JPH07142809A - リッジ導波路付き半導体レーザ - Google Patents
リッジ導波路付き半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH07142809A JPH07142809A JP28791493A JP28791493A JPH07142809A JP H07142809 A JPH07142809 A JP H07142809A JP 28791493 A JP28791493 A JP 28791493A JP 28791493 A JP28791493 A JP 28791493A JP H07142809 A JPH07142809 A JP H07142809A
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- JP
- Japan
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- ridge waveguide
- semiconductor laser
- face
- active layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リッジ導波路付き半導体レーザに関し、簡単
に構成を改変をすることで、光出力の高低に拘わらず、
常に屈折率導波が行なわれるようにする。 【構成】 共振器長４Ａを越えて延在し且つ出力側の端
面に至る間を例えば共振器長部分に比較して薄く形成す
ることでレーザ光に対する透明部分４Ｂとした活性層４
を備えて横モードが安定なレーザ光を出射する。
に構成を改変をすることで、光出力の高低に拘わらず、
常に屈折率導波が行なわれるようにする。 【構成】 共振器長４Ａを越えて延在し且つ出力側の端
面に至る間を例えば共振器長部分に比較して薄く形成す
ることでレーザ光に対する透明部分４Ｂとした活性層４
を備えて横モードが安定なレーザ光を出射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファイバ増幅器を励起
するのに好適とされている０．９８〔μｍ〕帯の光を発
生させることができるリッジ導波路付き半導体レーザに
関する。
するのに好適とされている０．９８〔μｍ〕帯の光を発
生させることができるリッジ導波路付き半導体レーザに
関する。
【０００２】現在、光ファイバを利用した光通信システ
ムは、大容量の幹線に採用されているのであるが、光フ
ァイバには、伝送損失があることから、それを補う為の
中継器が不可欠である。
ムは、大容量の幹線に採用されているのであるが、光フ
ァイバには、伝送損失があることから、それを補う為の
中継器が不可欠である。
【０００３】近年、中継器として、光を直接増幅できる
ファイバ増幅器が開発され、一般に用いられつつある。
このファイバ増幅器を励起する光源には、１．４８〔μ
ｍ〕帯及び０．９８〔μｍ〕帯の半導体レーザを対応さ
せることが考えられている。
ファイバ増幅器が開発され、一般に用いられつつある。
このファイバ増幅器を励起する光源には、１．４８〔μ
ｍ〕帯及び０．９８〔μｍ〕帯の半導体レーザを対応さ
せることが考えられている。
【０００４】これ等のレーザのうち、０．９８〔μｍ〕
帯のものは、１．４８〔μｍ〕帯のものに比較して低し
きい値であり、そこで、その波長帯の光を発生させるこ
とが可能で、且つ、例えば埋め込み構造に比較して製造
が容易なリッジ導波路構造のものが採用されようとして
いる。
帯のものは、１．４８〔μｍ〕帯のものに比較して低し
きい値であり、そこで、その波長帯の光を発生させるこ
とが可能で、且つ、例えば埋め込み構造に比較して製造
が容易なリッジ導波路構造のものが採用されようとして
いる。
【０００５】然しながら、前記リッジ導波路構造をなす
０．９８〔μｍ〕帯のレーザは、高出力時に横方向に於
けるキャリヤのホール・バーニングの為、横モードが不
安定になるので、それを改善しなければならない。
０．９８〔μｍ〕帯のレーザは、高出力時に横方向に於
けるキャリヤのホール・バーニングの為、横モードが不
安定になるので、それを改善しなければならない。
【０００６】
【従来の技術】通常、ファイバに光を結合させることが
必要な半導体レーザでは、安定な光結合を実現させる
為、レーザの横モードを単一にする必要がある。
必要な半導体レーザでは、安定な光結合を実現させる
為、レーザの横モードを単一にする必要がある。
【０００７】そこで、埋め込み構造或いはリッジ導波路
構造などを採用することで、活性層と活性層以外の部分
とで屈折率差をつけ、それに依って単一横モードを実現
させるようにしている。
構造などを採用することで、活性層と活性層以外の部分
とで屈折率差をつけ、それに依って単一横モードを実現
させるようにしている。
【０００８】特に、製造が容易であるリッジ導波路構造
をもつレーザでは、活性層より上部で構造を変化させ、
その影響で活性層の等価的な屈折率が変わることを利用
し、横方向の光閉じ込めを行なっている。
をもつレーザでは、活性層より上部で構造を変化させ、
その影響で活性層の等価的な屈折率が変わることを利用
し、横方向の光閉じ込めを行なっている。
【０００９】図７は従来の標準的なリッジ導波路構造を
もった半導体レーザを表す要部斜面図である。
もった半導体レーザを表す要部斜面図である。
【００１０】図に於いて、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２は
ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層、３はｎ型ＧａＡｓ光閉じ込
め層、４は歪み量子井戸活性層、５はｐ型光閉じ込め
層、６はｐ型ＩｎＧａＰクラッド層、７はｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層、８はＳｉＯ2 からなる絶縁膜、９はｐ側
電極、１０はｎ側電極をそれぞれ示している。
ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層、３はｎ型ＧａＡｓ光閉じ込
め層、４は歪み量子井戸活性層、５はｐ型光閉じ込め
層、６はｐ型ＩｎＧａＰクラッド層、７はｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層、８はＳｉＯ2 からなる絶縁膜、９はｐ側
電極、１０はｎ側電極をそれぞれ示している。
【００１１】良く知られているように、図示された半導
体レーザは、リッジ導波路構造にしてある為、リッジの
下方に位置する活性層４の領域に於ける屈折率に比較し
て、その両側方に於ける屈折率が等価的に低くなる為、
リッジの直下に対応する活性層４に於いてストライプの
光閉じ込めを実現することができる。
体レーザは、リッジ導波路構造にしてある為、リッジの
下方に位置する活性層４の領域に於ける屈折率に比較し
て、その両側方に於ける屈折率が等価的に低くなる為、
リッジの直下に対応する活性層４に於いてストライプの
光閉じ込めを実現することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リッジ導波
路構造に於いては、電流が屈折率導波路以外の部分にも
流れる為、完全な屈折率導波路にはなっていないこと、
また、それに利得導波も重なって横モードが生成され
る。
路構造に於いては、電流が屈折率導波路以外の部分にも
流れる為、完全な屈折率導波路にはなっていないこと、
また、それに利得導波も重なって横モードが生成され
る。
【００１３】特に、高出力時には、横方向に於けるキャ
リヤのホール・バーニングが発生して、屈折率導波の場
合のモードと大きく異なる不安定なモードが励起され、
従って、光出力の高低に起因してファイバへの光結合が
大きく変化することになる。
リヤのホール・バーニングが発生して、屈折率導波の場
合のモードと大きく異なる不安定なモードが励起され、
従って、光出力の高低に起因してファイバへの光結合が
大きく変化することになる。
【００１４】本発明は、簡単な構成改変をすることで、
光出力の高低に拘わらず、常に屈折率導波が行なわれる
ようにする。
光出力の高低に拘わらず、常に屈折率導波が行なわれる
ようにする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体レー
ザから取り出される光の横断面形状、即ち、光の分布
は、出力端近傍に於ける光のモードに依って決まり、ま
た、リッジ導波路付きの半導体レーザに於いて、活性層
がレーザ光に対して透明になると完全な屈折率導波にな
る旨の知見を利用している。
ザから取り出される光の横断面形状、即ち、光の分布
は、出力端近傍に於ける光のモードに依って決まり、ま
た、リッジ導波路付きの半導体レーザに於いて、活性層
がレーザ光に対して透明になると完全な屈折率導波にな
る旨の知見を利用している。
【００１６】図１は本発明の原理を解説する為の半導体
レーザなどを表す要部切断側面説明図である。尚、簡明
にする為、図では必要部分のみを表してある為、多くの
省略がある。
レーザなどを表す要部切断側面説明図である。尚、簡明
にする為、図では必要部分のみを表してある為、多くの
省略がある。
【００１７】図に於いて、４は活性層、４Ａは共振器長
（レーザ・ダイオード部分）、４Ｂは透明部分、１１は
光ファイバをそれぞれ示している。尚、共振器長４Ａ
は、波長０．９８〔μｍ〕帯のレーザ光を発生させるの
に必要な長さとする。
（レーザ・ダイオード部分）、４Ｂは透明部分、１１は
光ファイバをそれぞれ示している。尚、共振器長４Ａ
は、波長０．９８〔μｍ〕帯のレーザ光を発生させるの
に必要な長さとする。
【００１８】図から明らかなように、本発明では、レー
ザ光に対して透明である部分４Ｂを出力側の端面近傍に
形成した活性層４を用いることが基本になっていて、そ
の為には、図示されているように、活性層４の出力端近
傍の部分を薄くしたり、或いは、無秩序化したり、イオ
ン注入するなどの手段が採られる。
ザ光に対して透明である部分４Ｂを出力側の端面近傍に
形成した活性層４を用いることが基本になっていて、そ
の為には、図示されているように、活性層４の出力端近
傍の部分を薄くしたり、或いは、無秩序化したり、イオ
ン注入するなどの手段が採られる。
【００１９】前記したところから、本発明のリッジ導波
路付き半導体レーザに於いては、（１）共振器長を越え
て延在し且つ出力側の端面に至る間をレーザ光に対する
透明部分とした活性層を備えてなることを特徴とする
か、或いは、
路付き半導体レーザに於いては、（１）共振器長を越え
て延在し且つ出力側の端面に至る間をレーザ光に対する
透明部分とした活性層を備えてなることを特徴とする
か、或いは、
【００２０】（２）共振器長を越えて延在し且つ出力側
の端面に至る間を共振器長部分に比較して薄くした活性
層を備えてなることを特徴とするか、或いは、
の端面に至る間を共振器長部分に比較して薄くした活性
層を備えてなることを特徴とするか、或いは、
