JP2769598B2 - Conductor paste - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は導体ペーストに関し、よ
り詳細には、特に、半導体ＬＳＩ、チップ部品などを実
装し、かつ、それらを相互配線するためのセラミックス
配線基板上に、ポジ型フォトレジスト層を用いて配線パ
ターンを形成する際に有効な導体ペーストに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive paste, and more particularly, to a positive type photoresist on a ceramic wiring board for mounting semiconductor LSIs and chip parts and interconnecting them. The present invention relates to a conductive paste effective for forming a wiring pattern using a layer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化、高密
度化が進んできており、これらに実装される電子部品の
狭ピッチ多ピン化、マルチチップ化も急速に進められつ
つある。従って、ＬＳＩ、ＩＣチップのボンディング法
も従来のワイヤボンディング法から、マルチチップ、高
密度実装に適したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方
式及びフリップチップ方式が採用されるようになってき
ている。このような電子機器の高密度化に伴い、セラミ
ックス配線基板上に、線幅が１００μｍ以下の微細配線
や直径が１００μｍ以下のバンプ等の導体層パターンを
形成する技術が要求されるようになり、このような技術
において用いられる導体層材料の研究が進められてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have been increasingly miniaturized and densified, and electronic components mounted on these devices have been rapidly becoming more narrow-pitch, multi-pin, and multi-chip. Accordingly, the bonding method of LSI and IC chip has been changed from the conventional wire bonding method to a TAB (Tape Automated Bonding) method and a flip chip method suitable for multi-chip and high-density mounting. With the increase in the density of such electronic devices, a technique for forming a conductor layer pattern such as a fine wiring having a line width of 100 μm or less or a bump having a diameter of 100 μm or less on a ceramic wiring substrate has been required. Research on conductor layer materials used in such techniques has been advanced.

【０００３】ところで、従来からのセラミックス基板上
への配線パターンの形成方法は、薄膜法、メッキ法、厚
膜法などに大別される。[0005] Conventionally, a method of forming a wiring pattern on a ceramic substrate is roughly classified into a thin film method, a plating method, a thick film method, and the like.

【０００４】前記薄膜法は、セラミックス基板に蒸着、
スパッタリング又はイオンプレーティング等により厚さ
数μｍオーダーの導体金属層を形成する方法であり、こ
の方法ではフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
ーの手法が利用できることから、精度の高い微細配線を
形成できるものの、形成された配線と基板との密着性が
低い、工程数が他の方法と比較して多い、薄膜形成装置
が高価である等の問題点がある。[0004] The thin-film method involves vapor deposition on a ceramic substrate,
It is a method of forming a conductive metal layer with a thickness of several μm order by sputtering or ion plating.In this method, although a photolithography method using a photoresist can be used, a highly accurate fine wiring can be formed. There are problems such as low adhesion between the formed wiring and the substrate, the number of steps is larger than other methods, and the thin film forming apparatus is expensive.

【０００５】また前記メッキ法は、溶液中で電気化学的
手法によりセラミックス基板に導体配線を形成する方法
であるが、上記した薄膜法とほぼ同様の問題点がある。The plating method is a method of forming conductor wiring on a ceramic substrate by an electrochemical method in a solution, but has almost the same problems as the above-mentioned thin film method.

【０００６】さらに前記厚膜法は、導体粒子を溶剤の液
状成分を含有する有機ビヒクル中に分散させた導体ペー
ストを用い、この導体ペーストをメッシュスクリーンを
通してセラミックス基板に印刷し、その後焼成すること
によりセラミックス基板上に配線パターンを形成する方
法である。この前記厚膜法を適用して配線パターンを形
成する場合、基板は必ずしも焼結体を使用する必要はな
く、グリーンシート上に導体ペーストのパターンを形成
した後、グリーンシートの焼成と導体ペーストの焼付け
を同時に行ってもよく、この厚膜法は、セラミックス基
板との充分な密着強度を有する導体層パターンを低コス
トで形成することができるという優れた特徴を有する。
また、この方法を前記したグリーンシートを用いた配線
パターンの形成方法に適用した場合、印刷された前記導
体ペースト中の液状成分が短時間でグリーンシート内部
にうまく吸収されるため、配線の幅や配線間の距離が１
５０μｍ以下の微細な配線パターンを形成することもで
きる。しかしながら、この方法を焼結体を用いた配線パ
ターンの形成方法に適用した場合、液状成分は前記焼結
体内部に吸収されないため、印刷された導体ペースト中
の液状成分が横方向に広がる、いわゆる「にじみ」や
「だれ」現象が発生し、配線の幅や配線間の距離が１５
０μｍ以下の導体層パターンを設計通りに形成すること
ができないという問題点がある。Further, in the thick film method, a conductor paste in which conductor particles are dispersed in an organic vehicle containing a liquid component of a solvent is used, and the conductor paste is printed on a ceramic substrate through a mesh screen and then fired. This is a method of forming a wiring pattern on a ceramic substrate. When a wiring pattern is formed by applying the thick film method, the substrate does not necessarily need to use a sintered body, and after forming a conductive paste pattern on a green sheet, firing the green sheet and applying the conductive paste Baking may be performed simultaneously, and this thick film method has an excellent feature that a conductor layer pattern having sufficient adhesion strength to a ceramic substrate can be formed at low cost.
In addition, when this method is applied to the above-described method for forming a wiring pattern using a green sheet, the liquid component in the printed conductor paste is well absorbed in the green sheet in a short time, so that the width and width of the wiring are reduced. Distance between wires is 1
A fine wiring pattern of 50 μm or less can be formed. However, when this method is applied to a method for forming a wiring pattern using a sintered body, since the liquid component is not absorbed into the sintered body, the liquid component in the printed conductor paste spreads in a horizontal direction, so-called. "Bleeding" or "Wandering" phenomenon occurs, and the width of wiring and the distance between wiring are 15
There is a problem that a conductor layer pattern of 0 μm or less cannot be formed as designed.

