JP2973901B2 - 半導体樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体樹脂封止用金型Info
- Publication number
- JP2973901B2 JP2973901B2 JP7304795A JP30479595A JP2973901B2 JP 2973901 B2 JP2973901 B2 JP 2973901B2 JP 7304795 A JP7304795 A JP 7304795A JP 30479595 A JP30479595 A JP 30479595A JP 2973901 B2 JP2973901 B2 JP 2973901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- gate
- air vent
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置を樹脂封止するための半導体樹脂封止用金型に関す
る。
置を樹脂封止するための半導体樹脂封止用金型に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＤＩＰ，ＴＳＯＰ，ＳＯＪと略称される
樹脂封止型半導体装置は、いずれも長方形または正方形
をした樹脂パッケージの２つの対向する側面にのみアウ
タリードを突出させた構造されており、この種の半導体
装置を製造するための樹脂封止用金型では、アウタリー
ドが配置されないキャビティ側面に樹脂注入口（以下、
ゲートと称する）を配置した構成がとられている。例え
ば、図８に示すように、下金型１１のキャビティ１３
と、上金型１２のキャビティ１４で構成される金型で
は、アウタリードが配置されない側面の一部に樹脂ポッ
ト１５にランナ１６を介して接続されるゲート１７が配
置され、この側面に対向する側面にはキャビティ内の空
気を抜くためのエアー排出用通気孔（以下、エアーベン
トと称する）１９が設けられている。
樹脂封止型半導体装置は、いずれも長方形または正方形
をした樹脂パッケージの２つの対向する側面にのみアウ
タリードを突出させた構造されており、この種の半導体
装置を製造するための樹脂封止用金型では、アウタリー
ドが配置されないキャビティ側面に樹脂注入口（以下、
ゲートと称する）を配置した構成がとられている。例え
ば、図８に示すように、下金型１１のキャビティ１３
と、上金型１２のキャビティ１４で構成される金型で
は、アウタリードが配置されない側面の一部に樹脂ポッ
ト１５にランナ１６を介して接続されるゲート１７が配
置され、この側面に対向する側面にはキャビティ内の空
気を抜くためのエアー排出用通気孔（以下、エアーベン
トと称する）１９が設けられている。
【０００３】この金型を用いて半導体装置を樹脂封止す
る場合には、図９（ａ）のように、下金型１１と上金型
１２を予め所望する温度に熱し、かつ下金型１１上にリ
ードフレーム構体２１をセットする。このリードフレー
ム構体２１は、リードフレーム２１のアイランド２２上
に半導体素子２４を固定し、ボンディングワイヤ２５に
より半導体素子２４ｅの電極（図中省略）とリードフレ
ーム２２のインナーリード２６とをボンディングしたも
のである。そして、図９（ｂ）のように、樹脂ポット１
５内に樹脂タブレット２７を投入し、下金型１１を上昇
させ、リードフレーム構体２１を挟持した状態で型締め
を行う。
る場合には、図９（ａ）のように、下金型１１と上金型
１２を予め所望する温度に熱し、かつ下金型１１上にリ
ードフレーム構体２１をセットする。このリードフレー
ム構体２１は、リードフレーム２１のアイランド２２上
に半導体素子２４を固定し、ボンディングワイヤ２５に
より半導体素子２４ｅの電極（図中省略）とリードフレ
ーム２２のインナーリード２６とをボンディングしたも
のである。そして、図９（ｂ）のように、樹脂ポット１
５内に樹脂タブレット２７を投入し、下金型１１を上昇
させ、リードフレーム構体２１を挟持した状態で型締め
を行う。
【０００４】次に、下金型１１の熱により、樹脂タブレ
ット２７が軟化した後に、図９（ｃ）のように、タブレ
ット加圧用のプランジャ２８が上昇し、樹脂２７はラン
ナ１６を流れ、キャビティ１３，１４内に圧入力され
る。このとき、樹脂２７はゲート１７を通過し、キャビ
ティ１３，１４内にあった空気を反対側の側面のエアベ
ント１９から押し出しながら、キャビティ内に充填さ
れ、図９（ｄ）のように、封止が完了される。その後、
樹脂２７の硬化が終了するまで型締めされた状態で保持
され、樹脂２７の硬化後に可動側の下金型１１が開き、
図示を省略したイジェクターピンが突きだし、樹脂封止
済みのパッケージを金型から離型し、半導体装置の樹脂
封止を実現する。
ット２７が軟化した後に、図９（ｃ）のように、タブレ
ット加圧用のプランジャ２８が上昇し、樹脂２７はラン
ナ１６を流れ、キャビティ１３，１４内に圧入力され
る。このとき、樹脂２７はゲート１７を通過し、キャビ
ティ１３，１４内にあった空気を反対側の側面のエアベ
ント１９から押し出しながら、キャビティ内に充填さ
れ、図９（ｄ）のように、封止が完了される。その後、
樹脂２７の硬化が終了するまで型締めされた状態で保持
され、樹脂２７の硬化後に可動側の下金型１１が開き、
図示を省略したイジェクターピンが突きだし、樹脂封止
済みのパッケージを金型から離型し、半導体装置の樹脂
封止を実現する。
【０００５】この樹脂の圧入時に、樹脂は図１０に示す
ように充填されていくが、ゲート１７のある側面にはエ
アーベントが存在しないので、ゲート１７のある側面側
のパッケージコーナー部に閉じ込められた空気が逃げ場
を失い、この空気が成形される樹脂２７内に取り込ま
れ、成形されたパッケージにおけるボイドや、外観不良
となる。
ように充填されていくが、ゲート１７のある側面にはエ
アーベントが存在しないので、ゲート１７のある側面側
のパッケージコーナー部に閉じ込められた空気が逃げ場
を失い、この空気が成形される樹脂２７内に取り込ま
れ、成形されたパッケージにおけるボイドや、外観不良
となる。
【０００６】また、図１１は特開平３−２０６６２９号
公報に記載されている金型であり、ここでは、下金型３
１、上金型３２、分割金型３３と３つのブロックで構成
されている。下金型３１には、図示しないランナーと、
サブランナー３４、下パッケージとなる下キャビティ３
５、およびエアーベント３６が形成され、また、リード
フレーム３７を固定するためのリードフレームガイドピ
ン３８と、分割金型３２を固定するためのガイドピン３
９がそれぞれ設置されている。上金型３２には、ＩＣの
上パッケージとなる部分の上型キャビティ４０と、ガイ
ドピン逃げ穴４１が形成されている。さらに、分割金型
３３ｆには、上面と底面とにエアーベント４２が形成さ
れており、また、ガイド穴４３およびリードフレームガ
イドピン逃げ穴４４がそれぞれ貫通されている。
公報に記載されている金型であり、ここでは、下金型３
１、上金型３２、分割金型３３と３つのブロックで構成
されている。下金型３１には、図示しないランナーと、
サブランナー３４、下パッケージとなる下キャビティ３
５、およびエアーベント３６が形成され、また、リード
フレーム３７を固定するためのリードフレームガイドピ
ン３８と、分割金型３２を固定するためのガイドピン３
９がそれぞれ設置されている。上金型３２には、ＩＣの
上パッケージとなる部分の上型キャビティ４０と、ガイ
ドピン逃げ穴４１が形成されている。さらに、分割金型
３３ｆには、上面と底面とにエアーベント４２が形成さ
れており、また、ガイド穴４３およびリードフレームガ
イドピン逃げ穴４４がそれぞれ貫通されている。
【０００７】この金型を用いた樹脂封止においては、上
下の金型３１，３２と、分割金型３３の間に前記したよ
うに構成されるリードフレーム３７が挟持され、サブラ
ンナ３４より溶融した樹脂が上下の各金型のキャビティ
３５，４０へ注入されていく。この時、キャビティ内に
注入された樹脂は、キャビティ内の空気を分割金型３３
の上下面に形成されたエアーベント４２、下金型３１に
形成されたエアーベント３６より排出しながらキャビテ
ィ内に充填され、樹脂注入が行われる。
下の金型３１，３２と、分割金型３３の間に前記したよ
うに構成されるリードフレーム３７が挟持され、サブラ
ンナ３４より溶融した樹脂が上下の各金型のキャビティ
３５，４０へ注入されていく。この時、キャビティ内に
注入された樹脂は、キャビティ内の空気を分割金型３３
の上下面に形成されたエアーベント４２、下金型３１に
形成されたエアーベント３６より排出しながらキャビテ
ィ内に充填され、樹脂注入が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この種の半導体素子の
樹脂封入は、樹脂流入過程においてゲートより注入され
た溶融樹脂がキャビティ内を進行して充填されるわけで
あるが、例えば図８，図９の金型においては、溶融樹脂
は、図１０に示したような流動形態であり、この時、キ
ャビティ１３，１４内の空気は、エアーベント１９より
自然排気されるが、この金型構造では、ゲート１７の側
面に対して反対側の側面の任意の位置にしかエアーベン
ト１９が無いために、ゲート１７のある側の側面からは
キャビティ１３，１４内の空気が排出されないので、ゲ
ート１７の有る側のキャビティコーナ部において空気が
樹脂内に巻き込まれ、この空気が樹脂パッケージにおけ
るボイドの多発、未充填の発生の原因となり、パッケー
ジの封止性、耐湿性等の信頼性の低下の原因となる。
樹脂封入は、樹脂流入過程においてゲートより注入され
た溶融樹脂がキャビティ内を進行して充填されるわけで
あるが、例えば図８，図９の金型においては、溶融樹脂
は、図１０に示したような流動形態であり、この時、キ
ャビティ１３，１４内の空気は、エアーベント１９より
自然排気されるが、この金型構造では、ゲート１７の側
面に対して反対側の側面の任意の位置にしかエアーベン
ト１９が無いために、ゲート１７のある側の側面からは
キャビティ１３，１４内の空気が排出されないので、ゲ
ート１７の有る側のキャビティコーナ部において空気が
樹脂内に巻き込まれ、この空気が樹脂パッケージにおけ
るボイドの多発、未充填の発生の原因となり、パッケー
ジの封止性、耐湿性等の信頼性の低下の原因となる。
【０００９】特に、近年におけるパッケージの薄型によ
り、樹脂の高流動化が進んでいるが、樹脂を高流動化す
ることによりエアベントバリが長くなるので、従来、約
３０μ程度あったエアベント深さを５μ以下にしなけれ
ばならない。このため、エアベント断面積が従来の約１
／６となり、樹脂充填中にキャビティ内の空気をスムー
ズに排気できないので、樹脂流動パターンの乱れによる
ボイドの多発、未充填の発生が顕著なものとなってい
る。
り、樹脂の高流動化が進んでいるが、樹脂を高流動化す
ることによりエアベントバリが長くなるので、従来、約
３０μ程度あったエアベント深さを５μ以下にしなけれ
ばならない。このため、エアベント断面積が従来の約１
／６となり、樹脂充填中にキャビティ内の空気をスムー
ズに排気できないので、樹脂流動パターンの乱れによる
ボイドの多発、未充填の発生が顕著なものとなってい
る。
【００１０】一方、特開平３−２０６６２９号公報にて
開示されている金型においても、分割金型にエアベント
を設けているが、このエアベントもゲートからみればキ
ャビティの対向面であるため、前記したと同様の問題が
ある。また、この金型は、金型が３分割されているの
で、封入機の金型開閉構造が複雑になり、封入機の自動
機化、コンパクト化が困難であり、装置価格も高くなる
という問題がある。
開示されている金型においても、分割金型にエアベント
を設けているが、このエアベントもゲートからみればキ
ャビティの対向面であるため、前記したと同様の問題が
ある。また、この金型は、金型が３分割されているの
で、封入機の金型開閉構造が複雑になり、封入機の自動
機化、コンパクト化が困難であり、装置価格も高くなる
という問題がある。
【００１１】本発明の目的は、キャビティ内の空気を効
果的に排出し、成形される樹脂への空気の巻き込みを防
止して、ボイドや未充填の発生を防止し、封止性や耐湿
性等の信頼性を向上した半導体樹脂封止用金型を提供す
ることにある。
果的に排出し、成形される樹脂への空気の巻き込みを防
止して、ボイドや未充填の発生を防止し、封止性や耐湿
性等の信頼性を向上した半導体樹脂封止用金型を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体樹脂封止
用金型は、ＤＩＰ，ＴＳＯＰ，ＳＯＪ等のように矩形の
パッケージの対向する２つの側面にアウターリードが配
置される樹脂封止型半導体装置を樹脂封止するための金
型であって、上金型と下金型とで矩形をしたキャビティ
を画成し、前記アウターリードが配置されない前記半導
体装置の２つの側面のうちの一方の側面に対応する前記
キャビティの一側面の一部に前記キャビティ内に樹脂を
圧送するためのゲートを有し、前記アウターリードが配
置されない前記半導体装置の前記２つの側面のそれぞれ
に対応する前記キャビティの２つの側面のそれぞれに前
記キャビティ内の空気を抜くためのエアベントが設けら
れていることを特徴とする。
用金型は、ＤＩＰ，ＴＳＯＰ，ＳＯＪ等のように矩形の
パッケージの対向する２つの側面にアウターリードが配
置される樹脂封止型半導体装置を樹脂封止するための金
型であって、上金型と下金型とで矩形をしたキャビティ
を画成し、前記アウターリードが配置されない前記半導
体装置の２つの側面のうちの一方の側面に対応する前記
キャビティの一側面の一部に前記キャビティ内に樹脂を
圧送するためのゲートを有し、前記アウターリードが配
置されない前記半導体装置の前記２つの側面のそれぞれ
に対応する前記キャビティの２つの側面のそれぞれに前
記キャビティ内の空気を抜くためのエアベントが設けら
れていることを特徴とする。
【００１３】この場合、一方の側面では、ゲートは側面
の中間位置に配置され、このゲートを挟む両側のコーナ
部にエアベントが配置される。また、ゲートはその側面
の一つのコーナ部に配置され、この側面の他方のコーナ
部にエアベントが配置される。さらに、エアベントは、
一方の側面とこれに対向する側面の略全域にわたって配
置されることが好ましい。
の中間位置に配置され、このゲートを挟む両側のコーナ
部にエアベントが配置される。また、ゲートはその側面
の一つのコーナ部に配置され、この側面の他方のコーナ
部にエアベントが配置される。さらに、エアベントは、
一方の側面とこれに対向する側面の略全域にわたって配
置されることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明をＤＩＰ型樹脂封止半
導体装置の樹脂封止用金型に適用した例であり、（ａ）
は下金型の平面図、（ｂ）は上金型の各平面構成図であ
る。図１のように、下金型１１及び上金型１２の各金型
にそれぞれ複数個のキャビティ１３，１４が配列形成さ
