JPH07211850A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH07211850A JPH07211850A JP232394A JP232394A JPH07211850A JP H07211850 A JPH07211850 A JP H07211850A JP 232394 A JP232394 A JP 232394A JP 232394 A JP232394 A JP 232394A JP H07211850 A JPH07211850 A JP H07211850A
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- Japan
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- semiconductor chip
- lead
- bonding
- die pad
- pad
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップのボンディングパッドとリード
とを接続するボンディングワイヤを短くし、超低ループ
ワイヤを実現する。 【構成】 ダイパッド２は半導体チップ７を搭載する中
央部２ａとその周辺部２ｂからなり、インナーリード４
を周辺部２ｂの上に絶縁テープ６で固定している。その
際、ダイパッド２の中央部２ａをインナーリード４より
下に位置させ、搭載した半導体チップ７のボンディング
パッド８とインナーリード４の表面とが略同一水平面上
になるように位置決めしている。そして、ボンディング
パッド８とインナーリード４をボンディングワイヤ３で
接続している。 【効果】 電気的にインダクタンスの低減を図ることが
できる。
とを接続するボンディングワイヤを短くし、超低ループ
ワイヤを実現する。 【構成】 ダイパッド２は半導体チップ７を搭載する中
央部２ａとその周辺部２ｂからなり、インナーリード４
を周辺部２ｂの上に絶縁テープ６で固定している。その
際、ダイパッド２の中央部２ａをインナーリード４より
下に位置させ、搭載した半導体チップ７のボンディング
パッド８とインナーリード４の表面とが略同一水平面上
になるように位置決めしている。そして、ボンディング
パッド８とインナーリード４をボンディングワイヤ３で
接続している。 【効果】 電気的にインダクタンスの低減を図ることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップを樹脂
封止した半導体装置に関するものである。
封止した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを樹脂封止した従来の半導
体装置を図４ないし図６を参照しながら説明する。図４
は従来の半導体装置の断面図、図５はその分解斜視図、
図６はその平面図である。
体装置を図４ないし図６を参照しながら説明する。図４
は従来の半導体装置の断面図、図５はその分解斜視図、
図６はその平面図である。
【０００３】従来の半導体装置のリードフレーム１１
は、ダイパッド１２とリードからなり、リードはインナ
ーリード１４と外部端子のアウターリード１５からな
る。このリードフレーム１１は一体成形しているため、
ダイパッド１２とインナーリード１４との間に一定の距
離をとり、ダイパッド１２上に半導体チップ７を搭載
し、半導体チップ７のボンディングパッド８にインナー
リード１４をボンディングワイヤ１３で接続し、樹脂封
止していた。
は、ダイパッド１２とリードからなり、リードはインナ
ーリード１４と外部端子のアウターリード１５からな
る。このリードフレーム１１は一体成形しているため、
ダイパッド１２とインナーリード１４との間に一定の距
離をとり、ダイパッド１２上に半導体チップ７を搭載
し、半導体チップ７のボンディングパッド８にインナー
リード１４をボンディングワイヤ１３で接続し、樹脂封
止していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、リードフレーム１１は一体成形しているた
め、ダイパッド１２とインナーリード１４との間に一定
の距離が必要であり、ボンディングワイヤ１３の長さが
長くなっていた。このようにボンディングワイヤ１３が
長くなると、外部環境から半導体チップ７を保護してい
る封止樹脂９の表面にボンディングワイヤ１３が露出す
る恐れがある。また、ワイヤボンディングした後の封止
工程で、注入樹脂の圧力によりワイヤループ形状が変わ
らないように注意が必要である。また、封止前のワイヤ
ボンディングした後の状態では、耐衝撃性に弱い。特に
超低ループワイヤが必要となる薄型パッケージでは適切
なループコントロールの障害になるという問題があっ
た。
の構成では、リードフレーム１１は一体成形しているた
め、ダイパッド１２とインナーリード１４との間に一定
の距離が必要であり、ボンディングワイヤ１３の長さが
長くなっていた。このようにボンディングワイヤ１３が
長くなると、外部環境から半導体チップ７を保護してい
る封止樹脂９の表面にボンディングワイヤ１３が露出す
る恐れがある。また、ワイヤボンディングした後の封止
工程で、注入樹脂の圧力によりワイヤループ形状が変わ
らないように注意が必要である。また、封止前のワイヤ
ボンディングした後の状態では、耐衝撃性に弱い。特に
超低ループワイヤが必要となる薄型パッケージでは適切
なループコントロールの障害になるという問題があっ
