JPH07207185A - 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト - Google Patents
被覆パラジウム微粉末および導電性ペーストInfo
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- JPH07207185A JPH07207185A JP6022215A JP2221594A JPH07207185A JP H07207185 A JPH07207185 A JP H07207185A JP 6022215 A JP6022215 A JP 6022215A JP 2221594 A JP2221594 A JP 2221594A JP H07207185 A JPH07207185 A JP H07207185A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 空気中などの酸素含有雰囲気下で高温に加熱
した場合に、酸化されにくいパラジウム微粉末、そして
塗布層の焼成過程で厚みの変動が少ないパラジウム微粉
末含有導電性ペーストを提供すること。 【構成】 平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある
パラジウム微粉末の表面にニッケルもしくはニッケルと
他の金属との合金からなる薄膜層が被覆されてなる被覆
パラジウム微粉末、およびこの被覆パラジウム微粉末を
含有する導電性ペースト。
した場合に、酸化されにくいパラジウム微粉末、そして
塗布層の焼成過程で厚みの変動が少ないパラジウム微粉
末含有導電性ペーストを提供すること。 【構成】 平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にある
パラジウム微粉末の表面にニッケルもしくはニッケルと
他の金属との合金からなる薄膜層が被覆されてなる被覆
パラジウム微粉末、およびこの被覆パラジウム微粉末を
含有する導電性ペースト。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被覆パラジウム微粉
末、およびその被覆パラジウム微粉末を含む導電性ペー
ストに関するものである。
末、およびその被覆パラジウム微粉末を含む導電性ペー
ストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層コンデンサ、及びその他の各種の電
子部品の電極層は、一般に銀、白金、金、パラジウムな
どの貴金属粉末と有機バインダとからなる導電性ペース
トを、セラミック基板に膜状に塗布し、これを焼成する
ことにより形成している。このようにして形成された電
極層は実質的に貴金属の連続層となる。貴金属の連続層
は、電気抵抗が少なく、高い導電性を示すため、電極材
料として以前より一般的に利用されてきている。
子部品の電極層は、一般に銀、白金、金、パラジウムな
どの貴金属粉末と有機バインダとからなる導電性ペース
トを、セラミック基板に膜状に塗布し、これを焼成する
ことにより形成している。このようにして形成された電
極層は実質的に貴金属の連続層となる。貴金属の連続層
は、電気抵抗が少なく、高い導電性を示すため、電極材
料として以前より一般的に利用されてきている。
【０００３】上記のような電極層を有する電子部品中で
も、特に積層コンデンサは、セラミック基板（誘電体基
板）上に形成された電極層からなる積層体単位が少なく
とも数層、多い場合には百層を越える数にて積層されて
いる。従って、積層コンデンサを構成する基板や電極層
は、可能な限り薄くする必要があり、特に基板と電極層
とが数十層単位積層された積層コンデンサの電極層は、
近年では層厚が一層当り１μｍ前後あるいはそれ以下と
なるように構成される傾向にある。
も、特に積層コンデンサは、セラミック基板（誘電体基
板）上に形成された電極層からなる積層体単位が少なく
とも数層、多い場合には百層を越える数にて積層されて
いる。従って、積層コンデンサを構成する基板や電極層
は、可能な限り薄くする必要があり、特に基板と電極層
とが数十層単位積層された積層コンデンサの電極層は、
近年では層厚が一層当り１μｍ前後あるいはそれ以下と
なるように構成される傾向にある。
【０００４】上記の積層度の高い積層コンデンサの製造
方法は種々知られているが、製造コストや製造上の操作
性を考慮して、現在では、未焼成セラミック基板（グリ
ーンシートあるいは生シートとも呼ばれる）の表面に導
電性ペースト（貴金属粉末と塗布用の展延補助剤（有機
バインダ）との混合物）を塗布したものを数十層重ね合
わせ、これを焼成炉中で焼成して、未焼成セラミック基
板の焼成と導電性ペースト塗布層中の有機バインダの焼
き飛ばしによる電極層の形成を同時に実施する方法が一
般的に採用されている。
方法は種々知られているが、製造コストや製造上の操作
性を考慮して、現在では、未焼成セラミック基板（グリ
ーンシートあるいは生シートとも呼ばれる）の表面に導
電性ペースト（貴金属粉末と塗布用の展延補助剤（有機
バインダ）との混合物）を塗布したものを数十層重ね合
わせ、これを焼成炉中で焼成して、未焼成セラミック基
板の焼成と導電性ペースト塗布層中の有機バインダの焼
き飛ばしによる電極層の形成を同時に実施する方法が一
般的に採用されている。
【０００５】積層コンデンサのセラミック基板の材料と
しては、その高い誘電体特性や優れた物性を考慮して、
チタン酸バリウムあるいは二酸化チタンなどが一般的に
使用されている。そして、これらの基板材料の焼結温度
が１２００℃付近であるところから、その温度付近で焼
結するパラジウムが電極材料として用いられることが多
くなっている。
しては、その高い誘電体特性や優れた物性を考慮して、
チタン酸バリウムあるいは二酸化チタンなどが一般的に
使用されている。そして、これらの基板材料の焼結温度
が１２００℃付近であるところから、その温度付近で焼
結するパラジウムが電極材料として用いられることが多
くなっている。
【０００６】しかしながら、パラジウム粉末は空気中で
およそ４００℃〜９００℃に加熱されると、その表面が
急激に酸化されるため、短時間のうちに激しい体積膨張
を起すとの問題がある。その場合には、パラジウム粉末
を主成分として含む導電性ペースト層と未焼成セラミッ
ク基板との多数層の積層体は、その焼成の過程で、導電
性ペースト層の急激な膨張のために、厚み方向に変形が
発生するようになる。一旦酸化したパラジウム粉末は、
その後に１０００℃付近から１２００℃付近にまで焼成
されると、分解して酸素を放出してパラジウム電極層と
なる。しかし、パラジウム粉末の表面の酸化による厚み
方向の変形は導電性ペースト層全体に均一に発生すると
は限らないため、焼成過程でバラジウム粉末の酸化と膨
張が急激に発生した場合には、デラミネーションやクラ
ックなどの発生のような構造的欠陥が引き起され、また
得られる電極層が均一の厚さを持ちにくくなる。このよ
うに、積層コンデンサにデラミネーションやクラックが
発生した場合、あるいは電極層に不均一さが発生した場
合には、所定の電気特性が得られなくなる場合があるこ
とから、製品の歩留りが低下することになる。
およそ４００℃〜９００℃に加熱されると、その表面が
急激に酸化されるため、短時間のうちに激しい体積膨張
を起すとの問題がある。その場合には、パラジウム粉末