れ、かつ下金型１１の各キャビティ１３間には樹脂ポッ
ト１５が配置され、ランナ１６を通して各キャビティ１
３に連通されている。このキャビティ１３とランナ１６
とをつなぐゲート１７は、樹脂封止される半導体装置の
アウターリードが位置されない２つのパッケージ側面の
うち、前記樹脂ポット１５に近い側の側面の中間位置に
設置される。また、前記下金型１１と上金型１２には、
それぞれキャビティ１３，１４に連通されるエアーベン
ト１８，１９が設けられているが、ここでは、それぞれ
前記ゲート１７が配置された側面に対向する反対側の側
面のパッケージコーナ部にエアーベント１９が設けら
れ、ゲートが配置された側面のパッケージコーナ部にエ
アーベント１８が設けられている。
参照して説明する。図１は本発明をＤＩＰ型樹脂封止半
導体装置の樹脂封止用金型に適用した例であり、（ａ）
は下金型の平面図、（ｂ）は上金型の各平面構成図であ
る。図１のように、下金型１１及び上金型１２の各金型
にそれぞれ複数個のキャビティ１３，１４が配列形成さ
れ、かつ下金型１１の各キャビティ１３間には樹脂ポッ
ト１５が配置され、ランナ１６を通して各キャビティ１
３に連通されている。このキャビティ１３とランナ１６
とをつなぐゲート１７は、樹脂封止される半導体装置の
アウターリードが位置されない２つのパッケージ側面の
うち、前記樹脂ポット１５に近い側の側面の中間位置に
設置される。また、前記下金型１１と上金型１２には、
それぞれキャビティ１３，１４に連通されるエアーベン
ト１８，１９が設けられているが、ここでは、それぞれ
前記ゲート１７が配置された側面に対向する反対側の側
面のパッケージコーナ部にエアーベント１９が設けら
れ、ゲートが配置された側面のパッケージコーナ部にエ
アーベント１８が設けられている。
【００１５】このような金型を用いて半導体装置を樹脂
封止する工程を図２の断面図に示す。先ず、図２（ａ）
のように、上金型１２と下金型１１を予め所望する温度
に熱し、下金型１１上にリードフレーム構体２１をセッ
トする。このリードフレーム構体２１は、リードフレー
ム２２のアイランド２３に銀ペースト等を用いて半導体
素子２４を固定し、ボンディングワイヤ２５により半導
体素子２４の電極（図中省略）とリードフレーム２２の
インナーリード２６とをボンディングしたものである。
そして、図２（ｂ）のように、樹脂ポット１５内に樹脂
タブレット２７を投入し、下金型１１を上昇させ、リー
ドフレーム構体２１を挟持した状態で型締めを行う。
封止する工程を図２の断面図に示す。先ず、図２（ａ）
のように、上金型１２と下金型１１を予め所望する温度
に熱し、下金型１１上にリードフレーム構体２１をセッ
トする。このリードフレーム構体２１は、リードフレー
ム２２のアイランド２３に銀ペースト等を用いて半導体
素子２４を固定し、ボンディングワイヤ２５により半導
体素子２４の電極（図中省略）とリードフレーム２２の
インナーリード２６とをボンディングしたものである。
そして、図２（ｂ）のように、樹脂ポット１５内に樹脂
タブレット２７を投入し、下金型１１を上昇させ、リー
ドフレーム構体２１を挟持した状態で型締めを行う。
【００１６】次に、図２（ｃ）のように、下金型１１の
熱により、樹脂タブレット２７が軟化した後に、タブレ
ット加圧用のプランジャ２８が上昇し、軟化された樹脂
２７はランナ１６を流れ、キャビティ１３，１４内に圧
入力される。このとき、樹脂２７はゲート１７を通過
し、キャビティ１３，１４内にあった空気を反対側の側
面のエアベント１９と、ゲート１７側の側面のエアベン
ト１８のそれぞれから押し出しながら、キャビティ１
３，１４内に充填され、図２（ｄ）のように、封止が完
了される。その後、図示は省略するが、樹脂の硬化が終
了するまで型締めされた状態で保持され、樹脂２７の硬
化後に可動側の下金型１１が開き、イジェクターピンの
突き出しによって樹脂封止済みのパッケージを金型から
離型し、半導体装置の樹脂封止を実現する。
熱により、樹脂タブレット２７が軟化した後に、タブレ
ット加圧用のプランジャ２８が上昇し、軟化された樹脂
２７はランナ１６を流れ、キャビティ１３，１４内に圧
入力される。このとき、樹脂２７はゲート１７を通過
し、キャビティ１３，１４内にあった空気を反対側の側
面のエアベント１９と、ゲート１７側の側面のエアベン
ト１８のそれぞれから押し出しながら、キャビティ１
３，１４内に充填され、図２（ｄ）のように、封止が完
了される。その後、図示は省略するが、樹脂の硬化が終
了するまで型締めされた状態で保持され、樹脂２７の硬
化後に可動側の下金型１１が開き、イジェクターピンの
突き出しによって樹脂封止済みのパッケージを金型から
離型し、半導体装置の樹脂封止を実現する。
【００１７】このように、この金型構造では、キャビテ
ィ１３，１４内に圧入される樹脂２７は、図３に示すよ
うに、エアーベント１９によってキャビティ内の空気を
排出しながら、ゲート１７からキャビティ１３，１４内
に徐々に充填されてゆくが、ゲート１７のある側の側面
のパッケージコーナ部にキャビティ内の空気を巻き込ん
でも、ゲート１７のある側の側面にもエアーベント１８
が存在しているので、ここから空気が排出されることに
より、成形される樹脂でのボイド、未充填の発生を防止
できる。また、このようにゲート１７側にもエアベント
１８を設けることで、キャビティ全体としてエアベント
のエリアが広くなるので、エアベント深さを浅くして
も、エアベントの断面積を広く確保でき、キャビティ内
の空気の排気効率を十分に確保することが可能となり、
前記した効果を更に高めることが可能となる。
ィ１３，１４内に圧入される樹脂２７は、図３に示すよ
うに、エアーベント１９によってキャビティ内の空気を
排出しながら、ゲート１７からキャビティ１３，１４内
に徐々に充填されてゆくが、ゲート１７のある側の側面
のパッケージコーナ部にキャビティ内の空気を巻き込ん
でも、ゲート１７のある側の側面にもエアーベント１８
が存在しているので、ここから空気が排出されることに
より、成形される樹脂でのボイド、未充填の発生を防止
できる。また、このようにゲート１７側にもエアベント
１８を設けることで、キャビティ全体としてエアベント
のエリアが広くなるので、エアベント深さを浅くして
も、エアベントの断面積を広く確保でき、キャビティ内
の空気の排気効率を十分に確保することが可能となり、
前記した効果を更に高めることが可能となる。
【００１８】図４は本発明の第２の実施形態の金型を示
しており、（ａ）は下金型、（ｂ）は上金型のそれぞれ
平面構成図である。なお、第１の実施形態と等価な部分
には同一符号を付してある。この実施形態では、各キャ
ビティ１３，１４は半導体装置のアウタリードが位置さ
れない側面の１つのコーナ部にゲート１７を配置してい
る。そして、このゲート１７が設けられた側面に対向す
る反対側の側面の両コーナ部にエアーベント１９が、ゲ
ート１７を配置している側面のゲートに隣接するコーナ
部にエアーベント１８が設けられている。
しており、（ａ）は下金型、（ｂ）は上金型のそれぞれ
平面構成図である。なお、第１の実施形態と等価な部分
には同一符号を付してある。この実施形態では、各キャ
ビティ１３，１４は半導体装置のアウタリードが位置さ
れない側面の１つのコーナ部にゲート１７を配置してい
る。そして、このゲート１７が設けられた側面に対向す
る反対側の側面の両コーナ部にエアーベント１９が、ゲ
ート１７を配置している側面のゲートに隣接するコーナ
部にエアーベント１８が設けられている。
【００１９】この金型を用いて樹脂封止を行う場合に
も、図３に示したように、下金型１１と上金型１２を予
め所望する温度に熱し、下金型１１上にリードフレーム
構体２１をセットする（図３（ａ））。このリードフレ
ーム構体２１は、リードフレーム２２に半導体素子２４
を搭載し、かつボンディングワイヤ２５によりリードフ
レーム２２のインナーリード２６に対してボンディング
したものであることは同じである。そして、樹脂ポット
１５内に樹脂タブレット２７を投入し、下金型１１を上
昇させ、リードフレーム構体２１を挟持した状態で型締
めを行う（図３（ｂ））。
も、図３に示したように、下金型１１と上金型１２を予
め所望する温度に熱し、下金型１１上にリードフレーム
構体２１をセットする（図３（ａ））。このリードフレ
ーム構体２１は、リードフレーム２２に半導体素子２４
を搭載し、かつボンディングワイヤ２５によりリードフ
レーム２２のインナーリード２６に対してボンディング
したものであることは同じである。そして、樹脂ポット
１５内に樹脂タブレット２７を投入し、下金型１１を上
昇させ、リードフレーム構体２１を挟持した状態で型締
めを行う（図３（ｂ））。
【００２０】次に、下金型１１の熱により、樹脂タブレ
ット２７が軟化した後に、タブレット加圧用のプランジ
ャ２８が上昇し、樹脂はランナ１６を流れ、キャビティ
１３，１４内に圧入力される。このとき、樹脂２７はゲ
ート１７を通過し、キャビティ１３，１４内にあった空
気を反対側の側面のコーナ部に設けられたエアベント１
９と、ゲート１７側の側面のコーナ部に設けられたエア
ベント１８のそれぞれから押し出しながら、キャビティ
１３，１４内に充填され、封止が完了する（図３
（ｃ），（ｄ））。その後、樹脂の硬化が終了するまで
型締めされた状態で保持され、樹脂の硬化後に可動側の
下金型１１が開き、イジェクターピンの突きだしにより
樹脂封止済みのパッケージを金型から離型し、半導体装
置の樹脂封止を実現する（Ｅ）。
ット２７が軟化した後に、タブレット加圧用のプランジ
ャ２８が上昇し、樹脂はランナ１６を流れ、キャビティ
１３，１４内に圧入力される。このとき、樹脂２７はゲ
ート１７を通過し、キャビティ１３，１４内にあった空
気を反対側の側面のコーナ部に設けられたエアベント１
９と、ゲート１７側の側面のコーナ部に設けられたエア
ベント１８のそれぞれから押し出しながら、キャビティ
１３，１４内に充填され、封止が完了する（図３
（ｃ），（ｄ））。その後、樹脂の硬化が終了するまで
