JPH11191297A - 不揮発性メモリを用いた高速書換可能な記憶装置および該記憶装置のデータ書換方法 - Google Patents
不揮発性メモリを用いた高速書換可能な記憶装置および該記憶装置のデータ書換方法Info
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- JPH11191297A JPH11191297A JP35984097A JP35984097A JPH11191297A JP H11191297 A JPH11191297 A JP H11191297A JP 35984097 A JP35984097 A JP 35984097A JP 35984097 A JP35984097 A JP 35984097A JP H11191297 A JPH11191297 A JP H11191297A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 データ書換時に消去動作が必要な書換可能不
揮発性メモリを有する記憶装置の書換速度を、バッファ
メモリを増加させずに向上させる。 【解決手段】 書換可能不揮発性メモリ３０を有し、メ
モリ３０に格納されたデータを書き換える処理をブロッ
ク単位で扱う記憶装置１において、メモリ３０にデータ
を書き込む前に一時的に書込データを記憶するデータ格
納手段２０と、メモリ３０の特定のチップの特定のメモ
リブロックを消去する書換可能不揮発性メモリ消去手段
１２と、データ格納手段２０に格納されたデータをメモ
リ３０の特定のチップの特定のメモリブロックに転送し
て書込みを行うデータ書込手段１３と、記消去手段１２
と書込手段１３を制御して１以上のメモリブロックのデ
ータをメモリ３０に格納する書換制御手段１１とを設け
た。
揮発性メモリを有する記憶装置の書換速度を、バッファ
メモリを増加させずに向上させる。 【解決手段】 書換可能不揮発性メモリ３０を有し、メ
モリ３０に格納されたデータを書き換える処理をブロッ
ク単位で扱う記憶装置１において、メモリ３０にデータ
を書き込む前に一時的に書込データを記憶するデータ格
納手段２０と、メモリ３０の特定のチップの特定のメモ
リブロックを消去する書換可能不揮発性メモリ消去手段
１２と、データ格納手段２０に格納されたデータをメモ
リ３０の特定のチップの特定のメモリブロックに転送し
て書込みを行うデータ書込手段１３と、記消去手段１２
と書込手段１３を制御して１以上のメモリブロックのデ
ータをメモリ３０に格納する書換制御手段１１とを設け
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、格納データの書換
時に消去動作を必要とする書換可能な不揮発性メモリを
有する記憶装置およびそのデータ書換方法に係り、特
に、記憶装置へのデータ書換速度の向上を実現する記憶
装置およびそのデータ書換方法に関する。
時に消去動作を必要とする書換可能な不揮発性メモリを
有する記憶装置およびそのデータ書換方法に係り、特
に、記憶装置へのデータ書換速度の向上を実現する記憶
装置およびそのデータ書換方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】記憶内容を電気的に書き換えること可能
でかつ電源を切っても記憶内容が消滅しない電気的書換
可能不揮発性メモリは、主に情報処理装置の記憶装置と
して広く利用されている。書換可能不揮発性メモリの中
には、一旦データを消去してから新たなデータを書き込
む処理を行うことによって、データの書換えを行うもの
がある。このような手順でデータの書換えを行う場合、
データの消去とデータの書込みの２段階の動作が必要で
あり、完全に書換えが終了するまでに多くの時間がかか
るという問題がある。
でかつ電源を切っても記憶内容が消滅しない電気的書換
可能不揮発性メモリは、主に情報処理装置の記憶装置と
して広く利用されている。書換可能不揮発性メモリの中
には、一旦データを消去してから新たなデータを書き込
む処理を行うことによって、データの書換えを行うもの
がある。このような手順でデータの書換えを行う場合、
データの消去とデータの書込みの２段階の動作が必要で
あり、完全に書換えが終了するまでに多くの時間がかか
るという問題がある。
【０００３】このような問題を解決するため、従来より
様々な技術が提案されている。例えば、特開平５−２７
９２４号公報に開示された技術では、書換可能不揮発性
メモリにデータを書き込む前に一時的にデータを記憶す
るバッファメモリを設けることにより見かけの書換速度
を向上している。
様々な技術が提案されている。例えば、特開平５−２７
９２４号公報に開示された技術では、書換可能不揮発性
メモリにデータを書き込む前に一時的にデータを記憶す
るバッファメモリを設けることにより見かけの書換速度
を向上している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のように
一時的にデータを記憶するバッファメモリを備えること
により書換速度を向上させる場合、一度に複数の書換可
能不揮発性メモリチップに書換えを行うことが可能とな
る。つまり、一時的にバッファメモリに記憶したデータ
を複数のチップに送り込み、同時に書込処理を実行する
ことによって、理論的には書込みに費やす時間をチップ
数分の１に短縮することができる。
一時的にデータを記憶するバッファメモリを備えること
により書換速度を向上させる場合、一度に複数の書換可
能不揮発性メモリチップに書換えを行うことが可能とな
る。つまり、一時的にバッファメモリに記憶したデータ
を複数のチップに送り込み、同時に書込処理を実行する
ことによって、理論的には書込みに費やす時間をチップ
数分の１に短縮することができる。
【０００５】しかし、多くの書換可能不揮発性メモリを
並列に動作させバッファメモリに記憶したデータを複数
のメモリチップに同時に書き込むには、その分多くのバ
ッファメモリが必要となる。なぜなら、メモリチップに
書き込んだデータは書込みが正常に終了するまでバッフ
ァメモリに残しておかないと、万が一書込みが失敗した
場合、書込データが失われてしまうこととなる。このよ
うな書込データの消失を無くすためには、結局書込処理
を行っているチップ数分のバッファメモリが必要にな
る。
並列に動作させバッファメモリに記憶したデータを複数
のメモリチップに同時に書き込むには、その分多くのバ
ッファメモリが必要となる。なぜなら、メモリチップに
書き込んだデータは書込みが正常に終了するまでバッフ
ァメモリに残しておかないと、万が一書込みが失敗した
場合、書込データが失われてしまうこととなる。このよ
うな書込データの消失を無くすためには、結局書込処理
を行っているチップ数分のバッファメモリが必要にな
る。
【０００６】以上の手法によれば、メモリチップへの書
込時間を短縮するためには、バッファメモリの増加に伴
い、装置のコストが上昇したり、装置の大きさや重量の
増大、消費電力の増加などの様々な弊害が生まれる。
込時間を短縮するためには、バッファメモリの増加に伴
い、装置のコストが上昇したり、装置の大きさや重量の
増大、消費電力の増加などの様々な弊害が生まれる。
【０００７】このような問題点に鑑み、本発明の目的
は、上記弊害がないよう、バッファメモリを増加させる
ことなく、メモリチップの特性に合わせた高効率の書換
処理を行うことによって、書換時間の短縮を図ることに
ある。
は、上記弊害がないよう、バッファメモリを増加させる
ことなく、メモリチップの特性に合わせた高効率の書換
処理を行うことによって、書換時間の短縮を図ることに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、データ書換時に消去動作が必要な書換可
能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリ
に格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で
扱う記憶装置において、連続した複数のデータブロック
を書き換えるときに、あるメモリブロックへの書込動作
と並行して、次に書換えを行う他のメモリブロックの消
去動作を実行するようにした。
成するために、データ書換時に消去動作が必要な書換可
能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリ
に格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で
扱う記憶装置において、連続した複数のデータブロック
を書き換えるときに、あるメモリブロックへの書込動作
と並行して、次に書換えを行う他のメモリブロックの消
去動作を実行するようにした。
【０００９】本発明は、データ書換時に消去動作が必要
な書換可能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発
性メモリに格納されたデータを書き換える処理をブロッ
ク単位で扱う記憶装置において、前記書換可能不揮発性
メモリにデータを書き込む前に一時的に書込データを記
憶するデータ格納手段と、連続した複数ブロックの書換
時に、前記データ格納手段に格納されたデータの一部ま
たは全てを前記書換可能不揮発性メモリに転送すること
により、あるブロックの書込動作を実行し、それと並行
して、次に書換えを行う他のブロックの消去を実行する
データ書換制御手段とを備えた。
な書換可能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発
性メモリに格納されたデータを書き換える処理をブロッ
ク単位で扱う記憶装置において、前記書換可能不揮発性
メモリにデータを書き込む前に一時的に書込データを記
憶するデータ格納手段と、連続した複数ブロックの書換
時に、前記データ格納手段に格納されたデータの一部ま
たは全てを前記書換可能不揮発性メモリに転送すること
により、あるブロックの書込動作を実行し、それと並行
して、次に書換えを行う他のブロックの消去を実行する
データ書換制御手段とを備えた。
【００１０】さらに、本発明は、上記記憶装置におい
