JPH0722737A - 配線パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 フォトレジスト膜１２に回路配線パターン形
状の溝部１５を形成する工程と、溝部１５に銅粉末、ガ
ラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペースト１６を
充填する工程と、導体ペースト１６が充填されたフォト
レジスト膜１２を導体ペースト１６の充填を行った面が
アルミナ基板１７に接するようにアルミナ基板１７表面
に接着させる工程と、前記工程でフォトレジスト膜１２
が接着されたアルミナ基板１７を、大気中フォトレジス
ト膜１２及び導体ペースト１６中の樹脂が分解、消失す
る温度以上に加熱する工程と、前記工程で酸化された酸
化銅粉末を銅に還元し、焼結する工程とを含んでいる配
線パターンの形成方法。 【効果】 容易な操作、かつ低コストにて基板上に該基
板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細配線
を高精度に形成することができ、セラミックス回路基板
のマルチチップ化、高密度実装化に対応することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ＬＳＩ、チップ部
品などを実装し、かつそれらを相互配線するための基板
上の配線パターンの形成方法に関し、より詳細には、低
コスト、かつ簡易な操作にてセラミックス配線基板上に
銅の微細配線を形成する配線パターンの形成方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化、高密
度化が進んできており、これらに実装される電子部品の
狭ピッチ多ピン化、マルチチップ化も急速に進められつ
つある。従って、ＬＳＩ、ＩＣチップのボンディング法
も従来のワイヤボンディング法から、マルチチップや高
密度実装に適したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方
式又はフリップチップ方式が採用されるようになってき
ている。このような電子機器の高密度化に伴い、セラミ
ックス配線基板上に、線幅が１００μｍ以下の微細配線
を形成する技術が要求されるようになってきている。ま
た、配線材料としては導通抵抗が低く、低価格な銅がよ
く用いられている。

【０００３】従来からのセラミックス基板上への微細配
線の形成方法は、厚膜法、薄膜法、メッキ法などに大別
される。

【０００４】前記厚膜法は、導体粒子を有機ビヒクル中
に分散させた導体ペーストをメッシュスクリーンを通し
てセラミックス基板に印刷し、焼成することにより導体
をセラミックス基板上に焼き付ける方法である。この方
法ではセラミックス基板との充分な密着強度を有する導
体層を低コストで形成することはできるものの、メッシ
ュワイヤ径に限界があるために１００μｍ未満の微細配
線を形成することは難しく、さらに印刷時にスクリーン
がたわむため、配線パターンの位置精度が低いという問
題点がある。

【０００５】一方薄膜法は、セラミックス基板に蒸着、
スパッタリング又はイオンプレーティング等により厚さ
数μｍオーダーの導体金属層を形成する方法であり、こ
の方法ではフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
ーの手法が利用できることから、精度の高い微細配線を
形成することができるものの、基板との密着性が低い、
工程が多い、薄膜形成装置が高価である等の問題点があ
る。

【０００６】またメッキ法も上記した薄膜法と同様の問
題点がある。

【０００７】そこで近年、基本的には前記厚膜法を使用
し、配線パターンの形成には前記薄膜法の特徴であるフ
ォトリソグラフィー法を導入した方法が試みられてお
り、その方法について以下に説明する。

【０００８】まず、光硬化性モノマー等からなる感光性
樹脂を溶剤に溶解させて形成したフォトレジスト（感光
液）中に導電性粉末を分散させて感光性導体ペーストを
調製する。次に、得られた該感光性導体ペーストをセラ
ミックス基板にベタ印刷し、露光、現像処理することに
より所定の配線パターンを形成する。さらに、所定パタ
ーンが形成されたセラミックス基板を焼成することによ
り光硬化樹脂を分解、消失（脱バインダー）させ、同時
に導電性膜をセラミックス基板に焼き付けることにより
微細配線の形成を完了する。

【０００９】前記方法において、感光性導体ペースト中
の感光性樹脂の量は通常の厚膜導体ペースト中の樹脂量
よりもかなり多い。この理由は、感光性導体ペースト中
の感光性樹脂の量が少ないと感光性導体ペースト中の導
体粉末の量が相対的に多くなり、露光工程で照射される
紫外線が導体粉末により遮断され、紫外線が塗布された
厚膜の厚み方向に充分に透過されないため、感光性樹脂
が充分に感光せず、現像するのが難しくなるためであ
る。

【００１０】しかし、このように感光性導体ペースト中
に多量の樹脂が存在すると、現像工程で感光性樹脂が硬
化して燃焼しにくくなるため、前記樹脂の焼成工程にお
いて硬化した樹脂が充分に分解、消失せずに残存し、導
電性粉末の焼結が阻害されたり、形成された配線の基板
に対する接着強度が低下するという問題点があった。特
に、導電性粉末として銅粉末を使用する場合、通常、銅
粉末の酸化を防止するために焼成が窒素雰囲気等の還元
性雰囲気で行われていたため、その分解が一層困難にな
り、光硬化樹脂が分解せず、配線部に多量に残存してし
まうという結果が生じていた。

【００１１】さらに、感光性導体ペースト中に多量の感
光性樹脂が存在すると前記感光性導体ペースト中の導電
性粉末の濃度が低くなり、感光性樹脂等を除去した後も
配線パターン中の導電性粉末の充填度が低くなり、形成
された配線は導電性が低く、しかも基板との接着性も低
いという問題点もあった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】このような問題点を解
決するため、最近ではガラス基板やセラミックス基板の
上にフォトレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィーによりフォトレジスト膜に配線パターン状の雌型の
開口部を形成し、該開口部に導体ペーストを充填して焼
成する方法が行われるようになってきている（特開平４
−２２３３９１号公報、特開平４−２２３３９２号公
報、特開平４−２２３３９３号公報等）。