【０００７】そこで近年、パターンの形成には前記薄膜
法の特徴であるフォトレジストを用いたフォトリソグラ
フィーを導入し、配線自体の形成には前記厚膜法の特徴
である導体ペーストを用いた方法が試みられている。こ
の方法は、まずガラス基板やセラミックス基板の表面に
フォトレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィー
により前記フォトレジスト層に配線パターンを転写して
開口部を形成し、導体ペーストを前記開口部に擦り込む
ことにより充填し、その後焼成することにより前記フォ
トレジスト層の分解、消失と導体成分の基板への焼き付
けを同時に行う方法であり（特開平４−２２３３９１号
公報、特開平４−２２３３９２号公報、特開平４−２２
３３９３号公報、特開平２−２４０９９６号公報等）、
前記薄膜法と同等の微細パターンを形成することができ
る。Therefore, in recent years, a photolithography method using a photoresist, which is a feature of the thin film method, has been introduced to form a pattern, and a method using a conductive paste, which is a feature of the thick film method, has been used to form the wiring itself. Attempted. In this method, first, after forming a photoresist layer on the surface of a glass substrate or a ceramic substrate, an interconnect is formed by transferring a wiring pattern to the photoresist layer by photolithography, and a conductive paste is rubbed into the opening. In this method, the photoresist layer is decomposed and disappeared and the conductive component is baked on a substrate at the same time by firing and baking (Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 4-223391 and 4-223392. Kaihei 4-22
3393, JP-A-2-240996, etc.),
A fine pattern equivalent to the thin film method can be formed.

【０００８】このような方法で用いられる従来の導体ペ
ーストは、主に導体材料、樹脂及び溶剤からなるペース
トであり、該溶剤としてはテルピネオール、ジブチルカ
ルビトール、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール
アセテート、テキサノール、２，２，４−トリメチルペ
ンタジオール１，３−モノイソブチレート等が用いられ
ている。これらの溶剤は前記樹脂の溶解能が高い炭素・
水素・酸素の３元素からなる極性溶剤である。[0008] The conventional conductor paste used in such a method is a paste mainly comprising a conductor material, a resin and a solvent, such as terpineol, dibutyl carbitol, dibutyl phthalate, butyl carbitol acetate, texanol, and the like. 2,2,4-trimethylpentadiol 1,3-monoisobutyrate and the like are used. These solvents have high dissolving power of the resin.
It is a polar solvent composed of three elements, hydrogen and oxygen.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】通常、従来のフォトリ
ソグラフィー技術及び導体ペーストを用いた配線パター
ンの形成方法では、前記フォトレジスト層の除去が酸化
性雰囲気中での焼成により行われるため、前記導体ペー
スト中の前記導体として易酸化性卑金属のＣｕ、Ｍｏ−
Ｍｎ等を用いると、前記導体が酸化するという欠点があ
る。そのため、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の酸化しにくい貴金
属を使用する必要があるが、そうするとコスト高とな
る。しかし、前記フォトレジスト層にポジ型フォトレジ
ストを用いた場合（特開平２−２４０９９６号公報）、
ポジ型フォトレジスト層の除去が湿式プロセスにより行
われるため、導体としてＣｕ、Ｍｏ−Ｍｎ等の安価な金
属を用いることができ、コストが低減される。その場
合、前記導体は非酸化性雰囲気中で焼成される。Usually, in the conventional photolithography technique and the method of forming a wiring pattern using a conductive paste, the removal of the photoresist layer is performed by firing in an oxidizing atmosphere. The oxidizable base metal Cu, Mo-
Use of Mn or the like has a disadvantage that the conductor is oxidized. For this reason, it is necessary to use a noble metal which is hard to be oxidized, such as Au, Ag, and Pt, but this increases the cost. However, when a positive photoresist is used for the photoresist layer (JP-A-2-240996),
Since the removal of the positive photoresist layer is performed by a wet process, inexpensive metals such as Cu and Mo—Mn can be used as the conductor, and the cost is reduced. In that case, the conductor is fired in a non-oxidizing atmosphere.

【００１０】しかしながら従来の導体ペーストにおいて
は、前記溶剤の極性が高く、このような高極性溶剤をポ
ジ型フォトレジスト層の開口部に充填した場合、前記溶
剤がポジ型フォトレジスト層を溶解するので、該ポジ型
フォトレジスト層のパターン形状が変化するという課題
があった。また、前記ポジ型フォトレジスト層上に余剰
の前記導体ペーストが付着した場合、前記溶剤がポジ型
フォトレジスト層を融かして一体化するので、余剰の前
記導体ペーストを除去することが難しくなる。表面に導
体ペーストが残存すると前記ポジ型フォトレジスト層を
現像液によって完全に除去することが困難となり、焼成
後の配線パターンにショートが生じるという課題があっ
た。したがって、シャープな配線パターンを安価に形成
することができないという課題があった。However, in the conventional conductive paste, the polarity of the solvent is high, and when such a highly polar solvent is filled into the opening of the positive photoresist layer, the solvent dissolves the positive photoresist layer. There has been a problem that the pattern shape of the positive photoresist layer changes. In addition, when the excess conductive paste adheres to the positive photoresist layer, the solvent melts and integrates the positive photoresist layer, so that it is difficult to remove the excess conductive paste. . If the conductive paste remains on the surface, it is difficult to completely remove the positive photoresist layer with a developing solution, and there is a problem that a short circuit occurs in the fired wiring pattern. Therefore, there is a problem that a sharp wiring pattern cannot be formed at low cost.

【００１１】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、セラミックス基板上にフォトリソグラフ
ィー技術を用いてポジ型フォトレジスト層のパターンを
形成し、導体ペーストを用いて配線パターンを形成する
方法において、精度の高い微細な配線パターンを安価に
形成することができる導体ペーストを提供することを目
的としている。The present invention has been made in view of the above problems, and forms a pattern of a positive photoresist layer on a ceramic substrate by using a photolithography technique, and forms a wiring pattern by using a conductive paste. It is an object of the present invention to provide a conductive paste capable of forming a fine wiring pattern with high accuracy at low cost.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る導体ペーストは、セラミックス基板上に
形成されたポジ型フォトレジスト層の開口部に充填され
る導体ペーストにおいて、溶剤が炭化水素系溶剤の１種
以上からなることを特徴としている（１）。In order to achieve the above object, a conductive paste according to the present invention comprises a conductive paste filled in an opening of a positive type photoresist layer formed on a ceramic substrate, wherein a solvent is carbonized. It is characterized by comprising at least one hydrogen-based solvent (1).

【００１３】また本発明に係る導体ペーストは、導体ペ
ースト（１）において、炭化水素系溶剤が２００℃から
３５０℃の沸点を有するものであることを特徴としてい
る（２）。The conductor paste according to the present invention is characterized in that in the conductor paste (1), the hydrocarbon solvent has a boiling point of 200 ° C. to 350 ° C. (2).