て、書込みを行ったメモリブロックが不良であり、書込
みが正常に終了しなかった場合には、データ格納手段の
格納データを別のブロックへ転送して書込処理を実行す
るようにした。
て、書込みを行ったメモリブロックが不良であり、書込
みが正常に終了しなかった場合には、データ格納手段の
格納データを別のブロックへ転送して書込処理を実行す
るようにした。
【００１１】本発明は、データ書換時に消去動作が必要
な書換可能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発
性メモリに格納されたデータを書き換える処理をブロッ
ク単位で扱う記憶装置において、前記書換可能不揮発性
メモリにデータを書き込む前に一時的に書込データを記
憶するデータ格納手段と、書換可能不揮発性メモリの特
定のチップの特定のメモリブロックを消去する書換可能
不揮発性メモリ消去手段と、前記データ格納手段に格納
されたデータを書換可能不揮発性メモリの特定のチップ
の特定のメモリブロックに転送して書込みを行うデータ
書込手段と、前記メモリ記消去手段と前記データ書込手
段を制御して１以上のメモリブロックのデータを書換可
能不揮発性メモリに格納する書換制御手段とを有し、連
続した複数のデータブロックで前記メモリブロックを書
き換えるときに、前記書換制御手段が、 （１）書換えを行うデータをデータ格納手段に格納する
と同時に、書換えを行う対象となる書換可能不揮発性メ
モリのメモリブロックの内容を消去する制御 （２）消去が完了した書換可能不揮発性メモリのメモリ
ブロックにデータ格納手段に格納されたデータを転送し
て書込みを行うと同時に、書込みを行っていない別のチ
ップ内の次に書換えを行う対象となるメモリブロックの
消去を行う制御 （３）書込みが正常に終了したら次に書き込むデータを
データ格納手段に格納する制御 （４）以下、連続した複数のメモリブロックの書換えが
全て終了するまで前記（２）および（３）の処理を繰り
返し実行する制御 を実行するようにした。
な書換可能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発
性メモリに格納されたデータを書き換える処理をブロッ
ク単位で扱う記憶装置において、前記書換可能不揮発性
メモリにデータを書き込む前に一時的に書込データを記
憶するデータ格納手段と、書換可能不揮発性メモリの特
定のチップの特定のメモリブロックを消去する書換可能
不揮発性メモリ消去手段と、前記データ格納手段に格納
されたデータを書換可能不揮発性メモリの特定のチップ
の特定のメモリブロックに転送して書込みを行うデータ
書込手段と、前記メモリ記消去手段と前記データ書込手
段を制御して１以上のメモリブロックのデータを書換可
能不揮発性メモリに格納する書換制御手段とを有し、連
続した複数のデータブロックで前記メモリブロックを書
き換えるときに、前記書換制御手段が、 （１）書換えを行うデータをデータ格納手段に格納する
と同時に、書換えを行う対象となる書換可能不揮発性メ
モリのメモリブロックの内容を消去する制御 （２）消去が完了した書換可能不揮発性メモリのメモリ
ブロックにデータ格納手段に格納されたデータを転送し
て書込みを行うと同時に、書込みを行っていない別のチ
ップ内の次に書換えを行う対象となるメモリブロックの
消去を行う制御 （３）書込みが正常に終了したら次に書き込むデータを
データ格納手段に格納する制御 （４）以下、連続した複数のメモリブロックの書換えが
全て終了するまで前記（２）および（３）の処理を繰り
返し実行する制御 を実行するようにした。
【００１２】また、上記課題を解決するために、本発明
は、データ書換時に消去動作が必要な書換可能不揮発性
メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリに格納され
たデータを書き換える処理をブロック単位で扱う記憶装
置のデータ書換方法において、連続した複数のデータブ
ロックを書き換えるときに、あるメモリブロックへの書
込動作と並行して、次に書換えを行う他のメモリブロッ
クの消去動作を実行する。
は、データ書換時に消去動作が必要な書換可能不揮発性
メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリに格納され
たデータを書き換える処理をブロック単位で扱う記憶装
置のデータ書換方法において、連続した複数のデータブ
ロックを書き換えるときに、あるメモリブロックへの書
込動作と並行して、次に書換えを行う他のメモリブロッ
クの消去動作を実行する。
【００１３】本発明は、データ書換時に消去動作が必要
な書換可能不揮発性メモリと、データ格納手段と、デー
タ書換制御手段を有し、前記書換可能不揮発性メモリに
格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で扱
う記憶装置のデータ書換方法において、前記書換可能不
揮発性メモリにデータを書き込む前にデータ格納手段に
一時的に書込データを記憶し、連続した複数ブロックの
書換時に、データ格納手段に格納されたデータの一部ま
たは全てを前記書換可能不揮発性メモリに転送して、あ
るメモリブロックの書込動作を実行するとともに、この
書込動作と並行して、次に書換えを行う他のブロックの
消去を実行する。
な書換可能不揮発性メモリと、データ格納手段と、デー
タ書換制御手段を有し、前記書換可能不揮発性メモリに
格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で扱
う記憶装置のデータ書換方法において、前記書換可能不
揮発性メモリにデータを書き込む前にデータ格納手段に
一時的に書込データを記憶し、連続した複数ブロックの
書換時に、データ格納手段に格納されたデータの一部ま
たは全てを前記書換可能不揮発性メモリに転送して、あ
るメモリブロックの書込動作を実行するとともに、この
書込動作と並行して、次に書換えを行う他のブロックの
消去を実行する。
【００１４】本発明は、上記記憶装置のデータ書換方法
において、書込みを行ったメモリブロックが不良であ
り、書込みが正常に終了しなかった場合に、データ格納
手段の格納データを別のブロックへ転送して書込処理を
実行する。
において、書込みを行ったメモリブロックが不良であ
り、書込みが正常に終了しなかった場合に、データ格納
手段の格納データを別のブロックへ転送して書込処理を
実行する。
【００１５】本発明は、データ書き換え時に消去動作が
必要な書換可能不揮発性メモリと、データ格納手段と、
書換可能不揮発性メモリ消去手段と、データ書込手段
と、書換制御手段とを有し、前記書換可能不揮発性メモ
リに格納されたデータを書き換える処理をブロック単位
で扱う記憶装置のデータ書換方法において、前記書換可
能不揮発性メモリにデータを書き込む前に前記データ格
納手段に一時的に書込データを記憶し、書換えを行うデ
ータを前記データ格納手段に格納すると同時に、書換え
を行う対象となる書換可能不揮発性メモリのメモリブロ
ックを消去し、消去が完了した書換可能不揮発性メモリ
のメモリブロックに前記データ格納手段に格納されたデ
ータを転送して書込みを行うと同時に、書込みを行って
いない別のチップ内の次に書換えを行う対象となるメモ
リブロックの内容を消去し、書込みが正常に終了したら
次に書き込むデータを前記データ格納手段に格納する。
必要な書換可能不揮発性メモリと、データ格納手段と、
書換可能不揮発性メモリ消去手段と、データ書込手段
と、書換制御手段とを有し、前記書換可能不揮発性メモ
リに格納されたデータを書き換える処理をブロック単位
で扱う記憶装置のデータ書換方法において、前記書換可
能不揮発性メモリにデータを書き込む前に前記データ格
納手段に一時的に書込データを記憶し、書換えを行うデ
ータを前記データ格納手段に格納すると同時に、書換え
を行う対象となる書換可能不揮発性メモリのメモリブロ
ックを消去し、消去が完了した書換可能不揮発性メモリ
のメモリブロックに前記データ格納手段に格納されたデ
ータを転送して書込みを行うと同時に、書込みを行って
いない別のチップ内の次に書換えを行う対象となるメモ
リブロックの内容を消去し、書込みが正常に終了したら
次に書き込むデータを前記データ格納手段に格納する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる記憶装置の
実施形態を図面を参照して説明する。図１に、本発明を
実現する記憶装置の一構成例を示す。図中、書換可能な
不揮発性メモリを有する記憶装置１は、記憶装置１の各
部及びホストシステムとのインターフェイスを制御する
制御手段１０と、複数の書換可能不揮発性メモリ３０
と、一時的にデータを格納するバッファメモリ２０とを
有して構成され、システムバス２を介して図示を省略し
たホストシステムに接続されている。さらに制御手段１
０は、書換制御手段１１と、不揮発性メモリ消去手段１
２と、データ書込手段１３とを有して構成される。
実施形態を図面を参照して説明する。図１に、本発明を
実現する記憶装置の一構成例を示す。図中、書換可能な
不揮発性メモリを有する記憶装置１は、記憶装置１の各
部及びホストシステムとのインターフェイスを制御する
制御手段１０と、複数の書換可能不揮発性メモリ３０
と、一時的にデータを格納するバッファメモリ２０とを
有して構成され、システムバス２を介して図示を省略し
たホストシステムに接続されている。さらに制御手段１
０は、書換制御手段１１と、不揮発性メモリ消去手段１
２と、データ書込手段１３とを有して構成される。
【００１７】制御手段１０は、記憶装置１の各部および
ホストシステムとのインターフェイスを制御する。バッ
ファメモリ２０は、ホストシステムが書換可能不揮発性
メモリ３０に対する書換えをはじめとする、ホストシス
テムと書換可能不揮発性メモリとの間のデータのやりと
りや、書換可能不揮発性メモリ３０の格納データを移動
したりする際に、一時的にデータを格納するデータ格納
手段として働く。書換可能不揮発性メモリ３０は、例え
ば、電気的に書換可能なＲＯＭからなる書換可能な不揮
発性メモリを用いて構成される。システムバス２は、図