【００１３】前記焼成工程で、基板上に形成されたフォ
トレジストは消失し、導体ペースト中の導電性粉末のみ
が残留して基板上に焼結し、前記ガラス基板やセラミッ
クス基板上に配線が形成される。

【００１４】この方法では、従来から用いられている導
体ペーストを使用できるため、配線自体の導電性は良好
であるものの、５０μｍ以下の微細配線を形成する場
合、フォトレジスト膜に形成される雌型の開口を直角に
することが難しく、前記開口部が形成されても、その断
面形状がＵ字型になったり、上部が広く底部が狭い逆台
形形状になったりして、基板との接着強度が弱く、また
焼成工程の後に配線部分にクラックが生じ易いという課
題があった。

【００１５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、コスト的に有利で操作が容易な厚膜法をベースとし
て、前記方法にフォトリソグラフィーの手法を適用する
ことで、従来の方法では形成不可能な微細配線を基板上
に高精度に形成することができると共に、形状が良好
で、導電性および基板との接着性等の特性に優れた微細
配線を形成することができる配線パターンの形成方法を
提供することを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る配線パターンの形成方法は、フォトレジ
スト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパ
ターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝
部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導体
ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体ペ
ーストが充填されたフォトレジスト膜を前記導体ペース
トの充填を行った面が基板に接するように基板表面に接
着させる接着工程と、該接着工程で前記フォトレジスト
膜が接着された基板を、大気中にて、前記フォトレジス
ト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、消失する温
度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化さ
れた酸化銅粉末を銅に還元し、かつ焼結させる還元焼成
工程とを含んでいることを特徴としている（以下、第１
の配線パターンの形成方法と記す）。

【００１７】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基板
上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有する
溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガ
ラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填
する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填さ
れた前記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を
行った面が基板に接するように基板表面に接着させる接
着工程と、前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥
離させる剥離工程と、前記接着工程で前記フォトレジス
ト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フォトレジ
スト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、消失する
温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化
された酸化銅粉末を銅に還元し、かつ焼結させる還元焼
成工程とを含んでいることを特徴としている（以下、第
２の配線パターンの形成方法と記す）。

【００１８】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基板
上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有する
溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガ
ラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填
する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填さ
れた前記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を
行った面が基板に接するように基板表面に接着させる接
着工程と、該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレ
ジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フィル
ム、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、
該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
している（以下、第３の配線パターンの形成方法と記
す）。

【００１９】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フォトレジスト膜に、基板上に形成しようとする回
路配線と同じパターンを有する溝部を形成する溝部形成
工程と、前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒ
クルを含む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工
程と、該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を
前記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するよう
に基板表面に接着させる接着工程と、該接着工程で前記
フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前
記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分
解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処
理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還元処理
工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含
んでいることを特徴としている（以下、第４の配線パタ
ーンの形成方法と記す）。

【００２０】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基板
上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有する
溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガ
ラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填
する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填さ
れた前記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を
行った面が基板に接するように基板表面に接着させる接
着工程と、前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥
離させる剥離工程と、前記接着工程で前記フォトレジス
ト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フォトレジ
スト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、消失する
温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化
された酸化銅粉末を銅に還元する還元処理工程と、中性
雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいること
を特徴としている（以下、第５の配線パターンの形成方
法と記す）。

【００２１】さらに本発明に係る配線パターンの形成方
法は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基
板上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有す
る溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、
ガラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充
填する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填
されたフォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を行
った面が基板に接するように基板表面に接着させる接着
工程と、該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレジ
スト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フィル
ム、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、
該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
元処理工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程
とを含んでいることを特徴としている（以下、第６の配
線パターンの形成方法と記す）。

【００２２】まず、本発明の第１の配線パターンの形成
方法について説明する。第１の配線パターンの形成方法
においては、最初に溝部形成工程として、フォトレジス
ト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパタ
ーンを有する溝部を形成する。

【００２３】フォトレジスト膜としては、例えばデュポ
ン社製のリストン４７１３、サンノプコ社製のノプコキ
ュアＦ１５２５、三菱レイヨン社製のダイヤロンＦＲＡ
３０５等のような、一般に市販されているドライフィル
ムレジストが挙げられる。前記フォトレジスト膜とし
て、前記ドライフィルムレジストの他に液状レジストを
用いて前記フォトレジスト膜を形成する方法もあるが、
フォトレジスト膜の形成に手間がかかり、かつ、膜の可
撓性がドライフィルムレジストより劣り、次工程以下に
おいてハンドリングが困難になるので好ましくない。こ
の工程で形成されるフォトレジストの溝部に導体ペース
トを充填するには溝部の深さが約１０μｍ以上必要であ
るため、前記フォトレジスト膜の厚さは、２５μｍ以上
あることが好ましい。前記フォトレジスト膜の厚さが２
５μｍ以下では、フォトレジスト膜の溝部の形状が崩れ
やすくなるため好ましくない。