【００２１】（３）共振器長を越えて延在し且つ出力側
の端面に至る間を無秩序化した活性層を備えてなること
を特徴とするか、或いは、
の端面に至る間を無秩序化した活性層を備えてなること
を特徴とするか、或いは、
【００２２】（４）共振器長を越えて延在し且つ出力側
の端面に至る間をイオン注入領域とした活性層を備えて
なることを特徴とする。
の端面に至る間をイオン注入領域とした活性層を備えて
なることを特徴とする。
【００２３】
【作用】前記手段を採ることに依り、リッジ導波路付き
構造でありながら、活性層の共振器長部分で得られた光
は、レーザ光に対して透明である出力端近傍で安定な横
モードとなり、光出力の高低に拘わらず、光ファイバと
の安定な光結合を実現することができる。
構造でありながら、活性層の共振器長部分で得られた光
は、レーザ光に対して透明である出力端近傍で安定な横
モードとなり、光出力の高低に拘わらず、光ファイバと
の安定な光結合を実現することができる。
【００２４】
【実施例】図２乃至図６は本発明一実施例を製造する工
程を解説する為の工程要所に於けるリッジ導波路付き半
導体レーザを表す要部切断斜面説明図であり、以下、こ
れ等の図を参照しつつ説明する。
程を解説する為の工程要所に於けるリッジ導波路付き半
導体レーザを表す要部切断斜面説明図であり、以下、こ
れ等の図を参照しつつ説明する。
【００２５】図２参照 ２−（１） 熱化学気相堆積（ｔｈｅｒｍａｌ ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：熱ＣＶＤ）法を適
用することに依り、基板２１に厚さ例えば２０００
〔Å〕のＳｉＯ2 膜２２を形成する。
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：熱ＣＶＤ）法を適
用することに依り、基板２１に厚さ例えば２０００
〔Å〕のＳｉＯ2 膜２２を形成する。
【００２６】ここで、基板２１として、 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 のものを用いている。
【００２７】２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス並びにエ
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜２
２のエッチングを行なって一方の端面で幅が例えば２０
〔μｍ〕であり且つ他方の端面近傍で徐々に拡幅されて
４０〔μｍ〕に達するストライプの開口２２Ａを形成す
る。尚、前記他方の端面は、レーザの出力側端面にな
る。
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜２
２のエッチングを行なって一方の端面で幅が例えば２０
〔μｍ〕であり且つ他方の端面近傍で徐々に拡幅されて
４０〔μｍ〕に達するストライプの開口２２Ａを形成す
る。尚、前記他方の端面は、レーザの出力側端面にな
る。
【００２８】２−（３） レジスト剥離液中に浸漬し、ＳｉＯ2 膜２２をエッチン
グする為のマスクとして用いたレジスト膜を除去する。
グする為のマスクとして用いたレジスト膜を除去する。
【００２９】図３参照 ３−（１） 有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖ
ａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ）
法を適用することに依り、基板２１にバッファ層２３、
クラッド層２４、光導波路層（スペーサ層）２５、活性
層２６、光導波路層（スペーサ層）２７、クラッド層２
８、コンタクト層２９を積層成長させる。尚、光導波路
層２５並びに２７はＳＣＨ（ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎ
ｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
を構成している。
ａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ）
法を適用することに依り、基板２１にバッファ層２３、
クラッド層２４、光導波路層（スペーサ層）２５、活性
層２６、光導波路層（スペーサ層）２７、クラッド層２
８、コンタクト層２９を積層成長させる。尚、光導波路
層２５並びに２７はＳＣＨ（ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎ
ｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
を構成している。
【００３０】ここで成長させた各半導体層全体は順メサ
形状のリッジをなし、その底面、即ち、バッファ層２３
の幅は当然のことながら４０〔μｍ〕であり、また、そ
の頂面、即ち、コンタクト層２９の幅は２０〔μｍ〕と
なる。
形状のリッジをなし、その底面、即ち、バッファ層２３
の幅は当然のことながら４０〔μｍ〕であり、また、そ
の頂面、即ち、コンタクト層２９の幅は２０〔μｍ〕と
なる。
【００３１】各半導体層に関する主要なデータを例示す
ると次の通りである。尚、各半導体層は、成長マスクで
あるＳｉＯ2 膜２２に於ける開口２２Ａのパターンの影
響で、出力側の端面近傍で徐々に薄くなり始め、最終で
は半分になっている。
ると次の通りである。尚、各半導体層は、成長マスクで
