JPH07142809A - Semiconductor laser with ridge waveguide - Google Patents
Semiconductor laser with ridge waveguideInfo
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- JPH07142809A JPH07142809A JP28791493A JP28791493A JPH07142809A JP H07142809 A JPH07142809 A JP H07142809A JP 28791493 A JP28791493 A JP 28791493A JP 28791493 A JP28791493 A JP 28791493A JP H07142809 A JPH07142809 A JP H07142809A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ファイバ増幅器を励起
するのに好適とされている０．９８〔μｍ〕帯の光を発
生させることができるリッジ導波路付き半導体レーザに
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser with a ridge waveguide capable of generating light in the 0.98 [μm] band which is suitable for pumping a fiber amplifier.
【０００２】現在、光ファイバを利用した光通信システ
ムは、大容量の幹線に採用されているのであるが、光フ
ァイバには、伝送損失があることから、それを補う為の
中継器が不可欠である。At present, an optical communication system using an optical fiber is adopted for a large capacity trunk line. However, since the optical fiber has a transmission loss, a repeater for compensating for it is indispensable. is there.
【０００３】近年、中継器として、光を直接増幅できる
ファイバ増幅器が開発され、一般に用いられつつある。
このファイバ増幅器を励起する光源には、１．４８〔μ
ｍ〕帯及び０．９８〔μｍ〕帯の半導体レーザを対応さ
せることが考えられている。In recent years, as a repeater, a fiber amplifier capable of directly amplifying light has been developed and is being generally used.
The light source that pumps this fiber amplifier is 1.48 [μ
It has been considered that semiconductor lasers of the [m] band and the 0.98 [μm] band are made to correspond to each other.
【０００４】これ等のレーザのうち、０．９８〔μｍ〕
帯のものは、１．４８〔μｍ〕帯のものに比較して低し
きい値であり、そこで、その波長帯の光を発生させるこ
とが可能で、且つ、例えば埋め込み構造に比較して製造
が容易なリッジ導波路構造のものが採用されようとして
いる。Of these lasers, 0.98 [μm]
The band has a lower threshold value than that of the 1.48 [μm] band, so that light in that wavelength band can be generated, and it is manufactured as compared with, for example, a buried structure. A ridge waveguide structure that is easy to manufacture is being adopted.
【０００５】然しながら、前記リッジ導波路構造をなす
０．９８〔μｍ〕帯のレーザは、高出力時に横方向に於
けるキャリヤのホール・バーニングの為、横モードが不
安定になるので、それを改善しなければならない。However, in the 0.98 [μm] band laser which forms the ridge waveguide structure, the transverse mode becomes unstable due to hole burning of carriers in the transverse direction at the time of high output. Must improve.
【０００６】[0006]
【従来の技術】通常、ファイバに光を結合させることが
必要な半導体レーザでは、安定な光結合を実現させる
為、レーザの横モードを単一にする必要がある。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor laser that requires light to be coupled into a fiber, it is necessary to have a single transverse mode of the laser in order to realize stable optical coupling.
【０００７】そこで、埋め込み構造或いはリッジ導波路
構造などを採用することで、活性層と活性層以外の部分
とで屈折率差をつけ、それに依って単一横モードを実現
させるようにしている。Therefore, by adopting a buried structure or a ridge waveguide structure, a difference in refractive index is provided between the active layer and a portion other than the active layer, so that a single transverse mode is realized.
【０００８】特に、製造が容易であるリッジ導波路構造
をもつレーザでは、活性層より上部で構造を変化させ、
その影響で活性層の等価的な屈折率が変わることを利用
し、横方向の光閉じ込めを行なっている。Particularly, in a laser having a ridge waveguide structure which is easy to manufacture, the structure is changed above the active layer,
The effect of changing the equivalent refractive index of the active layer is utilized to confine light in the lateral direction.
【０００９】図７は従来の標準的なリッジ導波路構造を
もった半導体レーザを表す要部斜面図である。FIG. 7 is a perspective view of an essential part showing a semiconductor laser having a conventional standard ridge waveguide structure.
【００１０】図に於いて、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２は
ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層、３はｎ型ＧａＡｓ光閉じ込
め層、４は歪み量子井戸活性層、５はｐ型光閉じ込め
層、６はｐ型ＩｎＧａＰクラッド層、７はｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層、８はＳｉＯ2 からなる絶縁膜、９はｐ側
電極、１０はｎ側電極をそれぞれ示している。In the figure, 1 is an n-type GaAs substrate, 2 is an n-type InGaP cladding layer, 3 is an n-type GaAs optical confinement layer, 4 is a strained quantum well active layer, 5 is a p-type optical confinement layer, and 6 is p-type InGaP clad layer, 7 p-type GaAs
A contact layer, 8 is an insulating film made of SiO 2 , 9 is a p-side electrode, and 10 is an n-side electrode.