【００２４】前記フォトレジスト膜に、基板上に形成し
ようとする回路パターンと同様のパターンを有する溝部
を形成するには、通常行われるフォトマスクを用いた紫
外線露光等により回路配線パターンに露光し、スプレー
法又は浸漬揺動法等により現像すれば良い。通常、ドラ
イフィルムレジストの現像ではフィルム表面に直角に開
口させることを目的とするために、５０μｍの幅を有す
る溝部を形成するのは容易ではないが、本発明において
は、必ずしもフィルム表面と直角の角度を有する溝部を
形成しなくてもよく、前記溝部の断面形状が逆台形形状
やＵ字形状になっていても良い。従って、現像は比較的
容易であり、通常の現像方法により、３０μｍ以下の幅
を有する溝部の形成も可能である。形成する前記溝部の
深さは、用いるドライフィルムレジストの厚さを変える
ことにより調節することができる。

【００２５】次に導体ペースト充填工程として、形成さ
れた前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクル
を含む導体ペーストを充填する。

【００２６】この工程で使用する導体ペーストとして、
公知の導体ペーストを使用することができるが、導電
性、耐マイグレーション性（湿潤雰囲気下での安定
性）、価格などの点から最も有利な銅導体ペーストを用
いる。銅導体ペーストとしては公知の銅導体ぺーストを
使用することができるが、例えば粒径が０．３〜１０μ
ｍの銅粉末が７５〜８７ｗｔ％、軟化点が４５０〜７０
０℃で粒径が０．１〜１０μｍのガラスフリットが１〜
７ｗｔ％、樹脂を溶剤、可塑剤等に溶解したビヒクルが
６〜２４ｗｔ％の組成からなるものが好ましい。

【００２７】前記銅粉末の粒径が０．３μｍ未満では粉
末自体がかさ高くなるためにペースト化に多量のビヒク
ルを要し、その結果ぺースト中の銅粉末含有量が低下
し、また前記銅粉末の粒径が１０μｍを超えると溝部へ
の充填性が低下する。

【００２８】また前記ガラスフリットの軟化点が４５０
℃未満では焼成時に流動し過ぎて、配線とセラミックス
基板との接着性が低下し、また前記ガラスフリットの軟
化点が７００℃を超えると後述の還元工程で配線が基板
からはがれてしまうことがある。前記ガラスフリットの
含有量が１ｗｔ％未満では配線の接着性が低く、また前
記ガラスフリットの含有量が７ｗｔ％を超えると配線の
ハンダに対する濡れ性が低下する。前記ガラスフリット
の組成としては、ホウケイ酸系ガラスに鉛、銅、亜鉛、
カドミウム、バリウム、カルシウム、ビスマスなどを溶
解させたものが好ましい。

【００２９】さらに前記ビヒクルの含有量が６ｗｔ％未
満ではペーストの粘度が高すぎて配線部への充填が困難
になり、また前記ビヒクルの含有量が２４ｗｔ％を超え
るとペースト中の銅粉末の含有量が低下して緻密な配線
を形成することが難しくなる。前記ビヒクルに用いる樹
脂としては、例えばエチルセルロース、ニトロセルロー
スなどのセルロース樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹
脂等が挙げられ、溶剤としては、例えばテルピネオー
ル、ジブチルカルビトール、トリメチルペンタンジオー
ルジイソブチレート、エステルアルコールなどの高沸点
溶剤が挙げられる。これらの高沸点溶剤は、ペーストの
粘度の安定性の点から、後述のフォトレジスト上での印
刷に適している。また前記可塑剤としては、例えばジブ
チルフタレート等が挙げられる。

【００３０】前記銅粉末、ガラスフリット及びビヒクル
を用いてペーストを調製するには、前記原料を３本ロー
ルミルもしくはボールミルにて３０分〜１時間程度混練
すればよい。

【００３１】前記導体ペーストを用いて前記フォトレジ
スト膜の前記溝部へ前記導体ペーストを充填する方法と
しては、前記導体ペーストを前記溝部に擦り込むように
して充填すればよく、例えば平板ゴムに適量の前記導体
ペーストをつけ、前記平板を前記フォトレジスト膜に接
触させながら移動させればよい。なお、このとき形成さ
れた前記溝部以外の前記フォトレジスト膜上に前記導体
ペーストが残留しないように、適当な強さで前記平板ゴ
ムを前記フォトレジスト膜に接触させながら移動させる
ことが必要である。

【００３２】前記工程により前記フォトレジスト膜の前
記溝部に前記導体ペーストを充填した後は、前記溝部に
充填された前記導体ペースト中の液体成分が揮発する温
度で乾燥させ、前記導体ペースト中の銅粉末等の固体成
分を前記溝部に固定させる。

【００３３】形成された前記溝部の長手方向が前記平板
ゴムの移動方向と平行な場合には、前記導体ペーストの
充填が完全にできない場合があるが、このときはまず一
度前記平板ゴムにて前記導体ペーストを充填して乾燥さ
せた後、最初の平板ゴムの移動方向とは垂直な方向に前
記と同様な方法で前記導体ペーストを充填する作業を行
えば、前記溝部に完全に前記導体ペーストを充填するこ
とができる。

【００３４】次に接着工程として、前記導体ペーストが
充填された前記フォトレジスト膜を該導体ペーストの充
填を行った面が基板に接するように前記基板表面に接着
させる。

【００３５】前記フォトレジスト膜を接着させる前記基
板としては、例えばアルミナ、ムライト、ガラス等のセ
ラミックス基板等、公知のセラミックス基板が挙げられ
る。

【００３６】前記フォトレジスト膜の前記基板への接着
は、前記したように前記導体ペーストの充填を行った側
の膜面が前記基板と接触するように接着させる。接着剤
は特別なものを使用する必要はなく、通常の接着剤を用
いることができる。前記接着剤としては、例えばエポキ
シ系樹脂、アクリル系樹脂の接着剤が挙げられる。接着
の方法も、通常行われている方法でよいが、前記フォト
レジスト膜は薄く伸縮し易いので、前記伸縮により配線
パターンが変化しないように注意深く接着させる必要が
ある。

