JPH07255167A - 容量性負荷駆動用ｄｃ−ｄｃブーストコンバータ - Google Patents
容量性負荷駆動用ｄｃ−ｄｃブーストコンバータInfo
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- JPH07255167A JPH07255167A JP6319044A JP31904494A JPH07255167A JP H07255167 A JPH07255167 A JP H07255167A JP 6319044 A JP6319044 A JP 6319044A JP 31904494 A JP31904494 A JP 31904494A JP H07255167 A JPH07255167 A JP H07255167A
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- JP
- Japan
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- switch
- inductor
- boost converter
- circuit
- capacitive load
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
- H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的高電圧で容量性負荷を直接駆動するた
めに適しかつ簡単な回路でミニチュア化の容易なブース
トコンバータを提供する。 【構成】 第１のスイッチＳＷＡを通してサプライレー
ルＶDDに接続されたインダクタＬの一方のターミナルを
第１の放電経路（ＳＷＣ＋Ｄ１）を通して容量性負荷Ｃ
が接続された出力ノードＶOUT に接続し、第２のスイッ
チＳＷＢを通してグラウンドに接続された前記インダク
タの他のターミナルを第２の放電経路（ＳＷＤ＋Ｄ２）
を通して前記出力ノードに接続する。
めに適しかつ簡単な回路でミニチュア化の容易なブース
トコンバータを提供する。 【構成】 第１のスイッチＳＷＡを通してサプライレー
ルＶDDに接続されたインダクタＬの一方のターミナルを
第１の放電経路（ＳＷＣ＋Ｄ１）を通して容量性負荷Ｃ
が接続された出力ノードＶOUT に接続し、第２のスイッ
チＳＷＢを通してグラウンドに接続された前記インダク
タの他のターミナルを第２の放電経路（ＳＷＤ＋Ｄ２）
を通して前記出力ノードに接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、比較的高電圧で容量性
負荷を直接駆動するために特に適した改良されたブース
トコンバータに関する。その回路は集積用に特に適し、
回路を構成する集積構造の固有のブレーグダウン電圧の
実質的に２倍の電圧を伝達できる。
負荷を直接駆動するために特に適した改良されたブース
トコンバータに関する。その回路は集積用に特に適し、
回路を構成する集積構造の固有のブレーグダウン電圧の
実質的に２倍の電圧を伝達できる。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】エレクトロルミネセントダ
イオードディスプレイ（ＥＬ ＬＡＭＰＳ）のような素
子、及びより一般的には例えば60から120 Ｖの比較的高
電圧で機能する低電力パワーアクチュエータ又はインデ
ィケータのような素子を駆動し又は電力供給する必要性
は電子機器においてしばしば遭遇する。エネルギ消費の
減少は、例えば電子時計、携帯型計算器及びコンピュー
タのようなバッテリで動作するポータブル機器において
基本的な重要性を有する付随的な要件である。
イオードディスプレイ（ＥＬ ＬＡＭＰＳ）のような素
子、及びより一般的には例えば60から120 Ｖの比較的高
電圧で機能する低電力パワーアクチュエータ又はインデ
ィケータのような素子を駆動し又は電力供給する必要性
は電子機器においてしばしば遭遇する。エネルギ消費の
減少は、例えば電子時計、携帯型計算器及びコンピュー
タのようなバッテリで動作するポータブル機器において
基本的な重要性を有する付随的な要件である。
【０００３】段数とともにロスが累進的に増加するた
め、例えば1.2 Ｖのバッテリ電圧である特に低いサプラ
イ電圧からスタートして高電圧を発生するための電圧マ
ルチプライアの使用は実際上不可能である。これらの場
合には、一般にブーストコンバータとして参照されるＤ
Ｃ−ＤＣコンバータ回路が使用される。ブーストコンバ
ータは、サプライに接続され、「充電フェーズ」の間
に、スイッチによりグラウンドへ向かって一時的に駆動
されるエネルギ貯蔵インダクタにより機能的に構成され
る。該インダクタに貯蔵されたエネルギは、次いで引き
続く「放電フェーズ」の間に、ダイオードを通って出力
キャパシタに放電され、そのターミナルを横切って増加
する電圧が、インダクタに貯蔵された無効電力量の放電
のサイクル数の関数として生ずる。通常ブーストコンバ
ータは、スイッチを適切に駆動することによりチャージ
貯蔵キャパシタに生ずる電圧を調節するコントロール回
路により完成する。チャージキャパシタは、通常高電圧
を必要とするユーザーの回路又は素子に高電圧サプライ
を提供する。
め、例えば1.2 Ｖのバッテリ電圧である特に低いサプラ
イ電圧からスタートして高電圧を発生するための電圧マ
ルチプライアの使用は実際上不可能である。これらの場
合には、一般にブーストコンバータとして参照されるＤ
Ｃ−ＤＣコンバータ回路が使用される。ブーストコンバ
ータは、サプライに接続され、「充電フェーズ」の間
に、スイッチによりグラウンドへ向かって一時的に駆動
されるエネルギ貯蔵インダクタにより機能的に構成され
る。該インダクタに貯蔵されたエネルギは、次いで引き
続く「放電フェーズ」の間に、ダイオードを通って出力
キャパシタに放電され、そのターミナルを横切って増加
する電圧が、インダクタに貯蔵された無効電力量の放電
のサイクル数の関数として生ずる。通常ブーストコンバ
ータは、スイッチを適切に駆動することによりチャージ
貯蔵キャパシタに生ずる電圧を調節するコントロール回
路により完成する。チャージキャパシタは、通常高電圧
を必要とするユーザーの回路又は素子に高電圧サプライ
を提供する。
【０００４】例えばエレクトロルミネセントダイオード
のような、高電圧で駆動されかつ多少なりとも高ロス因
子を有するキャパシタンスと電気的に等価であると考え
られる素子の場合には、比較的低周波数で相補駆動シグ
ナルにより逆フェーズで駆動される１対のスイッチの使
用により、（キャパシタと考えられる）負荷の２個のタ
ーミナルの接続を、インダクタの放電ダイオードのカソ
ード及びグラウンドへ反転することにより、コンバータ
回路で負荷素子を直接駆動することが一般的な手法であ
る。
のような、高電圧で駆動されかつ多少なりとも高ロス因
子を有するキャパシタンスと電気的に等価であると考え
られる素子の場合には、比較的低周波数で相補駆動シグ
ナルにより逆フェーズで駆動される１対のスイッチの使
用により、（キャパシタと考えられる）負荷の２個のタ
ーミナルの接続を、インダクタの放電ダイオードのカソ
ード及びグラウンドへ反転することにより、コンバータ
回路で負荷素子を直接駆動することが一般的な手法であ
る。
【０００５】例えばエレクトロルミネセントダイオード
用のこのような直接駆動回路が米国特許第4,527,096 号
に開示されている。エレクトロルミネセントダイオード
の接続のコンフィギュレーションフェーズの間に、イン
ダクタを充電するために使用されるスイッチのコントロ
ールターミナルに供給されるスイッチングパルスの数を
固定することにより、各コンフィギュレーションフェー
ズの終わりに容量性負荷に印加される最大ピーク−ツゥ
ーピーク電圧を予備限定することが可能である。実際に
は、交代符号の連続するステップランプ電圧が負荷に印
加される。コンバータは高電圧ブースト比に小さいエネ
ルギロスを与えることができ、従ってバッテリで電圧供
給される用途の基本的に重要性のある特徴に高欠陥を与
える。
用のこのような直接駆動回路が米国特許第4,527,096 号
に開示されている。エレクトロルミネセントダイオード
の接続のコンフィギュレーションフェーズの間に、イン
ダクタを充電するために使用されるスイッチのコントロ
ールターミナルに供給されるスイッチングパルスの数を
固定することにより、各コンフィギュレーションフェー
ズの終わりに容量性負荷に印加される最大ピーク−ツゥ
ーピーク電圧を予備限定することが可能である。実際に
は、交代符号の連続するステップランプ電圧が負荷に印
加される。コンバータは高電圧ブースト比に小さいエネ
ルギロスを与えることができ、従ってバッテリで電圧供
給される用途の基本的に重要性のある特徴に高欠陥を与
える。
【０００６】このようなＤＣ−ＤＣブーストコンバータ
回路は、分離した素子を使用することにより及び／又は
負荷接続を定期的に反転させるために必要なスイッチを
形成するための電機的リレーを使用することにより実現
できる。その代わりに、バイポーラ又は電界効果トラン
ジスタの形態の電子スイッチを使用することにより、前
記コンバータ回路を集積回路の形態で実現することもで
き、これはミニチュア化能力の点から明瞭な利点を有す
る。この可能性は米国特許第4,527,096 号に開示され、
相当する集積構造が、容量性負荷を横切りブーストコン
バータにより発生する最大ピーク電圧と等しい逆電圧に
耐えられなければならないという事実から、高電圧デバ
イス用の製造プロセスで集積回路を形成する必要性が指
摘されている。換言すると、前記集積回路は回路により
生成する最大ピーク−トゥ−ピーク電圧の値より十分高
いブレーグダウン特性を有しなければならない。
回路は、分離した素子を使用することにより及び／又は
負荷接続を定期的に反転させるために必要なスイッチを
形成するための電機的リレーを使用することにより実現
できる。その代わりに、バイポーラ又は電界効果トラン
ジスタの形態の電子スイッチを使用することにより、前
記コンバータ回路を集積回路の形態で実現することもで
き、これはミニチュア化能力の点から明瞭な利点を有す
る。この可能性は米国特許第4,527,096 号に開示され、
相当する集積構造が、容量性負荷を横切りブーストコン
バータにより発生する最大ピーク電圧と等しい逆電圧に
耐えられなければならないという事実から、高電圧デバ
イス用の製造プロセスで集積回路を形成する必要性が指
摘されている。換言すると、前記集積回路は回路により
生成する最大ピーク−トゥ−ピーク電圧の値より十分高
いブレーグダウン特性を有しなければならない。
【０００７】集積回路の構造は、設計の必要性により課
される特に高いブレーグダウン電圧を達成するために適
用されることが知られ、これは、エレクトロルミネセン
トダイオードにより代表されるような容量性負荷を直接
駆動するために使用できるブーストコンバータ回路の特
別な場合には極端に高い値に達することがある。モノリ
シックな集積回路の形態のブーストコンバータを実現す
る可能性を排除するものではないが、前記要件は、約12
0 Ｖまで達することのある逆電圧に耐えられる十分に堅
牢な集積構造の実現を義務を負わせる。これは、ブレー
グダウン電圧を増加させるために適した十分なサイズ、
厚さ、接合の深さ及び／又は特別な構造及び配置の形成
の義務を負わせる。一般にこれらの要件は集積回路自身
のミニチュア化への限界を決定し、これは通常外部負荷
を駆動するためのブーストコンバータに加えて装置の全
機能回路を含む。従って比較的高電圧で容量性負荷を直
接駆動するために適しかつ簡単な回路を有し、同時に容
易に集積でき、かつモノリシックな集積形態でも全集積
回路の顕著なミニチュア化を許容するブーストコンバー
タの必要性及び有用性がある。
される特に高いブレーグダウン電圧を達成するために適
用されることが知られ、これは、エレクトロルミネセン
トダイオードにより代表されるような容量性負荷を直接
駆動するために使用できるブーストコンバータ回路の特
別な場合には極端に高い値に達することがある。モノリ
シックな集積回路の形態のブーストコンバータを実現す
る可能性を排除するものではないが、前記要件は、約12
0 Ｖまで達することのある逆電圧に耐えられる十分に堅
牢な集積構造の実現を義務を負わせる。これは、ブレー
グダウン電圧を増加させるために適した十分なサイズ、
厚さ、接合の深さ及び／又は特別な構造及び配置の形成
の義務を負わせる。一般にこれらの要件は集積回路自身
のミニチュア化への限界を決定し、これは通常外部負荷
を駆動するためのブーストコンバータに加えて装置の全
機能回路を含む。従って比較的高電圧で容量性負荷を直
接駆動するために適しかつ簡単な回路を有し、同時に容
易に集積でき、かつモノリシックな集積形態でも全集積
回路の顕著なミニチュア化を許容するブーストコンバー
タの必要性及び有用性がある。
【０００８】
【発明の構成】本発明の対象である容量性負荷を駆動す
るブーストコンバータ回路は、第１のコントロール周波
数で、容量性負荷のターミナルを通して正及び負の電圧
ランプを交互に伝達するための４個のスイッチを使用す
る。各電圧ランプは第２のスイッチング周波数で、容量
性負荷上のインダクタのある数の充電及び放電を通して
