JP4085587B2

JP4085587B2 - 金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペーストならびに積層セラミック電子部品

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Publication number: JP4085587B2
Application number: JP2001074808A
Authority: JP
Inventors: 匡細倉; 央充本郷; 昌禎前田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-03-15
Filing date: 2001-03-15
Publication date: 2008-05-14
Anticipated expiration: 2021-03-15
Also published as: JP2002275510A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主金属とタングステンまたは／およびモリブデンを含有する金属粉末の製造方法、このような金属粉末、このような金属粉末を含有する導電性ペースト、ならびにこのような導電性ペーストを用いて内部電極を形成した積層セラミック電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品の内部電極を形成するため、導電性ペーストが用いられている。このような用途の導電性ペーストは、例えば、金属粉末からなる導電成分と、有機ビヒクルとを含有してなる。金属粉末は、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属粉末ならびにＮｉ，Ｃｕ等の卑金属粉末などが用いられている。
【０００３】
近年、積層セラミック電子部品の小型化ならびに薄層化に伴い、導電性ペーストに含まれる金属粉末の粒径を小さくする必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、金属粉末の粒径が小さくなると、その比表面積は２乗で大きくなり、金属粉末の焼結温度は低くなる。つまり、粒径の小さい金属粉末を導電成分とする導電性ペーストを用いて内部電極を形成した積層セラミック電子部品を作製すると、金属粉末の焼結が低温で開始するため、セラミックが焼結する前に金属粉末の焼結が急峻に進行してしまい、層間剥離（デラミネーション）やクラック等の構造的な不良が発生する問題がある。
【０００５】
特開平４−３４５６７０号公報において、ペースト中にニッケル粉末とタングステン粉末を混在させて、セラミックコンデンサの電極形成用の導電性ペーストを製造する方法が記載されている。しかしながら、この方法の場合では、該公報において記載があるように、タングステンが酸化する問題が発生するので、粒径下限は５００ｎｍであり、６００ｎｍ前後の極めて薄い塗布膜を形成する場合、塗布膜の表面粗さが粗くなり、これを焼成して内部電極を形成すると、同時に焼成したセラミック層を突き破り、前後の内部電極同士が短絡を引き起こし、ショート不良が発生する問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、上述の問題点を解消すべくなされたもので、焼結開始温度を高温側にシフトさせて急峻な焼結収縮を抑制させるとともに、ショート不良の発生を抑制し得る金属粉末の製造方法、このような金属粉末、このような金属粉末を含有する導電性ペースト、ならびにこのような導電性ペーストを用いて内部電極を形成し、ショート不良，層間剥離（デラミネーション）ならびにクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の金属粉末の製造方法は、少なくとも主金属を含む主金属塩と、タングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩と、を溶媒中に分散させた金属塩溶液と、還元剤を含有する還元剤溶液と、を準備し、これを混合し、主金属塩に含まれる主金属と、タングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩に含まれるタングステンまたは／およびモリブデンと、を析出させて金属粉末を得ることを特徴とする。
【０００８】
本発明の金属粉末の製造方法における還元剤は、ヒドラジン，ヒドラジン水和物，水素化ホウ素化合物およびアミノボラザン系還元剤からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【０００９】