【００１４】[0014]

【作用】従来の導体ペーストにおいて用いられるテルピ
ネオール、ジブチルカルビトール、ジブチルフタレー
ト、ブチルカルビトールアセテート、テキサノール、
２，２，４−トリメチルペンタジオール１，３−モノイ
ソブチレート等の溶剤は、セルロース樹脂、アクリル・
メタクリル樹脂等の溶解能が高い。しかしこのような溶
剤は炭素、水素及び酸素からなり、極性が高いために、
ポジ型フォトレジストを溶解したり、ポジ型フォトレジ
ストに導体ペーストを融着させて一体化したりする。The terpineol, dibutyl carbitol, dibutyl phthalate, butyl carbitol acetate, texanol,
Solvents such as 2,2,4-trimethylpentadiol 1,3-monoisobutyrate include cellulose resins and acrylics.
High dissolving ability of methacrylic resin. However, such solvents consist of carbon, hydrogen and oxygen, and because of their high polarity,
The positive photoresist is dissolved, or the conductive paste is fused to the positive photoresist to be integrated.

【００１５】本発明者らは、鋭意研究の結果、導体ペー
ストに使用する樹脂は溶解するが、ポジ型フォトレジス
トは溶解しない溶剤を見い出した。このような溶剤は、
炭素及び水素からなるトルエン、キシレン、ショウノウ
油、テレピン油、パイン油、フェニルシクロヘキサン、
ビシクロヘキシル、ドデシルベンゼン、ペンチルベンゼ
ン、ジペンチルベンゼン、テトラリン、ドデカン等の炭
化水素系溶剤である。これらの溶剤は誘電率が低い低極
性の溶剤であり、ポジ型フォトレジストを溶かしにく
い。しかし、導体ペースト用樹脂は比較的低極性樹脂で
あるため、低極性溶剤にも溶けるため、導体ペーストに
使用する樹脂は溶かす。As a result of intensive studies, the present inventors have found a solvent that dissolves the resin used for the conductor paste but does not dissolve the positive photoresist. Such solvents are
Toluene, xylene, camphor oil, turpentine oil, pine oil, phenylcyclohexane, composed of carbon and hydrogen,
Hydrocarbon solvents such as bicyclohexyl, dodecylbenzene, pentylbenzene, dipentylbenzene, tetralin and dodecane. These solvents are low-polarity solvents having a low dielectric constant, and do not easily dissolve the positive photoresist. However, since the resin for the conductive paste is a relatively low-polarity resin and is soluble in a low-polarity solvent, the resin used for the conductive paste is dissolved.

【００１６】さらに、前記炭化水素系溶剤の中でも沸点
が２００℃から３５０℃の範囲にあるものはハンドリン
グしやすいことを見い出した。すなわち、沸点が２００
℃以下の炭化水素系溶剤を用いた場合は、導体ペースト
のハンドリング中に前記炭化水素系溶剤が蒸発するのが
早く、粘度が上昇したり、乾燥したりするのが早くな
り、好ましくない。また、沸点が３５０℃以上の炭化水
素系溶剤を用いた場合は、導体ペーストのポジ型フォト
レジスト層の開口部への充填後に乾燥させることが困難
となり、導体ペーストを基板側に容易に固定させること
ができず、好ましくない。導体ペーストのハンドリング
を容易にするものとしては、フェニルシクロヘキサン、
ビシクロヘキシル、ドデシルベンゼン、ペンチルベンゼ
ン、ジペンチルベンゼン、テトラリン、ドデカン等が挙
げられる。Furthermore, among the above-mentioned hydrocarbon solvents, those having a boiling point in the range of 200 ° C. to 350 ° C. have been found to be easy to handle. That is, the boiling point is 200
When a hydrocarbon-based solvent having a temperature of not more than ° C is used, the hydrocarbon-based solvent evaporates quickly during handling of the conductive paste, and the viscosity increases and the drying speed is undesirably increased. In addition, when a hydrocarbon solvent having a boiling point of 350 ° C. or more is used, it is difficult to dry the conductor paste after filling the openings in the positive photoresist layer, and the conductor paste is easily fixed to the substrate side. Cannot be performed, which is not preferable. As materials that facilitate the handling of the conductor paste, phenylcyclohexane,
Bicyclohexyl, dodecylbenzene, pentylbenzene, dipentylbenzene, tetralin, dodecane and the like can be mentioned.

【００１７】上記構成の導体ペースト（１）によれば、
溶剤が炭化水素系溶剤の１種以上からなるので、このよ
うな導体ペーストを、セラミックス基板上にポジ型フォ
トレジスト層のパターンを形成し、導体ペーストを用い
て配線パターンを形成する方法に用いた場合、ポジ型フ
ォトレジスト層の開口部に充填された前記導体ペースト
の溶剤が前記ポジ型フォトレジスト層を溶解せず、該ポ
ジ型フォトレジスト層のパターン形状を変形させること
はない。また、該ポジ型フォトレジスト層上に余剰の前
記導体ペーストが付着しても、この導体ペーストが前記
ポジ型フォトレジスト層に融着して一体化することはな
く、余剰の前記導体ペーストの除去が容易になる。この
ため、前記ポジ型フォトレジスト層を現像液によって完
全に除去することが可能となり、焼成後の配線間にショ
ートが生じない。したがって、精度の高い微細な配線パ
ターンを形成することが可能となる。According to the conductor paste (1) having the above structure,
Since the solvent consists of one or more hydrocarbon solvents, such a conductive paste was used in a method of forming a pattern of a positive photoresist layer on a ceramic substrate and forming a wiring pattern using the conductive paste. In this case, the solvent of the conductive paste filled in the opening of the positive photoresist layer does not dissolve the positive photoresist layer and does not deform the pattern shape of the positive photoresist layer. Further, even if the excess conductive paste adheres to the positive photoresist layer, the conductive paste does not fuse and integrate with the positive photoresist layer, and the excess conductive paste is removed. Becomes easier. Therefore, the positive photoresist layer can be completely removed by the developer, and no short circuit occurs between the baked wires. Therefore, it is possible to form a fine wiring pattern with high accuracy.

【００１８】また、上記した構成の導体ペースト（２）
によれば、導体ペースト（１）において、前記炭化水素
系溶剤が２００℃から３５０℃の沸点を有するものであ
るので、導体ペーストの乾燥が早すぎず、遅すぎず、前
記導体ペーストを適切な粘度に長時間保つことが容易と
なり、ハンドリングしやすくなる。Further, the conductor paste (2) having the above configuration
According to this, in the conductive paste (1), since the hydrocarbon solvent has a boiling point of 200 ° C. to 350 ° C., drying of the conductive paste is not too early or too late, and the conductive paste is appropriately dried. It becomes easy to maintain the viscosity for a long time, and it becomes easy to handle.

【００１９】[0019]

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る導体ペースト
の実施例及び比較例を、セラミックス基板上にフォトリ
ソグラフィー技術を用いてポジ型フォトレジスト層のパ
ターンを形成し、導体ペーストを用いて配線パターンを
形成する方法に使用した場合を例に挙げて図面に基づい
て説明する。 ［実施例１］実施例１に係る導体ペーストは、モリブデ
ン粉末：７５重量部、マンガン粉末：１５重量部、酸化
チタン：５重量部、シリカ：５重量部からなる導体原料
粉末９０重量部に対し、炭化水素系溶剤であるフェニル
シクロヘキサン４重量部、イソブチルメタクリル樹脂６
重量部を添加して作製された。EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Hereinafter, examples and comparative examples of the conductor paste according to the present invention are described by forming a pattern of a positive type photoresist layer on a ceramic substrate by using a photolithography technique, and forming a wiring by using the conductor paste. The case of using the method for forming a pattern will be described as an example with reference to the drawings. [Example 1] The conductor paste according to Example 1 was 90 parts by weight of a conductor raw material powder consisting of 75 parts by weight of molybdenum powder, 15 parts by weight of manganese powder, 5 parts by weight of titanium oxide, and 5 parts by weight of silica. 4 parts by weight of phenylcyclohexane as a hydrocarbon solvent, isobutyl methacrylic resin 6
It was made by adding parts by weight.

【００２０】このような導体ペーストを用い、上記した
方法により配線パターンを形成するには、まずアルミナ
焼結体からなるセラミックス基板１１上の全面に液状ポ
ジ型レジスト（ヘキストジャパン社製ＡＺ４９０３）を
バーコーター法にて塗布した。この後、９０℃に保った
オーブン中で３０分間乾燥させてプリベークを施し、固
体状の厚さが２５μｍのポジ型フォトレジスト層１２を
形成した（図１（ａ））。なおセラミックス基板１１と
しては、アルミナの他、ムライト、ガラスセラミックス
及び窒化アルミニウム等からなる公知のセラミックス基
板を用いることができる。また液状ポジ型フォトレジス
トとしては、ヘキストジャパン社製ＡＺ４９０３の他、
同社製ＡＺ４６２０／Ａ等を用いることができ、前記液
状ポジ型フォトレジストはバーコーター法の他、ロール
コーター法、ディプ法及びホイラー法（スピンナー法）
等により堆積させることができる。しかし、厚さを１０
μｍから５０μｍの範囲内に設定するのが好ましく、こ
の範囲の厚さのポジ型フォトレジスト層１２をセラミッ
クス基板１１上に均一に形成するにはロールコーター法
もしくはバーコーター法が適しており、厚さが前記範囲
外の場合は、後の工程における導体ペースト１６の充填
が困難になる。In order to form a wiring pattern by the above-described method using such a conductive paste, first, a liquid positive resist (AZ4903 manufactured by Hoechst Japan) is applied to the entire surface of the ceramic substrate 11 made of alumina sintered body. It was applied by a coater method. Thereafter, the film was dried in an oven maintained at 90 ° C. for 30 minutes and prebaked to form a solid positive photoresist layer 12 having a thickness of 25 μm (FIG. 1A). As the ceramic substrate 11, a known ceramic substrate made of mullite, glass ceramic, aluminum nitride, or the like can be used in addition to alumina. In addition, as a liquid positive photoresist, in addition to AZ4903 manufactured by Hoechst Japan,
AZ4620 / A manufactured by the company can be used, and the liquid positive type photoresist is not only a bar coater method but also a roll coater method, a dip method and a Wheeler method (spinner method).
Can be deposited. However, if the thickness is 10
It is preferable to set the thickness within the range of from 50 μm to 50 μm, and a roll coater method or a bar coater method is suitable for uniformly forming the positive photoresist layer 12 having a thickness in this range on the ceramic substrate 11. If the thickness is out of the above range, it is difficult to fill the conductive paste 16 in a later step.

【００２１】次いで、配線ルールが線幅５０μｍ、線間
４０μｍである所定形状の配線パターンを有するフォト
マスク１３を介して、ポジ型フォトレジスト層１２に露
光量が７００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線１４を用いて露光を
施した（図１（ｂ））。なお適正な露光量は７００〜８
００ｍＪ／ｃｍ² であり、露光量が７００ｍＪ／ｃｍ²
以下では後の工程（図１（ｃ））で現像により開口部１
５を完全に開口することができず、また８００ｍＪ／ｃ
ｍ² 以上ではオーバー露光となり、開口部１５の断面形
状が逆台形になり好ましくない。Next, an ultraviolet ray 14 having an exposure amount of 700 mJ / cm ² is applied to the positive photoresist layer 12 through a photomask 13 having a wiring pattern of a predetermined shape with a wiring rule of 50 μm in line width and 40 μm in distance between lines. Exposure was performed (FIG. 1B). The appropriate exposure is 700 to 8
00 mJ / cm ² and the exposure amount is 700 mJ / cm ²
Hereinafter, in the subsequent step (FIG. 1C), the opening 1 is developed.
5 cannot be completely opened and 800 mJ / c
If m ² or more, overexposure occurs and the cross-sectional shape of the opening 15 becomes an inverted trapezoid, which is not preferable.

【００２２】次に、現像液（ヘキストジャパン社４００
Ｋ：水＝１：４）にポジ型フォトレジスト層１２を有す
るセラミックス基板１１を浸漬し、揺動させることによ
り現像処理を行い、ポジ型フォトレジスト層１２に前記
配線パターンに応じた開口部１５を形成した（図１
（ｃ））。なお現像処理方法としては浸漬揺動法の他、
スプレー法等を用いることができる。また、開口部１５
に像不良のフォトレジストが残存した場合は、プラズマ
アッシング等のドライエッチングにて除去することがで
きる。Next, a developer (Hoechst Japan 400
(K: water = 1: 4), the ceramic substrate 11 having the positive photoresist layer 12 is immersed and shaken to perform development processing, and the opening 15 corresponding to the wiring pattern is formed in the positive photoresist layer 12. (FIG. 1)
(C)). In addition to the immersion rocking method,
A spray method or the like can be used. The opening 15
In the case where a photoresist having an image defect remains, the photoresist can be removed by dry etching such as plasma ashing.

【００２３】次いで、温度を９０℃に保ったオーブン中
でセラミックス基板１１を４０分間乾燥させてプリベー
クを施した後、後の工程（図１（ｆ））でのポジ型フォ
トレジスト層１２の現像液による除去を可能にするため
に、開口部１５を形成したポジ型フォトレジスト層１２
に露光量が７００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線１４を用いて全
面露光を施した（図１（ｄ））。なお適正な露光量は７
００〜８００ｍＪ／ｃｍ² である。また、この全面露光
工程は、導体ペースト充填工程（図１（ｅ））の後に行
ってもよく、また（図１（ｆ））に示した工程中の導体
ペースト乾燥後に行ってもよい。Next, the ceramic substrate 11 is dried in an oven maintained at a temperature of 90 ° C. for 40 minutes and prebaked, and then the positive type photoresist layer 12 is developed in a later step (FIG. 1F). In order to enable removal by a liquid, the positive photoresist layer 12 having an opening 15 formed therein is formed.
The entire surface was exposed using ultraviolet light 14 having an exposure amount of 700 mJ / cm ² (FIG. 1D). The appropriate exposure is 7
It is 00 to 800 mJ / cm ² . Further, this overall exposure step may be performed after the conductor paste filling step (FIG. 1E) or may be performed after the conductor paste is dried in the step shown in FIG. 1F.

【００２４】次に、導体ペースト１６を例えばテフロン
ヘラ１８により擦り込むようにしてポジ型フォトレジス
ト層１２の開口部１５に充填した（図１（ｅ））。な
お、導体ペースト１６が開口部１５以外のポジ型フォト
レジスト層１２上に残存した場合は、導体ペースト１６
の付着していないテフロンヘラ１８等により掻き取れば
よい。Next, the conductive paste 16 was filled into the opening 15 of the positive photoresist layer 12 by rubbing it with, for example, a Teflon spatula 18 (FIG. 1E). If the conductive paste 16 remains on the positive photoresist layer 12 except for the openings 15, the conductive paste 16
It may be scraped off with a Teflon spatula 18 or the like to which no is adhered.

【００２５】次いで、温度を９０℃に保ったオーブン中
にて開口部１５に充填された導体ペースト１６を１０分
間乾燥させ、導体ペースト１６中の樹脂により前記導体
原料粉末をセラミックス基板１１に接着させる。この
後、ポジ型フォトレジスト層１２の表面をラッピングフ
ィルム（砥粒アルミナ１μｍ）を用いて１０秒間研磨
し、余剰に付着した導体ペースト１６を除去する。次
に、充填方向を最初の充填時の方向より９０度変えて再
度導体ペースト１６を充填し、乾燥、研磨を施すことに
より、導体ペースト１６を開口部１５内に充填不良箇所
がなく、かつ開口部１５以外に余剰ペーストが残存する
ことないように充填した。この後、セラミックス基板１
１を現像液（ヘキストジャパン社４００Ｋ：水＝１：
４）中に浸漬し、揺動させることにより現像処理を施
し、ポジ型フォトレジスト層１２を溶解・消失させて除
去し、セラミックス基板１１上に導体ペースト１６の乾
燥体のみからなる導体パターンを形成した（図１
（ｆ））。Next, the conductive paste 16 filled in the opening 15 is dried for 10 minutes in an oven maintained at a temperature of 90 ° C., and the conductive raw material powder is adhered to the ceramic substrate 11 by the resin in the conductive paste 16. . Thereafter, the surface of the positive photoresist layer 12 is polished for 10 seconds using a lapping film (abrasive alumina 1 μm) to remove excess conductive paste 16. Next, the filling direction is changed by 90 degrees from the direction at the time of the first filling, and the conductive paste 16 is filled again, and then dried and polished. Filling was performed so that no excess paste remained in portions other than the portion 15. After this, the ceramic substrate 1
1 in a developer (Hoechst Japan 400K: water = 1: 1)
4) A developing process is performed by immersing the substrate in the container and oscillating to dissolve and eliminate the positive photoresist layer 12 to remove the same, thereby forming a conductor pattern made of only a dried conductor paste 16 on the ceramic substrate 11. (Fig. 1
(F)).

【００２６】最後に、微量水蒸気を含有する窒素及び水
素の混合ガス雰囲気中、１５００℃で焼成することによ
り、導体ペースト１６中の有機物を分解・消失させ、か
つ前記導体をセラミックス基板１１に焼き付けて、配線
パターン１９を形成した（図１（ｇ））。Finally, by baking at 1500 ° C. in a mixed gas atmosphere of nitrogen and hydrogen containing trace water vapor, organic substances in the conductor paste 16 are decomposed and eliminated, and the conductor is baked on the ceramic substrate 11. Then, a wiring pattern 19 was formed (FIG. 1G).

【００２７】最終的に形成した配線パターン１９の精度
を走査型電子顕微鏡にて調査したところ、線幅５０μｍ
±２μｍと極めて高い精度であった。また、配線間がシ
ョートしているか否かを光学顕微鏡により調べたとこ
ろ、配線間のショートは全くなかった。また、導体ペー
スト１６の溶剤として用いられたフェニルシクロヘキサ
ンの沸点は約２４０℃であり、ハンドリングしやすかっ
た。When the accuracy of the finally formed wiring pattern 19 was examined with a scanning electron microscope, the line width was 50 μm.
The accuracy was extremely high at ± 2 μm. When an optical microscope was used to determine whether or not the wiring was short-circuited, there was no short-circuit between the wirings. The boiling point of phenylcyclohexane used as the solvent of the conductor paste 16 was about 240 ° C., and the handling was easy.

【００２８】なお、導体ペースト１６の好ましい組成範
囲は、導体材料が８４〜９６ｗｔ％、樹脂が２〜６ｗｔ
％、溶剤が２〜１０ｗｔ％であり、導体ペースト１６は
３本ロール等の公知の方法で作製することができる。The preferable composition range of the conductor paste 16 is 84 to 96 wt% of the conductor material and 2 to 6 wt% of the resin.
%, The solvent is 2 to 10% by weight, and the conductive paste 16 can be prepared by a known method such as a three-roll mill.

【００２９】また本実施例においては、導体ペースト１
６の溶剤として、炭化水素系溶剤であるフェニルシクロ
ヘキサンのみの１種を用いた場合を例にとって説明した
が、その他の炭化水素系溶剤、すなわち導体ペースト１
６に用いる前記樹脂は溶解するが、前記ポジ型フォトレ
ジストは溶解しないトルエン、キシレン、ショウノウ
油、テレピン油、パイン油、ビシクロヘキシル、ドデシ
ルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、
テトラリン、ドデカン等を用いてもよく、またこれらを
１種以上組み合わせたものを用いてもよい。またこれら
のうち、沸点が２００〜３５０℃の範囲にあるものを用
いた場合は、ハンドリングが容易となる。In this embodiment, the conductive paste 1
The case where only one kind of hydrocarbon solvent, phenylcyclohexane, was used as the solvent of No. 6 was described as an example.
6, the resin used for dissolving, but the positive photoresist does not dissolve, toluene, xylene, camphor oil, turpentine oil, pine oil, bicyclohexyl, dodecylbenzene, pentylbenzene, dipentylbenzene,
Tetralin, dodecane, or the like may be used, or a combination of one or more of these may be used. In addition, when those having a boiling point in the range of 200 to 350 ° C. are used, handling becomes easy.

【００３０】さらに本実施例においては、樹脂としてイ
ソブチルメタクリル樹脂を用いた場合を例とって説明し
たが、その他、後のポジ型フォトレジスト層１２の現像
処理の際に用いられる現像液（水系）に溶解しない非水
溶性樹脂、すなわちエチルセルロース、アクリル、メタ
クリル樹脂等を用いてもよい。Further, in the present embodiment, the case where isobutyl methacrylic resin is used as the resin has been described as an example. However, a developing solution (water-based) used in the subsequent developing process of the positive type photoresist layer 12 is described. A water-insoluble resin that does not dissolve in water, that is, ethyl cellulose, acrylic, methacrylic resin, or the like may be used.

【００３１】また本実施例においては、導体としてＭｏ
−Ｍｎを用いた場合を例にとって説明したが、その他Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等を用いてもよく、Ｍｏ−Ｍｎや
Ｃｕを用いた場合には、コストを削減することができ
る。また、前記導体原料粉末１００重量部に対して、焼
成後の導体とセラミックス基板との接着を高める目的で
ガラスＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ₂ 等の無機粉末１〜１０重量部
程度を添加してもよい。 ［実施例２］実施例２に係る導体ペーストは、溶剤とし
てビシクロヘキシルを使用した以外は実施例１の場合と
同様にして製造した導体ペーストである。この導体ペー
ストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結基板
上にＭｏ配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、ビシクロヘキシルの
沸点が約２２０℃であるため、前記導体ペーストのハン
ドリングは容易であった。In this embodiment, Mo is used as the conductor.
-Mn was used as an example, but other C
u, Au, Ag, Pd, or the like may be used, and when Mo—Mn or Cu is used, the cost can be reduced. Further, about 1 to 10 parts by weight of an inorganic powder such as glass SiO ₂ or TiO ₂ may be added to 100 parts by weight of the conductor raw material powder in order to enhance the adhesion between the fired conductor and the ceramic substrate. [Example 2] The conductor paste according to Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that bicyclohexyl was used as a solvent. Using this conductor paste, a Mo wiring pattern was formed on an alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were investigated in the same manner as in Example 1. The line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Further, since the boiling point of bicyclohexyl was about 220 ° C., the handling of the conductor paste was easy.

【００３２】［実施例３］実施例３に係る導体ペースト
は、溶剤としてドデシルベンゼンを使用した以外は実施
例１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。
この導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアル
ミナ焼結基板上にＭｏ配線パターンを形成し、配線の精
度及びショートを実施例１の場合と同様にして調査した
ところ、線幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であ
り、また配線間のショートも全くなかった。また、ドデ
シルベンゼンの沸点が約３３１℃であるため、前記導体
ペーストのハンドリングは容易であった。Example 3 A conductor paste according to Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that dodecylbenzene was used as a solvent.
Using this conductor paste, a Mo wiring pattern was formed on an alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were investigated in the same manner as in Example 1. The line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Further, since the boiling point of dodecylbenzene is about 331 ° C., handling of the conductor paste was easy.

【００３３】［実施例４］実施例４に係る導体ペースト
は、溶剤としてペンチルベンゼンを使用した以外は実施
例１の場合と同様にして製造した導焼ペーストである。
この導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアル
ミナ焼結基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及
びショートを実施例１の場合と同様にして調査したとこ
ろ、線幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、ま
た配線間のショートも全くなかった。また、ペンチルベ
ンゼンの沸点が約２０５℃であるため、前記導体ペース
トのハンドリングは容易であった。Example 4 The conductive paste according to Example 4 was a firing paste produced in the same manner as in Example 1 except that pentylbenzene was used as the solvent.
Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Since the boiling point of pentylbenzene was about 205 ° C., the handling of the conductor paste was easy.

【００３４】［実施例５］実施例５に係る導体ペースト
は、溶剤としてジペンチルベンゼンを使用した以外は実
施例１の場合と同様にして製造した導体ペーストであ
る。この導体ペーストを用い、図１に示した工程により
アルミナ焼結基板上に配線パターンを形成し、配線の精
度及びショートを実施例１の場合と同様にして調査した
ところ、線幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であ
り、また配線間のショートも全くなかった。また、ジペ
ンチルベンゼンの沸点が約２６０℃であるため、前記導
体ペーストのハンドリングは容易であった。Example 5 A conductor paste according to Example 5 was produced in the same manner as in Example 1 except that dipentylbenzene was used as a solvent. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Further, since the boiling point of dipentylbenzene is about 260 ° C., the handling of the conductor paste was easy.

【００３５】［実施例６］実施例６に係る導体ペースト
は、溶剤としてテトラリンを使用した以外は実施例１の
場合と同様にして製造した導体ペーストである。この導
体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼
結基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショ
ートを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線
幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線
間のショートも全くなかった。また、テトラリンの沸点
が約２０７℃であるため、前記導体ペーストのハンドリ
ングは容易であった。Example 6 The conductor paste according to Example 6 was produced in the same manner as in Example 1 except that tetralin was used as the solvent. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Further, since the boiling point of tetralin is about 207 ° C., handling of the conductor paste was easy.

【００３６】［実施例７］実施例７に係る導体ペースト
は、溶剤としてドデカンを使用した以外は実施例１の場
合と同様にして製造した導体ペーストである。この導体
ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結
基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、ドデカンの沸点が約
２１６℃であるため、前記導体ペーストのハンドリング
は容易であった。Example 7 The conductor paste according to Example 7 was produced in the same manner as in Example 1 except that dodecane was used as the solvent. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Further, since the boiling point of dodecane is about 216 ° C., handling of the conductor paste was easy.

【００３７】［実施例８］実施例８に係る導体ペースト
は、溶剤としてフェニシクロヘキサン：ビシクロヘキシ
ル＝１：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場
合と同様にして製造した導体ペーストである。この導体
ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結
基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、前記導体ペーストの
ハンドリングは容易であった。Example 8 The conductor paste according to Example 8 was a conductor paste produced in the same manner as in Example 1 except that a solvent consisting of phenylcyclohexane: bicyclohexyl = 1: 1 was used as a solvent. is there. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Further, handling of the conductor paste was easy.

【００３８】［実施例９］実施例９に係る導体ペースト
は、溶剤としてフェニシクロヘキサン：ドデシルベンゼ
ン＝１：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場
合と同様にして製造した導体ペーストである。この導体
ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結
基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、前記導体ペーストの
ハンドリングは容易であった。Example 9 The conductor paste according to Example 9 was a conductor paste produced in the same manner as in Example 1 except that a solvent consisting of phenylcyclohexane: dodecylbenzene = 1: 1 was used as a solvent. is there. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and the wiring accuracy and short-circuit were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 2 μm. The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires. Further, handling of the conductor paste was easy.

【００３９】［実施例１０］実施例１０に係る導体ペー
ストは、溶剤としてトルエンを使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精度
及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μｍ
と極めて高い精度であり、また配線間のショートも全く
なかった。Example 10 The conductor paste according to Example 10 was the same as Example 1 except that toluene was used as the solvent.
This is a conductor paste manufactured in the same manner as in the case of (1). Using this conductive paste, a wiring pattern was formed on an alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1, and then the accuracy and short-circuit of the wiring were examined.
The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires.

【００４０】［実施例１１］実施例１１に係る導体ペー
ストは、溶剤としてキシレンを使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精度
及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μｍ
と極めて高い精度であり、また配線間のショートも全く
なかった。Example 11 The conductive paste according to Example 11 was the same as Example 1 except that xylene was used as the solvent.
This is a conductor paste manufactured in the same manner as in the case of (1). Using this conductive paste, a wiring pattern was formed on an alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1, and then the accuracy and short-circuit of the wiring were examined.
The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires.

【００４１】［実施例１２］実施例１２に係る導体ペー
ストは、溶剤としてショウノウ油を使用した以外は実施
例１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。
この導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアル
ミナ焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の
精度及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２
μｍと極めて高い精度であり、また配線間のショートも
全くなかった。Example 12 The conductor paste according to Example 12 was produced in the same manner as in Example 1 except that camphor oil was used as a solvent.
Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1, and then the accuracy and short-circuit of the wiring were examined.
The accuracy was as high as μm, and there was no short circuit between wires.

【００４２】［実施例１３］実施例１３に係る導体ペー
ストは、溶剤としてテレピン油を使用した以外は実施例
１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。こ
の導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミ
ナ焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精
度及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μ
ｍと極めて高い精度であり、また配線間のショートも全
くなかった。Example 13 The conductor paste according to Example 13 was produced in the same manner as in Example 1 except that turpentine oil was used as the solvent. Using this conductive paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1 and then the wiring accuracy and short-circuit were examined.
m and extremely high accuracy, and there was no short circuit between wirings.

【００４３】［実施例１４］実施例１４に係る導体ペー
ストは、溶剤としてパイン油を使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精度
及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μｍ
と極めて高い精度であり、また配線間のショートも全く
なかった。Example 14 The conductor paste according to Example 14 was the same as Example 1 except that pine oil was used as the solvent.
This is a conductor paste manufactured in the same manner as in the case of (1). Using this conductive paste, a wiring pattern was formed on an alumina sintered substrate by the process shown in FIG. 1, and then the accuracy and short-circuit of the wiring were examined.
The accuracy was extremely high, and there was no short circuit between wires.

【００４４】［比較例１］比較例１に係る導体ペースト
は、溶剤としてテルピネオールを使用した以外は実施例
１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。こ
の導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミ
ナ焼結基板上に配線パターンを形成した。しかしこの場
合は、研磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終
的に得られた配線の精度及びショートを実施例１の場合
と同様にして調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍ
と精度が極めて低く、一部配線間にショートが発生し
た。Comparative Example 1 The conductive paste according to Comparative Example 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that terpineol was used as the solvent. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. However, in this case, the excess paste could not be removed by polishing or the like, and the accuracy and short-circuit of the finally obtained wiring were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 20 μm.
And the accuracy was extremely low, and a short circuit occurred between some wirings.

【００４５】［比較例２］比較例２に係る導体ペースト
は、溶剤としてテルピネオール：ジブチルカルビトール
＝１：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場合
と同様にして製造した導体ペーストである。この導体ペ
ーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結基
板上に配線パターンを形成した。しかしこの場合は、研
磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終的に得ら
れた配線の精度及びショートを実施例１の場合と同様に
して調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍと精度が
極めて低く、一部配線間にショートが発生した。Comparative Example 2 A conductive paste according to Comparative Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except that a solvent consisting of terpineol: dibutyl carbitol = 1: 1 was used as a solvent. is there. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. However, in this case, the surplus paste could not be removed by polishing or the like, and the accuracy and short-circuit of the finally obtained wiring were investigated in the same manner as in Example 1. As a result, the accuracy was extremely high, with a line width of 50 μm ± 20 μm. Low, and short circuit occurred between some wirings.

【００４６】［比較例３］比較例３に係る導体ペースト
は、溶剤としてテルピネオール：ジブチルフタレート＝
３：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場合と
同様にして製造した導体ペーストである。この導体ペー
ストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結基板
上に配線パターンを形成した。しかしこの場合は、研磨
等による余剰ペーストの除去ができず、最終的に得られ
た配線の精度及びショートを実施例１の場合と同様にし
て調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍと精度が極
めて低く、一部配線間にショートが発生した。Comparative Example 3 The conductor paste according to Comparative Example 3 was prepared by using terpineol: dibutyl phthalate =
This is a conductor paste produced in the same manner as in Example 1 except that a solvent consisting of 3: 1 was used. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. However, in this case, the surplus paste could not be removed by polishing or the like, and the accuracy and short-circuit of the finally obtained wiring were investigated in the same manner as in Example 1. As a result, the accuracy was extremely high, with a line width of 50 μm ± 20 μm. Low, and short circuit occurred between some wirings.

【００４７】［比較例４］比較例４に係る導体ペースト
は、溶剤としてテキサノールを使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成した。しかしこの場合
は、研磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終的
に得られた配線の精度及びショートを実施例１の場合と
同様にして調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍと
精度が極めて低く、一部配線間にショートが発生した。Comparative Example 4 The conductive paste according to Comparative Example 4 was the same as in Example 1 except that Texanol was used as the solvent.
This is a conductor paste manufactured in the same manner as in the case of (1). Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. However, in this case, the surplus paste could not be removed by polishing or the like, and the accuracy and short-circuit of the finally obtained wiring were investigated in the same manner as in Example 1. As a result, the accuracy was extremely high as the line width of 50 μm ± 20 μm. Low, and short circuit occurred between some wirings.

【００４８】［比較例５］比較例５に係る導体ペースト
は、溶剤としてブチルカルビトールアセテートを使用し
た以外は実施例１の場合と同様にして製造した導体ペー
ストである。この導体ペーストを用い、図１に示した工
程によりアルミナ焼結基板上に配線パターンを形成し
た。しかしこの場合は、研磨等による余剰ペーストの除
去ができず、最終的に得られた配線の精度及びショート
を実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅５
０μｍ±２０μｍと精度が極めて低く、一部配線間にシ
ョートが発生した。Comparative Example 5 A conductive paste according to Comparative Example 5 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that butyl carbitol acetate was used as a solvent. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. However, in this case, the surplus paste could not be removed by polishing or the like, and the accuracy and short-circuit of the finally obtained wiring were examined in the same manner as in Example 1 to find that the line width was 5 mm.
The accuracy was extremely low at 0 μm ± 20 μm, and a short circuit occurred between some wirings.

【００４９】［比較例６］比較例６に係る導体ペースト
は、溶剤として２，２，４−トリメチルペンタンジオー
ル１，３−モノイソブチレートを使用した以外は実施例
１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。こ
の導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミ
ナ焼結基板上に配線パターンを形成した。しかしこの場
合は、研磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終
的に得られた配線の精度及びショートを実施例１の場合
と同様にして調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍ
と精度が極めて低く、一部配線間にショートが発生し
た。Comparative Example 6 A conductive paste according to Comparative Example 6 was prepared in the same manner as in Example 1 except that 2,2,4-trimethylpentanediol 1,3-monoisobutyrate was used as a solvent. It is a manufactured conductor paste. Using this conductor paste, a wiring pattern was formed on the alumina sintered substrate by the process shown in FIG. However, in this case, the excess paste could not be removed by polishing or the like, and the accuracy and short-circuit of the finally obtained wiring were examined in the same manner as in Example 1, and the line width was 50 μm ± 20 μm.
And the accuracy was extremely low, and a short circuit occurred between some wirings.

【００５０】[0050]

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る導体ペ
ースト（１）にあっては、セラミックス基板上に形成さ
れたポジ型フォトレジスト層の開口部に充填される導体
ペーストにおいて、溶剤が炭化水素系溶剤の１種以上か
らなるので、このような導体ペーストを、前記セラミッ
クス基板上に前記ポジ型フォトレジスト層のパターンを
形成し、導体ペーストを用いて配線パターンを形成する
方法において用いた場合、前記開口部に充填された前記
導体ペーストの溶剤が前記ポジ型フォトレジスト層を溶
解せず、該ポジ型フォトレジスト層のパターン形状を変
形させることはない。また、該ポジ型フォトレジスト層
上に余剰の前記導体ペーストが付着しても、この導体ペ
ーストが前記ポジ型フォトレジスト層に融着して一体化
することはなく、焼成後の配線間にショートが生じな
い。したがって、精度の高い微細な配線パターンを形成
することができる。As described above in detail, in the conductive paste (1) according to the present invention, the solvent is contained in the conductive paste filled in the opening of the positive photoresist layer formed on the ceramic substrate. Since the conductive paste is made of one or more hydrocarbon solvents, such a conductive paste was used in a method of forming a pattern of the positive photoresist layer on the ceramic substrate and forming a wiring pattern using the conductive paste. In this case, the solvent of the conductive paste filled in the opening does not dissolve the positive photoresist layer and does not deform the pattern shape of the positive photoresist layer. Also, even if excess conductive paste adheres to the positive photoresist layer, the conductive paste does not fuse and integrate with the positive photoresist layer, and short-circuits occur between wires after firing. Does not occur. Therefore, a fine wiring pattern with high accuracy can be formed.

【００５１】また本発明に係る導体ペースト（２）にあ
っては、導体ペースト（１）においいて、前記炭化水素
系溶剤が２００℃から３５０℃の沸点を有するものであ
るので、導体ペーストの乾燥が早すぎず、遅すぎず、前
記導体ペーストを適切な粘度に長時間保つことが容易と
なり、ハンドリングしやすくすることができる。In the conductor paste (2) according to the present invention, since the hydrocarbon solvent has a boiling point of 200 ° C. to 350 ° C. in the conductor paste (1), the conductor paste is dried. Not too early, not too late, it is easy to keep the conductor paste at an appropriate viscosity for a long time, and it is easy to handle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１（ａ）〜（ｇ）は本発明の実施例１に係る
導体ペーストを、セラミックス基板上にフォトリソグラ
フィー技術を用いてポジ型フォトレジスト層を形成し、
導体ペーストを用いて配線パターンを形成する方法に使
用した場合の各製造工程を示した模式的断面図である。FIGS. 1A to 1G show a conductive paste according to Example 1 of the present invention, and a positive photoresist layer formed on a ceramic substrate by using a photolithography technique;
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing each manufacturing step when used in a method of forming a wiring pattern using a conductive paste.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１ セラミックス基板 １２ ポジ型フォトレジスト層 １５ 開口部 １６ 導体ペースト DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Ceramic substrate 12 Positive photoresist layer 15 Opening 16 Conductor paste

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 一成 山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番１ 株式会社住友金属セラミックス内 (56)参考文献 特開 平２−240996（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−195005（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−138807（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05K 1/09 H01B 1/20 H05K 3/12────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Kazunari Tanaka 2701-1, Iwakura, Higashi-ku, Omine-cho, Mine-shi, Yamaguchi Prefecture (56) References JP-A-2-240996 (JP, A) JP-A-5-195005 (JP, A) JP-A-3-138807 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁶ , DB name) H05K 1/09 H01B 1/20 H05K 3/12

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 セラミックス基板上に形成されたポジ型
フォトレジスト層の開口部に充填される導体ペーストに
おいて、溶剤が炭化水素系溶剤の１種以上からなること
を特徴とする導体ペースト。1. A conductive paste filled in an opening of a positive-type photoresist layer formed on a ceramic substrate, wherein the solvent comprises at least one of hydrocarbon solvents. 【請求項２】 炭化水素系溶剤が２００℃から３５０℃
の沸点を有するものであることを特徴とする請求項１記
載の導体ペースト。2. A hydrocarbon solvent having a temperature of 200 ° C. to 350 ° C.
The conductive paste according to claim 1, having a boiling point of: