび第
２支持部５２ａ、５２ｂは半導体ウエハ４の周縁のみを
支持するものであるので、半導体ウエハ４の裏面の特に
中心部に塵埃を付着されてしまう虞が少ない。

【００３７】また、半導体ウェハ４は、カセット３１か
ら取り出される過程で、カセット３１の溝３２の表面と
接触することなくカセット３１の外部に取り出されるの
で、半導体ウェハ４と溝３２との摩擦による発塵の恐れ
がない。また、立ち上がり壁５３ａ、５３ｂ、５４ａ、
５４ｂは、所定の遊びをもって半導体ウェハ４の水平方
向の位置を規制するので、搬送の過程で半導体ウェハ４
に異常に高い加減速度を水平方向に印加しない限り、半
導体ウェハ４の外縁４ａには拘束力が作用しない。この
ため、外縁４ａからの発塵が殆ど起こらない。更に、第
１支持部５１ａ、５１ｂ、第２支持部５２ａ、５２ｂ
は、単に半導体ウェハ４の自由落下を防止するものであ
るため、半導体ウェハ４の底面４ｂに作用する力は、半
導体ウェハ４の重力に相当する大きさに限られる。この
ため、半導体ウェハ４の第１支持部５１ａ、５１ｂ、第
２支持部５２ａ、５２ｂとの当接部分からの発塵も低く
抑えられる。

【００３８】＜６．その他の実施例＞図６は本発明の第
２の実施例の支持体５ａ、５ｂを示す。第１の実施例に
おいて、第１支持部５１ａ、５１ｂ及び第２支持部５２
ａ、５２ｂは平坦面に形成されていたが、この実施例に
おいては、支持体５ａ、５ｂにおける第１支持部５１
ａ、５１ｂ及び第２支持部５２ａ、５２ｂは、支持され
る半導体ウエハ４の中心側に向かって低くなるように不
連続な傾斜面に形成されている。この場合、洗浄前およ
び洗浄後のの半導体ウエハ４は、第１支持部５１ａ、５
１ｂ及び第２支持部５２ａ、５２ｂにより線接触状態で
支持される。従って、塵埃の付着を低減するためにはよ
り好ましい。なお、この第２の実施例において、支持体
５ａ、５ｂ以外の部分については上述の第１の実施例と
同様であるので、図示および説明は省略する。

【００３９】図７は本発明の第３の実施例の支持体５
ａ、５ｂを示す。この実施例においては、支持体５ａ、
５ｂにおける第１支持部５１ａ、５１ｂ及び第２支持部
５２ａ、５２ｂは、支持される半導体ウエハ４の中心側
に向かって低くなるように連続した傾斜面に形成されて
いる。すなわち、一連の傾斜面のうち、上部が第２支持
部５２ａ、５２ｂ、下部が第１支持部５１ａ、５１ｂと
なっている。図７（ａ）は洗浄前の半導体ウエハ４を第
１支持部５１ａ、５１ｂで支持している状態を示し、図
７（ｂ）は洗浄後の半導体ウエハ４を第２支持部５２
ａ、５２ｂで支持している状態を示す。この場合も、洗
浄前および洗浄後のの半導体ウエハ４は、第１支持部５
１ａ、５１ｂ及び第２支持部５２ａ、５２ｂにより線接
触状態で支持される。従って、塵埃の付着を低減するた
めにはより好ましい。なお、この第３の実施例において
も、支持体５ａ、５ｂの間隔はアクチュエータ１２によ
り駆動され、制御手段により適切に制御される。その他
の部分については上述の第１の実施例と同様であるの
で、図示および説明は省略する。なお、この第３の実施
例においては、半導体ウエハ４の位置を規制する為の規
制部材は設けていないが、半導体ウエハ４の支持位置を
規制したい場合には、傾斜面のうち第１支持部５１ａ、
５１ｂ及び第２支持部５２ａ、５２ｂに対応する位置
に、規制部材としてのピンあるいは壁体を設ければよ
い。

【００４０】また、第１支持部５１ａ、５１ｂ及び第２
支持部５２ａ、５２ｂに突起あるいは突条を形成して、
半導体ウエハ４との接触面積をより少なくすれば、半導
体ウエハ４の汚染を低減するのにより効果がある。ま
た、第１支持部５１ａ、５１ｂ、第２支持部５２ａ、５
２ｂに加えて、第３あるいはそれ以上の数の支持部を設
け、必要に応じて使い分けるようにしてもよい。

【００４１】さらに、上記の実施例は、図２に示す構成
の基板処理装置に使用した例を示したが、それに限ら
ず、例えば搬送ロボットＴＲを使用することなく、本発
明の基板搬搬送装置１から直接に回転洗浄部Ｓへ半導体
ウエハ４を受け渡しする構成であってもよく、あるい
は、搬送ロボットＴＲに対して本発明を適用することも
できる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、基板の裏面の中央部に
平面的に接触することがなく、また、基板を洗浄する洗
浄装置に基板を搬送供給する場合においても、洗浄前の
基板に付着していた塵埃が、吸着アームを介して洗浄後
の基板に付着することがなく、従って、基板の汚染を顕
著に抑制することができる基板搬送装置が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例の基板搬送装置を示す要部の
模式的斜視図である。

【図２】図１に示した実施例の基板処理装置の全体を示
す斜視図である。

【図３】図１に示した実施例の支持体の形状および洗浄
前の半導体ウエハ支持の状態を示す構造図である。

【図４】図１に示した実施例の支持体の形状および洗浄
後の半導体ウエハ支持の状態を示す構造図である。

【図５】図１に示した実施例の支持体による半導体ウエ
ハの位置決め作用を示す平面図である。

【図６】本発明の他の実施例の支持体の構造を示す断面
図である。

【図７】本発明のさらに他の実施例の支持体の構造を示
す断面図である。

【符号の説明】

Ａ基板収納ユニットＢ洗浄処理ユニットＣ搬送ユニットＳ回転洗浄部１基板搬送装置４半導体ウエハ５ａ、５ｂ支持体１２アクチュエータ３１カセット５１ａ、５１ｂ第１支持部５２ａ、５２ｂ第２支持部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を多段に収納する収納手段と、基板
を洗浄する洗浄手段との間で基板を搬送する基板搬送装
置であって、互いに対向して配置された一対の支持手段と、前記一対の支持手段の間隔を変更する間隔変更手段とよ
りなり、前記一対の支持手段のそれぞれには、支持手段の間隔に
対応して洗浄前の基板の周縁を支持する第１支持部と洗
浄後の基板の周縁を支持する第２支持部とが形成されて
いることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】前記間隔変更手段は、前記一対の支持手
段の間隔を、前記第１支持部に基板の周縁を支持するための第１の間
隔と、前記第２支持部に基板の周縁を支持するための第２の間
隔とに設定可能であることを特徴とする請求項１記載の
基板搬送装置。
【請求項３】前記第２支持部は前記第１支持部よりも
上方に設けられていることを特徴とする請求項１または
２記載の基板搬送装置。
【請求項４】前記第１支持部と前記第２支持部のそれ
ぞれには、各々の支持部に支持された基板の端縁の位置
を規制する規制部材が形成されていることを特徴とする
請求項１または２または３記載の基板搬送装置。