JPH07201719A - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
熱処理装置及び熱処理方法Info
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- JPH07201719A JPH07201719A JP35299693A JP35299693A JPH07201719A JP H07201719 A JPH07201719 A JP H07201719A JP 35299693 A JP35299693 A JP 35299693A JP 35299693 A JP35299693 A JP 35299693A JP H07201719 A JPH07201719 A JP H07201719A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体の表裏両面から熱処理することがで
きるとともに、急速に温度を昇降させて熱処理時間の短
縮が可能となり、スループットの向上を図ることができ
る。 【構成】 ウェハＷを載置しこのウェハＷの温度を制御
する熱処理装置において、ウェハＷを載置する載置台６
１と、この載置台６１の上面に突出してウェハＷを支持
する支持ピン６３と、載置台６１と対向する位置にウェ
ハＷの温度を高速に昇降させる上蓋６５とを配置して、
載置台６１及び上蓋６５を独立に温度制御可能に設ける
とともに、支持ピン６３によりウェハＷを、載置台６１
及び上蓋６５のいずれか一方に対して進退可能に形成し
て、ウェハＷと載置台６１及び上蓋６５との間隔を調節
可能にした。
きるとともに、急速に温度を昇降させて熱処理時間の短
縮が可能となり、スループットの向上を図ることができ
る。 【構成】 ウェハＷを載置しこのウェハＷの温度を制御
する熱処理装置において、ウェハＷを載置する載置台６
１と、この載置台６１の上面に突出してウェハＷを支持
する支持ピン６３と、載置台６１と対向する位置にウェ
ハＷの温度を高速に昇降させる上蓋６５とを配置して、
載置台６１及び上蓋６５を独立に温度制御可能に設ける
とともに、支持ピン６３によりウェハＷを、載置台６１
及び上蓋６５のいずれか一方に対して進退可能に形成し
て、ウェハＷと載置台６１及び上蓋６５との間隔を調節
可能にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、熱処理装置及び熱処
理方法に関するものである。
理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターン
を縮小してフォトレジストに転写し、これを露光処理し
た後に現像処理している。
いて、フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターン
を縮小してフォトレジストに転写し、これを露光処理し
た後に現像処理している。
【０００３】このような処理を行う場合、被処理体とし
ての半導体ウエハを搬入、搬出するインターフェイス部
を介して塗布現像装置と露光装置とを接続してなる処理
システムが使用されている。この処理システムにおい
て、半導体ウエハは、塗布現像装置において、表面への
レジストの密着性を良くするために疎水化処理された
後、所定温度に冷却され、その後、レジスト塗布された
後に加熱処理される。そして、半導体ウエハはインター
フェイス部に搬送されて露光装置に受け渡され、露光処
理された後、再び塗布現像装置に搬送されて現像処理が
施される。
ての半導体ウエハを搬入、搬出するインターフェイス部
を介して塗布現像装置と露光装置とを接続してなる処理
システムが使用されている。この処理システムにおい
て、半導体ウエハは、塗布現像装置において、表面への
レジストの密着性を良くするために疎水化処理された
後、所定温度に冷却され、その後、レジスト塗布された
後に加熱処理される。そして、半導体ウエハはインター
フェイス部に搬送されて露光装置に受け渡され、露光処
理された後、再び塗布現像装置に搬送されて現像処理が
施される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の処理シ
ステムにおいて冷却処理及び加熱処理を行う熱処理装置
は、被処理体である半導体ウェハの温度を制御するに当
たり、所望の温度に設定制御された熱板、或いは冷板に
半導体ウェハを近接保持することにより、ウェハの温度
を暫定的に熱板温度或いは冷板温度に近づけていた。し
かしながら、この方法では輻射及び対流による熱伝導で
あるが故に、半導体ウェハの温度が所望の温度に到達す
るのに長時間を要するという問題があった。
ステムにおいて冷却処理及び加熱処理を行う熱処理装置
は、被処理体である半導体ウェハの温度を制御するに当
たり、所望の温度に設定制御された熱板、或いは冷板に
半導体ウェハを近接保持することにより、ウェハの温度
を暫定的に熱板温度或いは冷板温度に近づけていた。し
かしながら、この方法では輻射及び対流による熱伝導で
あるが故に、半導体ウェハの温度が所望の温度に到達す
るのに長時間を要するという問題があった。
【０００５】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は被処理体の表裏両面から熱処理
することができるとともに、急速に温度を昇降させて熱
処理時間の短縮が可能となり、スループットの向上を図
ることができる熱処理装置と熱処理方法を提供すること
にある。
ものであり、その目的は被処理体の表裏両面から熱処理
することができるとともに、急速に温度を昇降させて熱
処理時間の短縮が可能となり、スループットの向上を図
ることができる熱処理装置と熱処理方法を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を載置しこの被処理体の温度を制御する熱処理装置
において、被処理体を載置する載置台に設けられた温度
昇降手段と、この温度昇降手段の上面に突出して被処理
体を支持する支持手段と、前記温度昇降手段と対向する
位置に被処理体の温度を高速に昇降させる温度昇降加速
手段とを配置して、前記温度昇降手段及び温度昇降加速
手段を、独立に温度制御可能に設けるとともに、前記支
持手段により被処理体を、前記温度昇降手段及び温度昇
降加速手段のいずれか一方に対して進退可能に形成し
て、被処理体と前記温度昇降手段及び温度昇降加速手段
との間隔を調節可能にしたことを特徴とする。
理体を載置しこの被処理体の温度を制御する熱処理装置
において、被処理体を載置する載置台に設けられた温度
昇降手段と、この温度昇降手段の上面に突出して被処理
体を支持する支持手段と、前記温度昇降手段と対向する
位置に被処理体の温度を高速に昇降させる温度昇降加速
手段とを配置して、前記温度昇降手段及び温度昇降加速
手段を、独立に温度制御可能に設けるとともに、前記支
持手段により被処理体を、前記温度昇降手段及び温度昇
降加速手段のいずれか一方に対して進退可能に形成し
て、被処理体と前記温度昇降手段及び温度昇降加速手段
との間隔を調節可能にしたことを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、被処理体を載置しこの
被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処理
体を載置する載置台に設けられた温度昇降手段と、前記
温度昇降手段と対向する位置に被処理体の温度を高速に
昇降させる温度昇降加速手段との間に密封空間を形成
し、この密封空間の外周部に環状排気通路を形成すると
共に、この環状排気空間に設けた排気口を介して排気す
ることを特徴とする。
被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処理
体を載置する載置台に設けられた温度昇降手段と、前記
温度昇降手段と対向する位置に被処理体の温度を高速に
昇降させる温度昇降加速手段との間に密封空間を形成
し、この密封空間の外周部に環状排気通路を形成すると
共に、この環状排気空間に設けた排気口を介して排気す
ることを特徴とする。
【０００８】請求項３の発明は、被処理体を載置し、こ
の被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処
理体を載置する載置台に設けられた温度昇降手段と、こ
の温度昇降手段の上面に突出して被処理体を支持する支
持手段と、前記温度昇降手段と対向する位置に被処理体
の温度を高速に昇降させる温度昇降加速手段とを配置し
て、前記支持手段にて支持される被処理体の温度を検出
する温度検出手段と、この温度検出手段からの信号に基
いて被処理体の温度が所定温度になった際に、前記支持
手段の駆動部に信号を伝達する制御手段とを具備してな
ることを特徴とする。
の被処理体の温度を制御する熱処理装置において、被処
理体を載置する載置台に設けられた温度昇降手段と、こ
の温度昇降手段の上面に突出して被処理体を支持する支
持手段と、前記温度昇降手段と対向する位置に被処理体
の温度を高速に昇降させる温度昇降加速手段とを配置し
て、前記支持手段にて支持される被処理体の温度を検出
する温度検出手段と、この温度検出手段からの信号に基
いて被処理体の温度が所定温度になった際に、前記支持
手段の駆動部に信号を伝達する制御手段とを具備してな
ることを特徴とする。
【０００９】請求項４の発明は、被処理体を載置し、こ
の被処理体の温度を制御する熱処理装置において、加熱
処理された被処理体を載置し冷却する載置台に設けられ
た冷却手段と、この冷却手段の上面に突出して被処理体
を支持する支持手段と、前記冷却手段と対向する位置に
被処理体の温度を高速に冷却させる冷却加速手段とを配
置して、前記冷却手段及び冷却加速手段を、独立に温度
制御可能に設けるとともに、前記支持手段により被処理
体を前記冷却手段及び冷却加速手段のいずれか一方に対
して進退可能に形成して、被処理体と前記冷却手段及び
冷却加速手段との間隔を調節可能にしたことを特徴とす
る。
の被処理体の温度を制御する熱処理装置において、加熱
処理された被処理体を載置し冷却する載置台に設けられ
た冷却手段と、この冷却手段の上面に突出して被処理体
を支持する支持手段と、前記冷却手段と対向する位置に
被処理体の温度を高速に冷却させる冷却加速手段とを配
置して、前記冷却手段及び冷却加速手段を、独立に温度
制御可能に設けるとともに、前記支持手段により被処理
体を前記冷却手段及び冷却加速手段のいずれか一方に対
して進退可能に形成して、被処理体と前記冷却手段及び
冷却加速手段との間隔を調節可能にしたことを特徴とす
る。
【００１０】請求項５の発明は、被処理体を載置し、こ
の被処理体の温度を制御するに際し、被処理体を載置す
る載置台に設けられた温度昇降手段と、この温度昇降手
段の上面に突出して被処理体を支持する支持手段と、前
記温度昇降手段と対向する位置に被処理体の温度を高速
に昇降させる温度昇降加速手段とを配置して、前記温度
昇降手段及び温度昇降加速手段を、独立に温度制御する
とともに、前記支持手段により被処理体を、前記温度昇
降手段及び温度昇降加速手段のいずれか一方に対して進
退可能に形成して、被処理体と前記温度昇降手段及び温
度昇降加速手段との間隔を調節することを特徴とする。
の被処理体の温度を制御するに際し、被処理体を載置す
る載置台に設けられた温度昇降手段と、この温度昇降手
段の上面に突出して被処理体を支持する支持手段と、前
記温度昇降手段と対向する位置に被処理体の温度を高速
に昇降させる温度昇降加速手段とを配置して、前記温度
昇降手段及び温度昇降加速手段を、独立に温度制御する
とともに、前記支持手段により被処理体を、前記温度昇
降手段及び温度昇降加速手段のいずれか一方に対して進
退可能に形成して、被処理体と前記温度昇降手段及び温
度昇降加速手段との間隔を調節することを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１及び請求項５の発明では、被処理体を
載置する載置台に設けられた所望の温度に設定された温
度昇降手段と、この温度昇降手段と対向する位置に被処
理体の温度を高速に昇降させる目的で、被処理体の温度
を下げる場合は所望の温度よりやや低く、被処理体の温
度を上げる場合には所望の温度よりやや高く設定された
温度昇降加速手段とを配置している。温度昇降手段及び
温度昇降加速手段は、独立に温度制御可能で、温度昇降
手段の上面に突出して被処理体を支持する支持手段によ
り、被処理体を温度昇降加速手段に近接させて急速に温
度を昇降させ、所望の温度に近づいたら被処理体を温度
昇降加速手段より遠ざけて、温度昇降手段に近接させて
緩やかに温度を変化させ、所望の温度にできる。
載置する載置台に設けられた所望の温度に設定された温
度昇降手段と、この温度昇降手段と対向する位置に被処
理体の温度を高速に昇降させる目的で、被処理体の温度
を下げる場合は所望の温度よりやや低く、被処理体の温
度を上げる場合には所望の温度よりやや高く設定された
温度昇降加速手段とを配置している。温度昇降手段及び
温度昇降加速手段は、独立に温度制御可能で、温度昇降
手段の上面に突出して被処理体を支持する支持手段によ
り、被処理体を温度昇降加速手段に近接させて急速に温
度を昇降させ、所望の温度に近づいたら被処理体を温度
昇降加速手段より遠ざけて、温度昇降手段に近接させて
緩やかに温度を変化させ、所望の温度にできる。
【００１２】また請求項２の発明では、温度昇降手段と
温度昇降加速手段との間に密封空間を形成し、この密封
空間の外周部に環状排気通路を形成すると共に、この環
状排気空間に設けた排気口を介して排気することによ
り、被処理体面の冷却或いは加熱処理を均一にすること
ができ、被処理体表面の膜厚等を均一に処理することが
できる。
温度昇降加速手段との間に密封空間を形成し、この密封
空間の外周部に環状排気通路を形成すると共に、この環
状排気空間に設けた排気口を介して排気することによ
り、被処理体面の冷却或いは加熱処理を均一にすること
ができ、被処理体表面の膜厚等を均一に処理することが
できる。
【００１３】また請求項３の発明によれば、温度昇降手
段と温度昇降加速手段との間で支持手段上の被処理体の
温度を検出する温度検出手段を備えていることにより、
この温度検出手段からの信号に基いて、温度昇降加速手
段に近接している被処理体の温度が予め設定されていた
温度になった際に、支持手段の駆動部に信号を伝達する
制御手段により駆動部を動作させる。そして被処理体を
温度昇降手段に近接させ、緩やかに被処理体の温度を予
め設定されていた所望の温度に最適条件下で温度制御を
行うことができる。
段と温度昇降加速手段との間で支持手段上の被処理体の
温度を検出する温度検出手段を備えていることにより、
この温度検出手段からの信号に基いて、温度昇降加速手
段に近接している被処理体の温度が予め設定されていた
温度になった際に、支持手段の駆動部に信号を伝達する
制御手段により駆動部を動作させる。そして被処理体を
温度昇降手段に近接させ、緩やかに被処理体の温度を予
め設定されていた所望の温度に最適条件下で温度制御を
行うことができる。
【００１４】請求項４の発明では、被処理体を載置し冷
却する載置台に設けられ、所望の温度に設定された冷却
手段と、この冷却手段と対向する位置に被処理体の温度
を高速に冷却させる目的で、被処理体の所望の温度より
やや低く設定された冷却加速手段とを配置している。冷
却手段及び冷却加速手段は、独立に温度制御可能で、冷
却手段の上面に突出して被処理体を支持する支持手段に
より、被処理体を冷却加速手段に近接させて急速に温度
を冷却させ、所望の温度に近づいたら被処理体を冷却加
速手段より遠ざけて、冷却手段に近接させて緩やかに温
度を変化させ、所望の温度にすることができる。
却する載置台に設けられ、所望の温度に設定された冷却
手段と、この冷却手段と対向する位置に被処理体の温度
を高速に冷却させる目的で、被処理体の所望の温度より
やや低く設定された冷却加速手段とを配置している。冷
却手段及び冷却加速手段は、独立に温度制御可能で、冷
却手段の上面に突出して被処理体を支持する支持手段に
より、被処理体を冷却加速手段に近接させて急速に温度
を冷却させ、所望の温度に近づいたら被処理体を冷却加
速手段より遠ざけて、冷却手段に近接させて緩やかに温
度を変化させ、所望の温度にすることができる。
【００１５】
【実施例】このような処理を行う場合、図１に示す処理
システムが使用されている。この処理システムは、被処
理体としての半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を
搬入・搬出するローダ部４０と、ウエハＷをブラシ洗浄
するブラシ洗浄装置４２と、ウエハＷを高圧ジェット水
で洗浄するジェット水洗浄装置４４と、ウエハＷの表面
を疎水化処理するアドヒージョン処理装置４６と、ウエ
ハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置４８と、ウエハ
Ｗの表面にレジストを塗布するレジスト塗布装置５０
と、レジスト塗布の前後でウエハＷを加熱してプリベー
ク又はポストベークを行う加熱処理装置５２及びウエハ
Ｗを現像処理する現像装置５４等を一体的に集合化して
作業効率の向上を図っている。
システムが使用されている。この処理システムは、被処
理体としての半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を
搬入・搬出するローダ部４０と、ウエハＷをブラシ洗浄
するブラシ洗浄装置４２と、ウエハＷを高圧ジェット水
で洗浄するジェット水洗浄装置４４と、ウエハＷの表面
を疎水化処理するアドヒージョン処理装置４６と、ウエ
ハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置４８と、ウエハ
Ｗの表面にレジストを塗布するレジスト塗布装置５０
と、レジスト塗布の前後でウエハＷを加熱してプリベー
ク又はポストベークを行う加熱処理装置５２及びウエハ
Ｗを現像処理する現像装置５４等を一体的に集合化して
作業効率の向上を図っている。
【００１６】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路５６が設けら
れ、このウエハ搬送路５６に各装置４０〜５４が正面を
向けて配設され、ウエハ搬送体５８が各装置４０〜５４
とウエハＷの受け渡しを行うためにウエハ搬送路５６上
を移動し得るようになっている。
央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路５６が設けら
れ、このウエハ搬送路５６に各装置４０〜５４が正面を
向けて配設され、ウエハ搬送体５８が各装置４０〜５４
とウエハＷの受け渡しを行うためにウエハ搬送路５６上
を移動し得るようになっている。
【００１７】ウエハＷは、アドヒージョン処理装置４６
で疎水化処理された後に冷却処理装置４８で所定温度に
冷却される他、レジスト塗布装置５０でレジストを塗布
した後に加熱処理装置５２で加熱処理され、その後に冷
却処理装置４８で所定温度に冷却される。また、レジス
ト塗布装置５０で表面上にレジストが塗布された後に加
熱処理装置５２で加熱されたウエハＷは、冷却処理装置
４８で冷却された後、図示しないインターフェイス部か
ら図示しない露光装置に搬送されて露光処理される。そ
して、露光処理されたウエハＷは、再び図示しないイン
ターフェイス部を介して塗布現像装置に搬送され、現像
装置５４にて現像処理される。
で疎水化処理された後に冷却処理装置４８で所定温度に
冷却される他、レジスト塗布装置５０でレジストを塗布
した後に加熱処理装置５２で加熱処理され、その後に冷
却処理装置４８で所定温度に冷却される。また、レジス
ト塗布装置５０で表面上にレジストが塗布された後に加
熱処理装置５２で加熱されたウエハＷは、冷却処理装置
４８で冷却された後、図示しないインターフェイス部か
ら図示しない露光装置に搬送されて露光処理される。そ
して、露光処理されたウエハＷは、再び図示しないイン
ターフェイス部を介して塗布現像装置に搬送され、現像
装置５４にて現像処理される。
【００１８】図２はこの発明の熱処理装置の概略説明
図、図３は熱処理装置の概略斜視図、図４は熱処理装置
の一部を断面で示す平面図、図５は一部を断面で示す側
面図が示されている。第一実施例はこの発明の熱処理装
置を上記処理システムの冷却処理装置４８に適用した場
合である。
図、図３は熱処理装置の概略斜視図、図４は熱処理装置
の一部を断面で示す平面図、図５は一部を断面で示す側
面図が示されている。第一実施例はこの発明の熱処理装
置を上記処理システムの冷却処理装置４８に適用した場
合である。
【００１９】上記冷却処理装置４８は、図２に示すよう
に、ウエハＷを載置して冷却する冷却手段（温度昇降手
段）としての載置台６１と、この載置台６１に設けられ
た貫通孔６２内を貫通すると共に載置台６１の上面に出
没可能に構成され、突出してウエハＷを上端で支持し載
置台６１から離間可能に構成する複数、例えば３本の支
持ピン６３と、ウエハＷに関して載置台６１と対向する
上方位置に、冷却加速手段（温度昇降加速手段）として
の上蓋６５とで主要部が構成されている。
に、ウエハＷを載置して冷却する冷却手段（温度昇降手
段）としての載置台６１と、この載置台６１に設けられ
た貫通孔６２内を貫通すると共に載置台６１の上面に出
没可能に構成され、突出してウエハＷを上端で支持し載
置台６１から離間可能に構成する複数、例えば３本の支
持ピン６３と、ウエハＷに関して載置台６１と対向する
上方位置に、冷却加速手段（温度昇降加速手段）として
の上蓋６５とで主要部が構成されている。
【００２０】この場合、載置台６１と上蓋６５の内部に
は冷却水の供給通路６７が設けられており、この供給通
路６７に配管６８を介して冷却水供給源６９が接続され
ている。また、支持ピン６３は昇降シリンダ７１（駆動
部）に連結されて上下動する昇降板７２上に立設されて
おり、昇降シリンダ７１の駆動によって上下動する昇降
板７２と共に上下動して載置台６１の上面に出没し得る
ようになっている。このように構成される支持ピン６３
は、載置台６１上に突出した状態でウエハＷを支持する
ことができ、ウエハＷは支持ピン６３が下降して載置台
６１の貫通孔６２内に収納した状態では載置台６１上に
突出する複数、例えば３本のプロキシミティピン７３上
に支持される。この際、ウエハＷと載置台６１上面との
間隔は約０．３mmである。
は冷却水の供給通路６７が設けられており、この供給通
路６７に配管６８を介して冷却水供給源６９が接続され
ている。また、支持ピン６３は昇降シリンダ７１（駆動
部）に連結されて上下動する昇降板７２上に立設されて
おり、昇降シリンダ７１の駆動によって上下動する昇降
板７２と共に上下動して載置台６１の上面に出没し得る
ようになっている。このように構成される支持ピン６３
は、載置台６１上に突出した状態でウエハＷを支持する
ことができ、ウエハＷは支持ピン６３が下降して載置台
６１の貫通孔６２内に収納した状態では載置台６１上に
突出する複数、例えば３本のプロキシミティピン７３上
に支持される。この際、ウエハＷと載置台６１上面との
間隔は約０．３mmである。
【００２１】また、載置台６１と上蓋６５との間の処理
空間は外気と遮断された密封空間７５となっており、こ
の密封空間７５の外周部には環状排気通路７７が設けら
れている。そして、図６に示すように環状排気通路７７
の４個所には排気口７８が設けられており、排気口７８
に排気管７９を介して排気ダクト８０が接続され、排気
ダクト８０に連通された図示しない真空ポンプ（排気装
置）の駆動によって密封空間７５内を排気できるように
なっている。
空間は外気と遮断された密封空間７５となっており、こ
の密封空間７５の外周部には環状排気通路７７が設けら
れている。そして、図６に示すように環状排気通路７７
の４個所には排気口７８が設けられており、排気口７８
に排気管７９を介して排気ダクト８０が接続され、排気
ダクト８０に連通された図示しない真空ポンプ（排気装
置）の駆動によって密封空間７５内を排気できるように
なっている。
【００２２】なお、密封空間７５内には例えば窒素（Ｎ
2）ガス等のパージガスの供給管８１が挿入されてお
り、この供給管８１からパージガスとしてのＮ2ガスが
供給されるようになっている。このように、Ｎ2ガス又
は空気を定流量吐出することにより、密封空間７５内の
気流を層流化し、ウエハＷに与える熱影響を低減させる
ことができる。また、Ｎ2ガス又は空気量と排気量との
バランスを変化させ、ウエハＷに与える熱影響の一番小
さい条件を作り、その条件下で吐出・排気を行うことが
できる。
2）ガス等のパージガスの供給管８１が挿入されてお
り、この供給管８１からパージガスとしてのＮ2ガスが
供給されるようになっている。このように、Ｎ2ガス又
は空気を定流量吐出することにより、密封空間７５内の
気流を層流化し、ウエハＷに与える熱影響を低減させる
ことができる。また、Ｎ2ガス又は空気量と排気量との
バランスを変化させ、ウエハＷに与える熱影響の一番小
さい条件を作り、その条件下で吐出・排気を行うことが
できる。
【００２３】一方、上蓋６５の内側面の少なくとも一か
所には、温度検出手段としてセンサ８３が取付けられて
おり、このセンサ８３によって上記支持ピン６３にて支
持されるウエハＷの表面の温度を検出し得るようになっ
ている。このセンサ８３としては例えば、ウエハＷ表面
から放射される赤外光等の放射量を測定することによっ
て温度を検出する放射温度計が使用される。なおセンサ
８３は必ずしも上蓋６５の内側面に取付ける必要はな
く、載置台６１側に取付けるようにしてもよい。例え
ば、ウエハＷの周辺下方に配置し、ウエハＷの裏面側か
ら温度を測定するようにしてもよい。
所には、温度検出手段としてセンサ８３が取付けられて
おり、このセンサ８３によって上記支持ピン６３にて支
持されるウエハＷの表面の温度を検出し得るようになっ
ている。このセンサ８３としては例えば、ウエハＷ表面
から放射される赤外光等の放射量を測定することによっ
て温度を検出する放射温度計が使用される。なおセンサ
８３は必ずしも上蓋６５の内側面に取付ける必要はな
く、載置台６１側に取付けるようにしてもよい。例え
ば、ウエハＷの周辺下方に配置し、ウエハＷの裏面側か
ら温度を測定するようにしてもよい。
【００２４】このように構成されるセンサ８３によって
検出される測定値は検出信号として制御手段である中央
演算処理装置（以下ＣＰＵという）８５に伝達され、こ
のＣＰＵ８５にて予め記憶されたデータと比較演算処理
された制御信号が上記支持ピン６３の駆動部の昇降シリ
ンダ７１及びウェハ搬送体５８の搬送機構駆動部８７に
伝達されるようになっている。
検出される測定値は検出信号として制御手段である中央
演算処理装置（以下ＣＰＵという）８５に伝達され、こ
のＣＰＵ８５にて予め記憶されたデータと比較演算処理
された制御信号が上記支持ピン６３の駆動部の昇降シリ
ンダ７１及びウェハ搬送体５８の搬送機構駆動部８７に
伝達されるようになっている。
【００２５】次に、上記冷却処理装置４８の動作態様に
ついて説明する。まず、加熱処理装置５２で約９０℃以
上の温度で加熱処理されたウエハＷは、ウエハ搬送体５
８によって加熱処理装置５２から取出された後、冷却処
理装置４８に搬送されて載置台６１上に突出している支
持ピン６３にて支持される。ウエハ搬送体５８は支持ピ
ン６３にウエハＷを受渡した後、冷却処理装置４８から
後退する。支持ピン６３にて支持されたウエハＷは密封
空間７５内において空気、あるいは供給管８１から供給
されるＮ2ガス雰囲気下に晒されている。
ついて説明する。まず、加熱処理装置５２で約９０℃以
上の温度で加熱処理されたウエハＷは、ウエハ搬送体５
８によって加熱処理装置５２から取出された後、冷却処
理装置４８に搬送されて載置台６１上に突出している支
持ピン６３にて支持される。ウエハ搬送体５８は支持ピ
ン６３にウエハＷを受渡した後、冷却処理装置４８から
後退する。支持ピン６３にて支持されたウエハＷは密封
空間７５内において空気、あるいは供給管８１から供給
されるＮ2ガス雰囲気下に晒されている。
【００２６】そして支持ピン６３にて支持されたウエハ
Ｗは、昇降シリンダ７１が伸長動作を行うことによっ
て、冷却加速手段（温度昇降加速手段）である上蓋６５
に近接する。この際上蓋６５は冷却水供給源６９から供
給される冷却水が、供給通路６７を流れることによっ
て、ＣＰＵ８５によって予め設定されていた温度、即ち
所望の温度よりやや低い温度、例えば１５℃に保たれて
いる。
Ｗは、昇降シリンダ７１が伸長動作を行うことによっ
て、冷却加速手段（温度昇降加速手段）である上蓋６５
に近接する。この際上蓋６５は冷却水供給源６９から供
給される冷却水が、供給通路６７を流れることによっ
て、ＣＰＵ８５によって予め設定されていた温度、即ち
所望の温度よりやや低い温度、例えば１５℃に保たれて
いる。
【００２７】この状態で、ウエハＷは急速に冷却され、
ウエハＷの温度は温度センサ８３によって間欠的あるい
は連続的に検出され、ウエハＷの温度が例えば３０℃ま
で降温すると、ＣＰＵ８５から下降開始可の制御信号が
昇降シリンダ７１に伝達されて昇降シリンダ７１が収縮
動作し、昇降シリンダ７１の収縮動作に伴って昇降板７
２と共に支持ピン６３が下降して貫通孔６２内に収納し
てウエハＷを載置台６１上すなわちプロキシミティピン
７３上に載置する。
ウエハＷの温度は温度センサ８３によって間欠的あるい
は連続的に検出され、ウエハＷの温度が例えば３０℃ま
で降温すると、ＣＰＵ８５から下降開始可の制御信号が
昇降シリンダ７１に伝達されて昇降シリンダ７１が収縮
動作し、昇降シリンダ７１の収縮動作に伴って昇降板７
２と共に支持ピン６３が下降して貫通孔６２内に収納し
てウエハＷを載置台６１上すなわちプロキシミティピン
７３上に載置する。
【００２８】載置台６１上に載置されたウエハＷは載置
台６１に設けられた供給通路６７に供給される冷却水に
よって所望の温度（具体的には２３℃）まで緩やかに冷
却される。ウエハＷが所望の温度まで冷却されると、昇
降シリンダ７１が伸長動作して支持ピン６３を上昇させ
て載置台６１上に突出してウエハＷを支持する。この状
態でウエハ搬送体５８が冷却処理装置４８内に進入して
ウエハＷを受取った後、ウエハＷを冷却処理装置４８か
ら取出して次の処理工程に搬送する。
台６１に設けられた供給通路６７に供給される冷却水に
よって所望の温度（具体的には２３℃）まで緩やかに冷
却される。ウエハＷが所望の温度まで冷却されると、昇
降シリンダ７１が伸長動作して支持ピン６３を上昇させ
て載置台６１上に突出してウエハＷを支持する。この状
態でウエハ搬送体５８が冷却処理装置４８内に進入して
ウエハＷを受取った後、ウエハＷを冷却処理装置４８か
ら取出して次の処理工程に搬送する。
【００２９】ここで所望の温度とは、露光装置が要求す
る温度であり例えば２３℃である。現在のように微細加
工がすすむと、露光時におけるウェハＷの温度精度は厳
密に要求される一方で、生産性の効率の点においても処
理時間の短縮も要求されている。図７に従来の冷却手段
（温度昇降手段）による時間と温度の関係を示すグラフ
を、図８に本発明の冷却手段（温度昇降手段）と冷却加
速手段（温度昇降加速手段）による時間と温度の関係を
示すグラフを示す。グラフで明らかなようにウェハＷの
温度を高速に冷却（昇降）させる目的で配置した冷却加
速手段（温度昇降加速手段）により、急速に温度を冷却
（昇降）させて熱処理時間の短縮が可能となり、スルー
プットの向上を図ることができる。
る温度であり例えば２３℃である。現在のように微細加
工がすすむと、露光時におけるウェハＷの温度精度は厳
密に要求される一方で、生産性の効率の点においても処
理時間の短縮も要求されている。図７に従来の冷却手段
（温度昇降手段）による時間と温度の関係を示すグラフ
を、図８に本発明の冷却手段（温度昇降手段）と冷却加
速手段（温度昇降加速手段）による時間と温度の関係を
示すグラフを示す。グラフで明らかなようにウェハＷの
温度を高速に冷却（昇降）させる目的で配置した冷却加
速手段（温度昇降加速手段）により、急速に温度を冷却
（昇降）させて熱処理時間の短縮が可能となり、スルー
プットの向上を図ることができる。
【００３０】第二実施例は、この発明の熱処理装置を図
１に示した半導体ウエハの塗布現像装置に使用される加
熱処理装置５２に適用した場合である。上記加熱処理装
置５２は、第一実施例と同様に図２に示すように、ウエ
ハＷを載置して加熱する加熱手段（温度昇降手段）とし
ての載置台６１と、この載置台６１に設けられた貫通孔
６２内を貫通すると共に載置台６１の上面に出没可能に
構成され、突出してウエハＷを上端で支持し載置台６１
から離間可能に構成する複数、例えば３本の支持ピン６
３と、ウエハＷに関して載置台６１と対向する上方位置
に、加熱加速手段（温度昇降加速手段）としての上蓋６
５とで主要部が構成されている。
１に示した半導体ウエハの塗布現像装置に使用される加
熱処理装置５２に適用した場合である。上記加熱処理装
置５２は、第一実施例と同様に図２に示すように、ウエ
ハＷを載置して加熱する加熱手段（温度昇降手段）とし
ての載置台６１と、この載置台６１に設けられた貫通孔
６２内を貫通すると共に載置台６１の上面に出没可能に
構成され、突出してウエハＷを上端で支持し載置台６１
から離間可能に構成する複数、例えば３本の支持ピン６
３と、ウエハＷに関して載置台６１と対向する上方位置
に、加熱加速手段（温度昇降加速手段）としての上蓋６
５とで主要部が構成されている。
【００３１】この場合、載置台６１と上蓋６５の内部に
はヒータ９１が設けられており、このヒーター９１に導
線９２を介してヒーター電源９３が接続されている。ま
た、支持ピン６３は昇降シリンダ７１（駆動部）に連結
されて上下動する昇降板７２上に立設されており、昇降
シリンダ７１の駆動によって上下動する昇降板７２と共
に上下動して載置台６１の上面に出没し得るようになっ
ている。このように構成される支持ピン６３は、載置台
６１上に突出した状態でウエハＷを支持することがで
き、ウエハＷは支持ピン６３が下降して載置台６１の貫
通孔６２内に収納した状態では載置台６１上に突出する
複数、例えば３本のプロキシミティピン７３上に支持さ
れる。この際、ウエハＷと載置台６１上面との間隔は約
０．３mmである。
はヒータ９１が設けられており、このヒーター９１に導
線９２を介してヒーター電源９３が接続されている。ま
た、支持ピン６３は昇降シリンダ７１（駆動部）に連結
されて上下動する昇降板７２上に立設されており、昇降
シリンダ７１の駆動によって上下動する昇降板７２と共
に上下動して載置台６１の上面に出没し得るようになっ
ている。このように構成される支持ピン６３は、載置台
６１上に突出した状態でウエハＷを支持することがで
き、ウエハＷは支持ピン６３が下降して載置台６１の貫
通孔６２内に収納した状態では載置台６１上に突出する
複数、例えば３本のプロキシミティピン７３上に支持さ
れる。この際、ウエハＷと載置台６１上面との間隔は約
０．３mmである。
【００３２】また、載置台６１と上蓋６５との間の処理
空間は外気と遮断された密封空間７５となっており、こ
の密封空間７５の外周部には環状排気通路７７が設けら
れている。そして、図６に示すように環状排気通路７７
の４個所には排気口７８が設けられており、排気口７８
に排気管７９を介して排気ダクト８０が接続され、排気
ダクト８０に連通された図示しない真空ポンプ（排気装
置）の駆動によって密封空間７５内を排気できるように
なっている。
空間は外気と遮断された密封空間７５となっており、こ
の密封空間７５の外周部には環状排気通路７７が設けら
れている。そして、図６に示すように環状排気通路７７
の４個所には排気口７８が設けられており、排気口７８
に排気管７９を介して排気ダクト８０が接続され、排気
ダクト８０に連通された図示しない真空ポンプ（排気装
置）の駆動によって密封空間７５内を排気できるように
なっている。
【００３３】なお、密封空間７５内には例えば窒素（Ｎ
2）ガス等のパージガスの供給管８１が挿入されてお
り、この供給管８１からパージガスとしてのＮ2ガスが
供給されるようになっている。このように、Ｎ2ガス又
は空気を定流量吐出することにより、密封空間７５内の
気流を層流化し、ウエハＷに与える熱影響を低減させる
ことができる。また、Ｎ2ガス又は空気量と排気量との
バランスを変化させ、ウエハＷに与える熱影響の一番小
さい条件を作り、その条件下で吐出・排気を行うことが
できる。
2）ガス等のパージガスの供給管８１が挿入されてお
り、この供給管８１からパージガスとしてのＮ2ガスが
供給されるようになっている。このように、Ｎ2ガス又
は空気を定流量吐出することにより、密封空間７５内の
気流を層流化し、ウエハＷに与える熱影響を低減させる
ことができる。また、Ｎ2ガス又は空気量と排気量との
バランスを変化させ、ウエハＷに与える熱影響の一番小
さい条件を作り、その条件下で吐出・排気を行うことが
できる。
【００３４】一方、上蓋６５の内側面の少なくとも一か
所には、温度検出手段としてセンサ８３が取付けられて
おり、このセンサ８３によって上記支持ピン６３にて支
持されるウエハＷの表面の温度を検出し得るようになっ
ている。このセンサ８３としては例えば、ウエハＷ表面
から放射される赤外光等の放射量を測定することによっ
て温度を検出する放射温度計が使用される。なおセンサ
８３は必ずしも上蓋６５の内側面に取付ける必要はな
く、載置台６１側に取付けるようにしてもよい。例え
ば、ウエハＷの周辺下方に配置し、ウエハＷの裏面側か
ら温度を測定するようにしてもよい。
所には、温度検出手段としてセンサ８３が取付けられて
おり、このセンサ８３によって上記支持ピン６３にて支
持されるウエハＷの表面の温度を検出し得るようになっ
ている。このセンサ８３としては例えば、ウエハＷ表面
から放射される赤外光等の放射量を測定することによっ
て温度を検出する放射温度計が使用される。なおセンサ
８３は必ずしも上蓋６５の内側面に取付ける必要はな
く、載置台６１側に取付けるようにしてもよい。例え
ば、ウエハＷの周辺下方に配置し、ウエハＷの裏面側か
ら温度を測定するようにしてもよい。
【００３５】このように構成されるセンサ８３によって
検出される測定値は検出信号として制御手段である中央
演算処理装置（以下ＣＰＵという）８５に伝達され、こ
のＣＰＵ８５にて予め記憶されたデータと比較演算処理
された制御信号が上記支持ピン６３の駆動部の昇降シリ
ンダ７１及びウェハ搬送体５８の搬送機構駆動部８７に
伝達されるようになっている。
検出される測定値は検出信号として制御手段である中央
演算処理装置（以下ＣＰＵという）８５に伝達され、こ
のＣＰＵ８５にて予め記憶されたデータと比較演算処理
された制御信号が上記支持ピン６３の駆動部の昇降シリ
ンダ７１及びウェハ搬送体５８の搬送機構駆動部８７に
伝達されるようになっている。
【００３６】次に、上記のように構成されるこの発明の
熱処理装置の動作態様について説明する。ここでは、レ
ジスト塗布後のウエハＷの熱処理（プリベーキング）に
ついて説明する。
熱処理装置の動作態様について説明する。ここでは、レ
ジスト塗布後のウエハＷの熱処理（プリベーキング）に
ついて説明する。
【００３７】まず、レジスト塗布後のウエハＷをウエハ
搬送体５８にて保持して、開口部５２Ａを経由してウエ
ハＷを載置台６１の上方の定位置へ搬送すると、支持ピ
ン６３が上昇してウエハＷをその先端部で支持して受取
り、ウエハ搬送体５８が後退した後、開口部５２Ａが閉
じられてウエハＷは密封空間７５（処理空間）内の載置
台６１上に配置される。この状態で供給管８１からパー
ジガスが密封空間７５内に供給されて密封空間７５内が
Ｎ2ガスで置換された後、予め所定の処理温度に駆動調
整された載置台６１及び上蓋６５のヒーター９１からの
熱によってウエハＷの表裏面が急速に加熱処理される。
搬送体５８にて保持して、開口部５２Ａを経由してウエ
ハＷを載置台６１の上方の定位置へ搬送すると、支持ピ
ン６３が上昇してウエハＷをその先端部で支持して受取
り、ウエハ搬送体５８が後退した後、開口部５２Ａが閉
じられてウエハＷは密封空間７５（処理空間）内の載置
台６１上に配置される。この状態で供給管８１からパー
ジガスが密封空間７５内に供給されて密封空間７５内が
Ｎ2ガスで置換された後、予め所定の処理温度に駆動調
整された載置台６１及び上蓋６５のヒーター９１からの
熱によってウエハＷの表裏面が急速に加熱処理される。
【００３８】または第一実施例と同様な、厳密な温度制
御が必要とされる動作態様をさせる場合は、支持ピン６
３にて支持されたウエハＷは、昇降シリンダ７１が伸長
動作を行うことによって、加熱加速手段（温度昇降加速
手段）である上蓋６５に近接する。この際上蓋６５はヒ
ーター９１が発熱することによって、ＣＰＵ８５によっ
て予め設定されていた温度、即ち所定の温度よりやや高
い温度に保たれている。なお所定の温度は任意に設定及
び変更できる。
御が必要とされる動作態様をさせる場合は、支持ピン６
３にて支持されたウエハＷは、昇降シリンダ７１が伸長
動作を行うことによって、加熱加速手段（温度昇降加速
手段）である上蓋６５に近接する。この際上蓋６５はヒ
ーター９１が発熱することによって、ＣＰＵ８５によっ
て予め設定されていた温度、即ち所定の温度よりやや高
い温度に保たれている。なお所定の温度は任意に設定及
び変更できる。
【００３９】この状態で、ウエハＷは急速に加熱され、
ウエハＷの温度は温度センサ８３によって間欠的あるい
は連続的に検出され、ウエハＷの温度が所定の温度近傍
まで昇温すると、ＣＰＵ８５から下降開始可の制御信号
が昇降シリンダ７１に伝達されて昇降シリンダ７１が収
縮動作し、昇降シリンダ７１の収縮動作に伴って昇降板
７２と共に支持ピン６３が下降して貫通孔６２内に収納
してウエハＷを載置台６１上すなわちプロキシミティピ
ン７３上に載置する。
ウエハＷの温度は温度センサ８３によって間欠的あるい
は連続的に検出され、ウエハＷの温度が所定の温度近傍
まで昇温すると、ＣＰＵ８５から下降開始可の制御信号
が昇降シリンダ７１に伝達されて昇降シリンダ７１が収
縮動作し、昇降シリンダ７１の収縮動作に伴って昇降板
７２と共に支持ピン６３が下降して貫通孔６２内に収納
してウエハＷを載置台６１上すなわちプロキシミティピ
ン７３上に載置する。
【００４０】載置台６１上に載置されたウエハＷは載置
台６１に設けられたヒーター９１が発熱することによっ
て所定の温度まで緩やかに冷却される。ウエハＷが所定
の温度まで加熱されると、昇降シリンダ７１が伸長動作
して支持ピン６３を上昇させて載置台６１上に突出して
ウエハＷを支持する。この状態でウエハ搬送体５８が加
熱処理装置５２内に進入してウエハＷを受取った後、ウ
エハＷを加熱処理装置５２から取出して次の処理工程に
搬送する。
台６１に設けられたヒーター９１が発熱することによっ
て所定の温度まで緩やかに冷却される。ウエハＷが所定
の温度まで加熱されると、昇降シリンダ７１が伸長動作
して支持ピン６３を上昇させて載置台６１上に突出して
ウエハＷを支持する。この状態でウエハ搬送体５８が加
熱処理装置５２内に進入してウエハＷを受取った後、ウ
エハＷを加熱処理装置５２から取出して次の処理工程に
搬送する。
【００４１】加熱処理の際、排気ダクト８０に介設され
た図示しない真空ポンプが作動するので、密封空間７５
内の加熱処理に供された空気は、環状排気通路７７に向
って均一に排気され、環状排気通路７７内に流れた後、
排気口７８から排気管７９を介して排気ダクト８０を流
れて排気される。したがって、均一に排気されるため、
排気流の不均一によって部分的に膜厚が厚くなってしま
うという片上り現象も防止できる。
た図示しない真空ポンプが作動するので、密封空間７５
内の加熱処理に供された空気は、環状排気通路７７に向
って均一に排気され、環状排気通路７７内に流れた後、
排気口７８から排気管７９を介して排気ダクト８０を流
れて排気される。したがって、均一に排気されるため、
排気流の不均一によって部分的に膜厚が厚くなってしま
うという片上り現象も防止できる。
【００４２】上記実施例ではこの発明の熱処理装置にお
いて、温度昇降手段を載置台６１に設け、温度昇降加速
手段を上蓋６５に設けた場合について説明したが、この
装置に限定されるものではなく、逆に温度昇降手段を上
蓋６５に設け、温度昇降加速手段を載置台６１に設けて
も構わない。熱の対流の点では、より温度の高い部材を
上部側に配置することが望ましい。また上記実施例で
は、温度昇降手段と温度昇降加速手段を上下に対向する
ように配置したが、この配置方法に限定されるものでは
なく、同様の効果が得られれば左右に配置しても、また
対向していなくても一向に構わない。
いて、温度昇降手段を載置台６１に設け、温度昇降加速
手段を上蓋６５に設けた場合について説明したが、この
装置に限定されるものではなく、逆に温度昇降手段を上
蓋６５に設け、温度昇降加速手段を載置台６１に設けて
も構わない。熱の対流の点では、より温度の高い部材を
上部側に配置することが望ましい。また上記実施例で
は、温度昇降手段と温度昇降加速手段を上下に対向する
ように配置したが、この配置方法に限定されるものでは
なく、同様の効果が得られれば左右に配置しても、また
対向していなくても一向に構わない。
【００４３】上記実施例ではこの発明の熱処理装置を半
導体ウエハの塗布現像装置に適用した場合について説明
したが、この装置に限定されるものではなく、塗布現像
装置以外の熱処理装置にも適用でき、また、半導体ウエ
ハ以外の例えばＬＣＤガラス基板やＣＤ等の被処理体の
熱処理にも適用できることは勿論である。
導体ウエハの塗布現像装置に適用した場合について説明
したが、この装置に限定されるものではなく、塗布現像
装置以外の熱処理装置にも適用でき、また、半導体ウエ
ハ以外の例えばＬＣＤガラス基板やＣＤ等の被処理体の
熱処理にも適用できることは勿論である。
【００４４】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の熱処
理装置によれば、上記のように構成されるので、以下の
ような効果が得られる。
理装置によれば、上記のように構成されるので、以下の
ような効果が得られる。
【００４５】請求項１及び請求項５に記載の熱処理装置
及び熱処理方法によれば、被処理体の表裏両面から熱処
理することができるとともに、被処理体の温度を高速に
昇降させる目的で配置した温度昇降加速手段により、急
速に温度を昇降させて熱処理時間の短縮が可能となり、
スループットの向上を図ることができる。
及び熱処理方法によれば、被処理体の表裏両面から熱処
理することができるとともに、被処理体の温度を高速に
昇降させる目的で配置した温度昇降加速手段により、急
速に温度を昇降させて熱処理時間の短縮が可能となり、
スループットの向上を図ることができる。
【００４６】また請求項２に記載の熱処理装置によれ
ば、温度昇降手段と温度昇降加速手段との間に密封空間
を形成し、この密封空間の外周部に環状排気通路を形成
すると共に、この環状排気空間に設けた排気口を介して
排気することにより、被処理体面の冷却或いは加熱処理
を均一にすることができ、被処理体表面の膜厚等を均一
に処理することができる。
ば、温度昇降手段と温度昇降加速手段との間に密封空間
を形成し、この密封空間の外周部に環状排気通路を形成
すると共に、この環状排気空間に設けた排気口を介して
排気することにより、被処理体面の冷却或いは加熱処理
を均一にすることができ、被処理体表面の膜厚等を均一
に処理することができる。
【００４７】また請求項３に記載の熱処理装置によれ
ば、温度昇降手段と温度昇降加速手段との間で温度をコ
ントロールして、被処理体の熱処理を自動的に最適温度
条件下で行うので、被処理体及び被処理体表面上の回路
パターンにダメージを与えること無く、かつスループッ
トの向上を図ることができる。
ば、温度昇降手段と温度昇降加速手段との間で温度をコ
ントロールして、被処理体の熱処理を自動的に最適温度
条件下で行うので、被処理体及び被処理体表面上の回路
パターンにダメージを与えること無く、かつスループッ
トの向上を図ることができる。
【００４８】請求項４に記載の熱処理装置によれば、被
処理体の表裏両面から冷却処理することができるととも
に、被処理体の温度を高速に冷却させる目的で配置した
冷却加速手段により、急速に温度を下降させて冷却処理
時間の短縮が可能となり、スループットの向上を図るこ
とができる。
処理体の表裏両面から冷却処理することができるととも
に、被処理体の温度を高速に冷却させる目的で配置した
冷却加速手段により、急速に温度を下降させて冷却処理
時間の短縮が可能となり、スループットの向上を図るこ
とができる。
【図１】この発明の熱処理装置を適用する処理システム
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
【図２】この発明の熱処理装置の実施例を示す概略説明
図である。
図である。
【図３】この発明の熱処理装置の概略斜視図である。
【図４】この発明の熱処理装置の一部を断面で示す平面
図である。
図である。
【図５】この発明の熱処理装置の一部を断面で示す側面
図である。
図である。
【図６】この発明における密封空間と環状排気通路を示
す拡大断面図である。
す拡大断面図である。
【図７】従来の熱処理装置における時間と温度の図表で
ある。
ある。
【図８】この発明の熱処理装置の第一実施例の効果を示
す時間と温度の図表である。
す時間と温度の図表である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） ４８ 冷却処理装置 ５２ 加熱処理装置 ６１ 載置台（温度昇降手段） ６３ 支持ピン ６５ 上蓋（温度昇降加速手段） ６７ 供給通路 ６９ 冷却水供給源 ７１ 昇降シリンダ（駆動部） ７３ プロキシミティピン ７５ 密封空間 ７７ 環状排気通路 ７８ 排気口 ８１ 供給管 ８３ センサ ８５ 中央演算処理装置（ＣＰＵ） ９１ ヒーター ９３ ヒーター電源
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理体を載置し、この被処理体の温度
を制御する熱処理装置において、被処理体を載置する載
置台に設けられた温度昇降手段と、この温度昇降手段の
上面に突出して被処理体を支持する支持手段と、前記温
度昇降手段と対向する位置に被処理体の温度を高速に昇
降させる温度昇降加速手段とを配置して、前記温度昇降
手段及び温度昇降加速手段を、独立に温度制御可能に設
けるとともに、前記支持手段により被処理体を、前記温
度昇降手段及び温度昇降加速手段のいずれか一方に対し
て進退可能に形成して、被処理体と前記温度昇降手段及
び温度昇降加速手段との間隔を調節可能にしたことを特
徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 被処理体を載置し、この被処理体の温度
を制御する熱処理装置において、被処理体を載置する載
置台に設けられた温度昇降手段と、前記温度昇降手段と
対向する位置に被処理体の温度を高速に昇降させる温度
昇降加速手段との間に密封空間を形成し、この密封空間
の外周部に環状排気通路を形成すると共に、この環状排
気空間に設けた排気口を介して排気することを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項３】 被処理体を載置し、この被処理体の温度
を制御する熱処理装置において、被処理体を載置する載
置台に設けられた温度昇降手段と、この温度昇降手段の
上面に突出して被処理体を支持する支持手段と、前記温
度昇降手段と対向する位置に被処理体の温度を高速に昇
降させる温度昇降加速手段とを配置して、前記支持手段
にて支持される被処理体の温度を検出する温度検出手段
と、この温度検出手段からの信号に基いて被処理体の温
度が所定温度になった際に、前記支持手段の駆動部に信
号を伝達する制御手段とを具備してなることを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項４】 被処理体を載置し、この被処理体の温度
を制御する熱処理装置において、加熱処理された被処理
体を載置し冷却する載置台に設けられた冷却手段と、こ
の冷却手段の上面に突出して被処理体を支持する支持手
段と、前記冷却手段と対向する位置に被処理体の温度を
高速に冷却させる冷却加速手段とを配置して、前記冷却
手段及び冷却加速手段を、独立に温度制御可能に設ける
とともに、前記支持手段により被処理体を前記冷却手段
及び冷却加速手段のいずれか一方に対して進退可能に形
成して、被処理体と前記冷却手段及び冷却加速手段との
間隔を調節可能にしたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】 被処理体を載置し、この被処理体の温度
を制御するに際し、被処理体を載置する載置台に設けら
れた温度昇降手段と、この温度昇降手段の上面に突出し
て被処理体を支持する支持手段と、前記温度昇降手段と
対向する位置に被処理体の温度を高速に昇降させる温度
昇降加速手段とを配置して、前記温度昇降手段及び温度
昇降加速手段を、独立に温度制御するとともに、前記支
持手段により被処理体を、前記温度昇降手段及び温度昇
降加速手段のいずれか一方に対して進退可能に形成し
て、被処理体と前記温度昇降手段及び温度昇降加速手段
との間隔を調節することを特徴とする熱処理方法。
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|---|---|---|---|
| JP05352996A JP3131938B2 (ja) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
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