型締めされた状態で保持され、樹脂の硬化後に可動側の
下金型１１が開き、イジェクターピンの突きだしにより
樹脂封止済みのパッケージを金型から離型し、半導体装
置の樹脂封止を実現する（Ｅ）。
【００２１】このとき、この第２の実施形態の金型構造
では、キャビティ１３，１４内に圧入される樹脂２７
は、図５に示すように、エアーベント１９からキャビテ
ィ内の空気を排出させながらゲート１７が設けられた側
面のコーナ部からキャビティ内に充填されてゆくが、こ
のときゲート１７のある側の側面のパッケージコーナ部
にキャビティ１３，１３内の空気を巻き込んでも、ゲー
ト１７のある側の側面にエアーベント１８があるので、
ここから空気が排出されることにより、成形される樹脂
でのボイド、未充填の発生を防止できる。
では、キャビティ１３，１４内に圧入される樹脂２７
は、図５に示すように、エアーベント１９からキャビテ
ィ内の空気を排出させながらゲート１７が設けられた側
面のコーナ部からキャビティ内に充填されてゆくが、こ
のときゲート１７のある側の側面のパッケージコーナ部
にキャビティ１３，１３内の空気を巻き込んでも、ゲー
ト１７のある側の側面にエアーベント１８があるので、
ここから空気が排出されることにより、成形される樹脂
でのボイド、未充填の発生を防止できる。
【００２２】ここで、前記第１及び第２の実施形態の各
金型においては、図６及び図７にそれぞれ示すように、
下金型１１と上金型１２にそれぞれ設けられるエアベン
ト１８，１９をパッケージコーナ部だけでなく、アウタ
ーリードの存在しない側面全体に形成してもよい。した
がって、キャビティ１３，１４内におけるエアベントエ
リアが広くなり、エアベントの総断面積が大きくなる。
これにより、キャビティ内の空気の排気効率が高くな
り、空気の巻き込み量が減ることにより、ボイド、未充
填をさらに有効に防止することが可能となる。
金型においては、図６及び図７にそれぞれ示すように、
下金型１１と上金型１２にそれぞれ設けられるエアベン
ト１８，１９をパッケージコーナ部だけでなく、アウタ
ーリードの存在しない側面全体に形成してもよい。した
がって、キャビティ１３，１４内におけるエアベントエ
リアが広くなり、エアベントの総断面積が大きくなる。
これにより、キャビティ内の空気の排気効率が高くな
り、空気の巻き込み量が減ることにより、ボイド、未充
填をさらに有効に防止することが可能となる。
【００２３】なお、前記実施形態は、ＤＩＰ型半導体装
置を樹脂封止する場合を例として説明したが、ＴＳＯ
Ｐ，ＳＯＪのように、アウターリードが矩形型のパッケ
ージの２つの側面にのみ設けられている樹脂封止型の半
導体装置であれば、同様に本発明を適用することが可能
である。
置を樹脂封止する場合を例として説明したが、ＴＳＯ
Ｐ，ＳＯＪのように、アウターリードが矩形型のパッケ
ージの２つの側面にのみ設けられている樹脂封止型の半
導体装置であれば、同様に本発明を適用することが可能
である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＤＩＰ，
ＴＳＯＰ，ＳＯＪのように、リードが長方形または正方
形の２側面にしか存在せず、ゲートがリードの無い側面
に設置されている半導体装置の樹脂封止金型において、
エアベントをゲートの無い側の側面だけでなく、ゲート
のある側の側面にも設置することにより、ゲートの有る
側の側面のコーナ部に巻き込まれた空気を排気すること
が可能となり、空気の排気効率を高めることができる。
また、キャビティにおけるエアベントのエリアが広くな
るので、エアベント深さを浅くしても、エアベントの断
面積を広くでき、キャビティ内の空気の排気効率をさら
に高めることができる。これにより、封止される樹脂に
おけるボイドや未充填を防止することが可能となり、樹
脂パッケージの外観歩留りを向上すると共に、信頼性の
高い半導体装置が提供できるという効果を有する。
ＴＳＯＰ，ＳＯＪのように、リードが長方形または正方
形の２側面にしか存在せず、ゲートがリードの無い側面
に設置されている半導体装置の樹脂封止金型において、
エアベントをゲートの無い側の側面だけでなく、ゲート
のある側の側面にも設置することにより、ゲートの有る
側の側面のコーナ部に巻き込まれた空気を排気すること
が可能となり、空気の排気効率を高めることができる。
また、キャビティにおけるエアベントのエリアが広くな
るので、エアベント深さを浅くしても、エアベントの断
面積を広くでき、キャビティ内の空気の排気効率をさら
に高めることができる。これにより、封止される樹脂に
おけるボイドや未充填を防止することが可能となり、樹
脂パッケージの外観歩留りを向上すると共に、信頼性の
高い半導体装置が提供できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施形態の金型の平面構成図で
ある。
ある。
【図２】第１の実施形態における樹脂封止工程を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図３】第１の実施形態の樹脂注入時の樹脂流れ状態を