示を省略したホストシステムとデータや制御信号をやり
とりする際に使用する。
ホストシステムとのインターフェイスを制御する。バッ
ファメモリ２０は、ホストシステムが書換可能不揮発性
メモリ３０に対する書換えをはじめとする、ホストシス
テムと書換可能不揮発性メモリとの間のデータのやりと
りや、書換可能不揮発性メモリ３０の格納データを移動
したりする際に、一時的にデータを格納するデータ格納
手段として働く。書換可能不揮発性メモリ３０は、例え
ば、電気的に書換可能なＲＯＭからなる書換可能な不揮
発性メモリを用いて構成される。システムバス２は、図
示を省略したホストシステムとデータや制御信号をやり
とりする際に使用する。
【００１８】書換御手段１１は、書換可能不揮発性メモ
リ消去手段１２とデータ書込手段１３を制御して１以上
のブロックのデータを書換可能不揮発性メモリ３０に格
納する書換制御機能を達成する。書換可能不揮発性メモ
リ消去手段１２は、書換可能不揮発性メモリ３０の特定
のチップの特定のメモリブロックを消去する書換可能不
揮発性メモリ消去機能を達成する。データ書込手段１３
は、バッファメモリ２０に格納されたデータを書換可能
不揮発性メモリ３０の特定のチップの特定のメモリブロ
ックに転送して書込みを行うデータ書込機能を達成す
る。
リ消去手段１２とデータ書込手段１３を制御して１以上
のブロックのデータを書換可能不揮発性メモリ３０に格
納する書換制御機能を達成する。書換可能不揮発性メモ
リ消去手段１２は、書換可能不揮発性メモリ３０の特定
のチップの特定のメモリブロックを消去する書換可能不
揮発性メモリ消去機能を達成する。データ書込手段１３
は、バッファメモリ２０に格納されたデータを書換可能
不揮発性メモリ３０の特定のチップの特定のメモリブロ
ックに転送して書込みを行うデータ書込機能を達成す
る。
【００１９】システムバス２は、ホストシステム側に布
設されている。ホストシステムがシステムバス２を通し
てデータのアクセス要求を記憶装置１に送ると、これを
受けた記憶装置１内の制御手段１０は、アクセス要求の
内容と対応するデータが格納されている書換可能不揮発
性メモリ３０上の物理的な位置（メモリブロック）を割
り出し、バッファメモリ２０を適宜利用してホストのア
クセス要求に応えていく。
設されている。ホストシステムがシステムバス２を通し
てデータのアクセス要求を記憶装置１に送ると、これを
受けた記憶装置１内の制御手段１０は、アクセス要求の
内容と対応するデータが格納されている書換可能不揮発
性メモリ３０上の物理的な位置（メモリブロック）を割
り出し、バッファメモリ２０を適宜利用してホストのア
クセス要求に応えていく。
【００２０】図２を用いて、図１に示した記憶装置１内
において、書換可能不揮発性メモリ３０に書き込まれる
データの経路を特に取り出して説明する。それぞれの書
換可能不揮発性メモリ内のメモリブロックに格納された
データを書換える際には、一群のデータの単位で一度に
書換えを行う。以下、この書換単位毎に書き換えられる
書換可能不揮発性メモリ内の記憶領域の単位をメモリブ
ロックと呼ぶ。書換可能不揮発性メモリ３０は、複数の
書換可能不揮発性メモリ３１，３２から構成される。そ
れぞれの書換可能不揮発性メモリ３１，３２には、複数
のメモリブロック３１０，３１１〜、３２０，３２１〜
がそれぞれ順序よく配列される。
において、書換可能不揮発性メモリ３０に書き込まれる
データの経路を特に取り出して説明する。それぞれの書
換可能不揮発性メモリ内のメモリブロックに格納された
データを書換える際には、一群のデータの単位で一度に
書換えを行う。以下、この書換単位毎に書き換えられる
書換可能不揮発性メモリ内の記憶領域の単位をメモリブ
ロックと呼ぶ。書換可能不揮発性メモリ３０は、複数の
書換可能不揮発性メモリ３１，３２から構成される。そ
れぞれの書換可能不揮発性メモリ３１，３２には、複数
のメモリブロック３１０，３１１〜、３２０，３２１〜
がそれぞれ順序よく配列される。
【００２１】バッファメモリ２０は、図１に示したバッ
ファメモリ２０と同一のものであるが、ここでは特にデ
ータ転送に用いるデータバッファとして機能する転送バ
ッファメモリとする。転送バッファメモリ２０と書換可
能不揮発性メモリ３１，３２とは、データバス１４を介
して結ばれている。このデータバス１４を通して、バッ
ファメモリ２０から書換可能不揮発性メモリ３１，３２
へデータの転送を行う。システムバス２は、制御手段１
０を通したシステムのデータバスとしても働き、記憶装
置１のローカルバスといえる。
ファメモリ２０と同一のものであるが、ここでは特にデ
ータ転送に用いるデータバッファとして機能する転送バ
ッファメモリとする。転送バッファメモリ２０と書換可
能不揮発性メモリ３１，３２とは、データバス１４を介
して結ばれている。このデータバス１４を通して、バッ
ファメモリ２０から書換可能不揮発性メモリ３１，３２
へデータの転送を行う。システムバス２は、制御手段１
０を通したシステムのデータバスとしても働き、記憶装
置１のローカルバスといえる。
【００２２】なお、図２では、制御手段１０が２つの書
換可能不揮発性メモリ３１，３２を制御する例を示して
いるが、一般的には制御手段１０が制御する書換可能不
揮発性メモリは２つである必要はなく、さらに増加して
も構わない。
換可能不揮発性メモリ３１，３２を制御する例を示して
いるが、一般的には制御手段１０が制御する書換可能不
揮発性メモリは２つである必要はなく、さらに増加して
も構わない。
【００２３】例えば、図３に示すように、内部データバ
ス１４を通して３つの書換可能不揮発性メモリ３１，３
２，３３を並列に接続することができる。このようにし
て、並列処理する書換可能不揮発性メモリの数を増やす
ことによって、メモリチップへの書込処理をより多く並
列に実行することが可能となるので、書込性能を向上さ
せることができる。
ス１４を通して３つの書換可能不揮発性メモリ３１，３
２，３３を並列に接続することができる。このようにし
て、並列処理する書換可能不揮発性メモリの数を増やす
ことによって、メモリチップへの書込処理をより多く並
列に実行することが可能となるので、書込性能を向上さ
せることができる。
【００２４】図１および図２に示した記憶装置１によ
る、書換可能不揮発性メモリ内のデータ書換処理の順序
を、図４を用いて説明する。図において、上段は書換可
能不揮発性メモリ３１に対する処理を示し、下段は書換
可能不揮発性メモリ３２に対する処理を示している。そ
れぞれの処理は、システムバス２から転送バッファメモ
リ２０へ１ブロック分のデータ（以下、データブロック
という）を転送する転送処理４１と、書換可能不揮発性
メモリ３１，３２内のメモリブロックに既に書き込まれ
ているデータを消去する消去処理４２と、バッファメモ
リ２０からデータバス１４を通して書換可能不揮発性メ
モリ３１，３２へ１データブロック分のデータを転送す
る転送処理４３と、書換可能不揮発性メモリ３１，３２
へ転送されたデータを各メモリブロックに書き込む書込
処理４４とがあり、それぞれの処理に要する時間がその
長さで示されている。なお、転送処理４１〜書換処理４
４の時間の幅は実際に要する時間に比例して示されてい
るわけではない。また、転送処理４１〜書換処理４４の
処理時間はそれぞれ常に一定であるとは限らない。さら
に、「書き込み」とは消去されたブロックに新しいデー
タを格納することを意味し、「書き換え」は「消去」を
実行した後に「書き込み」を実行して完了するものとす
る。
る、書換可能不揮発性メモリ内のデータ書換処理の順序
を、図４を用いて説明する。図において、上段は書換可
能不揮発性メモリ３１に対する処理を示し、下段は書換
可能不揮発性メモリ３２に対する処理を示している。そ
れぞれの処理は、システムバス２から転送バッファメモ
リ２０へ１ブロック分のデータ（以下、データブロック
という）を転送する転送処理４１と、書換可能不揮発性
メモリ３１，３２内のメモリブロックに既に書き込まれ
ているデータを消去する消去処理４２と、バッファメモ
リ２０からデータバス１４を通して書換可能不揮発性メ
モリ３１，３２へ１データブロック分のデータを転送す
る転送処理４３と、書換可能不揮発性メモリ３１，３２
へ転送されたデータを各メモリブロックに書き込む書込
処理４４とがあり、それぞれの処理に要する時間がその
長さで示されている。なお、転送処理４１〜書換処理４
４の時間の幅は実際に要する時間に比例して示されてい
るわけではない。また、転送処理４１〜書換処理４４の
処理時間はそれぞれ常に一定であるとは限らない。さら
に、「書き込み」とは消去されたブロックに新しいデー
タを格納することを意味し、「書き換え」は「消去」を
実行した後に「書き込み」を実行して完了するものとす
る。
【００２５】まず、ホストシステムから、記憶装置１に
対して連続した２データブロック以上のデータＤ1〜Ｄ
ｎの書換要求が発生した場合を考える。１ブロック目の
データＤ1をシステムバス２を介して転送バッファメモ
リ２０に格納する転送処理４１が実行される（処理
１）。制御手段１０は、現在バッファメモリ２０に格納
されているデータと置き変えられるメモリブロックの物
理的な位置（メモリブロック）を割り出す。この実施の
形態では、この置き変えられるメモリブロック３１０が
第１の書換可能不揮発性メモリ３１内にあるとする。制
御手段１０は、第１の書換可能不揮発性メモリ３１に命
令を出して、このブロック３１０に既に格納されている
データＤ00-1を消去する消去処理４２を実行する（処理
２）。
対して連続した２データブロック以上のデータＤ1〜Ｄ
ｎの書換要求が発生した場合を考える。１ブロック目の
データＤ1をシステムバス２を介して転送バッファメモ
リ２０に格納する転送処理４１が実行される（処理
１）。制御手段１０は、現在バッファメモリ２０に格納
されているデータと置き変えられるメモリブロックの物
理的な位置（メモリブロック）を割り出す。この実施の
形態では、この置き変えられるメモリブロック３１０が
第１の書換可能不揮発性メモリ３１内にあるとする。制
御手段１０は、第１の書換可能不揮発性メモリ３１に命
令を出して、このブロック３１０に既に格納されている
