JPH10124403A - ブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法 - Google Patents
ブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法Info
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- JPH10124403A JPH10124403A JP28225196A JP28225196A JPH10124403A JP H10124403 A JPH10124403 A JP H10124403A JP 28225196 A JP28225196 A JP 28225196A JP 28225196 A JP28225196 A JP 28225196A JP H10124403 A JPH10124403 A JP H10124403A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ブロック消去型フラッシュメモリにおいて、
メモリブロックのデータ書込み中に、書込み作業が中断
しても、データの消失がないようにする。 【解決手段】 ブロック消去型フラッシュメモリ１で
の、例えば、４個のメモリブロック２Ａ〜２Ｄのうち、
３個のメモリブロック２Ａ〜２Ｃをデータ書込用メモリ
ブロックとし、残りのメモリブロック２Ｄをデータ退避
メモリブロックとする。いま、所望のデータ書込用メモ
リブロック２Ａのデータ書換えを行なう場合には、ま
ず、データ書込みの該当メモリブロック２Ａの既存デー
タを全てデータ退避メモリブロック２Ｄに書き込み、し
かる後、該当メモリブロック２Ａの消去を行ない、この
消去された該当メモリブロック２Ａに新たなデータの書
込みを行なう。このようにして、データ書込用メモリブ
ロックのデータは、必ず、このデータ書込用メモリブロ
ックかデータ退避メモリブロックのいずれかに存在す
る。
メモリブロックのデータ書込み中に、書込み作業が中断
しても、データの消失がないようにする。 【解決手段】 ブロック消去型フラッシュメモリ１で
の、例えば、４個のメモリブロック２Ａ〜２Ｄのうち、
３個のメモリブロック２Ａ〜２Ｃをデータ書込用メモリ
ブロックとし、残りのメモリブロック２Ｄをデータ退避
メモリブロックとする。いま、所望のデータ書込用メモ
リブロック２Ａのデータ書換えを行なう場合には、ま
ず、データ書込みの該当メモリブロック２Ａの既存デー
タを全てデータ退避メモリブロック２Ｄに書き込み、し
かる後、該当メモリブロック２Ａの消去を行ない、この
消去された該当メモリブロック２Ａに新たなデータの書
込みを行なう。このようにして、データ書込用メモリブ
ロックのデータは、必ず、このデータ書込用メモリブロ
ックかデータ退避メモリブロックのいずれかに存在す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、データ処理装置な
どに用いられ、ブロック単位でデータの消去，書込みを
行なうブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法に
関する。
どに用いられ、ブロック単位でデータの消去，書込みを
行なうブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】データ処理装置などでは、処理したデー
タを書き込むメモリとして、電気的に消去可能な不揮発
性メモリであるブロック型フラッシュメモリを用いたも
のがある。ブロック消去型フラッシュメモリは、１メモ
リブロックを最小単位としてデータを書込みができるも
のであって、新たなデータを書き込む際には、その書込
みを行なうメモリブロック（以下では、かかる書換えを
行なうべきメモリブロックを該当メモリブロックとい
う）に対し、まず、そこに既に書き込まれているデータ
を一度消去しなければならない。かかる既存のデータが
書き込まれている状態のままで新たなデータが書き込ま
れると、既存のデータの一部が残って、これが書き込ま
れる新たなデータに影響してしまうからである。
タを書き込むメモリとして、電気的に消去可能な不揮発
性メモリであるブロック型フラッシュメモリを用いたも
のがある。ブロック消去型フラッシュメモリは、１メモ
リブロックを最小単位としてデータを書込みができるも
のであって、新たなデータを書き込む際には、その書込
みを行なうメモリブロック（以下では、かかる書換えを
行なうべきメモリブロックを該当メモリブロックとい
う）に対し、まず、そこに既に書き込まれているデータ
を一度消去しなければならない。かかる既存のデータが
書き込まれている状態のままで新たなデータが書き込ま
れると、既存のデータの一部が残って、これが書き込ま
れる新たなデータに影響してしまうからである。
【０００３】そこで、ブロック消去型メモリのデータを
書き換えるときには、まず、このブロック消去型メモリ
でのデータの書換えを行なう場所が属する該当メモリブ
ロックのデータを全て消去し、しかる後、この該当メモ
リブロックに書き換えるべき新たなデータの書込みを行
なう必要がある。
書き換えるときには、まず、このブロック消去型メモリ
でのデータの書換えを行なう場所が属する該当メモリブ
ロックのデータを全て消去し、しかる後、この該当メモ
リブロックに書き換えるべき新たなデータの書込みを行
なう必要がある。
【０００４】なお、該当メモリブロックに既に書き込ま
れているデータの一部を新たなデータに書き換えるもの
であっても、この書換えでは、該当メモリブロックの全
体が消去されてしまうので、この該当メモリブロックの
データの書換えはその全体に対して行なうべきものであ
り、従って、この該当メモリブロックの書換えデータと
しては、これに既に書き込まれているデータのその一部
を新たなデータと置換したものでなければならないこと
はいうまでもない。この種の書込み方法に関連するもの
としては、例えば、特開平７−８４８９４号公報が挙げ
られる。
れているデータの一部を新たなデータに書き換えるもの
であっても、この書換えでは、該当メモリブロックの全
体が消去されてしまうので、この該当メモリブロックの
データの書換えはその全体に対して行なうべきものであ
り、従って、この該当メモリブロックの書換えデータと
しては、これに既に書き込まれているデータのその一部
を新たなデータと置換したものでなければならないこと
はいうまでもない。この種の書込み方法に関連するもの
としては、例えば、特開平７−８４８９４号公報が挙げ
られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ブロック消
去型フラッシュメモリでのかかる従来の書込み方法によ
ると、上記のように、一度１メモリブロックを最小単位
としたデータの消去を行なうため、一連の書込み動作が
完了するまで、ブロック消去型フラッシュメモリ上に書
換え前の古いデータと書換え後の新たなデータとのいず
れのデータも存在しない状態になってしまい、また、ブ
ロック消去型メモリのかかるデータ消去やデータ書込み
動作、特に、データ消去には時間がかかるため、かかる
一連の書込み動作中に、電源が切られたなどして、デー
タ書込み作業が中断した場合には、ブロック消去型フラ
ッシュメモリ上でデータの一部が存在しない状態になっ
てしまうという問題がある。このような状態のブロック
消去型フラッシュメモリからデータを読み込んだ場合、
得られるデータは一部が消失した異常なものとなり、シ
ステムの稼動に混乱を来すことになる。
去型フラッシュメモリでのかかる従来の書込み方法によ
ると、上記のように、一度１メモリブロックを最小単位
としたデータの消去を行なうため、一連の書込み動作が
完了するまで、ブロック消去型フラッシュメモリ上に書
換え前の古いデータと書換え後の新たなデータとのいず
れのデータも存在しない状態になってしまい、また、ブ
ロック消去型メモリのかかるデータ消去やデータ書込み
動作、特に、データ消去には時間がかかるため、かかる
一連の書込み動作中に、電源が切られたなどして、デー
タ書込み作業が中断した場合には、ブロック消去型フラ
ッシュメモリ上でデータの一部が存在しない状態になっ
てしまうという問題がある。このような状態のブロック
消去型フラッシュメモリからデータを読み込んだ場合、
得られるデータは一部が消失した異常なものとなり、シ
ステムの稼動に混乱を来すことになる。
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消し、デ
ータの書込み作業が中断しても、データの消失を防止す
ることができるようにしたブロック消去型フラッシュメ
モリの書込み方法を提供することにある。
ータの書込み作業が中断しても、データの消失を防止す
ることができるようにしたブロック消去型フラッシュメ
モリの書込み方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ブロック消去型フラッシュメモリを構成
するメモリブロックのうちの少なくとも１個のメモリブ