を主成分として含む導電性ペースト層と未焼成セラミッ
ク基板との多数層の積層体は、その焼成の過程で、導電
性ペースト層の急激な膨張のために、厚み方向に変形が
発生するようになる。一旦酸化したパラジウム粉末は、
その後に１０００℃付近から１２００℃付近にまで焼成
されると、分解して酸素を放出してパラジウム電極層と
なる。しかし、パラジウム粉末の表面の酸化による厚み
方向の変形は導電性ペースト層全体に均一に発生すると
は限らないため、焼成過程でバラジウム粉末の酸化と膨
張が急激に発生した場合には、デラミネーションやクラ
ックなどの発生のような構造的欠陥が引き起され、また
得られる電極層が均一の厚さを持ちにくくなる。このよ
うに、積層コンデンサにデラミネーションやクラックが
発生した場合、あるいは電極層に不均一さが発生した場
合には、所定の電気特性が得られなくなる場合があるこ
とから、製品の歩留りが低下することになる。
【０００７】従来では、焼成過程の導電性ペースト中の
パラジウム粉末の酸化と、それに伴なう体積膨張による
構造的欠陥の発生や電極層の変形は、焼成条件の調整
（例えば、焼成を長時間かけて実施するなど）によっ
て、抑制されてきたが、その抑制効果は充分とはいえ
ず、また焼成時間の延長などの焼成条件の調整は、工業
的な生産にとって非常に不利となるとの問題がある。
パラジウム粉末の酸化と、それに伴なう体積膨張による
構造的欠陥の発生や電極層の変形は、焼成条件の調整
（例えば、焼成を長時間かけて実施するなど）によっ
て、抑制されてきたが、その抑制効果は充分とはいえ
ず、また焼成時間の延長などの焼成条件の調整は、工業
的な生産にとって非常に不利となるとの問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、空気
中などの酸素含有雰囲気下で高温に加熱した場合に、酸
化されにくいパラジウム微粉末を提供することである。
また、本発明は塗布層の焼成過程で厚みの変動が少ない
導電性ペーストを提供することも目的とする。そして、
そのような抗酸化性パラジウムや導電性ペーストを用い
ることによって、上記のパラジウムを電極材料として用
いる積層コンデンサの製造時における構造的欠陥や変形
の発生を低減し、所定の特性を有する高品質な積層コン
デンサを得ることも、その目的としている。
中などの酸素含有雰囲気下で高温に加熱した場合に、酸
化されにくいパラジウム微粉末を提供することである。
また、本発明は塗布層の焼成過程で厚みの変動が少ない
導電性ペーストを提供することも目的とする。そして、
そのような抗酸化性パラジウムや導電性ペーストを用い
ることによって、上記のパラジウムを電極材料として用
いる積層コンデンサの製造時における構造的欠陥や変形
の発生を低減し、所定の特性を有する高品質な積層コン
デンサを得ることも、その目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、平均粒径が
０．１〜１．０μｍの範囲にあるパラジウム微粉末の表
面にニッケルもしくはニッケルと他の金属との合金から
なる薄膜層が被覆されてなる被覆パラジウム微粉末にあ
る。また、本発明は、平均粒径が０．１〜１．０μｍの
パラジウム微粉末と平均粒径が０．１〜１．０μｍの範
囲にあるパラジウム微粉末の表面にニッケルもしくはニ
ッケルと他の金属との合金からなる薄膜層が被覆されて
なる被覆パラジウム微粉末とを含む導電性ペーストにも
ある。さらにまた、本発明は、平均粒径が０．１〜１．
０μｍのパラジウム被覆セラミック微粉末と平均粒径が
０．１〜１．０μｍの範囲にあるパラジウム微粉末の表
面にニッケルもしくはニッケルと他の金属との合金から
なる薄膜層が被覆されてなる被覆パラジウム微粉末とを
含む導電性ペーストにもある。本発明において、被覆パ
ラジウム微粉末の薄膜層は、ニッケルのみ、ニッケルと
銀との合金、ニッケルと銅との合金、あるいはニッケ
ル、銀そして銅の合金からなるものである場合に特に抗
酸化性能が高いので、好ましい。但し、Ｎｉと合金を形
成する他の金属としては、Ａｕ、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｂ
などがあり、Ｎｉとこれらの金属（単独あるいは二種以
上の組合せ）との合金も利用することができる。Ｎｉと
他の金属との合金では、Ｎｉと他の金属との重量比は通
常１：９〜９：１の範囲にあるが、１：４〜４：１の範
囲内にあることが好ましい。なお、ニッケルと銀そして
銅の合金（Ｎｉ−Ａｇ−Ｃｕ）の場合には、同じく重量
比で、１：０．５：０．５〜１：４：２の範囲（Ｎｉ：
Ａｇ：Ｃｕ）にあるのが好ましい。
０．１〜１．０μｍの範囲にあるパラジウム微粉末の表
面にニッケルもしくはニッケルと他の金属との合金から
なる薄膜層が被覆されてなる被覆パラジウム微粉末にあ
る。また、本発明は、平均粒径が０．１〜１．０μｍの
パラジウム微粉末と平均粒径が０．１〜１．０μｍの範
囲にあるパラジウム微粉末の表面にニッケルもしくはニ
ッケルと他の金属との合金からなる薄膜層が被覆されて
なる被覆パラジウム微粉末とを含む導電性ペーストにも
ある。さらにまた、本発明は、平均粒径が０．１〜１．
０μｍのパラジウム被覆セラミック微粉末と平均粒径が
０．１〜１．０μｍの範囲にあるパラジウム微粉末の表
面にニッケルもしくはニッケルと他の金属との合金から
なる薄膜層が被覆されてなる被覆パラジウム微粉末とを
含む導電性ペーストにもある。本発明において、被覆パ
ラジウム微粉末の薄膜層は、ニッケルのみ、ニッケルと
銀との合金、ニッケルと銅との合金、あるいはニッケ
ル、銀そして銅の合金からなるものである場合に特に抗
酸化性能が高いので、好ましい。但し、Ｎｉと合金を形
成する他の金属としては、Ａｕ、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｂ
などがあり、Ｎｉとこれらの金属（単独あるいは二種以
上の組合せ）との合金も利用することができる。Ｎｉと
他の金属との合金では、Ｎｉと他の金属との重量比は通
常１：９〜９：１の範囲にあるが、１：４〜４：１の範
囲内にあることが好ましい。なお、ニッケルと銀そして
銅の合金（Ｎｉ−Ａｇ−Ｃｕ）の場合には、同じく重量
比で、１：０．５：０．５〜１：４：２の範囲（Ｎｉ：
Ａｇ：Ｃｕ）にあるのが好ましい。
【００１０】本発明の平均粒径が０．１〜１．０μｍの
範囲にあるパラジウム微粉末の表面にニッケルもしくは
ニッケルと他の金属との合金からなる薄膜層が被覆され
てなる被覆パラジウム微粉末は、ニッケル錯体（たとえ
ば、アンミン錯体）、あるいはニッケル錯体（たとえ
ば、アンミン錯体）と他の金属錯体（たとえば、アンミ
ン錯体）との水溶液中にパラジウム微粉末を分散させ、
この分散液にヒドラジンなどの還元剤を添加、撹拌し
て、パラジウム微粉末の表面にニッケルあるいはニッケ
ルと他の金属との合金からなる薄膜層を被覆する方法を
利用して製造することができる。
範囲にあるパラジウム微粉末の表面にニッケルもしくは
ニッケルと他の金属との合金からなる薄膜層が被覆され
てなる被覆パラジウム微粉末は、ニッケル錯体（たとえ
ば、アンミン錯体）、あるいはニッケル錯体（たとえ
ば、アンミン錯体）と他の金属錯体（たとえば、アンミ
ン錯体）との水溶液中にパラジウム微粉末を分散させ、
この分散液にヒドラジンなどの還元剤を添加、撹拌し
て、パラジウム微粉末の表面にニッケルあるいはニッケ