生成する。コントロール回路は前記第１のコントロール
周波数及び前記第２のスイッチング周波数でコントロー
ルシグナルを発生する。前記第１のコントロール周波数
は、20〜100 ヘルツ（Ｈｚ）のオーダーにあり、一方第
２のスイッチング周波数はキロヘルツ（ｋＨｚ）のオー
ダーにある。
るブーストコンバータ回路は、第１のコントロール周波
数で、容量性負荷のターミナルを通して正及び負の電圧
ランプを交互に伝達するための４個のスイッチを使用す
る。各電圧ランプは第２のスイッチング周波数で、容量
性負荷上のインダクタのある数の充電及び放電を通して
生成する。コントロール回路は前記第１のコントロール
周波数及び前記第２のスイッチング周波数でコントロー
ルシグナルを発生する。前記第１のコントロール周波数
は、20〜100 ヘルツ（Ｈｚ）のオーダーにあり、一方第
２のスイッチング周波数はキロヘルツ（ｋＨｚ）のオー
ダーにある。
【０００９】実際に、インダクタの各ターミナルは、充
電スイッチと、インダクタのターミナルと出力ノード間
に互いに電気的に直列接続されたスイッチ及びダイオー
ドを含んで成る放電経路に接続されている。２個の放電
経路は前記第１の周波数で、相補シグナル対により交互
に使用可能にされ、外部容量性負荷が接続されている出
力ノードに向けてそれぞれの放電経路を使用可能にする
２個のスイッチの一方又は他方を閉じる。インダクタの
充電スイッチは比較的高周波数（前記第２のスイッチン
グ周波数）でスイッチするよう駆動され、一方他の充電
スイッチは全セミヒリオドの間、開いたまま維持され
る。引き続くセミピリオドの間、回路のコンフィギュレ
ーションは反転し、先行するランプに対して逆の極性の
ランプを生成する。生成する電圧ランプは、インダクタ
のそれぞれの充電スイッチのスイッチング周波数に対応
して、高周波数リプルを有する。
電スイッチと、インダクタのターミナルと出力ノード間
に互いに電気的に直列接続されたスイッチ及びダイオー
ドを含んで成る放電経路に接続されている。２個の放電
経路は前記第１の周波数で、相補シグナル対により交互
に使用可能にされ、外部容量性負荷が接続されている出
力ノードに向けてそれぞれの放電経路を使用可能にする
２個のスイッチの一方又は他方を閉じる。インダクタの
充電スイッチは比較的高周波数（前記第２のスイッチン
グ周波数）でスイッチするよう駆動され、一方他の充電
スイッチは全セミヒリオドの間、開いたまま維持され
る。引き続くセミピリオドの間、回路のコンフィギュレ
ーションは反転し、先行するランプに対して逆の極性の
ランプを生成する。生成する電圧ランプは、インダクタ
のそれぞれの充電スイッチのスイッチング周波数に対応
して、高周波数リプルを有する。
【００１０】添付図面を参照して行なう引き続く重要な
態様の説明により、本発明の異なった態様及び利点は更
に良好に理解されるであろう。図１は、本発明のブース
トコンバータの回路ダイアグラムである。図２は、図１
の回路のタイミングダイアグラムである。図３は、容量
性負荷を通って負の電圧ランプを生成するフェーズ間の
回路の機能的なコンフィギュレーションを示す。図４
は、負荷を通って正の電圧ランプを生成するフェーズ間
の回路の機能的なコンフィギュレーションを示す。
態様の説明により、本発明の異なった態様及び利点は更
に良好に理解されるであろう。図１は、本発明のブース
トコンバータの回路ダイアグラムである。図２は、図１
の回路のタイミングダイアグラムである。図３は、容量
性負荷を通って負の電圧ランプを生成するフェーズ間の
回路の機能的なコンフィギュレーションを示す。図４
は、負荷を通って正の電圧ランプを生成するフェーズ間
の回路の機能的なコンフィギュレーションを示す。
【００１１】図１では、Ｌインダクタが充電スイッチＳ
ＷＡ及びＳＷＢを通して、それぞれサプライレールＶDD
及びグラウンドへ接続可能となっている。更にインダク
タＬの２個のターミナルは、２個の別個の経路ＳＷＣ−
Ｄ１及びＳＷＤ−Ｄ２を通して交互に出力ノードＶOUT
に接続される。スイッチＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣ、ＳＷ
Ｄの駆動は、コントロール回路の適切な発振器ＩA 、Ｉ
B 、ＩC 及びＩD により行なわれる。
ＷＡ及びＳＷＢを通して、それぞれサプライレールＶDD
及びグラウンドへ接続可能となっている。更にインダク
タＬの２個のターミナルは、２個の別個の経路ＳＷＣ−
Ｄ１及びＳＷＤ−Ｄ２を通して交互に出力ノードＶOUT
に接続される。スイッチＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣ、ＳＷ
Ｄの駆動は、コントロール回路の適切な発振器ＩA 、Ｉ
B 、ＩC 及びＩD により行なわれる。
【００１２】対応するスイッチの閉状態がそれぞれのコ
ントロールシグナルの高論理値に対応すると仮定した場
合の回路のコントロールシグナルが図２に示されてい
る。勿論、コントロールシグナルは、好適なコントロー
ル回路（図示せず）により発生し、これは、周波数分割
回路の使用により、システムクロックシグナルからそれ
らを誘導することにより、充電スイッチＳＷＡ及びＳＷ
Ｂを駆動する高周波数スイッチングシグナルＩA 及びＩ
B だけでなく低周波数シグナルの相補対ＩC及びＩD も
生成する。
ントロールシグナルの高論理値に対応すると仮定した場
合の回路のコントロールシグナルが図２に示されてい
る。勿論、コントロールシグナルは、好適なコントロー
ル回路（図示せず）により発生し、これは、周波数分割
回路の使用により、システムクロックシグナルからそれ
らを誘導することにより、充電スイッチＳＷＡ及びＳＷ
Ｂを駆動する高周波数スイッチングシグナルＩA 及びＩ
B だけでなく低周波数シグナルの相補対ＩC及びＩD も
生成する。
【００１３】コントロールシグナルＩC 及びＩD のフェ
ーズ（セミピリオド）の間、機能回路は図３に示したよ
うなコンフィギュレーションになり、図示の通り負荷Ｃ
を通して負の電圧ランプが生ずる。引き続くフェーズ
（セミピリオド）の間、機能回路は図４に示したような
コンフィギュレーションになり、正の電圧ランプが負荷
Ｃを通して生成する。貯蔵インダクタＬ及び明らかなよ
うに外部負荷Ｃを除いて、全回路は集積できる。４個の
スイッチＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣ及びＳＷＤの構造は、
実質的にバイポーラ型トランジスタとして表示したが、
例えば集積ＣＭＯＳ構造を使用することにより電界効果
トランジスタを使用することにより実現しても良い。
ーズ（セミピリオド）の間、機能回路は図３に示したよ
うなコンフィギュレーションになり、図示の通り負荷Ｃ
を通して負の電圧ランプが生ずる。引き続くフェーズ
（セミピリオド）の間、機能回路は図４に示したような
コンフィギュレーションになり、正の電圧ランプが負荷
Ｃを通して生成する。貯蔵インダクタＬ及び明らかなよ
うに外部負荷Ｃを除いて、全回路は集積できる。４個の
スイッチＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣ及びＳＷＤの構造は、
実質的にバイポーラ型トランジスタとして表示したが、
例えば集積ＣＭＯＳ構造を使用することにより電界効果
トランジスタを使用することにより実現しても良い。
【００１４】勿論当業者には明らかなように、例えば正
のサプライ用の単一サプライ用に設計された集積回路中
で、回路のノードＶOUT は「負の」の電圧を受け、ノー
ドＶOUT は所謂「ビローグラウンド電圧」を受け、従っ
て出力ノードＶOUT に直接接続された集積構造特にダイ
オードＤ１及びＤ２は、集積回路のグラウンドポテンシ
ャル（基板）として参照される負の電圧に耐えるよう実
現されなければならない。本出願人のイタリア特許第1,
188,609 号に記載されているように、基本的なＣＭＯＳ
製造プロセスでも容易に実現できる低リーケージダイオ
ード（ＬＤＤ）として一般に知られている集積構造を、
Ｄ１及びＤ２の両者として使用することにより容易に得
られる。
のサプライ用の単一サプライ用に設計された集積回路中
で、回路のノードＶOUT は「負の」の電圧を受け、ノー
ドＶOUT は所謂「ビローグラウンド電圧」を受け、従っ
て出力ノードＶOUT に直接接続された集積構造特にダイ
オードＤ１及びＤ２は、集積回路のグラウンドポテンシ
ャル（基板）として参照される負の電圧に耐えるよう実
現されなければならない。本出願人のイタリア特許第1,
188,609 号に記載されているように、基本的なＣＭＯＳ
製造プロセスでも容易に実現できる低リーケージダイオ
ード（ＬＤＤ）として一般に知られている集積構造を、
Ｄ１及びＤ２の両者として使用することにより容易に得
られる。
【図１】本発明のブーストコンパレータの回路ダイアグ