ロックをデータ退避メモリブロックとして割り当て、デ
ータの書込を行なうに際しては、まず、このデータ書込
みを行なうべき該当メモリブロックに既に書き込まれて
いる全てのデータを一旦該データ退避メモリブロックに
書き込み、しかる後、この該当メモリブロックへの新た
なデータの書込みを行なうようにする。
に、本発明は、ブロック消去型フラッシュメモリを構成
するメモリブロックのうちの少なくとも１個のメモリブ
ロックをデータ退避メモリブロックとして割り当て、デ
ータの書込を行なうに際しては、まず、このデータ書込
みを行なうべき該当メモリブロックに既に書き込まれて
いる全てのデータを一旦該データ退避メモリブロックに
書き込み、しかる後、この該当メモリブロックへの新た
なデータの書込みを行なうようにする。
【０００８】これにより、該当メモリブロックでのデー
タ書込み動作中に、電源が切れるなどしてこの動作が中
断しても、この該当メモリブロックに対するデータが上
記データ退避メモリブロックに保存されている。従っ
て、いずれの時点においても、夫々の該当メモリブロッ
クのデータは、この該当メモリブロック，データ退避メ
モリブロックのいずれかに必ず保存されていることにな
り、ブロック消去型フラッシュメモリ上でデータの一部
消失という状態が生ずることはない。
タ書込み動作中に、電源が切れるなどしてこの動作が中
断しても、この該当メモリブロックに対するデータが上
記データ退避メモリブロックに保存されている。従っ
て、いずれの時点においても、夫々の該当メモリブロッ
クのデータは、この該当メモリブロック，データ退避メ
モリブロックのいずれかに必ず保存されていることにな
り、ブロック消去型フラッシュメモリ上でデータの一部
消失という状態が生ずることはない。
【０００９】また、本発明は、上記のデータ退避メモリ
ブロックと該当メモリブロックとの夫々において、デー
タの書込みが終了した時点で、チェックデータを書き込
むようにする。この場合、該当メモリブロックのチェッ
クデータは、その該当メモリブロック固有のものであ
り、データ退避メモリブロックのチェックデータは、そ
こに書き込まれているデータの属する該当メモリブロッ
クのチェックデータに等しい。
ブロックと該当メモリブロックとの夫々において、デー
タの書込みが終了した時点で、チェックデータを書き込
むようにする。この場合、該当メモリブロックのチェッ
クデータは、その該当メモリブロック固有のものであ
り、データ退避メモリブロックのチェックデータは、そ
こに書き込まれているデータの属する該当メモリブロッ
クのチェックデータに等しい。
【００１０】チェックデータはそのメモリブロックにデ
ータが書き込まれたことを示すものであり、これによ
り、データ退避メモリブロックを含めた各メモリブロッ
クにおいて、かかるチェックデータを参照することによ
り、そこでのデータが有効なものかどうかを容易に判断
することができる。このため、ブロック消去型フラッシ
ュメモリの内容を読み出すときに、まず、始めに、デー
タを読み出す該当メモリブロックのチェックデータを参
照することにより、そこに書き込まれているデータが有
効であるかどうか判定し、この該当メモリブロックから
データを読み出すが、この該当メモリブロックのデータ
が有効でないと判定したときには、データ退避メモリブ
ロックのチェックデータを参照することにより、このデ
ータ退避メモリブロックのデータの有効性を判定して読
み出すことができ、ブロック消去型フラッシュメモリか
ら常に最新のデータを消失なしに読み込むことができ
る。
ータが書き込まれたことを示すものであり、これによ
り、データ退避メモリブロックを含めた各メモリブロッ
クにおいて、かかるチェックデータを参照することによ
り、そこでのデータが有効なものかどうかを容易に判断
することができる。このため、ブロック消去型フラッシ
ュメモリの内容を読み出すときに、まず、始めに、デー
タを読み出す該当メモリブロックのチェックデータを参
照することにより、そこに書き込まれているデータが有
効であるかどうか判定し、この該当メモリブロックから
データを読み出すが、この該当メモリブロックのデータ
が有効でないと判定したときには、データ退避メモリブ
ロックのチェックデータを参照することにより、このデ
ータ退避メモリブロックのデータの有効性を判定して読
み出すことができ、ブロック消去型フラッシュメモリか
ら常に最新のデータを消失なしに読み込むことができ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１２】図２は本発明の対象となるブロック消去型
フラッシュメモリの一具体例を示す概要マップ図であっ
て、１はブロック消去型フラッシュメモリ、２Ａ〜２Ｃ
はデータ書込用メモリブロック、２Ｄはデータ退避メモ
リブロック、３Ａ〜３Ｄはチェックデータ格納エリアで
ある。
フラッシュメモリの一具体例を示す概要マップ図であっ
て、１はブロック消去型フラッシュメモリ、２Ａ〜２Ｃ
はデータ書込用メモリブロック、２Ｄはデータ退避メモ
リブロック、３Ａ〜３Ｄはチェックデータ格納エリアで
ある。
【００１３】同図において、ブロック消去型フラッシュ
メモリ１には、ここでは、４個のデータ消去の最小単位
であるメモリブロック２Ａ〜２Ｄが設けられ、そのうち
の３個のメモリブロック２Ａ〜２Ｃがデータ書込用に、
残りの１個２Ｄがデータ退避メモリブロックに夫々割り
当てられているものとする。
メモリ１には、ここでは、４個のデータ消去の最小単位
であるメモリブロック２Ａ〜２Ｄが設けられ、そのうち
の３個のメモリブロック２Ａ〜２Ｃがデータ書込用に、
残りの１個２Ｄがデータ退避メモリブロックに夫々割り
当てられているものとする。
【００１４】各メモリブロック２Ａ〜２Ｄには、チェッ
クデータを格納するためのチェックデータ格納エリア３
Ａ〜３Ｄが設けられている。そして、チェックデータ格
納エリア３Ａには、データ書込用メモリブロック２Ａに
固有のチェックデータが格納され、チェックデータ格納
エリア３Ｂには、メモリブロック２Ｂに固有のチェック
データが格納され、チェックデータ格納エリア３Ｃに
は、メモリブロック２Ｃに固有のチェックデータが格納
される。これに対し、データ退避メモリブロック３Ｄに
は、後述するように、データ書込用のメモリブロック２
Ａ〜２Ｃのうちのデータ書換えを行なう該当メモリブロ
ックのチェックデータが書き込まれる。
クデータを格納するためのチェックデータ格納エリア３
Ａ〜３Ｄが設けられている。そして、チェックデータ格
納エリア３Ａには、データ書込用メモリブロック２Ａに
固有のチェックデータが格納され、チェックデータ格納
エリア３Ｂには、メモリブロック２Ｂに固有のチェック
データが格納され、チェックデータ格納エリア３Ｃに
は、メモリブロック２Ｃに固有のチェックデータが格納
される。これに対し、データ退避メモリブロック３Ｄに
は、後述するように、データ書込用のメモリブロック２
Ａ〜２Ｃのうちのデータ書換えを行なう該当メモリブロ
ックのチェックデータが書き込まれる。
【００１５】次に、図１を用いて、本発明によるブロッ
ク消去型フラッシュメモリの書込み方法の一実施形態に
ついて説明する。
ク消去型フラッシュメモリの書込み方法の一実施形態に
ついて説明する。
【００１６】同図において、ステップ１００〜１０５は
データ書込工程を示すものであり、そのうちのステップ
１００〜１０２はデータ退避メモリブロック２Ｄでの工
程、ステップ１０３〜１０５は該当メモリブロック２
Ａ，２Ｂまたは２Ｃでの工程である。また、データの読
出工程（ステップ１０６〜１１０）も同時に示してい
る。
データ書込工程を示すものであり、そのうちのステップ
１００〜１０２はデータ退避メモリブロック２Ｄでの工
程、ステップ１０３〜１０５は該当メモリブロック２
Ａ，２Ｂまたは２Ｃでの工程である。また、データの読
出工程（ステップ１０６〜１１０）も同時に示してい
る。
【００１７】いま、データの書換えを行なう該当メモリ
ブロックをデータ書込用メモリブロック２Ａとする。
ブロックをデータ書込用メモリブロック２Ａとする。
【００１８】まず、チェックデータ格納エリア３Ｄも含
めたデータ退避メモリブロック２Ｄのデータを全て消去
する（ステップ１００）。そして、チェックデータ格納
エリア３Ａも含めて該当メモリブロック２Ａのデータを
読み出し、該当メモリブロック２Ａからのデータをデー
タ退避メモリブロック２Ｄに（ステップ１０１）、チェ
ックデータ格納エリア３Ｄからのチェックデータをチェ
ックデータ格納エリア３Ｄに夫々書き込む（ステップ１
０２）。
めたデータ退避メモリブロック２Ｄのデータを全て消去
する（ステップ１００）。そして、チェックデータ格納
エリア３Ａも含めて該当メモリブロック２Ａのデータを
読み出し、該当メモリブロック２Ａからのデータをデー
タ退避メモリブロック２Ｄに（ステップ１０１）、チェ
ックデータ格納エリア３Ｄからのチェックデータをチェ
ックデータ格納エリア３Ｄに夫々書き込む（ステップ１
０２）。
【００１９】次に、チェックデータ格納エリア３Ａを含
めた該当メモリブロック２Ａのデータを全て消去し（ス
テップステップ１０３）、しかる後、該当メモリブロッ
ク２Ａの消去前のデータの一部または全部が新たなデー
タで書き換えられたデータを該当メモリブロック２Ａに
書き込み（ステップ１０４）。この書込みが終了する
と、次に、この該当メモリブロック２Ａに固有の番号で
あるチェックデータをチェックデータ格納エリア３Ａに
書き込む（ステップ１０５）。このチェックデータは、
該当メモリブロック２Ａに書き込まれたデータが有効で
あることを示すフラグとしての役割をもっている。な
お、チェックデータ格納エリア３Ｄに書き込まれた上記
のチェックデータも、データ退避メモリブロック２Ｄ
に、該当メモリブロックであるデータ書込用メモリブロ
ック２Ａに格納されていたデータが有効に格納されてい
ることを示しているこのようにして、該当メモリブロッ
クでのデータの書換えが行なわれるが、この該当メモリ
ブロックのデータ書込み工程中、この該当メモリブロッ
クの消去前のデータが全てデータ退避メモリブロック２
Ｄに保存されており、このため、この該当メモリブロッ
クのデータが瞬時でもなくなるようなことはない。
めた該当メモリブロック２Ａのデータを全て消去し（ス
テップステップ１０３）、しかる後、該当メモリブロッ
ク２Ａの消去前のデータの一部または全部が新たなデー
タで書き換えられたデータを該当メモリブロック２Ａに
書き込み（ステップ１０４）。この書込みが終了する
と、次に、この該当メモリブロック２Ａに固有の番号で
あるチェックデータをチェックデータ格納エリア３Ａに
書き込む（ステップ１０５）。このチェックデータは、
該当メモリブロック２Ａに書き込まれたデータが有効で
あることを示すフラグとしての役割をもっている。な
お、チェックデータ格納エリア３Ｄに書き込まれた上記
のチェックデータも、データ退避メモリブロック２Ｄ
に、該当メモリブロックであるデータ書込用メモリブロ
ック２Ａに格納されていたデータが有効に格納されてい
ることを示しているこのようにして、該当メモリブロッ
クでのデータの書換えが行なわれるが、この該当メモリ
ブロックのデータ書込み工程中、この該当メモリブロッ
クの消去前のデータが全てデータ退避メモリブロック２
Ｄに保存されており、このため、この該当メモリブロッ
クのデータが瞬時でもなくなるようなことはない。
【００２０】なお、複数のデータ書込用のメモリブロッ
クについてデータの書換えを行なう場合には、１つ１つ
のメモリブロックに対し、かかる動作が行なわれること
はいうまでもない。
クについてデータの書換えを行なう場合には、１つ１つ
のメモリブロックに対し、かかる動作が行なわれること
はいうまでもない。
【００２１】ブロック消去型フラッシュメモリからのデ
ータ読出しに際しては、該当メモリブロック２Ａからデ
ータを読み出す場合、まず、この該当メモリブロック２
Ａのチェックデータ格納エリア３Ａからチェックデータ
を読み出し、このチェックデータからこの該当メモリブ
ロック２Ａに書き込まれているデータが有効であるかど
うか判定する（ステップ１０６）。そして、この読み出
したチェックデータが該当メモリブロック２Ａの固有の
ものである場合には、この該当メモリブロック２Ａに書
き込まれているデータは有効であると判断し、このデー
タの読出しを行なう（ステップ１０７）。
ータ読出しに際しては、該当メモリブロック２Ａからデ
ータを読み出す場合、まず、この該当メモリブロック２
Ａのチェックデータ格納エリア３Ａからチェックデータ
を読み出し、このチェックデータからこの該当メモリブ
ロック２Ａに書き込まれているデータが有効であるかど
うか判定する（ステップ１０６）。そして、この読み出
したチェックデータが該当メモリブロック２Ａの固有の
ものである場合には、この該当メモリブロック２Ａに書
き込まれているデータは有効であると判断し、このデー
タの読出しを行なう（ステップ１０７）。
【００２２】これに対し、上記のように、該当メモリブ
ロック２Ａでの書込み動作の中断などして、チェックデ
ータ格納エリア３Ａにチェックデータを書き込むことが
できなかった場合などにより、チェックデータ格納エリ
ア３Ａから該当メモリブロック２Ａの固有のチェックデ
ータを読み出すことができないときには、この該当メモ
リブロック２Ａには有効データがないものと判断し（ス
テップ１０６）、次に、チェックデータ格納エリア３Ｄ
から該当メモリブロック２Ａ固有のチェックデータを読
み出すことができるかどうかにより、データ退避メモリ
ブロック２Ｄに書き込まれているデータが該当メモリブ
ロックのデータとして有効であるかどうかを判定する