ルと他の金属との合金からなる薄膜層を被覆する方法を
利用して製造することができる。
【００１１】本発明で使用するパラジウム微粉末として
は、平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にあるものが
使用されるが、特に平均粒径が０．２〜０．９μｍのも
の、さらには平均粒径が０．４〜０．８μｍのものが好
ましい。本発明の被覆パラジウム微粒子のパラジウム金
属（Ｐｄ）と被覆層を構成するニッケル（Ｎｉ）あるい
はニッケル（Ｎｉ）と他の金属（以下、Ｍｅと略記する
ことがある）との合金との重量比（Ｐｄ：Ｎｉ（Ｎｉ＋
Ｍｅ））は、１００：０．２〜１００：１０の範囲にあ
ることが好ましく、特に１００：０．５〜１００：５．
０の範囲、さらに１００：１．０〜１００：４．５の範
囲にあることが好ましい。従って、本発明のＮｉ等の薄
膜層は、単原子膜あるいはそれに近い薄膜となる。
は、平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にあるものが
使用されるが、特に平均粒径が０．２〜０．９μｍのも
の、さらには平均粒径が０．４〜０．８μｍのものが好
ましい。本発明の被覆パラジウム微粒子のパラジウム金
属（Ｐｄ）と被覆層を構成するニッケル（Ｎｉ）あるい
はニッケル（Ｎｉ）と他の金属（以下、Ｍｅと略記する
ことがある）との合金との重量比（Ｐｄ：Ｎｉ（Ｎｉ＋
Ｍｅ））は、１００：０．２〜１００：１０の範囲にあ
ることが好ましく、特に１００：０．５〜１００：５．
０の範囲、さらに１００：１．０〜１００：４．５の範
囲にあることが好ましい。従って、本発明のＮｉ等の薄
膜層は、単原子膜あるいはそれに近い薄膜となる。
【００１２】なお、本発明で使用するパラジウム微粉末
としては、チタン酸バリウムや二酸化チタンなどのセラ
ミックの微粒子あるいはアルミニウムなどの卑金属の微
粒子を核として、その周囲にパラジウム皮膜を形成させ
たパラジウム被覆セラミック粒子あるいはパラジウム被
覆卑金属粒子を用いることもできる。そのような、パラ
ジウム被覆セラミック粒子としては、本願出願人の出願
になる特願平４−２６０６８９号（平成４年９月３日出
願）に記載の、貴金属塩の水溶液中にセラミック粉末を
分散させた分散液に還元剤を添加し、セラミック粉末の
表面に貴金属薄膜層を形成させる工程、そして、この貴
金属薄膜層を有するセラミック粉末を、貴金属塩と水溶
性ポリマーとを含む水溶液に分散させ、次いで該分散液
に還元剤を添加して、貴金属層をセラミック粉末の表面
の貴金属薄膜層の周囲に形成させることからなる方法を
利用して得たものが有利に用いることができる。この、
貴金属層を重ねる方法は、従来の化学メッキを改良した
方法ということができる。すなわち、貴金属塩の水溶液
に分散させたセラミック粉末を含む分散液に還元剤を添
加して貴金属塩を還元し、セラミック粉末の表面に貴金
属を析出させて貴金属被覆層を形成させるという公知の
化学メッキ法を利用する方法であるが、セラミック粉末
あるいは貴金属被覆粒子の凝集を抑制して、セラミック
相の露出が殆どなく、かつ純度の高い、すなわちセラミ
ック成分の混在が少ない貴金属被覆層を形成させる改良
方法である。
としては、チタン酸バリウムや二酸化チタンなどのセラ
ミックの微粒子あるいはアルミニウムなどの卑金属の微
粒子を核として、その周囲にパラジウム皮膜を形成させ
たパラジウム被覆セラミック粒子あるいはパラジウム被
覆卑金属粒子を用いることもできる。そのような、パラ
ジウム被覆セラミック粒子としては、本願出願人の出願
になる特願平４−２６０６８９号（平成４年９月３日出
願）に記載の、貴金属塩の水溶液中にセラミック粉末を
分散させた分散液に還元剤を添加し、セラミック粉末の
表面に貴金属薄膜層を形成させる工程、そして、この貴
金属薄膜層を有するセラミック粉末を、貴金属塩と水溶
性ポリマーとを含む水溶液に分散させ、次いで該分散液
に還元剤を添加して、貴金属層をセラミック粉末の表面
の貴金属薄膜層の周囲に形成させることからなる方法を
利用して得たものが有利に用いることができる。この、
貴金属層を重ねる方法は、従来の化学メッキを改良した
方法ということができる。すなわち、貴金属塩の水溶液
に分散させたセラミック粉末を含む分散液に還元剤を添
加して貴金属塩を還元し、セラミック粉末の表面に貴金
属を析出させて貴金属被覆層を形成させるという公知の
化学メッキ法を利用する方法であるが、セラミック粉末
あるいは貴金属被覆粒子の凝集を抑制して、セラミック
相の露出が殆どなく、かつ純度の高い、すなわちセラミ
ック成分の混在が少ない貴金属被覆層を形成させる改良
方法である。
【００１３】上記のパラジウム被覆セラミック粒子の核
となるセラミック粉末の材料成分については特に制限が
ないが、通常の電子部品の製造に用いられる各種のセラ
ミック製基板の材料から任意に選んだ材料から形成され
たものが用いられる。そのようなセラミック材料として
は、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、二酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素などの酸化物粉末、
そしてＰｂＴｉ０3 、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3
の略称）、ＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
3 の略称）、もしくはＰＭＮ（Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の略称）にて表わされる金属酸化物、あるい
はこれらの金属酸化物を主成分として含む金属酸化物の
粒子などの微粒子状の圧電または電歪セラミック粒子粉
末を挙げることができる。
となるセラミック粉末の材料成分については特に制限が
ないが、通常の電子部品の製造に用いられる各種のセラ
ミック製基板の材料から任意に選んだ材料から形成され
たものが用いられる。そのようなセラミック材料として
は、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、二酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素などの酸化物粉末、
そしてＰｂＴｉ０3 、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3
の略称）、ＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
3 の略称）、もしくはＰＭＮ（Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の略称）にて表わされる金属酸化物、あるい
はこれらの金属酸化物を主成分として含む金属酸化物の
粒子などの微粒子状の圧電または電歪セラミック粒子粉
末を挙げることができる。
【００１４】上記のセラミック粉末の粒子径についても
特に制限はないが、粒子径３μｍ以下、特に１μｍ以下
のセラミック微粒子粉末を貴金属で高純度に被覆するこ
とができるので、この被覆方法の実施に際しては、この
ような微粒子状のセラミック粉末を選ぶことが有利であ
る。なお、この被覆方法によれば、粒子径が０．８μｍ