データＤ00-1を消去する消去処理４２を実行する（処理
２）。
【００２６】処理２によるデータの消去が終了したこと
を確認すると、制御手段１０はバッファメモリ２０内の
データＤ1を書換可能不揮発性メモリ３１へ転送する転
送処理４３を実行し（処理３）、それに引き続いてデー
タＤ1をメモリブロック３１０へ書き込む書込処理４４
を実行する（処理４）。制御手段１０は、処理４が完全
に終了したことを確認するまでバッファ２０内のデータ
Ｄ1を消去せずに保持しておく。こうすることによっ
て、処理３の転送処理４３または処理４の書込処理４４
の実行中に、記憶装置１内で何らかのエラーが発生して
書換動作が中断しても、データＤ1がバッファ２０内に
保存されているので書換可能不揮発性メモリを再び書き
直すことが可能となる。
を確認すると、制御手段１０はバッファメモリ２０内の
データＤ1を書換可能不揮発性メモリ３１へ転送する転
送処理４３を実行し（処理３）、それに引き続いてデー
タＤ1をメモリブロック３１０へ書き込む書込処理４４
を実行する（処理４）。制御手段１０は、処理４が完全
に終了したことを確認するまでバッファ２０内のデータ
Ｄ1を消去せずに保持しておく。こうすることによっ
て、処理３の転送処理４３または処理４の書込処理４４
の実行中に、記憶装置１内で何らかのエラーが発生して
書換動作が中断しても、データＤ1がバッファ２０内に
保存されているので書換可能不揮発性メモリを再び書き
直すことが可能となる。
【００２７】制御手段１０は、最初のデータブロックＤ
1のメモリブロック３１０への書込処理４４（処理４）
が終了するまでに、２番目に書換えを行うメモリブロッ
ク３２０の物理的な位置を割り出し、このメモリブロッ
クに既に格納されているデータＤ00-2を消去する処理４
２を実行しておく（処理５）。ここで、連続したメモリ
ブロックを、予め第１の書換可能不揮発性メモリ３１と
第２の書換可能不揮発性メモリ３２に交互に割り当てて
おく。こうすることによって、一方のメモリブロックへ
の書込処理と並行して、次に書き換えるメモリブロック
の消去を行うことができる。
1のメモリブロック３１０への書込処理４４（処理４）
が終了するまでに、２番目に書換えを行うメモリブロッ
ク３２０の物理的な位置を割り出し、このメモリブロッ
クに既に格納されているデータＤ00-2を消去する処理４
２を実行しておく（処理５）。ここで、連続したメモリ
ブロックを、予め第１の書換可能不揮発性メモリ３１と
第２の書換可能不揮発性メモリ３２に交互に割り当てて
おく。こうすることによって、一方のメモリブロックへ
の書込処理と並行して、次に書き換えるメモリブロック
の消去を行うことができる。
【００２８】最初のメモリブロック３１０へのデータブ
ロックＤ1の書込みが正常に終了すると、２番目のメモ
リブロック３２０へのデータＤ2をシステムバス２を通
じてバッファメモリ２０へ転送する転送処理４１を実行
する（処理６）。最初のブロック３１０への書込みと違
い、今回は書き込むメモリブロック３２０に既に格納さ
れているデータＤ00-2の消去を既に完了しているので、
即座にバッファメモリ２０の内容Ｄ2を第２の書換可能
不揮発性メモリ３２のメモリブロック３２０へ転送する
転送処理４３を実行することができ（処理７）、引き続
いて該メモリブロック３２０へデータＤ2を書き込む書
込処理４４を実行する（処理８）。処理８における書込
処理４４が完全に終了するまで、バッファメモリ２０内
のデータＤ2は消去せずに保持しておく。
ロックＤ1の書込みが正常に終了すると、２番目のメモ
リブロック３２０へのデータＤ2をシステムバス２を通
じてバッファメモリ２０へ転送する転送処理４１を実行
する（処理６）。最初のブロック３１０への書込みと違
い、今回は書き込むメモリブロック３２０に既に格納さ
れているデータＤ00-2の消去を既に完了しているので、
即座にバッファメモリ２０の内容Ｄ2を第２の書換可能
不揮発性メモリ３２のメモリブロック３２０へ転送する
転送処理４３を実行することができ（処理７）、引き続
いて該メモリブロック３２０へデータＤ2を書き込む書
込処理４４を実行する（処理８）。処理８における書込
処理４４が完全に終了するまで、バッファメモリ２０内
のデータＤ2は消去せずに保持しておく。
【００２９】制御手段１０は、メモリブロック３２０の
書込処理４４（処理８）が終了するまでに、３番目に書
替えを行うメモリブロック３１１の物理的な位置を割り
出し、このブロックに既に格納されているデータＤ01-1
を消去する消去処理４２を実行しておく（処理９）。メ
モリブロック３２０へのデータブロックＤ2の書込みが
正常に終了したことを確認すると、バッファメモリ２０
へデータブロックＤ3を転送する転送処理４１を実行し
（処理１０）、データＤ3を第１の書換可能不揮発性メ
モリ３１のメモリブロック３１１へ転送する転送処理４
１（処理１１）と、引き続き該データＤ3をメモリブロ
ック３１１へ書き込む書込処理４３（処理１２）を順次
実行する。４番目のデータブロックＤ4をメモリブロッ
ク３２１へ書き換える処理についても同様の処理（処理
１３〜）が行われる。以下、順次メモリブロック３２２
〜の内容が書き換えられる。
書込処理４４（処理８）が終了するまでに、３番目に書
替えを行うメモリブロック３１１の物理的な位置を割り
出し、このブロックに既に格納されているデータＤ01-1
を消去する消去処理４２を実行しておく（処理９）。メ
モリブロック３２０へのデータブロックＤ2の書込みが
正常に終了したことを確認すると、バッファメモリ２０
へデータブロックＤ3を転送する転送処理４１を実行し
（処理１０）、データＤ3を第１の書換可能不揮発性メ
モリ３１のメモリブロック３１１へ転送する転送処理４
１（処理１１）と、引き続き該データＤ3をメモリブロ
ック３１１へ書き込む書込処理４３（処理１２）を順次
実行する。４番目のデータブロックＤ4をメモリブロッ
ク３２１へ書き換える処理についても同様の処理（処理
１３〜）が行われる。以下、順次メモリブロック３２２
〜の内容が書き換えられる。
【００３０】以上の処理によって、通常の単純な書換処
理においては、図４に示した４ブロック分のデータＤ1
〜Ｄ4を書き込む場合には、書換可能不揮発性メモリ３
０の消去処理４２が４回、書換可能不揮発性メモリ３０
への書込処理４４が４回、そして、バッファメモリ２０
へのデータ転送処理４１および不揮発性メモリ３０への
データ転送処理４３が合計８回実行されることが必要で
あるが、図４より明らかなように、書込処理４４時に並
行して消去処理４２を実行することができるので、書換
可能不揮発性メモリ３０の消去処理４２を４回、書換可
能不揮発性メモリ３０への書込処理４４を１回、データ
転送処理４１，４３を合計８回をそれぞれ実行する時間
で一連のデータの書換処理を実行することが可能とな
る。そして、この処理を実行するために必要な転送バッ
ファメモリ２０は１データブロック分の容量しか必要と
していない。
理においては、図４に示した４ブロック分のデータＤ1
〜Ｄ4を書き込む場合には、書換可能不揮発性メモリ３
０の消去処理４２が４回、書換可能不揮発性メモリ３０
への書込処理４４が４回、そして、バッファメモリ２０
へのデータ転送処理４１および不揮発性メモリ３０への
データ転送処理４３が合計８回実行されることが必要で
あるが、図４より明らかなように、書込処理４４時に並
行して消去処理４２を実行することができるので、書換
可能不揮発性メモリ３０の消去処理４２を４回、書換可
能不揮発性メモリ３０への書込処理４４を１回、データ
転送処理４１，４３を合計８回をそれぞれ実行する時間
で一連のデータの書換処理を実行することが可能とな
る。そして、この処理を実行するために必要な転送バッ
ファメモリ２０は１データブロック分の容量しか必要と
していない。
【００３１】図５を用いて、本発明にかかる記憶装置１
の別の実施の形態を説明する。この実施の形態にかかる
記憶装置１は、複数の群に分けられた第１の書換可能不
揮発性メモリ３１，第３の書換可能不揮発性メモリ３
３、および第２の書換可能不揮発性メモリ３２，第４の
書換可能不揮発性メモリ３４と、１データブロックの容
量のデータを記憶することができる格納手段である第１
のバッファメモリ２０１および第２のバッファメモリ２
０２から構成されるバッファメモリ２０と、第１のバッ
ファメモリ２０１と第１の書換可能不揮発性メモリ３１
および第３の書換可能不揮発性メモリ３３を結ぶデータ
バス１４１と、第２のバッファメモリ２０２と第２の書
換可能不揮発性メモリ３２および第４の書換可能不揮発
性メモリ３４を結ぶデータバス１４２とから構成され、
システムバス２を介して図示を省略したホストシステム
に接続される。
の別の実施の形態を説明する。この実施の形態にかかる
記憶装置１は、複数の群に分けられた第１の書換可能不
揮発性メモリ３１，第３の書換可能不揮発性メモリ３
３、および第２の書換可能不揮発性メモリ３２，第４の
書換可能不揮発性メモリ３４と、１データブロックの容
量のデータを記憶することができる格納手段である第１
のバッファメモリ２０１および第２のバッファメモリ２
０２から構成されるバッファメモリ２０と、第１のバッ
ファメモリ２０１と第１の書換可能不揮発性メモリ３１
および第３の書換可能不揮発性メモリ３３を結ぶデータ
バス１４１と、第２のバッファメモリ２０２と第２の書
換可能不揮発性メモリ３２および第４の書換可能不揮発
性メモリ３４を結ぶデータバス１４２とから構成され、
システムバス２を介して図示を省略したホストシステム
に接続される。
【００３２】各書換可能不揮発性メモリ３１〜３４に
は、それぞれ複数のメモリブロック３１０，３１１〜、
３２０，３２１〜、３３０，３３１〜、３４０，３４１
〜が設けられる。
は、それぞれ複数のメモリブロック３１０，３１１〜、
３２０，３２１〜、３３０，３３１〜、３４０，３４１
〜が設けられる。
【００３３】図６は、図５に示した構成の記憶装置１内
で、書換動作が行われるときの処理の順序を示す。図５
に示した記憶装置１は、図３に示した記憶装置１に比べ
バッファメモリを１つ加えて、同時に２メモリブロック
を並行して書換動作することを可能とした点に特徴を有
している。図において、上段は第１の書換可能不揮発性
