JPH07286809A - 光学材料分析に用いる表面ミクロ機械加工技術によって製造される電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計 - Google Patents

光学材料分析に用いる表面ミクロ機械加工技術によって製造される電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計

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JPH07286809A
JPH07286809A JP7026497A JP2649795A JPH07286809A JP H07286809 A JPH07286809 A JP H07286809A JP 7026497 A JP7026497 A JP 7026497A JP 2649795 A JP2649795 A JP 2649795A JP H07286809 A JPH07286809 A JP H07286809A
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    • G—PHYSICS
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    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】技術の欠点を克服し、かつ表面ミクロ機械加工
技術によって製造される全く新しいタイプの電気同調可
能型ファブリ・ペロ干渉計を提供する。 【構成】ファブリ・ペロ干渉計に基づくセンサ構造は、
本体１と、前記本体ブロック１に密着された２枚の基本
的に平行な反射鏡４１、２６で、この反射鏡のうち少な
くとも１枚が４１部分的に透過性を有しかつ本体ブロッ
ク１に対して可動式であり、前記反射鏡４１、２６同士
が最大で複数の半波長（λ／２）分の間隔を設けて配置
されており、かつ反射鏡構造体４１、２６の両方が前記
反射鏡構造体４１、２６の間に静電力を発生させる内部
電極構造体６、２０を具備する反射鏡とから構成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面ミクロ機械加工技
術によって製造される請求項１の前文に記載の静電同調
可能型ファブリ・ペロ干渉計に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、可視光線から赤外線までの
（ＶＩＳ−ＩＲ）範囲における光学材料分析技術に適用
するものである。
【０００３】非分散性光スペクトラム・アナライザは、
従来、種々のタイプの光フィルタを使用している。この
うち重要なフィルタは、一般に、一定の波長に同調され
た帯域フィルタである。２つの波長を測定したい場合、
フィルタが２つ必要となり、適正な方法でフィルタの位
置を変える切替機構を付加するか、代わりに個別の検波
器を各フィルタの後ろに設置している。このフィルタ切
替操作は、従来、フィルタが取り付けられるターンテー
ブルによって実行されている。つまり、ターンテーブル
が回転している間、ＤＣ信号よりも利点の大きい信号形
態である検波器出力信号としてＡＣ電圧（または電流）
が得られる。
【０００４】このターンテーブル機構の問題は、ベアリ
ングの摩耗により有効寿命が比較的短いことである。本
発明の効果的な実施例では、使用による摩耗を伴うよう
な可動部を必要とせずに、帯域中心波長を電気的に同調
できるフィルタ構造について説明している。以下に、こ
の種の発明の公知例を示す。
【０００５】ミクロ機械加工技術によって製造される静
電同調可能なシリコンベースの干渉計は、Ｊ．Ｈ．ハー
マンおよびＤ．Ｊ．クリフトの「光ファイバＷＤＭシス
テムに使用するシリコンにミクロ機械加工した小型ファ
ブリ・ペロ干渉計」（”Ｍｉｎｉａｔｕｒｅ Ｆａｂｒ
ｙ−Ｐｅｒｏｔ ＩｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒｓＭｉ
ｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｉｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｆｏ
ｒ Ｕｓｅ ｉｎＯｐｔｉｃａｌ Ｆｉｂｅｒ ＷＤＭ
Ｓｙｓｔｅｍｓ”）（ダイジェスト・オブ・テクニカ
ルペーパーズ、トランスデューサーズ’９１、３７２
頁、１９９１年サンフランシスコ）、Ｋ．アラタニ他の
「表面ミクロ機械加工された同調可能型干渉計アレー」
（”Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ Ｔ
ｕｎｅａｂｌｅ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ Ａｒ
ｒａｙ”）（ダイジェスト・オブ・テクニカルペーパー
ズ、トランスデューサーズ’９３、６７８頁、１９９３
年横浜）ならびにカタギリ他の米国特許４、８５９、０
６０の各出版物により公知である。
【０００６】Ｊ．Ｈ．ハーマンおよびＤ．Ｊ．クリフト
の引用文献に開示されている構造は、３つのシリコン・
ウエハからミクロ機械加工技術によって作られた大容量
コンポーネントから成っている。そのような構造では、
干渉計反射鏡の平行化制御のための補助電界偏向電極が
必要になる。アラタニ他の引用文献では、可視光線レン
ジで使用されるミクロ機械加工された電気同調可能型干
渉計アレーが開示されている。このアレー内の個々の干
渉計のサイズは、２０ｘ２０μｍ2 ほどの小ささであ
る。このような小型の干渉計は、シングル・モードの光
ファイバと一緒にしか使用できない。
【０００７】米国特許４、８５９、０６０に開示されて
いる構造は、干渉計を形成するために結合された２枚の
厚いウエハから構成されている。この構造物の長さは、
静電気の引力を制御することによって調節される。ただ
し、このような構造の欠点は、構造体に反射鏡の形を制
御するための矯正処置が採られていないために、反射鏡
の表面が球形に湾曲することである。
【０００８】上に述べた干渉計の制御範囲は、干渉計の
残りの長さの最大約３０％であり、実際には約２０％で
ある。光干渉計の同調操作のための温度制御の使用は、
ＤＥ特許３９ ２３ ８３１により公知であり、この場
合、干渉計の各反射鏡間の熱電光学媒体としてシリコン
が使用されている。熱電光学媒体の屈折率は、温度に関
する強力な相関的要素である。この媒体の加熱／冷却
は、干渉計の両脇に設置されたペルチエ素子によって実
行される。エタロンの光学的長さは、エタロンの通過域
の波長の間隔が、分析対象となる気体のスペクトル回転
振動吸収線の間隔と一致するように選択される。ＥＰ特
許出願０ １９６ ７８４では、シリコンの屈折率の温
度依存性を、温度測定のファイバ光学技術に利用してい
る。
【０００９】ＤＥ特許公報３６ １１ ８５２に開示さ
れている実施例には、膨大な熱量を伴うことによって同
調速度が遅くなるという欠点がある。さらに、ここで採
用されている組立技術には、干渉計の反射鏡の各面の平
行度を獲得するという問題がある。また、干渉計エタロ
ン内のシリコン媒体の厚さは、厳密な正確さが要求され
る。干渉計の冷却／加熱は、干渉計の光軸に孔のあるペ
ルチエ素子によって実行されるが、このような素子を利
用した場合、素子を装着するうえで接着を要するため、
製造上の問題が発生する。また、これらの構成要素は、
非標準型であることから高価である。前記公報に教示さ
れている実施例では、金属被膜による反射鏡を使用して
いるが、これによって干渉計構成要素の光透過能力がか
なり低いものとなっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記技術の
欠点を克服し、かつ表面ミクロ機械加工技術によって製
造される全く新しいタイプの電気同調可能型ファブリ・
ペロ干渉計であり、また光学材料分析における同調可能