（ステップ１０８）。そして、かかるチェックデータが
読み出せた場合には、データ退避メモリブロック２Ｄに
書き込まれているデータが有効データと判断して、この
データ退避メモリブロック２Ｄからデータの読み出しを
行ない（ステップ１０９）、読み出したチェックデータ
によりデータ退避メモリブロック２Ｄのデータが該当メ
モリブロック２Ａのデータとして有効でないと判断した
ときには、この該当メモリブロック２Ａに対して有効な
データがないとし、ブロック消去型フラッシュメモリか
らよみだされたデータにデフォルトデータの設定など所
定の処理を行なう（ステップ１１０）。
ロック２Ａでの書込み動作の中断などして、チェックデ
ータ格納エリア３Ａにチェックデータを書き込むことが
できなかった場合などにより、チェックデータ格納エリ
ア３Ａから該当メモリブロック２Ａの固有のチェックデ
ータを読み出すことができないときには、この該当メモ
リブロック２Ａには有効データがないものと判断し（ス
テップ１０６）、次に、チェックデータ格納エリア３Ｄ
から該当メモリブロック２Ａ固有のチェックデータを読
み出すことができるかどうかにより、データ退避メモリ
ブロック２Ｄに書き込まれているデータが該当メモリブ
ロックのデータとして有効であるかどうかを判定する
（ステップ１０８）。そして、かかるチェックデータが
読み出せた場合には、データ退避メモリブロック２Ｄに
書き込まれているデータが有効データと判断して、この
データ退避メモリブロック２Ｄからデータの読み出しを
行ない（ステップ１０９）、読み出したチェックデータ
によりデータ退避メモリブロック２Ｄのデータが該当メ
モリブロック２Ａのデータとして有効でないと判断した
ときには、この該当メモリブロック２Ａに対して有効な
データがないとし、ブロック消去型フラッシュメモリか
らよみだされたデータにデフォルトデータの設定など所
定の処理を行なう（ステップ１１０）。
【００２３】以上のように、この実施形態では、ブロッ
ク消去型フラッシュメモリへのデータ書込み動作中に、
電源が切られるなどしてデータ書込み作業が中断して
も、データ退避メモリブロックでそのときのデータの消
失を補償することになり、各書込用にメモリブロックの
データは、このメモリブロックかデータ退避メモリブロ
ックのいずれかで保存されることになる。従って、ブロ
ック消去型フラッシュメモリの従来の書込み方法による
場合のようなデータの消失が生ずることがない。
ク消去型フラッシュメモリへのデータ書込み動作中に、
電源が切られるなどしてデータ書込み作業が中断して
も、データ退避メモリブロックでそのときのデータの消
失を補償することになり、各書込用にメモリブロックの
データは、このメモリブロックかデータ退避メモリブロ
ックのいずれかで保存されることになる。従って、ブロ
ック消去型フラッシュメモリの従来の書込み方法による
場合のようなデータの消失が生ずることがない。
【００２４】なお、データ退避メモリブロック２Ｄへの
データ書込みも、まず、このデータ退避メモリブロック
２Ｄの消去を行ない、しかる後、このデータ退避メモリ
ブロックへのデータ書込用メモリブロックからのデータ
の書込みを行なうことはいうまでもない。このデータ書
込み時に書込み動作の中断があっても、データ書込用メ
モリブロックでは、まだデータの消去が行なわれていな
いので、データの消失は生じない。
データ書込みも、まず、このデータ退避メモリブロック
２Ｄの消去を行ない、しかる後、このデータ退避メモリ
ブロックへのデータ書込用メモリブロックからのデータ
の書込みを行なうことはいうまでもない。このデータ書
込み時に書込み動作の中断があっても、データ書込用メ
モリブロックでは、まだデータの消去が行なわれていな
いので、データの消失は生じない。
【００２５】また、チェックデータにもエラー検出訂正
コードが付加され、その読出しに際しては、そのエラー
の訂正処理が行なわれることはいうまでもない。
コードが付加され、その読出しに際しては、そのエラー
の訂正処理が行なわれることはいうまでもない。
【００２６】さらに、図２では、ブロック消去型フラッ
シュメモリが４個のメモリブロック２Ａ〜２Ｄからなる
ものとしたが、このメモリブロック数は任意であり、し
かも、割り当てられるデータ退避メモリブロックとして
も、１個とは限らず、必要に応じて任意に設定できるこ
とは明らかである。例えば、極端な場合、データ書込用
のメモリブロック毎にデータ退避メモリブロックを設け
ることも考えられる。
シュメモリが４個のメモリブロック２Ａ〜２Ｄからなる
ものとしたが、このメモリブロック数は任意であり、し
かも、割り当てられるデータ退避メモリブロックとして
も、１個とは限らず、必要に応じて任意に設定できるこ
とは明らかである。例えば、極端な場合、データ書込用
のメモリブロック毎にデータ退避メモリブロックを設け
ることも考えられる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
該当メモリブロックのデータ書込み中に、電源が切れる
などしてデータの書込み作業が中断しても、この該当メ
モリブロックのデータはデータ退避メモリブロックに保
存されていることになり、ブロック消去型フラッシュメ
モリからは、常に、消失のないデータを得ることができ
る。
該当メモリブロックのデータ書込み中に、電源が切れる
などしてデータの書込み作業が中断しても、この該当メ
モリブロックのデータはデータ退避メモリブロックに保
存されていることになり、ブロック消去型フラッシュメ
モリからは、常に、消失のないデータを得ることができ
る。
【図１】本発明によるブロック消去型フラッシュメモリ
の書込み方法の一実施形態を示すフローチャートであ
る。
の書込み方法の一実施形態を示すフローチャートであ
る。
【図２】本発明に用いるブロック消去型フラッシュメモ
リの概要マップ図である。
リの概要マップ図である。
１ ブロック消去型フラッシュメモリ ２Ａ〜２Ｃ データ書込用のメモリブロック ２Ｄ データ退避メモリブロック ３Ａ〜３Ｄ チェックデータ格納エリア
Claims (2)
- 【請求項１】 消去単位とするメモリブロックを複数個
有するブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法に
おいて、 該メモリブロックの少なくとも１個を退避メモリブロッ
クとして割り当てて、該退避メモリブロック以外のメモ
リブロックをデータ書込用のメモリブロックとし、 所望の該データ書込用のメモリブロックに、これを書込
該当メモリブロックとして、新たなデータを書き込むに
際し、該書込該当メモリブロックに既に書き込まれてい
る既存データを全て該退避メモリブロックに書き込んで
保存し、しかる後、該書込該当メモリブロックでの消去
と該新たなデータの書込みとを行なうことを特徴とする
ブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記書込該当メモリブロックでは、前記新たなデータの
書込み終了とともに、前記書込該当メモリブロック固有
のチェックデータを書き込み、 前記退避メモリブロックでは、前記既存データの書込み
とともに、前記既存データが書き込まれていた前記書込
該当メモリブロック固有のチェックデータを書き込むこ
とを特徴とするブロック消去型フラッシュメモリの書込
み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28225196A JPH10124403A (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | ブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28225196A JPH10124403A (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | ブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10124403A true JPH10124403A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17650023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28225196A Pending JPH10124403A (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | ブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10124403A (ja) |
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1996
- 1996-10-24 JP JP28225196A patent/JPH10124403A/ja active Pending
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