【００１１】良く知られているように、図示された半導
体レーザは、リッジ導波路構造にしてある為、リッジの
下方に位置する活性層４の領域に於ける屈折率に比較し
て、その両側方に於ける屈折率が等価的に低くなる為、
リッジの直下に対応する活性層４に於いてストライプの
光閉じ込めを実現することができる。As is well known, since the illustrated semiconductor laser has a ridge waveguide structure, it has both sides of the refractive index in the region of the active layer 4 located below the ridge. Since the refractive index in the direction becomes equivalently low,
Stripe light confinement can be realized in the active layer 4 corresponding to directly under the ridge.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところで、リッジ導波
路構造に於いては、電流が屈折率導波路以外の部分にも
流れる為、完全な屈折率導波路にはなっていないこと、
また、それに利得導波も重なって横モードが生成され
る。By the way, in the ridge waveguide structure, since the current also flows through the portion other than the refractive index waveguide, it is not a perfect refractive index waveguide.
Further, the gain waveguide is also overlapped with it to generate a transverse mode.
【００１３】特に、高出力時には、横方向に於けるキャ
リヤのホール・バーニングが発生して、屈折率導波の場
合のモードと大きく異なる不安定なモードが励起され、
従って、光出力の高低に起因してファイバへの光結合が
大きく変化することになる。In particular, at the time of high output, hole burning of carriers occurs in the lateral direction, and an unstable mode greatly different from the mode in the case of index guiding is excited,
Therefore, the optical coupling to the fiber changes greatly due to the high and low optical output.
【００１４】本発明は、簡単な構成改変をすることで、
光出力の高低に拘わらず、常に屈折率導波が行なわれる
ようにする。The present invention, by making a simple configuration modification,
Regardless of whether the optical output is high or low, the index guiding is always performed.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体レー
ザから取り出される光の横断面形状、即ち、光の分布
は、出力端近傍に於ける光のモードに依って決まり、ま
た、リッジ導波路付きの半導体レーザに於いて、活性層
がレーザ光に対して透明になると完全な屈折率導波にな
る旨の知見を利用している。According to the present invention, the cross-sectional shape of light extracted from a semiconductor laser, that is, the distribution of light, is determined by the mode of light in the vicinity of the output end, and the ridge waveguide is used. In the attached semiconductor laser, the knowledge that the active layer becomes transparent to the laser light becomes a complete refractive index guide is utilized.
【００１６】図１は本発明の原理を解説する為の半導体
レーザなどを表す要部切断側面説明図である。尚、簡明
にする為、図では必要部分のみを表してある為、多くの
省略がある。FIG. 1 is a sectional side view of a main part of a semiconductor laser or the like for explaining the principle of the present invention. It should be noted that, for the sake of simplicity, only the necessary parts are shown in the figure, and therefore many omissions are made.
【００１７】図に於いて、４は活性層、４Ａは共振器長
（レーザ・ダイオード部分）、４Ｂは透明部分、１１は
光ファイバをそれぞれ示している。尚、共振器長４Ａ
は、波長０．９８〔μｍ〕帯のレーザ光を発生させるの
に必要な長さとする。In the figure, 4 is an active layer, 4A is a resonator length (laser diode portion), 4B is a transparent portion, and 11 is an optical fiber. Resonator length 4A
Is a length required to generate a laser beam having a wavelength of 0.98 [μm] band.
【００１８】図から明らかなように、本発明では、レー
ザ光に対して透明である部分４Ｂを出力側の端面近傍に
形成した活性層４を用いることが基本になっていて、そ
の為には、図示されているように、活性層４の出力端近
傍の部分を薄くしたり、或いは、無秩序化したり、イオ
ン注入するなどの手段が採られる。As is apparent from the figure, the present invention is based on the use of the active layer 4 in which the portion 4B transparent to the laser beam is formed in the vicinity of the end face on the output side. As shown in the figure, means such as thinning the portion near the output end of the active layer 4, making it disordered, or implanting ions can be used.