あるＳｉＯ2 膜２２に於ける開口２２Ａのパターンの影
響で、出力側の端面近傍で徐々に薄くなり始め、最終で
は半分になっている。
【００３２】 バッファ層２３について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）
【００３３】 クラッド２４について 材料：ｎ−ＩｎＧａＰ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：１〔μｍ〕 ０．５〔μｍ〕（出力側の端面）
【００３４】 光導波路層２５について 材料：ＧａＡｓ 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）
【００３５】 活性層２６について 材料：Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ 厚さ：１０〔ｎｍ〕 ５〔ｎｍ〕（出力側の端面）
【００３６】 光導波路層２７について 材料：ＧａＡｓ 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）
【００３７】 クラッド層２８について 材料：ｐ−ＩｎＧａＰ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：１〔μｍ〕 ０．５〔μｍ〕（出力側の端面）
【００３８】 コンタクト層２９について 材料：ｐ−ＧａＡｓ 不純物濃度：１×１０19〔cm-3〕 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）
【００３９】図４参照 ４−（１） 熱ＣＶＤ法を適用することに依り、全面に厚さ例えば２
０００〔Å〕のＳｉＯ2 膜３０を形成する。
０００〔Å〕のＳｉＯ2 膜３０を形成する。
【００４０】４−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス並びにエ
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜３
０のエッチングを行なって、中央に幅を５〔μｍ〕とし
たストライプの間隔を介在させ、同じく幅を５〔μｍ〕
とした二本のストライプの開口３０Ａを対向して形成す
る。
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜３
０のエッチングを行なって、中央に幅を５〔μｍ〕とし
たストライプの間隔を介在させ、同じく幅を５〔μｍ〕
とした二本のストライプの開口３０Ａを対向して形成す
る。
【００４１】図５参照 ５−（１） エッチャントをフッ化水素酸＋過酸化水素水（ＧａＡｓ
用）及び塩化水素酸（ＩｎＧａＰ用）とするウエット・
エッチング法を適用することに依り、二本のストライプ
の開口３０ＡをもつＳｉＯ2 膜３０をマスクとしてコン
タクト層２９及びクラッド層２８のエッチングを行なっ
て溝２９Ａを形成する。
用）及び塩化水素酸（ＩｎＧａＰ用）とするウエット・
エッチング法を適用することに依り、二本のストライプ
の開口３０ＡをもつＳｉＯ2 膜３０をマスクとしてコン
タクト層２９及びクラッド層２８のエッチングを行なっ
て溝２９Ａを形成する。
【００４２】５−（２） フッ化水素酸系エッチング液中に浸漬し、エッチング・
マスクとして用いたＳｉＯ2 膜３０を除去する。
マスクとして用いたＳｉＯ2 膜３０を除去する。
【００４３】図６参照 ６−（１） 熱ＣＶＤ法を適用することに依り、全面に厚さ例えば２
０００〔Å〕のＳｉＯ2 膜３１を形成する。
０００〔Å〕のＳｉＯ2 膜３１を形成する。
【００４４】６−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス並びにエ
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜３
１のエッチングを行なってリッジの頂面に幅を例えば３
〔μｍ〕とする開口を形成する。
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜３
１のエッチングを行なってリッジの頂面に幅を例えば３
〔μｍ〕とする開口を形成する。
【００４５】６−（３） 真空蒸着法を適用することに依り、厚さを例えば１００
０〔Å〕／２０００〔Å〕とするＴｉ／Ｐｔからなるｐ
側電極３２を形成する。
０〔Å〕／２０００〔Å〕とするＴｉ／Ｐｔからなるｐ
側電極３２を形成する。
【００４６】この後、通常の技法を適用することに依
り、基板２１の裏面を研磨して１００〔μｍ〕程度の厚
さにしてから、厚さを例えば５００〔Å〕／２０００
〔Å〕とするＡｕＧｅ／Ａｕからなる電極材料膜を形成
し、共振器長が９００〔μｍ〕、幅が３００〔μｍ〕と
なるように加工してｎ側電極を完成する。実装する場
合、この裏面側がヒート・シンクに取り付けられる。
り、基板２１の裏面を研磨して１００〔μｍ〕程度の厚
さにしてから、厚さを例えば５００〔Å〕／２０００
〔Å〕とするＡｕＧｅ／Ａｕからなる電極材料膜を形成
し、共振器長が９００〔μｍ〕、幅が３００〔μｍ〕と
なるように加工してｎ側電極を完成する。実装する場
合、この裏面側がヒート・シンクに取り付けられる。
【００４７】本発明は、前記実施例に限られることな
く、他に多くの改変が可能であり、例えば、活性層の共
振器長を越えて出力側の端面に至る間を適当な手段、例
えば、Ｓｉドーパントに依って無秩序化することでレー
ザ光に対して透明にしたり、或いは、イオンを注入する
