FI98325C - Selektiivinen infrapunadetektori - Google Patents

Selektiivinen infrapunadetektori Download PDF

Info

Publication number
FI98325C
FI98325C FI943251A FI943251A FI98325C FI 98325 C FI98325 C FI 98325C FI 943251 A FI943251 A FI 943251A FI 943251 A FI943251 A FI 943251A FI 98325 C FI98325 C FI 98325C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
mirror
fabry
absorbent layer
infrared detector
mirrors
Prior art date
Application number
FI943251A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI98325B (fi
FI943251A (fi
FI943251A0 (fi
Inventor
Yrjoe Koskinen
Original Assignee
Vaisala Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaisala Oy filed Critical Vaisala Oy
Priority to FI943251A priority Critical patent/FI98325C/fi
Publication of FI943251A0 publication Critical patent/FI943251A0/fi
Priority to EP95304740A priority patent/EP0693683B1/en
Priority to DE69511488T priority patent/DE69511488T2/de
Priority to US08/499,188 priority patent/US5589689A/en
Priority to JP7172188A priority patent/JPH0943051A/ja
Publication of FI943251A publication Critical patent/FI943251A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI98325B publication Critical patent/FI98325B/fi
Publication of FI98325C publication Critical patent/FI98325C/fi

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3504Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

1 9G325
Selektiivinen infrapunadetektori
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen infrapunadetektori.
5
Keksintöä voidaan käyttää kaasujen, nesteiden tai kiinteiden aineiden optisissa pitoisuusmittauksissa IR-alueella.
Kaasun pitoisuutta on yleisesti mitattu infrapunasäteilyn absorption perusteella. 10 Mittausmenetelmät voidaan jakaa dispersiiviseen ja ei-dispersiiviseen menetelmään (NDER. = non-dispersive infrared). Dispersiivinen menetelmä perustuu hilan tai prisman käyttöön ja mittaukseen käytetään useita aallonpituuksia. Ei-dispersiivisessä menetelmässä käytetään laajempaa infrapunan spektrialuetta. Ei-dispersiiviset infrapuna-analysaattorit ovat rakenteeltaan yksinkertaisempia ja helppokäyttöisempiä. Mittauksen 15 aallonpituusalue on tavallisesti valittu kaistanpäästösuotimen avulla.
NDIR-menetelmää käyttävä mittauslaite koostuu tavallisesti seuraavista komponenteista: IR-lähde, mittauskanava, kaistapäästösuodin ja IR-detektori. Menetelmä on yleensä riittävän selektiivinen mitattavan aineen suhteen, mutta ongelmana on ollut 20 analysaattorien epästabiilisuus. Epästabiilisuutta aiheuttavat IR-lähteen vanheneminen, mittauskanavan likaantuminen sekä IR-detektorin herkkyyden muutokset. Ongelman eliminoimiseksi on käytetty mittausmenetelmää, jossa mittaus suoritetaan kahdella eri v aallonpituuskaistalla. Toinen kaista valitaan niitattavan kaasun absorption alueelta ja toinen (referenssikaista) sen vierestä. Tällöin joudutaan käyttämään kahta erillistä 25 kaistapäästösuodinta. Vaihtoehtona mittauslaitteen rakenteessa on, joko käyttää IR-detektorin edessä olevaa mekaanisesti vaihdettavaa suodinparia, tai kahta kiinteää • I « *;1; suodinta ja kahta erillistä IR-detektoria. Mekaanisesti vaihdettava suodinpari on • · · tavallisesti toteutettu pyörivän kiekon avulla.
• · • · • · · 30 Edellä esitetyn tekniikan haittana on mittalaitteen mekaanisen rakenteen monimutkaisuus ·· ja tästä johtuva mittalaitteen toteutuksen korkeahko hinta. Tavallisesti käytetty · ·· kaistanpäästösuodin on mittalaitteessa suhteellisen kallis erilliskomponentti. Pyörivän kiekon käytön haittana on sen suhteellisen lyhyt elinikä laakerien kulumisesta johtuen.
2 S6325
Lisäksi eri kaistanpäästösuotimet likaantuvat erilailla, mikä aiheuttaa mittaukseen virhettä. Kahden kiinteän erillisen kaistanpäästösuotimen ja IR-detektorin käytön haittana on IR-detektorien erilainen ikääntyminen ja kaistapäästösuotimien erilainen likaantuminen.
5
Viitteessä 1 on esitetty pintamikromekaniikalla valmistettu sähköstaattisesti moduloitava Fabry-Perot interferometri. Komponenttiin on integroitu valoilmaisimena toimiva fotodiodi, joka on saatu aikaan prosessoimalla p-n-liitos piisubstraattiin. Komponenteista on valmistettu interferometriarray, jossa yhden komponentin koko on vain 20x20 pm. 10 Käyttötarkoitus on valomodulaattori optisessa tiedonsiirrossa. Koska komponentissa käytetään valoilmaisimena piidiodia, ei sitä voida käyttää n. 1,1 pm pidemmillä aallonpituuksilla, mikä rajoittaisi oleellisesti sen mahdollista käyttöä pitoisuusmittauksissa. Käyttöä rajoittaa myös komponentin pieni pinta-ala, minkä vuoksi ilmaisimelta saatava signaali on liian heikko, eikä sitä voida käyttää NDIR-mittalaitteen 15 komponenttina.
Viitteessä 2 on esitetty piimikromekaniikalla valmistettu infrapunadetektori, joka toimii ns. Golay-kennon periaatteen mukaisesti, missä infrapunasäteilyn ilmaiseminen perustuu suljetussa kammiossa olevan kaasun termisen laajenemisen mittaamiseen. 20 Infrapunasäteily absorboituu kammion seinämässä olevaan ohueen membraanin, jonka terminen massa on hyvin pieni. Lämpö siirtyy membraanista suljetussa kammiossa olevaan kaasun, joka lämmitessään pyrkii laajentumaan ja saa aikaan membraanin liikkumisen. Membraanin liikkuminen mitataan piimikromekaniikalla valmistetun ohuen kärjen ja membraanin välisen tunnelointivirran avulla. Komponentti toimii optisesti 25 laajakaistaisena £R-ilmaisimena ja sen käyttö pitoisuusmittauksissa vaatisi erillisen . kaistapäästösuotimen.
« · · · • · · • · • · 1