【００３７】次に熱処理工程として、前記接着工程で前
記フォトレジスト膜が接着された前記基板を、大気中に
て、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する。

【００３８】通常、前記銅導体ペーストの焼成は銅が酸
化せず、かつ樹脂が分解、消失するように、極微量の酸
化性ガスを含む窒素雰囲気にて焼成を行う。しかし、こ
の場合は銅を含有する充填層の間にフォトレジストが存
在するため、前記銅を含有する充填層の間のフォトレジ
ストを分解、消失させ、かつ銅の酸化を抑えるのは非常
に難しい。

【００３９】そこで、本発明においては、前記導体含有
フォトレジスト膜が接着された前記基板を酸素が存在す
る大気中にて加熱する。この方法により、前記基板上に
存在する有機成分を短時間で完全に分解、消失させるこ
とができる。前記熱処理は、大気中にて６００〜９００
℃で行うのが好ましい。加熱温度が６００℃未満では有
機成分の分解、消失が完了しない場合があり、一方前記
加熱温度が９００℃を超えると厚膜中のガラスフリット
が流動しすぎてしまい、基板の厚膜の接着性が低下する
ので好ましくない。

【００４０】ここで大気中にて有機成分の分解、消失を
行うと、銅が酸化して酸化銅となるために体積膨張を伴
うが、前記導体ペースト中の銅の充填状態は余り高くな
く、ガラスフリットが前記加熱処理により流動するの
で、前記銅の酸化膨張による配線パターンの変化はほと
んど起きない。むしろ、銅の酸化膨張により酸化銅の充
填度は一旦高くなって、お互いが接合され、次工程の還
元処理によっても接合はなくならないので、焼成工程に
より緻密に焼結した銅配線が得られるという利点があ
る。

【００４１】次に還元焼成工程として、前記熱処理工程
で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、かつ焼結させ
る。

【００４２】酸化銅の銅への還元自体は４００℃程度の
低温で比較的容易に行うことができるが、この工程では
銅粉末の焼結も同時に行って、形成された銅微細配線を
基板上に接着するため、水素を１〜１０ｖｏｌ％含む窒
素雰囲気下で、６００〜１０００℃で還元焼成を行う。
なおこの場合、銅微細配線部以外の部分、例えばセラミ
ックス基板、誘電体部、抵抗部などの構成材料が耐還元
性を有し、上記還元雰囲気下でも容易に還元されないこ
とが必要である。

【００４３】前記水素の含有量が１ｖｏｌ％未満では還
元が充分に進行せず、また前記水素の含有量が１０ｖｏ
ｌ％を超えると基板、誘電体部、抵抗部等の基板の構成
材料も還元され易くなる。また還元焼成温度に関して
は、前記還元焼成温度が６００℃未満では銅が緻密に焼
結せず、また前記還元焼成温度が１０００℃を超えると
銅の溶融温度に近くなり、配線のパターンに誤差を生じ
易くなる。なお、酸化銅の銅への還元時に体積収縮が生
じるが、前記したように大気中における熱処理工程にお
いて、配線中のガラスフリットが溶融流動し、基板と接
着されているため、配線がめくれ上がることはない。

【００４４】上記方法により形成された配線の断面形状
は、台形形状もしくは逆Ｕ字形の安定した形状になって
おり、熱処理工程にて配線内にクラックなどが発生する
ことはない。

【００４５】なお、前記銅微細配線の平坦性を向上さ
せ、ハンダ付け後の高温エージングによる接着性の低下
を防ぐ目的で、上記方法により形成した銅微細配線上
に、さらに銅、金又はニッケルなどの金属メッキ層を２
〜５μｍ程度の厚さに形成してもよい。

【００４６】上記した本発明の第１の配線パターンの形
成方法により、容易な操作及び低コストで、基板上に基
板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅微細配線を
高精度に形成することができる。また、配線部にクラッ
クが生じることもない。

【００４７】次に、本発明の第２の配線パターンの形成
方法について説明する。

【００４８】該第２の配線パターンの形成方法において
は、使用するフォトレジスト膜がキャリアフィルムの上
に形成されている点が前記第１の配線パターンの形成方
法と異なる。前記キャリアフィルムは前記導体ペースト
が充填された前記フォトレジスト膜を基板に接着させる
接着工程の後に剥離させて取り除く。

【００４９】その他、この発明で使用するフォトレジス
ト膜、基板、導電ペースト等、及びこの発明の各工程に
おける方法と条件とは前記第１の配線パターンの形成方
法と同様でよい。

【００５０】この第２の配線パターンの形成方法で使用
するキャリアフィルムは、フォトレジストを担持するに
充分な強度を持ち、ハンドリングのしやすさの点から、
例えばポリエステル等が好ましく、その厚さは１５〜２
５μｍが好ましい。

【００５１】前記第２の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第１の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。

【００５２】次に、本発明の第３の配線パターンの形成
方法について説明する。

【００５３】該第３の配線パターンの形成方法において
も、使用するフォトレジスト膜がキャリアフィルムの上
に形成されている点は前記第２の配線パターンの形成方
法と同様である。

【００５４】しかし、この発明の場合は使用するキャリ
アフィルムが薄く、かつ高温での加熱処理によって分
解、消失し易いものを使用しているので、前記フォトレ
ジスト膜を基板に接着させた後、特に前記キャリアフィ
ルムを剥離させなくてもよく、前記フォトレジスト膜を
分解、消失させる工程において、前記キャリアフィルム
を同時に分解、消失させる。

【００５５】この第３の配線パターンの形成方法で使用
するフォトレジスト膜、基板、導電ペースト等、及び各
工程における方法と条件とは前記第１の配線パターンの
形成方法と同様でよい。

【００５６】この第３の配線パターンの形成方法で使用
するキャリアフィルムは、例えばポリエステル等が好ま
しく、その厚さは１５〜２５μｍが好ましい。

【００５７】前記第３の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第１の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。

【００５８】次に、本発明の第４の配線パターンの形成
方法について説明する。

【００５９】該第４の配線パターンの形成方法において
は、フォトレジスト膜に、基板上に形成しようとする回
路配線と同じパターンを有する溝部を形成する溝部形成
工程、前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒク
ルを含む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工
程、該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を前
記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
基板表面に接着させる接着工程、及び該接着工程で前記
フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前
記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分
解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程は、第１の
配線パターンの形成方法と全く同様に行う。

【００６０】従って、用いるフォトレジスト膜、導体ペ
ースト、基板等も、第１の配線パターンの形成方法の場
合と同様のものでよい。

【００６１】第４の配線パターンの形成方法において
は、前記熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元
する還元処理工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼
成工程とを順次行う点が、前記熱処理工程で酸化された
酸化銅粉末を一つの工程で銅に還元し、かつ焼結させる
第１の配線パターンの形成方法と異なる。

【００６２】この第４の配線パターンの形成方法は、基
板、誘電体部、抵抗部等の基板の構成材料自体が比較的
還元され易く、高温の還元性雰囲気下で熱処理を行うこ
とが難しい場合に有用である。

【００６３】第４の配線パターンの形成方法では、上記
した第１の配線パターンの形成方法と同様の方法で前記
熱処理工程までの工程を行った後、還元処理工程とし
て、前記熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元
する。

【００６４】この工程では、水素を１〜１０ｖｏｌ％含
む窒素雰囲気下で、４００〜６００℃の温度で銅の還元
処理を行うのが好ましい。前記還元処理温度が４００℃
未満では還元が進行しにくくなり、一方前記還元処理温
度が６００℃を超えると基板の構成材料が還元され易く
なる。

【００６５】次に焼成工程として、前記工程により還元
された銅粉末を中性雰囲気中で焼結させる。

【００６６】前記中性雰囲気とは、酸素や水素を含まな
い窒素等の不活性ガス雰囲気をいい、本発明では、還元
された銅を緻密化せさせて基板に接着させるため、前記
中性雰囲気下で焼成する。焼成温度は６００〜１０００
℃が好ましい。前記焼成温度が６００℃未満では銅が緻
密に焼結せず、また前記焼成温度が１０００℃を超える
と銅の溶融温度に近くなり、配線のパターンに誤差を生
じ易くなる。

【００６７】なお、この第４の配線パターンの形成方法
においても、微細配線の平坦性を向上させ、ハンダ付け
後の高温エージングによる接着性の低下を防ぐ目的で、
上記方法により形成した銅微細配線上に、さらに銅、金
又はニッケルなどの金属メッキ層を２〜５μｍ程度の厚
さに形成してもよい。

【００６８】上記した本発明の第４の配線パターンの形
成方法により、容易な操作及び低コストで、基板上に基
板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅微細配線を
高精度に形成することができる。また、配線部にクラッ
クが生じることもない。

【００６９】次に、第５の配線パターンの形成方法につ
いて説明する。

【００７０】該第５の配線パターンの形成方法では、フ
ォトレジスト膜が第２の配線パターンの形成方法と同じ
キャリアフィルム上に同様に形成されている。

【００７１】従って、溝部形成工程、導体ペースト充填
工程、接着工程、剥離工程及び熱処理工程は、第２の配
線パターンの形成方法と全く同様に行う。そして、その
後の還元処理工程及び焼成工程は第４の配線パターンの
形成方法と全く同様に行う。

【００７２】用いるフォトレジスト膜、導体ペースト、
基板等も、第２の配線パターンの形成方法の場合と同様
のものでよい。

【００７３】前記第５の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第２の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。

【００７４】次に、第６の配線パターンの形成方法につ
いて説明する。

【００７５】該第６の配線パターンの形成方法は、フォ
トレジスト膜が第３の配線パターンの形成方法と同じキ
ャリアフィルム上に同様に形成されている。

【００７６】従って、溝部形成工程、導体ペースト充填
工程、接着工程、剥離工程及び熱処理工程は、第３の配
線パターンの形成方法と全く同様に行う。そして、その
後の還元処理工程及び焼成工程は第４の配線パターンの
形成方法と全く同様に行う。用いるフォトレジスト膜、
導体ペースト、基板等も、第３の配線パターンの形成方
法の場合と同様のものでよい。

【００７７】前記第６の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第３の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。

【００７８】

【作用】上記構成の第１の配線パターンの形成方法よれ
ば、前記溝部形成工程と導体ペースト充填工程でフォト
レジスト膜中に銅粉末を含んだ微細な配線パターンの層
が形成され、前記接着工程により基板上に前記配線パタ
ーンの層が形成されることになり、前記熱処理工程によ
り、前記フォトレジスト膜や導体ペースト中の有機成分
が完全に分解、消失し、前記還元焼成工程により、一旦
酸化された酸化銅が還元されると同時に焼結して基板に
接着され、基板上に該基板との接着性及び導電性等の特
性に優れた銅微細配線が高精度に形成される。

【００７９】また、上記構成の第２の配線パターンの形
成方法においては、前記溝部形成工程及び前記導体ペー
スト充填工程が容易となり、また前記フィルムを熱処理
工程の前に剥離するので、前記フィルムが熱処理工程の
後に基板上に残留することはなく、上記第１の配線パタ
ーンの形成方法と同様の効果が得られる。

【００８０】また、上記構成の第３の配線パターンの形
成方法においては、前記フィルムが熱処理により分解し
易い材質より構成されているので、熱処理工程により容
易に分解、消失し、上記第１の配線パターンの形成方法
と同様の効果が得られる。

【００８１】また、上記構成の第４の配線パターンの形
成方法によれば、前記溝部形成工程と導体ペースト充填
工程でフォトレジスト膜中に銅粉末を含んだ微細な配線
パターンの層が形成され、前記接着工程により基板上に
前記配線パターンの層が形成されることになり、前記熱
処理工程により、前記フォトレジスト膜や導体ペースト
中の有機成分が完全に分解、消失し、前記還元処理工程
により、一旦酸化された酸化銅が還元され、前記焼成工
程により銅粉末が焼結して基板上に接着し、基板上に該
基板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅微細配線
が高精度に形成される。

【００８２】また、上記構成の第５の配線パターンの形
成方法においては、第２の配線パターンの形成方法と同
様に前記フィルムを熱処理工程の前に剥離するので、前
記フィルムが熱処理工程の後に基板上に残留することは
なく、上記第２の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。

【００８３】また、上記構成の第６の配線パターンの形
成方法においては、第３の配線パターンの形成方法と同
様に前記フィルムが熱処理により分解し易い材質より構
成されているので、熱処理工程により容易に分解、消失
し、上記第３の配線パターンの形成方法と同様の効果が
得られる。

【００８４】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る配線パターン
の形成方法の実施例及び比較例を図面に基づいて説明す
る。

【００８５】［実施例１］図１（ａ）〜（ｆ）は実施例
１に係る配線パターンの形成方法における各工程を模式
的に示した断面図である。

【００８６】まず、キャリヤフィルム１１上に載置され
たドライフィルムレジスト１２（Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製
リストン４７１３ 膜厚：３３μｍ ネガタイプ）に、
所定の配線パターンを有するポジ型のフォトマスク１３
を介して紫外線１４を２０〜４０ｍＪ／ｃｍ² の強度で
照射し、露光した（図１（ａ））。

【００８７】次に、露光済のドライフィルムレジスト１
２を１０％炭酸ナトリウム水溶液中に浸漬、揺動させる
ことにより現像し、線幅２０μｍ、線間２０μｍ及び線
幅３０μｍ、線間２０μｍの溝部１５を形成した（図１
（ｂ））。

【００８８】続いて、溝部１５が形成されたドライフィ
ルムレジスト１２の表面に導体ペースト１６を少量乗
せ、平板ゴム１８をドライフィルムレジスト１２の表面
に接触させたまま移動させ、銅導体ペースト１６（Ｄｕ
Ｐｏｎｔ社製 ＱＰ１５３）を充填させると共に、パ
ターンからはみ出した余剰分を丁寧に掻き取った（図１
（ｃ））。

【００８９】次に、１２０℃で１０分間乾燥を行い、導
体ペースト１６中の溶媒を飛散させ、アルミナ基板１７
に市販のアクリル樹脂系接着剤を薄く塗布し、溝部１５
に銅導体ペースト１６が充填されたドライフィルムレジ
スト１２の導体ペースト１６の充填を行った面がアルミ
ナ基板１７と接するようにして、ドライフィルムレジス
ト１２をアルミナ基板１７に接着させた（図１
（ｄ））。

【００９０】次に、キャリヤフィルム１１をドライフィ
ルムレジスト１２より剥離させて除去し、大気中でピー
ク温度６００℃、ピーク保持時間２０分の条件で加熱を
行い、導体ペースト１６中に含まれていた樹脂及びドラ
イフィルムレジスト１２を分解、消失させた。この工程
で銅粉末は酸化され、アルミナ基板１７上には回路配線
と同様のパターンのガラスフリットを含む酸化銅１６ａ
が残留した（図１（ｅ））。

【００９１】次に、水素１０％−窒素９０％の混合ガス
雰囲気下、ピーク温度９００℃、ピーク保持時間１０分
の条件で還元、焼成を行い、酸化銅を金属銅に還元し、
かつ焼結させた。この工程により、形成された銅の微細
配線１９はアルミナ基板１７にしっかりと接着した（図
１（ｆ））。

【００９２】このように上記プロセスにて、線幅２０μ
ｍ、線間２０μｍ及び線幅３０μｍ、線間２０μｍの銅
の微細配線１９をアルミナ基板１７上に形成することが
できた。

【００９３】形成された銅の微細配線１９の導電性、接
着強度及びハンダ濡れ性は以下の手順で評価した。

【００９４】導電性について 導体特性値の測定により評価する。具体的には、４端子
抵抗測定及び銅の微細配線１９の線幅と膜の厚さより、
膜厚２０μｍ換算のシート抵抗値を求める。

【００９５】接着強度について アルミナ基板１７上にタテヨコ２mm×２mm□の形状に銅
導体層を上記プロセスにより形成し、２３０±３℃の温
度に維持した６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂハンダ槽に３±
０．５秒間浸漬した後、その上に０．６mmφスズメッキ
銅線をハンダゴテにてハンダ付けする。次に、スズメッ
キ銅線を被膜端部より１mmの位置で９０°曲げて基板と
垂直な状態にし、アルミナ基板１７を固定した状態で引
っ張り試験機により１０cm／min の速度でスズメッキ銅
線を引っ張り、スズメッキ銅線がアルミナ基板１７から
剥れたときの接着強度を測定し、接着強度の値とする。
前記接着強度の測定は、ハンダ付け直後（初期接着強
度）、および１５０℃で１０００時間エージングした後
（エージング後の接着強度）の二種類の条件を設定して
行う。

【００９６】ハンダ濡れ性について アルミナ基板１７上にタテヨコ４mm×４mm□の形状に銅
導体層を上記プロセスにより形成し、２３０±３℃の温
度に維持した６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂハンダ槽に３±
０．５秒間浸漬し、被着したハンダの被覆率を目視で測
定する。

【００９７】以上の評価方法により、上記実施例１のプ
ロセスと同様の方法で形成したアルミナ基板１７上の銅
の微細配線１９の特性値を測定したところ、シート抵抗
値は１．５ｍΩ／□、初期接着強度は３．０ｋｇ／４ｍ
ｍ² 、エージング後の接着強度２．６ｋｇ／４ｍｍ² 、
ハンダ濡れ性は１００％と優れた特性を示した。また、
銅の微細配線１９上部の平坦度を東京精密製の表面荒さ
計で測定したところ、±０．５μｍであった。

【００９８】次に、銅の微細配線１９上に、新たな銅導
体層を電解メッキ法により２μｍの厚さに形成したとこ
ろ、配線上部の平坦度は±０．１μｍ以下と極めて平坦
性の高いものとなり、また初期接着強度は３．０ｋｇ／
４ｍｍ² 、エージング後の接着強度は３．０ｋｇ／４ｍ
ｍ² 、ハンダ濡れ性は１００％とさらに優れた特性を示
した。

【００９９】なお、前記電解メッキは、陽極としてリン
を０．３％含有する銅を用い、メッキ液（ＣｕＳＯ₄ ・
５Ｈ₂ Ｏ：７５ｇ／リットル、濃硫酸：１７０ｇ／リッ
トル、Ｃｌ^- ：６０ｐｐｍ）中にて、陽極電流密度：
１．５Ａ／ｄｍ² 、通電時間：３０分の条件で行った。

【０１００】［実施例２］実施例１と全く同様に、ドラ
イフィルムレジスト１２内の溝部１５に銅導体ペースト
１６を充填してアルミナ基板１７に接着し、大気中で熱
処理を行うことにより、導体ペースト１６中に存在する
樹脂及びフォトレジスト膜１２を燃焼焼失させた。

【０１０１】次に、１０ｖｏｌ％の水素を含む窒素雰囲
気中、ピーク温度４００℃、ピーク保持時間３０分の条
件で加熱を行って銅粉末を還元させ、さらに純窒素雰囲
気中、ピーク温度９００℃、ピーク保持時間１０分の条
件で焼結させ、アルミナ基板１７上に線幅２０μｍ、線
間２０μｍ及び線幅３０μｍ、線間２０μｍの銅の微細
配線１９を形成した。

【０１０２】次に、実施例１と同様の評価方法により銅
の微細配線１９の特性を評価したところ、シート抵抗値
は１．６ｍΩ／□、初期接着強度は３．３ｋｇ／４ｍｍ
² 、エージング後の接着強度は２．８ｋｇ／４ｍｍ² 、
ハンダ濡れ性は１００％と優れた値を示した。また、配
線上部の平坦度は、±０．５μｍであった。

【０１０３】次に、実施例１と同様にメッキ処理を施し
たところ、配線上部の平坦度は±０．１μｍ以下と極め
て平坦性の高いものとなり、初期接着強度は３．０ｋｇ
／４ｍｍ² 、エージング後の接着強度は３．０ｋｇ／４
ｍｍ² 、ハンダ濡れ性は１００％とさらに優れた値を示
した。

【０１０４】［比較例１］実施例１と全く同様にドライ
フィルムレジスト１２内の溝部１５に銅導体ペースト１
６を充填してアルミナ基板１７に接着した。その後、純
窒素中でピーク温度９００℃、ピーク保持時間１時間の
条件で熱処理を施した。

【０１０５】その結果、フォトレジスト膜１２は完全に
分解、消失せず、黒色状に残存し、導電性等の特性を測
定することはできなかった。

【０１０６】［比較例２］アルミナ基板１７上に直接実
施例１で用いたドライフィルムレジスト１２と同様のも
のを１０５℃にて熱圧着し、フォトマスク１４を用いて
実施例１と同様の露光条件で線幅２０μｍ、線間２０μ
ｍ及び線幅３０μｍ、線間２０μｍの微細配線パターン
を形成した。

【０１０７】次に、ドライフィルムレジスト１２の現像
処理を行い、配線部を開口した。

【０１０８】続いて、前記開口部に銅導体ペースト１６
を充填し、実施例１と同様の条件で熱処理を施し、還元
焼成を行い、アルミナ基板１７上に銅の微細配線を形成
した。

【０１０９】形成された銅の微細配線を顕微鏡により観
察したところ、配線内で配線の長手方向に沿ってクラッ
クが発生していることがわかった。

【０１１０】

【発明の効果】本発明に係る第１の配線パターンの形成
方法にあっては、フォトレジスト膜に、基板上に形成し
ようとする回路配線と同じパターンを有する溝部を形成
する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガラスフリッ
トおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填する導体ペ
ースト充填工程と、該導体ペーストが充填された前記フ
ォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を行った面が
基板に接するように基板表面に接着させる接着工程と、
該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅
に還元し、かつ焼結させる還元焼成工程とを含んでいる
ので、容易な操作、かつ低コストにて基板上に該基板と
の接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細配線を高
精度に形成することができ、セラミックス回路基板のマ
ルチチップ化、高密度実装化に対応することができる。

【０１１１】また、本発明に係る第２の配線パターンの
形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォトレ
ジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じ
パターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記
溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導
体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体
ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導体
ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板表
面に接着させる接着工程と、前記フォトレジスト膜から
前記フィルムを剥離させる剥離工程と、前記接着工程で
前記フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中に
て、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、
該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいるので、容易な
操作、かつ低コストにて基板上に該基板との接着性及び
導電性等の特性に優れた銅の微細配線を高精度に形成す
ることができ、セラミックス回路基板のマルチチップ
化、高密度実装化に対応することができる。

【０１１２】また、本発明に係る第３の配線パターンの
形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォトレ
ジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じ
パターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記
溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導
体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体
ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導体
ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板表
面に接着させる接着工程と、該接着工程で前記フィルム
及び前記フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中
にて、前記フィルム、前記フォトレジスト膜及び前記導
体ペースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱す
る熱処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末
を銅に還元し、かつ焼結させる還元焼成工程とを含んで
いるので、容易な操作、かつ低コストにて基板上に該基
板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細配線
を高精度に形成することができ、セラミックス回路基板
のマルチチップ化、高密度実装化に対応することができ
る。

【０１１３】また、本発明に係る第４の配線パターンの
形成方法にあっては、フォトレジスト膜に、基板上に形
成しようとする回路配線と同じパターンを有する溝部を
形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガラスフ
リットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填する導
体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填された前
記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を行った
面が基板に接するように基板表面に接着させる接着工程
と、該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基
板を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体
ペースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する
熱処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を
銅に還元する還元処理工程と、中性雰囲気中で銅を焼結
させる焼成工程とを含んでいるので、容易な操作、かつ
低コストにて基板上に該基板との接着性及び導電性等の
特性に優れた銅の微細配線を高精度に形成することがで
き、セラミックス回路基板のマルチチップ化、高密度実
装化に対応することができる。

【０１１４】また、本発明に係る第５の配線パターンの
形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォトレ
ジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じ
パターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記
溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導
体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体
ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導体
ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板表
面に接着させる接着工、前記フォトレジスト膜から前記
フィルムを剥離させる剥離工程と、前記接着工程で前記
フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前
記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分
解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処
理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還元処理
工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含
んでいるので、容易な操作、かつ低コストにて基板上に
該基板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細
配線を高精度に形成することができ、セラミックス回路
基板のマルチチップ化、高密度実装化に対応することが
できる。

【０１１５】さらに、本発明に係る第６の配線パターン
の形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォト
レジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同
じパターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前
記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む
導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導
体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導
体ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板
表面に接着させる接着工程と、該接着工程で前記フィル
ム及び前記フォトレジスト膜が接着された基板を、大気
中にて、前記フィルム、前記フォトレジスト膜及び前記
導体ペースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱
する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉
末を銅に還元する還元処理工程と、中性雰囲気中で銅を
焼結させる焼成工程とを含んでいるので、容易な操作、
かつ低コストにて基板上に該基板との接着性及び導電性
等の特性に優れた銅の微細配線を高精度に形成すること
ができ、セラミックス回路基板のマルチチップ化、高密
度実装化に対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例に係る配線パ
ターンの形成方法における各工程を模式的に示した断面
図である。

【符号の説明】

１１ キャリヤフィルム １２ ドライフィルムレジスト １５ 溝部 １６ 導体ペースト １７ アルミナ基板 １９ 銅の微細配線

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトレジスト膜に、基板上に形成しよ
   うとする回路配線と同じパターンを有する溝部を形成す
   る溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
   む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
   記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
   基板表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
   を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
   ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
   処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
   つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
   する配線パターンの形成方法。
2. 【請求項２】 フィルム上に形成されたフォトレジスト
   膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
   ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
   む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
   記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
   基板表面に接着させる接着工程と、 前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥離させる剥
   離工程と、 前記接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
   を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
   ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
   処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
   つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
   する配線パターンの形成方法。
3. 【請求項３】 フィルム上に形成されたフォトレジスト
   膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
   ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
   む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
   記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
   基板表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレジスト膜が
   接着された基板を、大気中にて、前記フィルム、前記フ
   ォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、
   消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
   つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
   する配線パターンの形成方法。
4. 【請求項４】 フォトレジスト膜に、基板上に形成しよ
   うとする回路配線と同じパターンを有する溝部を形成す
   る溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
   む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を前記導
   体ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板
   表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
   を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
   ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
   処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
   元処理工程と、 中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいる
   ことを特徴とする配線パターンの形成方法。
5. 【請求項５】 フィルム上に形成されたフォトレジスト
   膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
   ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
   む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
   記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
   基板表面に接着させる接着工程と、 前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥離させる剥
   離工程と、 前記接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
   を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
   ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
   処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
   元処理工程と、 中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいる
   ことを特徴とする配線パターンの形成方法。
6. 【請求項６】 フィルム上に形成されたフォトレジスト
   膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
   ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
   む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を前記導
   体ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板
   表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレジスト膜が
   接着された基板を、大気中にて、前記フィルム、前記フ
   ォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、
   消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
   元処理工程と、 中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいる
   ことを特徴とする配線パターンの形成方法。