型フィルタ構成要素としての使用に適した干渉計を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、電極のうち少
なくとも１つが光学領域から完全に外部に位置するよう
に電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計素子の光学的長
さを制御する電極を配置する点に基礎を置いている。さ
らに詳細に言えば、本発明によるファブリ・ペロ干渉計
素子は、請求項１の特性を示す箇所で述べられている点
を特徴としている。
【００１２】また、本発明には、極めて重要な利点があ
る。最大の利点は、本発明による干渉計の制御範囲が従
来の構造によって得られる範囲に比べてはるかに広いこ
とである。極端な場合、干渉計の長さはゼロまで制御さ
れ、したがって、互いに接している干渉計エタロン底部
に電位が加わらないため、互いに引きつけ合う傾向がそ
れ以上見られなくなる。
【００１３】また、隔膜構造の周辺に孔があるため孔の
地点で湾曲が可能であり、したがって同調範囲全域にわ
たって光学領域の平面性を維持することから、本発明に
よる干渉計の反射／透過曲線は、干渉計による制御が行
われている間、側面の形を維持する。さらに、本発明に
よる干渉計によって制御方法が容易になるが、これは、
反射鏡の光学領域の変位が従来の構造に比べて滑らかな
制御電圧の関数となるためであり、この場合、干渉計エ
タロン・ギャップの閉鎖電圧に近づくと、反射鏡の動き
が極めて急速になる。
【００１４】シリコンは、降伏応力までフックの法則に
従い、かつ６００℃以下の温度ではヒステリシスを全く
示さないことから、機械的特性に関して優れた材料と言
える。シリコン層の上に酸化物あるいは窒化物を堆積で
きるため、化学薬品に対して耐性にすることができる。
シリコンから作られた各素子もまた、シリコン対シリコ
ンまたはガラス接着により互いに接着される。従来の構
造では、誘電体層に二酸化珪素または窒化珪素のいずれ
かを使用する。本発明では、誘電体層としてドーピング
されていない、あるいはわずかにドーピングされている
ポリシリコンを使用することによって構造上の利点を引
き出しており、これによって、干渉計の上面は平面性の
高い構成が可能である。その結果、別の素子との接着が
容易になる。
【００１５】次に、以下に述べる添付図面に照らし合わ
せながら実施例を例示することにより、本発明を詳細に
考察する。また、添付図面の断面図にはサイズが示され
ていないが、この図面の目的は、ミクロ機械加工技術を
用いて積層構造としての電極の製造方法を示すことにあ
り、実際の寸法は後に示している。
【００１６】
【実施例】まず、図３について説明する。各素子を示す
用語は次の通りである。シリコン基板１は、シリコン・
ウエハまたはシリコン部品である。下部反射鏡は、シリ
コン基板１上に作られた多層構造体２６である。干渉計
の波長は、下部反射鏡２６上に作られた層７によって決
まる。図示された構造の場合、この層の厚さは、干渉計
の残りの光学的長さに等しい。材料が取り除かれている
領域は、干渉計のエタロン８と呼ばれる。
【００１７】上部反射鏡４１は、エタロン８上に作られ
た多層構造から成っている。中央の電極６および２２
は、環状電極２０と同様、一定の領域において下部反射
鏡２６または上部反射鏡４１のシリコンを反射鏡の偏向
電圧が加わる導伝性電極にドーピングすることによって
形成されている。代表的な例として、電極の形は左右対
称の環状として示しているが、他の形も可能である。光
学領域２４は、反射鏡の偏向が行われている間において
平面性を維持する上部反射鏡４１の領域を示している。
短エタロン干渉計とは、エタロンの光学的長さが最大で
半波長になるものがある干渉計である。
【００１８】残りの波長は、干渉計エタロンの残りの長
さに対応する最大波長である。偏向電圧が全く印加され
ないとき、残りの長さは、干渉計エタロンの残りの長さ
を示している。上部反射鏡４１の光学領域２４には、ミ
クロ機械加工によって孔２８が開けられており、この孔
を通して材料が取り除かれ、干渉計のエタロン８が形成