Viittessä 3 on käsitelty ohuiden metallikalvojen käyttöä tennisten IR-detektorien • · absorptiomateriaaleina. Pelkkä ohut metallikalvo absorboi maksimissaan 50 % siihen 30 kohdistetusta IR-säteilystä. Absorptiota voidaan kuitenkin selvästi lisätä, kun käytetään sopivan taitekertoimen omaavaa substraattimateriaalia, joka on pinnoitettu ·· metallikalvolla. Tällöin IR-säteilyn aallonpituus vaikuttaa voimakkaasti absorption suuruuteen. Viitteessä 3 ei kuitenkaan esitetä ratkaisua, jossa absorptio olisi rajoitettu 3 98325 vain tietylle aallonpituuskaistalle. Pitoisuusmittauksissa vaaditaan tässäkin tapauksessa erillinen kaistapäästösuodin.
Mikromekaniikkaa on käytetty yleisesti termisten IR-detektorien valmistamiseen. 5 Menetelmät perustuvat detektorin aktiivisen, IR-säteilyä absorboivan osan termiseen eristämiseen käytetystä piisubstraatista. Aktiivisen osan lämpötilan muutos voidaan ilmaista rakenteeseen valmistetun termoparin, pyrosähköisen materiaalin, lämpötilaherkän vastuksen td piidiodin avulla. Kaikissa tunnetuissa rakenteissa detektorit ovat optisesti laajakaistaisia.
10 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatun tekniikan puutteellisuudet ja aikaansaada aivan uudentyyppinen selektiivinen infrapunadetektori.
Keksintö perustuu siihen, että infrapunadetektoriin on kiinteästi yhdistetty 15 kaistanpäästösuodin. Lisäksi kaistapäästösuotimen spektrialuetta voidaan sähköisesti säätää ilman kuluvia liikkuvia osia. Kaistapäästösuodin on toteutettu pintamikromekaniikalla valmistetulla Fabry-Perot interferometrillä. IR-detektorin toiminta perustuu interferometriin absorboituneen IR-säteilyn aiheuttaman lämpötilan : ·' nousun ilmaisemiseen. IR-säteily absorboituu rakenteeseen ainoastaan Fabry-Perot 20 interferometrin läpäisykaistalla.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle IR-detektorille on tunnusomaista se, v : mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
25 Tunnettuun tekniikkaan nähden keksinnöllä saavutetaan huomattavia etuja.
Pitoisuusmittauksissa käytetty Fabry-Perot interferometri ja siihen liitetty terminen IR- **'; detektori on toteutettu täysin uudentyyppisellä ratkaisulla. Keksinnön mukaisessa • » • · ratkaisussa FPI:n ja termisen IR-detektorin muodostaa yksi piimikromekaniikalla • * • · ; * valmistettu komponentti.
·;·· 30 • ’· Piimikromekaniikalla toteutettu komponentti on massavalmisteisena halpa. Tunnetun tekniikan mukaisessa ratkaisussa joudutaan erilliset FPI- ja detektorikomponentit 5. r\ -/ o r- liittämään toisiinsa, mikä on hankalaa ja aiheuttaa lisäkustannuksia. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa ovat nämä vaikeudet ja kustannukset eliminoitu.
Erillisen FPI:n ja detektorin käytössä aiheutuu optisia häviöitä, kun FPI:n läpäisseen IR-5 säteilyn tulisi mahdollisimman hyvin kohdistua detektorin aktiiviselle pinnalle. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa ovat nämä optiset häviöt eliminoitu, minkä ansiosta IR-detektorin ilmaisevuus on parempi.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukaisten 10 suoritusesimerkkien avulla.
Kuvio la esittää halkileikattuna sivukuvantona Fabry-Perot interferometriä, jonka peilit on toteutettu ohutkalvojen monikerrosrakenteena.
15 Kuvio Ib esittää yläkuvantona kuvion la mukaista Fabry-Perot interferometriä.
Kuvio 2 esittää graafisesti kuvioiden la ja Ib mukaisen rakenteen läpäisyspektriä.
Kuvio 3 a esittää halkileikattuna sivukuvantona keksinnön mukaista IR-säteilyä 20 absorboivaa kerrosta, joka on varustettu Fabry-Perot interferometrillä.
Kuvio 3 b esittää graafisesti kuvion 3 a mukaisen rakenteen absorptiospektriä.
Kuvio 4 esittää halkileikattuna sivukuvantona vaihtoehtoista keksinnön mukaista IR-25 detektoria, joka on varustettu Fabry-Perot interferometrillä.
···' Kuvio 5 esittää halkileikattuna sivukuvantona toista vaihtoehtoista keksinnön mukaista • · · • · • · *. . IR-detektoria, joka on varustettu Fabry-Perot interferometrillä.
• · • · • · 30 Kuvio 6 esittää kytkentäkaaviota kuvion 6 mukaisen detektorin ohjaamiseksi.
Kuvio 7 esittää yläkuvantona kolmatta vaihtoehtoista keksinnön mukaista IR-detektoria.
Il 5 9632α
Kuvio 8 esittää halkileikattuna sivukuvantona kuvion 7 mukaista IR-detektoria.
Fabry-Perot interferometrin (FPI) muodostaa kaksi vastakkain olevaa puoliläpäisevää peiliä. Kuviossa la ja Ib on esitetty yksi mahdollinen pintamikrotyöstön 5 valmistusmenetelmillä toteutetun FPI:n rakenne. Rakenteessa on yläpeilinä 1 ja alapeilinä 2 ohutkalvoista valmistettu monikerrosrakenne. Yläpeilin kalvokerrokset ovat: polypii, piidioksidi ja polypii. Alapeilin 2 rakenne on muutoin sama, mutta rakenteessa on yksi piidioksidikalvokerros lisänä. Peilien ohutkalvot voidaan kasvattaa CVD-menetelmällä heikosti seostetun piialustan 3 päälle, joka läpäisee hyvin IR-säteilyä. Peilien 1 ja 2 10 välissä oleva ontelo 4 on saatu aikaan etsaamalla uhrautuva kerros 5 pois yläpeilissä olevien reikien 6 kautta. Uhrautuva kerros 5 voi olla esim. piidioksidia.
Kun ohutkalvoista valmistetun peilin 1 tai 2 halutaan heijastavan mahdollisimman hyvin aallonpituudella λ, on kalvojen paksuuden oltava λ/(4 n) (n on kalvomateriaalin 15 taitekerroin). Peili heijastaa sitä paremmin, mitä enemmän kalvojen taitekertoimet eroavat toisistaan monikerrosrakenteessa. Kalvomateriaaleilta vaaditaan myös, että niiden absorptio halutulla FPI:n läpäisykaistalla olisi mahdollisimman pieni. Sopivia materiaaleja ovat esim. heikosti seostettu polypii, piidioksidi tai piinitridi.
20 Ohutkalvojen monikerrosrakenteen avulla toteutetun FPI:n läpäisyspektrin määrittäminen on esitetty viitteessä 4. Koko rakenteen läpäisy voidaan määrittää eri kalvokerrosten välisten heijastus-ja läpäisykertoimien avulla. Kuviossa 2 on esitetty kuvioiden la ja Ib . rakenteen laskettu läpäisyspektri.
25 Ideaalisen FPI:n läpäisykaistojen paikat voidaan likimäärin laskea seuraavan yhtälön perusteella ··· m • · · f «·« » « 1 2 1 . (1) 2d /m= λ 2 • · • m « 30 missä d on peilien välinen etäisyys, m kokonaisluku (FPI:n kertaluku). Kaavassa 1 on : ' oletettu, että peilien väliaineena on ilma. Kuvion la rakenteessa d = 2,1 pm, ja kertaluvun m = 1 läpäisykaista osuu noin 4,2 pm:n kohdalle. Pienemmillä aallonpituuksilla läpäisykaistat eivät osu kaavan 1 määräämille aallonpituuksille, koska 6 9 G 3 2 5 FPI:n peilien paksuudet on mitoitettu siten, että peilit heijastavat hyvin n. 4 μιη.η kohdalla. Tällöin kuitenkin heijastusominaisuudet heikkenevät pienemmillä aallonpituuksilla.
5 Koska kuvion la peilien yhtenä materiaalina on käytetty johtavaa polypiitä, voidaan peilien välille tuoda kontaktien 50 ja 51 kautta jännite. Tällöin peilien välille saadaan aikaan sähköstaattinen vetovoima, joka pyrkii taivuttamaan yläpeiliä 1 lähemmäksi alapeiliä 2. Kuvion la mukaisessa rakenteessa yläpeilin taipuva osa on etsausreikien 6 kohdalla. Tällöin etsausreikien 6 välissä oleva yläpeilin osa pysyy tasomaisena, kun 10 peilien välistä etäisyyttä muutetaan sähköstaattisen voiman avulla. Yläpeilin 1 tasomaista aluetta voidaan kutsua sen optisesti aktiiviseksi alueeksi. Peilien 1 ja 2 välisen jännitteen avulla voidaan säätää optisesti aktiivisen alueen ja alapeilin 2 välistä etäisyyttä ja kaavan (1) perusteella FPI:n läpäisykaistan aallonpituutta. Peilin optisesti aktiivisen alueen halkaisija voi olla 0,2 - 2 mm.
15
Kun Fabry-Perot interferometriä käytetään NDIR-mittalaitteessa valitaan yksi tai useampia kertaluvun m määrittämistä läpäisykaistoista ja muut läpäisykaistat Mokataan sopivien yli- ja alipäästösuotimien avulla. Yli- ja alipäästösuotimena voidaan käyttää : sopivasta materiaalista valmistettua absorbaattoria, jonka IR-säteilyn 20 läpäisevyysominaisuudet ovat sopivat. FPI:tä voidaan käyttää siten, että jännitteen avulla ;' muutetaan FPI:n läpäisykaistaa ja mittaus suoritetaan usealla aallonpituuskaistalla.
V 1 Kuviossa 3a on esitetty keksinnön mukainen rakenne, jossa suodattimena toimiva Fabry-
Perot interferometri on integroitu absorboivaan kerrokseen 7. Rakenne on sama kuin 25 kuviossa la lukuunottamatta ohutta metallikerrosta 7, joka osittain absorboi IR-säteilyä FPI:n läpäisykaistaa vastaavilla aallonpituuksilla. Absorptiomateriaalina toimiva ohut «t metallikerros 7 voidaan esim. höyrystää yläpeilin 1 päälle.
• « * « « • · • 0 0 0 ' 1 Koska metallikalvossa 7 vapaat varauksenkuljettajat aiheuttavat IR-säteilyn absorption, 30 voidaan absorptiominaisuudet määrittää metallikalvon 7 johtavuuden perusteella. Viitteessä J on esitetty kaavat, joilla voidaan määrittää kahden dielektrisen ' ·. · materiaalin välinen heijastuskerroin r ja läpäisykerroin t, kun materiaalien välissä on ohut metallikerros.
Il 7 nr 7 n f yoozo (2) r = (N2-N1+y)/(N2+N1+y) (3) t = 2 Nj / (N2+Ni+y) 5 missä y = 377 Ω/Rg , Rgon metallikalvon 7 neliövastus, N] ja N2 ovat dielektristen materiaalien kompleksiset taitekertoimet. Alaindeksi 1 viittaa siihen materiaaliin, josta IR-säteily on tulossa ja 2 siihen materiaaliin johon se on menossa. Kuvion 3a rakenteessa N2 = 1 (ilman taitekerroin).
10
Kuviossa 3b on esitetty kaavojen 2 ja 3 perusteella laskettu FPI:n absorptiospektri, kun Rg = 160 Ω. Kuvista 2 ja 4 voidaan havaita, että metallikalvon sisältävän FPI:n absorptiokaista osuu ilman metallikalvoa olevan FPI.n läpäisykaistan aallonpituudelle. Kun peilissä käytetty kalvomateriaali on esim. heikosti seostettua tai seostamatonta IS monikiteistä piitä, piidioksidia tai piinitridiä, ei niiden absorptio ole merkittävä aallonpituusalueella 1 ... 8 pm verrattuna metallikalvon aiheuttamaan absorptioon. Kuvion 3 b absorptiopiildn paikkaa voidaan moduloida sähköstaattisesti peilien välisen jännitteen avulla.
• 20 Rakenteessa käytettävä metallikalvo voi olla esim. kultaa. Tällöin 160 Ω:ϊη neliövastuksen arvoisen kalvon paksuus on vain noin 20 nm.
' ; Metallin sijasta voidaan absoboivan kalvon materiaalina käyttää myös esimerkiksi « · · "!! puolijohdetta tai polypiitä.
25
Keksinnön mukaisessa ratkaisussa pystytään ilmaisemaan FPI:iin absorboituvan ER-säteilyn intensiteetti. Absorboitunut IR-säteily nostaa termisesti eristetyn peilin lämpötilaa ja lämpötilan nousu muutetaan termisen ilmaisimen avulla anturin • · · · ulostulojännitteeksi. Ulostulojännite on verrannollinen IR-säteilyn intensiteettiin FPI:n : *. 30 absorptiokaistalla. Keksinnön mukainen ratkaisu on täysin uudenlainen siinä suhteessa, .“· että piimikromekaniikalla valmistettu komponentti toimii sekä interferometrina että termisenä IR-detektorina.
g 9Cö2b
Tehokkaan detektorin aikaansaamiseksi on FPI:n peili tai peilit oltava termiseltä massaltaan mahdollisimman pienet, jotta absorboitunut IR-säteily aiheuttaisi mahdollisimman suuren peilin lämpötilan muutoksen. Lämpötilan muutoksen havaitsemiseen voidaan käyttää rakenteeseen integroituja termopareja, pyrosähköistä 5 materiaalia, lämpöherkkää vastusta tai Golay-kennon tyyppistä ilmaisua.
Yläpeilin termistä eristystä voidaan edelleen parantaa koteloimalla detektori hermeettisesti niin pieneen paineeseen, että kaasutäytteisen ontelon 4 lämmönjohtokyky on riittävästi pienentynyt.
10
Kuvion 3 a rakenteessa on absorboiva peili 1 termisesti eristetty substraatista 3 peilien 1 ja 2 välisen ohuen kaasutäytteisen ontelon 4 avulla. Ontelo 4 on hyvä lämpöeriste, vaikka sen paksuus olisi vain mikrometrien luokkaa. Kun absorboiva peili 1 on riittävän ohut, ei lämmön siirtyminen peiliä pitkin tukirakenteeseen 3 ole merkittävä lämmön 15 häviömekanismi.
Kuviossa 4 on esitetty vaihtoehtoinen rakenne, jossa kummankin peilin 1 ja 2 terminen massa on pieni. Rakenne on saatu aikaan yhdistämällä kappale- ja pintamikrotyöstömenetelmiä. Alapeilin 2 alla oleva piisubstraatti 3 on poistettu ": 20 aktiiviselta alueelta anisotrooppisen etsauksen avulla. Koska peilit 1 ja 2 ovat hyvin lähellä toisiaan ja niiden terminen massa on pieni, seuraa alapeilin 2 lämpötila absorboivan yläpeilin lämpötilaa. Kuvion 4 rakenteella saadaan kuitenkin aikaan suurempi lämpötilan muutos kuin kuvion 3a rakenteella, koska lämmön johtuminen ♦ · ♦ peileistä alustaan 8 on vähäistä, kun käytetyn piisubstraatin 3 paksuus on luokkaa 0,5 • ♦ 25 mm.
Kuviossa 5 on esitetty FPI, johon on integroitu Golay-kenno. Kenno toimii siten, että IR- .· säteily absorboituu metallikalvoon 9, joka lämmittää alapeilin 10. Alapeilistä 10 lämpö • · · · siirtyy suljetussa kammiossa 11 olevaan kaasuun. Kammiossa 11 oleva kaasu pyrkii .. 30 lämmitessään laajentumaan, mistä seuraa alapeiliin 10 kohdistuva paine, joka saa aikaan ”... alapeilin 10 taipumisen. Taipuminen havaitaan alapeilin 10 ja yläpeilin 12 välisen _· · kapasitanssin muutoksena, kun alapeiliin 10 kohdistuva paine saa aikaan ala- 10 ja yläpeilin 12 etäisyyden muuttumisen.
9 98325
Optisen käyttötarkoituksen lisäksi ylä- 12 ja alapeili 10 muodostavat rakenteessa kondensaattorin elektrodit ja suljetun kammion 11 paineen muutos aiheuttaa näiden elektrodien välisen kapasitanssin muutoksen. Ylä- ja alapeilin toisena kalvomateriaalina 5 käytetään sopivasti seostettua piitä, jotta elektrodeilla olisi sopiva johtavuus kapasitanssin mittausta varten. Peileihin 10 ja 12 saadaan sähköinen kontakti metallikontaktien 13 ja 14 kautta.
NDIR-mittalaitteessa Golay-kennoon kohdistuu tietyllä taajuudella pätkitty IR-säteily, 10 joka synnyttää kammioon 11 samalla taajuudella paineen vaihtelun eli äänen. Rakenteessa ääni ilmaistaan samalla lailla kuin kondensaattorimikrofonissa, mikrofonin elektrodit muodostaa tässä tapauksessa FPI:n peilit. Paineen vaihtelu saadaan muutettua kondensaattorimikrofoneissa käytetyn tunnetun tekniikan avulla ulostulojännitteeksi, joka on verrannollinen Golay-kennoon kohdistuneen IR-säteilyn voimakkuuteen FPI:n 15 absorptiokaistalla.
Kuvion 5 rakenteessa suljettu kammio 11 on saatu aikaan etsaamalla piialusta 15 alapeilin 10 alta pois anisotrooppisen etsin avulla ja liittämällä lasi 19 piimikromekaniikassa käytetyn liitostekniikan avulla piialustaan 15. Lasin 19 ja piialustan 15 väliin on 1:": 20 prosessoitu ohut ura 16, jonka kautta ympäristön hitaat painemuutokset siirtyvät myös kammioon 11, mikä estää paine-eron ympäristön ja kammion 11 välille. Ura on tehty niin •.' ·: pieneksi, ettei se läpäise IR-säteilyn kammioon 11 synnyttämää ääntä. Metallikalvo 9 on i saatu aikaan höyrystämällä ennen lasin 19 liittämistä. Alapeiliin 10 on prosessoitu urat • · ♦ ···* 17, joiden sisäpuolella on alapeilin 10 taipuva osa. Tästä on se etu, että alapeili 10 taipuu * ♦ '· 25 absorpoivan osan kohdalla tasomaisena, yhdensuuntaisena yläpeilin 12 kanssa.
Yläpeilissä 12 on etsausreikiä 18 niin tiheässä, että kaasu pääsee vapaasti virtaamaan peilien välissä olevan ontelon 11 ja ympäristön välillä. Tästä on se etu, että alapeilin 10 liike ei aiheuta peilien 10 ja 12 välissä olevan kaasun puristumista tai laajentumista, mikä • · · · .*;* aiheuttaisi alapeilin 10 liikkumista vastustavan voiman. IR-säteilyn ilmaisevuutta voidaan 30 parantaa kasvattamalla peilin pinta-alaa. Peilin optisesti aktiivisen osan leveys voi olla \. esim. 0,5 - 1 mm.
10 O - 7 o l
y c:· O z D
Kuviossa 6 on esitetty kytkentäkaavio yhdistetyn FPI:n ja Golay-kennon ohjausta varten, kun FPI:hin kohdistetaan moduloitua IR-säteilyä. Jännitelähteen 20 avulla saadaan FPI:n peilien välille polarisaatiojännite. Jännite on kytketty suuri ohmisen vastuksen 21 kautta FPI:n elektrodeille, minkä ansiosta elektrodien varaus pysyy likimäärin vakiona, kun 5 pätkitty IR-säteily saa aikaan FPI.n elektrodien välisen kapasitanssin muutoksen. Jännitesignaali vahvistetaan esivahvistimen 23 avulla. Peilien polarisaatiojännite aiheuttaa peilien välillä vetovoiman ja saa aikaan peilien välisen etäisyyden muuttumisen. Jännitelähteen 20 ulostulojännitteen arvo valitaan niin, että peilien välinen etäisyys vastaa haluttua interferometrin absorptiokaistaa.
10 FPI:stä on tehtävä sellainen, että peilien välinen etäisyys lepotilassa on selvästi suurempi kuin pitoisuusmittauksessa käytetyn aallonpituuden määräämä peilien välinen etäisyys, joka saadaan aikaan pienentämällä polarisaatiojännitteen avulla peilien välistä etäisyyttä. Mitä suurempaa polarisaatiojännitettä käytetään, sitä suurempi on Golay-kennosta saatu 13 jännitesignaali.
Käyttämällä sähköisesti ohjattua jännitelähdettä 20, voidaan pitoisuusmittaus suorittaa usealla eri aallonpituuskaistalla.
20 Kuvion 5 mukainen rakenne on esimerkinomainen, alan ammattimiehelle on selvää, että FPI:n monikerrospeilit 10 ja 12 voidaan toteuttaa monella eri tapaa. Kuvion S mukaista ;: rakennetta voidaan muuttaa myös siten, että metallikalvo 9 on yläpeilin 12 päällä, eli : ' yläpeili 12 on IR-säteilyä absorboiva osa. Tällöin on IR-säteily kohdistettava peileihin • · * •y’ alhaalta päin suljetun kammion Ilja lasin 19 läpi.
• · « ‘ 25
Tunnusomaista tälle keksinnölle on se, että IR-säteilyä absorboiva termisesti eristetty FPI:n peili on yhteydessä suljettuun kammioon, jossa oleva kaasu lämpiää IR-säteilyn , . absorboituessa peiliin. Edellä on esitetty yksi keksinnön mukainen ratkaisu, jossa FPT.n • 01 · .·; peilit muodostavat myös mikrofonin, jonka avulla suljetun kammion paineen vaihtelu • · ‘30 havaitaan. On myös mahdollista käyttää erillistä piimikromekaniikalla valmistettua ’... paineanturia, joka on yhteydessä suljettuun kammioon.
9 n 7 o jr οοζ,ϋ
Kuvioissa 7 ja 8 esitetyn termopatsasdetektorin toiminta perustuu useaan sarjaan kytkettyyn termopariin. Termoparin johtimet on liitetty toisiinsa detektorin “kuumassa” 28 ja “kylmässä” osassa 28 ja termoparista saatava jännite on verrannollinen liitoskohtien lämpötilojen erotukseen. Suuremman ulostulojännitteen aikaansaamiseksi on 5 termopatsasdetektorissa kytketty sarjaan useampi termopari.
Termopatsas IR-detektorin valmistaminen piimikromekaniikalla on tunnettua tekniikkaa. Sopivia materiaaleja termopareihin ovat esim. seostettu polypii ja alumiini .Viitteessä6 on esitetty termopatsas ER-ilmaisin, jossa p-/n-polypii termoparit on integroitu termisesti 10 eristettyyn monikerroskalvorakenteeseen.
Kuvioissa 7 ja 8 esitetyn Fabry-Perot interferometrin yläpeilin polypiikerrokseen on integroitu termoparisarja. Kuvio 7 esittää FPI:tä päältä katsottuna ennen suojakalvojen kasvatusta termoparien päälle. Kuviossa 8 on esitetty halkileikkaus valmiista rakenteesta. 15 Polypiikalvoon on seostettu p-tyyppinen johdin 24 ja n-tyyppinen johdin 25. Johtimet on eristetty toisistaan etsaamalla johtimien välissä oleva polypii pois. P- ja n-tyyppiset polypiijohtimet 24 ja 25 on liitetty toisiinsa höyrystettyjen alumiiniliuskojen 40 avulla. Liitoskohdat on ilmaisimen kuumassa osassa 26 ja kylmässä osassa 27.
“ 20 Kuvion 8 mukaisesti termoparien päälle kasvatetaan piidioksidista 30 ja polypiistä 31 ·.· : kalvokerrokset, jotka suojaavat rakennetta uhrautuvan kerroksen etsauksen aikana.
« »
Etsaus tapahtuu prosessoimalla aluksi etsausreiät 28 polypiikerroksen läpi.
: Sähköstaattisesti ohjattavan FPI:n yläpeilin taipuva osa on etsausreikien 28 ·«· ···* muodostaman neliön reuna. Kuvion 8 rakenteen päälle kasvatettavaan suojakerrokseen * » « 25 etsataan aukot termoparien kontaktia 32 varten.
FPI:n ohjausjännite tuodaan kontaktien 33 ja 34 kautta. Yläpeilin ensimmäinen t: polypiikerros 35 on seostettu riittävän hyvin johtavaksi hyvän kontaktin ··«· .·:* aikaansaamiseksi. Rakenteessa on termoparin kontaktin 32 ja yläpeilin kontaktin 34 ..' '30 välisen polypiin oltava seostamaton, jotta se olisi tarpeeksi hyvä eriste kontaktien välillä.
» » * • · « • · Ennen alapeilin kasvatusta on piisubstraatin 42 päälle prosessoitu metalliapertuuri 36, « « * _ _ joka läpäisee IR-säteilyä vain FPI:n absorboivan metallikalvon kohdalta. Tällöin yläpeiliin 12 98325 ei osu IR-säteilyä termoparien 24 ja 25 kohdalla. Termopareissa käytetty voimakkaasti seostettu polypii ja metalliliuskat 40 voivat absorboida IR-säteilyä ei-halutuilla aallonpituuksilla ja täten levittää FPI:n absorptiokaistaa. Metalliapertuuri 36 estää tämän haitan.
5
Rakenteen termisiä ominaisuuksia voidaan parantaa ohentamalla käytettyä piisubstraattia kuvion 4 mukaisesti. Jos rakenteessa tarvitaan metalliapertuuria kuten kuvion 8 rakenteessa, voidaan se toteuttaa liittämällä rakenteeseen lasi, johon on höyrystetty erillinen metalliapertuuri.
10
Rakenteesta saadaan ulostulojännite termoparien kontaktien 32 kautta. Ulostulojännite on suoraan verrannollinen absorboituneen IR-säteilyn intensiteettiin. Jännitesignaali joudutaan vahvistamaan pienikohinaisella esivahvistemella ennen signaalinkäsittelyelektroniikkaa, jonka avulla tutkittava pitoisuus määritetään.
15
Kuvioissa 7 ja 8 esitetty rakenne on esimerkinomainen. Alan ammattimiehelle on selvää, että termoparit ja monikerrospeilit voidaan toteuttaa monella eri tapaa. Tunnusomaista keksinnölle on se, että termoparit on integroitu toiseen termisesti eristettyyn FPI:n monikerrospeiliin, joka sisältää IR-säteilyä absorboivan kalvon.
20 FPI:n peilin lämpötilan nousun ilmaisemiseen voidaan käyttää myös lämpötilaherkkää
i I
vastusta. Vastusmateriaalina voi olla heikosti seostettu polypii, jolloin sen integrointi rakenteeseen on helppoa, kun yksi FPI:n peileissä käytetyistä materiaaleista on polypii.
«·· * * · * • · « · • __________ _____ 1 K.Aratani et ai., Surface Micromachined Tuneable Interferometer Array, The 7th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Transducers '93,678, Yokohama 1993 2 T.W. Kenny et al., Micromachined Election Tunneling Infrared Sensors, 3 S.Bauer et al., Thin Metal Films as Absorbers for Infrared Sensors, Sensors and Actuators A, 37-38 . (1993)497-501 4H.A.Macleod, Thin-film Optical Filters, Adam Hilger, Bristol, 1986 ,· V 5 S. Bauer et al., Thin Metal Films as Absorbers for Infrared Sensors, Sensors and Actuators A, 37-38 ’ \ , (1993)497-501
; ·. 6 R.Lenggenhager, H.Baltes, Improved Thermoelectric Infrared Sensor Using Double Poly CMOS
: ' Technology, The 7th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Transducers 93, ; " ’ 1008, Yokohama 1993 I « I ·
’ I
1(1 • » 1 t »

Claims (9)

13 9832b
1. Piimikromekaanisesti valmistettu infrapunadetektori, joka käsittää 5 - termisesti eristävälle alustalle (1) sijoitetun infrapunasäteilyä absorboivan kerroksen (7, 44), sekä - termiset ilmaisuelimet (11, 24, 25) absorboivan kerrokseen (44) 10 absorboituneen säteilyn määrän ilmaisemiseksi, tunnettu siitä, että - säteilyn kulkureitillä ennen absorboivaa kerrosta (7, 44) sijaitsee 15 piimikromekaanisesti valmistettu sähköisesti säädettävä Fabry-Perot interferometri (1, 2, 5), jonka toiseen peiliin (1, 2) absorboiva kerros (7, 44) on kiinteästi yhdistetty.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että Fabry- • 20 Perot interferometri (1, 2, 5) on varustettu Golay-kennolla absorboivan kerrokseen (7, :.· · 44) kohdistuvan säteilyn ilmaisemiseksi. « · .1 .1 3. Vaatimuksen 2 mukainen interferometri, tunnettu siitä, että Fabry-Perot • «· • ••ϊ interferometrin (1, 2, 5) peilit muodostavat paineanturin elektrodit. • ·· ; 25
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että Fabry- « · · • · · *··.· Perot interferometri (1, 2, 5) on varustettu termopari-ilmaisimella (24, 25) absorboivan • « · . · · · kerrokseen (7, 44) kohdistuvan säteilyn ilmaisemiseksi. • « ♦ ♦ · ♦ · ·
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että :absorboiva kerros (7, 44) on sijoitettu Fabry-Perot interferometrin (1, 2, 5) yläpeiliin (1).
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että alapeili että absorboiva kerros (7, 44) on sijoitettu Fabry-Perot interferometrin (1, 2, 5) alapeiliin (2). /n S \J Zl \J
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että se Fabry-Perot interferometrin (1, 2, 5) peili, johon absorboiva kerros (7, 44) on yhdistetty, on 5 massaltaan pieni.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että absorboiva kerros (7, 44) on polypiitä.
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen infrapunadetektori, tunnettu siitä, että absorboiva kerros (7, 44) on metallia. • · • · · • · ·· • · · • · · • · · • · • · · • · · • •I « • · · • · · • · · 1 II I « · • · · • · · is 96325
FI943251A 1994-07-07 1994-07-07 Selektiivinen infrapunadetektori FI98325C (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI943251A FI98325C (fi) 1994-07-07 1994-07-07 Selektiivinen infrapunadetektori
EP95304740A EP0693683B1 (en) 1994-07-07 1995-07-06 Selective infrared detector
DE69511488T DE69511488T2 (de) 1994-07-07 1995-07-06 Selektiver Infrarotdetektor
US08/499,188 US5589689A (en) 1994-07-07 1995-07-07 Infrared detector with Fabry-Perot interferometer
JP7172188A JPH0943051A (ja) 1994-07-07 1995-07-07 赤外線検出器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI943251 1994-07-07
FI943251A FI98325C (fi) 1994-07-07 1994-07-07 Selektiivinen infrapunadetektori

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI943251A0 FI943251A0 (fi) 1994-07-07
FI943251A FI943251A (fi) 1996-01-08
FI98325B FI98325B (fi) 1997-02-14
FI98325C true FI98325C (fi) 1997-05-26

Family

ID=8541073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI943251A FI98325C (fi) 1994-07-07 1994-07-07 Selektiivinen infrapunadetektori

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5589689A (fi)
EP (1) EP0693683B1 (fi)
JP (1) JPH0943051A (fi)
DE (1) DE69511488T2 (fi)
FI (1) FI98325C (fi)

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5584117A (en) * 1995-12-11 1996-12-17 Industrial Technology Research Institute Method of making an interferometer-based bolometer
ES2119712B1 (es) * 1996-12-17 1999-05-16 Consejo Superior Investigacion Procedimiento y dispositivo optico microfabricado para la deteccion de bandas de absorcion/emision en el infrarrojo.
US5892140A (en) * 1997-04-30 1999-04-06 Honeywell Inc. Micromachined inferential opto-thermal gas sensor
FR2768812B1 (fr) * 1997-09-19 1999-10-22 Commissariat Energie Atomique Interferometre fabry-perot accordable integre
SG68002A1 (en) * 1997-11-25 1999-10-19 Inst Of Microelectronics Natio Cmos compatible integrated pressure sensor
FI981456A0 (fi) 1998-06-24 1998-06-24 Valtion Teknillinen Menetelmä mikromekaanisten elektrodien välisen etäisyyden sähköiseksi säätämiseksi
JP2000140135A (ja) 1998-09-11 2000-05-23 Tokkyo Kaihatsu Kk 遠赤外線健康器、遠赤外線健康法及びダイオキシン類***方法
US6628396B1 (en) * 1999-06-11 2003-09-30 Mamac Systems, Inc. Photo expansion gas detector
JP2001264441A (ja) * 2000-01-14 2001-09-26 Seiko Instruments Inc カロリーメーターとその製造方法
FR2805052A1 (fr) * 2000-02-14 2001-08-17 Schlumberger Ind Sa Filtre fabry-perot court a couches metalliques
US6836366B1 (en) * 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6608711B2 (en) * 2000-03-03 2003-08-19 Axsun Technologies, Inc. Silicon on insulator optical membrane structure for fabry-perot MOEMS filter
JP3537778B2 (ja) * 2000-05-25 2004-06-14 照榮 片岡 光波長同調方法およびファブリーペロー型光共振器
US6602427B1 (en) * 2000-08-28 2003-08-05 Xiang Zheng Tu Micromachined optical mechanical modulator based transmitter/receiver module
JP3409848B2 (ja) * 2000-08-29 2003-05-26 日本電気株式会社 熱型赤外線検出器
JP3812881B2 (ja) * 2000-11-22 2006-08-23 株式会社アイ・エイチ・アイ・エアロスペース 赤外線検出素子
US6489615B2 (en) * 2000-12-15 2002-12-03 Northrop Grumman Corporation Ultra sensitive silicon sensor
US6721098B2 (en) * 2000-12-22 2004-04-13 Axsun Technologies, Inc. Triple electrode MOEMS tunable filter and fabrication process therefor
NO315177B1 (no) * 2001-11-29 2003-07-21 Sinvent As Optisk forskyvnings-sensor
US6770882B2 (en) * 2002-01-14 2004-08-03 Multispectral Imaging, Inc. Micromachined pyro-optical structure
US6617175B1 (en) * 2002-05-08 2003-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Infrared thermopile detector system for semiconductor process monitoring and control
US7129519B2 (en) * 2002-05-08 2006-10-31 Advanced Technology Materials, Inc. Monitoring system comprising infrared thermopile detector
US6787387B2 (en) * 2002-06-24 2004-09-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic device and method for fabricating the electronic device
US6741377B2 (en) * 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
JP4241245B2 (ja) * 2002-10-25 2009-03-18 株式会社デンソー センサ装置
WO2004088415A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Advanced Technology Materials Inc. Photometrically modulated delivery of reagents
US7063097B2 (en) * 2003-03-28 2006-06-20 Advanced Technology Materials, Inc. In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration
US7269325B2 (en) * 2003-11-03 2007-09-11 Jidong Hou Tunable optical device
CN100345015C (zh) * 2003-12-30 2007-10-24 侯继东 一类基于微机电***技术的可调光学器件
JP4166712B2 (ja) * 2004-01-29 2008-10-15 株式会社デンソー ファブリペローフィルタ
ES2244319B2 (es) * 2004-03-11 2006-06-16 Eads Construcciones Aeronauticas, S.A. Procedimiento para la certificacion de mantas termicas mediante termografia infrarroja.
DE102004013851B4 (de) * 2004-03-20 2021-06-17 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Interferenzfilter aus alternierenden Luft-Halbleiter-Schichtsystemen sowie ein mit dem Verfahren hergestellter Infrarotfilter
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7460246B2 (en) * 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
NO20051850A (no) 2005-04-15 2006-09-25 Sinvent As Infrarød deteksjon av gass - diffraktiv.
US7277605B2 (en) * 2005-05-18 2007-10-02 The Regents Of The University Of California Silicon fiber optic sensors
US7583390B2 (en) * 2006-03-02 2009-09-01 Symphony Acoustics, Inc. Accelerometer comprising an optically resonant cavity
US7355723B2 (en) * 2006-03-02 2008-04-08 Symphony Acoustics, Inc. Apparatus comprising a high-signal-to-noise displacement sensor and method therefore
US7359067B2 (en) * 2006-04-07 2008-04-15 Symphony Acoustics, Inc. Optical displacement sensor comprising a wavelength-tunable optical source
CN100423310C (zh) * 2006-04-29 2008-10-01 中国科学院上海微***与信息技术研究所 与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法
WO2008108784A2 (en) * 2006-05-23 2008-09-12 Regents Of The Uninersity Of Minnesota Tunable finesse infrared cavity thermal detectors
US7551295B2 (en) * 2006-06-01 2009-06-23 Symphony Acoustics, Inc. Displacement sensor
US20080006775A1 (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Arno Jose I Infrared gas detection systems and methods
US7894618B2 (en) * 2006-07-28 2011-02-22 Symphony Acoustics, Inc. Apparatus comprising a directionality-enhanced acoustic sensor
US7485870B2 (en) * 2006-09-12 2009-02-03 Alcatel-Lucent Usa Inc. Pneumatic infrared detector
US7785002B2 (en) * 2006-12-05 2010-08-31 Delphi Technologies, Inc. P-N junction based thermal detector
WO2008073261A2 (en) * 2006-12-08 2008-06-19 Regents Of The University Of Minnesota Detection beyond the standard radiation noise limit using reduced emissivity and optical cavity coupling
CN1994861B (zh) * 2006-12-20 2011-01-19 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片结构及制作方法
JP4893431B2 (ja) * 2007-04-05 2012-03-07 三菱電機株式会社 分極反転素子の製造方法
US7626707B2 (en) * 2007-10-29 2009-12-01 Symphony Acoustics, Inc. Dual cavity displacement sensor
US8007609B2 (en) * 2007-10-31 2011-08-30 Symphony Acoustics, Inc. Parallel plate arrangement and method of formation
US7759644B2 (en) * 2008-03-18 2010-07-20 Drs Rsta, Inc. Spectrally tunable infrared image sensor having multi-band stacked detectors
US8629398B2 (en) 2008-05-30 2014-01-14 The Regents Of The University Of Minnesota Detection beyond the standard radiation noise limit using spectrally selective absorption
US8334984B2 (en) * 2008-08-22 2012-12-18 The Regents Of The University Of California Single wafer fabrication process for wavelength dependent reflectance for linear optical serialization of accelerometers
US8604435B2 (en) 2009-02-26 2013-12-10 Texas Instruments Incorporated Infrared sensor structure and method
US8129682B2 (en) 2009-02-26 2012-03-06 Texas Instruments Incorporated On-chip calibration system and method for infrared sensor
JP2010256193A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Transvirtual Inc 多変量検出装置および多変量検出方法
US9340878B2 (en) 2009-05-29 2016-05-17 Entegris, Inc. TPIR apparatus for monitoring tungsten hexafluoride processing to detect gas phase nucleation, and method and system utilizing same
US9157807B2 (en) * 2009-06-24 2015-10-13 Texas Instruments Incorporated Etching cavity structures in silicon under dielectric membrane
US20110068423A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 International Business Machines Corporation Photodetector with wavelength discrimination, and method for forming the same and design structure
FI20095976A0 (fi) 2009-09-24 2009-09-24 Valtion Teknillinen Mikromekaanisesti säädettävä Fabry-Perot -interferometri ja menetelmä sen tuottamiseksi
US8304850B2 (en) * 2009-12-22 2012-11-06 Texas Instruments Incorporated Integrated infrared sensors with optical elements, and methods
US8695402B2 (en) * 2010-06-03 2014-04-15 Honeywell International Inc. Integrated IR source and acoustic detector for photoacoustic gas sensor
JP5625614B2 (ja) 2010-08-20 2014-11-19 セイコーエプソン株式会社 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器
US20120081348A1 (en) * 2010-10-05 2012-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for eliminating row or column routing on array periphery
US20120200486A1 (en) * 2011-02-09 2012-08-09 Texas Instruments Incorporated Infrared gesture recognition device and method
US9029783B2 (en) * 2011-06-10 2015-05-12 Flir Systems, Inc. Multilayered microbolometer film deposition
JP6107254B2 (ja) * 2013-03-14 2017-04-05 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
EP3014875A2 (en) 2013-06-24 2016-05-04 Technology Innovation Momentum Fund (Israel) Limited Partnership A system and method for color image acquisition
US9018723B2 (en) * 2013-06-27 2015-04-28 Stmicroelectronics Pte Ltd Infrared camera sensor
US10094215B2 (en) 2014-11-11 2018-10-09 Iball Instruments, Llc Mudlogging device with dual interferometers
US20160139038A1 (en) * 2014-11-19 2016-05-19 Nxp B.V. Gas sensor
CN107850771B (zh) 2015-07-15 2020-08-28 科技创新动量基金(以色列)有限责任合伙公司 可调微机电标准具
US10129676B2 (en) * 2016-02-16 2018-11-13 Infineon Technologies Ag MEMS microphone, apparatus comprising a MEMS microphone and method for fabricating a MEMS microphone
WO2017180128A1 (en) * 2016-04-14 2017-10-19 Halliburton Energy Services, Inc. Fabry-perot based optical computing
FI128447B (fi) * 2016-04-26 2020-05-15 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Ohutkalvokerroksen analysointiin liittyvä laite ja sen valmistusmenetelmä
US10775149B1 (en) 2018-03-14 2020-09-15 Onto Innovation Inc. Light source failure identification in an optical metrology device
DE102018211325A1 (de) * 2018-07-10 2020-01-16 Robert Bosch Gmbh Fabry-Perot-Interferometer-Einheit und Verfahren zur Herstellung einer Fabry-Perot-Interferometer-Einheit
RU2702691C1 (ru) * 2018-12-05 2019-10-09 Общество с ограниченной ответственностью "РнД-ИСАН" Спектрально-селективный поглотитель инфракрасного излучения и микроболометрический детектор на его основе
RU2746095C1 (ru) * 2020-06-26 2021-04-06 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (ИАиЭ СО РАН) Оптико-акустический приемник инфракрасного и ТГц излучения

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2637616A1 (de) * 1976-08-20 1978-02-23 Siemens Ag Filter fuer fotodetektoren
EP0253002A1 (de) * 1986-07-12 1988-01-20 Günter Dr.-Ing. Pusch Vorrichtung zur Erkennung thermischer Kontraste
DE3743131A1 (de) * 1987-10-26 1989-05-03 Siemens Ag Anordnung zur hochaufloesenden spektroskopie
US5293781A (en) * 1987-11-09 1994-03-15 California Institute Of Technology Tunnel effect measuring systems and particle detectors
WO1990009038A1 (en) * 1989-02-03 1990-08-09 British Telecommunications Public Limited Company Optical detector
US4953387A (en) * 1989-07-31 1990-09-04 The Regents Of The University Of Michigan Ultrathin-film gas detector
US5144498A (en) * 1990-02-14 1992-09-01 Hewlett-Packard Company Variable wavelength light filter and sensor system
EP0498375B1 (en) * 1991-02-04 1995-06-21 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Electrically tunable wavelength-selective filter
CH681047A5 (en) * 1991-11-25 1992-12-31 Landis & Gyr Betriebs Ag Measuring parameter, esp. pressure difference, using Fabry-Perot detector - controlling optical length of detector according to output parameter to determine working point on graph
US5345213A (en) * 1992-10-26 1994-09-06 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Temperature-controlled, micromachined arrays for chemical sensor fabrication and operation
FI96450C (fi) * 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US5365770A (en) * 1993-04-05 1994-11-22 Ford Motor Company Ultrasonic wave interferometers
US5315128A (en) * 1993-04-30 1994-05-24 At&T Bell Laboratories Photodetector with a resonant cavity
DE4334578C2 (de) * 1993-10-11 1999-10-07 Dirk Winfried Rossberg Spektral abstimmbarer Infrarot-Sensor
FI94804C (fi) * 1994-02-17 1995-10-25 Vaisala Oy Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä

Also Published As

Publication number Publication date
US5589689A (en) 1996-12-31
EP0693683B1 (en) 1999-08-18
DE69511488T2 (de) 2000-04-27
EP0693683A1 (en) 1996-01-24
DE69511488D1 (de) 1999-09-23
JPH0943051A (ja) 1997-02-14
FI98325B (fi) 1997-02-14
FI943251A (fi) 1996-01-08
FI943251A0 (fi) 1994-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI98325C (fi) Selektiivinen infrapunadetektori
US6300554B1 (en) Method of fabricating thermoelectric sensor and thermoelectric sensor device
JP5512019B2 (ja) 微小機械的で整調可能なファブリ・ペロー干渉計配列物、および同一物を製造するための方法
US6130748A (en) Chemical sensor based on porous silicon
US5048336A (en) Moisture-sensitive device
EP3023767A1 (en) Interferometer device for sensing a substance, and method of manufacture thereof
EP1333504B1 (en) Monolithically-integrated infrared sensor
US10151638B2 (en) Bolometer, method of fabricating the same, and bolometric method
US8465202B2 (en) Microstructured sensor for the detection of IR radiation
US6344647B1 (en) Miniaturized photoacoustic spectrometer
US20070108383A1 (en) Thermal detector
US20030209669A1 (en) Miniaturized infrared gas analyzing apparatus
JPH07286809A (ja) 光学材料分析に用いる表面ミクロ機械加工技術によって製造される電気同調可能型ファブリ・ペロ干渉計
WO2004113887A2 (en) Thermo-optic filter and infrared sensor using said filter.
JP2007527508A5 (fi)
Rossberg Silicon micromachined infrared sensor with tunable wavelength selectivity for application in infrared spectroscopy
US20170219434A1 (en) Ir detector array device
US8199334B2 (en) Self-calibrated interrogation system for optical sensors
Wendong et al. Two-channel IR gas sensor with two detectors based on LiTaO3 single-crystal wafer
JPH09329499A (ja) 赤外線センサ及び赤外線検出器
EP0682237B1 (en) Radiation detector
TWI824053B (zh) 光學濾光裝置及光學濾光裝置之控制方法
US10107743B2 (en) Thermal infrared sensor and gas measuring apparatus
CN113302464A (zh) 干涉仪装置和用于确定干涉仪装置中的第一镜装置和第二镜装置之间的第一间距的方法
KR100339395B1 (ko) 적층형 볼로메터 센서 및 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
BB Publication of examined application