メモリ３１および第２の書換可能不揮発性メモリ３２に
対する処理を示し、下段は第３の書換可能不揮発性メモ
リ３３および第４の書換可能不揮発性メモリ３４に対す
る処理を示している。
で、書換動作が行われるときの処理の順序を示す。図５
に示した記憶装置１は、図３に示した記憶装置１に比べ
バッファメモリを１つ加えて、同時に２メモリブロック
を並行して書換動作することを可能とした点に特徴を有
している。図において、上段は第１の書換可能不揮発性
メモリ３１および第２の書換可能不揮発性メモリ３２に
対する処理を示し、下段は第３の書換可能不揮発性メモ
リ３３および第４の書換可能不揮発性メモリ３４に対す
る処理を示している。
【００３４】それぞれの処理は、システムバス２から転
送バッファメモリ２０の第１のバッファメモリ２０１と
第２のバッファメモリ２０２へそれぞれ１データブロッ
ク分のデータを転送する転送処理４１と、書換可能不揮
発性メモリ３１，３２または書換可能不揮発性メモリ３
３，３４内の各メモリブロックに書き込まれているデー
タを消去する消去処理４２と、バッファメモリ２０の第
１のバッファメモリ２０１からデータバス１４１を通し
て第１の書換可能不揮発性メモリ３１または第３の書換
可能不揮発性メモリ３３のメモリブロックへ、第２のバ
ッファメモリ２０２からデータバス１４２を通して第２
の書換可能不揮発性メモリ３２または第４の書換可能不
揮発性メモリ３４のメモリブロックへそれぞれ１データ
ブロック分のデータを転送する転送処理４３と、書換可
能不揮発性メモリ３１〜３４へ転送されたデータを各メ
モリブロックに書き込む書込処理４４とがあり、それぞ
れの処理に要する時間がその長さで示されている。
送バッファメモリ２０の第１のバッファメモリ２０１と
第２のバッファメモリ２０２へそれぞれ１データブロッ
ク分のデータを転送する転送処理４１と、書換可能不揮
発性メモリ３１，３２または書換可能不揮発性メモリ３
３，３４内の各メモリブロックに書き込まれているデー
タを消去する消去処理４２と、バッファメモリ２０の第
１のバッファメモリ２０１からデータバス１４１を通し
て第１の書換可能不揮発性メモリ３１または第３の書換
可能不揮発性メモリ３３のメモリブロックへ、第２のバ
ッファメモリ２０２からデータバス１４２を通して第２
の書換可能不揮発性メモリ３２または第４の書換可能不
揮発性メモリ３４のメモリブロックへそれぞれ１データ
ブロック分のデータを転送する転送処理４３と、書換可
能不揮発性メモリ３１〜３４へ転送されたデータを各メ
モリブロックに書き込む書込処理４４とがあり、それぞ
れの処理に要する時間がその長さで示されている。
【００３５】なお、転送処理４１〜書換処理４４の処理
時間の幅は実際に要する時間に比例して示されているわ
けではない。また、転送処理４１〜書換処理４４の処理
時間は常に一定であるとは限らない。さらに、「書き込
み」とは消去されたブロックに新しいデータを格納する
ことを意味し、「書き換え」は「消去」を実行した後に
「書き込み」を実行して完了するものとする。
時間の幅は実際に要する時間に比例して示されているわ
けではない。また、転送処理４１〜書換処理４４の処理
時間は常に一定であるとは限らない。さらに、「書き込
み」とは消去されたブロックに新しいデータを格納する
ことを意味し、「書き換え」は「消去」を実行した後に
「書き込み」を実行して完了するものとする。
【００３６】ホストシステムから、この記憶装置１に対
して連続した４ブロック以上のデータＤ1〜Ｄｎの書換
要求が発生した場合を考える。まず、１ブロック目のデ
ータＤ1と２ブロック目のデータＤ2を、システムバス２
を通ってバッファメモリ２０の第１のバッファメモリ２
０１と第２のバッファメモリ２０２に格納する転送処理
４１を実行する（処理１）。このとき１データブロック
目のデータＤ1は第１のバッファメモリ２０１に、２デ
ータブロック目のデータＤ2は第２のバッファメモリ２
０２に格納されるとする。
して連続した４ブロック以上のデータＤ1〜Ｄｎの書換
要求が発生した場合を考える。まず、１ブロック目のデ
ータＤ1と２ブロック目のデータＤ2を、システムバス２
を通ってバッファメモリ２０の第１のバッファメモリ２
０１と第２のバッファメモリ２０２に格納する転送処理
４１を実行する（処理１）。このとき１データブロック
目のデータＤ1は第１のバッファメモリ２０１に、２デ
ータブロック目のデータＤ2は第２のバッファメモリ２
０２に格納されるとする。
【００３７】制御手段１０は、現在バッファメモリ２０
に格納されているデータと置き換えられるメモリブロッ
クの物理的な位置を割り出す。ここでは、この置き換え
られるメモリブロックは第１の書換可能不揮発性メモリ
３１内のメモリブロック３１０と第２の書換可能不揮発
性メモリ３２内のメモリブロック３２０であるとする。
制御手段１０は、第１の書換可能不揮発性メモリ３１と
第２の書換可能不揮発性メモリ３２に命令を出して、こ
のメモリブロック３１０，３２０に既に格納されている
データ（Ｄ00-1，Ｄ00-2）を消去する消去処理４２を実
行する（処理２）。
に格納されているデータと置き換えられるメモリブロッ
クの物理的な位置を割り出す。ここでは、この置き換え
られるメモリブロックは第１の書換可能不揮発性メモリ
３１内のメモリブロック３１０と第２の書換可能不揮発
性メモリ３２内のメモリブロック３２０であるとする。
制御手段１０は、第１の書換可能不揮発性メモリ３１と
第２の書換可能不揮発性メモリ３２に命令を出して、こ
のメモリブロック３１０，３２０に既に格納されている
データ（Ｄ00-1，Ｄ00-2）を消去する消去処理４２を実
行する（処理２）。
【００３８】書き換えられるメモリブロックのデータ消
去が終了したことを確認すると、制御手段１０は、バッ
ファメモリ２０の第１のバッファメモリ２０１内のデー
タＤ1をデータバス１４１を介して第１の書換可能不揮
発性メモリ３１のメモリブロック３１０へ、バッファメ
モリ２０の第２のバッファメモリ２０２内のデータＤ2
をデータバス１４２を介して第２の書換可能不揮発性メ
モリ３２のメモリブロック３２０へ転送する転送処理４
３を実行し（処理３）、引き続いてそれぞれのデータＤ
1，Ｄ2をそれぞれのメモリブロックへ書き込む書込処理
４４を実行する（処理４）。
去が終了したことを確認すると、制御手段１０は、バッ
ファメモリ２０の第１のバッファメモリ２０１内のデー
タＤ1をデータバス１４１を介して第１の書換可能不揮
発性メモリ３１のメモリブロック３１０へ、バッファメ
モリ２０の第２のバッファメモリ２０２内のデータＤ2
をデータバス１４２を介して第２の書換可能不揮発性メ
モリ３２のメモリブロック３２０へ転送する転送処理４
３を実行し（処理３）、引き続いてそれぞれのデータＤ
1，Ｄ2をそれぞれのメモリブロックへ書き込む書込処理
４４を実行する（処理４）。
【００３９】制御手段１０は、データＤ1，Ｄ2をそれぞ
れメモリブロック３１０，３２０へ書き込む処理（処理
４）が完全に終了したことを確認するまでバッファ２０
の第１のバッファメモリ２０１および第２のバッファメ
モリ２０２内のデータＤ1，Ｄ2を消去せずに保持してお
く。こうすることによって、転送処理４３（処理３）ま
たは書込処理４４（処理４）の実行中に、記憶装置１内
で何らかのエラーが発生して書換動作が中断しても、再
び書き直しが可能になる。
れメモリブロック３１０，３２０へ書き込む処理（処理
４）が完全に終了したことを確認するまでバッファ２０
の第１のバッファメモリ２０１および第２のバッファメ
モリ２０２内のデータＤ1，Ｄ2を消去せずに保持してお
く。こうすることによって、転送処理４３（処理３）ま
たは書込処理４４（処理４）の実行中に、記憶装置１内
で何らかのエラーが発生して書換動作が中断しても、再
び書き直しが可能になる。
【００４０】制御手段１０は、最初の２データブロック
のデータＤ1，Ｄ2の書込処理４４（処理４）が終了する
までに、次に書替えを行う第３の書換可能不揮発性メモ
リ３３および第４の書換可能不揮発性メモリ３４のメモ
リブロック３３０，３４０の物理的な位置を割り出し、
このメモリブロックに既に格納されているデータ（Ｄ
00-3，Ｄ00-4）を消去する消去処理４２を実行しておく
（処理５）。ここで、連続したメモリブロックは、必ず
第１の書換可能不揮発性メモリ３１から第４の書換可能
不揮発性メモリ３４へ順番に割り当てておく。こうする
ことによって、書込処理と並行して、次に書き換えるブ
ロックの消去を行うことができる。
のデータＤ1，Ｄ2の書込処理４４（処理４）が終了する
までに、次に書替えを行う第３の書換可能不揮発性メモ
リ３３および第４の書換可能不揮発性メモリ３４のメモ
リブロック３３０，３４０の物理的な位置を割り出し、
このメモリブロックに既に格納されているデータ（Ｄ
00-3，Ｄ00-4）を消去する消去処理４２を実行しておく
（処理５）。ここで、連続したメモリブロックは、必ず
第１の書換可能不揮発性メモリ３１から第４の書換可能
不揮発性メモリ３４へ順番に割り当てておく。こうする
ことによって、書込処理と並行して、次に書き換えるブ
ロックの消去を行うことができる。
【００４１】最初の２メモリブロック３１０，３２０へ
のデータＤ1，Ｄ2の書込みが正常に終了すると、次に書
替えを行う２メモリブロック３３０，３４０を書き換え
るデータＤ3，Ｄ4をシステムバス２を通じてバッファメ
モリ２０の第１のバッファメモリ２０１および第２のバ
ッファメモリ２０２へ転送する転送処理４１を実行する
（処理６）。最初の、メモリブロック３１０，３２０と
違い、今回は書き込むメモリブロック３３０，３４０の
データの消去を既に完了しているので、即座にバッファ
メモリ２０の第１のバッファメモリ２０１および第２の
バッファメモリ２０２に一時蓄積されたデータＤ3，Ｄ4
を、第３の書換可能不揮発性メモリ３３のメモリブロッ
ク３３０および第４の書換可能不揮発性メモリ３４のメ
モリブロック３４０へ転送する転送処理４３を実行し
（処理７）、引き続いてこのデータＤ3，Ｄ4をメモリブ
ロック３３０，３４０へそれぞれ書き込む書込処理４４
を実行する（処理８）。書込処理４４（処理８）が完全
