JPH0727571A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH0727571A JPH0727571A JP6021496A JP2149694A JPH0727571A JP H0727571 A JPH0727571 A JP H0727571A JP 6021496 A JP6021496 A JP 6021496A JP 2149694 A JP2149694 A JP 2149694A JP H0727571 A JPH0727571 A JP H0727571A
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- magnetic field
- housing
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外乱磁界の影響を受けずに精度よく磁気検出
を行うことができる磁気検出装置を提供することにあ
る。目的とする。 【構成】 磁性材料を有するギヤ２に離間してセンサ素
子１が配置され、センサ素子１には磁気抵抗素子が配置
されている。この磁気抵抗素子はギヤ２に対して対向配
置されている。そして、磁気抵抗素子とギヤ２との対向
部分を開口した状態で、磁気抵抗素子の周辺部分を磁性
体よりなる磁気シールドケース１４が覆っている。
を行うことができる磁気検出装置を提供することにあ
る。目的とする。 【構成】 磁性材料を有するギヤ２に離間してセンサ素
子１が配置され、センサ素子１には磁気抵抗素子が配置
されている。この磁気抵抗素子はギヤ２に対して対向配
置されている。そして、磁気抵抗素子とギヤ２との対向
部分を開口した状態で、磁気抵抗素子の周辺部分を磁性
体よりなる磁気シールドケース１４が覆っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗素子の抵抗
変化を利用して被検出対象の移動等の運動を検出する磁
気検出装置に関するものである。
変化を利用して被検出対象の移動等の運動を検出する磁
気検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、回転検出や位置検出等のための検
出装置において、非接触で検出可能な磁気を用いた検出
装置を使用する傾向がある。
出装置において、非接触で検出可能な磁気を用いた検出
装置を使用する傾向がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの装置
が多くなるにつれ、お互いに磁気的干渉を起こし、又、
他の外乱磁界によって装置内の磁気回路が乱れて誤動作
する可能性がある。
が多くなるにつれ、お互いに磁気的干渉を起こし、又、
他の外乱磁界によって装置内の磁気回路が乱れて誤動作
する可能性がある。
【０００４】そこで、この発明の目的は、外乱磁界の影
響を受けずに精度よく磁気検出を行うことができる磁気
検出装置を提供することにある。
響を受けずに精度よく磁気検出を行うことができる磁気
検出装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、磁性材料を有する被検出対象に対して磁気抵抗素子
を対向配置した磁気検出装置において、磁気抵抗素子と
被検出対象との対向部分を開口した状態で、磁気抵抗素
子の周辺部分を磁性体よりなる磁気シールドケースにて
覆った磁気検出装置をその要旨とする。
は、磁性材料を有する被検出対象に対して磁気抵抗素子
を対向配置した磁気検出装置において、磁気抵抗素子と
被検出対象との対向部分を開口した状態で、磁気抵抗素
子の周辺部分を磁性体よりなる磁気シールドケースにて
覆った磁気検出装置をその要旨とする。
【０００６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明における磁気抵抗素子を収納するハウジングに
て、前記磁気シールドケースを構成した磁気検出装置を
その要旨とする。
の発明における磁気抵抗素子を収納するハウジングに
て、前記磁気シールドケースを構成した磁気検出装置を
その要旨とする。
【０００７】
【作用】請求項１に記載の発明は、磁気抵抗素子の周辺
部分から外乱磁界が発生しても磁気シールドケースにて
外乱磁界が遮断され、磁気抵抗素子は外乱磁界による悪
影響を受けない。
部分から外乱磁界が発生しても磁気シールドケースにて
外乱磁界が遮断され、磁気抵抗素子は外乱磁界による悪
影響を受けない。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明の作用に加え、磁気抵抗素子を収納するハウジン