ことでレーザ光に対して透明にするなどは任意である。
く、他に多くの改変が可能であり、例えば、活性層の共
振器長を越えて出力側の端面に至る間を適当な手段、例
えば、Ｓｉドーパントに依って無秩序化することでレー
ザ光に対して透明にしたり、或いは、イオンを注入する
ことでレーザ光に対して透明にするなどは任意である。
【００４８】
【発明の効果】本発明に依るリッジ導波路付き半導体レ
ーザに於いては、共振器長を越えて延在し且つ出力側の
端面に至る間をレーザ光に対する透明部分とした活性層
を備える。
ーザに於いては、共振器長を越えて延在し且つ出力側の
端面に至る間をレーザ光に対する透明部分とした活性層
を備える。
【００４９】前記構成を採ることに依り、リッジ導波路
付き構造でありながら、活性層の共振器長部分で得られ
たレーザ光は、レーザ光に対して透明である出力端近傍
で安定な横モードとなり、光出力の高低に拘わらず、光
ファイバとの安定な光結合を実現することができる。
付き構造でありながら、活性層の共振器長部分で得られ
たレーザ光は、レーザ光に対して透明である出力端近傍
で安定な横モードとなり、光出力の高低に拘わらず、光
ファイバとの安定な光結合を実現することができる。
【図１】本発明の原理を解説する為の半導体レーザなど
を表す要部切断側面説明図である。
を表す要部切断側面説明図である。
【図２】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
【図３】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
【図４】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
【図５】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
【図６】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。
【図７】従来の標準的なリッジ導波路構造をもった半導
体レーザを表す要部斜面図である。
体レーザを表す要部斜面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層 ３ ｎ型ＧａＡｓ光閉じ込め層 ４ 歪み量子井戸活性層 ４Ａ 共振器長（レーザ・ダイオード部分） ４Ｂ 透明部分 ５ ｐ型光閉じ込め層 ６ ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層 ７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ８ ＳｉＯ2 からなる絶縁膜 ９ ｐ側電極 １０ ｎ側電極 １１ 光ファイバ
Claims (4)
- 【請求項１】共振器長を越えて延在し且つ出力側の端面
に至る間をレーザ光に対する透明部分とした活性層を備
えてなることを特徴とするリッジ導波路付き半導体レー
ザ。 - 【請求項２】共振器長を越えて延在し且つ出力側の端面
に至る間を共振器長部分に比較して薄くした活性層を備
えてなることを特徴とするリッジ導波路付き半導体レー
ザ。 - 【請求項３】共振器長を越えて延在し且つ出力側の端面
に至る間を無秩序化した活性層を備えてなることを特徴
とするリッジ導波路付き半導体レーザ。 - 【請求項４】共振器長を越えて延在し且つ出力側の端面
に至る間をイオン注入領域とした活性層を備えてなるこ
とを特徴とするリッジ導波路付き半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28791493A JPH07142809A (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | リッジ導波路付き半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28791493A JPH07142809A (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | リッジ導波路付き半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142809A true JPH07142809A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17723367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28791493A Withdrawn JPH07142809A (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | リッジ導波路付き半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358405A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-11-17 JP JP28791493A patent/JPH07142809A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358405A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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