本発明の金属粉末の製造方法における主金属は、Ａｇ，Ｐｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１０】
本発明の金属粉末の製造方法における主金属塩は、塩化物，硫酸塩および硝酸塩からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１１】
本発明の金属粉末の製造方法におけるタングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩は、リチウム塩，ナトリウム塩，カリウム塩，カルシウム塩，マグネシウム塩およびアルミニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１２】
本発明の金属粉末の製造方法における溶媒は、水または水・アルコール混合溶液であることが好ましい。
【００１３】
本発明の金属粉末の製造方法において析出するタングステンまたは／およびモリブデンの合計重量は、主金属とタングステンまたは／およびモリブデンの合計１００重量％のうち０．１〜５０重量％の範囲内であることが好ましい。
【００１４】
本発明の金属粉末は、上述の金属粉末の製造方法によって得られたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の導電性ペーストは、上述した本発明の金属粉末を含有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の積層セラミック電子部品は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、セラミック層間に形成された複数の内部電極と、セラミック積層体に接して形成された端子電極と、を備え、端子電極は、上述した本発明の導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の金属粉末の製造方法は、主金属と、タングステンまたは／およびモリブデンを析出させることに特徴があるため、タングステンやモリブデンの酸化が生じにくく、主金属とタングステンまたは／およびモリブデンからなる粒径の小さい金属粉末が得られる。
【００１８】
還元剤は、金属塩溶液中の主金属を含む主金属塩、タングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩を還元し、これらを析出し得る還元剤を適宜選択することができる。還元剤としては、特に限定はしないが、ヒドラジン，ヒドラジン水和物，水素化ホウ素化合物およびアミノボラザン系還元剤からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、アミノボラザン系還元剤であるジメチルアミンボランであることがより好ましい。
【００１９】
また、還元剤の含有量は、特に限定はしないが、金属塩溶液中の金属塩を還元するために化学量論的に必要な量以上であることが好ましい。必要量の１０倍を上回る量の還元剤を含有させても、余剰の還元剤は金属塩の還元に寄与しないことから、還元剤の含有量は、必要量の１０倍以内であることが好ましい。
【００２０】
また、主金属は、積層セラミック電子部品の内部電極形成に好適な導電性ペーストの導電成分として従来から用いられている貴金属粉末ならびに卑金属粉末を適宜選択することができ、特に限定はしないが、Ａｇ，Ｐｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００２１】
また、主金属塩は、金属塩溶液の溶媒に良好に溶解し得るものを適宜選択することができ、塩化物，硫酸塩および硝酸塩からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００２２】
また、タングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩は、金属塩溶液の溶媒に良好に溶解し得るものを適宜選択することができ、リチウム塩，ナトリウム塩，カリウム塩，カルシウム塩，マグネシウム塩およびアルミニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００２３】
また、析出するタングステンまたは／およびモリブデンの合計重量は、主金属とタングステンまたは／およびモリブデンの合計１００重量％のうち０．１〜５０重量％の範囲内であることが好ましい。析出量が０．１重量％以上であれば、タングステンまたは／およびモリブデンを析出させる本発明の効果が得られ易くなる。他方、析出量が５０重量％以下であれば、積層セラミック電子部品の内部電極形成用の導電成分として機能する十分な程度の導電性を備える。
【００２４】
また、金属塩溶液の溶媒は、水または水・アルコール混合溶液であることが好ましい。また、アルコールは、メタノール，エタノール，プロパノール等の１価のアルコールを少なくとも１種含有することがより好ましく、水１に対してエタノール１を混合したものを用いることがより好ましい。
【００２５】
また、還元剤溶液ならびに金属塩溶液を混合して得られる反応溶液の温度は、特に限定はしないが、５０〜７０℃であることが好ましい。反応溶液の温度が５０℃以上であれば、好ましい反応速度で反応が進行する。他方、反応溶液の温度が７０℃以下であれば、突沸することなく反応が進行する。
【００２６】
本発明の金属粉末は、上述した本発明の金属粉末の製造方法によって得られることを要する。なお、金属粉末の平均粒径は、特に限定はしないが、６００ｎｍ前後の極めて薄い塗布膜を形成するためには、２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
本発明の導電性ペーストは、本発明の金属粉末を含有することを要する。なお、有機ビヒクルやその他の添加剤を含有することを妨げない。また、有機ビヒクルとしては、特に限定はしないが、例えばエチルセルロースとアルキド樹脂からなる有機バインダ２５重量％と、エチルカルビトール，１−オクタノールおよびケロシン系溶媒とからなる有機溶媒７５重量％とを混合したもの等が挙げられる。
【００２８】
本発明の積層セラミック電子部品の一つの実施形態について、図１に基づいて詳細に説明する。すなわち、積層セラミック電子部品１は、セラミック積層体２と、内部電極３，３と、端子電極４，４と、めっき膜５，５とから構成される。
【００２９】
セラミック積層体２は、ＢａＴｉＯ₃を主成分とする誘電体材料からなるセラミック層２ａが複数積層された生のセラミック積層体が焼成されてなる。
【００３０】
内部電極３，３は、セラミック積層体２内のセラミック層２ａ間にあって、複数の生のセラミック層２ａ上に本発明の導電性ペーストが印刷され、生のセラミック層とともに積層されてなる生のセラミック積層体と同時焼成されてなり、内部電極３，３のそれぞれの端縁は、セラミック積層体２の何れかの端面に露出するように形成されている。なお、内部電極３，３の形成に用いられる本発明の導電性ペーストは、析出するタングステンまたは／およびモリブデンの合計重量が、主金属とタングステンまたは／およびモリブデンの合計１００重量％のうち０．１〜５０重量％の範囲内である上述した本発明の金属粉末を含有する導電性ペーストであることを要する。
【００３１】
端子電極４，４は、セラミック積層体２の端面に露出した内部電極３，３の一端と電気的かつ機械的に接合されるように、導電性ペーストがセラミック積層体２の端面に塗布され焼付けられてなる。
【００３２】
めっき膜５，５は、例えば、ＳｎやＮｉ等の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極４，４上に少なくとも１層形成されてなる。
【００３３】
なお、本発明の積層セラミック電子部品のセラミック積層体２の材料は、上述の実施形態に限定されることなく、例えばＰｂＺｒＯ₃等，その他の誘電体材料，絶縁体，磁性体，圧電体ならびに半導体材料からなっても構わない。また、本発明の積層セラミック電子部品の内部電極３の枚数は、上述の実施形態に限定されることなく、また何層形成されていても構わない。また、めっき膜５，５は、必ずしも備えている必要はなく、また何層形成されていても構わない。
【００３４】
【実施例】
（実施例１）
まず、金属粉末を生成し、これを用いた導電性ペーストを作製する。すなわち、表１に示すように、主金属を含む主金属塩として塩化ニッケル５０ｇと、タングステン酸塩としてタングステン酸ナトリウム０．１ｇ，０．２ｇ，１．０ｇ，５．０，１０．０ｇ，２０．０ｇ，４０．０ｇ，５０．０ｇ，７０．０ｇ，８５．０ｇ，９０．０ｇと、還元剤としてジメチルアミンボラン５０ｇと、溶媒として水とエタノールの体積比率が１：１の混合溶媒を準備した。
【００３５】
次いで、主金属を含む主金属塩とタングステン酸塩を溶媒２Ｌに溶解して金属塩溶液を得、また還元剤を溶媒１Ｌに溶解し還元剤溶液を得、金属塩溶液と還元剤溶液を混合した混合溶液を６０℃に保ち、主金属であるニッケルとタングステンが析出したニッケル−タングステン系共析物を生成させた後、分離・回収し純水で洗浄し、さらにアセトンで洗浄した後にオーブンで乾燥させて、試料２〜１２の金属粉末を得た。なお、こうして得られた金属粉末を走査型電子顕微鏡で観察したところ、８０〜１００ｎｍの球形状粉末であった。また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定したところ、タングステンならびにニッケルの酸化は生じていないことが確認された。また、試料１の金属粉末は、上述した主金属であるニッケル粉末５０ｇをそのまま用いた。また、試料１３の金属粉末は、上述した第１金属であるニッケル粉末４０ｇと、平均粒径が５００ｎｍであるタングステン粉末１０ｇを混合したものを用いた。
【００３６】
次いで、試料２〜１３の金属粉末について、誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）を用いて、金属粉末全体１００重量％における主金属の重量％ならびにタングステンの重量％、主金属とタングステンの合計１００重量％におけるタングステンの重量％を測定し、また試料１〜１３の金属粉末について、熱機械分析（ＴＭＡ）を用いて焼結挙動（焼結開始温度，焼結終了温度）を測定し、これらを表１にまとめた。
【００３７】
次いで、試料１〜１３の金属粉末５０重量％と、エチルセルロース１０重量部をテルピネオール９０重量部に溶解させた有機ビヒクル４０重量％と、テルピネオール４０重量％と、を混合し３本ロールミルを用いて混練を行ない、試料１〜１３の導電性ペーストを得た。
【００３８】
そこで、試料１〜１３の導電性ペーストをガラス板にスクリーン印刷して、表面粗さを測定し、上述した焼結挙動（焼結開始温度，焼結終了温度）と表面粗さに基づいて評価を付し、これを表１にまとめた。なお、評価は、本発明の範囲内となった金属粉末ならびに導電性ペーストについては○、特に優れたものについては◎、範囲外となったものについては×を付した。
【００３９】
【表１】

【００４０】
表１から明らかであるように、主金属と共にタングステンを析出させていない試料１の金属粉末は、焼結開始温度が２１１℃、焼結終了温度が４３１℃で低く劣った。なお、試料１の導電性ペーストの表面粗さは６１ｎｍで全試料（１〜１３）中で最も低く優れる結果となった。他方、ニッケル粉末とタングステン粉末を混合した試料１３の金属粉末は、焼結開始温度が７１０℃、焼結終了温度が８８９℃であり、試料１の金属粉末と比較して何れも高く優れる結果となったが、試料１３の導電性ペーストの表面粗さは４３８ｎｍであり、極めて高く劣った。
【００４１】
これに対して、主金属塩である塩化ニッケルと、タングステン酸ナトリウムと、を含有する金属塩溶液を用いて、ニッケルとタングステンを析出させた試料２〜１２の金属粉末は、焼結開始温度が２２５〜８７７℃、焼結終了温度が４４８〜９８６℃であり、何れも試料１のニッケル粉末と比較して高く優れ、また試料２〜１３の導電性ペーストの表面粗さも６１〜６７であり許容できる範囲内であったため、本発明の範囲内とした。特に、タングステンの析出量が、主金属とタングステンの合計１００重量％のうち０．１重量％以上である試料３〜１２は、焼結開始温度ならびに焼結終了温度が高温側にシフトする効果が顕著であったため、本発明の特に優れる範囲内となった。
【００４２】
次いで、積層セラミック電子部品を作製する。まず、平均粒径（Ｄ₅₀）が５００ｎｍのＢａＴｉＯ₃粉末を加水分解法で作製し、これに添加物（０．０２Ｄｙ＋０．０２Ｍｇ＋０．０２Ｍｎおよび３Ｓｉ焼結助材）を、酸化物粉末あるいは炭酸化物粉末の状態で添加・混合し、セラミック材料を得た。次いで、上述のセラミック材料に、有機バインダとしてポリビニルブチラール、および溶媒としてエタノールを加え、ボールミルを用いて湿式混合して、セラミックスラリーを得、これをドクターブレード法を用いてシート成形し、１．４μｍのセラミックグリーンシートを複数得た。
【００４３】
次いで、所定枚数のセラミックグリーンシート上に、試料１〜１３の導電性ペーストをスクリーン印刷し、これを乾燥させ、内部電極となるべき厚み６００ｎｍの塗布膜を形成し、所定枚数セラミックグリーンシートを積層した後、熱プレスして一体化させ、これを所定寸法にカットして、試料１〜１３の生のセラミック積層体を得た。
【００４４】
次いで、試料１〜１３の生のセラミック積層体を、Ｎ₂雰囲気にて４００℃で加熱し、有機バインダを燃焼させた後、酸素分圧９×１０^-12ＭＰａｍｐＨ₂−Ｎ₂−Ｈ₂Ｏガスからなる還元性雰囲気中にて１２００℃を最高焼成温度として３時間保持するプロファイルで焼成し、試料１〜１３のセラミック積層体を得た。なお、有効誘電体セラミック層の総数は２５０であり、１層あたりの対向電極の面積は１９．１×１０^-6ｍ²であった。
【００４５】
次いで、試料１〜１３のセラミック積層体の両端面に、端子電極用の導電性ペーストを塗布し、これを乾燥させた後に焼付けをして、試料１〜１３の積層セラミック電子部品をそれぞれ１００個ずつ得た。
【００４６】
そこで、試料１〜１３の積層セラミック電子部品のショート不良発生率，層間剥離（デラミネーション）発生率，カバレッジ（電極被覆面積率），クラック発生率，ＥＳＲ（等価直列抵抗）を測定し、評価を付して、これらを表２にまとめた。
【００４７】
なお、ショート不良発生率は、全数１００個のうちショート不良が発生している試料の比率とした。また、層間剥離（デラミネーション）発生率は、試料の長さ方向に直行する平面で切断した断面を研磨し、顕微鏡観察することによって層間剥離発生の有無を目視判定し、全数１００個のうち層間剥離が発生している試料の比率とした。また、カバレッジ（電極被覆面積率）は、試料の内部電極を剥離し、内部電極に穴が空いている状態の顕微鏡写真を撮影し、これを画像解析処理することによって定量化した。また、クラック発生率は、試料を樹脂に埋めて研磨を行ない、顕微鏡観察を行なって、全数１００個のうち内部電極にヒビが発生している試料の比率とした。また、ＥＳＲ（等価直列抵抗）は、試料の等価直列抵抗を測定し、全数１００個の平均値とした。また、評価は、本発明の範囲内である積層セラミック電子部品については○、特に優れたものについては◎、範囲外となったものについては×を付した。
【００４８】
【表２】

【００４９】
表２から明らかであるように、タングステンを析出させていないニッケル粉末を用いた、比較例である試料１の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率は０％であったが、層間剥離発生率が８３％で高く劣り、カバレッジが６２％で低く劣り、クラック発生率が１００％で高く劣った。なお、ＥＳＲは１０３Ωで全試料（１〜１３）中で最も低く優れる結果となった。
【００５０】
また、タングステンの析出量が、主金属とタングステンの合計１００重量％のうち０．１重量％を下回る０．０９％である試料２の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率は０％，ＥＳＲは１０５Ωで低く優れたが、層間剥離発生率が７６％で高く劣り、カバレッジが６７％で低く劣り、クラック発生率が１００％で高く劣ったため、本発明の範囲外となった。
【００５１】
また、タングステンの析出量が、主金属とタングステンの合計１００重量％のうち５０重量％を上回る５１．６％である試料１２の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率，層間剥離発生率ならびにクラック発生率は０％であったが、ＥＳＲが５６８Ωで極めて高く劣ったため、本発明の範囲外となった。
【００５２】
また、ニッケル粉末とタングステン粉末を混合した、比較例である試料１３の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率が１００％となったため、ＥＳＲの測定はできなかった。また、クラック発生率が１００％で極めて高く劣った。
【００５３】
これに対して、タングステンの析出量が、主金属とタングステンの合計１００重量％のうち０．１〜５０重量％の範囲内である試料３〜１１の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率，層間剥離発生率ならびにクラック発生率が何れも０％であり、またカバレッジも９０〜９３％で高く優れた。さらに、ＥＳＲも１１１〜１４９Ωで、何れも許容できる範囲内であったため、本発明の範囲内となった。なお、試料３〜８は、カバレッジが高くＥＳＲが小さく優れたため、本発明の特に優れる範囲内となった。
【００５４】
（実施例２）
まず、塩化ニッケルに代えて塩化銅を用い、タングステン酸塩に代えてモリブデン酸塩を用いたことを除いて、実施例１と同様の方法によって金属粉末を生成し、これを用いた導電性ペーストを作製する。すなわち、表３に示すように、主金属を含む主金属塩として塩化銅５０ｇと、モリブデン酸塩としてモリブデン酸カリウム０．１ｇ，０．２ｇ，１．０ｇ，５．０ｇ，１０ｇ，２０ｇ，４０ｇ，５０ｇ，７０ｇ，８５ｇ，９０ｇと、還元剤として水素化ホウ素ナトリウム５０ｇと、溶媒として水１Ｌとエタノール１Ｌの混合溶媒を準備した。
【００５５】
次いで、実施例１と同様の方法によって、主金属である銅とモリブデンが析出した銅−モリブデン系共析物からなる試料１５〜２５の金属粉末を得た。なお、こうして得られた金属粉末を走査型電子顕微鏡で観察したところ、４５〜５５ｎｍの球形状粉末であった。また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定したところ、モリブデンならびに銅の酸化は生じていないことが確認された。また、試料１４の金属粉末は、上述した主金属である銅粉末５０ｇをそのまま用いた。また、試料２６の金属粉末は、上述した主金属である銅粉末４０ｇと、平均粒径が５００ｎｍであるモリブデン粉末１０ｇを混合したものを用いた。
【００５６】
そこで、試料１５〜２６の金属粉末について、実施例１と同様の方法で、金属粉末全体１００重量％における主金属の重量％ならびにモリブデンの重量％、主金属とモリブデンの合計１００重量％におけるモリブデンの重量％を測定し、また試料１４〜２６の金属粉末について、実施例１と同様の方法で、焼結挙動（焼結開始温度，焼結終了温度）を測定し、これらを表３にまとめた。
【００５７】
次いで、試料１４〜２６の金属粉末５０重量％と、エチルセルロース１０重量部をテルピネオール９０重量部に溶解させた有機ビヒクル４０重量％と、テルピネオール４０重量％と、を混合し３本ロールミルを用いて混練を行ない、試料１４〜２６の導電性ペーストを得た。
【００５８】
そこで、実施例１と同様の方法で、試料１４〜２６の導電性ペーストの表面粗さを測定し、上述した焼結挙動（焼結開始温度，焼結終了温度）と表面粗さに基づいて評価を付し、これを表３にまとめた。なお、評価は、実施例１と同様とした。
【００５９】
【表３】

【００６０】
表３から明らかであるように、モリブデンを析出させていない銅粉末を用いた試料１４の金属粉末は、焼結開始温度が１６５℃、焼結終了温度が３２４℃で低く劣った。なお、試料１４の導電性ペーストの表面粗さは２３ｎｍで全試料（１４〜２６）中で最も低く優れる結果となった。他方、銅粉末とモリブデン粉末を混合した試料２６の金属粉末は、焼結開始温度が４７５℃、焼結終了温度が６１４℃であり、試料１４の金属粉末と比較して何れも高く優れる結果となったが、試料２６の導電性ペーストの表面粗さは４６３ｎｍであり、極めて高く劣った。
【００６１】
これに対して、主金属塩である塩化銅と、モリブデン酸カリウムと、を含有する金属塩溶液を用いて、銅とモリブデンを析出させた試料１５〜２５の金属粉末は、焼結開始温度が１７３〜６９６℃、焼結終了温度が３３７〜８４８℃であり、何れも試料１４の銅粉末と比較して高く優れ、表面粗さも２３〜２９ｎｍで許容できる範囲内であったため、本発明の範囲内とした。特に、モリブデンの析出量が、主金属とモリブデンの合計１００重量％のうち０．１重量％以上である試料１６〜２５は、焼結開始温度ならびに焼結終了温度が高温側にシフトする効果が顕著であったため、本発明の特に優れる範囲内となった。
【００６２】
次いで、積層セラミック電子部品を作製する。試料１〜１３の導電性ペーストに代えて、試料１４〜２６の導電性ペーストを用いたことを除いて、実施例１と同様の方法で、試料１４〜２６の積層セラミック電子部品をそれぞれ１００個ずつ得た。
【００６３】
そこで、試料１４〜２６の積層セラミック電子部品のショート不良発生率，層間剥離（デラミネーション）発生率，カバレッジ（電極被覆面積率），クラック発生率，ＥＳＲ（等価直列抵抗）を測定し、評価を付して、これらを表４にまとめた。なお、各々の測定方法ならびに評価は、実施例１と同様とした。
【００６４】
【表４】

【００６５】
表４から明らかであるように、モリブデンを析出させていない銅粉末を用いた、比較例である試料１４の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率は０％であったが、層間剥離発生率が８２％で高く劣り、カバレッジが６２％で低く劣り、クラック発生率が１００％で高く劣った。なお、ＥＳＲは９２Ωで全試料（１４〜２６）中で最も低く優れる結果となった。
【００６６】
また、モリブデンの析出量が、主金属とモリブデンの合計１００重量％のうち０．１重量％を下回る０．０７８％である試料１５の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率は０％，ＥＳＲは９６Ωで低く優れたが、層間剥離発生率が７５％で高く劣り、カバレッジが６３％で低く劣り、クラック発生率が１００％で高く劣ったため、本発明の範囲外となった。
【００６７】
また、モリブデンの析出量が、主金属とモリブデンの合計１００重量％のうち５０重量％を上回る５２．０％である試料２５の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率，層間剥離発生率ならびにクラック発生率は０％であったが、ＥＳＲが５８３Ωで極めて高く劣ったため、本発明の範囲外となった。
【００６８】
また、銅粉末とモリブデン粉末を混合した、比較例である試料２６の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率が１００％となったため、ＥＳＲの測定はできなかった。また、クラック発生率が１００％で極めて高く劣った。
【００６９】
これに対して、モリブデンの析出量が、主金属とモリブデンの合計１００重量％のうち０．１〜５０重量％の範囲内である試料１６〜２５の積層セラミック電子部品は、ショート不良発生率，層間剥離発生率ならびにクラック発生率が何れも０％であり、またカバレッジも８６〜９２％で高く優れた。さらに、ＥＳＲも９９〜１２７Ωで、何れも許容できる範囲内であったため、本発明の範囲内となった。なお、試料１６〜２１は、カバレッジが高くＥＳＲが小さく優れたため、本発明の特に優れる範囲内となった。
【００７０】
【発明の効果】
以上のように本発明の金属粉末の製造方法は、少なくとも主金属を含む主金属塩と、タングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩と、を溶媒中に分散させた金属塩溶液と、還元剤を含有する還元剤溶液と、を準備し、これを混合し、主金属塩に含まれる主金属と、タングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩に含まれるタングステンまたは／およびモリブデンと、を析出させて金属粉末を得ることを特徴とすることで、焼結開始温度を高温側にシフトさせるとともに、急峻な焼結収縮を抑制させた金属粉末の製造方法、このような金属粉末、このような金属粉末を含有する導電性ペースト、ならびにこのような導電性ペーストを用いて内部電極を形成し、層間剥離（デラミネーション）ならびにクラックの発生を抑制した積層セラミック電子部品を提供することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一つの実施形態の積層セラミック電子部品の断面図である。
【符号の説明】
１積層セラミック電子部品
２セラミック積層体
２ａセラミック層
３内部電極
４端子電極

Claims

少なくとも主金属を含む主金属塩と、タングステン酸塩または／およびモリブデン酸塩と、を溶媒中に分散させた金属塩溶液と、
還元剤を含有する還元剤溶液と、を準備し、これを混合し、
前記主金属塩に含まれる主金属と、前記タングステン酸塩または／および前記モリブデン酸塩に含まれるタングステンまたは／およびモリブデンと、を析出させて金属粉末を得ることを特徴とする、金属粉末の製造方法。
前記還元剤は、ヒドラジン，ヒドラジン水和物，水素化ホウ素化合物およびアミノボラザン系還元剤からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載の金属粉末の製造方法。
前記主金属は、Ａｇ，Ｐｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴する、請求項１または２に記載の金属粉末の製造方法。
前記主金属塩は、塩化物，硫酸塩および硝酸塩からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載の金属粉末の製造方法。
前記タングステン酸塩または／および前記モリブデン酸塩は、リチウム塩，ナトリウム塩，カリウム塩，カルシウム塩，マグネシウム塩およびアルミニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１〜４の何れかに記載の金属粉末の製造方法。
前記溶媒は、水または水・アルコール混合溶液であることを特徴とする、請求項１〜５の何れかに記載の金属粉末の製造方法。
析出する前記タングステンまたは／および前記モリブデンの合計重量は、前記主金属と前記タングステンまたは／および前記モリブデンの合計１００重量％のうち０．１〜５０重量％の範囲内であることを特徴とする、請求項１〜６の何れかに記載の金属粉末の製造方法。
請求項１〜７の何れかに記載の金属粉末の製造方法によって得られたことを特徴とする、金属粉末。
請求項８に記載の金属粉末を含有することを特徴とする、導電性ペースト。
複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、前記セラミック層間に形成された複数の内部電極と、前記セラミック積層体に接して形成された端子電極と、を備える積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極は、請求項７に記載の金属粉末の製造方法によって得られた金属粉末を含有する導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴とする、積層セラミック電子部品。