た。
【０００５】この発明の目的は、上記従来の問題を解決
するもので、半導体チップのボンディングパッドとリー
ドとを接続するボンディングワイヤを短くし、超低ルー
プワイヤを実現できる半導体装置を提供することであ
る。
するもので、半導体チップのボンディングパッドとリー
ドとを接続するボンディングワイヤを短くし、超低ルー
プワイヤを実現できる半導体装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置
は、ダイパッドは半導体チップを搭載する中央部とその
周辺部からなり、リードを周辺部の上に周辺部と絶縁し
て固定することにより、搭載した半導体チップのボンデ
ィングパッドとリードの表面とを略同一水平面上に位置
決めしたことを特徴とする。
は、ダイパッドは半導体チップを搭載する中央部とその
周辺部からなり、リードを周辺部の上に周辺部と絶縁し
て固定することにより、搭載した半導体チップのボンデ
ィングパッドとリードの表面とを略同一水平面上に位置
決めしたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】この発明の構成によれば、ダイパッドは中央部
とその周辺部からなり、リードをダイパッドの周辺部の
上に、この周辺部と絶縁して固定することにより、ダイ
パッドの中央部に搭載した半導体チップのボンディング
パッドとリードの表面とを略同一水平面上に位置決めし
ているため、半導体チップとリードとを接近させること
ができる。そのため、半導体チップのボンディングパッ
ドとリードを接続するボンディングワイヤを短くでき、
複雑なループコントロールを必要とせずに、簡易なワイ
ヤボンド装置でも超低ループを実現することができる。
とその周辺部からなり、リードをダイパッドの周辺部の
上に、この周辺部と絶縁して固定することにより、ダイ
パッドの中央部に搭載した半導体チップのボンディング
パッドとリードの表面とを略同一水平面上に位置決めし
ているため、半導体チップとリードとを接近させること
ができる。そのため、半導体チップのボンディングパッ
ドとリードを接続するボンディングワイヤを短くでき、
複雑なループコントロールを必要とせずに、簡易なワイ
ヤボンド装置でも超低ループを実現することができる。
【０００８】
【実施例】この発明の一実施例の半導体装置を図面を参
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の半導
体装置の断面図、図２はその分解斜視図、図３はその平
面図である。図１ないし図３において、１はリードフレ
ーム、２はダイパッド、３はボンディングワイヤ、４は
インナーリード、５はアウターリード、６は絶縁テー
プ、７は半導体チップ、８は半導体チップ７のボンディ
ングパッド、９は封止樹脂である。
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の半導
体装置の断面図、図２はその分解斜視図、図３はその平
面図である。図１ないし図３において、１はリードフレ
ーム、２はダイパッド、３はボンディングワイヤ、４は
インナーリード、５はアウターリード、６は絶縁テー
プ、７は半導体チップ、８は半導体チップ７のボンディ
ングパッド、９は封止樹脂である。
【０００９】この半導体装置は、リードフレーム１が、
インナーリード４およびアウターリード５からなるリー
ドと、ダイパッド２との２重構造になっている。ダイパ
ッド２は半導体チップ７を搭載する中央部２ａとその周
辺部２ｂからなり、インナーリード４を周辺部２ｂの上
に絶縁テープ６で固定している。この際、ダイパッド２
の中央部２ａをインナーリード４より下に位置させ、搭
載した半導体チップ７のボンディングパッド８とインナ
ーリード４の表面とが略同一水平面上になるように位置
決めしている。そして、ボンディングパッド８とインナ
ーリード４をボンディングワイヤ３で接続している。
インナーリード４およびアウターリード５からなるリー
ドと、ダイパッド２との２重構造になっている。ダイパ
ッド２は半導体チップ７を搭載する中央部２ａとその周
辺部２ｂからなり、インナーリード４を周辺部２ｂの上
に絶縁テープ６で固定している。この際、ダイパッド２
の中央部２ａをインナーリード４より下に位置させ、搭
載した半導体チップ７のボンディングパッド８とインナ
ーリード４の表面とが略同一水平面上になるように位置
決めしている。そして、ボンディングパッド８とインナ
ーリード４をボンディングワイヤ３で接続している。
【００１０】この実施例によれば、ダイパッド２の周辺
部２ｂの上にインナーリード４を絶縁テープ６で固定す
ることにより、半導体チップ７とインナーリード４との
間隔を数十〜数百μｍまで短くすることができる。さら
に、ワイヤボンディングする箇所が略同一水平面上にな
るように位置決めしたことにより、半導体チップ７のボ
ンディングパッド８とインナーリード４を接続するボン
ディングワイヤ３を短くでき、複雑なループコントロー
ルを必要とせずに、簡易なワイヤボンド装置でも超低ル
ープを実現することができる。これにより、電気的にも
インダクタンスの低減を図ることができる。
部２ｂの上にインナーリード４を絶縁テープ６で固定す
ることにより、半導体チップ７とインナーリード４との
間隔を数十〜数百μｍまで短くすることができる。さら
に、ワイヤボンディングする箇所が略同一水平面上にな
るように位置決めしたことにより、半導体チップ７のボ