に終了するまで、バッファメモリ２０の第１のバッファ
メモリメモリ２０１および第２のバッファメモリ２０２
内に一時格納されたデータＤ3，Ｄ4は消去せずに保持し
ておく。
のデータＤ1，Ｄ2の書込みが正常に終了すると、次に書
替えを行う２メモリブロック３３０，３４０を書き換え
るデータＤ3，Ｄ4をシステムバス２を通じてバッファメ
モリ２０の第１のバッファメモリ２０１および第２のバ
ッファメモリ２０２へ転送する転送処理４１を実行する
（処理６）。最初の、メモリブロック３１０，３２０と
違い、今回は書き込むメモリブロック３３０，３４０の
データの消去を既に完了しているので、即座にバッファ
メモリ２０の第１のバッファメモリ２０１および第２の
バッファメモリ２０２に一時蓄積されたデータＤ3，Ｄ4
を、第３の書換可能不揮発性メモリ３３のメモリブロッ
ク３３０および第４の書換可能不揮発性メモリ３４のメ
モリブロック３４０へ転送する転送処理４３を実行し
（処理７）、引き続いてこのデータＤ3，Ｄ4をメモリブ
ロック３３０，３４０へそれぞれ書き込む書込処理４４
を実行する（処理８）。書込処理４４（処理８）が完全
に終了するまで、バッファメモリ２０の第１のバッファ
メモリメモリ２０１および第２のバッファメモリ２０２
内に一時格納されたデータＤ3，Ｄ4は消去せずに保持し
ておく。
【００４２】制御手段１０は、上記書換処理４４（処理
８）が完了するまでに、その次に書換えを行うメモリブ
ロック３１１，３２１に既に格納されているデータ（Ｄ
01-1，Ｄ01-2）を消去する消去処理４２を実行する（処
理９）。
８）が完了するまでに、その次に書換えを行うメモリブ
ロック３１１，３２１に既に格納されているデータ（Ｄ
01-1，Ｄ01-2）を消去する消去処理４２を実行する（処
理９）。
【００４３】メモリブロック３３０，３４０に対する書
換処理４４（処理８）が正常に終了したことを確認する
と、バッファメモリ２０の第１のバッファメモリ２０１
および第２のバッファメモリ２０２へそれぞれデータＤ
5，Ｄ6を転送する転送処理４１を実行し（処理１０）、
第１の書換可能不揮発性メモリ３１のメモリブロック３
１１と第２の書換可能不揮発性メモリ３２のメモリブロ
ック３２１へデータＤ5，Ｄ6を転送する転送処理４３
（処理１１）および各メモリブロック３１１，３２１へ
のデータＤ5，Ｄ6を書き込む書込処理４４（処理１２）
を順次実行する。以後のブロック３３１，３４１の書換
えについても同様の処理が行われる。
換処理４４（処理８）が正常に終了したことを確認する
と、バッファメモリ２０の第１のバッファメモリ２０１
および第２のバッファメモリ２０２へそれぞれデータＤ
5，Ｄ6を転送する転送処理４１を実行し（処理１０）、
第１の書換可能不揮発性メモリ３１のメモリブロック３
１１と第２の書換可能不揮発性メモリ３２のメモリブロ
ック３２１へデータＤ5，Ｄ6を転送する転送処理４３
（処理１１）および各メモリブロック３１１，３２１へ
のデータＤ5，Ｄ6を書き込む書込処理４４（処理１２）
を順次実行する。以後のブロック３３１，３４１の書換
えについても同様の処理が行われる。
【００４４】図５の例では、バッファメモリが増加した
ことによって書換動作の並列処理が可能となるだけでは
なく、２つの書換可能不揮発性メモリへの書込動作時に
残りの２つの書換可能不揮発性メモリの消去を並行して
実行することによって、データの書換速度をさらに向上
させることができる。
ことによって書換動作の並列処理が可能となるだけでは
なく、２つの書換可能不揮発性メモリへの書込動作時に
残りの２つの書換可能不揮発性メモリの消去を並行して
実行することによって、データの書換速度をさらに向上
させることができる。
【００４５】図７を用いて、消去処理４２に要する時間
が書込処理４４に要する時間より大きい場合の実施の形
態を説明する。この実施の形態では、書換可能不揮発性
メモリを第１から第８の８個のメモリチップを備え、バ
ッファメモリが２データブロック分の記憶容量を有し、
消去処理４２に要する時間が書込処理４４に要する時間
の約４倍必要であるものとする。まず、バッファメモリ
へ２データブロック分のデータＤ1，Ｄ2を転送する転送
処理４１を実行する（処理１）。次いで、全ての書換可
能不揮発性メモリチップの内容を消去する消去処理４２
を実行しておく（処理２）。次に、第１の書換可能不揮
発性メモリ３１のデータブロック３１０へデータＤ1を
転送する転送処理４３を実行し（処理３）、引き続きデ
ータＤ1をメモリブロック３１０へ書き込む書込処理４
４を実行する（処理４）。続いて、第２の書換可能不揮
発性メモリ３２のメモリブロック３２０へデータＤ2を
転送する転送処理４３を実行する（処理５）とともに、
第２の書換可能不揮発性メモリ３２のメモリブロック３
２０へデータＤ2を書き込む書込処理４４を実行する
（処理６）。
が書込処理４４に要する時間より大きい場合の実施の形
態を説明する。この実施の形態では、書換可能不揮発性
メモリを第１から第８の８個のメモリチップを備え、バ
ッファメモリが２データブロック分の記憶容量を有し、
消去処理４２に要する時間が書込処理４４に要する時間
の約４倍必要であるものとする。まず、バッファメモリ
へ２データブロック分のデータＤ1，Ｄ2を転送する転送
処理４１を実行する（処理１）。次いで、全ての書換可
能不揮発性メモリチップの内容を消去する消去処理４２
を実行しておく（処理２）。次に、第１の書換可能不揮
発性メモリ３１のデータブロック３１０へデータＤ1を
転送する転送処理４３を実行し（処理３）、引き続きデ
ータＤ1をメモリブロック３１０へ書き込む書込処理４
４を実行する（処理４）。続いて、第２の書換可能不揮
発性メモリ３２のメモリブロック３２０へデータＤ2を
転送する転送処理４３を実行する（処理５）とともに、
第２の書換可能不揮発性メモリ３２のメモリブロック３
２０へデータＤ2を書き込む書込処理４４を実行する
（処理６）。
【００４６】処理４の書込処理および処理６の書込処理
が正常に終了したのを確認した後、第３の書換可能不揮
発性メモリ３３および第４の書換可能不揮発性メモリ３
４へのデータＤ3，Ｄ4の書込みを実行するため、ホスト
システムからデータＤ3，Ｄ4の転送を受ける転送処理４
１を実行する（処理７、処理８）。
が正常に終了したのを確認した後、第３の書換可能不揮
発性メモリ３３および第４の書換可能不揮発性メモリ３
４へのデータＤ3，Ｄ4の書込みを実行するため、ホスト
システムからデータＤ3，Ｄ4の転送を受ける転送処理４
１を実行する（処理７、処理８）。
【００４７】このとき、第１の書換可能不揮発性メモリ
３１および第２の書換可能不揮発性メモリ３２は、次に
書き込む予定であるメモリブロック３１１，３２１を消
去する消去処理４２を実行する（処理９、処理１０）。
３１および第２の書換可能不揮発性メモリ３２は、次に
書き込む予定であるメモリブロック３１１，３２１を消
去する消去処理４２を実行する（処理９、処理１０）。
【００４８】第３の書換可能不揮発性メモリ３３および
第４の書換可能不揮発性メモリ３４に対しては、処理
５、処理６が完了し次第、メモリブロック３３０，３４
０へデータＤ3，Ｄ4を転送する転送処理４３を実行し
（処理１１、処理１２）、引き続いてデータＤ3，Ｄ4を
メモリブロックへ書き込む書込処理４４を実行する（処
理１３、処理１４）。そして、さらに第３の書換可能不
揮発性メモリ３３、第４の書換可能不揮発性メモリ３４
に、次に書き込むデータブロックがあればメモリブロッ
ク３３１，３４１のデータを消去する消去処理４２を実
行する（処理１５、処理１６）。
第４の書換可能不揮発性メモリ３４に対しては、処理
５、処理６が完了し次第、メモリブロック３３０，３４
０へデータＤ3，Ｄ4を転送する転送処理４３を実行し
（処理１１、処理１２）、引き続いてデータＤ3，Ｄ4を
メモリブロックへ書き込む書込処理４４を実行する（処
理１３、処理１４）。そして、さらに第３の書換可能不
揮発性メモリ３３、第４の書換可能不揮発性メモリ３４
に、次に書き込むデータブロックがあればメモリブロッ
ク３３１，３４１のデータを消去する消去処理４２を実
行する（処理１５、処理１６）。
【００４９】以下、第５の書換可能不揮発性メモリ３５
以降にも同様の処理を施す。このとき、第１の書換可能
不揮発性メモリ３１のメモリブロック３１１、第２の書
換可能不揮発性メモリ３２のメモリブロック３２１を消
去する消去処理４２である処理９および処理１０は、書
込処理と比較して約４倍長い時間を要することから、第
７および第８の書換可能不揮発性メモリ３７，３８への
データＤ7，Ｄ8の書込みが終了する頃に消去が終了し、
すぐに書込処理を実行することができる。以下、他の書
換可能不揮発性メモリ３６〜３８のメモリブロック３６
０，３６１〜３８０，３８１〜３８ｎについても同様の
処理が行われ、非常に効率の高い書換処理を実現するこ
とができる。
以降にも同様の処理を施す。このとき、第１の書換可能
不揮発性メモリ３１のメモリブロック３１１、第２の書
換可能不揮発性メモリ３２のメモリブロック３２１を消
去する消去処理４２である処理９および処理１０は、書
込処理と比較して約４倍長い時間を要することから、第
７および第８の書換可能不揮発性メモリ３７，３８への
データＤ7，Ｄ8の書込みが終了する頃に消去が終了し、
すぐに書込処理を実行することができる。以下、他の書
換可能不揮発性メモリ３６〜３８のメモリブロック３６
０，３６１〜３８０，３８１〜３８ｎについても同様の
処理が行われ、非常に効率の高い書換処理を実現するこ
とができる。
【００５０】なお、上記実施の形態では全て書込処理が
成功して次の処理に移ることができるようになっている
が、もし、書込処理が失敗に終わった場合には、バッフ
ァメモリに格納されているデータを一旦別のメモリブロ
ックに転送してこのメモリブロックから再度書込処理を
実行することによって、書込みが成功するまで何度でも
書込処理を実行することができる。
成功して次の処理に移ることができるようになっている
が、もし、書込処理が失敗に終わった場合には、バッフ
ァメモリに格納されているデータを一旦別のメモリブロ
ックに転送してこのメモリブロックから再度書込処理を
実行することによって、書込みが成功するまで何度でも
書込処理を実行することができる。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、ブロック単位で消去処
理を必要とする電気的に書換可能な不揮発性メモリを記
憶媒体とする記憶装置において、書換えを高速に行うこ
とを要求される場合に、搭載するチップ数より少ないブ
ロック数の格納バッファを用いて、搭載するチップ数と
等しいブロック数のバッファを備える場合と比較してほ
とんど遜色ない書換性能を実現することができる。しか
も、このとき、書込みが失敗しても、書込データを失う
ことなく、書込みが成功するまで何度でも書込処理を実
行することができる。また、消去に必要とされる時間が
同じ領域にデータを書き込むための時間と比較して長い
ような不揮発性メモリを使用する場合において、書込処
理と消去処理を効率良く実行することができ、書換処理
を少ないバッファメモリで高速に実現することができ
る。
理を必要とする電気的に書換可能な不揮発性メモリを記
憶媒体とする記憶装置において、書換えを高速に行うこ
とを要求される場合に、搭載するチップ数より少ないブ
ロック数の格納バッファを用いて、搭載するチップ数と
等しいブロック数のバッファを備える場合と比較してほ
とんど遜色ない書換性能を実現することができる。しか
も、このとき、書込みが失敗しても、書込データを失う
ことなく、書込みが成功するまで何度でも書込処理を実
行することができる。また、消去に必要とされる時間が
同じ領域にデータを書き込むための時間と比較して長い
ような不揮発性メモリを使用する場合において、書込処
理と消去処理を効率良く実行することができ、書換処理
を少ないバッファメモリで高速に実現することができ
る。
【図１】本発明を実現する記憶装置の構成の一例を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図２】図１に示した記憶装置内のデータの経路の第１
の例を示すブロック図。
の例を示すブロック図。
【図３】図１に示した記憶装置内のデータの経路の第２
の例を示すブロック図。
の例を示すブロック図。
【図４】図１および図２に示した記憶装置により、デー
タの書換えが並列して実行されるときの処理の順序を示
す図（１）。
タの書換えが並列して実行されるときの処理の順序を示
す図（１）。
【図５】図１に示した記憶装置内のデータの経路の第３
の例を示すブロック図。
の例を示すブロック図。
【図６】図１および図５に示した記憶装置により、デー
タの書換えが並列して実行されるときの処理の順序を示
す図（２）。
タの書換えが並列して実行されるときの処理の順序を示
す図（２）。
【図７】消去時間が書込時間と比較して長いメモリを用
いた場合のデータの書換えを高速に行う処理の順序を示
す図。
いた場合のデータの書換えを高速に行う処理の順序を示
す図。
１ 記憶装置 ２ システムバス １０ データ書換制御回路 １１ 書換制御手段 １２ メモリ消去手段 １３ データ書込手段 １４，１４１，１４２ データバス ２０ バッファメモリ ３０ 書換可能不揮発性メモリ ３１ 第１の書換可能不揮発性メモリ ３２ 第２の書換可能不揮発性メモリ ３３ 第３の書換可能不揮発性メモリ ３４ 第４の書換可能不揮発性メモリ ４１ システムバス‐バッファメモリ間データ転送処理 ４２ 書換可能不揮発性メモリのデータ消去処理 ４３ バッファメモリ‐書換可能不揮発性メモリ間デー
タ転送処理 ４４ 書換可能不揮発性メモリのデータ書込処理 ２０１ 第１のバッファメモリ ２０２ 第２のバッファメモリ ３１０，３１１，３２０，３２１，３３０，３３１ メ
モリブロック
タ転送処理 ４４ 書換可能不揮発性メモリのデータ書込処理 ２０１ 第１のバッファメモリ ２０２ 第２のバッファメモリ ３１０，３１１，３２０，３２１，３３０，３３１ メ
モリブロック
フロントページの続き (72)発明者 戸塚 隆 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (8)
- 【請求項１】 データ書換時に消去動作が必要な書換可
能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリ
に格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で
扱う記憶装置において、 連続した複数のデータブロックを書き換えるときに、あ
るメモリブロックへの書込動作と並行して、次に書換え
を行う他のメモリブロックの消去動作を実行するように
したことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項２】 データ書換時に消去動作が必要な書換可
能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリ
に格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で
扱う記憶装置において、 前記書換可能不揮発性メモリにデータを書き込む前に一
時的に書込データを記憶するデータ格納手段と、 連続した複数ブロックの書換時に、前記データ格納手段
に格納されたデータの一部または全てを前記書換可能不
揮発性メモリに転送することにより、あるブロックの書
込動作を実行し、それと並行して、次に書換えを行う他
のブロックの消去を実行するデータ書換制御手段とを備
えたことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載された記憶装置におい
て、書込みを行ったメモリブロックが不良であり、書込
みが正常に終了しなかった場合には、データ格納手段の
格納データを別のブロックへ転送して書込処理を実行す
ることを特徴とする記憶装置。 - 【請求項４】 データ書換時に消去動作が必要な書換可
能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリ
に格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で
扱う記憶装置において、 前記書換可能不揮発性メモリにデータを書き込む前に一
時的に書込データを記憶するデータ格納手段と、 書換可能不揮発性メモリの特定のチップの特定のメモリ
ブロックを消去する書換可能不揮発性メモリ消去手段
と、 前記データ格納手段に格納されたデータを書換可能不揮
発性メモリの特定のチップの特定のメモリブロックに転
送して書込みを行うデータ書込手段と、 前記メモリ記消去手段と前記データ書込手段を制御して
１以上のメモリブロックのデータを書換可能不揮発性メ
モリに格納する書換制御手段とを有し、 連続した複数のデータブロックで前記メモリブロックを
書き換えるときに、前記書換制御手段が、 （１）書換えを行うデータをデータ格納手段に格納する
と同時に、書換えを行う対象となる書換可能不揮発性メ
モリのメモリブロックの内容を消去する制御 （２）消去が完了した書換可能不揮発性メモリのメモリ
ブロックにデータ格納手段に格納されたデータを転送し
て書込みを行うと同時に、書込みを行っていない別のチ
ップ内の次に書換えを行う対象となるメモリブロックの
消去を行う制御 （３）書込みが正常に終了したら次に書き込むデータを
データ格納手段に格納する制御 を実行することを特徴とする記憶装置。 - 【請求項５】 データ書換時に消去動作が必要な書換可
能不揮発性メモリを有し、前記書換可能不揮発性メモリ
に格納されたデータを書き換える処理をブロック単位で
扱う記憶装置のデータ書換方法において、 連続した複数のデータブロックを書き換えるときに、あ
るメモリブロックへの書込動作と並行して、次に書換え
を行う他のメモリブロックの消去動作を実行することを
特徴とする記憶装置のデータ書換方法。 - 【請求項６】 データ書換時に消去動作が必要な書換可
能不揮発性メモリと、データ格納手段と、データ書換制
御手段を有し、前記書換可能不揮発性メモリに格納され
たデータを書き換える処理をブロック単位で扱う記憶装
置のデータ書換方法において、 前記書換可能不揮発性メモリにデータを書き込む前にデ
ータ格納手段に一時的に書込データを記憶し、 連続した複数ブロックの書換時に、データ格納手段に格
納されたデータの一部または全てを前記書換可能不揮発
性メモリに転送して、あるメモリブロックの書込動作を
実行するとともに、この書込動作と並行して、次に書換
えを行う他のブロックの消去を実行することを特徴とす
る記憶装置のデータ書換方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載された記憶装置のデータ
書換方法において、書込みを行ったメモリブロックが不
良であり、書込みが正常に終了しなかった場合に、デー
タ格納手段の格納データを別のブロックへ転送して書込
処理を実行することを特徴とする記憶装置のデータ書換
方法。 - 【請求項８】 データ書き換え時に消去動作が必要な書
換可能不揮発性メモリと、データ格納手段と、書換可能
不揮発性メモリ消去手段と、データ書込手段と、書換制
御手段とを有し、前記書換可能不揮発性メモリに格納さ
れたデータを書き換える処理をブロック単位で扱う記憶
装置のデータ書換方法において、 前記書換可能不揮発性メモリにデータを書き込む前に前
記データ格納手段に一時的に書込データを記憶し、 書換えを行うデータを前記データ格納手段に格納すると
同時に、書換えを行う対象となる書換可能不揮発性メモ
リのメモリブロックを消去し、 消去が完了した書換可能不揮発性メモリのメモリブロッ
クに前記データ格納手段に格納されたデータを転送して
書込みを行うと同時に、書込みを行っていない別のチッ
プ内の次に書換えを行う対象となるメモリブロックの内
容を消去し、 書込みが正常に終了したら次に書き込むデータを前記デ
ータ格納手段に格納することを特徴とする記憶装置のデ
ータ書換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35984097A JP3550293B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 不揮発性メモリを用いた高速書換可能な記憶装置および該記憶装置のデータ書換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35984097A JP3550293B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 不揮発性メモリを用いた高速書換可能な記憶装置および該記憶装置のデータ書換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191297A true JPH11191297A (ja) | 1999-07-13 |
| JP3550293B2 JP3550293B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=18466573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35984097A Expired - Fee Related JP3550293B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 不揮発性メモリを用いた高速書換可能な記憶装置および該記憶装置のデータ書換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3550293B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944060B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-volatile storage device and control method thereof |
| JP2007517295A (ja) * | 2003-12-31 | 2007-06-28 | シェンジェンシランカカジヨウシャンゴンシ | フラッシュメモリのデータ書込み方法 |
| JP2007199905A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の制御方法 |
| JP2008047244A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置、半導体装置、及びデータ書き込み方法 |
| US7450457B2 (en) | 2002-02-07 | 2008-11-11 | Solid State Storage Solutions Llc | Memory system comprising a controller managing independent data transfer between input-output terminal, synchronous dynamic random access memory, and flash memory |
| JP2009123236A (ja) * | 2009-02-26 | 2009-06-04 | Solid State Storage Solutions Llc | メモリシステム |
| US7654466B2 (en) | 2003-09-18 | 2010-02-02 | Panasonic Corporation | Semiconductor memory card, semiconductor memory control apparatus, and semiconductor memory control method |
| JP2010152913A (ja) * | 1999-09-03 | 2010-07-08 | Lexar Media Inc | セクタ書き込み操作時間を効果的に減少させるための不揮発性メモリユニット内のブロックの構成 |
| JP2012208961A (ja) * | 2012-07-30 | 2012-10-25 | Solid State Storage Solutions Llc | メモリシステム |
| JP2016224581A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 電子機器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10466908B2 (en) | 2015-08-25 | 2019-11-05 | Toshiba Memory Corporation | Memory system that buffers data before writing to nonvolatile memory |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773690A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Sharp Corp | Ｅｅｐｒｏｍを使用した記録装置 |
| JPH07137696A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Kokusai Electric Co Ltd | ボイスフライトデータレコーダ |
| JPH07160569A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリ制御装置 |
| JPH07201190A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性メモリファイルシステム |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP35984097A patent/JP3550293B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773690A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Sharp Corp | Ｅｅｐｒｏｍを使用した記録装置 |
| JPH07137696A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Kokusai Electric Co Ltd | ボイスフライトデータレコーダ |
| JPH07160569A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリ制御装置 |
| JPH07201190A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性メモリファイルシステム |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010152913A (ja) * | 1999-09-03 | 2010-07-08 | Lexar Media Inc | セクタ書き込み操作時間を効果的に減少させるための不揮発性メモリユニット内のブロックの構成 |
| US7450457B2 (en) | 2002-02-07 | 2008-11-11 | Solid State Storage Solutions Llc | Memory system comprising a controller managing independent data transfer between input-output terminal, synchronous dynamic random access memory, and flash memory |
| US8036040B2 (en) | 2002-02-07 | 2011-10-11 | Solid State Storage Solutions Llc | Memory system with improved efficiency of data transfer between host, buffer, and nonvolatile memory |
| US6944060B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-volatile storage device and control method thereof |
| US7654466B2 (en) | 2003-09-18 | 2010-02-02 | Panasonic Corporation | Semiconductor memory card, semiconductor memory control apparatus, and semiconductor memory control method |
| JP2007517295A (ja) * | 2003-12-31 | 2007-06-28 | シェンジェンシランカカジヨウシャンゴンシ | フラッシュメモリのデータ書込み方法 |
| JP4921174B2 (ja) * | 2003-12-31 | 2012-04-25 | シェンジェンシランカカジグフェンヨウシャンゴンシ | フラッシュメモリのデータ書込み方法 |
| JP2007199905A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の制御方法 |
| JP2008047244A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置、半導体装置、及びデータ書き込み方法 |
| JP2009123236A (ja) * | 2009-02-26 | 2009-06-04 | Solid State Storage Solutions Llc | メモリシステム |
| JP2012208961A (ja) * | 2012-07-30 | 2012-10-25 | Solid State Storage Solutions Llc | メモリシステム |
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