以下、更には粒子径０．５μｍ以下といった超微粉末の
均質な貴金属被覆が実現する。
特に制限はないが、粒子径３μｍ以下、特に１μｍ以下
のセラミック微粒子粉末を貴金属で高純度に被覆するこ
とができるので、この被覆方法の実施に際しては、この
ような微粒子状のセラミック粉末を選ぶことが有利であ
る。なお、この被覆方法によれば、粒子径が０．８μｍ
以下、更には粒子径０．５μｍ以下といった超微粉末の
均質な貴金属被覆が実現する。
【００１５】次に、上記の貴金属被覆セラミック粉末の
製造法における操作について詳しく説明する。上記の貴
金属被覆セラミック粉末の製造法では、まず貴金属の塩
を水に溶解して貴金属の水溶液を調製し、次いでこれに
セラミック粉末を均一に分散させて、一次分散液を得
る。なお、セラミック粉末の水分散液を先に調製し、こ
れに水溶性貴金属塩を溶解させる方法を利用することも
できる。水溶性の貴金属の塩としては、テトラクロロパ
ラジウム酸アンモニウム塩、テトラアンミンパラジウム
ジクロライド、テトラクロロ白金酸アンモニウム塩、テ
トラアンミン白金ジクロライドなどの各種の貴金属の塩
（あるいは錯体）を利用することができる。なお、一次
分散液に、水溶性の貴金属の塩とセラミック粉末以外の
ほかの物質（例えば、水溶性ポリマー）は少量であれば
添加してもよい。ただし、例えば、水溶性ポリマーを添
加する場合には、その添加量は後述の二次分散液への水
溶性ポリマーの添加量に比較して少ない量とする必要が
ある。
製造法における操作について詳しく説明する。上記の貴
金属被覆セラミック粉末の製造法では、まず貴金属の塩
を水に溶解して貴金属の水溶液を調製し、次いでこれに
セラミック粉末を均一に分散させて、一次分散液を得
る。なお、セラミック粉末の水分散液を先に調製し、こ
れに水溶性貴金属塩を溶解させる方法を利用することも
できる。水溶性の貴金属の塩としては、テトラクロロパ
ラジウム酸アンモニウム塩、テトラアンミンパラジウム
ジクロライド、テトラクロロ白金酸アンモニウム塩、テ
トラアンミン白金ジクロライドなどの各種の貴金属の塩
（あるいは錯体）を利用することができる。なお、一次
分散液に、水溶性の貴金属の塩とセラミック粉末以外の
ほかの物質（例えば、水溶性ポリマー）は少量であれば
添加してもよい。ただし、例えば、水溶性ポリマーを添
加する場合には、その添加量は後述の二次分散液への水
溶性ポリマーの添加量に比較して少ない量とする必要が
ある。
【００１６】次に、上記の貴金属塩水溶液にセラミック
粉末を分散させてなるセラミック分散液（一次分散液）
を撹拌しながら、この分散液に還元剤を添加する。還元
剤としては、ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、ギ酸、ホル
マリン、次亜リン酸などのような公知の化学メッキ法で
利用される還元剤が一般的に用いられる。還元剤は、通
常水溶液として、上記の一次分散液に加える。あるい
は、上記の一次分散液を還元剤水溶液に添加してもよ
い。この一次分散液と還元剤水溶液との混合により、セ
ラミック粉末の表面に貴金属薄膜（単原子膜あるいはそ
れに近い薄膜）が形成される。
粉末を分散させてなるセラミック分散液（一次分散液）
を撹拌しながら、この分散液に還元剤を添加する。還元
剤としては、ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、ギ酸、ホル
マリン、次亜リン酸などのような公知の化学メッキ法で
利用される還元剤が一般的に用いられる。還元剤は、通
常水溶液として、上記の一次分散液に加える。あるい
は、上記の一次分散液を還元剤水溶液に添加してもよ
い。この一次分散液と還元剤水溶液との混合により、セ
ラミック粉末の表面に貴金属薄膜（単原子膜あるいはそ
れに近い薄膜）が形成される。
【００１７】次いで、上記の表面に貴金属薄膜層が形成
されたセラミック粉末（一次被覆セラミック粉末と呼
ぶ）を分散液から取り出したのち、この一次被覆セラミ
ック粉末を今度は、貴金属塩と水溶性ポリマーとを含む
水溶液に分散させて、二次分散液を調製する。ただし、
一次被覆セラミック粉末は必ずしも一次分散液から分離
する必要はなく、一次被覆セラミック粉末を含む一次分
散液に、貴金属塩と水溶性ポリマーとを添加して、二次
分散液を調製することもできる。
されたセラミック粉末（一次被覆セラミック粉末と呼
ぶ）を分散液から取り出したのち、この一次被覆セラミ
ック粉末を今度は、貴金属塩と水溶性ポリマーとを含む
水溶液に分散させて、二次分散液を調製する。ただし、
一次被覆セラミック粉末は必ずしも一次分散液から分離
する必要はなく、一次被覆セラミック粉末を含む一次分
散液に、貴金属塩と水溶性ポリマーとを添加して、二次
分散液を調製することもできる。
【００１８】二次分散液を調製する際に用いる貴金属塩
（水溶性貴金属）は、一次分散液を調製するに用いた水
溶性貴金属塩と同一であっても、あるいは別の水溶性貴
金属塩であってもよい。
（水溶性貴金属）は、一次分散液を調製するに用いた水
溶性貴金属塩と同一であっても、あるいは別の水溶性貴
金属塩であってもよい。
【００１９】二次分散液を調製するために用いられる水
溶性ポリマーに特に制限はないが、水溶性ポリマーとし
ては、セラミック微粉末分散性の良い、ヒドロキシエチ
ルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチル
セルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒド
ロキシプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセ
ルロースなどのような水溶性セルロース誘導体を用いる
ことが望ましい。ただし、ゼラチン、カゼインなどの水
溶性天然物ポリマー、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドンなどの水溶性合成高分子化合物を用いても
よい。
溶性ポリマーに特に制限はないが、水溶性ポリマーとし
ては、セラミック微粉末分散性の良い、ヒドロキシエチ
ルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチル
セルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒド
ロキシプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセ
ルロースなどのような水溶性セルロース誘導体を用いる
ことが望ましい。ただし、ゼラチン、カゼインなどの水
溶性天然物ポリマー、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドンなどの水溶性合成高分子化合物を用いても
よい。
【００２０】次いで、上記の貴金属塩と水溶性ポリマー
とを含む水溶液に一次被覆セラミック粉末を分散させて
なる二次分散液を撹拌しながら、この分散液に還元剤を
添加する。還元剤としては、原則として、一次被覆セラ
ミック粉末を生成させるために用いた還元剤が用いられ
るが、必ずしも同一である必要はない。この二次分散液
と還元剤（還元剤水溶液）との混合により、一次被覆セ
ラミック粉末の表面に一次被覆層よりはるかに厚い貴金
属層が形成される。
とを含む水溶液に一次被覆セラミック粉末を分散させて
なる二次分散液を撹拌しながら、この分散液に還元剤を
添加する。還元剤としては、原則として、一次被覆セラ
ミック粉末を生成させるために用いた還元剤が用いられ
るが、必ずしも同一である必要はない。この二次分散液
と還元剤（還元剤水溶液）との混合により、一次被覆セ
ラミック粉末の表面に一次被覆層よりはるかに厚い貴金
属層が形成される。
【００２１】次いで、上記の表面に貴金属層が積層形成
されたセラミック粉末（二次被覆セラミック粉末と呼
ぶ）を、分散液から取り出したのち乾燥して、目的の貴
金属被覆セラミック粉末を得る。
されたセラミック粉末（二次被覆セラミック粉末と呼
ぶ）を、分散液から取り出したのち乾燥して、目的の貴
金属被覆セラミック粉末を得る。
【００２２】上記の製造法によって貴金属被覆セラミッ
ク粉末を得る場合、芯部（核、あるいはコア）となるセ
ラミック部と、被覆層（シェル）となる貴金属部との比
率は通常、セラミック：貴金属を５：９５〜８０：２０
（重量比）とする。特に、セラミック：貴金属が、１
０：９０〜５０：５０（重量比）のものが好ましい。
ク粉末を得る場合、芯部（核、あるいはコア）となるセ
ラミック部と、被覆層（シェル）となる貴金属部との比
率は通常、セラミック：貴金属を５：９５〜８０：２０
（重量比）とする。特に、セラミック：貴金属が、１
０：９０〜５０：５０（重量比）のものが好ましい。
【００２３】本発明の、ニッケルあるいはニッケルと他
の金属との合金からなる薄膜層で被覆されたパラジウム
微粉末は、それ単独で導電性ペーストの導電性材料とし
て用いることができるが、他のパラジウム微粉末（平均
粒径が０．１〜１．０μｍのパラジウム微粉末であるこ
とが好ましい）および／またはパラジウム被覆セラミッ
ク微粉末（平均粒径が０．１〜１．０μｍで、前記の方
法によって得られたパラジウム被覆セラミック微粉末で
あることが好ましい）と組合せて用いることが好まし
い。この場合、本発明の被覆パラジウム微粉末と、後者
のパラジウム微粉末あるいはパラジウム被覆セラミック
微粉末との重量比は、９：１〜１：９の範囲、特に８：
２〜２：８の範囲にあるのが好ましい。
の金属との合金からなる薄膜層で被覆されたパラジウム
微粉末は、それ単独で導電性ペーストの導電性材料とし
て用いることができるが、他のパラジウム微粉末（平均
粒径が０．１〜１．０μｍのパラジウム微粉末であるこ
とが好ましい）および／またはパラジウム被覆セラミッ
ク微粉末（平均粒径が０．１〜１．０μｍで、前記の方
法によって得られたパラジウム被覆セラミック微粉末で
あることが好ましい）と組合せて用いることが好まし
い。この場合、本発明の被覆パラジウム微粉末と、後者
のパラジウム微粉末あるいはパラジウム被覆セラミック
微粉末との重量比は、９：１〜１：９の範囲、特に８：
２〜２：８の範囲にあるのが好ましい。
【００２４】本発明の被覆パラジウム微粉末を含む導電
性ペーストの製造は、従来より知られている方法を利用
することができ、たとえば、被覆パラジウム微粉末に適
当な添加剤（例、ブチルフタリルブチラール）、有機バ
インダ（例、エチルセルロース、ポリビニルブチラー
ル）、溶剤（例、テルピネオール、ブタノール）などを
添加混合して導電性ペーストとする方法を利用すること
ができる。
性ペーストの製造は、従来より知られている方法を利用
することができ、たとえば、被覆パラジウム微粉末に適
当な添加剤（例、ブチルフタリルブチラール）、有機バ
インダ（例、エチルセルロース、ポリビニルブチラー
ル）、溶剤（例、テルピネオール、ブタノール）などを
添加混合して導電性ペーストとする方法を利用すること
ができる。
【００２５】導電性ペーストを基板に塗布し、電極を製
造する方法は一般的に利用されており、本発明の貴金属
被覆セラミック粉末を用いた導電性ペーストを用いる場
合も同様に処理して電極とすることができる。また、積
層コンデンサを製造する方法自体も従来より知られてい
る方法を利用することができる。
造する方法は一般的に利用されており、本発明の貴金属
被覆セラミック粉末を用いた導電性ペーストを用いる場
合も同様に処理して電極とすることができる。また、積
層コンデンサを製造する方法自体も従来より知られてい
る方法を利用することができる。
【００２６】
［実施例１］ （１）パラジウム微粉末の製造 ジアンミンクロロパラジウム［ＰｄＣｌ2 （ＮＨ3 ）
2 ］２０ｇ（Ｐｄとして１０ｇ）を、市販アンモニア水
（約２８％）２４ｍＬと水７０ｍＬとの混合液に溶解
し、次いで水を加えて溶液量を１００ｍＬに調整した。
この溶液に、エチレンジアミン０．６ｇ、安息香酸アン
モニウム水溶液（１０％）１４ｍＬ、そしてカルボキシ
メチルセルロース水溶液（１％）４０ｍＬを添加し、次
いで３０℃に加温した後、ヒドラジン水溶液（２０％）
１５ｍＬを添加し、温度を３０〜４０℃に維持しながら
１時間撹拌すると、還元によりパラジウム微粉末が析出
した。このものを濾過により分離し、洗浄、乾燥するこ
とによって１０ｇのパラジウム微粉末（平均粒径０．８
μｍ）を得た。 （２）Ｎｉ−Ａｇ合金被覆パラジウム微粉末の製造 上記パラジウム微粉末に、ジアンミン銀クロライド［Ａ
ｇ（ＮＨ3 ）2 ］Ｃｌ水溶液（Ａｇとして０．２ｇ含む
もの）およびヘキサアンミンニッケルジクロライド［Ｎ
ｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ2 水溶液（Ｎｉとして０．２ｇ含
むもの）を添加し、次いでこれにヒドラジン水溶液（１
０％）２０ｍＬを添加し、温度を７０℃以下に維持しな
がら１．５時間加熱撹拌すると、還元により銀とニッケ
ルとがパラジウム微粉末の表面に均一に析出して、薄膜
被覆層を形成した。このものを濾過により分離し、洗
浄、乾燥することによって１０．４ｇのＮｉ−Ａｇ（重
量比１：１、合計０．４ｇ）の合金薄膜層で被覆された
パラジウム微粉末（平均粒径０．８μｍ）を得た。
2 ］２０ｇ（Ｐｄとして１０ｇ）を、市販アンモニア水
（約２８％）２４ｍＬと水７０ｍＬとの混合液に溶解
し、次いで水を加えて溶液量を１００ｍＬに調整した。
この溶液に、エチレンジアミン０．６ｇ、安息香酸アン
モニウム水溶液（１０％）１４ｍＬ、そしてカルボキシ
メチルセルロース水溶液（１％）４０ｍＬを添加し、次
いで３０℃に加温した後、ヒドラジン水溶液（２０％）
１５ｍＬを添加し、温度を３０〜４０℃に維持しながら
１時間撹拌すると、還元によりパラジウム微粉末が析出
した。このものを濾過により分離し、洗浄、乾燥するこ
とによって１０ｇのパラジウム微粉末（平均粒径０．８
μｍ）を得た。 （２）Ｎｉ−Ａｇ合金被覆パラジウム微粉末の製造 上記パラジウム微粉末に、ジアンミン銀クロライド［Ａ
ｇ（ＮＨ3 ）2 ］Ｃｌ水溶液（Ａｇとして０．２ｇ含む
もの）およびヘキサアンミンニッケルジクロライド［Ｎ
ｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ2 水溶液（Ｎｉとして０．２ｇ含
むもの）を添加し、次いでこれにヒドラジン水溶液（１
０％）２０ｍＬを添加し、温度を７０℃以下に維持しな
がら１．５時間加熱撹拌すると、還元により銀とニッケ
ルとがパラジウム微粉末の表面に均一に析出して、薄膜
被覆層を形成した。このものを濾過により分離し、洗
浄、乾燥することによって１０．４ｇのＮｉ−Ａｇ（重
量比１：１、合計０．４ｇ）の合金薄膜層で被覆された
パラジウム微粉末（平均粒径０．８μｍ）を得た。
【００２７】［実施例２］ （１）Ｎｉ−Ａｇ−Ｃｕ合金被覆パラジウム微粉末の製
造 実施例１の（１）で得たパラジウム微粉末に、ジアンミ
ン銀クロライド［Ａｇ（ＮＨ3 ）2 ］Ｃｌ水溶液（Ａｇ
として０．２ｇ含むもの）、ヘキサアンミンニッケルジ
クロライド［Ｎｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ2 水溶液（Ｎｉと
して０．１ｇ含むもの）、そしてテトラアンミン銅ジク
ロライド［Ｃｕ（ＮＨ3 ）4 ］Ｃｌ2 水溶液（Ｃｕとし
て０．１ｇ含むもの）を添加し、次いでこれにヒロラジ
ン水溶液（１０％）４０ｍＬを添加し、温度を７０℃以
下に維持しながら１．５時間加熱撹拌すると、還元によ
り銀とニッケルと銅がパラジウム微粉末の表面に均一に
析出して、薄膜被覆層を形成した。このものを濾過によ
り分離し、洗浄、乾燥することにより１０．４ｇのＮｉ
−Ａｇ−Ｃｕ（重量比１：２：１、合計０．４ｇ）の合
金薄膜層で被覆されたパラジウム微粉末（平均粒径０．
８μｍ）を得た。
造 実施例１の（１）で得たパラジウム微粉末に、ジアンミ
ン銀クロライド［Ａｇ（ＮＨ3 ）2 ］Ｃｌ水溶液（Ａｇ
として０．２ｇ含むもの）、ヘキサアンミンニッケルジ
クロライド［Ｎｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ2 水溶液（Ｎｉと
して０．１ｇ含むもの）、そしてテトラアンミン銅ジク
ロライド［Ｃｕ（ＮＨ3 ）4 ］Ｃｌ2 水溶液（Ｃｕとし
て０．１ｇ含むもの）を添加し、次いでこれにヒロラジ
ン水溶液（１０％）４０ｍＬを添加し、温度を７０℃以
下に維持しながら１．５時間加熱撹拌すると、還元によ
り銀とニッケルと銅がパラジウム微粉末の表面に均一に
析出して、薄膜被覆層を形成した。このものを濾過によ
り分離し、洗浄、乾燥することにより１０．４ｇのＮｉ
−Ａｇ−Ｃｕ（重量比１：２：１、合計０．４ｇ）の合
金薄膜層で被覆されたパラジウム微粉末（平均粒径０．
８μｍ）を得た。
【００２８】［実施例３］ （１）Ｎｉ被覆パラジウム微粉末の製造 実施例１の（１）で得たパラジウム微粉末に、ヘキサア
ンミンニッケルジクロライド［Ｎｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ
2 水溶液（Ｎｉとして０．４ｇ含むもの）を添加し、次
いでこれに水素化ホウ素ナトリウム０．２ｇを添加し、
温度を７０℃以下に維持しながら１．５時間加熱撹拌す
ると、還元によりニッケルがパラジウム微粉末の表面に
均一に析出して、薄膜被覆層を形成した。このものを濾
過により分離し、洗浄、乾燥することによって１０．４
ｇのＮｉ（０．４ｇ）の薄膜層で被覆されたパラジウム
微粉末（平均粒径０．８μｍ）を得た。
ンミンニッケルジクロライド［Ｎｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ
2 水溶液（Ｎｉとして０．４ｇ含むもの）を添加し、次
いでこれに水素化ホウ素ナトリウム０．２ｇを添加し、
温度を７０℃以下に維持しながら１．５時間加熱撹拌す
ると、還元によりニッケルがパラジウム微粉末の表面に
均一に析出して、薄膜被覆層を形成した。このものを濾
過により分離し、洗浄、乾燥することによって１０．４
ｇのＮｉ（０．４ｇ）の薄膜層で被覆されたパラジウム
微粉末（平均粒径０．８μｍ）を得た。
【００２９】［実施例４］ （１）Ｎｉ−Ｃｕ合金被覆パラジウム微粉末の製造 実施例１の（１）で得たパラジウム微粉末に、ヘキサア
ンミンニッケルジクロライド［Ｎｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ
2 水溶液（Ｎｉとして０．２ｇ含むもの）そしてテトラ
アンミン銅ジクロライド［Ｃｕ（ＮＨ3 ）4 ］Ｃｌ2 水
溶液（Ｃｕとして０．２ｇ含むもの）を添加し、次いで
これにヒドラジン水溶液（１０％）４０ｍＬを添加し、
温度を７０℃以下に維持しながら１．５時間加熱撹拌す
ると、還元によりニッケルと銅がパラジウム微粉末の表
面に均一に析出して、薄膜被覆層を形成した。このもの
を濾過分離し、洗浄、乾燥することによって１０．４ｇ
のＮｉ−Ｃｕ（重量比１：１、合計０．４ｇ）の合金薄
膜層で被覆されたパラジウム微粉末（平均粒径０．８μ
ｍ）を得た。
ンミンニッケルジクロライド［Ｎｉ（ＮＨ3 ）6 ］Ｃｌ
2 水溶液（Ｎｉとして０．２ｇ含むもの）そしてテトラ
アンミン銅ジクロライド［Ｃｕ（ＮＨ3 ）4 ］Ｃｌ2 水
溶液（Ｃｕとして０．２ｇ含むもの）を添加し、次いで
これにヒドラジン水溶液（１０％）４０ｍＬを添加し、
温度を７０℃以下に維持しながら１．５時間加熱撹拌す
ると、還元によりニッケルと銅がパラジウム微粉末の表
面に均一に析出して、薄膜被覆層を形成した。このもの
を濾過分離し、洗浄、乾燥することによって１０．４ｇ
のＮｉ−Ｃｕ（重量比１：１、合計０．４ｇ）の合金薄
膜層で被覆されたパラジウム微粉末（平均粒径０．８μ
ｍ）を得た。
【００３０】［被覆および未被覆パラジウム微粉末の抗
酸化性］実施例１で得た未被覆パラジウム粉末とＮｉ−
Ａｇ被覆パラジウム粉末、実施例２で得たＮｉ−Ａｇ−
Ｃｕ被覆パラジウム粉末、及び実施例３で得たＮｉ被覆
パラジウム粉末のそれぞれについて下記の方法によって
抗酸化性を評価した。試料粉末を９５ｍｇを石英製マイ
クロセル上に載せ、この状態でＴＧ−ＤＴＡ測定装置
（真空理工株式会社製、商品名：ＴＧＤ−７０００Ｒ
Ｈ）を用い、室温から９５０℃まで、昇温速度１０℃／
分で加熱し、ＴＧ（重量）の変化を測定して、酸化の進
行をを測定した。得られた結果を添付図面の図１に示
す。図１の結果から、本発明に従ってニッケルあるいは
ニッケル合金の薄膜で被覆したパラジウム微粉末は、未
被覆のパラジウム微粉末に比較して酸化が大幅に低減す
ることがわかる。特にニッケルのみで被覆したパラジウ
ム微粉末は、酸化されにくくなっている。ただし、ニッ
ケルのみで被覆したパラジウム微粉末は、ニッケル合金
で被覆されたパラジウム微粉末に比べて酸化がより低温
側で開始するとの不利な点もある。
酸化性］実施例１で得た未被覆パラジウム粉末とＮｉ−
Ａｇ被覆パラジウム粉末、実施例２で得たＮｉ−Ａｇ−
Ｃｕ被覆パラジウム粉末、及び実施例３で得たＮｉ被覆
パラジウム粉末のそれぞれについて下記の方法によって
抗酸化性を評価した。試料粉末を９５ｍｇを石英製マイ
クロセル上に載せ、この状態でＴＧ−ＤＴＡ測定装置
（真空理工株式会社製、商品名：ＴＧＤ−７０００Ｒ
Ｈ）を用い、室温から９５０℃まで、昇温速度１０℃／
分で加熱し、ＴＧ（重量）の変化を測定して、酸化の進
行をを測定した。得られた結果を添付図面の図１に示
す。図１の結果から、本発明に従ってニッケルあるいは
ニッケル合金の薄膜で被覆したパラジウム微粉末は、未
被覆のパラジウム微粉末に比較して酸化が大幅に低減す
ることがわかる。特にニッケルのみで被覆したパラジウ
ム微粉末は、酸化されにくくなっている。ただし、ニッ
ケルのみで被覆したパラジウム微粉末は、ニッケル合金
で被覆されたパラジウム微粉末に比べて酸化がより低温
側で開始するとの不利な点もある。
【００３１】［導電性ペーストの製造］ （１）導電性ペーストＩの製造 上記の実施例１と２で得たニッケルの合金で被覆された
パラジウム微粉末のいずれか７０重量％と下記の方法で
製造したパラジウム被覆チタン酸バリウム微粉末３０重
量％の混合物１００重量部、エチルセルロース５重量
部、そしてテルピネオール７５重量部を３本ロールミル
を用いて充分に混練し、導電性ペーストＩを得た。な
お、比較のために、上記のニッケル合金被覆パラジウム
微粉末の代りに実施例１で製造した未被覆パラジウムを
用いた以外は上記と同様にして比較用導電性ペーストＩ
を得た。
パラジウム微粉末のいずれか７０重量％と下記の方法で
製造したパラジウム被覆チタン酸バリウム微粉末３０重
量％の混合物１００重量部、エチルセルロース５重量
部、そしてテルピネオール７５重量部を３本ロールミル
を用いて充分に混練し、導電性ペーストＩを得た。な
お、比較のために、上記のニッケル合金被覆パラジウム
微粉末の代りに実施例１で製造した未被覆パラジウムを
用いた以外は上記と同様にして比較用導電性ペーストＩ
を得た。
【００３２】パラジウム被覆チタン酸バリウム微粉末の
製造 １）パラジウム一次被覆チタン酸バリウム微粉末の製造 ２．０ｇのチタン酸バリウム微粉末（ＢａＴｉＯ3 、平
均粒径０．２μｍ、比表面積１２．７ｍ2/ｇ）と３．２
ｍＬのテトラクロロパラジウム酸アンモニウム水溶液
（金属パラジウムに換算して１ｇ／１００ｍＬの濃度の
水溶液）とを純水２００ｍＬに添加して、テトラクロロ
パラジウム酸アンモニウムの水溶液にチタン酸バリウム
微粉末が分散された一次分散液を調製した。この一次分
散液を、室温にて撹拌しながら、これに１．２ｍＬの抱
水ヒドラジン水溶液（１００％抱水ヒドラジン１ｍＬを
１００ｍＬの純水で希釈したもの）を添加した。この抱
水ヒドラジン水溶液の添加により、微量の金属パラジウ
ムがチタン酸バリウム微粉末の表面に均一に析出して、
パラジウム一次被覆チタン酸バリウム微粉末が生成し
た。 ２）パラジウム二次被覆チタン酸バリウム微粉末の製造 上記のパラジウム一次被覆チタン酸バリウム微粉末を取
り出して乾燥させたのち、これをヒドロキシエチルセル
ロース水溶液（０．２ｇ／５００ｍＬ）に均一に充分に
分散させ、懸濁させた。この分散液に、今度は、テトラ
アンミンパラジウムジクロライド水溶液（金属パラジウ
ム（Ｐｄ）に換算して１８．０ｇ含有）を添加して、二
次分散液を調製した。次いで、二次分散液を撹拌しなが
ら、これに室温にて、抱水ヒドラジン水溶液（１００％
抱水ヒドラジン５．４ｍＬ含有）をゆっくりと添加し
た。この抱水ヒドラジン水溶液の添加により、黒灰色の
被覆層を有するチタン酸バリウム微粉末が得られた。こ
れを濾別し、水洗し、次いで乾燥して乾燥微粉末を得
た。この乾燥微粉末（二次被覆粒子）を走査型電子顕微
鏡で観察したところ、凝集がほとんど見られない均質な
粉末であることが確認された。なお、この二次被覆粒子
は、９０重量％の金属パラジウムと１０重量％のチタン
酸バリウムとからなっていた。
製造 １）パラジウム一次被覆チタン酸バリウム微粉末の製造 ２．０ｇのチタン酸バリウム微粉末（ＢａＴｉＯ3 、平
均粒径０．２μｍ、比表面積１２．７ｍ2/ｇ）と３．２
ｍＬのテトラクロロパラジウム酸アンモニウム水溶液
（金属パラジウムに換算して１ｇ／１００ｍＬの濃度の
水溶液）とを純水２００ｍＬに添加して、テトラクロロ
パラジウム酸アンモニウムの水溶液にチタン酸バリウム
微粉末が分散された一次分散液を調製した。この一次分
散液を、室温にて撹拌しながら、これに１．２ｍＬの抱
水ヒドラジン水溶液（１００％抱水ヒドラジン１ｍＬを
１００ｍＬの純水で希釈したもの）を添加した。この抱
水ヒドラジン水溶液の添加により、微量の金属パラジウ
ムがチタン酸バリウム微粉末の表面に均一に析出して、
パラジウム一次被覆チタン酸バリウム微粉末が生成し
た。 ２）パラジウム二次被覆チタン酸バリウム微粉末の製造 上記のパラジウム一次被覆チタン酸バリウム微粉末を取
り出して乾燥させたのち、これをヒドロキシエチルセル
ロース水溶液（０．２ｇ／５００ｍＬ）に均一に充分に
分散させ、懸濁させた。この分散液に、今度は、テトラ
アンミンパラジウムジクロライド水溶液（金属パラジウ
ム（Ｐｄ）に換算して１８．０ｇ含有）を添加して、二
次分散液を調製した。次いで、二次分散液を撹拌しなが
ら、これに室温にて、抱水ヒドラジン水溶液（１００％
抱水ヒドラジン５．４ｍＬ含有）をゆっくりと添加し
た。この抱水ヒドラジン水溶液の添加により、黒灰色の
被覆層を有するチタン酸バリウム微粉末が得られた。こ
れを濾別し、水洗し、次いで乾燥して乾燥微粉末を得
た。この乾燥微粉末（二次被覆粒子）を走査型電子顕微
鏡で観察したところ、凝集がほとんど見られない均質な
粉末であることが確認された。なお、この二次被覆粒子
は、９０重量％の金属パラジウムと１０重量％のチタン
酸バリウムとからなっていた。
【００３３】（２）導電性ペーストＩＩの製造 上記の実施例１〜３で得たニッケルあるいはニッケルの
合金で被覆されたパラジウム微粉末のいずれか７０重量
％と実施例１で得たパラジウム微粉末（未被覆粒子）３
０重量％の混合物１００重量部、エチルセルロース５重
量部、そしてテルピネオール７５重量部を３本ロールミ
ルを用いて混練し、導電性ペーストＩＩを得た。
合金で被覆されたパラジウム微粉末のいずれか７０重量
％と実施例１で得たパラジウム微粉末（未被覆粒子）３
０重量％の混合物１００重量部、エチルセルロース５重
量部、そしてテルピネオール７５重量部を３本ロールミ
ルを用いて混練し、導電性ペーストＩＩを得た。
【００３４】［導電性ペーストの熱膨張］表面平滑な正
方形のアクリル樹脂基板（１ｃｍ×１ｃｍ）の表面に導
電性ペーストＩあるいは比較用導電性ペーストＩを、塗
布と乾燥（８５℃）とを繰り返して重層塗布し、層厚約
３５０μｍの重層塗布膜を得て、最後に１５０℃で２時
間乾燥させることにより、膜厚約１８０μｍの乾燥導電
性ペースト膜を形成した。このペースト膜を基板からは
ぎ取り、裁断して長方形（約３ｍｍ×１ｍｍ）の試料を
得た。上記の試料を石英製の試料台（スペーサ）に載せ
ＴＭＡ測定装置（真空理工株式会社製、商品名：ＤＬ−
７０００ＲＨ、Ｙ型）を用い、室温から１２５０℃ま
で、昇温速度１０℃／分で加熱し、ＴＭＡ（膨張量）を
測定して、試料の膜圧の変動を測定した。得られた結果
を添付図面の図２に示す。なお、図２においてＥ（ｘ）
は、膨張率を表わす。
方形のアクリル樹脂基板（１ｃｍ×１ｃｍ）の表面に導
電性ペーストＩあるいは比較用導電性ペーストＩを、塗
布と乾燥（８５℃）とを繰り返して重層塗布し、層厚約
３５０μｍの重層塗布膜を得て、最後に１５０℃で２時
間乾燥させることにより、膜厚約１８０μｍの乾燥導電
性ペースト膜を形成した。このペースト膜を基板からは
ぎ取り、裁断して長方形（約３ｍｍ×１ｍｍ）の試料を
得た。上記の試料を石英製の試料台（スペーサ）に載せ
ＴＭＡ測定装置（真空理工株式会社製、商品名：ＤＬ−
７０００ＲＨ、Ｙ型）を用い、室温から１２５０℃ま
で、昇温速度１０℃／分で加熱し、ＴＭＡ（膨張量）を
測定して、試料の膜圧の変動を測定した。得られた結果
を添付図面の図２に示す。なお、図２においてＥ（ｘ）
は、膨張率を表わす。
【００３５】図２の結果から、本発明に従う被覆パラジ
ウム微粉末を用いた導電性ペーストは、未被覆のパラジ
ウム微粉末を用いた導電性ペーストに比較して、焼成時
の膜厚変化が、導電性ペーストの低沸点有機物が蒸発し
た温度にほぼ該当する２５０℃付近から約８５０℃まで
の間に殆ど発生しないことがわかる（その後の膜厚減少
は、焼結による）。
ウム微粉末を用いた導電性ペーストは、未被覆のパラジ
ウム微粉末を用いた導電性ペーストに比較して、焼成時
の膜厚変化が、導電性ペーストの低沸点有機物が蒸発し
た温度にほぼ該当する２５０℃付近から約８５０℃まで
の間に殆ど発生しないことがわかる（その後の膜厚減少
は、焼結による）。
【００３６】
【発明の効果】本発明のニッケルもしくはニッケル合金
の薄膜で被覆されたパラジウム微粉末は、空気中などの
酸素含有雰囲気下で高温に加熱した場合に、酸化されに
くいとの特徴がある。従って、そのような本発明の抗酸
化性パラジウムを導電性材料とした導電性ペーストを用
いることによって、例えばパラジウムを電極材料として
用いる積層コンデンサの製造時において発生しやすい構
造的欠陥や変形の発生が低減し、所定の特性を有する高
品質な積層コンデンサが高い歩留りで製造することが可
能となる。
の薄膜で被覆されたパラジウム微粉末は、空気中などの
酸素含有雰囲気下で高温に加熱した場合に、酸化されに
くいとの特徴がある。従って、そのような本発明の抗酸
化性パラジウムを導電性材料とした導電性ペーストを用
いることによって、例えばパラジウムを電極材料として
用いる積層コンデンサの製造時において発生しやすい構
造的欠陥や変形の発生が低減し、所定の特性を有する高
品質な積層コンデンサが高い歩留りで製造することが可
能となる。
【図１】本発明に従う被覆パラジウム微粉末の抗酸化特
性の例を示すグラフである。
性の例を示すグラフである。
【図２】本発明に従う被覆パラジウム微粉末含有導電性
ペーストから形成した塗膜の焼成時の膜厚変化の例を示
すグラフである。
ペーストから形成した塗膜の焼成時の膜厚変化の例を示
すグラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲に
あるパラジウム微粉末の表面にニッケルもしくはニッケ
ルと他の金属との合金からなる薄膜層が被覆されてなる
被覆パラジウム微粉末。 - 【請求項２】 薄膜層がニッケルと銀および／または銅
との合金からなる請求項１に記載の被覆パラジウム微粉
末。 - 【請求項３】 平均粒径が０．１〜１．０μｍのパラジ
ウム微粉末と平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲にあ
るパラジウム微粉末の表面にニッケルもしくはニッケル
と他の金属との合金からなる薄膜層が被覆されてなる被
覆パラジウム微粉末とを含む導電性ペースト。 - 【請求項４】 被覆パラジウム微粉末の薄膜層がニッケ
ルと銀および／または銅との合金からなる請求項３に記
載の導電性ペースト。 - 【請求項５】 平均粒径が０．１〜１．０μｍのパラジ
ウム被覆セラミック微粉末と平均粒径が０．１〜１．０
μｍの範囲にあるパラジウム微粉末の表面にニッケルも
しくはニッケルと他の金属との合金からなる薄膜層が被
覆されてなる被覆パラジウム微粉末とを含む導電性ペー
スト。 - 【請求項６】 被覆パラジウム微粉末の薄膜層がニッケ
ルと銀および／または銅との合金からなる請求項５に記
載の導電性ペースト。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6022215A JPH07207185A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
| EP95300387A EP0664175A3 (en) | 1994-01-21 | 1995-01-23 | Coated palladium fine powder and electroconductive paste |
| US08/377,129 US5512379A (en) | 1994-01-21 | 1995-01-23 | Coated palladium fine powder and electroconductive paste |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6022215A JPH07207185A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07207185A true JPH07207185A (ja) | 1995-08-08 |
Family
ID=12076587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6022215A Pending JPH07207185A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5512379A (ja) |
| EP (1) | EP0664175A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07207185A (ja) |
Cited By (2)
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| JP2002334614A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-22 | Kawakado Kimiko | 導電性粒子 |
| WO2013094637A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
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| US6338809B1 (en) * | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
| US6699304B1 (en) * | 1997-02-24 | 2004-03-02 | Superior Micropowders, Llc | Palladium-containing particles, method and apparatus of manufacture, palladium-containing devices made therefrom |
| EP1007308B1 (en) * | 1997-02-24 | 2003-11-12 | Superior Micropowders LLC | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
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1994
- 1994-01-21 JP JP6022215A patent/JPH07207185A/ja active Pending
-
1995
- 1995-01-23 EP EP95300387A patent/EP0664175A3/en not_active Withdrawn
- 1995-01-23 US US08/377,129 patent/US5512379A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0664175A2 (en) | 1995-07-26 |
| US5512379A (en) | 1996-04-30 |
| EP0664175A3 (en) | 1997-11-26 |
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