JPH07160569A - メモリ制御装置 - Google Patents

メモリ制御装置

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Publication number
JPH07160569A
JPH07160569A JP30933593A JP30933593A JPH07160569A JP H07160569 A JPH07160569 A JP H07160569A JP 30933593 A JP30933593 A JP 30933593A JP 30933593 A JP30933593 A JP 30933593A JP H07160569 A JPH07160569 A JP H07160569A
Authority
JP
Japan
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block
address
data
erase
fifo
Prior art date
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Pending
Application number
JP30933593A
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English (en)
Inventor
Yoshitaka Kuroda
剛毅 黒田
Yukinobu Nishikawa
幸伸 西川
Yasushi Kamisaka
靖 上坂
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 不揮発性メモリのデータ書き込み時間を大幅
に短縮可能とする。 【構成】 FIFOメモリ部102に記憶されたブロッ
ク毎のデータに対応するブロックのアドレスを記憶する
アドレスバッファ部104と、ホストからのライト要求
がある毎に、その対象となるブロックのアドレスと、ア
ドレスバッファ部104に記憶されたブロックのアドレ
スとを比較し、同一ブロックのアドレスが存在しない場
合は、そのライト要求が指すブロックを消去する消去制
御部106と、またFIFOメモリ部102が出力すべ
きデータに対応するブロックのアドレスと、同一ブロッ
クのアドレスがアドレスバッファ部104にもう1つ存
在するかどうかを判定するアドレス比較部105と、ア
ドレス比較部105が同一ブロックのアドレスがアドレ
スバッファ部104に存在すると判断したとき、FIF
Oデータ記憶手段から1ブロック分のデータを読み出し
廃棄する書き込み制御部108とを備えたことを特徴と
するメモリ制御装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的に消去可能な不
揮発性メモリ(EEPROM、フラッシュメモリなど)
におけるメモリ制御方法およびメモリ制御装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、電気的に消去可能な不揮発性メモ
リ(EEPROM、フラッシュメモリなど)における技
術革新が活発となりデータアクセスの高速化と、大容量
化が進んでいる。例えば『日経エレクトロニクス』1992
2-17,no.547,pp.133-186 に記載されているごとく、あ
る種の不揮発性メモリ(EEPROM、フラッシュメモ
リなど)に新たにデータを書き込む場合には、直接新た
なデータをそのまま書き込むこと(オーバーライト)が
出来ないので、それに先立ち消去動作を行なっていた。
本明細書ではかかる性質を有する不揮発性メモリをフラ
ッシュメモリという。
【0003】また、従来の不揮発性メモリ記憶装置に関
する発明としては、例えば特開平03−259498が
ある。この従来例の不揮発性メモリ記憶装置は、不揮発
性メモリであるEEPROMとその前段に通常のFIF
Oメモリを用いた一時記憶手段とを設けている。このE
EPROMは、チップ単位又はブロック単位で消去可能
なフラッシュメモリを用いている。ホストから書き込む
場合は、データを一旦一時記憶装置に書き込み、さらに
別回路が一時記憶装置から読み出して自動的にEEPR
OMへの書き込みを行う。これによりホストが不揮発性
メモリの書き込みに占有される時間を減少しようとして
いる。その際フラッシュメモリを用いているので、すで
に存在するデータを消去してから書き込みを行なう必要
がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術によれば、上記のようにデータの消去と書き込みと
を交互に行なっているので、不揮発性メモリの書き込み
性能が大きく劣化するという問題がある。本発明はかか
る課題に鑑み、データ書き込み時間を大幅に短縮可能な
メモリ制御装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1では、書込みの際に消去を必要としブロッ
ク単位で消去可能なフラッシュメモリチップを制御する
メモリ制御装置であって、ホストからライト要求による
ブロック毎のデータとアドレスが順に書き込まれ、複数
ブロック分のデータとアドレスを記憶し、書き込まれた
順に出力するFIFO記憶手段と、ホストからのライト
要求がある毎に、そのライト要求が指すブロックを消去
する消去手段と、FIFO記憶手段から1ブロック分の
データを読み出して対象となる消去済みのブロックに書
き込む書き込み制御手段と、を備えたことを特徴とする
メモリ制御装置。
【0006】請求項2では、ホストからライト要求によ
るブロック毎のデータとアドレスが順に書き込まれ、複
数ブロック分のデータとアドレスを記憶し、書き込まれ
た順に出力するFIFO記憶手段と、ホストからのライ
ト要求がある毎に、その対象となるブロックのアドレス
と、FIFO記憶手段に記憶されたブロックのアドレス
とを比較し、同一ブロックのアドレスが存在しない場合
は、そのライト要求が指すブロックを消去する比較消去
手段と、FIFO記憶手段が出力すべきデータに対応す
るブロックのアドレスと、同一ブロックのアドレスがF
OFO記憶手段に存在するかどうかを判定する同一ブロ
ック判定手段と、同一ブロック判断手段が存在すると判
断したとき、FIFO記憶手段から1ブロック分のデー
タを読み出し廃棄し、存在しないと判断したとき、FI
FO記憶手段から1ブロック分のデータを読み出して対
象となる消去済みのブロックに書き込む書き込み制御手
段とを備えている。
【0007】請求項3では、前記比較消去手段は、ホス
トからのライト要求がある毎に、その対象となるブロッ
クのアドレスと、FIFO記憶手段に記憶されたブロッ
クのアドレスとを比較し、同一チップ上の別ブロックの
アドレスがFIFO記憶手段に存在する場合は、そのラ
イト要求の対象となるブロックの消去の指示する第1の
消去要求を出力し、同一ブロックのアドレスも同一チッ
プ上の別ブロックのアドレスもFIFO記憶手段に存在
しない場合は、そのライト要求によるブロックの消去を
指示する第2の消去要求を出力するアドレス比較手段
と、アドレス比較手段によって第1の消去の指示が出さ
れた場合は、その消去要求が指すブロックと同一チップ
上の別ブロックが消去中でなくなるのを待って、当該消
去要求が指すフラッシュメモリのブロックを消去し、第
2の消去要求が出された場合には、その消去要求が指す
フラッシュメモリのブロックを消去する消去手段とから
なっていてもよい。
【0008】請求項4では、前記書き込み制御手段は、
同一ブロック判定手段が、存在しないと判定したとき、
対象となるブロックが未消去である場合には、FIFO
記憶手段から1ブロック分のデータとアドレスを読み出
し、再度FIFO記憶手段に書き込む事を特徴としても
よい。請求項5では、ホストからライト要求によるブロ
ック毎のデータが順に書き込まれ、複数ブロック分のデ
ータを記憶し、書き込まれた順に出力するFIFOデー
タ記憶手段と、FIFOデータ記憶手段に記憶されたブ
ロック毎のデータに対応するブロックのアドレスを記憶
するアドレス記憶手段と、ホストからのライト要求があ
る毎に、そのライト要求が指すブロックを消去する消去
手段と、FIFOデータ記憶手段から1ブロック分のデ
ータを読み出して対象となる消去済みのブロックに書き
込む書き込み制御手段とを備えたことを特徴とするメモ
リ制御装置。
【0009】請求項6では、ホストからライト要求によ
るブロック毎のデータが順に書き込まれ、複数ブロック
分のデータを記憶し、書き込まれた順に出力するFIF
Oデータ記憶手段と、FIFOデータ記憶手段に記憶さ
れたブロック毎のデータに対応するブロックのアドレス
を記憶するアドレス記憶手段と、ホストからのライト要
求がある毎に、その対象となるブロックのアドレスと、
アドレス記憶手段に記憶されたブロックのアドレスとを
比較し、同一ブロックのアドレスが存在しない場合は、
そのライト要求が指すブロックを消去する比較消去手段
と、FIFOデータ記憶手段が出力すべきデータに対応
するブロックのアドレスと、同一ブロックのアドレスが
アドレス記憶手段に存在するかどうかを判定する同一ブ
ロック判定手段と、同一ブロック判断手段が存在すると
判断したとき、FIFOデータ記憶手段から1ブロック
分のデータを読み出し廃棄し、存在しないと判断したと
き、FIFOデータ記憶手段から1ブロック分のデータ
を読み出して対象となる消去済みのブロックに書き込む
書き込み制御手段とを備えている。
【0010】請求項7では、前記比較消去手段は、ホス
トからのライト要求がある毎に、その対象となるブロッ
クのアドレスと、アドレス記憶手段に記憶されたブロッ