説明するための模式的な平面図である。
説明するための模式的な平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の金型の平面構成図で
ある。
ある。
【図５】第２の実施形態の樹脂注入時の樹脂流れ状態を
説明するための模式的な平面図である。
説明するための模式的な平面図である。
【図６】第１の実施形態の変形例を示す平面構成図であ
る。
る。
【図７】第２の実施形態の変形例を示す平面構成図であ
る。
る。
【図８】従来の金型の一例の平面構成図である。
【図９】図８の金型における樹脂封止工程を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図１０】図８の金型の樹脂注入時の樹脂流れ状態を説
明するための模式的な平面図である。
明するための模式的な平面図である。
【図１１】従来公知の金型の一例を示す分解斜視図であ
る。
る。
１１ 下金型 １２ 上金型 １３，１４ キャビティ １５ 樹脂ポット １６ ランナ １７ ゲート １８，１９ エアーベント ２１ リードフレーム構体 ２４ 半導体素子
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/56 B29C 45/02 B29C 45/14 B29C 45/26 B29C 45/34
Claims (4)
- 【請求項１】 ＤＩＰ，ＴＳＯＰ，ＳＯＪ等のように矩
形のパッケージの対向する２つの側面にアウターリード
が配置される樹脂封止型半導体装置を樹脂封止するため
の金型であって、上金型と下金型とで矩形をしたキャビ
ティを画成し、前記アウターリードが配置されない前記
半導体装置の２つの側面のうちの一方の側面に対応する
前記キャビティの一側面の一部に前記キャビティ内に樹
脂を圧送するためのゲートを有し、前記アウターリード
が配置されない前記半導体装置の前記２つの側面のそれ
ぞれに対応する前記キャビティの２つの側面のそれぞれ
に前記キャビティ内の空気を抜くためのエアベントが設
けられていることを特徴とする半導体樹脂封止用金型。 - 【請求項２】 前記一方の側面では、前記ゲートはその
側面の中間位置に配置され、このゲートを挟む両側のコ
ーナ部に前記エアベントが配置されている請求項１に記
載の半導体樹脂封止用金型。 - 【請求項３】 前記一方の側面では、前記ゲートはその
側面の一つのコーナ部に配置され、この側面の他方のコ
ーナ部にエアベントが配置されている請求項１に記載の
半導体樹脂封止用金型。 - 【請求項４】 前記エアベントは、前記一方の側面とこ
れに対向する側面の略全域にわたって配置される請求項
１に記載の半導体樹脂封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7304795A JP2973901B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7304795A JP2973901B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体樹脂封止用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148354A JPH09148354A (ja) | 1997-06-06 |
| JP2973901B2 true JP2973901B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=17937335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7304795A Expired - Lifetime JP2973901B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973901B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4973033B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールの製造方法 |
| JP4821827B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2011-11-24 | 株式会社デンソー | 樹脂成形品の製造方法、及び成形型 |
| JP5148445B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2013-02-20 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316629A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Hitachi Ltd | レジンモ−ルド方法および被モ−ルド物 |
| JPH0420587U (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-20 | ||
| JPH079614U (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-10 | 株式会社ニフコ | 自動車用窓ガラスの取付構造 |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP7304795A patent/JP2973901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09148354A (ja) | 1997-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100889422B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| KR200309906Y1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| EP0454440B1 (en) | Method of encapsulating a semiconductor device | |
| JPH01192154A (ja) | リードフレーム | |
| JP3456983B2 (ja) | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2973901B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JPH06302633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN112838014A (zh) | 树脂成形后的引线框的制造方法、树脂成形品的制造方法及引线框 | |
| JPS609131A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JP3246037B2 (ja) | 半導体チップのトランスファーモールド用金型 | |
| JP2598988B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| IE56790B1 (en) | Electronic device method using a leadframe with an integral mold vent means | |
| JP2778332B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3609821B1 (ja) | 半導体装置封止用金型およびそれを用いた半導体装置封止方法 | |
| JPH10135375A (ja) | 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JP3182302B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR100531423B1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이에 적용되는 몰드다이, 그리고 이를 이용한 패키지 제조장치. | |
| JPS60111432A (ja) | 半導体装置用樹脂封止金型 | |
| JPS6029227B2 (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH05237864A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具 | |
| JPH09129661A (ja) | 成形装置および成形方法 | |
| JPH11220087A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
| JPH08306719A (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置および樹脂封止方法 | |
| JPH0936152A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20041015 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041027 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050131 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20050301 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |