JP3963846B2 - 熱的処理方法および熱的処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面にレジスト膜が形成された半導体ウエハ等の基板を現像処理した後に熱的に処理する熱的処理方法および熱的処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、半導体ウエハの表面に所定の回路パターンを形成している。このフォトリソグラフィー工程では、例えば、洗浄処理された半導体ウエハにフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、所定のパターンでレジスト膜を露光し、これを現像処理するという一連の処理が行われている。また、現像処理工程においては、現像液による処理が終了した後に、ウエハを加熱処理(いわゆる、ポストベーク処理)することによって、ウエハに付着した水分を蒸発させており、これによって回路パターンを得ている。
【0003】
このようなウエハの熱処理に使用される熱処理装置として、特開平6−236844号公報(特許文献1)には、ウエハを載置する載置台と、載置台を介して載置台に載置された基板を加熱する発熱体とを有するホットプレートと、載置台を回転させる回転機構とを具備した加熱処理装置が開示されている。また、この特許文献1には、従来の熱処理装置として、ウエハを上面に載置し、載置されたウエハを加熱するホットプレートと、ホットプレートの上方に処理空間を形成すべく配置されるとともに、加熱処理時に発生するガスを排気するカバーと、を有するものが示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開平6−236844号公報(第2−4項、第1、11、12図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年、フォトリソグラフィー工程においては、パターンの微細化や細線化が進められており、これに伴って、レジスト膜に形成された現像線(レジスト膜において現像処理後に残る部分)の線幅に対する側面の荒れ(いわゆる、LER(Line Edge Roughness))の幅の割合が大きくなってしまい、良好な回路を形成することが困難となってきている。
【0006】
このLERの問題は、レジスト材料の特性上の問題でもあることから、LERを小さくするために、レジスト液の組成調整等が試みられている。しかし、レジスト感度やCD均一性等の他のレジスト特性との兼ね合いから、十分な成果を上げるには至っていない。
【0007】
このために、加熱処理装置開発の立場からも、LERの問題を解決するアプローチが望まれている。しかし、従来の加熱処理装置を用いた従来の現像処理後のウエハの加熱処理は、ウエハを加熱することによってレジスト膜が加熱されるために、レジスト膜が柔らかくなるまでウエハを加熱すると、回路パターンを保持することができない。
【0008】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、回路パターンを保持しながら、LERを小さくする熱的処理方法および熱的処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点によれば、表面にレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に、前記レジスト膜に形成された現像線のLERが小さくなるように、前記基板を熱的に処理する熱的処理方法であって、
前記基板を冷却プレートに載置する工程と、
熱源を前記基板の表面に近接させる工程と、
前記冷却プレートによって前記基板の裏面側を冷却しながら前記熱源からの輻射熱によってレジスト膜の表面近傍を前記レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱する工程と、
を有することを特徴とする熱的処理方法、が提供される。
【0010】
本発明の第2の観点によれば、表面にレジスト膜が形成された基板を現像液によって処理した後に、前記レジスト膜に形成された現像線のLERが小さくなるように、前記基板を熱的に処理する熱的処理装置であって、
前記基板を載置して冷却する冷却プレートと、
前記冷却プレートに載置された基板の表面側から前記基板に熱を輻射することによって、前記レジスト膜の表面近傍を前記レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱する熱源と、
前記冷却プレートに載置された基板と前記熱源とが近接/離隔するように、前記冷却プレートおよび前記熱源の少なくとも一方を移動させる移動機構と、
を具備し、
前記移動機構によって前記熱源と前記冷却プレートに載置された前記基板とを近接させた状態で、前記冷却プレートによって前記基板の裏面側を冷却しながら前記熱源によってレジスト膜の表面近傍を前記レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱することを特徴とする熱的処理装置、が提供される。
【0011】
このような熱的処理方法および熱的処理方法によれば、基板に形成されたレジストを直接に加熱することによって現像処理によって形成された現像線の側面部分を現像線の内側の部分よりも高い温度に加熱することができる。また、このとき現像線の側面近傍部分をガラス転移点よりも高い温度に上げることによって、この部分が流動性を示すようになり、現像線の側面の荒れ小さくなる。こうしてLERが小さくなる。
【0012】
なお、出願人は、先に特願2001−327194号において、CD均一性を高め、またLERを小さくすることができる熱処理装置および熱処理方法について特許出願している(以下「先行出願」という)。しかし、この先行出願は、レジスト液を塗布した後の熱処理(プリベーク)を改善することによって、上記解決すべき課題を解決しようとするものであり、現像処理後のレジスト膜の熱処理によって上記解決すべき課題を解決するものではない。それ故に、先行出願と本願発明とでは、発明の趣旨および構成において異なる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、レジスト膜の現像処理後に半導体ウエハを熱処理する加熱/冷却ユニットを備え、レジスト塗布から現像処理までを一貫して行うレジスト塗布・現像処理システムを例に挙げて説明することとする。
【0014】
図1は、レジスト塗布・現像処理システム1を示す概略平面図、図2はその正面図、図3はその背面図である。レジスト塗布・現像処理システム1は、搬送ステーションであるカセットステーション10と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション11と、処理ステーション11に隣接して設けられる図示しない露光装置との間でウエハWを受け渡すためのインターフェイスステーション12と、を具備している。
【0015】
カセットステーション10は、ウエハWを複数枚(例えば25枚)収容可能なウエハカセットCRを載置するカセット載置台20を有している。レジスト塗布・現像処理システム1において処理すべきウエハWが収容されたウエハカセットCRは、他のシステムからカセットステーション10のカセット載置台20へ搬入され、逆に、レジスト塗布・現像処理システム1における処理を終えたウエハWが収容されたウエハWが収容されたウエハカセットCRは、カセット載置台20から他のシステムへ搬出される。
【0016】
カセット載置台20上には、図1中X方向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20aが形成されており、位置決め突起20aの位置にウエハカセットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション11側に向けて1列に載置可能となっている。ウエハカセットCRにおいてはウエハWが鉛直方向(Z方向)に配列されている。
【0017】
カセットステーション10はまた、カセット載置台20と処理ステーション11との間にウエハ搬送機構21を備えている。このウエハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)およびその中のウエハWの配列方向(Z方向)に移動可能であり、かつ、図1中に示されるθ方向に回転可能なウエハ搬送用ピック21aを有している。こうしてウエハ搬送用ピック21aは、カセット載置台20に載置されたウエハカセットCRの所定位置に収容されたウエハWに対して選択的にアクセスすることができ、また、後述する処理ステーション11側の第3の処理部G3に属するアライメントユニット(ALIM)およびエクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0018】
処理ステーション11は、ウエハWに対してレジスト液の塗布および現像を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されている。各処理ユニットにおいてウエハWは1枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、図1に示すように、中心部にウエハ搬送路22aを有しており、この中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路22aの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向(Z方向)に沿って多段に配置されている。
【0019】
主ウエハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体79の内側にウエハ搬送装置76を鉛直方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体79は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送装置76も一体的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置76は、搬送基台77の前後方向に移動自在な複数本の保持アーム78を備え、これらの保持アーム78によって各処理ユニット間でのウエハWの受け渡しを実現している。
【0020】
図1に示すように、レジスト塗布・現像処理システム1においては、4個の処理部G1・G2・G3・G4がウエハ搬送路22aの周囲に実際に配置されている。これらのうち、第1および第2の処理部G1・G2はレジスト塗布・現像処理システム1の正面側(図1における手前側)に並列に配置され、第3の処理部G3はカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理部G4はインターフェイスステーション12に隣接して配置されている。また、レジスト塗布・現像処理システム1においては、背面部に第5の処理部G5を配置することができるようになっている。
【0021】
第1の処理部G1では、コータカップ(CP)内でウエハWを図示しないスピンチャックに乗せて所定の処理を行う2台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布処理ユニット(COT)およびレジストのパターンを現像する現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2の処理部G2も同様に、2台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布処理ユニット(COT)および現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。
【0022】
第3の処理部G3においては、図3に示すように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハWの搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、冷却処理を行うクーリングプレートユニット(COL)、現像処理後のウエハWに対して加熱/冷却処理を行う2つのホット/クーリングプレートユニット(CHP)、レジスト液が塗布されたウエハWまたは露光処理後のウエハWに対して加熱処理を行う2つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。なお、アライメントユニット(ALIM)の代わりにクーリングプレートユニット(COL)を設け、クーリングプレートユニット(COL)にアライメント機能を持たせてもよい。ホット/クーリングプレートユニット(CHP)の構造については後に詳細に説明する。
【0023】
第4の処理部G4においても、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングプレートユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングプレートユニット(EXTCOL)、エクステンションユニット(EXT)、クーリングプレートユニット(COL)、および4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。
【0024】
主ウエハ搬送機構22の背部側に第5の処理部G5を設ける場合に、第5の処理部G5は、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構22から見て側方へ移動できるようになっている。これにより、第5の処理部G5を設けた場合でも、これを案内レール25に沿ってスライドすることによって空間部が確保されるために、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【0025】
インターフェイスステーション12は、奥行方向(X方向)については、処理ステーション11と同じ長さを有している。図1、図2に示すように、このインターフェイスステーション12の正面部には、可搬性のピックアップカセットPRと定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中央部にはウエハ搬送機構24が配設されている。このウエハ搬送機構24はウエハ搬送用アーム24aを有しており、このウエハ搬送用アーム24aは、X方向、Z方向に移動して両カセットPR・BRおよび周辺露光装置23にアクセス可能となっている。
【0026】
なお、ウエハ搬送用アーム24aはθ方向に回転可能であり、処理ステーション11の第4の処理部G4に属するエクステンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセス可能となっている。
【0027】
上述したレジスト塗布・現像処理システム1においては、まず、カセットステーション10において、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用ピック21aがカセット載置台20上の未処理のウエハWを収容しているウエハカセットCRにアクセスして1枚のウエハWを取り出し、第3の処理部G3のエクステンションユニット(EXT)に搬送する。
【0028】
ウエハWは、このエクステンションユニット(EXT)から、主ウエハ搬送機構22のウエハ搬送装置76により、処理ステーション11に搬入される。そして、第3の処理部G3のアライメントユニット(ALIM)によりアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット(AD)に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理(HMDS処理)が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハWは、ウエハ搬送装置76によりクーリングプレートユニット(COL)に搬送されて冷却される。
【0029】
アドヒージョン処理ユニット(AD)での処理が終了してクーリングプレートユニット(COL)で冷却されたウエハW、またはアドヒージョン処理ユニット(AD)での処理を行わないウエハWは、引き続き、ウエハ搬送装置76によりレジスト塗布処理ユニット(COT)に搬送され、そこでレジストが塗布され、レジスト膜(塗布膜)が形成される。塗布処理終了後、ウエハWは、第3の処理部G3または第4の処理部G4のホットプレートユニット(HP)へ搬送されて、そこでプリベーク処理され、次いでいずれかのクーリングプレートユニット(COL)に搬送されて、そこで冷却される。
【0030】
冷却されたウエハWは、第3の処理部G3のアライメントユニット(ALIM)に搬送され、そこでアライメントされた後、第4の処理部G4のエクステンションユニット(EXT)を介してインターフェイスステーション12に搬送される。
【0031】
ウエハWは、インターフェイスステーション12において周辺露光装置23により周辺露光されて余分なレジストが除去された後、インターフェイスステーション12に隣接して設けられた図示しない露光装置に搬送され、そこで所定のパターンにしたがってウエハWのレジスト膜に露光処理が施される。
【0032】
露光後のウエハWは、再びインターフェイスステーション12に戻され、ウエハ搬送機構24により、第4の処理部G4に属するエクステンションユニット(EXT)に搬送される。そしてウエハWは、ウエハ搬送装置76により第3の処理部G3または第4の処理部G4のホットプレートユニット(HP)へ搬送されて、そこでポストエクスポージャーベーク処理が施される。ポストエクスポージャーベーク処理においては、ウエハWは所定温度まで冷却されるが、ウエハWはその後に必要に応じてクーリングプレートユニット(COL)に搬送され、そこでさらに冷却処理される。
【0033】
その後、ウエハWは現像処理ユニット(DEV)に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる。現像終了後、ウエハWは第3の処理部G3のホット/クーリングプレートユニット(CHP)へ搬送されて、そこでLERを小さくするための熱的処理(以下「LER改善処理」という)が施される。なお、このLER改善処理は、ウエハWのポストベーク処理を兼ねている。このような一連の処理が終了したウエハWは、第3の処理部G3のエクステンションユニット(EXT)を介してカセットステーション10に戻され、いずれかのウエハカセットCRに収容される。
【0034】
次に、ホット/クーリングプレートユニット(CHP)の構成について、さらに詳細に説明する。図4は、ホット/クーリングプレートユニット(CHP)の概略構造を示す平面図であり、図5はホット/クーリングプレートユニット(CHP)の概略断面図であり、図5(a)は加熱処理中の状態を、図5(b)はウエハWの搬入出時の状態をそれぞれ示している。
【0035】
ホット/クーリングプレートユニット(CHP)は、加熱処理チャンバ81とこれに隣接して設けられた冷却処理チャンバ82とを有している。加熱処理チャンバ81と冷却処理チャンバ82の間にはこれらの間でウエハWの受渡を行う際に開閉されるシャッタ91が設けられ、また、加熱処理チャンバ81には、主ウエハ搬送機構22との間でウエハWの受け渡しを行う際に開閉されるシャッタ92が設けられている。
【0036】
加熱処理チャンバ81は、ウエハWを載置する載置プレート83と、載置プレート83に載置されたウエハWの表面側からウエハWに熱を輻射してウエハWを加熱するホットプレート84を有している。載置プレート83の表面には図示しない支持ピンが複数箇所に設けられており、ウエハWを支持した際に、ウエハWの裏面と載置プレート83の上面との間には、所定の隙間が形成されるようになっている。また、載置プレート83の表面外周部には、載置プレート83とホットプレート84との間隔を決める位置決め突起86が設けられている。
【0037】
図示しない昇降機構によって駆動され、載置プレート83上でウエハWを昇降させる3本の昇降ピン88(図5では2本のみを図示する)が、載置プレート83を貫通するように設けられている。この昇降ピン88は、昇降ピン88とウエハ搬送装置76との間でウエハWを受け渡しする際には、ウエハWを載置プレート83から持ち上げて所定の高さ位置でウエハWを支持し、ウエハWの加熱処理中は、例えば、その先端が載置プレート83の上面と同じ高さとなるようにして保持される。
【0038】
ホットプレート84は昇降機構85により昇降自在となっている。ホットプレート84は、昇降ピン88とウエハ搬送装置76との間でウエハWを受け渡しする際は加熱処理チャンバ81の天井壁に近い位置で保持され、ウエハWの加熱処理中は載置プレート83に載置されたウエハWの表面と一定の隙間が形成される位置で保持される。ウエハWの加熱処理中のホットプレート84の位置は、ホットプレート84の裏面外周部が載置プレート83の表面外周部に設けられた位置決め突起86と接した状態となることにより、定められる。
【0039】
加熱処理チャンバ81へは、加熱処理チャンバ81の側壁に設けられた給気口96aから清浄な空気が供給されるようになっている。加熱処理チャンバ81に供給された空気は、加熱処理チャンバ81の底壁に形成されている排気口99aと加熱処理チャンバ81の側壁に設けられた排気口99bから排気されるようになっている。給気口96aから排気口99bへと流れる空気の流れを加熱処理チャンバ81の内部に作ることによって、ホットプレート84をウエハWに近接させてウエハWを加熱処理している間にウエハWの表面から蒸発する各種ガスを、効率よくウエハWとホットプレート84の間の隙間から除去することができる。
【0040】
加熱処理チャンバ81と冷却処理チャンバ82との間は、シャッタ91により開閉可能な連通口81aを介して連通している。冷却処理チャンバ82は、ウエハWを載置して冷却するためのクーリングプレート93と、クーリングプレート93を水平方向に移動させるためのガイドプレート94および移動機構95とを有している。
【0041】
クーリングプレート93が加熱処理チャンバ81に進入したときに、昇降ピン88と衝突しないように、クーリングプレート93には昇降ピン88が設けられている位置に合わせて、溝98が設けられている。
【0042】
移動機構95を駆動することによって、クーリングプレート93は、連通口81aを通って加熱処理チャンバ81内に進入することができ、加熱処理チャンバ81内において載置プレート83により加熱された後のウエハWを昇降ピン88から受け取って冷却処理チャンバ82内に搬入し、ウエハWを冷却した後にウエハWを昇降ピン88に戻すようになっている。なお、クーリングプレート93の設定温度は、例えば、15℃〜25℃とされる。
【0043】
冷却処理チャンバ82へは給気口96bから清浄な空気が供給されるようになっており、冷却処理チャンバ82に供給された空気は、冷却処理チャンバ82の底壁に形成された排気口99cから排気されるようになっている。
【0044】
図6は、このように構成されたホット/クーリングプレートユニット(CHP)を用いたウエハWの熱的処理工程を示すフローチャートである。まずホットプレート84を上方に待機させた状態でシャッタ92が開かれ、現像処理を終えたウエハWを保持した保持アーム78を加熱処理チャンバ81へ進入させる(ステップ1)。次いで昇降ピン88を上昇させると、ウエハWは昇降ピン88に支持されて、保持アーム78がフリーな状態となる。保持アーム78を加熱処理チャンバ81から退出させてシャッタ92を閉じ、昇降ピン88を降下させてウエハWを載置プレート83上に載置する(ステップ2)。
【0045】
続いて、ホットプレート84が位置決め突起86に接するまで降下させて、ウエハWの表面側からウエハWを加熱する(ステップ3)。ホットプレート84の昇温は、降下前、降下中、降下後のいずれのタイミングで行ってもよい。
【0046】
このときの処理温度は、レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度、例えば、ガラス転移点が150℃である場合には150℃〜200℃、とする。ガラス転移点以上に加熱されたレジスト膜においては、分子の熱運動が激しくなって流動性を示すようになる。ウエハWの表面側からホットプレート84による加熱を行うことによって、現像線の表面近傍では流動性が大きく、内部では流動性が小さい状態を実現することができる。これにより現像線の側面が熱垂れして荒れがスムージングされてLERが小さくなる。つまり、現像線の側面の荒れ幅が小さくなる。なお、現像線の内部で流動性が大きくならないように、処理温度に応じて処理時間を変えることが必要である。
【0047】
所定の処理時間が経過したら、ホットプレート84を上昇させ、続いて昇降ピン88を上昇させて、所定の高さまでウエハWを持ち上げる。シャッタ91を開いて、クーリングプレート93を加熱処理チャンバ81へスライドさせ、昇降ピン88を降下させることにより、ウエハWは昇降ピン88からクーリングプレート93へと受け渡される(ステップ4)。ウエハWを載置したクーリングプレート93は冷却処理チャンバ82へ戻されて、そこでウエハWは冷却される(ステップ5)。
【0048】
LERが問題となるレジスト材料のほとんどは、化学増幅型レジストと呼ばれているものであり、この化学増幅型レジストでは、加熱処理の後に速やかに冷却処理を行わないと、現像線幅が膨らんでしまうという問題を生ずる。ホット/クーリングプレートユニット(CHP)によれば、加熱処理されたウエハWを速やかに強制的に冷却することができるために、レジスト膜の熱垂れが過度に進行することと、現像線幅の膨張を防止することができる。
【0049】
冷却処理されたウエハWは、クーリングプレート93に乗せられた状態で再び加熱処理チャンバ81へ戻され、昇降ピン88に受け渡される(ステップ6)。シャッタ92を開いて保持アーム78を加熱処理チャンバ81に進入させ、次いで昇降ピン88を降下させることによりウエハWは保持アーム78に保持され、加熱処理チャンバ81から搬出される(ステップ7)。
【0050】
このようなLER改善処理の有無と、現像線の線幅および現像線の側面の荒れ幅の変化との関係を表1に示す。図7は、表1に示す各符号を模式的に示す説明図である。表1中の「試料1」〜「試料3」には、ガラス転移点が150℃のレジスト膜が形成されており、レジスト液の塗布から現像処理までは同じ条件で行われている。「試料1」は、ウエハをレジスト膜のガラス転移点よりも低い120℃で処理した試料であり、「試料2」は、レジスト膜のガラス転移点よりも高い160℃で30秒のLER改善処理を施した試料であり、「試料3」は160℃で60秒のLER改善処理を施した試料である。なお、ここでのLER改善処理においては、加熱処理後のウエハの急冷処理を行っていない。
【0051】
【表1】
【0052】
表1中の「中心」はウエハWの中心部分で測定していることを示しており、表1中の「中間」はウエハWの半径の中間部分で測定していることを示している。これらの各測定位置には3本の平行な現像線が左右に列べて形成されるようにパターニングされており、表1中の「右」は3本の平行な現像線の右側の現像線を、「左」は3本の平行な現像線の左側の現像線を示している。さらに、表1中の「上」は各現像線の上側の領域を、「中」は各現像線の中間の領域を、「下」は各現像線の下側の領域を、それぞれ示している。そして、表1中の「D(平均値)」は実際の現像線の線幅の平均値(各測定位置における6点の測定点の平均値)を示し、「d」は現像線の片側の側面の荒れ幅を示している。なお、図7に示されている平行な点線は目的とする現像線の線幅を示している。
【0053】
表1に示されるように、LER改善処理を行うことによって、現像線の荒れ幅が狭くなっており、処理時間の長い試料3でもっともLERが小さくなっていることがわかる。一方で、LER改善処理を行うと現像線の線幅が拡がるという傾向が現れているが、これは前述したように、加熱処理後の急冷処理を行っていないことが原因となっている。このため、LER改善処理においては、ウエハWを加熱処理した後に速やかに急冷処理を行うことによって、所望する線幅の現像線を得ることができる。なお、最初に狭い幅の現像線を形成しておいて、その後のLER改善処理によって所望する線幅へ拡げること等によっても、現像線の線幅を調整することができる。
【0054】
次に、ホット/クーリングプレートユニット(CHP)における加熱処理チャンバ81の別の実施の形態(加熱処理チャンバ81a・81b)について説明する。図8は加熱処理チャンバ81aの概略断面図である。加熱処理チャンバ81aは、ウエハWを略水平姿勢で吸着保持するスピンチャック31と、スピンチャック31に保持されたウエハWの表面側からウエハWに熱を輻射してウエハWを加熱するホットプレート32と、スピンチャック31の周囲に鉛直に設けられた昇降自在な3本のウエハ受渡ピン35を有している。
【0055】
スピンチャック31は、図示しない吸引機構によりウエハWを吸着保持することができ、また、回転機構33よって回転自在であり、かつ、昇降機構34によって昇降自在である。ホットプレート32は加熱処理チャンバ81aの上壁に固定されている。ウエハ受渡ピン35は、スピンチャック31との間でのウエハの受け渡し、および、クーリングプレート93との間でのウエハWの受け渡しを行う。なお、クーリングプレート93に設けられる溝98は、ウエハ受渡ピン35の位置に適合させた位置に設けられる。
【0056】
加熱処理チャンバ81aの側壁には、スピンチャック31に保持されたウエハWの表面とホットプレート32の下面との間隔を測定する位置センサ36が設けられている。加熱処理チャンバ81aにおける給排気は、先に説明した加熱処理チャンバ81と同様に行われる。
【0057】
このような加熱処理チャンバ81aでは、ウエハWを保持した保持アーム78を加熱処理チャンバ81aに進入させた後に、スピンチャック31を上昇させてウエハWをスピンチャック31に保持させる。このときウエハ受渡ピン35はその先端がスピンチャック31よりも低い高さにあるようにする。保持アーム78を加熱処理チャンバ81aから退出させた後に、ウエハWの表面とホットプレート32の下面との間が所定の間隔となるように、位置センサ36からの信号にしたがって、スピンチャック31を所定の高さまで上昇させ、スピンチャック31を一定速度(例えば、10rpm〜100rpm)で回転させながら、ウエハWを加熱処理する。なお、スピンチャック31を一定速度で回転させながら、所定の高さまで上昇させてもよい。
【0058】
このように加熱処理チャンバ81aでは、ウエハWを回転させながら加熱処理を行うことができるために、ウエハWの温度均一性を高めることができる。これによって、ウエハ面内でLER改善処理にばらつきが生ずることを抑制することができる。
【0059】
処理時間が経過したら、スピンチャック31を降下させると同時にウエハ受渡ピン35を上昇させて、ウエハWをウエハ受渡ピン35で支持する。この状態でシャッタ91を開いてクーリングプレート93を加熱処理チャンバ81aに進入させて、ウエハWをウエハ受渡ピン35からクーリングプレート93に受け渡す。クーリングプレート93を冷却処理チャンバ82に戻してウエハWを冷却した後に、クーリングプレート93を加熱処理チャンバ81aに進入させ、ウエハWをクーリングプレート93からウエハ受渡ピン35へ、次いでウエハ受渡ピン35からスピンチャック31へ、さらにピンチャック31から保持アーム78へ逐次受け渡す。LER改善処理の終了したウエハWは加熱処理チャンバ81aから搬出される。
【0060】
続いて、図9に加熱処理チャンバ81bの概略断面図を示す。加熱処理チャンバ81bの内部には、載置プレート83と、載置プレート83の外周を囲む第1リング部材61と、ホットプレート84aと、ホットプレート84aの外周を囲む第2リング部材62と、載置プレート83を貫通して配置された昇降自在な昇降ピン88と、を有している。第1リング部材61の上面にはシールリング63が取り付けられ、第2リング部材62にはガス供給管64が設けられている。
【0061】
ホットプレート84aには複数箇所に排気口66が設けられている。排気口66の大きさ、形成する位置、数は、ウエハWの温度分布の均一性が保たれるように定められる。ホットプレート84aを降下させると、第2リング部材62がシールリング63を押圧して変形させることにより、載置プレート83に載置されたウエハWの周囲に、狭い処理空間70が形成される。この処理空間70へはガス供給管64から空気または窒素ガスを供給することができるようになっており、排気口66を通してウエハWの近傍の雰囲気ガスが排気装置65によって排気される。
【0062】
このような加熱処理チャンバ81bは、特に、ウエハWやレジスト膜の酸化を防止するためにウエハWを窒素ガス等の不活性ガス雰囲気で処理しなければならない場合(例えば、ガラス転移点の温度が高いために、ウエハWの熱処理温度が高くなる場合)に好適に用いられ、狭い処理空間70へ窒素ガス等を供給するために、使用する窒素ガス等の量を少なくすることができる。
【0063】
次に、ホット/クーリングプレートユニット(CHP)の別の実施の形態について説明する。図10の断面図に示すホット/クーリングプレートユニット(CHP´)は、1個の処理チャンバ51の内部に、内部に冷媒を流すことによって所定の温度に保持することができるクーリングプレート52と、クーリングプレート52に載置されたウエハWの表面側からウエハWを加熱するホットプレート53と、ホットプレート53を回転させる回転機構54と、ホットプレート53を昇降させる昇降機構55と、ホットプレート53の下面とクーリングプレート52との間隔を測定する非接触式の距離測定センサ56と、クーリングプレート52を貫通して配置された昇降自在の昇降ピン57と、を有している。
【0064】
このようなホット/クーリングプレートユニット(CHP´)を用いれば、ホットプレート53を、距離測定センサ56による距離測定結果に基づいてクーリングプレート52上に載置されたウエハWに近接させて、ホットプレート53を回転させながらウエハWを加熱処理することができる。また、所定時間の加熱処理が終了した後には、クーリングプレート52に冷媒を流すことによってクーリングプレート52を急冷することによって、ウエハWを搬送することなく、ウエハWを冷却することができる。また、ホット/クーリングプレートユニット(CHP´)は1個の処理チャンバ51で構成されるために、省スペース化される。なお、ウエハWの加熱処理中に、クーリングプレート52に冷媒を流してクーリングプレート52の温度を低く保持してもよい。
【0065】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものでない。例えば、加熱処理チャンバ81に設けられた載置プレート83を回転自在としてもよい。この場合には、位置決め突起86を載置プレート83内に収納可能な構造とするか、または位置決め突起86を可倒式とする。つまり、位置決め突起86によってホットプレート84の位置が決められた後に、位置決め突起86とホットプレート84とを離隔させることができる構造とすればよい。
【0066】
また、載置プレート83を高速回転させる必要はないために、例えば、載置プレート83を回転させてもウエハWが載置プレート83との間に生じている摩擦力によって位置ずれしない場合には、ウエハWの移動を抑制する手段を載置プレート83に設けることは必要とされない。
【0067】
加熱処理チャンバ81aにおいては、ウエハ受渡ピン35をスピンチャック31を貫通するように配置することもできる。スピンチャック31としては、ウエハWを吸着保持するものに限定されず、ウエハWの周縁を機械的に保持するものを用いることもできる。ウエハWを加熱する熱源としては、ホットプレート84に代えて、例えば、ハロゲンランプ等の放熱性の高いランプ等を用いることも可能である。上記説明においては、基板として半導体ウエハを取り上げたが、フラットパネルディスプレイ(FPD)基板等の他の基板のフォトリソグラフィー工程におけるLER改善処理に、本発明の熱的処理方法および熱的処理装置を適用することができる。
【0068】
【発明の効果】
上述の通り本発明によれば、基板に形成されたレジストを直接に加熱することによって現像処理によって形成された現像線の側面を他の部分よりも高い温度に加熱することができる。また、このとき現像線の側面近傍部分をガラス転移点よりも高い温度に上げることによって、この部分が流動性を示すようになり、現像線の荒れが小さくなる。こうして現像線の側面が滑らかになって、LERが小さくなる。これにより、その後に形成される回路の品質が高められ、製品の信頼性が高められる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 レジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す平面図。
【図2】レジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す正面図。
【図3】レジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す背面図。
【図4】ホット/クーリングプレートユニット(CHP)の概略構造を示す平面図。
【図5】ホット/クーリングプレートユニット(CHP)の概略構造を示す断面図。
【図6】ホット/クーリングプレートユニット(CHP)を用いたウエハの熱的処理工程を示すフローチャート。
【図7】表1に示す各符号を模式的に示す説明図。
【図8】ホット/クーリングプレートユニット(CHP)が具備する加熱処理チャンバの別の実施の形態を示す概略断面図。
【図9】ホット/クーリングプレートユニット(CHP)が具備する加熱処理チャンバのさらに別の実施の形態を示す概略断面図。
【図10】ホット/クーリングプレートユニット(CHP)の別の実施の形態を示す概略断面図。
【符号の説明】
1;レジスト塗布・現像処理システム
31;スピンチャック
32;ホットプレート
33;回転機構
34;昇降機構
35;ウエハ受渡ピン
51;処理チャンバ
52;クーリングプレート
53;ホットプレート
81・81a・81b;加熱処理チャンバ
82;冷却処理チャンバ
83;載置プレート
84;ホットプレート
85;昇降機構
88;昇降ピン
93;クーリングプレート
CHP・CHP´;ホット/クーリングプレートユニット
W;半導体ウエハ
Claims (8)
- 表面にレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に、前記レジスト膜に形成された現像線のLERが小さくなるように、前記基板を熱的に処理する熱的処理方法であって、
前記基板を冷却プレートに載置する工程と、
熱源を前記基板の表面に近接させる工程と、
前記冷却プレートによって前記基板の裏面側を冷却しながら前記熱源からの輻射熱によってレジスト膜の表面近傍を前記レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱する工程と、
を有することを特徴とする熱的処理方法。 - 前記熱源として、前記基板の表面と平行に対向する平坦な熱放射面を有するホットプレートを用いることを特徴とする請求項1に記載の熱的処理方法。
- 前記ホットプレートの熱放射面と前記基板の表面との間隔は、0.1mm以上1mm以下とすることを特徴とする請求項2に記載の熱的処理方法。
- 前記冷却プレートまたは前記熱源の少なくとも一方を回転させながら前記基板の加熱処理を行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の熱的処理方法。
- 表面にレジスト膜が形成された基板を現像液によって処理した後に、前記レジスト膜に形成された現像線のLERが小さくなるように、前記基板を熱的に処理する熱的処理装置であって、
前記基板を載置して冷却する冷却プレートと、
前記冷却プレートに載置された基板の表面側から前記基板に熱を輻射することによって、前記レジスト膜の表面近傍を前記レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱する熱源と、
前記冷却プレートに載置された基板と前記熱源とが近接/離隔するように、前記冷却プレートおよび前記熱源の少なくとも一方を移動させる移動機構と、
を具備し、
前記移動機構によって前記熱源と前記冷却プレートに載置された前記基板とを近接させた状態で、前記冷却プレートによって前記基板の裏面側を冷却しながら前記熱源によってレジスト膜の表面近傍を前記レジスト膜のガラス転移点よりも高い温度に加熱することを特徴とする熱的処理装置。 - 前記熱源は前記基板の表面と平行に対向する平坦な熱放射面を有するホットプレートであり、
前記ホットプレートの熱輻射面と前記冷却プレートに載置された基板の表面との間隔を測定するセンサをさらに具備し、
前記移動機構は、前記センサによる測定結果に基づいて、前記ホットプレートの熱輻射面と前記基板の表面との間隔を一定に保持することを特徴とする請求項5に記載の熱的処理装置。 - 前記熱源は前記基板の表面と平行に対向する平坦な熱放射面を有するホットプレートであり、
前記移動機構を駆動することによって前記ホットプレートと前記冷却プレートに載置された基板とを近接させた際に、前記ホットプレートの熱輻射面と前記基板の表面との間隔を一定に保持するスペーサをさらに具備することを特徴とする請求項5に記載の熱的処理装置。 - 前記冷却プレートまたは前記熱源の少なくとも一方を回転させる回転機構をさらに具備し、
前記回転機構によって前記冷却プレートまたは前記熱源の少なくとも一方を回転させながら前記基板を加熱することを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の熱的処理装置。
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