JPH0722737A - Method for forming wiring pattern - Google Patents
Method for forming wiring patternInfo
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- JPH0722737A JPH0722737A JP16239093A JP16239093A JPH0722737A JP H0722737 A JPH0722737 A JP H0722737A JP 16239093 A JP16239093 A JP 16239093A JP 16239093 A JP16239093 A JP 16239093A JP H0722737 A JPH0722737 A JP H0722737A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ＬＳＩ、チップ部
品などを実装し、かつそれらを相互配線するための基板
上の配線パターンの形成方法に関し、より詳細には、低
コスト、かつ簡易な操作にてセラミックス配線基板上に
銅の微細配線を形成する配線パターンの形成方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a wiring pattern on a substrate for mounting semiconductor LSIs, chip parts, etc., and interconnecting them, and more particularly to low cost and simple operation. Relates to a method for forming a wiring pattern for forming fine copper wiring on a ceramic wiring board.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化、高密
度化が進んできており、これらに実装される電子部品の
狭ピッチ多ピン化、マルチチップ化も急速に進められつ
つある。従って、ＬＳＩ、ＩＣチップのボンディング法
も従来のワイヤボンディング法から、マルチチップや高
密度実装に適したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方
式又はフリップチップ方式が採用されるようになってき
ている。このような電子機器の高密度化に伴い、セラミ
ックス配線基板上に、線幅が１００μｍ以下の微細配線
を形成する技術が要求されるようになってきている。ま
た、配線材料としては導通抵抗が低く、低価格な銅がよ
く用いられている。2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have become smaller and higher in density, and electronic components mounted on these electronic devices have been rapidly made to have a narrower pitch and a larger number of pins, and have a multi-chip structure. Therefore, as a bonding method for LSIs and IC chips, a TAB (Tape Automated Bonding) method or a flip chip method suitable for multi-chip and high-density mounting has been adopted from the conventional wire bonding method. With the increase in the density of such electronic devices, there has been a demand for a technique for forming fine wiring having a line width of 100 μm or less on a ceramic wiring substrate. Further, as the wiring material, copper having low conduction resistance and low price is often used.
【０００３】従来からのセラミックス基板上への微細配
線の形成方法は、厚膜法、薄膜法、メッキ法などに大別
される。Conventional methods for forming fine wiring on a ceramic substrate are roughly classified into a thick film method, a thin film method, a plating method and the like.
【０００４】前記厚膜法は、導体粒子を有機ビヒクル中
に分散させた導体ペーストをメッシュスクリーンを通し
てセラミックス基板に印刷し、焼成することにより導体
をセラミックス基板上に焼き付ける方法である。この方
法ではセラミックス基板との充分な密着強度を有する導
体層を低コストで形成することはできるものの、メッシ
ュワイヤ径に限界があるために１００μｍ未満の微細配
線を形成することは難しく、さらに印刷時にスクリーン
がたわむため、配線パターンの位置精度が低いという問
題点がある。The thick film method is a method in which a conductor paste in which conductor particles are dispersed in an organic vehicle is printed on a ceramics substrate through a mesh screen and baked to burn the conductors on the ceramics substrate. With this method, a conductor layer having sufficient adhesion strength with a ceramic substrate can be formed at low cost, but it is difficult to form fine wiring of less than 100 μm due to the limit of the mesh wire diameter. Since the screen bends, there is a problem in that the positional accuracy of the wiring pattern is low.
【０００５】一方薄膜法は、セラミックス基板に蒸着、
スパッタリング又はイオンプレーティング等により厚さ
数μｍオーダーの導体金属層を形成する方法であり、こ
の方法ではフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
ーの手法が利用できることから、精度の高い微細配線を
形成することができるものの、基板との密着性が低い、
工程が多い、薄膜形成装置が高価である等の問題点があ
る。On the other hand, the thin film method is vapor deposition on a ceramic substrate,
This is a method of forming a conductor metal layer having a thickness of several μm order by sputtering or ion plating. In this method, a photolithography technique using a photoresist can be used, so that highly precise fine wiring can be formed. Although it is possible, the adhesion to the substrate is low,
There are problems that there are many steps and that the thin film forming apparatus is expensive.
【０００６】またメッキ法も上記した薄膜法と同様の問
題点がある。The plating method also has the same problems as the above-mentioned thin film method.
【０００７】そこで近年、基本的には前記厚膜法を使用
し、配線パターンの形成には前記薄膜法の特徴であるフ
ォトリソグラフィー法を導入した方法が試みられてお
り、その方法について以下に説明する。Therefore, in recent years, there has been attempted a method in which the thick film method is basically used and a photolithography method, which is a feature of the thin film method, is introduced for forming a wiring pattern. The method will be described below. To do.
【０００８】まず、光硬化性モノマー等からなる感光性
樹脂を溶剤に溶解させて形成したフォトレジスト（感光
液）中に導電性粉末を分散させて感光性導体ペーストを
調製する。次に、得られた該感光性導体ペーストをセラ
ミックス基板にベタ印刷し、露光、現像処理することに
より所定の配線パターンを形成する。さらに、所定パタ
ーンが形成されたセラミックス基板を焼成することによ
り光硬化樹脂を分解、消失（脱バインダー）させ、同時
に導電性膜をセラミックス基板に焼き付けることにより
微細配線の形成を完了する。First, a conductive powder is dispersed in a photoresist (photosensitive solution) formed by dissolving a photosensitive resin such as a photocurable monomer in a solvent to prepare a photosensitive conductor paste. Next, the obtained photosensitive conductor paste is solid-printed on a ceramic substrate, and exposed and developed to form a predetermined wiring pattern. Further, the ceramic substrate on which a predetermined pattern is formed is fired to decompose and disappear (remove the binder) the photocurable resin, and at the same time, the conductive film is baked on the ceramic substrate to complete the formation of fine wiring.
【０００９】前記方法において、感光性導体ペースト中
の感光性樹脂の量は通常の厚膜導体ペースト中の樹脂量
よりもかなり多い。この理由は、感光性導体ペースト中
の感光性樹脂の量が少ないと感光性導体ペースト中の導
体粉末の量が相対的に多くなり、露光工程で照射される
紫外線が導体粉末により遮断され、紫外線が塗布された
厚膜の厚み方向に充分に透過されないため、感光性樹脂
が充分に感光せず、現像するのが難しくなるためであ
る。In the above method, the amount of photosensitive resin in the photosensitive conductor paste is considerably larger than the amount of resin in the usual thick film conductor paste. The reason for this is that when the amount of the photosensitive resin in the photosensitive conductor paste is small, the amount of the conductor powder in the photosensitive conductor paste becomes relatively large, and the ultraviolet rays irradiated in the exposure step are blocked by the conductor powder. Is not sufficiently transmitted in the thickness direction of the applied thick film, so that the photosensitive resin is not sufficiently exposed to light and it becomes difficult to develop.
【００１０】しかし、このように感光性導体ペースト中
に多量の樹脂が存在すると、現像工程で感光性樹脂が硬
化して燃焼しにくくなるため、前記樹脂の焼成工程にお
いて硬化した樹脂が充分に分解、消失せずに残存し、導
電性粉末の焼結が阻害されたり、形成された配線の基板
に対する接着強度が低下するという問題点があった。特
に、導電性粉末として銅粉末を使用する場合、通常、銅
粉末の酸化を防止するために焼成が窒素雰囲気等の還元
性雰囲気で行われていたため、その分解が一層困難にな
り、光硬化樹脂が分解せず、配線部に多量に残存してし
まうという結果が生じていた。However, when a large amount of resin is present in the photosensitive conductor paste as described above, the photosensitive resin is hardened in the developing step and is less likely to burn, so that the resin hardened in the baking step of the resin is sufficiently decomposed. However, there is a problem that it remains without disappearing, the sintering of the conductive powder is hindered, and the adhesive strength of the formed wiring to the substrate is lowered. In particular, when copper powder is used as the conductive powder, the firing is usually performed in a reducing atmosphere such as a nitrogen atmosphere in order to prevent the oxidation of the copper powder, so that the decomposition becomes more difficult and the photocurable resin Was not decomposed and a large amount remained in the wiring portion.
【００１１】さらに、感光性導体ペースト中に多量の感
光性樹脂が存在すると前記感光性導体ペースト中の導電
性粉末の濃度が低くなり、感光性樹脂等を除去した後も
配線パターン中の導電性粉末の充填度が低くなり、形成
された配線は導電性が低く、しかも基板との接着性も低
いという問題点もあった。Furthermore, if a large amount of photosensitive resin is present in the photosensitive conductor paste, the concentration of the conductive powder in the photosensitive conductor paste will be low, and even after the photosensitive resin is removed, the conductivity of the wiring pattern will be reduced. There is also a problem that the powder filling degree becomes low, the formed wiring has low conductivity, and the adhesion to the substrate is low.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】このような問題点を解
決するため、最近ではガラス基板やセラミックス基板の
上にフォトレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィーによりフォトレジスト膜に配線パターン状の雌型の
開口部を形成し、該開口部に導体ペーストを充填して焼
成する方法が行われるようになってきている（特開平４
−２２３３９１号公報、特開平４−２２３３９２号公
報、特開平４−２２３３９３号公報等）。In order to solve such problems, recently, after forming a photoresist film on a glass substrate or a ceramic substrate, a photolithographically formed wiring pattern female mold is formed on the photoresist film. The method of forming an opening, filling the opening with a conductor paste, and firing the same is now being used (Japanese Patent Laid-Open No. HEI 4).
-223391, JP-A-4-223392, JP-A-4-223393).
【００１３】前記焼成工程で、基板上に形成されたフォ
トレジストは消失し、導体ペースト中の導電性粉末のみ
が残留して基板上に焼結し、前記ガラス基板やセラミッ
クス基板上に配線が形成される。In the baking step, the photoresist formed on the substrate disappears, only the conductive powder in the conductor paste remains and sinters on the substrate, and wiring is formed on the glass substrate or the ceramic substrate. To be done.
【００１４】この方法では、従来から用いられている導
体ペーストを使用できるため、配線自体の導電性は良好
であるものの、５０μｍ以下の微細配線を形成する場
合、フォトレジスト膜に形成される雌型の開口を直角に
することが難しく、前記開口部が形成されても、その断
面形状がＵ字型になったり、上部が広く底部が狭い逆台
形形状になったりして、基板との接着強度が弱く、また
焼成工程の後に配線部分にクラックが生じ易いという課
題があった。According to this method, since a conventionally used conductor paste can be used, the conductivity of the wiring itself is good, but when forming fine wiring of 50 μm or less, a female mold formed on the photoresist film is used. It is difficult to make the opening at a right angle, and even if the opening is formed, its cross-sectional shape is U-shaped, or it is an inverted trapezoidal shape with a wide top and a narrow bottom. However, there is a problem in that the wiring is weak and cracks are likely to occur in the wiring portion after the firing step.
【００１５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、コスト的に有利で操作が容易な厚膜法をベースとし
て、前記方法にフォトリソグラフィーの手法を適用する
ことで、従来の方法では形成不可能な微細配線を基板上
に高精度に形成することができると共に、形状が良好
で、導電性および基板との接着性等の特性に優れた微細
配線を形成することができる配線パターンの形成方法を
提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above problems, and is based on a thick film method which is advantageous in terms of cost and easy to operate, and a photolithography method is applied to the above method. Impossible fine wiring can be formed on a substrate with high accuracy, and a fine wiring pattern with a good shape and excellent characteristics such as conductivity and adhesiveness with the substrate can be formed. It is intended to provide a way.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る配線パターンの形成方法は、フォトレジ
スト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパ
ターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝
部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導体
ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体ペ
ーストが充填されたフォトレジスト膜を前記導体ペース
トの充填を行った面が基板に接するように基板表面に接
着させる接着工程と、該接着工程で前記フォトレジスト
膜が接着された基板を、大気中にて、前記フォトレジス
ト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、消失する温
度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化さ
れた酸化銅粉末を銅に還元し、かつ焼結させる還元焼成
工程とを含んでいることを特徴としている（以下、第１
の配線パターンの形成方法と記す）。In order to achieve the above object, a method of forming a wiring pattern according to the present invention forms a groove portion having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film. A groove portion forming step, a conductor paste filling step of filling the groove portion with a conductor paste containing copper powder, a glass frit and a vehicle, and a photoresist film filled with the conductor paste, the surface on which the conductor paste is filled is the substrate. Adhesion step of adhering to the substrate surface so as to be in contact with the substrate, the substrate on which the photoresist film is adhered in the adhering step, in the atmosphere, the temperature at which the resin in the photoresist film and the conductor paste decomposes and disappears The method includes a heat treatment step of heating as described above and a reduction firing step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper and sintering the copper oxide powder. It is characterized in that (hereinafter, first
The method of forming the wiring pattern in (1) will be described).
【００１７】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基板
上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有する
溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガ
ラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填
する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填さ
れた前記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を
行った面が基板に接するように基板表面に接着させる接
着工程と、前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥
離させる剥離工程と、前記接着工程で前記フォトレジス
ト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フォトレジ
スト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、消失する
温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化
された酸化銅粉末を銅に還元し、かつ焼結させる還元焼
成工程とを含んでいることを特徴としている（以下、第
２の配線パターンの形成方法と記す）。The method of forming a wiring pattern according to the present invention further comprises a groove forming step of forming a groove having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate in the photoresist film formed on the film, Conductor paste filling step of filling the groove with a conductor paste containing copper powder, glass frit and vehicle, and the substrate such that the surface filled with the conductor paste of the photoresist film filled with the conductor paste is in contact with the substrate. A bonding step of bonding to the surface, a peeling step of peeling the film from the photoresist film, and a substrate to which the photoresist film is bonded in the bonding step, in the atmosphere, the photoresist film and the conductor paste A heat treatment step of heating above the temperature at which the resin inside decomposes and disappears, and a copper oxide powder oxidized in the heat treatment step Reduced copper, and it is characterized in that and a reduction firing step of sintering (hereinafter, referred to as the method of forming the second wiring pattern).
【００１８】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基板
上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有する
溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガ
ラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填
する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填さ
れた前記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を
行った面が基板に接するように基板表面に接着させる接
着工程と、該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレ
ジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フィル
ム、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、
該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
している（以下、第３の配線パターンの形成方法と記
す）。Further, the method for forming a wiring pattern according to the present invention includes a groove forming step of forming a groove having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate in the photoresist film formed on the film, Conductor paste filling step of filling the groove with a conductor paste containing copper powder, glass frit and vehicle, and the substrate such that the surface filled with the conductor paste of the photoresist film filled with the conductor paste is in contact with the substrate. The bonding step of bonding to the surface, and the substrate in which the film and the photoresist film are bonded in the bonding step, in the atmosphere, the resin in the film, the photoresist film and the conductor paste decomposes and disappears. A heat treatment step of heating above the temperature,
And a reduction firing step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper and sintering the copper oxide powder (hereinafter referred to as a third wiring pattern forming method).
【００１９】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フォトレジスト膜に、基板上に形成しようとする回
路配線と同じパターンを有する溝部を形成する溝部形成
工程と、前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒ
クルを含む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工
程と、該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を
前記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するよう
に基板表面に接着させる接着工程と、該接着工程で前記
フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前
記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分
解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処
理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還元処理
工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含
んでいることを特徴としている（以下、第４の配線パタ
ーンの形成方法と記す）。Further, the method of forming a wiring pattern according to the present invention comprises a step of forming a groove portion having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film, a copper powder and a glass in the groove portion. A conductor paste filling step of filling a conductor paste containing a frit and a vehicle, and a bonding step of adhering a photoresist film filled with the conductor paste to the surface of the substrate so that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate. A heat treatment step of heating the substrate, to which the photoresist film has been adhered in the adhering step, to a temperature at which the resin in the photoresist film and the resin in the conductor paste decomposes or disappears in the air, and the heat treatment step. It is characterized by including a reduction treatment step of reducing the oxidized copper oxide powder to copper and a firing step of sintering copper in a neutral atmosphere. It is set to (hereinafter, referred to as the fourth method of forming the wiring patterns).
【００２０】また本発明に係る配線パターンの形成方法
は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基板
上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有する
溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガ
ラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填
する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填さ
れた前記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を
行った面が基板に接するように基板表面に接着させる接
着工程と、前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥
離させる剥離工程と、前記接着工程で前記フォトレジス
ト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フォトレジ
スト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、消失する
温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化
された酸化銅粉末を銅に還元する還元処理工程と、中性
雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいること
を特徴としている（以下、第５の配線パターンの形成方
法と記す）。Further, the wiring pattern forming method according to the present invention comprises a groove forming step of forming a groove having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate in the photoresist film formed on the film, Conductor paste filling step of filling the groove with a conductor paste containing copper powder, glass frit and vehicle, and the substrate such that the surface filled with the conductor paste of the photoresist film filled with the conductor paste is in contact with the substrate. A bonding step of bonding to the surface, a peeling step of peeling the film from the photoresist film, and a substrate to which the photoresist film is bonded in the bonding step, in the atmosphere, the photoresist film and the conductor paste A heat treatment step of heating above the temperature at which the resin inside decomposes and disappears, and a copper oxide powder oxidized in the heat treatment step A reduction treatment step of reducing the copper, is characterized in that it contains a sintering step of sintering the copper in a neutral atmosphere (hereinafter, referred to as the method of forming the fifth wiring pattern).
【００２１】さらに本発明に係る配線パターンの形成方
法は、フィルム上に形成されたフォトレジスト膜に、基
板上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有す
る溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、
ガラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充
填する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填
されたフォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を行
った面が基板に接するように基板表面に接着させる接着
工程と、該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレジ
スト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フィル
ム、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、
該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
元処理工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程
とを含んでいることを特徴としている（以下、第６の配
線パターンの形成方法と記す）。Further, the method for forming a wiring pattern according to the present invention comprises a groove portion forming step of forming a groove portion having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film formed on a film, Copper powder in the groove,
Conductor paste filling step of filling a conductor paste containing a glass frit and a vehicle, and bonding step of adhering a photoresist film filled with the conductor paste to the surface of the substrate so that the surface filled with the conductor paste contacts the substrate. And a heat treatment for heating the substrate, to which the film and the photoresist film are adhered in the adhering step, to a temperature above the temperature at which the resin in the film, the photoresist film and the conductor paste decomposes and disappears in the atmosphere. Process,
It is characterized by including a reduction treatment step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper, and a firing step of sintering copper in a neutral atmosphere (hereinafter, referred to as sixth wiring pattern). Is described as a forming method).
【００２２】まず、本発明の第１の配線パターンの形成
方法について説明する。第１の配線パターンの形成方法
においては、最初に溝部形成工程として、フォトレジス
ト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパタ
ーンを有する溝部を形成する。First, a method for forming a first wiring pattern according to the present invention will be described. In the first wiring pattern forming method, first, as a groove forming step, a groove having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate is formed in the photoresist film.
【００２３】フォトレジスト膜としては、例えばデュポ
ン社製のリストン４７１３、サンノプコ社製のノプコキ
ュアＦ１５２５、三菱レイヨン社製のダイヤロンＦＲＡ
３０５等のような、一般に市販されているドライフィル
ムレジストが挙げられる。前記フォトレジスト膜とし
て、前記ドライフィルムレジストの他に液状レジストを
用いて前記フォトレジスト膜を形成する方法もあるが、
フォトレジスト膜の形成に手間がかかり、かつ、膜の可
撓性がドライフィルムレジストより劣り、次工程以下に
おいてハンドリングが困難になるので好ましくない。こ
の工程で形成されるフォトレジストの溝部に導体ペース
トを充填するには溝部の深さが約１０μｍ以上必要であ
るため、前記フォトレジスト膜の厚さは、２５μｍ以上
あることが好ましい。前記フォトレジスト膜の厚さが２
５μｍ以下では、フォトレジスト膜の溝部の形状が崩れ
やすくなるため好ましくない。Examples of the photoresist film include Liston 4713 manufactured by DuPont, Nopco Cure F1525 manufactured by San Nopco, and Dialon FRA manufactured by Mitsubishi Rayon.
Commonly available dry film resists such as 305 and the like can be mentioned. As the photoresist film, there is also a method of forming the photoresist film using a liquid resist in addition to the dry film resist,
It is not preferable because it takes time and effort to form the photoresist film, the flexibility of the film is inferior to that of the dry film resist, and handling becomes difficult in the subsequent steps. Since the depth of the groove is required to be about 10 μm or more to fill the groove of the photoresist formed in this step with the conductive paste, the thickness of the photoresist film is preferably 25 μm or more. The thickness of the photoresist film is 2
When the thickness is 5 μm or less, the shape of the groove portion of the photoresist film is likely to collapse, which is not preferable.
【００２４】前記フォトレジスト膜に、基板上に形成し
ようとする回路パターンと同様のパターンを有する溝部
を形成するには、通常行われるフォトマスクを用いた紫
外線露光等により回路配線パターンに露光し、スプレー
法又は浸漬揺動法等により現像すれば良い。通常、ドラ
イフィルムレジストの現像ではフィルム表面に直角に開
口させることを目的とするために、５０μｍの幅を有す
る溝部を形成するのは容易ではないが、本発明において
は、必ずしもフィルム表面と直角の角度を有する溝部を
形成しなくてもよく、前記溝部の断面形状が逆台形形状
やＵ字形状になっていても良い。従って、現像は比較的
容易であり、通常の現像方法により、３０μｍ以下の幅
を有する溝部の形成も可能である。形成する前記溝部の
深さは、用いるドライフィルムレジストの厚さを変える
ことにより調節することができる。To form a groove having the same pattern as the circuit pattern to be formed on the substrate in the photoresist film, the circuit wiring pattern is exposed by UV exposure using a photomask which is usually performed, It may be developed by a spray method or a dipping rocking method. Usually, in the development of a dry film resist, it is not easy to form a groove having a width of 50 μm because the purpose is to open the film surface at a right angle, but in the present invention, it is not always necessary to form a groove at a right angle to the film surface. The groove having an angle may not be formed, and the groove may have an inverted trapezoidal cross section or a U-shape in cross section. Therefore, the development is relatively easy, and it is possible to form the groove having a width of 30 μm or less by the usual developing method. The depth of the groove to be formed can be adjusted by changing the thickness of the dry film resist used.
【００２５】次に導体ペースト充填工程として、形成さ
れた前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクル
を含む導体ペーストを充填する。Next, in a conductor paste filling step, the formed groove is filled with a conductor paste containing copper powder, glass frit and vehicle.
【００２６】この工程で使用する導体ペーストとして、
公知の導体ペーストを使用することができるが、導電
性、耐マイグレーション性（湿潤雰囲気下での安定
性）、価格などの点から最も有利な銅導体ペーストを用
いる。銅導体ペーストとしては公知の銅導体ぺーストを
使用することができるが、例えば粒径が０．３〜１０μ
ｍの銅粉末が７５〜８７ｗｔ％、軟化点が４５０〜７０
０℃で粒径が０．１〜１０μｍのガラスフリットが１〜
７ｗｔ％、樹脂を溶剤、可塑剤等に溶解したビヒクルが
６〜２４ｗｔ％の組成からなるものが好ましい。As the conductor paste used in this step,
Although a known conductor paste can be used, the most advantageous copper conductor paste is used in terms of conductivity, migration resistance (stability in a wet atmosphere), cost, and the like. As the copper conductor paste, a known copper conductor paste can be used, for example, the particle size is 0.3 to 10 μm.
m copper powder is 75-87 wt%, softening point is 450-70
Glass frit with a particle size of 0.1 to 10 μm at 0 ° C.
It is preferable that the composition is 7 wt% and the vehicle is 6 to 24 wt% in which a resin is dissolved in a solvent, a plasticizer or the like.
【００２７】前記銅粉末の粒径が０．３μｍ未満では粉
末自体がかさ高くなるためにペースト化に多量のビヒク
ルを要し、その結果ぺースト中の銅粉末含有量が低下
し、また前記銅粉末の粒径が１０μｍを超えると溝部へ
の充填性が低下する。If the particle size of the copper powder is less than 0.3 μm, the powder itself becomes bulky, so a large amount of vehicle is required for forming a paste, and as a result, the copper powder content in the paste is reduced, and the copper powder If the particle size of the powder exceeds 10 μm, the filling property in the groove portion is deteriorated.
【００２８】また前記ガラスフリットの軟化点が４５０
℃未満では焼成時に流動し過ぎて、配線とセラミックス
基板との接着性が低下し、また前記ガラスフリットの軟
化点が７００℃を超えると後述の還元工程で配線が基板
からはがれてしまうことがある。前記ガラスフリットの
含有量が１ｗｔ％未満では配線の接着性が低く、また前
記ガラスフリットの含有量が７ｗｔ％を超えると配線の
ハンダに対する濡れ性が低下する。前記ガラスフリット
の組成としては、ホウケイ酸系ガラスに鉛、銅、亜鉛、
カドミウム、バリウム、カルシウム、ビスマスなどを溶
解させたものが好ましい。The softening point of the glass frit is 450.
If the temperature is lower than 0 ° C, the wiring may flow excessively during firing to lower the adhesiveness between the wiring and the ceramic substrate, and if the softening point of the glass frit exceeds 700 ° C, the wiring may be peeled off from the substrate in the reduction step described later. . If the content of the glass frit is less than 1 wt%, the adhesion of the wiring is low, and if the content of the glass frit exceeds 7 wt%, the wettability of the wiring with respect to the solder is deteriorated. The composition of the glass frit, borosilicate glass, lead, copper, zinc,
It is preferable to dissolve cadmium, barium, calcium, bismuth and the like.
【００２９】さらに前記ビヒクルの含有量が６ｗｔ％未
満ではペーストの粘度が高すぎて配線部への充填が困難
になり、また前記ビヒクルの含有量が２４ｗｔ％を超え
るとペースト中の銅粉末の含有量が低下して緻密な配線
を形成することが難しくなる。前記ビヒクルに用いる樹
脂としては、例えばエチルセルロース、ニトロセルロー
スなどのセルロース樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹
脂等が挙げられ、溶剤としては、例えばテルピネオー
ル、ジブチルカルビトール、トリメチルペンタンジオー
ルジイソブチレート、エステルアルコールなどの高沸点
溶剤が挙げられる。これらの高沸点溶剤は、ペーストの
粘度の安定性の点から、後述のフォトレジスト上での印
刷に適している。また前記可塑剤としては、例えばジブ
チルフタレート等が挙げられる。Further, if the content of the vehicle is less than 6 wt%, the viscosity of the paste is too high, which makes it difficult to fill the wiring portion, and if the content of the vehicle exceeds 24 wt%, the content of copper powder in the paste is contained. The amount decreases, and it becomes difficult to form a dense wiring. Examples of the resin used in the vehicle include cellulose resins such as ethyl cellulose and nitrocellulose, methacrylic resins, and acrylic resins, and examples of the solvent include terpineol, dibutyl carbitol, trimethylpentanediol diisobutyrate, and ester alcohols. A high boiling point solvent may be used. These high-boiling point solvents are suitable for printing on the photoresist described below from the viewpoint of the stability of the paste viscosity. Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate and the like.
【００３０】前記銅粉末、ガラスフリット及びビヒクル
を用いてペーストを調製するには、前記原料を３本ロー
ルミルもしくはボールミルにて３０分〜１時間程度混練
すればよい。To prepare a paste using the copper powder, glass frit and vehicle, the raw materials may be kneaded in a three-roll mill or a ball mill for about 30 minutes to 1 hour.
【００３１】前記導体ペーストを用いて前記フォトレジ
スト膜の前記溝部へ前記導体ペーストを充填する方法と
しては、前記導体ペーストを前記溝部に擦り込むように
して充填すればよく、例えば平板ゴムに適量の前記導体
ペーストをつけ、前記平板を前記フォトレジスト膜に接
触させながら移動させればよい。なお、このとき形成さ
れた前記溝部以外の前記フォトレジスト膜上に前記導体
ペーストが残留しないように、適当な強さで前記平板ゴ
ムを前記フォトレジスト膜に接触させながら移動させる
ことが必要である。As a method of filling the groove portion of the photoresist film with the conductor paste using the conductor paste, the conductor paste may be filled by rubbing the groove portion into the groove portion. A paste may be applied, and the flat plate may be moved while being in contact with the photoresist film. In addition, it is necessary to move the flat rubber while contacting the photoresist film with appropriate strength so that the conductor paste does not remain on the photoresist film other than the groove formed at this time. .
【００３２】前記工程により前記フォトレジスト膜の前
記溝部に前記導体ペーストを充填した後は、前記溝部に
充填された前記導体ペースト中の液体成分が揮発する温
度で乾燥させ、前記導体ペースト中の銅粉末等の固体成
分を前記溝部に固定させる。After the groove portion of the photoresist film is filled with the conductor paste by the above step, it is dried at a temperature at which the liquid component in the conductor paste filled in the groove portion is volatilized, and the copper in the conductor paste is removed. A solid component such as powder is fixed in the groove.
【００３３】形成された前記溝部の長手方向が前記平板
ゴムの移動方向と平行な場合には、前記導体ペーストの
充填が完全にできない場合があるが、このときはまず一
度前記平板ゴムにて前記導体ペーストを充填して乾燥さ
せた後、最初の平板ゴムの移動方向とは垂直な方向に前
記と同様な方法で前記導体ペーストを充填する作業を行
えば、前記溝部に完全に前記導体ペーストを充填するこ
とができる。When the longitudinal direction of the formed groove portion is parallel to the moving direction of the flat rubber plate, filling of the conductor paste may not be completed in some cases. After filling and drying the conductor paste, if the work of filling the conductor paste in a direction similar to the above in a direction perpendicular to the moving direction of the first flat rubber is performed, the conductor paste is completely filled in the groove portion. Can be filled.
【００３４】次に接着工程として、前記導体ペーストが
充填された前記フォトレジスト膜を該導体ペーストの充
填を行った面が基板に接するように前記基板表面に接着
させる。Next, in a bonding step, the photoresist film filled with the conductor paste is adhered to the surface of the substrate so that the surface filled with the conductor paste contacts the substrate.
【００３５】前記フォトレジスト膜を接着させる前記基
板としては、例えばアルミナ、ムライト、ガラス等のセ
ラミックス基板等、公知のセラミックス基板が挙げられ
る。Examples of the substrate to which the photoresist film is adhered include known ceramic substrates such as ceramic substrates made of alumina, mullite, glass or the like.
【００３６】前記フォトレジスト膜の前記基板への接着
は、前記したように前記導体ペーストの充填を行った側
の膜面が前記基板と接触するように接着させる。接着剤
は特別なものを使用する必要はなく、通常の接着剤を用
いることができる。前記接着剤としては、例えばエポキ
シ系樹脂、アクリル系樹脂の接着剤が挙げられる。接着
の方法も、通常行われている方法でよいが、前記フォト
レジスト膜は薄く伸縮し易いので、前記伸縮により配線
パターンが変化しないように注意深く接着させる必要が
ある。The photoresist film is adhered to the substrate so that the film surface on the side filled with the conductor paste comes into contact with the substrate as described above. It is not necessary to use a special adhesive, and a normal adhesive can be used. Examples of the adhesive include epoxy resin and acrylic resin adhesives. The method of adhesion may be a commonly used method, but since the photoresist film is thin and easily expands and contracts, it is necessary to adhere it carefully so that the wiring pattern does not change due to the expansion and contraction.
【００３７】次に熱処理工程として、前記接着工程で前
記フォトレジスト膜が接着された前記基板を、大気中に
て、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する。Next, as a heat treatment step, the substrate to which the photoresist film has been adhered in the adhering step is heated in the atmosphere to a temperature above the temperature at which the photoresist film and the resin in the conductor paste decompose and disappear. To do.
【００３８】通常、前記銅導体ペーストの焼成は銅が酸
化せず、かつ樹脂が分解、消失するように、極微量の酸
化性ガスを含む窒素雰囲気にて焼成を行う。しかし、こ
の場合は銅を含有する充填層の間にフォトレジストが存
在するため、前記銅を含有する充填層の間のフォトレジ
ストを分解、消失させ、かつ銅の酸化を抑えるのは非常
に難しい。Normally, the copper conductor paste is fired in a nitrogen atmosphere containing an extremely small amount of oxidizing gas so that the copper does not oxidize and the resin decomposes and disappears. However, in this case, since the photoresist is present between the copper-containing filling layers, it is very difficult to decompose and eliminate the photoresist between the copper-containing filling layers and suppress the copper oxidation. .
【００３９】そこで、本発明においては、前記導体含有
フォトレジスト膜が接着された前記基板を酸素が存在す
る大気中にて加熱する。この方法により、前記基板上に
存在する有機成分を短時間で完全に分解、消失させるこ
とができる。前記熱処理は、大気中にて６００〜９００
℃で行うのが好ましい。加熱温度が６００℃未満では有
機成分の分解、消失が完了しない場合があり、一方前記
加熱温度が９００℃を超えると厚膜中のガラスフリット
が流動しすぎてしまい、基板の厚膜の接着性が低下する
ので好ましくない。Therefore, in the present invention, the substrate to which the conductor-containing photoresist film is adhered is heated in the atmosphere containing oxygen. By this method, the organic components existing on the substrate can be completely decomposed and eliminated in a short time. The heat treatment is 600 to 900 in the atmosphere.
It is preferable to carry out at ° C. If the heating temperature is lower than 600 ° C, the decomposition and disappearance of the organic components may not be completed. On the other hand, if the heating temperature is higher than 900 ° C, the glass frit in the thick film will flow too much, and the adhesion of the thick film of the substrate Is reduced, which is not preferable.
【００４０】ここで大気中にて有機成分の分解、消失を
行うと、銅が酸化して酸化銅となるために体積膨張を伴
うが、前記導体ペースト中の銅の充填状態は余り高くな
く、ガラスフリットが前記加熱処理により流動するの
で、前記銅の酸化膨張による配線パターンの変化はほと
んど起きない。むしろ、銅の酸化膨張により酸化銅の充
填度は一旦高くなって、お互いが接合され、次工程の還
元処理によっても接合はなくならないので、焼成工程に
より緻密に焼結した銅配線が得られるという利点があ
る。When the organic components are decomposed and disappeared in the atmosphere, copper is oxidized to form copper oxide, which causes volume expansion. However, the filling state of copper in the conductor paste is not so high. Since the glass frit flows by the heat treatment, the wiring pattern hardly changes due to the oxidation expansion of the copper. Rather, the degree of filling of copper oxide is once increased due to the oxidative expansion of copper, and they are bonded to each other, and the bonding is not lost even by the reduction process in the next step, so that a densely sintered copper wiring can be obtained by the firing step. There are advantages.
【００４１】次に還元焼成工程として、前記熱処理工程
で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、かつ焼結させ
る。Next, in the reduction firing step, the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step is reduced to copper and sintered.
【００４２】酸化銅の銅への還元自体は４００℃程度の
低温で比較的容易に行うことができるが、この工程では
銅粉末の焼結も同時に行って、形成された銅微細配線を
基板上に接着するため、水素を１〜１０ｖｏｌ％含む窒
素雰囲気下で、６００〜１０００℃で還元焼成を行う。
なおこの場合、銅微細配線部以外の部分、例えばセラミ
ックス基板、誘電体部、抵抗部などの構成材料が耐還元
性を有し、上記還元雰囲気下でも容易に還元されないこ
とが必要である。Although the reduction of copper oxide to copper can be performed relatively easily at a low temperature of about 400 ° C., in this step, the copper powder is also sintered at the same time to form the formed copper fine wiring on the substrate. In order to adhere to the above, reduction baking is performed at 600 to 1000 ° C. in a nitrogen atmosphere containing 1 to 10 vol% of hydrogen.
In this case, it is necessary that parts other than the copper fine wiring part, for example, constituent materials such as a ceramic substrate, a dielectric part, and a resistance part have reduction resistance and are not easily reduced even in the above-mentioned reducing atmosphere.
【００４３】前記水素の含有量が１ｖｏｌ％未満では還
元が充分に進行せず、また前記水素の含有量が１０ｖｏ
ｌ％を超えると基板、誘電体部、抵抗部等の基板の構成
材料も還元され易くなる。また還元焼成温度に関して
は、前記還元焼成温度が６００℃未満では銅が緻密に焼
結せず、また前記還元焼成温度が１０００℃を超えると
銅の溶融温度に近くなり、配線のパターンに誤差を生じ
易くなる。なお、酸化銅の銅への還元時に体積収縮が生
じるが、前記したように大気中における熱処理工程にお
いて、配線中のガラスフリットが溶融流動し、基板と接
着されているため、配線がめくれ上がることはない。If the hydrogen content is less than 1 vol%, the reduction does not proceed sufficiently, and the hydrogen content is 10 vo.
If it exceeds 1%, the constituent materials of the substrate such as the substrate, the dielectric portion and the resistor portion are easily reduced. Regarding the reduction firing temperature, when the reduction firing temperature is less than 600 ° C., copper does not sinter densely, and when the reduction firing temperature exceeds 1000 ° C., the temperature is close to the melting temperature of copper, which causes an error in the wiring pattern. It tends to occur. Although volume contraction occurs when copper oxide is reduced to copper, in the heat treatment step in the atmosphere as described above, the glass frit in the wiring melts and flows, and the wiring is flipped up because it is bonded to the substrate. There is no.
【００４４】上記方法により形成された配線の断面形状
は、台形形状もしくは逆Ｕ字形の安定した形状になって
おり、熱処理工程にて配線内にクラックなどが発生する
ことはない。The cross-sectional shape of the wiring formed by the above method is a trapezoidal shape or an inverted U-shaped stable shape, and cracks and the like do not occur in the wiring during the heat treatment process.
【００４５】なお、前記銅微細配線の平坦性を向上さ
せ、ハンダ付け後の高温エージングによる接着性の低下
を防ぐ目的で、上記方法により形成した銅微細配線上
に、さらに銅、金又はニッケルなどの金属メッキ層を２
〜５μｍ程度の厚さに形成してもよい。In order to improve the flatness of the copper fine wiring and prevent the deterioration of the adhesiveness due to high temperature aging after soldering, copper, gold, nickel or the like is further formed on the copper fine wiring formed by the above method. 2 metal plating layers
It may be formed to a thickness of about 5 μm.
【００４６】上記した本発明の第１の配線パターンの形
成方法により、容易な操作及び低コストで、基板上に基
板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅微細配線を
高精度に形成することができる。また、配線部にクラッ
クが生じることもない。By the first method for forming a wiring pattern according to the present invention described above, copper fine wiring excellent in characteristics such as adhesiveness to a substrate and conductivity is easily formed on a substrate with high accuracy and at low cost. Can be formed. Moreover, no cracks are generated in the wiring portion.
【００４７】次に、本発明の第２の配線パターンの形成
方法について説明する。Next, a method for forming the second wiring pattern of the present invention will be described.
【００４８】該第２の配線パターンの形成方法において
は、使用するフォトレジスト膜がキャリアフィルムの上
に形成されている点が前記第１の配線パターンの形成方
法と異なる。前記キャリアフィルムは前記導体ペースト
が充填された前記フォトレジスト膜を基板に接着させる
接着工程の後に剥離させて取り除く。The method of forming the second wiring pattern is different from the method of forming the first wiring pattern in that the photoresist film to be used is formed on the carrier film. The carrier film is peeled and removed after an adhesion step of adhering the photoresist film filled with the conductor paste to a substrate.
【００４９】その他、この発明で使用するフォトレジス
ト膜、基板、導電ペースト等、及びこの発明の各工程に
おける方法と条件とは前記第１の配線パターンの形成方
法と同様でよい。In addition, the photoresist film, the substrate, the conductive paste and the like used in the present invention, and the method and conditions in each step of the present invention may be the same as those in the method for forming the first wiring pattern.
【００５０】この第２の配線パターンの形成方法で使用
するキャリアフィルムは、フォトレジストを担持するに
充分な強度を持ち、ハンドリングのしやすさの点から、
例えばポリエステル等が好ましく、その厚さは１５〜２
５μｍが好ましい。The carrier film used in the method for forming the second wiring pattern has sufficient strength to carry the photoresist and is easy to handle.
For example, polyester is preferable, and its thickness is 15 to 2
5 μm is preferable.
【００５１】前記第２の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第１の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。Also in the method of forming the second wiring pattern, the same effect as that of the method of forming the first wiring pattern can be obtained.
【００５２】次に、本発明の第３の配線パターンの形成
方法について説明する。Next, a third wiring pattern forming method of the present invention will be described.
【００５３】該第３の配線パターンの形成方法において
も、使用するフォトレジスト膜がキャリアフィルムの上
に形成されている点は前記第２の配線パターンの形成方
法と同様である。The third wiring pattern forming method is similar to the second wiring pattern forming method in that the photoresist film used is formed on the carrier film.
【００５４】しかし、この発明の場合は使用するキャリ
アフィルムが薄く、かつ高温での加熱処理によって分
解、消失し易いものを使用しているので、前記フォトレ
ジスト膜を基板に接着させた後、特に前記キャリアフィ
ルムを剥離させなくてもよく、前記フォトレジスト膜を
分解、消失させる工程において、前記キャリアフィルム
を同時に分解、消失させる。However, in the case of the present invention, since the carrier film to be used is thin and easily decomposes and disappears by the heat treatment at a high temperature, after the photoresist film is adhered to the substrate, It is not necessary to peel off the carrier film, and in the step of decomposing and eliminating the photoresist film, the carrier film is simultaneously decomposed and eliminated.
【００５５】この第３の配線パターンの形成方法で使用
するフォトレジスト膜、基板、導電ペースト等、及び各
工程における方法と条件とは前記第１の配線パターンの
形成方法と同様でよい。The photoresist film, substrate, conductive paste, and the like used in this third wiring pattern forming method, and the method and conditions in each step may be the same as those in the first wiring pattern forming method.
【００５６】この第３の配線パターンの形成方法で使用
するキャリアフィルムは、例えばポリエステル等が好ま
しく、その厚さは１５〜２５μｍが好ましい。The carrier film used in the third wiring pattern forming method is preferably polyester, for example, and its thickness is preferably 15 to 25 μm.
【００５７】前記第３の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第１の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。Also in the third wiring pattern forming method, the same effect as in the first wiring pattern forming method can be obtained.
【００５８】次に、本発明の第４の配線パターンの形成
方法について説明する。Next, a fourth wiring pattern forming method of the present invention will be described.
【００５９】該第４の配線パターンの形成方法において
は、フォトレジスト膜に、基板上に形成しようとする回
路配線と同じパターンを有する溝部を形成する溝部形成
工程、前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒク
ルを含む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工
程、該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を前
記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
基板表面に接着させる接着工程、及び該接着工程で前記
フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前
記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分
解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程は、第１の
配線パターンの形成方法と全く同様に行う。In the fourth method for forming a wiring pattern, a groove portion forming step of forming a groove portion having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film, copper powder and glass frit in the groove portion are formed. And a conductor paste filling step of filling a conductor paste containing a vehicle, a bonding step of adhering a photoresist film filled with the conductor paste to the surface of the substrate such that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate, and The heat treatment step of heating the substrate, to which the photoresist film is adhered in the adhering step, to a temperature at which the resin in the photoresist film and the resin in the conductor paste decomposes and disappears in the atmosphere is The formation method is exactly the same.
【００６０】従って、用いるフォトレジスト膜、導体ペ
ースト、基板等も、第１の配線パターンの形成方法の場
合と同様のものでよい。Therefore, the photoresist film, conductor paste, substrate, etc. used may be the same as in the case of the first wiring pattern forming method.
【００６１】第４の配線パターンの形成方法において
は、前記熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元
する還元処理工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼
成工程とを順次行う点が、前記熱処理工程で酸化された
酸化銅粉末を一つの工程で銅に還元し、かつ焼結させる
第１の配線パターンの形成方法と異なる。In the fourth wiring pattern forming method, a reduction treatment step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper and a firing step of sintering copper in a neutral atmosphere are sequentially performed. This is different from the first wiring pattern forming method in which the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step is reduced to copper and sintered in one step.
【００６２】この第４の配線パターンの形成方法は、基
板、誘電体部、抵抗部等の基板の構成材料自体が比較的
還元され易く、高温の還元性雰囲気下で熱処理を行うこ
とが難しい場合に有用である。This fourth wiring pattern forming method is used when the constituent materials of the substrate such as the substrate, the dielectric portion and the resistance portion are relatively easily reduced, and it is difficult to perform the heat treatment in a high temperature reducing atmosphere. Useful for.
【００６３】第４の配線パターンの形成方法では、上記
した第１の配線パターンの形成方法と同様の方法で前記
熱処理工程までの工程を行った後、還元処理工程とし
て、前記熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元
する。In the fourth wiring pattern forming method, after the steps up to the heat treatment step are performed by the same method as the first wiring pattern forming method described above, oxidation is performed in the heat treatment step as a reduction treatment step. Copper oxide powder is reduced to copper.
【００６４】この工程では、水素を１〜１０ｖｏｌ％含
む窒素雰囲気下で、４００〜６００℃の温度で銅の還元
処理を行うのが好ましい。前記還元処理温度が４００℃
未満では還元が進行しにくくなり、一方前記還元処理温
度が６００℃を超えると基板の構成材料が還元され易く
なる。In this step, it is preferable to carry out the reduction treatment of copper at a temperature of 400 to 600 ° C. in a nitrogen atmosphere containing 1 to 10 vol% of hydrogen. The reduction treatment temperature is 400 ° C.
If it is less than the above, the reduction is difficult to proceed, while if the reduction treatment temperature exceeds 600 ° C., the constituent material of the substrate is easily reduced.
【００６５】次に焼成工程として、前記工程により還元
された銅粉末を中性雰囲気中で焼結させる。Next, as a firing step, the copper powder reduced in the above step is sintered in a neutral atmosphere.
【００６６】前記中性雰囲気とは、酸素や水素を含まな
い窒素等の不活性ガス雰囲気をいい、本発明では、還元
された銅を緻密化せさせて基板に接着させるため、前記
中性雰囲気下で焼成する。焼成温度は６００〜１０００
℃が好ましい。前記焼成温度が６００℃未満では銅が緻
密に焼結せず、また前記焼成温度が１０００℃を超える
と銅の溶融温度に近くなり、配線のパターンに誤差を生
じ易くなる。The neutral atmosphere is an inert gas atmosphere such as nitrogen containing no oxygen or hydrogen. In the present invention, the reduced copper is densified and adhered to the substrate. Bake under. Baking temperature is 600-1000
C is preferred. If the firing temperature is lower than 600 ° C., copper is not densely sintered, and if the firing temperature is higher than 1000 ° C., the temperature is close to the melting temperature of copper, and an error is likely to occur in the wiring pattern.
【００６７】なお、この第４の配線パターンの形成方法
においても、微細配線の平坦性を向上させ、ハンダ付け
後の高温エージングによる接着性の低下を防ぐ目的で、
上記方法により形成した銅微細配線上に、さらに銅、金
又はニッケルなどの金属メッキ層を２〜５μｍ程度の厚
さに形成してもよい。Also in the fourth wiring pattern forming method, in order to improve the flatness of the fine wiring and prevent the deterioration of the adhesiveness due to high temperature aging after soldering,
A metal plating layer of copper, gold, nickel or the like may be further formed on the copper fine wiring formed by the above method to a thickness of about 2 to 5 μm.
【００６８】上記した本発明の第４の配線パターンの形
成方法により、容易な操作及び低コストで、基板上に基
板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅微細配線を
高精度に形成することができる。また、配線部にクラッ
クが生じることもない。By the above-mentioned fourth method for forming a wiring pattern of the present invention, copper fine wiring excellent in characteristics such as adhesion to a substrate and conductivity can be formed on a substrate with high precision by easy operation and at low cost. Can be formed. Moreover, no cracks are generated in the wiring portion.
【００６９】次に、第５の配線パターンの形成方法につ
いて説明する。Next, a method of forming the fifth wiring pattern will be described.
【００７０】該第５の配線パターンの形成方法では、フ
ォトレジスト膜が第２の配線パターンの形成方法と同じ
キャリアフィルム上に同様に形成されている。In the fifth wiring pattern forming method, the photoresist film is similarly formed on the same carrier film as in the second wiring pattern forming method.
【００７１】従って、溝部形成工程、導体ペースト充填
工程、接着工程、剥離工程及び熱処理工程は、第２の配
線パターンの形成方法と全く同様に行う。そして、その
後の還元処理工程及び焼成工程は第４の配線パターンの
形成方法と全く同様に行う。Therefore, the groove forming step, the conductor paste filling step, the adhering step, the peeling step and the heat treatment step are performed in exactly the same manner as the second wiring pattern forming method. Then, the subsequent reduction treatment step and firing step are performed in exactly the same manner as the fourth wiring pattern forming method.
【００７２】用いるフォトレジスト膜、導体ペースト、
基板等も、第２の配線パターンの形成方法の場合と同様
のものでよい。Photoresist film used, conductor paste,
The substrate and the like may be the same as those used in the second wiring pattern forming method.
【００７３】前記第５の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第２の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。Also in the fifth wiring pattern forming method, the same effect as in the second wiring pattern forming method can be obtained.
【００７４】次に、第６の配線パターンの形成方法につ
いて説明する。Next, a method of forming the sixth wiring pattern will be described.
【００７５】該第６の配線パターンの形成方法は、フォ
トレジスト膜が第３の配線パターンの形成方法と同じキ
ャリアフィルム上に同様に形成されている。In the method of forming the sixth wiring pattern, the photoresist film is similarly formed on the same carrier film as the method of forming the third wiring pattern.
【００７６】従って、溝部形成工程、導体ペースト充填
工程、接着工程、剥離工程及び熱処理工程は、第３の配
線パターンの形成方法と全く同様に行う。そして、その
後の還元処理工程及び焼成工程は第４の配線パターンの
形成方法と全く同様に行う。用いるフォトレジスト膜、
導体ペースト、基板等も、第３の配線パターンの形成方
法の場合と同様のものでよい。Therefore, the groove forming step, the conductor paste filling step, the adhering step, the peeling step and the heat treatment step are performed in exactly the same manner as the third wiring pattern forming method. Then, the subsequent reduction treatment step and firing step are performed in exactly the same manner as the fourth wiring pattern forming method. Photoresist film used,
The conductor paste, the substrate, and the like may be the same as those used in the third wiring pattern forming method.
【００７７】前記第６の配線パターンの形成方法におい
ても、前記第３の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。Also in the method of forming the sixth wiring pattern, the same effect as that of the method of forming the third wiring pattern can be obtained.
【００７８】[0078]
【作用】上記構成の第１の配線パターンの形成方法よれ
ば、前記溝部形成工程と導体ペースト充填工程でフォト
レジスト膜中に銅粉末を含んだ微細な配線パターンの層
が形成され、前記接着工程により基板上に前記配線パタ
ーンの層が形成されることになり、前記熱処理工程によ
り、前記フォトレジスト膜や導体ペースト中の有機成分
が完全に分解、消失し、前記還元焼成工程により、一旦
酸化された酸化銅が還元されると同時に焼結して基板に
接着され、基板上に該基板との接着性及び導電性等の特
性に優れた銅微細配線が高精度に形成される。According to the first method of forming a wiring pattern having the above structure, a layer of a fine wiring pattern containing copper powder is formed in a photoresist film in the groove forming step and the conductor paste filling step, and the bonding step is performed. As a result, a layer of the wiring pattern is formed on the substrate, the organic components in the photoresist film and the conductor paste are completely decomposed and disappeared by the heat treatment step, and once oxidized by the reduction firing step. Further, the copper oxide is reduced and simultaneously sintered and adhered to the substrate, and copper fine wiring excellent in properties such as adhesiveness to the substrate and conductivity is formed on the substrate with high precision.
【００７９】また、上記構成の第２の配線パターンの形
成方法においては、前記溝部形成工程及び前記導体ペー
スト充填工程が容易となり、また前記フィルムを熱処理
工程の前に剥離するので、前記フィルムが熱処理工程の
後に基板上に残留することはなく、上記第１の配線パタ
ーンの形成方法と同様の効果が得られる。Further, in the method of forming the second wiring pattern having the above structure, the groove forming step and the conductor paste filling step are facilitated, and the film is peeled before the heat treatment step. It does not remain on the substrate after the process, and the same effect as the first wiring pattern forming method can be obtained.
【００８０】また、上記構成の第３の配線パターンの形
成方法においては、前記フィルムが熱処理により分解し
易い材質より構成されているので、熱処理工程により容
易に分解、消失し、上記第１の配線パターンの形成方法
と同様の効果が得られる。Further, in the third wiring pattern forming method having the above structure, since the film is made of a material which is easily decomposed by heat treatment, the film is easily decomposed and disappears by the heat treatment process, and the first wiring is formed. The same effect as the pattern forming method can be obtained.
【００８１】また、上記構成の第４の配線パターンの形
成方法によれば、前記溝部形成工程と導体ペースト充填
工程でフォトレジスト膜中に銅粉末を含んだ微細な配線
パターンの層が形成され、前記接着工程により基板上に
前記配線パターンの層が形成されることになり、前記熱
処理工程により、前記フォトレジスト膜や導体ペースト
中の有機成分が完全に分解、消失し、前記還元処理工程
により、一旦酸化された酸化銅が還元され、前記焼成工
程により銅粉末が焼結して基板上に接着し、基板上に該
基板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅微細配線
が高精度に形成される。Further, according to the fourth wiring pattern forming method having the above structure, a layer of a fine wiring pattern containing copper powder is formed in the photoresist film in the groove forming step and the conductor paste filling step, The layer of the wiring pattern will be formed on the substrate by the bonding step, the heat treatment step, the organic components in the photoresist film and the conductor paste are completely decomposed and disappeared, and by the reduction treatment step, The copper oxide that has been once oxidized is reduced, and the copper powder is sintered and adhered to the substrate by the firing process, and the copper fine wiring excellent in characteristics such as adhesion to the substrate and conductivity is high. Formed with precision.
【００８２】また、上記構成の第５の配線パターンの形
成方法においては、第２の配線パターンの形成方法と同
様に前記フィルムを熱処理工程の前に剥離するので、前
記フィルムが熱処理工程の後に基板上に残留することは
なく、上記第２の配線パターンの形成方法と同様の効果
が得られる。Further, in the fifth wiring pattern forming method having the above structure, the film is peeled off before the heat treatment step as in the second wiring pattern forming method. It does not remain on the upper surface, and the same effect as the second wiring pattern forming method can be obtained.
【００８３】また、上記構成の第６の配線パターンの形
成方法においては、第３の配線パターンの形成方法と同
様に前記フィルムが熱処理により分解し易い材質より構
成されているので、熱処理工程により容易に分解、消失
し、上記第３の配線パターンの形成方法と同様の効果が
得られる。In the method of forming the sixth wiring pattern having the above structure, since the film is made of a material which is easily decomposed by heat treatment as in the method of forming the third wiring pattern, it is easy to perform the heat treatment process. Then, the same effects as those of the third wiring pattern forming method can be obtained.
【００８４】[0084]
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る配線パターン
の形成方法の実施例及び比較例を図面に基づいて説明す
る。EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Examples and comparative examples of the method for forming a wiring pattern according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００８５】［実施例１］図１（ａ）〜（ｆ）は実施例
１に係る配線パターンの形成方法における各工程を模式
的に示した断面図である。[Embodiment 1] FIGS. 1A to 1F are sectional views schematically showing each step in a method of forming a wiring pattern according to Embodiment 1.
【００８６】まず、キャリヤフィルム１１上に載置され
たドライフィルムレジスト１２（Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製
リストン４７１３ 膜厚：３３μｍ ネガタイプ）に、
所定の配線パターンを有するポジ型のフォトマスク１３
を介して紫外線１４を２０〜４０ｍＪ／ｃｍ2 の強度で
照射し、露光した（図１（ａ））。First, a dry film resist 12 (manufactured by Du Pont) placed on the carrier film 11 is used.
Liston 4713 film thickness: 33 μm negative type),
Positive type photomask 13 having a predetermined wiring pattern
Ultraviolet rays 14 were radiated through the glass at an intensity of 20 to 40 mJ / cm 2 for exposure (FIG. 1 (a)).
【００８７】次に、露光済のドライフィルムレジスト１
２を１０％炭酸ナトリウム水溶液中に浸漬、揺動させる
ことにより現像し、線幅２０μｍ、線間２０μｍ及び線
幅３０μｍ、線間２０μｍの溝部１５を形成した（図１
（ｂ））。Next, the exposed dry film resist 1
2 was immersed in a 10% sodium carbonate aqueous solution and developed by rocking to form groove portions 15 having a line width of 20 μm, a line spacing of 20 μm, a line width of 30 μm, and a line spacing of 20 μm (FIG. 1).
(B)).
【００８８】続いて、溝部１５が形成されたドライフィ
ルムレジスト１２の表面に導体ペースト１６を少量乗
せ、平板ゴム１８をドライフィルムレジスト１２の表面
に接触させたまま移動させ、銅導体ペースト１６（Ｄｕ
Ｐｏｎｔ社製 ＱＰ１５３）を充填させると共に、パ
ターンからはみ出した余剰分を丁寧に掻き取った（図１
（ｃ））。Then, a small amount of the conductor paste 16 is placed on the surface of the dry film resist 12 in which the groove portion 15 is formed, and the flat rubber 18 is moved while being in contact with the surface of the dry film resist 12, and the copper conductor paste 16 (Du
QP153 made by Pont Co.) was filled and the surplus portion protruding from the pattern was carefully scraped off (Fig. 1).
(C)).
【００８９】次に、１２０℃で１０分間乾燥を行い、導
体ペースト１６中の溶媒を飛散させ、アルミナ基板１７
に市販のアクリル樹脂系接着剤を薄く塗布し、溝部１５
に銅導体ペースト１６が充填されたドライフィルムレジ
スト１２の導体ペースト１６の充填を行った面がアルミ
ナ基板１７と接するようにして、ドライフィルムレジス
ト１２をアルミナ基板１７に接着させた（図１
（ｄ））。Next, it is dried at 120 ° C. for 10 minutes, the solvent in the conductor paste 16 is scattered, and the alumina substrate 17 is removed.
Apply a thin layer of commercially available acrylic resin adhesive to the groove 15
The dry film resist 12 was adhered to the alumina substrate 17 so that the surface of the dry film resist 12 filled with the copper conductor paste 16 was in contact with the alumina substrate 17 (FIG. 1).
(D)).
【００９０】次に、キャリヤフィルム１１をドライフィ
ルムレジスト１２より剥離させて除去し、大気中でピー
ク温度６００℃、ピーク保持時間２０分の条件で加熱を
行い、導体ペースト１６中に含まれていた樹脂及びドラ
イフィルムレジスト１２を分解、消失させた。この工程
で銅粉末は酸化され、アルミナ基板１７上には回路配線
と同様のパターンのガラスフリットを含む酸化銅１６ａ
が残留した（図１（ｅ））。Next, the carrier film 11 was peeled off from the dry film resist 12 and removed, and the carrier film 11 was heated in the atmosphere at a peak temperature of 600 ° C. for a peak holding time of 20 minutes to be contained in the conductor paste 16. The resin and the dry film resist 12 were decomposed and disappeared. In this step, the copper powder is oxidized, and the copper oxide 16a containing glass frit having the same pattern as the circuit wiring is formed on the alumina substrate 17.
Remained (FIG. 1 (e)).
【００９１】次に、水素１０％−窒素９０％の混合ガス
雰囲気下、ピーク温度９００℃、ピーク保持時間１０分
の条件で還元、焼成を行い、酸化銅を金属銅に還元し、
かつ焼結させた。この工程により、形成された銅の微細
配線１９はアルミナ基板１７にしっかりと接着した（図
１（ｆ））。Next, in a mixed gas atmosphere of 10% hydrogen-90% nitrogen, reduction and firing are performed under conditions of a peak temperature of 900 ° C. and a peak holding time of 10 minutes to reduce copper oxide to metallic copper.
And sintered. By this step, the formed copper fine wiring 19 was firmly adhered to the alumina substrate 17 (FIG. 1 (f)).
【００９２】このように上記プロセスにて、線幅２０μ
ｍ、線間２０μｍ及び線幅３０μｍ、線間２０μｍの銅
の微細配線１９をアルミナ基板１７上に形成することが
できた。Thus, in the above process, the line width is 20 μm.
It was possible to form on the alumina substrate 17 the copper fine wiring 19 having a line width of 20 μm, a line width of 30 μm and a line width of 20 μm.
【００９３】形成された銅の微細配線１９の導電性、接
着強度及びハンダ濡れ性は以下の手順で評価した。The conductivity, adhesive strength and solder wettability of the formed copper fine wiring 19 were evaluated by the following procedures.
【００９４】導電性について 導体特性値の測定により評価する。具体的には、４端子
抵抗測定及び銅の微細配線１９の線幅と膜の厚さより、
膜厚２０μｍ換算のシート抵抗値を求める。Conductivity is evaluated by measuring conductor characteristic values. Specifically, from the four-terminal resistance measurement and the line width and the film thickness of the copper fine wiring 19,
A sheet resistance value in terms of a film thickness of 20 μm is calculated.
【００９５】接着強度について アルミナ基板１７上にタテヨコ２mm×２mm□の形状に銅
導体層を上記プロセスにより形成し、２３０±３℃の温
度に維持した６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂハンダ槽に３±
０．５秒間浸漬した後、その上に０．６mmφスズメッキ
銅線をハンダゴテにてハンダ付けする。次に、スズメッ
キ銅線を被膜端部より１mmの位置で９０°曲げて基板と
垂直な状態にし、アルミナ基板１７を固定した状態で引
っ張り試験機により１０cm／min の速度でスズメッキ銅
線を引っ張り、スズメッキ銅線がアルミナ基板１７から
剥れたときの接着強度を測定し、接着強度の値とする。
前記接着強度の測定は、ハンダ付け直後（初期接着強
度）、および１５０℃で１０００時間エージングした後
（エージング後の接着強度）の二種類の条件を設定して
行う。Regarding Adhesive Strength A copper conductor layer having a size of 2 mm × 2 mm square was formed on the alumina substrate 17 by the above process, and 3 ± 3 in a 63% Sn-37% Pb solder bath maintained at a temperature of 230 ± 3 ° C.
After dipping for 0.5 seconds, a 0.6 mmφ tin-plated copper wire is soldered on it with a soldering iron. Next, bend the tin-plated copper wire 90 ° at a position 1 mm from the end of the coating to make it perpendicular to the substrate, and with the alumina substrate 17 fixed, pull the tin-plated copper wire at a speed of 10 cm / min with a tensile tester, The adhesive strength when the tin-plated copper wire is peeled off from the alumina substrate 17 is measured and used as the adhesive strength value.
The measurement of the adhesive strength is performed by setting two kinds of conditions immediately after soldering (initial adhesive strength) and after aging at 150 ° C. for 1000 hours (adhesive strength after aging).
【００９６】ハンダ濡れ性について アルミナ基板１７上にタテヨコ４mm×４mm□の形状に銅
導体層を上記プロセスにより形成し、２３０±３℃の温
度に維持した６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂハンダ槽に３±
０．５秒間浸漬し、被着したハンダの被覆率を目視で測
定する。Solder wettability A copper conductor layer having a size of 4 mm × 4 mm square was formed on the alumina substrate 17 by the above-mentioned process, and 3% was put in a 63% Sn-37% Pb solder bath maintained at a temperature of 230 ± 3 ° C. ±
Immerse for 0.5 second and visually measure the coverage of the deposited solder.
【００９７】以上の評価方法により、上記実施例１のプ
ロセスと同様の方法で形成したアルミナ基板１７上の銅
の微細配線１９の特性値を測定したところ、シート抵抗
値は１．５ｍΩ／□、初期接着強度は３．０ｋｇ／４ｍ
ｍ2 、エージング後の接着強度２．６ｋｇ／４ｍｍ2 、
ハンダ濡れ性は１００％と優れた特性を示した。また、
銅の微細配線１９上部の平坦度を東京精密製の表面荒さ
計で測定したところ、±０．５μｍであった。When the characteristic value of the copper fine wiring 19 on the alumina substrate 17 formed by the same method as the process of the above-mentioned Example 1 was measured by the above evaluation method, the sheet resistance value was 1.5 mΩ / □, Initial adhesive strength is 3.0kg / 4m
m 2 , adhesive strength after aging 2.6 kg / 4 mm 2 ,
The solder wettability was 100%, which was an excellent characteristic. Also,
The flatness of the upper portion of the copper fine wiring 19 was measured by a surface roughness meter manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. and found to be ± 0.5 μm.
【００９８】次に、銅の微細配線１９上に、新たな銅導
体層を電解メッキ法により２μｍの厚さに形成したとこ
ろ、配線上部の平坦度は±０．１μｍ以下と極めて平坦
性の高いものとなり、また初期接着強度は３．０ｋｇ／
４ｍｍ2 、エージング後の接着強度は３．０ｋｇ／４ｍ
ｍ2 、ハンダ濡れ性は１００％とさらに優れた特性を示
した。Next, a new copper conductor layer having a thickness of 2 μm was formed on the copper fine wiring 19 by the electrolytic plating method. The flatness of the upper portion of the wiring was ± 0.1 μm or less, which is extremely flat. The initial adhesive strength is 3.0 kg /
4mm 2 , adhesive strength after aging is 3.0kg / 4m
The m 2 and solder wettability were 100%, which were more excellent properties.
【００９９】なお、前記電解メッキは、陽極としてリン
を０．３％含有する銅を用い、メッキ液（ＣｕＳＯ4 ・
５Ｈ2 Ｏ：７５ｇ／リットル、濃硫酸：１７０ｇ／リッ
トル、Ｃｌ- ：６０ｐｐｍ）中にて、陽極電流密度：
１．５Ａ／ｄｍ2 、通電時間：３０分の条件で行った。In the electrolytic plating, copper containing 0.3% of phosphorus was used as an anode, and a plating solution (CuSO 4
5H 2 O: 75 g / liter, concentrated sulfuric acid: 170 g / liter, Cl − : 60 ppm), anode current density:
It was conducted under the conditions of 1.5 A / dm 2 and energization time: 30 minutes.
【０１００】［実施例２］実施例１と全く同様に、ドラ
イフィルムレジスト１２内の溝部１５に銅導体ペースト
１６を充填してアルミナ基板１７に接着し、大気中で熱
処理を行うことにより、導体ペースト１６中に存在する
樹脂及びフォトレジスト膜１２を燃焼焼失させた。[Embodiment 2] Just as in Embodiment 1, by filling the groove portion 15 in the dry film resist 12 with the copper conductor paste 16 and adhering it to the alumina substrate 17, the conductor is heat-treated in the atmosphere. The resin and the photoresist film 12 existing in the paste 16 were burned and burned out.
【０１０１】次に、１０ｖｏｌ％の水素を含む窒素雰囲
気中、ピーク温度４００℃、ピーク保持時間３０分の条
件で加熱を行って銅粉末を還元させ、さらに純窒素雰囲
気中、ピーク温度９００℃、ピーク保持時間１０分の条
件で焼結させ、アルミナ基板１７上に線幅２０μｍ、線
間２０μｍ及び線幅３０μｍ、線間２０μｍの銅の微細
配線１９を形成した。Next, in a nitrogen atmosphere containing 10 vol% of hydrogen, heating is performed under the conditions of a peak temperature of 400 ° C. and a peak holding time of 30 minutes to reduce the copper powder, and further, in a pure nitrogen atmosphere, a peak temperature of 900 ° C., Sintering was performed under the conditions of a peak holding time of 10 minutes to form fine copper wirings 19 having a line width of 20 μm, a line width of 20 μm, a line width of 30 μm, and a line width of 20 μm on the alumina substrate 17.
【０１０２】次に、実施例１と同様の評価方法により銅
の微細配線１９の特性を評価したところ、シート抵抗値
は１．６ｍΩ／□、初期接着強度は３．３ｋｇ／４ｍｍ
2 、エージング後の接着強度は２．８ｋｇ／４ｍｍ2 、
ハンダ濡れ性は１００％と優れた値を示した。また、配
線上部の平坦度は、±０．５μｍであった。Next, when the characteristics of the copper fine wiring 19 were evaluated by the same evaluation method as in Example 1, the sheet resistance value was 1.6 mΩ / □ and the initial adhesive strength was 3.3 kg / 4 mm.
2 , the adhesive strength after aging is 2.8kg / 4mm 2 ,
The solder wettability showed an excellent value of 100%. The flatness of the upper part of the wiring was ± 0.5 μm.
【０１０３】次に、実施例１と同様にメッキ処理を施し
たところ、配線上部の平坦度は±０．１μｍ以下と極め
て平坦性の高いものとなり、初期接着強度は３．０ｋｇ
／４ｍｍ2 、エージング後の接着強度は３．０ｋｇ／４
ｍｍ2 、ハンダ濡れ性は１００％とさらに優れた値を示
した。Next, when a plating process was performed in the same manner as in Example 1, the flatness of the upper portion of the wiring was ± 0.1 μm or less, which was extremely high in flatness, and the initial adhesive strength was 3.0 kg.
/ 4 mm 2 , adhesive strength after aging is 3.0 kg / 4
The mm 2 and solder wettability were 100%, which were more excellent values.
【０１０４】［比較例１］実施例１と全く同様にドライ
フィルムレジスト１２内の溝部１５に銅導体ペースト１
６を充填してアルミナ基板１７に接着した。その後、純
窒素中でピーク温度９００℃、ピーク保持時間１時間の
条件で熱処理を施した。[Comparative Example 1] Just as in Example 1, the copper conductor paste 1 was formed in the groove 15 in the dry film resist 12.
6 was filled and bonded to the alumina substrate 17. Then, heat treatment was performed in pure nitrogen under the conditions of a peak temperature of 900 ° C. and a peak holding time of 1 hour.
【０１０５】その結果、フォトレジスト膜１２は完全に
分解、消失せず、黒色状に残存し、導電性等の特性を測
定することはできなかった。As a result, the photoresist film 12 was not completely decomposed and disappeared, and remained in a black color, and the characteristics such as conductivity could not be measured.
【０１０６】［比較例２］アルミナ基板１７上に直接実
施例１で用いたドライフィルムレジスト１２と同様のも
のを１０５℃にて熱圧着し、フォトマスク１４を用いて
実施例１と同様の露光条件で線幅２０μｍ、線間２０μ
ｍ及び線幅３０μｍ、線間２０μｍの微細配線パターン
を形成した。[Comparative Example 2] A dry film resist 12 similar to that used in Example 1 was thermocompression-bonded directly onto an alumina substrate 17 at 105 ° C., and a photomask 14 was used to perform the same exposure as in Example 1. Line width 20μm, line spacing 20μ
m, a line width of 30 μm, and a space between lines of 20 μm were formed.
【０１０７】次に、ドライフィルムレジスト１２の現像
処理を行い、配線部を開口した。Next, the dry film resist 12 was developed to open the wiring portion.
【０１０８】続いて、前記開口部に銅導体ペースト１６
を充填し、実施例１と同様の条件で熱処理を施し、還元
焼成を行い、アルミナ基板１７上に銅の微細配線を形成
した。Then, the copper conductor paste 16 is provided in the opening.
Was filled, and heat treatment was performed under the same conditions as in Example 1 and reduction firing was performed to form fine copper wiring on the alumina substrate 17.
【０１０９】形成された銅の微細配線を顕微鏡により観
察したところ、配線内で配線の長手方向に沿ってクラッ
クが発生していることがわかった。When the formed copper fine wiring was observed with a microscope, it was found that cracks were generated in the wiring along the longitudinal direction of the wiring.
【０１１０】[0110]
【発明の効果】本発明に係る第１の配線パターンの形成
方法にあっては、フォトレジスト膜に、基板上に形成し
ようとする回路配線と同じパターンを有する溝部を形成
する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガラスフリッ
トおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填する導体ペ
ースト充填工程と、該導体ペーストが充填された前記フ
ォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を行った面が
基板に接するように基板表面に接着させる接着工程と、
該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅
に還元し、かつ焼結させる還元焼成工程とを含んでいる
ので、容易な操作、かつ低コストにて基板上に該基板と
の接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細配線を高
精度に形成することができ、セラミックス回路基板のマ
ルチチップ化、高密度実装化に対応することができる。According to the first wiring pattern forming method of the present invention, a groove portion forming step of forming a groove portion having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate in the photoresist film, Conductor paste filling step of filling the groove portion with a conductor paste containing copper powder, glass frit and vehicle, and the photoresist film filled with the conductor paste so that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate. An adhesion step of adhering to the substrate surface,
The substrate to which the photoresist film is adhered in the adhering step is heated in the atmosphere to a temperature above the temperature at which the resin in the photoresist film and the resin in the conductor paste decomposes and disappears, and oxidation in the heat treating step. The reduced copper oxide powder is reduced to copper, and a reduction firing step of sintering is included, so that the characteristics such as the adhesiveness with the substrate and the conductivity can be easily provided on the substrate at a low cost. Excellent fine copper wiring can be formed with high precision, and it can be applied to multi-chip and high-density mounting of ceramic circuit boards.
【０１１１】また、本発明に係る第２の配線パターンの
形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォトレ
ジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じ
パターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記
溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導
体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体
ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導体
ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板表
面に接着させる接着工程と、前記フォトレジスト膜から
前記フィルムを剥離させる剥離工程と、前記接着工程で
前記フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中に
て、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹
脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、
該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいるので、容易な
操作、かつ低コストにて基板上に該基板との接着性及び
導電性等の特性に優れた銅の微細配線を高精度に形成す
ることができ、セラミックス回路基板のマルチチップ
化、高密度実装化に対応することができる。In the second method for forming a wiring pattern according to the present invention, a groove portion having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate is formed in the photoresist film formed on the film. A step of forming a groove portion, a step of filling the groove portion with a conductor paste containing copper powder, a glass frit and a vehicle, and a surface of the photoresist film filled with the conductor paste with the conductor paste. Is adhered to the substrate surface so as to contact the substrate, a peeling step of peeling the film from the photoresist film, a substrate to which the photoresist film is bonded in the bonding step, in the atmosphere, A heat treatment step of heating the photoresist film and the resin in the conductor paste to a temperature at which the resin decomposes and disappears;
Since it includes a reduction firing step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper and sintering the copper oxide powder, the adhesion and the conductivity with the substrate can be easily operated and at low cost. It is possible to form copper fine wiring excellent in characteristics such as properties with high accuracy, and it is possible to cope with multi-chip and high-density mounting of ceramic circuit boards.
【０１１２】また、本発明に係る第３の配線パターンの
形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォトレ
ジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じ
パターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記
溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導
体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体
ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導体
ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板表
面に接着させる接着工程と、該接着工程で前記フィルム
及び前記フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中
にて、前記フィルム、前記フォトレジスト膜及び前記導
体ペースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱す
る熱処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末
を銅に還元し、かつ焼結させる還元焼成工程とを含んで
いるので、容易な操作、かつ低コストにて基板上に該基
板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細配線
を高精度に形成することができ、セラミックス回路基板
のマルチチップ化、高密度実装化に対応することができ
る。Further, in the third method for forming a wiring pattern according to the present invention, a groove portion having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate is formed in the photoresist film formed on the film. A step of forming a groove portion, a step of filling the groove portion with a conductor paste containing copper powder, a glass frit and a vehicle, and a surface of the photoresist film filled with the conductor paste with the conductor paste. Is adhered to the surface of the substrate so as to be in contact with the substrate, and the substrate to which the film and the photoresist film are adhered in the adhering process is exposed to the air in the film, the photoresist film and the conductor paste. A heat treatment step in which the resin is heated to a temperature at which it decomposes or disappears, and the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step is reduced to copper. Since it includes a reduction firing step of sintering, copper fine wiring excellent in properties such as adhesiveness to the substrate and conductivity is formed on the substrate with high precision at easy operation and at low cost. Therefore, it is possible to cope with multi-chip and high-density mounting of the ceramic circuit board.
【０１１３】また、本発明に係る第４の配線パターンの
形成方法にあっては、フォトレジスト膜に、基板上に形
成しようとする回路配線と同じパターンを有する溝部を
形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガラスフ
リットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填する導
体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填された前
記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を行った
面が基板に接するように基板表面に接着させる接着工程
と、該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基
板を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体
ペースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する
熱処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を
銅に還元する還元処理工程と、中性雰囲気中で銅を焼結
させる焼成工程とを含んでいるので、容易な操作、かつ
低コストにて基板上に該基板との接着性及び導電性等の
特性に優れた銅の微細配線を高精度に形成することがで
き、セラミックス回路基板のマルチチップ化、高密度実
装化に対応することができる。Further, in the fourth wiring pattern forming method according to the present invention, a groove portion forming step of forming a groove portion having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate in the photoresist film, Conductor paste filling step of filling the groove portion with a conductor paste containing copper powder, glass frit and vehicle, and the photoresist film filled with the conductor paste so that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate. An adhesion step of adhering to the surface of the substrate and the substrate to which the photoresist film is adhered in the adhesion step are heated in the atmosphere to a temperature at which the photoresist film and the resin in the conductor paste decompose or disappear. A heat treatment step, a reduction treatment step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper, and a firing step of sintering copper in a neutral atmosphere. Since it contains, it is possible to easily form fine wiring of copper having excellent characteristics such as adhesiveness and conductivity with the substrate on the substrate at a low cost with easy operation. It can support multi-chip and high-density mounting.
【０１１４】また、本発明に係る第５の配線パターンの
形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォトレ
ジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じ
パターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記
溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導
体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体
ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導体
ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板表
面に接着させる接着工、前記フォトレジスト膜から前記
フィルムを剥離させる剥離工程と、前記接着工程で前記
フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前
記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分
解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処
理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還元処理
工程と、中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含
んでいるので、容易な操作、かつ低コストにて基板上に
該基板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細
配線を高精度に形成することができ、セラミックス回路
基板のマルチチップ化、高密度実装化に対応することが
できる。Further, in the fifth method for forming a wiring pattern according to the present invention, a groove portion having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate is formed in the photoresist film formed on the film. A step of forming a groove portion, a step of filling the groove portion with a conductor paste containing copper powder, a glass frit and a vehicle, and a surface of the photoresist film filled with the conductor paste with the conductor paste. Is adhered to the substrate surface so as to contact the substrate, a peeling step of peeling the film from the photoresist film, and the substrate to which the photoresist film is bonded in the bonding step A heat treatment step of heating the resist film and the resin in the conductor paste to a temperature at which the resin decomposes and disappears, and is oxidized in the heat treatment step. Since it includes a reduction treatment step of reducing copper oxide powder to copper and a firing step of sintering copper in a neutral atmosphere, it is easy to operate and adheres to the substrate at low cost. Further, it is possible to form copper fine wiring excellent in characteristics such as conductivity with high accuracy, and it is possible to cope with multi-chip and high-density mounting of the ceramic circuit board.
【０１１５】さらに、本発明に係る第６の配線パターン
の形成方法にあっては、フィルム上に形成されたフォト
レジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同
じパターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前
記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む
導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導
体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導
体ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板
表面に接着させる接着工程と、該接着工程で前記フィル
ム及び前記フォトレジスト膜が接着された基板を、大気
中にて、前記フィルム、前記フォトレジスト膜及び前記
導体ペースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱
する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉
末を銅に還元する還元処理工程と、中性雰囲気中で銅を
焼結させる焼成工程とを含んでいるので、容易な操作、
かつ低コストにて基板上に該基板との接着性及び導電性
等の特性に優れた銅の微細配線を高精度に形成すること
ができ、セラミックス回路基板のマルチチップ化、高密
度実装化に対応することができる。Further, in the sixth method for forming a wiring pattern according to the present invention, a groove portion having the same pattern as the circuit wiring to be formed on the substrate is formed in the photoresist film formed on the film. A step of forming a groove portion, a step of filling the groove portion with a conductor paste containing copper powder, a glass frit and a vehicle, and a surface of the photoresist film filled with the conductor paste with the conductor paste. Is adhered to the surface of the substrate so as to be in contact with the substrate, and the substrate to which the film and the photoresist film are adhered in the adhering process is exposed to the air in the film, the photoresist film and the conductor paste. Heat treatment step of heating above the temperature at which the resin decomposes and disappears, and reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper The original process, because it contains a firing step for sintering the copper in a neutral atmosphere, easy operation,
In addition, it is possible to form fine copper wiring with excellent characteristics such as adhesiveness and conductivity with the substrate at a low cost with high precision, and to realize multi-chip and high-density mounting of ceramic circuit boards. Can respond.
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例に係る配線パ
ターンの形成方法における各工程を模式的に示した断面
図である。1A to 1F are cross-sectional views schematically showing each step in a method for forming a wiring pattern according to an example of the present invention.
１１ キャリヤフィルム １２ ドライフィルムレジスト １５ 溝部 １６ 導体ペースト １７ アルミナ基板 １９ 銅の微細配線 11 Carrier Film 12 Dry Film Resist 15 Groove 16 Conductor Paste 17 Alumina Substrate 19 Copper Fine Wiring
Claims (6)
うとする回路配線と同じパターンを有する溝部を形成す
る溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
基板表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
する配線パターンの形成方法。1. A groove forming step of forming a groove having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film, and filling the groove with a conductor paste containing copper powder, glass frit and a vehicle. Conductor paste filling step, an adhesion step of adhering the photoresist film filled with the conductor paste to the substrate surface such that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate, and the photoresist film in the adhering step The substrate to which is adhered is heated in the atmosphere to a temperature above the temperature at which the resin in the photoresist film and the resin in the conductor paste decomposes and disappears, and the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step is converted into copper And a reduction firing step of reducing and sintering the wiring pattern.
膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
基板表面に接着させる接着工程と、 前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥離させる剥
離工程と、 前記接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
する配線パターンの形成方法。2. A groove portion forming step of forming a groove portion having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film formed on a film, and copper powder, glass frit and a vehicle in the groove portion. A conductor paste filling step of filling a conductor paste containing the adhesive paste, a step of adhering the photoresist film filled with the conductor paste to the surface of the substrate so that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate, A peeling step of peeling the film from the resist film, and a substrate to which the photoresist film is adhered in the adhering step, in the air, at a temperature at which the resin in the photoresist film and the conductor paste decomposes and disappears A heat treatment step of heating the copper oxide powder to a copper oxide powder, and a reduction firing step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper and sintering the copper oxide powder. Method of forming a wiring pattern characterized by comprising the and.
膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
基板表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレジスト膜が
接着された基板を、大気中にて、前記フィルム、前記フ
ォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、
消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、か
つ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴と
する配線パターンの形成方法。3. A groove forming step of forming a groove having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film formed on a film, and copper powder, glass frit and a vehicle in the groove. A conductive paste filling step of filling the conductive paste containing the paste, a bonding step of bonding the photoresist film filled with the conductive paste to the surface of the substrate so that the surface filled with the conductive paste contacts the substrate, The substrate in which the film and the photoresist film are bonded in a step, in the air, the film, the photoresist film and the resin in the conductor paste are decomposed,
A method for forming a wiring pattern, comprising: a heat treatment step of heating to a temperature at which it disappears or higher; and a reduction firing step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper and sintering the copper oxide powder.
うとする回路配線と同じパターンを有する溝部を形成す
る溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を前記導
体ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板
表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
元処理工程と、 中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいる
ことを特徴とする配線パターンの形成方法。4. A groove forming step of forming a groove having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film, and filling the groove with a conductive paste containing copper powder, glass frit and a vehicle. A conductor paste filling step, an adhesion step of adhering a photoresist film filled with the conductor paste to the substrate surface so that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate, and the photoresist film is formed by the adhering step. A heat treatment step of heating the bonded substrate in the atmosphere to a temperature at which the resin in the photoresist film and the resin in the conductor paste decomposes and disappears, and the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step is reduced to copper. The method for forming a wiring pattern, comprising: a reduction treatment step of: and a firing step of sintering copper in a neutral atmosphere.
膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前
記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように
基板表面に接着させる接着工程と、 前記フォトレジスト膜から前記フィルムを剥離させる剥
離工程と、 前記接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板
を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペ
ースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱
処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
元処理工程と、 中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいる
ことを特徴とする配線パターンの形成方法。5. A groove portion forming step of forming a groove portion having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film formed on a film, and copper powder, glass frit and a vehicle in the groove portion. A conductor paste filling step of filling a conductor paste containing the adhesive paste, a step of adhering the photoresist film filled with the conductor paste to the surface of the substrate so that the surface filled with the conductor paste is in contact with the substrate, A peeling step of peeling the film from the resist film, and a substrate to which the photoresist film is adhered in the adhering step, in the air, at a temperature at which the resin in the photoresist film and the conductor paste decomposes and disappears A heat treatment step for heating the copper oxide powder, a reduction treatment step for reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper, and a neutral atmosphere. And a firing step of sintering copper in the air.
膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパター
ンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、 前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含
む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、 該導体ペーストが充填されたフォトレジスト膜を前記導
体ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板
表面に接着させる接着工程と、 該接着工程で前記フィルム及び前記フォトレジスト膜が
接着された基板を、大気中にて、前記フィルム、前記フ
ォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、
消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、 該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元する還
元処理工程と、 中性雰囲気中で銅を焼結させる焼成工程とを含んでいる
ことを特徴とする配線パターンの形成方法。6. A groove portion forming step of forming a groove portion having the same pattern as a circuit wiring to be formed on a substrate in a photoresist film formed on a film, and copper powder, glass frit and a vehicle in the groove portion. A conductive paste filling step of filling the conductive paste containing the paste, a bonding step of bonding a photoresist film filled with the conductive paste to the surface of the substrate so that the surface filled with the conductive paste contacts the substrate, and the bonding step In, the film and the substrate to which the photoresist film is adhered, in the atmosphere, the film, the photoresist film and the resin in the conductor paste is decomposed,
It includes a heat treatment step of heating to a temperature at which it disappears, a reduction treatment step of reducing the copper oxide powder oxidized in the heat treatment step to copper, and a firing step of sintering copper in a neutral atmosphere. A method for forming a characteristic wiring pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16239093A JPH0722737A (en) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | Method for forming wiring pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16239093A JPH0722737A (en) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | Method for forming wiring pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722737A true JPH0722737A (en) | 1995-01-24 |
Family
ID=15753676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16239093A Pending JPH0722737A (en) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | Method for forming wiring pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722737A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109148A (en) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Harima Chemicals Inc | Calcination type conductive copper paste |
| EP3153254A4 (en) * | 2014-06-16 | 2017-07-19 | Material Concept, Inc. | Method for firing copper paste |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16239093A patent/JPH0722737A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109148A (en) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Harima Chemicals Inc | Calcination type conductive copper paste |
| EP3153254A4 (en) * | 2014-06-16 | 2017-07-19 | Material Concept, Inc. | Method for firing copper paste |
| US10433427B2 (en) | 2014-06-16 | 2019-10-01 | Material Concept, Inc. | Method for firing copper paste |
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