【００１９】前記したところから、本発明のリッジ導波
路付き半導体レーザに於いては、（１）共振器長を越え
て延在し且つ出力側の端面に至る間をレーザ光に対する
透明部分とした活性層を備えてなることを特徴とする
か、或いは、From the above, in the semiconductor laser with a ridge waveguide of the present invention, (1) a portion which extends beyond the cavity length and reaches the end face on the output side is a transparent portion for laser light. Characterized by comprising an active layer, or
【００２０】（２）共振器長を越えて延在し且つ出力側
の端面に至る間を共振器長部分に比較して薄くした活性
層を備えてなることを特徴とするか、或いは、(2) It is characterized in that it comprises an active layer which extends beyond the cavity length and is made thinner between the end face on the output side than the cavity length portion, or
【００２１】（３）共振器長を越えて延在し且つ出力側
の端面に至る間を無秩序化した活性層を備えてなること
を特徴とするか、或いは、(3) It is characterized in that it comprises an active layer which extends beyond the cavity length and has a disordered portion extending to the end face on the output side, or
【００２２】（４）共振器長を越えて延在し且つ出力側
の端面に至る間をイオン注入領域とした活性層を備えて
なることを特徴とする。(4) The invention is characterized in that an active layer is provided which extends beyond the cavity length and has an ion implantation region extending to the end face on the output side.
【００２３】[0023]
【作用】前記手段を採ることに依り、リッジ導波路付き
構造でありながら、活性層の共振器長部分で得られた光
は、レーザ光に対して透明である出力端近傍で安定な横
モードとなり、光出力の高低に拘わらず、光ファイバと
の安定な光結合を実現することができる。By adopting the above-mentioned means, the light obtained in the cavity length portion of the active layer has a stable transverse mode near the output end even though it has a structure with a ridge waveguide. Therefore, stable optical coupling with the optical fiber can be realized regardless of the level of the optical output.
【００２４】[0024]
【実施例】図２乃至図６は本発明一実施例を製造する工
程を解説する為の工程要所に於けるリッジ導波路付き半
導体レーザを表す要部切断斜面説明図であり、以下、こ
れ等の図を参照しつつ説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 2 to 6 are explanatory views of a principal part cut slope showing a semiconductor laser with a ridge waveguide in a process key point for explaining a process for manufacturing an embodiment of the present invention. A description will be given with reference to the drawings.
【００２５】図２参照 ２−（１） 熱化学気相堆積（ｔｈｅｒｍａｌ ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：熱ＣＶＤ）法を適
用することに依り、基板２１に厚さ例えば２０００
〔Å〕のＳｉＯ2 膜２２を形成する。See FIG. 2 2- (1) Thermal chemical vapor deposition
By applying a vapor deposition (thermal CVD) method, the substrate 21 has a thickness of, for example, 2000.
The SiO 2 film 22 of [Å] is formed.
【００２６】ここで、基板２１として、 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 のものを用いている。Here, as the substrate 21, a material: n-GaAs impurity concentration: 5 × 10 17 [cm −3 ] is used.
【００２７】２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス並びにエ
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜２
２のエッチングを行なって一方の端面で幅が例えば２０
〔μｍ〕であり且つ他方の端面近傍で徐々に拡幅されて
４０〔μｍ〕に達するストライプの開口２２Ａを形成す
る。尚、前記他方の端面は、レーザの出力側端面にな
る。2- (2) By applying a resist process in the lithography technique and a wet etching method using a hydrofluoric acid-based etching solution as an etchant, the SiO 2 film 2 is formed.
2 and the width of one end face is, for example, 20
A stripe opening 22A having a width of [μm] and being gradually widened in the vicinity of the other end face to reach 40 μm is formed. The other end face is the output end face of the laser.
【００２８】２−（３） レジスト剥離液中に浸漬し、ＳｉＯ2 膜２２をエッチン
グする為のマスクとして用いたレジスト膜を除去する。2- (3) Immerse in a resist stripping solution to remove the resist film used as a mask for etching the SiO 2 film 22.
【００２９】図３参照 ３−（１） 有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖ
ａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ）
法を適用することに依り、基板２１にバッファ層２３、
クラッド層２４、光導波路層（スペーサ層）２５、活性
層２６、光導波路層（スペーサ層）２７、クラッド層２
８、コンタクト層２９を積層成長させる。尚、光導波路
層２５並びに２７はＳＣＨ（ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎ
ｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
を構成している。See FIG. 3 3- (1) Metalorganic chemical vapor deposition
apor phase epitaxy: MOVPE)
The buffer layer 23 on the substrate 21,
Cladding layer 24, optical waveguide layer (spacer layer) 25, active layer 26, optical waveguide layer (spacer layer) 27, cladding layer 2
8. The contact layer 29 is grown. The optical waveguide layers 25 and 27 are formed by SCH (separate con
finement heterostructure)
Are configured.