ラム。
ラム。
【図２】図１の回路のタイミングダイアグラム。
【図３】容量性負荷を通って負の電圧ランプを生成する
フェーズ間の回路の機能的なコンフィギュレーション。
フェーズ間の回路の機能的なコンフィギュレーション。
【図４】容量性負荷を通って正の電圧ランプを生成する
フェーズ間の回路の機能的なコンフィギュレーション。
フェーズ間の回路の機能的なコンフィギュレーション。
Ｌ・・・インダクタ ＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣ、ＳＷＤ
・・・スイッチ Ｄ１、Ｄ２・・・ダイオード ＩA 、
ＩB 、ＩC 、ＩD ・・・発振器 ＶOUT ・・・出力ノー
ド ＶDD・・・サプライノード
・・・スイッチ Ｄ１、Ｄ２・・・ダイオード ＩA 、
ＩB 、ＩC 、ＩD ・・・発振器 ＶOUT ・・・出力ノー
ド ＶDD・・・サプライノード
フロントページの続き (72)発明者 田中 一行 神奈川県横浜市磯子区岡村１−20−１− 215
Claims (5)
- 【請求項１】 エネルギ貯蔵インダクタ、該インダクタ
の少なくとも１個の充電スイッチ、グラウンドに接続さ
れた第２のターミナルを有する容量性負荷の他のターミ
ナルに接続された出力ノードに向かうインダクタの少な
くとも１個の放電スイッチを含んで成る前記容量性負荷
を直接駆動するためのＤＣ−ＤＣブーストコンバータに
おいて、 インダクタの第１のターミナルとサプライレール間に接
続された第１のスイッチ、 インダクタとグラウンド間に接続された第２のスイッ
チ、 直列接続された第１のダイオードと第３のスイッチを含
んで成る前記インダクタの前記第１のターミナルと前記
出力ノード間の第１の放電経路、 直列接続された第２のダイオードと第４のスイッチを含
んで成る前記インダクタの前記第２のターミナルと前記
出力ノード間の第２の放電経路、 を含んで成り、 第３のスイッチが閉じているセミピリオドの間、及び第
４のスイッチが閉じているセミピリオドの間に、それぞ
れ、第３及び第４のスイッチが第１のコントロール周波
数で逆フェーズで駆動され、及び前記第１及び第２のス
イッチが実質的に前記第１の周波数より高い第２のスイ
ッチング周波数で逆フェーズで駆動されることを特徴と
するＤＣ−ＤＣブーストコンバータ。 - 【請求項２】 前記容量性負荷がエレクトロルミネセン
トダイオードである請求項１に記載のブーストコンバー
タ。 - 【請求項３】 前記第１のコントロール周波数が20から
100 Ｈｚであり、前記第２のスイッチング周波数が１ｋ
Ｈｚより高い請求項１に記載のブーストコンバータ。 - 【請求項４】 前記スイッチがバイポーラトランジスタ
である請求項１に記載のブーストコンバータ。 - 【請求項５】 前記スイッチが電界効果トランジスタで
ある請求項１に記載のブーストコンバータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT93830472.2 | 1993-11-29 | ||
| EP93830472A EP0655826B1 (en) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | DC-DC boost converter for driving a capacitive load |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07255167A true JPH07255167A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=8215253
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6321471A Pending JPH0833323A (ja) | 1993-11-29 | 1994-11-29 | 容量性負荷駆動用ｄｃ−ｄｃブーストコンバータ |
| JP6319044A Pending JPH07255167A (ja) | 1993-11-29 | 1994-11-29 | 容量性負荷駆動用ｄｃ−ｄｃブーストコンバータ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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