ンディングパッド８とインナーリード４を接続するボン
ディングワイヤ３を短くでき、複雑なループコントロー
ルを必要とせずに、簡易なワイヤボンド装置でも超低ル
ープを実現することができる。これにより、電気的にも
インダクタンスの低減を図ることができる。
【００１１】
【発明の効果】この発明の半導体装置は、ダイパッドが
中央部とその周辺部からなり、リードをダイパッドの周
辺部の上に、この周辺部と絶縁して固定することによ
り、ダイパッドの中央部に搭載した半導体チップのボン
ディングパッドとリードの表面とを略同一水平面上に位
置決めしているため、半導体チップとリードとを接近さ
せることができる。そのため、半導体チップのボンディ
ングパッドとリードを接続するボンディングワイヤを短
くでき、複雑なループコントロールを必要とせずに、簡
易なワイヤボンド装置でも超低ループを実現することが
できる。これにより、電気的にもインダクタンスの低減
を図ることができる。
中央部とその周辺部からなり、リードをダイパッドの周
辺部の上に、この周辺部と絶縁して固定することによ
り、ダイパッドの中央部に搭載した半導体チップのボン
ディングパッドとリードの表面とを略同一水平面上に位
置決めしているため、半導体チップとリードとを接近さ
せることができる。そのため、半導体チップのボンディ
ングパッドとリードを接続するボンディングワイヤを短
くでき、複雑なループコントロールを必要とせずに、簡
易なワイヤボンド装置でも超低ループを実現することが
できる。これにより、電気的にもインダクタンスの低減
を図ることができる。
【図１】この発明の一実施例の半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図２】同実施例の半導体装置の分解斜視図である。
【図３】同実施例の半導体装置の平面図である。
【図４】従来の半導体装置の断面図である。
【図５】従来の半導体装置の分解斜視図である。
【図６】従来の半導体装置の平面図である。
２ ダイパッド ２ａ ダイパッドの中央部 ２ｂ ダイパッドの周辺部 ３ ボンディングワイヤ ４ インナーリード ５ アウターリード ６ 絶縁テープ ７ 半導体チップ ８ ボンディングパッド ９ 封止樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイパッドに搭載した半導体チップのボ
ンディングパッドをボンディングワイヤでリードに接続
して樹脂封止した半導体装置であって、 前記ダイパッドは前記半導体チップを搭載する中央部と
その周辺部からなり、前記リードを前記周辺部の上に前
記周辺部と絶縁して固定することにより、搭載した前記
半導体チップのボンディングパッドと前記リードの表面
とを略同一水平面上に位置決めしたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP232394A JPH07211850A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP232394A JPH07211850A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211850A true JPH07211850A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11526118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP232394A Pending JPH07211850A (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211850A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11103003A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置及び半導体装置のリードフレーム |
| US6208023B1 (en) | 1997-07-31 | 2001-03-27 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame for use with an RF powered semiconductor |
| JP2013030670A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP232394A patent/JPH07211850A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11103003A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置及び半導体装置のリードフレーム |
| US6208023B1 (en) | 1997-07-31 | 2001-03-27 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame for use with an RF powered semiconductor |
| JP2013030670A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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