クのアドレスとを比較し、同一チップ上の別ブロックの
アドレスがアドレス記憶手段に存在する場合は、そのラ
イト要求の対象となるブロックの消去の指示する第1の
消去要求を出力し、同一ブロックのアドレスも同一チッ
プ上の別ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に存在
しない場合は、そのライト要求によるブロックの消去を
指示する第2の消去要求を出力するアドレス比較手段
と、アドレス比較手段によって第1の消去の指示が出さ
れた場合は、その消去要求が指すブロックと同一チップ
上の別ブロックが消去中でなくなるのを待って、当該消
去要求が指すフラッシュメモリのブロックを消去し、第
2の消去要求が出された場合には、その消去要求が指す
フラッシュメモリのブロックを消去する消去手段とから
なっていてもよい。
【0011】請求項8では、前記書き込み制御手段は、
同一ブロック判定手段が、存在しないと判定したとき、
対象となるブロックが未消去である場合には、FIFO
データ記憶手段から1ブロック分のデータを読み出し、
再度FIFOデータ記憶手段に書き込む事を特徴として
もよい。請求項9では、前記FIFOデータ記憶手段
は、フラッシュメモリの1ブロックあたりの消去時間が
1ブロック当たりの書き込み時間のN倍であるとき、少
なくともNブロック分のデータを記憶する容量を有する
ことを特徴としている。
【0012】請求項10では、ホストからのライト要求
によるブロック毎のデータのアドレスが順に書き込ま
れ、複数ブロック分のアドレスを記憶し、書き込まれた
順に出力するFIFOアドレス記憶手段と、FIFOア
ドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のアドレスに対
応するブロックのデータを記憶するデータ記憶手段と、
ホストからのライト要求がある毎に、そのライト要求が
指すブロックのアドレスの領域を消去する消去手段と、
データ記憶手段から1ブロック分のデータを読み出して
対象となる消去済みのブロックに書き込む書き込み制御
手段とを備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
【0013】請求項11では、ホストからのライト要求
によるブロック毎のデータのアドレスが順に書き込ま
れ、複数ブロック分のアドレスを記憶し、書き込まれた
順に出力するFIFOアドレス記憶手段と、FIFOア
ドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のアドレスに対
応するブロックのデータを記憶するデータ記憶手段と、
ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
ロックのアドレスと、FIFOアドレス記憶手段に記憶
された全てのブロックのアドレスとを比較し、同一チッ
プ上の別ブロックのアドレスがFIFOアドレス記憶手
段に存在する場合と、同一ブロックのアドレスも同一チ
ップ上の別ブロックのアドレスもFIFOアドレス記憶
手段に存在しない場合を判断するアドレス比較手段と、
アドレス比較手段によって同一チップ上の別ブロックの
アドレスがFIFOアドレス記憶手段に存在する場合と
判断された場合には、ライト要求によるブロックのアド
レスを順に保持し、同一ブロックのアドレスも同一チッ
プ上の別ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に存在
しないと判断された場合は、保持しているアドレスに対
応するブロックの消去要求を出すとともに、保持内容を
消去して当該ライト要求によるブロックのアドレスを新
たに保持する消去判断手段と、消去判断手段によって消
去要求が出された場合は、その消去要求のブロックのア
ドレスの領域を消去する消去手段と、データ記憶手段か
ら1ブロック分のデータを読み出して対象となる消去済
みのブロックに書き込む書き込み制御手段とを備えたこ
とを特徴とするメモリ制御装置。
【0014】請求項12では、ホストからのライト要求
によるブロック毎のデータのアドレスが順に書き込ま
れ、複数ブロック分のアドレスを記憶し、書き込まれた
順に出力するFIFOアドレス記憶手段と、FIFOア
ドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のアドレスに対
応するブロックのデータを記憶するデータ記憶手段と、
ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
ロックのアドレスと、FIFOアドレス記憶手段に記憶
された全てのブロックのアドレスとを比較し、同一チッ
プ上の別ブロックのアドレスがFIFOアドレス記憶手
段に存在する場合と、同一ブロックのアドレスも同一チ
ップ上の別ブロックのアドレスもFIFOアドレス記憶
手段に存在しない場合を判断するアドレス比較手段と、
アドレス比較手段によって同一チップ上の別ブロックの
アドレスがFIFOアドレス記憶手段に存在する場合と
判断された場合には、ライト要求によるブロックのアド
レスを順に保持し、同一ブロックのアドレスも同一チッ
プ上の別ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に存在
しないと判断された場合は、保持しているアドレスに対
応するブロックの消去要求を出すとともに、保持内容を
消去して当該ライト要求によるブロックのアドレスを新
たに保持する消去判断手段と、消去判断手段によって消
去要求が出された場合は、その消去要求のブロックのア
ドレスの領域を消去する消去手段と、FIFOアドレス
記憶手段が出力すべきブロックのアドレスと同一ブロッ
クのアドレスがFIFOアドレス記憶手段に存在するか
どうかを判定する同一ブロック判定手段と、同一ブロッ
ク判断手段が存在すると判断したとき、FIFOアドレ
ス記憶手段が出力すべきブロックのアドレスを読み出し
廃棄し、存在しないと判断したとき、FIFOアドレス
記憶手段が出力すべきブロックのアドレスを読み出して
そのアドレスに対応するデータ記憶手段のデータを対象
となる消去済みのブロックに書き込む書き込み制御手段
とを備えたことを特徴としている。
【0015】請求項13では、前記書き込み制御手段
は、同一ブロック判定手段が、存在しないと判定したと
きで、対象となるブロックが未消去である場合には、F
IFOアドレス記憶手段からブロックのアドレスを読み
出し、再度FIFOアドレス記憶手段に書き込むことを
特徴としている。請求項14では、ホストからのライト
要求によるブロック毎のデータとアドレスが書き込まれ
る領域を有し、そのブロック毎のデータに対応するフラ
ッシュメモリのブロックの消去状態も記憶するバッファ
手段と、ホストからのライト要求に対しバッファ手段上
に同じブロックに対するアドレスが存在していない場合
は、バッファ手段にブロックのデータとアドレスを書き
込み、既にバッファ手段上に同じブロックのアドレスが
存在する場合はオーバーライトし、またホストからのリ
ード要求に対しライトバッファ手段上にブロックのデー
タが存在すればライトバッファ手段からブロックのデー
タを読み出すバッファ制御手段と、ホストからのライト
要求がある毎に、その対象となるブロックのアドレス
と、バッファ手段に記憶されたブロックのアドレスとを
比較し、同一チップ上の別ブロックのアドレスがバッフ
ァ手段に存在する場合は、そのライト要求の対象となる
ブロックの消去の指示する第1の消去要求を出力し、同
一ブロックのアドレスも同一チップ上の別ブロックのア
ドレスもバッファ手段に存在しない場合は、そのライト
要求によるブロックの消去を指示する第2の消去要求を
出力するアドレス比較手段と、アドレス比較手段によっ
て第1の消去の指示が出された場合は、その消去要求が
指すブロックと同一チップ上の別ブロックが消去中でな
くなるのを待って、当該消去要求が指すフラッシュメモ
リのブロックを消去し、第2の消去要求が出された場合
には、その消去要求が指すフラッシュメモリのブロック
を消去する消去手段と、バッファ手段に記憶されている
ブロックのアドレスに対応するフラッシュメモリのブロ
ックの消去状態に応じてバッファ手段に記憶されている
ブロックの消去状態を書き込む消去状態監視手段と、バ
ッファ手段の記憶するブロックの消去状態が消去済みに
なったときバッファ記憶手段の記憶しているブロックの
データをフラッシュメモリに書き込む書き込み制御手段
とを備えたことを特徴としている。
【0016】
【作用】上記構成によれば、請求項1では、ホストから
ライト要求によるブロック毎のデータとアドレスがFI
FO記憶手段によってFIFO記憶手段自身に順に書き
込まれ、記憶され、さらに書き込まれた順に出力され
る。ホストからのライト要求がある毎に、そのライト要
求が指すブロックが消去手段によって消去される。FI
FO記憶手段から1ブロック分のデータが書き込み制御
手段によって読み出されて対象となる消去済みのブロッ
クに書き込まれる。
【0017】請求項2では、ホストからライト要求によ
るブロック毎のデータとアドレスがFIFO記憶手段に
よってFIFO記憶手段自身に順に書き込まれ、記憶さ
れ、さらに書き込まれた順に出力される。ホストからの
ライト要求がある毎に、その対象となるブロックのアド
レスと、FIFO記憶手段に記憶されたブロックのアド
レスとは比較消去手段によって比較され、同一ブロック
のアドレスが存在しない場合は、そのライト要求が指す
ブロックが比較消去手段によって消去される。FIFO
記憶手段が出力すべきデータに対応するブロックのアド
レスと、同一ブロックのアドレスがFIFO記憶手段に
存在するかどうかは同一ブロック判定手段によって判定
される。同一ブロック判断手段によって同一ブロックの
アドレスがFIFO記憶手段に存在すると判断されたと
きは、FIFO記憶手段から1ブロック分のデータは書
き込み制御手段によって読み出されて廃棄され、同一ブ
ロックのアドレスがFIFO記憶手段に存在しないと判
断されたときは、FIFO記憶手段から1ブロック分の
データが書き込み制御手段によって読み出されて対象と
なる消去済みのブロックに書き込まれる。
【0018】請求項3では、前記比較消去手段を構成す
るアドレス比較手段によってホストからのライト要求が
ある毎に、その対象となるブロックのアドレスと、FO
FO記憶手段に記憶されたブロックのアドレスとが比較
され、同一チップ上の別ブロックのアドレスがFIFO
記憶手段に存在する場合は、そのライト要求の対象とな
るブロックの消去の指示する第1の消去要求が出力さ
れ、同一ブロックのアドレスも同一チップ上の別ブロッ
クのアドレスもFIFO記憶手段に存在しない場合は、
そのライト要求によるブロックの消去を指示する第2の
消去要求が出力される。また前記比較消去手段を構成す
る消去手段によって、アドレス比較手段によって第1の
消去の指示が出された場合は、その消去要求が指すブロ
ックと同一チップ上の別ブロックが消去中でなくなるの
を待って、当該消去要求が指すフラッシュメモリのブロ
ックが消去され、第2の消去要求が出された場合には、
その消去要求が指すフラッシュメモリのブロックが消去
される。
【0019】請求項4では、前記書き込み制御手段によ
って、同一ブロック判定手段が、存在しないと判定した
とき、対象となるブロックが未消去である場合には、F
IFO記憶手段から1ブロック分のデータとアドレスが
読み出され、再度FIFO記憶手段に書き込まれる。請
求項5では、ホストからライト要求によるブロック毎の
データがFIFOデータ記憶手段によってFIFOデー
タ記憶手段自身に順に書き込まれ、記憶され、さらに書
き込まれた順に出力される。FIFOデータ記憶手段に
記憶されたブロック毎のデータに対応するブロックのア
ドレスはアドレス記憶手段によって記憶される。ホスト
からのライト要求がある毎に、そのライト要求が指すブ
ロックが比較消去手段によって消去される。FIFOデ
ータ記憶手段から1ブロック分のデータは書き込み制御
手段によって読み出されて対象となる消去済みのブロッ
クに書き込まれる。
【0020】請求項6では、ホストからライト要求によ
るブロック毎のデータがFIFOデータ記憶手段によっ
てFIFOデータ記憶手段自身に順に書き込まれ、記憶
され、さらに書き込まれた順に出力される。FIFOデ
ータ記憶手段に記憶されたブロック毎のデータに対応す
るブロックのアドレスはアドレス記憶手段によって記憶
される。ホストからのライト要求がある毎に、その対象
となるブロックのアドレスと、アドレス記憶手段に記憶
されたブロックのアドレスとは比較消去手段によって比
較され、同一ブロックのアドレスが存在しない場合は、
そのライト要求が指すブロックが比較消去手段によって
消去される。FIFOデータ記憶手段が出力すべきデー
タに対応するブロックのアドレスと、同一ブロックのア
ドレスがアドレス記憶手段に存在するかどうかは同一ブ
ロック判定手段によって判定される。同一ブロック判断
手段によって同一ブロックのアドレスがアドレス記憶手
段に存在すると判断されたときは、FIFOデータ記憶
手段から1ブロック分のデータは書き込み制御手段によ
って読み出されて廃棄され、同一ブロックのアドレスが
アドレス記憶手段に存在しないと判断されたときは、F
IFOデータ記憶手段から1ブロック分のデータが書き
込み制御手段によって読み出されて対象となる消去済み
のブロックに書き込まれる。
【0021】請求項7では、前記比較消去手段を構成す
るアドレス比較手段によってホストからのライト要求が
ある毎に、その対象となるブロックのアドレスと、アド
レス記憶手段に記憶されたブロックのアドレスとが比較
され、同一チップ上の別ブロックのアドレスがアドレス
記憶手段に存在する場合は、そのライト要求の対象とな
るブロックの消去の指示する第1の消去要求が出力さ
れ、同一ブロックのアドレスも同一チップ上の別ブロッ
クのアドレスもアドレス記憶手段に存在しない場合は、
そのライト要求によるブロックの消去を指示する第2の
消去要求が出力される。また前記比較消去手段を構成す
る消去手段によって、アドレス比較手段によって第1の
消去の指示が出された場合は、その消去要求が指すブロ
ックと同一チップ上の別ブロックが消去中でなくなるの
を待って、当該消去要求が指すフラッシュメモリのブロ
ックが消去され、第2の消去要求が出された場合には、
その消去要求が指すフラッシュメモリのブロックが消去
される。
【0022】請求項8では、前記書き込み制御手段によ
って、同一ブロック判定手段が、存在しないと判定した
とき、対象となるブロックが未消去である場合には、F
IFOデータ記憶手段から1ブロック分のデータが読み
出され、再度FIFOデータ記憶手段に書き込まれる。
請求項9では、前記FIFOデータ記憶手段は、フラッ
シュメモリの1ブロックあたりの消去時間が1ブロック
当たりの書き込み時間のN倍であるとき、少なくともN
ブロック分のデータを記憶する容量を有することを特徴
としている。
【0023】請求項10では、ホストからのライト要求
によるブロック毎のデータのアドレスがFIFOアドレ
ス記憶手段によって順に書き込まれ、複数ブロック分の
アドレスが記憶され、書き込まれた順に出力される。F
IFOアドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のアド
レスに対応するブロックのデータはデータ記憶手段によ
って記憶される。ホストからのライト要求がある毎に、
その消去要求のブロックのアドレスの領域の消去が消去
手段によって行われる。データ記憶手段から1ブロック
分のデータは書き込み制御手段によって読み出されて対
象となる消去済みのブロックに書き込まれる。
【0024】請求項11では、ホストからのライト要求
によるブロック毎のデータのアドレスがFIFOアドレ
ス記憶手段によって順に書き込まれ、複数ブロック分の
アドレスが記憶され、書き込まれた順に出力される。F
IFOアドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のアド
レスに対応するブロックのデータはデータ記憶手段によ
って記憶される。ホストからのライト要求がある毎に、
その対象となるブロックのアドレスと、FIFOアドレ
ス記憶手段に記憶された全てのブロックのアドレスはア
ドレス比較手段によって比較され、同一チップ上の別ブ
ロックのアドレスがFIFOアドレス記憶手段に存在す
る場合と、同一ブロックのアドレスも同一チップ上の別
ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に存在しない場
合とがアドレス比較手段によって比較される。アドレス
比較手段によって同一チップ上の別ブロックのアドレス
がFIFOアドレス記憶手段に存在する場合と判断され
た場合には、ライト要求によるブロックのアドレスは消
去判断手段によって順に保持され、アドレス比較手段に
よって同一ブロックのアドレスも同一チップ上の別ブロ
ックのアドレスもFIFOアドレス記憶手段に存在しな
いと判断された場合は、保持されているアドレスに対応
するブロックの消去要求が消去判断手段によって出され
るとともに、保持内容が消去判断手段によって消去され
当該ライト要求によるブロックのアドレスも新たに消去
判断手段によって保持される。消去判断手段によって消
去要求が出された場合は、その消去要求のブロックのア
ドレスの領域の消去が消去手段によって行われる。デー
タ記憶手段から1ブロック分のデータは書き込み制御手
段によって読み出されて対象となる消去済みのブロック
に書き込まれる。
【0025】請求項12では、ホストからのライト要求
によるブロック毎のデータのアドレスがFIFOアドレ
ス記憶手段によって順に書き込まれ、複数ブロック分の
アドレスが記憶され、書き込まれた順に出力される。F
IFOアドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のアド
レスに対応するブロックのデータはデータ記憶手段によ
って記憶される。ホストからのライト要求がある毎に、
その対象となるブロックのアドレスと、FIFOアドレ
ス記憶手段に記憶された全てのブロックのアドレスはア
ドレス比較手段によって比較され、同一チップ上の別ブ
ロックのアドレスがFIFOアドレス記憶手段に存在す
る場合と、同一ブロックのアドレスも同一チップ上の別
ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に存在しない場
合とがアドレス比較手段によって比較される。アドレス
比較手段によって同一チップ上の別ブロックのアドレス
がFIFOアドレス記憶手段に存在する場合と判断され
た場合には、ライト要求によるブロックのアドレスは消
去判断手段によって順に保持され、アドレス比較手段に
よって同一ブロックのアドレスも同一チップ上の別ブロ
ックのアドレスもFIFOアドレス記憶手段に存在しな
いと判断された場合は、保持されているアドレスに対応
するブロックの消去要求が消去判断手段によって出され
るとともに、保持内容が消去判断手段によって消去され
当該ライト要求によるブロックのアドレスも新たに消去
判断手段によって保持される。消去判断手段によって消
去要求が出された場合は、その消去要求のブロックのア
ドレスの領域の消去が消去手段によって行われる。FI
FOアドレス記憶手段が出力すべきブロックのアドレス
と同一ブロックのアドレスがFIFOアドレス記憶手段
に存在するかどうかは同一ブロック判定手段によって判
定される。同一ブロック判断手段によって存在すると判
断されたときは、出力すべきブロックのアドレスがFI
FOアドレス記憶手段によって読み出されて廃棄され
る。同一ブロック判断手段によって存在しないと判断さ
れたときは、出力すべきブロックのアドレスがFIFO
アドレス記憶手段によって読み出され、そのアドレスに
対応するデータ記憶手段のデータを対象となる消去済み
のブロックに書き込み制御手段によって書き込まれる。
【0026】請求項13では、前記書き込み制御手段に
よって、同一ブロックのアドレスがFIFOアドレス記
憶手段に存在する存在しないと同一ブロック判定手段に
よって判定されたときで、対象となるブロックが未消去
である場合には、FIFOアドレス記憶手段からブロッ
クのアドレスが前記書き込み制御手段によって読み出さ
れ、再度FIFOアドレス記憶手段に書き込まれる。
【0027】請求項14では、ホストからのライト要求
によるブロック毎のデータとアドレスが書き込まれる領
域がバッファ手段に存在し、そのブロック毎のデータに
対応するフラッシュメモリのブロックの消去状態がバッ
ファ手段によって記憶される。ホストからのライト要求
に対しバッファ手段上に同じブロックに対するアドレス
が存在していない場合は、バッファ手段にブロックのデ
ータとアドレスがバッファ制御手段によって書き込まれ
る。既にバッファ手段上に同じブロックのアドレスが存
在する場合はバッファ制御手段によってオーバーライト
される。またホストからのリード要求に対しライトバッ
ファ手段上にブロックのデータが存在すればライトバッ
ファ手段からブロックのデータがバッファ制御手段によ
って読み出される。ホストからのライト要求がある毎
に、その対象となるブロックのアドレスと、バッファ手
段に記憶されたブロックのアドレスとがアドレス比較手
段によって比較され、同一チップ上の別ブロックのアド
レスがバッファ手段に存在する場合は、そのライト要求
の対象となるブロックの消去の指示する第1の消去要求
がアドレス比較手段によって出力される。同一ブロック
のアドレスも同一チップ上の別ブロックのアドレスもバ
ッファ手段に存在しない場合は、そのライト要求による
ブロックの消去を指示する第2の消去要求がアドレス比
較手段によって出力される。アドレス比較手段によって
第1の消去の指示が出された場合は、その消去要求が指
すブロックと同一チップ上の別ブロックが消去中でなく
なるのを待って、当該消去要求が指すフラッシュメモリ
のブロックが消去手段によって消去され、第2の消去要
求が出された場合には、その消去要求が指すフラッシュ
メモリのブロックが消去手段によって消去される。バッ
ファ手段に記憶されているブロックのアドレスに対応す
るフラッシュメモリのブロックの消去状態に応じてバッ
ファ手段に記憶されているブロックの消去状態は消去状
態監視手段によって書き込まれる。バッファ手段の記憶
するブロックの消去状態が消去済みになったときバッフ
ァ記憶手段の記憶しているブロックのデータは書き込み
制御手段によってフラッシュメモリに書き込まれる。
【0028】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例のメモリ制御装
置の構成図である。同図に示すように本実施例のメモリ
制御装置は、フラッシュメモリ部101と、FIFOメ
モリ部102と、FIFOメモリ制御部103と、アド
レスバッファ部104と、アドレス比較部105と、消
去制御部106と、消去キュー部107と、書き込み制
御部108と、読み出し制御部109とを備えている。
【0029】フラッシュメモリ部101は4つのフラッ
シュメモリチップにより構成され、1つのチップは4つ
のブロックから成る。消去はブロック単位で行われ、1
ブロックを消去するのに必要な時間は1ブロックを書き
込むのに必要な時間の4倍とする。FIFOメモリ部1
02はホストからのライト要求によるデータを暫定的に
記憶し、フラッシュメモリ部101の1ブロックの4倍
の容量を有する。また領域は、4つに分割されているも
のとする。
【0030】FIFOメモリ制御部103はホストから
のライト要求に対しFIFOメモリ部102にデータを
書き込む。また書き戻し処理を行う。書き戻し処理と
は、ライトデータがFIFOメモリ部102から書き込
み制御部108によって出力されるときにまだライトデ
ータに対応するフラッシュメモリ部のアドレスの領域が
消去されていないない場合、書き込み制御部108の指
示により再度そのライトデータがFIFOメモリ制御部
103によってFIFOメモリ部102に書き込まれる
ことである。
【0031】アドレスバッファ部104はホストからの
ライト要求に対しFIFOメモリ部102に存在するす
べてのデータのアドレスを記憶する。アドレス比較部1
05はホストからのライト要求のたびにそのアドレスを
アドレスバッファ部104に保持されているアドレスと
比較し、同一ブロックのアドレスは存在しないが、ライ
ト要求のアドレスとフラッシュメモリ部101の同一チ
ップ上の別ブロックのアドレスが存在する場合は、ライ
ト要求のアドレスを消去要求として消去キュー部107
にキューイングさせる。同一ブロックのアドレスも同一
チップ上の別ブロックのアドレス存在しなければ消去制
御部106にホストからのライトデータに該当するフラ
ッシュメモリ部101上の領域の消去の指示を出す。ま
た、書き込み制御部108の読み出したデータのアドレ
スと同一ブロックのアドレスがアドレスバッファ部10
4に存在しないかどうかを書き込み制御部108の指示
により比較する。
【0032】消去制御部106は、アドレス比較部10
5によって消去の指示が出された場合、ホストからのラ
イトデータのアドレスに該当するフラッシュメモリ部1
01の領域を消去する。また消去キュー部107に消去
要求が保持されている場合は、現在消去中の対象のチッ
プの消去が終了したのちその消去要求の消去を開始す
る。
【0033】消去キュー部107は、アドレス比較部1
05の指示により消去要求を保持する。書き込み制御部
108はライト要求とは独立に定常的にFIFOメモリ
部102の出力側のデータより読み出す処理を行ない、
読み出したデータのアドレスと同一ブロックのアドレス
がアドレスバッファ部104に存在しないかどうかをア
ドレス比較部105に比較させ、読み出したデータと同
一ブロックのアドレスがアドレスバッファ部104に存
在しない場合は読み出したデータをフラッシュメモリ部
101に書き込み、同一ブロックのアドレスがアドレス
バッファ部104に存在する場合は読み出したデータを
廃棄する。またFIFOメモリ部102の出力側にデー
タが存在しない場合はFIFOメモリ部102からの読
み出し動作のみを行ないFIFOメモリ部102のデー
タ位置を進める。また、書きこみ制御部108の読み出
したデータのアドレスに対応するのフラッシュメモリ部
101の領域が消去済みでない場合は、FIFOメモリ
制御部103に書き戻し処理を行わせる。
【0034】読み出し制御部109はホストからのリー
ド要求に対しフラッシュメモリ部101からデータを読
み出す。次に上記メモリ制御装置の動作について図2、
図3を参照しながら説明する。いま、ホストからアドレ
ス4→f→0→8→f→5→a→3→c→7→e→2→
6→d→8の順番でライトアクセスが発生したとする。
だたしFIFOメモリ部102は、最初何も記憶されて
いないものとする。
【0035】ホストからライトアクセスが発生するとF
IFOメモリ制御部103は、FIFOメモリ部102
にデータを書き込む。それと並行してそのデータのアド
レスがアドレスバッファ部104に書き込まれ、アドレ
ス比較部105はそのKの書き込まれるデータのアドレ
スとアドレスバッファ部104に保持されているアドレ
スと比較し、同一ブロックのアドレスが存在しない場合
であるので消去制御部106にフラッシュメモリ上の該
当するブロックの消去を開始する。書き込み制御部10
8はFIFOメモリ部102の出力ではデータがないの
で空読みされデータが進む(図2(1)〜(4))。
【0036】図2(5)ではフラッシュメモリ部のアドレ
ス4の消去が消去制御部106によって開始されてから
4回分の書き込み時間が経過しているので消去は終了し
書き込み制御部108によって書き込みが開始され、図
2(6)で書き込みが終了する。次に、FIFOメモリ部
102に既に格納されているデータと同じアドレスfに
対するライト要求が発生した場合、アドレスfに対する
消去は既に行なわれているのでアドレス比較部105の
判断により消去は開始せず(図2(5))、先行的に格納
されているアドレスfはフラッシュメモリ部には書き込
み制御部108の判断により書き込まれない(図2
(6))。
【0037】また、FIFOメモリ部102に既に格納
されているデータと同じチップの別ブロックのアドレス
aに対するライト要求が発生した場合、既にチップ3
(アドレス8)に対する消去が行なわれているので消去
制御部106の判断によりアドレスaの消去はキューイ
ングされ(図2(7))、アドレス8への書き込みが終了
するとアドレスaに対する消去が開始される(図2
(9))。そしてライトデータaがFIFOメモリ部10
2から出力されるときにはまだフラッシュメモリ部のア
ドレスaの領域が消去されていないので、再度FIFO
メモリ部102にFIFOメモリ制御部103によって
書き戻される(図3(12))。
【0038】なお、フラッシュメモリ部101について
はチップの数およびその組合せは制限されるものではな
い。また1ブロックを消去するのに必要な時間は1ブロ
ックを書き込むのに必要な時間の4倍のフラッシュメモ
リをここでは用いるが、必ずしも4倍でなくても良い。
なお、FIFOメモリ部102についてはその容量は制
限されるものではない。
【0039】このようにホストからのライトデータをF
IFOメモリ部102に格納してフラッシュメモリの消
去を書き込みに先行して行ない、その時のFIFOメモ
リ部102がフラッシュメモリの1ブロックのサイズS
にフラッシュメモリの1ブロックを消去するに必要な時
間Teraseと1ブロックを書き込むのに必要な時間Twri
teの比(Terase/Twrite)を乗じた容量(S×(Ter
ase/Twrite))以上の容量を有すると、データがFI
FOメモリ部102の中を進んでフラッシュメモリに書
き込まれる時には該当する領域は既に消去されており書
き込み動作のみで済み、消去動作と書き込み動作がパイ
プライン化されフラッシュメモリの書き換え速度が高速
化される。
【0040】図4は本発明に係るメモリ制御装置の第2
の実施例の構成図である。同図に示すように本実施例の
メモリ制御装置は、フラッシュメモリ部401と、デー
タバッファ部402と、バッファ制御部403と、FI
FOアドレスメモリ部404と、FIFO制御部405
と、アドレス比較部406と、消去実行判断部407
と、消去制御部408と、書き込み制御部409と、読
み出し制御部410とを備えている。
【0041】フラッシュメモリ部401は、4つのフラ
ッシュメモリチップから構成され、1つのチップは4つ
のブロックから成る。なお、これらの数およびその組合
せは制限されるものではない。また、フラッシュメモリ
はブロック単位またはチップ全体でしか消去が行なえな
いが、同時に複数ブロックの消去が可能で、1ブロック
ずつ連続して消去を行なうより同時に複数ブロックの消
去を行なう方が1ブロック当たりの消去時間は大幅に短
縮される。フラッシュメモリ部401の1ブロックを消
去するのに必要な時間は1ブロックを書き込むのに必要
な時間の4倍とし、複数ブロックを消去するのに必要な
時間は1ブロックを書き込むのに必要な時間の5倍とす
る。また、ホストからのアクセスの単位とフラッシュメ
モリの消去単位とが等しいと仮定する。なお本発明は上
記仮定に制限されるものではない。
【0042】データバッファ部402はホストからライ
ト要求が発生してからフラッシュメモリ部401に書き
込まれるまでライトデータを保持する。バッファ制御部
403はデータバッファ部402のリード/ライト制御
を行なう。FIFOアドレスメモリ部404はライトデ
ータがフラッシュメモリ部401に書き込まれるまで、
若しくはそのデータが廃棄されるまで。ライトアドレス
を保持し、ライトアドレスが入力されてから出力される
までにライトデータに該当するフラッシュメモリ部40
1上の領域の消去が終了するのに必要な容量を有する。
その必要な容量はフラッシュメモリ部401の特性で
は、フラッシュメモリ部401の1ブロックの最低6倍
の容量を必要とするが、本実施例では、フラッシュメモ
リ部401の1ブロックの8倍の容量のものを使用して
いる。
【0043】FIFO制御部405はホストからのライ
ト要求に対しFIFOアドレスメモリ部404にアドレ
スを書き込む。また書き戻し処理を行う。書き戻し処理
とは、ライトアドレスがFIFOアドレスメモリ部40
4から出力されるときにまだライトアドレスに対応する
フラッシュメモリ部のアドレスの領域が消去されていな
いない場合、過去込み制御部409指示により再度その
ライトアドレスがFIFO制御部405によってFIF
Oアドレスメモリ部404に書き込まれることである。
【0044】アドレス比較部406はホストからのライ
ト要求のたびにライト要求のアドレスをFIFOアドレ
スメモリ部404の入力側に格納されているアドレスと
比較し、ライト要求のアドレスがFIFOアドレスメモ
リ部404の入力側に格納されているアドレスとが同一
ブロックのアドレスでないが同一チップ上のアドレスで
ある場合と、同一ブロックのアドレスでも同一チップ上
の別ブロックのアドレスでもない場合を判断し、消去実
行判断部407に判断結果を送る。また、書き込み制御
部409の指示により書き込み制御部409の読み出し
たデータのアドレスと同一ブロックのアドレスのデータ
が後続してFIFOアドレスメモリ部404に存在しな
いかどうか比較する。
【0045】消去実行判断部407は、フラッシュメモ
リ部401の消去予定の領域のアドレスを保持するアド
レス保持部(図外)を備え、そのアドレス保持部(図
外)は、常時最低1つのアドレスを保持するものとす
る。アドレス比較部406によってライト要求のアドレ
スとFIFOアドレスメモリ部404の入力側に格納さ
れているアドレスとが同一ブロックのアドレスでないが
同一チップ上の別ブロックのアドレスと判断された場合
は、消去実行判断部407は、そのライト要求のアドレ
スをさらに追加してアドレス保持部に保持させる。アド
レス比較部406によって同一ブロックのアドレスでも
同一チップ上の別ブロックのアドレスでもないと判断さ
れた場合は、消去実行判断部407は、アドレス保持部
(図外)が保持しているアドレスに対して消去制御部4
08に消去を行わせるとともに、そのライト要求のアド
レスをアドレス保持部(図外)に保持させる。
【0046】消去制御部408は消去実行判断部407
によって指示されたフラッシュメモリ部401の領域の
ブロックを消去若しくは複数のブロックを並列消去す
る。書き込み制御部409は定常的にFIFOアドレス
メモリ部404の出力側のアドレスを読み出す処理を行
ない、読み出したデータのアドレスと同一ブロックのア
ドレスが後続してFIFOアドレスメモリ部404に存
在しないかどうかをアドレス比較部406に比較させ、
読み出したデータと同一ブロックのアドレスが後続して
FIFOアドレスメモリ部404に存在しない場合は読
み出したデータをフラッシュメモリ部401に書き込
み、同一ブロックのアドレスが後続してFIFOアドレ
スメモリ部404に存在する場合は読み出したデータを
廃棄する。またFIFOアドレスメモリ部404の出力
側にアドレスが存在しない場合はFIFOアドレスメモ
リ部404からの読み出し動作のみを行ないFIFOア
ドレスメモリ部404のアドレスの位置を進める。ま
た、書き込み対象のフラッシュメモリ部401の領域が
消去済みでない場合は、FIFO制御部405に書き戻
し処理を行わせる。
【0047】読み出し制御部410はホストからのリー
ド要求によりフラッシュメモリ部401からデータを読
み出す。次に上記メモリ制御装置の動作について図5、
図6を参照しながら説明する。いま、ホストからアドレ
スa→c→1→2→3→6→7→8→9→a→b→0→
e→fの順番でライトアクセスが発生したとする。だた
しFIFOアドレスメモリ部404は、最初何も記憶さ
れていないものとする。
【0048】ホストからアドレスaに対してライト要求
が発生すると、FIFO制御部405はFIFOアドレ
スメモリ部404へライトアドレスaを書き込み、バッ
ファ制御部403はデータバッファ部402へライトデ
ータを書き込む。アドレス比較部406はFIFOアド
レスメモリ部404の出力側に格納されているライトア
ドレスと新たに発生したライトアドレスaとを比較して
同一チップのアドレスかどうかを判断する。ここで比較
するアドレスがない場合は消去実行判断部407はアド
レスaを保持し消去制御部408に対しては何も要求を
出さない(図5(1))。次に発生したライトアドレスが
FIFOアドレスメモリ部404の出力側に格納されて
いるライトアドレスと異なるチップのアドレスの場合は
消去実行判断部407は消去制御部408に対して保持
しているアドレスaへの消去要求を発行して新たなアド
レスをcを保持し、消去制御部408はフラッシュメモ
リ部401の指定されたブロックの消去を開始する(図
5(2))。同一チップのアドレスの場合はアドレス1,
2,3を保持し消去制御部408に対して保持している
アドレスcの消去要求を発行してアドレス1,2,3に
対しては何も要求を出さない(図5(3)〜(5))。
【0049】FIFO制御部405はフラッシュメモリ
部401への書き込み時間でFIFOアドレスメモリ部
404を空読みし、見かけ上FIFOアドレスメモリ部
404の中をライトアドレスが出力方向へ進む(図5
(1)〜(8))。図5(6)ではフラッシュメモリ部401の
アドレスaの消去が開始されてから4回分の書き込み時
間が経過しているのでフラッシュメモリ部401の消去
は終了している。従って図5(9)でFIFO制御部40
5がFIFOアドレスメモリ部404から読み出したラ
イトアドレスaに対するライトデータをバッファ制御部
403がデータバッファ部402から読み出し、書き込
み制御部409がフラッシュメモリ部401への書き込
みを開始し、図5(10)で書き込みが終了する。
【0050】また、図5(6)で消去実行判断部407は
消去制御部408に対してアドレス3,2,1への消去
要求を発行し、消去制御部408はフラッシュメモリ部
401の指定された複数ブロックの消去を開始する。そ
して図6(11)では複数ブロックの並列消去が開始されて
から5回分の書き込み時間が経過しているのでフラッシ
ュメモリ部401の消去は終了している。従って上記と
同様の手順でフラッシュメモリ部401への書き込みが
行なわれる。
【0051】なお、本実施例では消去実行判断部407
が消去制御部408に対して消去要求を発行する条件と
して、同一チップへの連続ライト要求が途切れた場合と
しているが、同一チップへのライト要求が連続している
場合でもFIFOアドレスメモリ部404の残り容量が
フラッシュメモリ部401を消去するのに必要な容量以
下になると消去制御部408に対して消去要求を発行す
るという条件をとることも可能であり、本発明はこれら
条件に制限されるものではない。
【0052】このようにホストからのライトアドレスを
FIFOアドレスメモリ部404に格納してライトデー
タをバッファメモリに格納してフラッシュメモリの消去
を書き込みに先行して行ない、フラッシュメモリの書き
込み時間でライトアドレスがFIFOアドレスメモリ部
404中を進んで行き、フラッシュメモリが消去できる
までの充分な容量をFIFOアドレスメモリ部404が
有することにより、消去動作が隠蔽できる。また、同一
チップへのライト要求が連続すると、それらライトアド
レスに対応するフラッシュメモリの消去を一度にまとめ
て行なうことにより消去動作が高速化される。従って、
フラッシュメモリへデータが書き込まれる時には書き込
み動作のみですみ、その結果フラッシュメモリへのライ
トが高速化される。
【0053】図7は本発明に係るメモリ制御装置の第3
の実施例の構成図である。同図に示すように本実施例の
メモリ制御装置は、フラッシュメモリ部701と、ライ
トバッファ部702と、ライトバッファ制御部703
と、アドレス比較部704と、消去制御部705と、消
去キュー部706と、消去監視部707と、書き込み制
御部708と、読み出し制御部709とを備えている。
【0054】フラッシュメモリ部701は4つのフラッ
シュメモリチップにより構成され、1つのチップは4つ
のブロックから成る。消去はブロック単位で行われ、1
ブロックを消去するのに必要な時間は1ブロックを書き
込むのに必要な時間の4倍のフラッシュメモリをここで
は用いる。なお、チップの数およびその組合せは制限さ
れるものではない。
【0055】なお、1ブロックを消去するのに必要な時
間は1ブロックを書き込むのに必要な時間の4倍のフラ
ッシュメモリをここでは用いるが、必ずしも4倍でなく
ても良い。ライトバッファ部702は、消去ビット部7
10、アドレスタグ部711、データ部712から構成
されるエントリ4つから構成される。
【0056】消去ビット部710は、格納されたライト
要求のライトアドレスに対するフラッシュメモリ部70
1の領域がどこまで消去されているかのカウンターであ
り、本実施例の場合は数値として未消去の時は4であり
消去時間に応じて1ずつ減算され消去済みの時0であ
る。アドレスタグ部711は、ライト要求にによるライ
トアドレスを格納する領域である。
【0057】データ部712は、ライト要求によるデー
タの記憶領域である。なお、当実施例では、エントリの
数は4つとしているが必ずしも4つでなくても良い。ラ
イトバッファ制御部703はホストからのライト要求に
対しライトバッファ部702にデータとそのアドレスを
書き込む。また既にライトバッファ部702上に同じア
ドレスのデータが存在する場合はオーバーライトする。
またホストからのリード要求に対してライトバッファ部
702上にデータが存在すればライトバッファ部702
からデータを読み出す。
【0058】アドレス比較部704はホストからのライ
ト要求のたびにそのアドレスをライトバッファ部702
のアドレスタグ部711に保持されているアドレスと比
較し、同一ブロックのアドレスは存在しないが、ライト
要求のアドレスとフラッシュメモリ部701の同一チッ
プ上の別ブロックのアドレスが存在する場合は、その消
去要求を消去キュー部706にキューイングさせる。同
一ブロックのアドレスも同一チップ上の別ブロックのア
ドレス存在しなければ消去制御部705にライトデータ
に該当するフラッシュメモリ部701上の領域の消去の
指示を出す。
【0059】消去制御部705は、アドレス比較部70
4によって消去の指示が出された場合、その指示による
ライトデータのアドレスが現在消去中のフラッシュメモ
リ部701の同一チップ上である場合は、その消去要求
を消去キュー部706にキューイングして現在消去中の
対象のチップの消去が終了したのちその消去要求の消去
を開始する。同一ブロックのアドレスでも同一チップ上
の別ブロックのアドレスでもない場合は、そのライトデ
ータのアドレスに該当するフラッシュメモリ部701の
領域を消去する。
【0060】消去キュー部706は、消去要求を保持す
る。消去監視部707はライトバッファ部702上の消
去が開始されたエントリの消去ビット部710の数値を
消去時間に応じて単位時間(1ブロックを書き込みに要
する時間)ごとに1ずつ減ずる。書き込み制御部708
はライトバッファ部702の消去ビット部710がゼロ
になったエントリをフラッシュメモリ部701に書き込
む。
【0061】読み出し制御部709はホストからのリー
ド要求に対しライトバッファ部702上にデータが存在
しなければフラッシュメモリ部701からデータを読み
出す。次に上記メモリ制御装置の動作について図8、図
9を参照しながら説明する。いま、ホストからアドレス
4→f→0→8→f→5→a→3→c→3→7の順番で
ライトアクセスが発生したとする。その時のライトバッ
ファ部は空とする。
【0062】ホストからライトバッファ部へ書き込みが
開始されると同時にフラッシュメモリ上の該当するブロ
ックの消去が開始される(図8(1)〜(4))。図8(6)で
はフラッシュメモリ部のアドレス4の消去が開始されて
から4回分の書き込み時間が経過しているので消去は終
了し書き込みが開始され、図8(7)で書き込みが終了す
る。
【0063】次に、ライトバッファ部に既に格納されて
いるデータと同じアドレスfに対するライト要求が発生
した場合、アドレスfに対する消去は既に行なわれてい
るので消去は開始せず、先行的に格納されているライト
バッファ部にデータをオーバーライトする(図8
(5))。また、ライトバッファ部に既に格納されている
データと同じチップの別ブロックのアドレスaに対する
ライト要求が発生した場合、既にチップ3(アドレス
8)に対する消去が行なわれているのでアドレスaの消
去はキューイングされ(図8(7))、アドレス8への書
き込みが終了するとアドレスaに対する消去が開始され
る(図9(9))。
【0064】このようにホストからのライトデータをラ
イトバッファ部に格納してフラッシュメモリの消去を書
き込みに先行して行ない、フラッシュメモリデータが書
き込まれるたびに消去の進行度合を表わす消去ビットの
値を1ずつ減じ、ゼロになったエントリをフラッシュメ
モリに書き込むことによって、該当する領域は既に消去
されており書き込み動作のみで済み、消去動作と書き込
み動作がパイプライン化されフラッシュメモリの書き換
え速度が高速化される。
【0065】なお、第1の実施例において、アドレスバ
ッファ部104は、FIFOメモリ部102と同様のF
IFOメモリであっても良い。
【0066】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ラ
イト要求が発生するとFIFOメモリまたはライトバッ
ファにデータを書き込むとともにフラッシュメモリ上の
該当するブロックを消去することにより書き換え時の消
去動作と書き込み動作をパイプライン化し、フラッシュ
メモリの書き込み時間でデータの書き換えが行なえ、書
き込み動作の数十倍もの時間を要する消去動作を隠蔽で
きる。
【0067】また、FIFOメモリ上のデータと同じア
ドレスに対するライト要求が発生した場合、先行するデ
ータの書き込み動作を行わず、先行するデータに対する
消去を利用して後続するデータの書き込み動作を行うこ
とにより、同一ブロックのアドレスに対するライトの高
速化が可能となる。そして、フラッシュメモリの1ブロ
ックのサイズSにフラッシュメモリの1ブロックを消去
するに必要な時間Teraseと1ブロックを書き込むのに
必要な時間Twriteの比(Terase/Twrite)を乗じた
容量(S×(Terase/Twrite))以上の容量を有する
と、データがFIFOメモリの中を進んでフラッシュメ
モリに書き込まれる時には該当する領域の消去が終了し
ていることを保証する。FIFOメモリ上のデータと同
一チップの異なるアドレスに対するライト要求が発生し
た場合、後続するデータに対するフラッシュメモリの消
去が行なえないので消去要求をキューイングし、後続す
るデータがFIFOから出力される時にはフラッシュメ
モリの消去が終了していないので、再びデータをFIF
Oメモリに書き込みデータが再度出力される時にはフラ
ッシュメモリの消去が終了していることを保証する。
【0068】また、ライト要求が発生するたびに該当す
るフラッシュメモリを消去していたのでは、同一チップ
に対するライト要求が連続した場合、先行するライト要
求に対する消去のためにチップがビジーとなり、後続す
るライト要求に対する消去が行なえず、オーバーヘッド
となる。しかし本方式ではライト要求が連続した場合、
ライト要求が発生するとすぐにフラッシュメモリを消去
するのではなく、複数ブロックの消去をまとめて同時に
行なうことにより、同一チップに対するライト要求が発
生した場合の消去のオーバーヘッドを解消できる。
【0069】また、ライト要求時にデータをタグアドレ
ス付きのライトバッファに格納することによりライトバ
ッファ中の先行するライトデータに対するリード要求が
発生した場合は、データがフラッシュメモリに書き込ま
れるのを待たずに、直接ライトバッファから読み出せる
のでリードの高速化も図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1の実施例におけるメモリ制御装置の
構成図である。
【図2】本発明のFIFOメモリ部の動作を示す図であ
る。
【図3】本発明のFIFOメモリ部の動作を示す図2の
続きの図である。
【図4】本発明の2の実施例におけるメモリ制御装置の
構成図である。
【図5】本発明のFIFOアドレスメモリ部の動作を示
す図である。
【図6】本発明のFIFOアドレスメモリ部の動作を示
す図5の続きの図である。
【図7】本発明の3の実施例におけるメモリ制御装置の
構成図である。
【図8】本発明のライトバッファ部の動作を示す図であ
る。
【図9】本発明のライトバッファ部の動作を示す図8の
続きの図である。
【符号の説明】
101 フラッシュメモリ部 102 FIFOメモリ部 103 FIFOメモリ制御部 104 アドレスバッファ部 105 アドレス比較部 106 消去制御部 107 消去キュー部 108 書き込み制御部 109 読み出し制御部 401 フラッシュメモリ部 402 データバッファ部 403 バッファ制御部 404 FIFOアドレスメモリ部 405 FIFO制御部 406 アドレス比較部 407 消去実行判断部 408 消去制御部 409 書き込み制御部 410 読み出し制御部 701 フラッシュメモリ部 702 ライトバッファ部 703 ライトバッファ制御部 704 アドレス比較部 705 消去制御部 706 消去キュー部 707 消去監視部 708 書き込み制御部 709 読み出し制御部 710 消去ビット部 711 アドレスタグ部 712 データ部

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 書込みの際に消去を必要としブロック単
    位で消去可能なフラッシュメモリチップを制御するメモ
    リ制御装置であって、 ホストからライト要求によるブロック毎のデータとアド
    レスが順に書き込まれ、複数ブロック分のデータとアド
    レスを記憶し、書き込まれた順に出力するFIFO記憶
    手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、そのライト要求が
    指すブロックを消去する消去手段と、 FIFO記憶手段から1ブロック分のデータを読み出し
    て対象となる消去済みのブロックに書き込む書き込み制
    御手段と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
  2. 【請求項2】 書込みの際に消去を必要としブロック単
    位で消去可能なフラッシュメモリチップを制御するメモ
    リ制御装置であって、 ホストからライト要求によるブロック毎のデータとアド
    レスが順に書き込まれ、複数ブロック分のデータとアド
    レスを記憶し、書き込まれた順に出力するFIFO記憶
    手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
    ロックのアドレスと、FIFO記憶手段に記憶されたブ
    ロックのアドレスとを比較し、同一ブロックのアドレス
    が存在しない場合は、そのライト要求が指すブロックを
    消去する比較消去手段と、 FIFO記憶手段が出力すべきデータに対応するブロッ
    クのアドレスと、同一ブロックのアドレスがFIFO記
    憶手段に存在するかどうかを判定する同一ブロック判定
    手段と、 同一ブロック判断手段が存在すると判断したとき、FI
    FO記憶手段から1ブロック分のデータを読み出し廃棄
    し、存在しないと判断したとき、FIFO記憶手段から
    1ブロック分のデータを読み出して対象となる消去済み
    のブロックに書き込む書き込み制御手段と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
  3. 【請求項3】 前記比較消去手段は、ホストからのライ
    ト要求がある毎に、その対象となるブロックのアドレス
    と、FIFO記憶手段に記憶されたブロックのアドレス
    とを比較し、同一チップ上の別ブロックのアドレスがF
    IFO記憶手段に存在する場合は、そのライト要求の対
    象となるブロックの消去の指示する第1の消去要求を出
    力し、同一ブロックのアドレスも同一チップ上の別ブロ
    ックのアドレスもFIFO記憶手段に存在しない場合
    は、そのライト要求によるブロックの消去を指示する第
    2の消去要求を出力するアドレス比較手段と、 アドレス比較手段によって第1の消去の指示が出された
    場合は、その消去要求が指すブロックと同一チップ上の
    別ブロックが消去中でなくなるのを待って、当該消去要
    求が指すフラッシュメモリのブロックを消去し、第2の
    消去要求が出された場合には、その消去要求が指すフラ
    ッシュメモリのブロックを消去する消去手段と、 からなることを特徴とする請求項2記載のメモリ制御装
    置。
  4. 【請求項4】 前記書き込み制御手段は、同一ブロック
    判定手段が、存在しないと判定したとき、対象となるブ
    ロックが未消去である場合には、FIFO記憶手段から
    1ブロック分のデータとアドレスを読み出し、再度FI
    FO記憶手段に書き込む事を特徴とする請求項2又は3
    記載のメモリ制御装置。
  5. 【請求項5】 書込みの際に消去を必要としブロック単
    位で消去可能なフラッシュメモリチップを制御するメモ
    リ制御装置であって、 ホストからライト要求によるブロック毎のデータが順に
    書き込まれ、複数ブロック分のデータを記憶し、書き込
    まれた順に出力するFIFOデータ記憶手段と、 FIFOデータ記憶手段に記憶されたブロック毎のデー
    タに対応するブロックのアドレスを記憶するアドレス記
    憶手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、そのライト要求が
    指すブロックを消去する消去手段と、 FIFOデータ記憶手段から1ブロック分のデータを読
    み出して対象となる消去済みのブロックに書き込む書き
    込み制御手段と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
  6. 【請求項6】 書込みの際に消去を必要としブロック単
    位で消去可能なフラッシュメモリチップを制御するメモ
    リ制御装置であって、 ホストからライト要求によるブロック毎のデータが順に
    書き込まれ、複数ブロック分のデータを記憶し、書き込
    まれた順に出力するFIFOデータ記憶手段と、 FIFOデータ記憶手段に記憶されたブロック毎のデー
    タに対応するブロックのアドレスを記憶するアドレス記
    憶手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
    ロックのアドレスと、アドレス記憶手段に記憶されたブ
    ロックのアドレスとを比較し、同一ブロックのアドレス
    が存在しない場合は、そのライト要求が指すブロックを
    消去する比較消去手段と、 FIFOデータ記憶手段が出力すべきデータに対応する
    ブロックのアドレスと、同一ブロックのアドレスがアド
    レス記憶手段に存在するかどうかを判定する同一ブロッ
    ク判定手段と、 同一ブロック判断手段が存在すると判断したとき、FI
    FOデータ記憶手段から1ブロック分のデータを読み出
    し廃棄し、存在しないと判断したとき、FIFOデータ
    記憶手段から1ブロック分のデータを読み出して対象と
    なる消去済みのブロックに書き込む書き込み制御手段
    と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
  7. 【請求項7】 前記比較消去手段は、 ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
    ロックのアドレスと、アドレス記憶手段に記憶されたブ
    ロックのアドレスとを比較し、同一チップ上の別ブロッ
    クのアドレスがアドレス記憶手段に存在する場合は、そ
    のライト要求の対象となるブロックの消去の指示する第
    1の消去要求を出力し、同一ブロックのアドレスも同一
    チップ上の別ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に
    存在しない場合は、そのライト要求によるブロックの消
    去を指示する第2の消去要求を出力するアドレス比較手
    段と、 アドレス比較手段によって第1の消去の指示が出された
    場合は、その消去要求が指すブロックと同一チップ上の
    別ブロックが消去中でなくなるのを待って、当該消去要
    求が指すフラッシュメモリのブロックを消去し、第2の
    消去要求が出された場合には、その消去要求が指すフラ
    ッシュメモリのブロックを消去する消去手段と、 からなることを特徴とする請求項6記載のメモリ制御装
    置。
  8. 【請求項8】 前記書き込み制御手段は、同一ブロック
    判定手段が、存在しないと判定したとき、対象となるブ
    ロックが未消去である場合には、FIFOデータ記憶手
    段から1ブロック分のデータを読み出し、再度FIFO
    データ記憶手段に書き込む事を特徴とする請求項6又は
    7記載のメモリ制御装置。
  9. 【請求項9】 前記FIFOデータ記憶手段は、フラッ
    シュメモリの1ブロックあたりの消去時間が1ブロック
    当たりの書き込み時間のN倍であるとき、少なくともN
    ブロック分のデータを記憶する容量を有すること、 を特徴とする請求項6、7又は8記載のメモリ制御装
    置。
  10. 【請求項10】 書き込みの際に消去を必要としブロッ
    ク単位で同時に複数ブロックを消去可能なフラッシュメ
    モリチップを制御するメモリ制御装置であって、 ホストからのライト要求によるブロック毎のデータのア
    ドレスが順に書き込まれ、複数ブロック分のアドレスを
    記憶し、書き込まれた順に出力するFIFOアドレス記
    憶手段と、 FIFOアドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のア
    ドレスに対応するブロックのデータを記憶するデータ記
    憶手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、そのライト要求が
    指すブロックのアドレスの領域を消去する消去手段と、 データ記憶手段から1ブロック分のデータを読み出して
    対象となる消去済みのブロックに書き込む書き込み制御
    手段と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
  11. 【請求項11】 書き込みの際に消去を必要としブロッ
    ク単位で同時に複数ブロックを消去可能なフラッシュメ
    モリチップを制御するメモリ制御装置であって、 ホストからのライト要求によるブロック毎のデータのア
    ドレスが順に書き込まれ、複数ブロック分のアドレスを
    記憶し、書き込まれた順に出力するFIFOアドレス記
    憶手段と、 FIFOアドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のア
    ドレスに対応するブロックのデータを記憶するデータ記
    憶手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
    ロックのアドレスと、FIFOアドレス記憶手段に記憶
    された全てのブロックのアドレスとを比較し、同一チッ
    プ上の別ブロックのアドレスがFIFOアドレス記憶手
    段に存在する場合と、同一ブロックのアドレスも同一チ
    ップ上の別ブロックのアドレスもFIFOアドレス記憶
    手段に存在しない場合を判断するアドレス比較手段と、 アドレス比較手段によって同一チップ上の別ブロックの
    アドレスがFIFOアドレス記憶手段に存在する場合と
    判断された場合には、ライト要求によるブロックのアド
    レスを順に保持し、同一ブロックのアドレスも同一チッ
    プ上の別ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に存在
    しないと判断された場合は、保持しているアドレスに対
    応するブロックの消去要求を出すとともに、保持内容を
    消去して当該ライト要求によるブロックのアドレスを新
    たに保持する消去判断手段と、 消去判断手段によって消去要求が出された場合は、その
    消去要求のブロックのアドレスの領域を消去する消去手
    段と、 データ記憶手段から1ブロック分のデータを読み出して
    対象となる消去済みのブロックに書き込む書き込み制御
    手段と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
  12. 【請求項12】 書き込みの際に消去を必要としブロッ
    ク単位で同時に複数ブロックを消去可能なフラッシュメ
    モリチップを制御するメモリ制御装置であって、 ホストからのライト要求によるブロック毎のデータのア
    ドレスが順に書き込まれ、複数ブロック分のアドレスを
    記憶し、書き込まれた順に出力するFIFOアドレス記
    憶手段と、 FIFOアドレス記憶手段に記憶されたブロック毎のア
    ドレスに対応するブロックのデータを記憶するデータ記
    憶手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
    ロックのアドレスと、FIFOアドレス記憶手段に記憶
    された全てのブロックのアドレスとを比較し、同一チッ
    プ上の別ブロックのアドレスがFIFOアドレス記憶手
    段に存在する場合と、同一ブロックのアドレスも同一チ
    ップ上の別ブロックのアドレスもFIFOアドレス記憶
    手段に存在しない場合を判断するアドレス比較手段と、 アドレス比較手段によって同一チップ上の別ブロックの
    アドレスがFIFOアドレス記憶手段に存在する場合と
    判断された場合には、ライト要求によるブロックのアド
    レスを順に保持し、同一ブロックのアドレスも同一チッ
    プ上の別ブロックのアドレスもアドレス記憶手段に存在
    しないと判断された場合は、保持しているアドレスに対
    応するブロックの消去要求を出すとともに、保持内容を
    消去して当該ライト要求によるブロックのアドレスを新
    たに保持する消去判断手段と、 消去判断手段によって消去要求が出された場合は、その
    消去要求のブロックのアドレスの領域を消去する消去手
    段と、 FIFOアドレス記憶手段が出力すべきブロックのアド
    レスと、同一ブロックのアドレスがFIFOアドレス記
    憶手段に存在するかどうかを判定する同一ブロック判定
    手段と、 同一ブロック判断手段が存在すると判断したとき、FI
    FOアドレス記憶手段が出力すべきブロックのアドレス
    を読み出し廃棄し、存在しないと判断したとき、FIF
    Oアドレス記憶手段が出力すべきブロックのアドレスを
    読み出してそのアドレスに対応するデータ記憶手段のデ
    ータを対象となる消去済みのブロックに書き込む書き込
    み制御手段と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
  13. 【請求項13】 前記書き込み制御手段は、同一ブロッ
    ク判定手段が、存在しないと判定したときで、対象とな
    るブロックが未消去である場合には、FIFOアドレス
    記憶手段からブロックのアドレスを読み出し、再度FI
    FOアドレス記憶手段に書き込むことを特徴とする請求
    項12記載のメモリ制御装置。
  14. 【請求項14】 書込みの際に消去を必要としブロック
    単位で消去可能なフラッシュメモリチップを制御するメ
    モリ制御装置であって、 ホストからのライト要求によるブロック毎のデータとア
    ドレスが書き込まれる領域を有し、そのブロック毎のデ
    ータに対応するフラッシュメモリのブロックの消去状態
    も記憶するバッファ手段と、 ホストからのライト要求に対しバッファ手段上に同じブ
    ロックに対するアドレスが存在していない場合は、バッ
    ファ手段にブロックのデータとアドレスを書き込み、既
    にバッファ手段上に同じブロックのアドレスが存在する
    場合はオーバーライトし、またホストからのリード要求
    に対しライトバッファ手段上にブロックのデータが存在
    すればライトバッファ手段からブロックのデータを読み
    出すバッファ制御手段と、 ホストからのライト要求がある毎に、その対象となるブ
    ロックのアドレスと、バッファ手段に記憶されたブロッ
    クのアドレスとを比較し、同一チップ上の別ブロックの
    アドレスがバッファ手段に存在する場合は、そのライト
    要求の対象となるブロックの消去の指示する第1の消去
    要求を出力し、同一ブロックのアドレスも同一チップ上
    の別ブロックのアドレスもバッファ手段に存在しない場
    合は、そのライト要求によるブロックの消去を指示する
    第2の消去要求を出力するアドレス比較手段と、 アドレス比較手段によって第1の消去の指示が出された
    場合は、その消去要求が指すブロックと同一チップ上の
    別ブロックが消去中でなくなるのを待って、当該消去要
    求が指すフラッシュメモリのブロックを消去し、第2の
    消去要求が出された場合には、その消去要求が指すフラ
    ッシュメモリのブロックを消去する消去手段と、 バッファ手段に記憶されているブロックのアドレスに対
    応するフラッシュメモリのブロックの消去状態に応じて
    バッファ手段に記憶されているブロックの消去状態を書
    き込む消去状態監視手段と、 バッファ手段の記憶するブロックの消去状態が消去済み
    になったときバッファ記憶手段の記憶しているブロック
    のデータをフラッシュメモリに書き込む書き込み制御手
    段と、 を備えたことを特徴とするメモリ制御装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2012511789A (ja) * 2008-12-09 2012-05-24 ラムバス・インコーポレーテッド 並行且つパイプライン化されたメモリ動作用の不揮発性メモリデバイス

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