される。上部反射鏡４１の薄くなっている領域１５は、
光学領域の偏向下位領域としての働きをする。本発明に
よるファブリ・ペロ干渉計は、エタロンの長さが電界偏
向によって制御可能な構造である。このため、干渉計通
過域の中心波長も制御可能となっている。ファブリ・ペ
ロ干渉計の基本的な等式は次のように表すことができ
る。
【００１９】
【数１】 ただし、ｄは両反射鏡間のエタロン長さであり、ｍは整
数（例えば、干渉計エタロンの軸モード数、または干渉
のオーダー数）、ｎはエタロン媒体の屈折率であり、λ
は波長である。従来の干渉計の場合、ｍの値は、１０〜
１００、０００の範囲内にあるが、本発明では、ｍ＝１
となる短エタロン干渉計を使用している。干渉計の通過
帯域幅Ｂ（＝ＦＷＨＭ）は、反射鏡の反射率ｒとエタロ
ン長さｄの関数である。
【００２０】
【数２】 干渉計オーダー数の様々な値に対応する各スペクトル線
の間の自由スペクトル領域ＦＳＲは、隣接する送信波形
間の間隔を示している。ＦＳＲは、オーダー数ｍに関す
るｍおよびｍ＋１の値を求めることにより、等式（２）
から計算できる。
【００２１】
【数３】 等式（３）から明らかなように、ｍの値が小さくなると
ＦＳＲの値は大きくなる。また、ＦＳＲの値が大きくな
ると、例えば、カットオフ・フィルタなどにより、隣接
する干渉計オーダー数のスペクトル線の消去が容易にな
る。表面ミクロ機械加工技術によってシリコンから作ら
れた干渉計の場合、距離ｄを２μｍにすることができ、
かつｍ＝１となる。したがって、ＦＳＲの値は、２μｍ
となる。ただし、干渉計の通過域は、多層反射鏡の層の
数に影響されることがある。
【００２２】図１ａに示される干渉計の従来の電極構成
では、制御範囲が、最大でも干渉計エタロンの残りの長
さの３分の１である。このようなファブリ・ペロ干渉計
は、通常、基板１と、干渉計エタロンの残りの長さを決
める層７と、基板１上に作成される電極６と、層７上に
作成され反射鏡の中心領域２４が光学領域と可動電極両
方の役割を果たす構造を有する可動式かつ透過性の反射
鏡とから成っている。また、図１ｂから明らかなよう
に、本発明による干渉計の構造では、制御範囲が従来の
構造に比べてはるかに広くなる。これは、電極２０に面
している反射鏡部の平均変位よりもはるかに大きい振幅
でレバー動作によって移動するように上部反射鏡の中心
領域２４を配置することによって実現され、この場合、
変位の振幅は、最大で干渉計エタロンの残りの長さの約
３分の１まで可能である。また、静電力を引き起こす電
界は、図に点線で示されている。
【００２３】図１ｃについて説明すると、測定構成部は
光源３１を具備し、光源３１は光学測定チャネル３３に
向けて光を放射する。同調可能型ファブリ・ペロ干渉計
３５により、光学測定チャネルを通過した放射光は、制
御可能な干渉計３５の長さを調節することによって所望
の方法で濾波できる。濾波された信号は、信号輝度や位
相などの適正な変数として検波器３９によって検出され
る。
【００２４】図２について説明すると、２つの異なる長
さの干渉計エタロンを対象にしたファブリ・ペロ干渉計
の通過域がグラフに示されている。偏向電圧がゼロのと
き、干渉計通過域は２μｍに集中し、偏向電圧が加わる
と、１．７μｍになる。ファブリ・ペロ干渉計は、反射
モードだけでなく、透過モードでも動作可能である。透
過モードでは、狭帯域フィルタとして干渉計を使用する
が、反射モードでは、干渉計はバンドストップ・フィル
タとして動作し、つまり、他のすべてのスペクトルの波
長が狭波長帯域を除いて反射されることになる。
【００２５】次に、図３について説明する。干渉計構造
は、干渉計の本体部としての役割を果たすシリコン・ウ
エハ１上に作成される。層２は窒化珪素から成り、層３
はポリシリコンから形成されている。また、層４は二酸
化珪素から成り、層５はポリシリコンから成るが、層５
の場合、領域６が環状の導伝下部電極にドーピングされ
た構造となっている。干渉計の残りの長さを決める層７
は、二酸化珪素から成り、内部はエッチング加工されエ
タロン・キャビティ８を形成している。ここに説明する
実施例では、（図示された状態に反して）層７が完全に
取り除かれるが、これは、エッチング孔２８がエタロン
・キャビティ８のリム部に近いためである。二酸化珪素
のエッチング処理によって形成されたキャビティは、干
渉計反射鏡間のエタロンとして作用する。層９はポリシ
リコンから成り、図の濃いハッチング部分が層５の領域
６と同じ方法でドーピングされた構造となっている。層
１０は二酸化珪素から成るパターン層である。層１１は
ポリシリコンから成り、ドーピング領域は図の濃いハッ
チング部分である。干渉計の上部反射鏡４１は、層９、
１０、１１の中心部から成り、下部反射鏡２６は、層
２、３、４、および５から成っている。窒化珪素層１３
は、無反射層である。ここに説明する構造は、１μｍか
らこれを上回る波長までのＩＲ領域において利用可能で
ある。
【００２６】層５、９、１１のドーピングされていない
シリコンは、機械的支持層と絶縁誘電体層の両方の働き
をする。これにより、同一のシリコン層の各部分間で短
絡が起きる可能性を持たずに、この部分を別の電位に導
くことが可能である。干渉計は、金属接触部１２に電圧
を加えることによって制御可能であり、その場合、静電
力によって上部反射鏡は下方に引き寄せられ、干渉計エ
タロンが短くなる。光学領域の電極がドーピングされた
ポリシリコンから成り、かつ電極間の誘電体絶縁部がド
ーピングされていないあるいは若干ドーピングされてい
るシリコンから形成された場合、完全に平坦な構造が得
られる。わずかにドーピングされたポリシリコン層の光
学的性質がドーピングを一切行っていないポリシリコン
層とほとんど同じであることから、電極領域も光学領域
の一部として利用できるのである。
【００２７】また、シリコン基板ウエハ１がＶＩＳ（可
視光線）領域のすべての放射を吸収することから、図４
に示すようなエッチングによって形成された孔１４を有
する干渉計構造を提供し、この点を解決している。孔２
８により、干渉計エタロンの内側から二酸化珪素をエッ
チングにより除去できる。干渉計の光学領域２４は、孔
２８による境界内に位置している。また、光学領域２４
は、その内側で干渉計エタロン長さの全制御範囲にわた
って上部反射鏡４１を平坦に保持する薄状の環状部分１
５で囲まれている。層１１の導伝領域を介して、上部反
射鏡４１の中心電極２２に制御電圧が印加される。孔２
８は、干渉計の光学領域２４の外部に位置しなければな
らず、好ましくは、円に沿って等間隔に分割した方がよ
い。孔２８の形は、小さい環状の孔から干渉計領域の半
径方向に細長く伸びたスロット型の孔まで幅広い範囲の
ものが可能である。
【００２８】干渉計のエタロン８は、孔２８を介してエ
ッチングによって形成されることが好ましい。光学領域
２４を平坦に保持するためには、屈曲領域として機能す
る薄状の環状領域１５が光学領域２４の周りに形成され
なければならない。干渉計は、通常、光学領域の直径が
約０．５ｍとなるような約１ｍｍの直径を有している。
干渉計の外部寸法は、例えば、２ｍｍｘ２ｍｍのサイズ
が可能である。反射鏡の各種層の厚さは数百ｎｍであ
り、エタロンの長さは、１μｍ未満から数μｍまで希望
する波長領域によって異なる。
【００２９】機械的制御範囲は、エタロン残部長さから
ゼロまでの範囲にわたっている。光学的制御範囲は、波
長関数として反射係数を定める反射鏡の構造によって異
なっている。金属被膜による反射鏡を使用した場合、最
大の光学的制御範囲が得られるが、多層誘電体反射鏡で
は、残部波長の約半分の制御範囲しか得られない。次
に、図５では、干渉計構造の別の態様が示されている。
中心電極２９に印加された電圧は、下部反射鏡の下部シ
リコン層へのドーピングによって形成された導伝路３８
を介して取り込まれる。中心電極２９は、絶縁層２７に
よって下部反射鏡の環状電極構造体２５から絶縁され
る。下部反射鏡２６の中心電極構造体２９から静電荷を
放出するため、中心電極構造体２９が上部反射鏡４１の
電極構造体２２と同じ電位に導かれる。
【００３０】図６では、さらに別の態様の干渉計構造２
が示されている。この構造を使用した場合、上部中心電
極２２と環状電極２０に印加された電圧は、二酸化珪素
層に設けられたシリコンを充填した補助孔３６を介して
取り込まれる。この構造は、３端子回路に構成可能であ
る。当業者にとって、このような電界偏向動作は、上記
の構造が従来技術の例として理解され本発明の精神に限
定されない複数の様々な方法によって実行可能なことは
明らかである。したがって、本発明の特性は、環状電極
構造によって可能な制御範囲の拡大、制御領域全域にわ
たって光学領域２４を平坦に維持できるようにする光学
領域２４を囲む薄状環１５、ならびに誘電体絶縁として
ドーピングを一切行わないか若干行っているポリシリコ
ンの使用である。
【００３１】以下に、図３に関して、干渉計の製造工程
を明らかにする例示方法により、干渉計構造の詳細を説
明する。支持基板材料は、主要厚さ０．５ｍｍ、ドーピ
ング・レベル１０15原子／ｃｍ3 未満および（１００）
結晶系のシリコン・ウエハ１である。シリコン・ウエハ
の上面には、窒化珪素のλ／４層２が形成される。次
に、窒化珪素層２の上には、ドーピングされていない多
結晶質シリコンのλ／４層３が形成され、さらに層３の
上に二酸化珪素のλ／４層４が形成される。さらに、二
酸化珪素層４の上には、ドーピングされていないポリシ
リコンのλ／４層５が形成される。
【００３２】また、層５の上にはフォトレジスト層が塗
布され、フォトレジストはパターン化される。次に、シ
リコンに対して、約１０14原子／ｃｍ3 のドーパント濃
度により、燐、硼素、または砒素原子のイオン注入が行
われる。さらに続いて、レジスト層が除去される。パタ
ーン層５の上には二酸化珪素のλ／２層７が形成される
が、その場合、この二酸化珪素から、図３に示される構
造体７が残るまで二酸化珪素の必要な箇所が除去され
る。この構造体の上には、ドーピングされていないポリ
シリコンのλ／４層９が形成され、さらに、フォトレジ
スト層が塗布された後、フォトレジストはパターン化さ
れる。次に、燐、硼素、または砒素原子でイオン注入が
行われ、フォトレジストが除去される。
【００３３】次に、二酸化珪素のλ／４層１０が形成さ
れ、図３に示される構造体１０の形にパターン化され
る。この層の上には、ドーピングされていないポリシリ
コンのλ／４層１１が形成され、フォトレジスト層が塗
布された後、フォトレジストのパターン化が行われる。
さらに、燐、硼素、または砒素原子でイオン注入が行わ
れ、フォトレジストが取り除かれる。続いて、新たにフ
ォトレジストが塗布されパターン化されるが、これは、
エタロン・キャビティ８を形成するため、孔２８と薄状
化領域１５をミクロ機械加工し、孔２８を通して層７か
ら二酸化珪素をエッチングで除去するためである。次
に、例えば、真空蒸発または機械マスクによるスパッタ
ーなどによって、金属製接触パッド１２が形成される。
この金属層１２は、多層金属被膜にしてもよい。最後
に、ウエハの下面に何らかの被膜が塗布される場合もあ
り得るが、これを除去して、代わりに、下面に窒化珪素
のλ／４層１３を形成する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は従来の同調可能型ファブリ・ペロ干渉
計の側面図である。（ｂ）は本発明による同調可能型フ
ァブリ・ペロ干渉計の側面図である。（ｃ）は本発明に
よる干渉計用の測定器構成のブロック図である。
【図２】本発明による干渉計の実施例に関する通過域曲
線を、干渉計のそれぞれ異なる２つの波長において示し
たグラフである。
【図３】シリコンが透過性となる波長での操作用に作ら
れた本発明によるファブリ・ペロ干渉計の実施例の側断
面図である。
【図４】可視光線による波長での操作用に作られた本発
明によるファブリ・ペロ干渉計の実施例の側断面図であ
る。
【図５】可視光線による波長での操作用に作られた本発
明による別のファブリ・ペロ干渉計の実施例の側断面図
である。
【図６】シリコンが透過性となる波長での操作用に作ら
れた本発明による別のファブリ・ペロ干渉計の実施例の
側断面図である。
【図７】電極部の断面を示す図６のファブリ・ペロ干渉
計の平面図である。
【符号の説明】
１………………本体ブロック ２６、４１…………反射鏡 ６、２０…………電 極

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光学測定波長が波長λに集中するような
    光学掃引フィルタとして光学材料分析に用いる表面ミク
    ロ機械加工技術によって製造される電気同調可能型ファ
    ブリ・ペロ干渉計において、 − 本体ブロック（１）と、 − 少なくとも反射鏡の１枚（４１）が半透過性であり
    本体ブロック（１）に対して可動式となっている、前記
    本体ブロック（１）に密着される２枚の基本的に平行な
    反射鏡（４１、２６）において、前記反射鏡（４１、２
    ６）が互いに最大で複数の半波長、すなわちλ／２の間
    隔を有する反射鏡と、 − 反射鏡構造体（４１、２６）の両方に含まれ、かつ
    前記反射鏡構造体（４１、２６）の間に静電力を発生さ
    せることが可能な内部電極構造体（６、２０）とから成
    り、 − 光学領域の平坦性を最大限度に保持しやすくするた
    めに、可動式反射鏡構造体（４１）が、反射鏡の光学領
    域（２４）を取り囲む構造的に弱い領域（１５）を有
    し、 − 機械的レバー動作を実現し、かつ可動式反射鏡構造
    体（４１）の電極（２０）と固定式反射鏡構造体（２
    ６）の電極（６）の間で電流による接触が発生しないよ
    うにするために、電極構造体の少なくとも１つ（２０）
    を用いて前記光学領域（２４）を取り囲むことを特徴と
    するファブリ・ペロ干渉計型センサ構造。
  2. 【請求項２】 可動式反射鏡構造（４１）の電極（２
    ０）が光学領域（２４）を囲むように作成されているこ
    とを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロ干渉
    計。
  3. 【請求項３】 可動式反射鏡構造（４１）の電極（２
    ０）が円形の環状電極であることを特徴とする請求項２
    に記載のファブリ・ペロ干渉計。
  4. 【請求項４】 固定式反射鏡構造（２６）の電極（２
    ５）が光学領域（２４）を囲むように作成されているこ
    とを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロ干渉
    計。
  5. 【請求項５】 絶縁領域（２７）によって環状電極（２
    ５）の反対側にある電極（２２）の電位に接続されてい
    る導伝領域（２９）から環状電極（２５）を分離できる
    ように、光学領域（２４）を囲む環状電極（２５）の内
    部領域が絶縁領域（２７）と導伝領域（２９）とから成
    ることを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロ干
    渉計
  6. 【請求項６】 前記の構造的に弱い領域が反射鏡材料の
    環状の薄状化領域（１５）であることを特徴とする請求
    項１に記載のファブリ・ペロ干渉計。
  7. 【請求項７】 誘電材料としてドーピングされていない
    あるいは若干ドーピングされているポリシリコンを用い
    て、ある一定のシリコン層の種々の領域の誘電体絶縁が
    行われることを特徴とする請求項１に記載のファブリ・
    ペロ干渉計。
  8. 【請求項８】 導伝材料としてドーピングされたポリシ
    リコンを用い、かつ誘電材料として若干ドーピングされ
    たポリシリコンを用いて、光学領域（２４）の電極（２
    ２、２９）が形成されることを特徴とする請求項１に記
    載のファブリ・ペロ干渉計。
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