【００３０】ここで成長させた各半導体層全体は順メサ
形状のリッジをなし、その底面、即ち、バッファ層２３
の幅は当然のことながら４０〔μｍ〕であり、また、そ
の頂面、即ち、コンタクト層２９の幅は２０〔μｍ〕と
なる。The entire semiconductor layers grown here form a forward mesa-shaped ridge, and the bottom surface thereof, that is, the buffer layer 23.
Is 40 [μm] as a matter of course, and the width of the top surface, that is, the contact layer 29 is 20 [μm].
【００３１】各半導体層に関する主要なデータを例示す
ると次の通りである。尚、各半導体層は、成長マスクで
あるＳｉＯ2 膜２２に於ける開口２２Ａのパターンの影
響で、出力側の端面近傍で徐々に薄くなり始め、最終で
は半分になっている。The main data regarding each semiconductor layer are as follows. Incidentally, each semiconductor layer gradually begins to become thin in the vicinity of the end face on the output side due to the influence of the pattern of the opening 22A in the SiO 2 film 22 serving as a growth mask, and finally becomes half.
【００３２】 バッファ層２３について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）Regarding the buffer layer 23 Material: n-GaAs Impurity concentration: 1 × 10 18 [cm −3 ] Thickness: 0.1 [μm] 0.05 [μm] (end face on output side)
【００３３】 クラッド２４について 材料：ｎ−ＩｎＧａＰ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：１〔μｍ〕 ０．５〔μｍ〕（出力側の端面）Regarding the clad 24 Material: n-InGaP Impurity concentration: 1 × 10 18 [cm −3 ] Thickness: 1 [μm] 0.5 [μm] (end face on output side)
【００３４】 光導波路層２５について 材料：ＧａＡｓ 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）About the optical waveguide layer 25 Material: GaAs Thickness: 0.1 [μm] 0.05 [μm] (end face on the output side)
【００３５】 活性層２６について 材料：Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ 厚さ：１０〔ｎｍ〕 ５〔ｎｍ〕（出力側の端面）Regarding the active layer 26 Material: In 0.2 Ga 0.8 As Thickness: 10 [nm] 5 [nm] (end face on the output side)
【００３６】 光導波路層２７について 材料：ＧａＡｓ 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）About the optical waveguide layer 27 Material: GaAs Thickness: 0.1 [μm] 0.05 [μm] (end face on the output side)
【００３７】 クラッド層２８について 材料：ｐ−ＩｎＧａＰ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：１〔μｍ〕 ０．５〔μｍ〕（出力側の端面）Regarding the clad layer 28 Material: p-InGaP Impurity concentration: 1 × 10 18 [cm −3 ] Thickness: 1 [μm] 0.5 [μm] (output side end face)
【００３８】 コンタクト層２９について 材料：ｐ−ＧａＡｓ 不純物濃度：１×１０19〔cm-3〕 厚さ：０．１〔μｍ〕 ０．０５〔μｍ〕（出力側の端面）Contact Layer 29 Material: p-GaAs Impurity concentration: 1 × 10 19 [cm −3 ] Thickness: 0.1 [μm] 0.05 [μm] (end face on output side)
【００３９】図４参照 ４−（１） 熱ＣＶＤ法を適用することに依り、全面に厚さ例えば２
０００〔Å〕のＳｉＯ2 膜３０を形成する。See FIG. 4. 4- (1) By applying the thermal CVD method, the entire surface has a thickness of, for example, 2
A SiO 2 film 30 of 000 [Å] is formed.
【００４０】４−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス並びにエ
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜３
０のエッチングを行なって、中央に幅を５〔μｍ〕とし
たストライプの間隔を介在させ、同じく幅を５〔μｍ〕
とした二本のストライプの開口３０Ａを対向して形成す
る。4- (2) By applying a resist process in the lithography technique and a wet etching method using a hydrofluoric acid etching solution as an etchant, the SiO 2 film 3 is formed.
0 etching is performed, and a stripe interval having a width of 5 [μm] is interposed in the center, and the width is also 5 [μm].
The two stripe openings 30A are formed so as to face each other.
【００４１】図５参照 ５−（１） エッチャントをフッ化水素酸＋過酸化水素水（ＧａＡｓ
用）及び塩化水素酸（ＩｎＧａＰ用）とするウエット・
エッチング法を適用することに依り、二本のストライプ
の開口３０ＡをもつＳｉＯ2 膜３０をマスクとしてコン
タクト層２９及びクラッド層２８のエッチングを行なっ
て溝２９Ａを形成する。See FIG. 5. 5- (1) The etchant is hydrofluoric acid + hydrogen peroxide water (GaAs
Wet) and hydrochloric acid (for InGaP)
By applying the etching method, the contact layer 29 and the clad layer 28 are etched by using the SiO 2 film 30 having two stripe openings 30A as a mask to form the groove 29A.