グが前記磁気シールドケースを構成する。よって、専用
の磁気シールドケース材を必要としない。
の発明の作用に加え、磁気抵抗素子を収納するハウジン
グが前記磁気シールドケースを構成する。よって、専用
の磁気シールドケース材を必要としない。
【０００９】
（第１実施例）以下、この発明を具体化した第１実施例
を図面に従って説明する。
を図面に従って説明する。
【００１０】図１には、本実施例の磁気回転検出装置を
示す。同装置にはセンサ素子１が配置されている。又、
そのセンサ素子１の近接位置にはギヤ２が配置されてい
る。図２には、図１におけるＡ矢視方向から見たセンサ
素子１及びギヤ２を示す。
示す。同装置にはセンサ素子１が配置されている。又、
そのセンサ素子１の近接位置にはギヤ２が配置されてい
る。図２には、図１におけるＡ矢視方向から見たセンサ
素子１及びギヤ２を示す。
【００１１】図２において、ギヤ２は磁性材料を有する
被検出対象となっており、ギヤ２には多数の歯３が形成
されている。そして、ギヤ２の歯３に対向するようにセ
ンサ素子１が配置され、センサ素子１はチップ４を有
し、そのチップ４内に２つの磁気抵抗素子５，６が備え
られている。
被検出対象となっており、ギヤ２には多数の歯３が形成
されている。そして、ギヤ２の歯３に対向するようにセ
ンサ素子１が配置され、センサ素子１はチップ４を有
し、そのチップ４内に２つの磁気抵抗素子５，６が備え
られている。
【００１２】図１において、センサ素子１はモールド材
７にてモールドされている。センサ素子１はモールド材
７の先端側に配置されている。又、リードフレーム８が
モールド材７にてモールドされ、図１中、右端部のリー
ドフレーム８が露出している。本実施例では、モールド
材料としてエポキシ系樹脂を使用している。
７にてモールドされている。センサ素子１はモールド材
７の先端側に配置されている。又、リードフレーム８が
モールド材７にてモールドされ、図１中、右端部のリー
ドフレーム８が露出している。本実施例では、モールド
材料としてエポキシ系樹脂を使用している。
【００１３】又、永久磁石よりなるバイアス磁石９は円
柱形状をなしており、中央部にはモールドＩＣを挿入す
るための貫通孔１０を有している。本実施例では、バイ
アス磁石９は、フェライト系プラスチックマグネットが
使用されている。
柱形状をなしており、中央部にはモールドＩＣを挿入す
るための貫通孔１０を有している。本実施例では、バイ
アス磁石９は、フェライト系プラスチックマグネットが
使用されている。
【００１４】バイアス磁石９の貫通孔１０にはモールド
材７が挿入固定されている。つまり、バイアス磁石９の
貫通孔１０にモールド材７を嵌合状態で挿入し、所定の
位置で接着材により固定される。そして、バイアス磁石
９により磁気抵抗素子５，６にバイアス磁界を印加させ
る。
材７が挿入固定されている。つまり、バイアス磁石９の
貫通孔１０にモールド材７を嵌合状態で挿入し、所定の
位置で接着材により固定される。そして、バイアス磁石
９により磁気抵抗素子５，６にバイアス磁界を印加させ
る。
【００１５】図２において、磁気抵抗素子５，６は、チ
ップ４内にてバイアス磁石９の磁界方向と同一平面内に
おいて磁界方向に対しそれぞれプラス・マイナス４５度
の角度で一対配置されている。
ップ４内にてバイアス磁石９の磁界方向と同一平面内に
おいて磁界方向に対しそれぞれプラス・マイナス４５度
の角度で一対配置されている。
【００１６】図１において、リードフレーム８のモール
ド材露出部分の先端は外部入出力用ターミナル１１と溶
接されている。又、リードフレーム８のモールド材露出
部分と外部入出力用ターミナル１１とはハウジング１２
内に埋設されている。ハウジング１２は樹脂成形品より
なる。
ド材露出部分の先端は外部入出力用ターミナル１１と溶
接されている。又、リードフレーム８のモールド材露出
部分と外部入出力用ターミナル１１とはハウジング１２
内に埋設されている。ハウジング１２は樹脂成形品より
なる。
【００１７】ハウジング１２の左側部およびバイアス磁
石９は、有底円筒状の電磁波シールドケース１３にて覆
われている。つまり、ハウジング１２の外周部とバイア
ス磁石９の外周部とは、電磁波シールドケース１３にて
覆われるとともに、ギヤ２との対向面も電磁波シールド
ケース１３にて覆われている。この電磁波シールドケー
ス１３は磁気抵抗素子５，６を外部電磁波からシールド
するためのものであり、非磁性金属ケース（例えば、Ｓ
ＵＳ３０４）が用いられる。
石９は、有底円筒状の電磁波シールドケース１３にて覆
われている。つまり、ハウジング１２の外周部とバイア
ス磁石９の外周部とは、電磁波シールドケース１３にて
覆われるとともに、ギヤ２との対向面も電磁波シールド
ケース１３にて覆われている。この電磁波シールドケー
ス１３は磁気抵抗素子５，６を外部電磁波からシールド
するためのものであり、非磁性金属ケース（例えば、Ｓ
ＵＳ３０４）が用いられる。
【００１８】さらに、電磁波シールドケース１３内にお
いてその内面に接するように円筒状の磁気シールドケー
ス１４が配置されている。この磁気シールドケース１４
は両端部が開口している。つまり、磁気シールドケース
１４は磁気抵抗素子５，６の外周部を囲うとともに、ギ
ヤ２との対向面が開口している。この磁気シールドケー
ス１４には磁性体材料（例えば、Ｆｅケース、Ｎｉケー
ス）が使用され、磁気抵抗素子５，６を外部磁界からシ
ールドする。
いてその内面に接するように円筒状の磁気シールドケー
ス１４が配置されている。この磁気シールドケース１４
は両端部が開口している。つまり、磁気シールドケース
１４は磁気抵抗素子５，６の外周部を囲うとともに、ギ
ヤ２との対向面が開口している。この磁気シールドケー
ス１４には磁性体材料（例えば、Ｆｅケース、Ｎｉケー
ス）が使用され、磁気抵抗素子５，６を外部磁界からシ
ールドする。
【００１９】次に、図２を用いて作動原理について説明
する。被検出対象のギヤ２の回転に伴ってバイアス磁石
９によって作られているバイアス磁界１６がある角度θ
1 をもって振れることになる。この磁界方向の変化を磁
気抵抗素子５，６で検出するわけであるが、このバイア
ス磁界１６とは別に、図３に示すように、外乱磁界１７
が存在する場合について考える。すると、この外乱磁界
１７が動的磁界の場合（強さが時間とともに変化する場
合）、ギヤ２が回転していない時でも、磁界の合成ベク
トルにより、あたかもバイアス磁界がある角度θ2 をも
って振れているような挙動を示し（図４参照）、センサ
誤動作の要因になる。
する。被検出対象のギヤ２の回転に伴ってバイアス磁石
９によって作られているバイアス磁界１６がある角度θ
1 をもって振れることになる。この磁界方向の変化を磁
気抵抗素子５，６で検出するわけであるが、このバイア
ス磁界１６とは別に、図３に示すように、外乱磁界１７
が存在する場合について考える。すると、この外乱磁界
１７が動的磁界の場合（強さが時間とともに変化する場
合）、ギヤ２が回転していない時でも、磁界の合成ベク
トルにより、あたかもバイアス磁界がある角度θ2 をも
って振れているような挙動を示し（図４参照）、センサ
誤動作の要因になる。
【００２０】この対策として本実施例では、図５に示す
ように磁気シールドケース１４を用いている。この磁気
シールドケース１４により、外乱磁界１７をシャットア
ウトし、バイアス磁界１６に加わらないようにすること
により磁界の変化を防ぐ効果をもたせている。
ように磁気シールドケース１４を用いている。この磁気
シールドケース１４により、外乱磁界１７をシャットア
ウトし、バイアス磁界１６に加わらないようにすること
により磁界の変化を防ぐ効果をもたせている。
【００２１】尚、磁気シールドケース１４と電磁波シー
ルドケース１３の異なる点は、電磁波シールドケース１
３が磁気抵抗素子５，６の全体を覆う必要があるととも
に、バイアス磁界がそこで終端しないために非磁性金属
（例えばＳＵＳ３０４等）である必要がある。これに対
して磁気シールドケース１４は磁性体（例えば、Ｆｅ、
Ｎｉケース等）である必要がある。
ルドケース１３の異なる点は、電磁波シールドケース１
３が磁気抵抗素子５，６の全体を覆う必要があるととも
に、バイアス磁界がそこで終端しないために非磁性金属
（例えばＳＵＳ３０４等）である必要がある。これに対
して磁気シールドケース１４は磁性体（例えば、Ｆｅ、
Ｎｉケース等）である必要がある。
【００２２】このように本実施例では、磁性材料を有す
るギヤ２（被検出対象）に対して磁気抵抗素子５，６を
対向配置した磁気検出装置において、磁気抵抗素子５，
６とギヤ２との対向部分を開口した状態で、磁気抵抗素
子５，６の周辺部分を磁性体よりなる磁気シールドケー
ス１４にて覆った。その結果、磁気抵抗素子５，６の周
辺部分から外乱磁界が発生しても磁気シールドケース１
４にて外乱磁界が遮断され、磁気抵抗素子５，６は外乱
磁界による悪影響を受けない。よって、外乱磁界の影響
を受けずに精度よく磁気検出を行うことができることと
なる。
るギヤ２（被検出対象）に対して磁気抵抗素子５，６を
対向配置した磁気検出装置において、磁気抵抗素子５，
６とギヤ２との対向部分を開口した状態で、磁気抵抗素
子５，６の周辺部分を磁性体よりなる磁気シールドケー
ス１４にて覆った。その結果、磁気抵抗素子５，６の周
辺部分から外乱磁界が発生しても磁気シールドケース１
４にて外乱磁界が遮断され、磁気抵抗素子５，６は外乱
磁界による悪影響を受けない。よって、外乱磁界の影響
を受けずに精度よく磁気検出を行うことができることと
なる。
【００２３】又、磁気シールドケース１４にてバイアス
磁石９によるバイアス磁界の外部への漏洩を抑えること
ができる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
磁石９によるバイアス磁界の外部への漏洩を抑えること
ができる。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００２４】本実施例は、図６に示すように、磁気車速
センサに具体化したものである。樹脂製ハウジング１
８，１９内にはＩＣ２０が配置され、ＩＣ２０には磁気
抵抗素子２１が配置されている。一方、ハウジング１
８，１９内にはマグネット２２が回転可能に支持されて
おり、回転伝達用パーツ２３，２４の回転に伴ってマグ
ネット２２が回転するようになっている。図７には、図
６のＢ矢視方向から磁気車速センサを見た概略図を示
す。この図７に示すように、マグネット２２は等角度で
Ｓ極とＮ極が交互に着磁されている。又、マグネット２
２に対向して磁気抵抗素子２１が離間して配置されてい
る。そして、図８に示すように、マグネット２２から発
生する磁力線を磁気抵抗素子２１にて検出するようにな
っている。又、図６，７に示すように、磁気抵抗素子２
１の側方におけるハウジング１８，１９の外周には、磁
気シールドケースとしての連結固定板２５が配置されて
いる。この連結固定板２５は磁性体（例えば、ＳＵＳ４
３０）よりなり、連結固定板２５により両ハウジング１
８，１９が連結状態で締め付け固定されている。
センサに具体化したものである。樹脂製ハウジング１
８，１９内にはＩＣ２０が配置され、ＩＣ２０には磁気
抵抗素子２１が配置されている。一方、ハウジング１
８，１９内にはマグネット２２が回転可能に支持されて
おり、回転伝達用パーツ２３，２４の回転に伴ってマグ
ネット２２が回転するようになっている。図７には、図
６のＢ矢視方向から磁気車速センサを見た概略図を示
す。この図７に示すように、マグネット２２は等角度で
Ｓ極とＮ極が交互に着磁されている。又、マグネット２
２に対向して磁気抵抗素子２１が離間して配置されてい
る。そして、図８に示すように、マグネット２２から発
生する磁力線を磁気抵抗素子２１にて検出するようにな
っている。又、図６，７に示すように、磁気抵抗素子２
１の側方におけるハウジング１８，１９の外周には、磁
気シールドケースとしての連結固定板２５が配置されて
いる。この連結固定板２５は磁性体（例えば、ＳＵＳ４
３０）よりなり、連結固定板２５により両ハウジング１
８，１９が連結状態で締め付け固定されている。
【００２５】次に、図９を用いて作動原理について説明
する。回転するマグネット２２の磁界の変化を磁気抵抗
素子２１で検出し、速度を検出するわけであるが、外乱
磁界２６が加わることによって図９に示すように磁気抵
抗素子２１の波形に歪みが加わりセンサ誤作動の要因に
なる。それが、磁気シールドケースとしての連結固定板
２５により回避される。
する。回転するマグネット２２の磁界の変化を磁気抵抗
素子２１で検出し、速度を検出するわけであるが、外乱
磁界２６が加わることによって図９に示すように磁気抵
抗素子２１の波形に歪みが加わりセンサ誤作動の要因に
なる。それが、磁気シールドケースとしての連結固定板
２５により回避される。
【００２６】尚、図１０に示すようにして実験を行い、
図１１に示す磁気シールドケースとしての連結固定板２
５の有無による耐外乱磁界特性を得た。この図１１から
も明らかなように、磁気シールドケースとしての連結固
定板２５を設けることにより、耐外乱磁界特性が向上し
ていることが確認できた。
図１１に示す磁気シールドケースとしての連結固定板２
５の有無による耐外乱磁界特性を得た。この図１１から
も明らかなように、磁気シールドケースとしての連結固
定板２５を設けることにより、耐外乱磁界特性が向上し
ていることが確認できた。
【００２７】このように、耐外乱磁界特性に優れた磁気
車速センサを提供することができる。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
車速センサを提供することができる。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点を中心に説明する。
【００２８】図１２には、本実施例の磁気回転検出装置
を示す。同装置にはセンサ素子１が配置され、同センサ
素子１には磁気抵抗素子（図示略）が備えられている。
又、そのセンサ素子１の近接位置にはギヤ２が配置され
ている。センサ素子１はモールド材７にてモールドされ
ている。センサ素子１はモールド材７の先端側に配置さ
れている。又、リードフレーム８がモールド材７にてモ
ールドされ、図１２中、右端部のリードフレーム８が露
出している。
を示す。同装置にはセンサ素子１が配置され、同センサ
素子１には磁気抵抗素子（図示略）が備えられている。
又、そのセンサ素子１の近接位置にはギヤ２が配置され
ている。センサ素子１はモールド材７にてモールドされ
ている。センサ素子１はモールド材７の先端側に配置さ
れている。又、リードフレーム８がモールド材７にてモ
ールドされ、図１２中、右端部のリードフレーム８が露
出している。
【００２９】又、永久磁石よりなるバイアス磁石９は円
柱形状をなしており、中央部にはモールドＩＣを挿入す
るための貫通孔１０を有している。バイアス磁石９の貫
通孔１０にはモールド材７が挿入固定されている。つま
り、バイアス磁石９の貫通孔１０にモールド材７を嵌合
状態で挿入し、所定の位置で接着材により固定される。
そして、バイアス磁石９によりセンサ素子１の磁気抵抗
素子にバイアス磁界を印加させる。
柱形状をなしており、中央部にはモールドＩＣを挿入す
るための貫通孔１０を有している。バイアス磁石９の貫
通孔１０にはモールド材７が挿入固定されている。つま
り、バイアス磁石９の貫通孔１０にモールド材７を嵌合
状態で挿入し、所定の位置で接着材により固定される。
そして、バイアス磁石９によりセンサ素子１の磁気抵抗
素子にバイアス磁界を印加させる。
【００３０】磁気シールドケースを構成する樹脂製ハウ
ジング２７は円筒状をなし、このハウジング２７は両端
部が開口している。ハウジング２７は、樹脂（例えば、
ＰＢＴ；ポリブチレンテレフタレート）に磁性粉（例え
ば、鉄粉、ニッケル粉）を配合して形成されており、磁
性体となっている。
ジング２７は円筒状をなし、このハウジング２７は両端
部が開口している。ハウジング２７は、樹脂（例えば、
ＰＢＴ；ポリブチレンテレフタレート）に磁性粉（例え
ば、鉄粉、ニッケル粉）を配合して形成されており、磁
性体となっている。
【００３１】又、このハウジング２７の左側は内径の小
さな縮径部２７ａを有し、ハウジング２７の右側は内径
の大きな拡径部２７ｂを有している。ハウジング２７の
縮径部２７ａには、モールド材７を固定したバイアス磁
石９が挿入固定されている。よって、ハウジング２７は
センサ素子１（磁気抵抗素子）の外周部を囲うととも
に、ギヤ２との対向面が開口している。そして、ハウジ
ング２７によりセンサ素子１の磁気抵抗素子が外部磁界
からシールドされる。
さな縮径部２７ａを有し、ハウジング２７の右側は内径
の大きな拡径部２７ｂを有している。ハウジング２７の
縮径部２７ａには、モールド材７を固定したバイアス磁
石９が挿入固定されている。よって、ハウジング２７は
センサ素子１（磁気抵抗素子）の外周部を囲うととも
に、ギヤ２との対向面が開口している。そして、ハウジ
ング２７によりセンサ素子１の磁気抵抗素子が外部磁界
からシールドされる。
【００３２】リードフレーム８のモールド材露出部分
は、ハウジング２７の拡径部２７ｂ内において外部取出
ワイヤ２８と電気的に接続されている。又、ハウジング
２７の左側部は、有底円筒状の電磁波シールドケース１
３が埋設されている。つまり、センサ素子１の外周部
は、電磁波シールドケース１３にて覆われるとともに、
ギヤ２との対向面も電磁波シールドケース１３にて覆わ
れている。又、ハウジング２７の拡径部２７ｂ内はエポ
キシ樹脂によりなる充填材２９が充填されている。
は、ハウジング２７の拡径部２７ｂ内において外部取出
ワイヤ２８と電気的に接続されている。又、ハウジング
２７の左側部は、有底円筒状の電磁波シールドケース１
３が埋設されている。つまり、センサ素子１の外周部
は、電磁波シールドケース１３にて覆われるとともに、
ギヤ２との対向面も電磁波シールドケース１３にて覆わ
れている。又、ハウジング２７の拡径部２７ｂ内はエポ
キシ樹脂によりなる充填材２９が充填されている。
【００３３】このように本実施例では、センサ素子１
（磁気抵抗素子）を収納するハウジング２７にて、磁気
シールドケースを構成した。よって、専用の磁気シール
ドケース材を不要にできる。 （第４実施例）次に、第４実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
（磁気抵抗素子）を収納するハウジング２７にて、磁気
シールドケースを構成した。よって、専用の磁気シール
ドケース材を不要にできる。 （第４実施例）次に、第４実施例を第２実施例との相違
点を中心に説明する。
【００３４】本実施例は、図１３に示すように、磁気車
速センサに具体化したものである。樹脂製ハウジング３
０，１９内にはＩＣ２０が収納され、ＩＣ２０には磁気
抵抗素子２１が配置されている。一方、ハウジング３
０，１９内にはマグネット２２が回転可能に支持されて
おり、回転伝達用パーツ２３，２４の回転に伴ってマグ
ネット２２が回転するようになっている。磁気シールド
ケースを構成するハウジング３０は、ＩＣ２０の磁気抵
抗素子２１とマグネット２２との対向部分を開口した状
態で、磁気抵抗素子２１の周辺部分を覆っている。この
ハウジング３０は、樹脂（例えば、ＰＢＴ；ポリブチレ
ンテレフタレート）に磁性粉（例えば、鉄粉、ニッケル
粉）を配合して形成されており、磁性体となっている。
速センサに具体化したものである。樹脂製ハウジング３
０，１９内にはＩＣ２０が収納され、ＩＣ２０には磁気
抵抗素子２１が配置されている。一方、ハウジング３
０，１９内にはマグネット２２が回転可能に支持されて
おり、回転伝達用パーツ２３，２４の回転に伴ってマグ
ネット２２が回転するようになっている。磁気シールド
ケースを構成するハウジング３０は、ＩＣ２０の磁気抵
抗素子２１とマグネット２２との対向部分を開口した状
態で、磁気抵抗素子２１の周辺部分を覆っている。この
ハウジング３０は、樹脂（例えば、ＰＢＴ；ポリブチレ
ンテレフタレート）に磁性粉（例えば、鉄粉、ニッケル
粉）を配合して形成されており、磁性体となっている。
【００３５】尚、本実施例においては、連結固定板２５
には非磁性金属のステンレス材（例えば、ＳＵＳ３０
４）が使用されている。このように本実施例では、磁気
抵抗素子２１を収納するハウジング３０にて、磁気シー
ルドケースを構成した。よって、専用の磁気シールドケ
ース材を不要にできる。
には非磁性金属のステンレス材（例えば、ＳＵＳ３０
４）が使用されている。このように本実施例では、磁気
抵抗素子２１を収納するハウジング３０にて、磁気シー
ルドケースを構成した。よって、専用の磁気シールドケ
ース材を不要にできる。
【００３６】尚、この発明は上記各実施例に限定される
ものではなく、前記第３および第４実施例では、樹脂に
磁性粉を配合することにより磁性体のハウジング２７，
３０としたが、鉄材等の磁性体にてハウジングを形成し
てもよい。
ものではなく、前記第３および第４実施例では、樹脂に
磁性粉を配合することにより磁性体のハウジング２７，
３０としたが、鉄材等の磁性体にてハウジングを形成し
てもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１に記載の発
明によれば、外乱磁界の影響を受けずに精度よく磁気検
出を行うことができる。又、請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明の効果に加え、専用の磁気
シールドケース材を不要にできる。
明によれば、外乱磁界の影響を受けずに精度よく磁気検
出を行うことができる。又、請求項２に記載の発明によ
れば、請求項１に記載の発明の効果に加え、専用の磁気
シールドケース材を不要にできる。
【図１】第１実施例の磁気回転検出装置の断面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ方向から見た磁気回転検出装置の概略
図である。
図である。
【図３】外乱磁界によるバイアス磁界の状態を示す説明
図である。
図である。
【図４】外乱磁界による影響を説明するための波形図で
ある。
ある。
【図５】磁気シールドケースによる外乱磁界の状態を説
明するための説明図である。
明するための説明図である。
【図６】第２実施例の磁気車速センサの断面図である。
【図７】図６のＢ方向から見た磁気車速センサの概略図
である。
である。
【図８】磁気検出状態を説明するための説明図である。
【図９】正常波形と外乱磁界が加わった時の波形を示す
説明図である。
説明図である。
【図１０】実験に用いた装置を示す平面図である。
【図１１】実験結果を示すグラフである。
【図１２】第３実施例の磁気回転検出装置の断面図であ
る。
る。
【図１３】第４実施例の磁気車速センサの断面図であ
る。
る。
２ 被検出対象としてのギヤ ５，６ 磁気抵抗素子 １４ 磁気シールドケース ２５ 磁気シールドケースとしての連結固定板 ２７ 磁気シールドケースを構成する樹脂製ハウジング ３０ 磁気シールドケースを構成するハウジング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畔柳 進 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内 (72)発明者 八木 賢次 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性材料を有する被検出対象に対して磁
気抵抗素子を対向配置した磁気検出装置において、 磁気抵抗素子と被検出対象との対向部分を開口した状態
で、磁気抵抗素子の周辺部分を磁性体よりなる磁気シー
ルドケースにて覆ったことを特徴とする磁気検出装置。 - 【請求項２】 前記磁気抵抗素子を収納するハウジング
にて、前記磁気シールドケースを構成したことを特徴と
する請求項１に記載の磁気検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6021496A JPH0727571A (ja) | 1993-05-10 | 1994-02-18 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10854293 | 1993-05-10 | ||
| JP5-108542 | 1993-05-10 | ||
| JP6021496A JPH0727571A (ja) | 1993-05-10 | 1994-02-18 | 磁気検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0727571A true JPH0727571A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=26358567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6021496A Pending JPH0727571A (ja) | 1993-05-10 | 1994-02-18 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727571A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007040965A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-02-15 | Denso Corp | センサ装置 |
| JP2007101230A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Denso Corp | 回転検出装置 |
| JP2007107922A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Denso Corp | 回転検出装置 |
| JP2012184944A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Isuzu Motors Ltd | 貨物搬送車両 |
| JP2014215176A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
| JP2015052494A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 日立金属株式会社 | ケーブル付電子モジュール |
| JP2015064331A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-04-09 | 株式会社デンソー | 位置検出装置 |
| KR20200044864A (ko) * | 2017-08-23 | 2020-04-29 | 비테스코 테크놀로지스 저머니 게엠베하 | 센서 구성 요소, 센서 구성 요소를 위한 사전 조립 장치, 및 센서 구성 요소를 제조하는 방법 |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP6021496A patent/JPH0727571A/ja active Pending
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