【００４２】５−（２） フッ化水素酸系エッチング液中に浸漬し、エッチング・
マスクとして用いたＳｉＯ2 膜３０を除去する。5- (2) Etching by immersing in a hydrofluoric acid type etching solution
The SiO 2 film 30 used as the mask is removed.
【００４３】図６参照 ６−（１） 熱ＣＶＤ法を適用することに依り、全面に厚さ例えば２
０００〔Å〕のＳｉＯ2 膜３１を形成する。See FIG. 6 6- (1) By applying the thermal CVD method, the entire surface has a thickness of, for example, 2
A SiO 2 film 31 of 000 [Å] is formed.
【００４４】６−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス並びにエ
ッチャントをフッ化水素酸系エッチング液とするウエッ
ト・エッチング法を適用することに依り、ＳｉＯ2 膜３
１のエッチングを行なってリッジの頂面に幅を例えば３
〔μｍ〕とする開口を形成する。6- (2) By applying a resist process in the lithography technique and a wet etching method using a hydrofluoric acid etching solution as an etchant, the SiO 2 film 3 is formed.
1 etching to give a width of, for example, 3 at the top surface of the ridge.
An opening of [μm] is formed.
【００４５】６−（３） 真空蒸着法を適用することに依り、厚さを例えば１００
０〔Å〕／２０００〔Å〕とするＴｉ／Ｐｔからなるｐ
側電極３２を形成する。6- (3) By applying the vacuum deposition method, the thickness is set to, for example, 100.
P consisting of Ti / Pt with 0 [Å] / 2000 [Å]
The side electrode 32 is formed.
【００４６】この後、通常の技法を適用することに依
り、基板２１の裏面を研磨して１００〔μｍ〕程度の厚
さにしてから、厚さを例えば５００〔Å〕／２０００
〔Å〕とするＡｕＧｅ／Ａｕからなる電極材料膜を形成
し、共振器長が９００〔μｍ〕、幅が３００〔μｍ〕と
なるように加工してｎ側電極を完成する。実装する場
合、この裏面側がヒート・シンクに取り付けられる。Thereafter, by applying a usual technique, the back surface of the substrate 21 is polished to a thickness of about 100 [μm], and then the thickness is, for example, 500 [Å] / 2000.
An electrode material film made of AuGe / Au is formed as [Å], and processed so that the resonator length is 900 [μm] and the width is 300 [μm] to complete the n-side electrode. When mounted, this back side is attached to the heat sink.
【００４７】本発明は、前記実施例に限られることな
く、他に多くの改変が可能であり、例えば、活性層の共
振器長を越えて出力側の端面に至る間を適当な手段、例
えば、Ｓｉドーパントに依って無秩序化することでレー
ザ光に対して透明にしたり、或いは、イオンを注入する
ことでレーザ光に対して透明にするなどは任意である。The present invention is not limited to the above-described embodiment, and many other modifications can be made. It is optional to make it transparent to laser light by disordering it with Si dopant, or to make it transparent to laser light by implanting ions.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明に依るリッジ導波路付き半導体レ
ーザに於いては、共振器長を越えて延在し且つ出力側の
端面に至る間をレーザ光に対する透明部分とした活性層
を備える。A semiconductor laser with a ridge waveguide according to the present invention includes an active layer which extends beyond the cavity length and is transparent to the laser light between the end face on the output side and the end face on the output side.
【００４９】前記構成を採ることに依り、リッジ導波路
付き構造でありながら、活性層の共振器長部分で得られ
たレーザ光は、レーザ光に対して透明である出力端近傍
で安定な横モードとなり、光出力の高低に拘わらず、光
ファイバとの安定な光結合を実現することができる。By adopting the above-mentioned structure, the laser light obtained in the cavity length portion of the active layer has a stable lateral direction in the vicinity of the output end which is transparent to the laser light even though it has a structure with a ridge waveguide. The mode is set, and stable optical coupling with the optical fiber can be realized regardless of the level of the optical output.
【図１】本発明の原理を解説する為の半導体レーザなど
を表す要部切断側面説明図である。FIG. 1 is a side sectional view illustrating a main part of a semiconductor laser or the like for explaining the principle of the present invention.
【図２】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view of a principal part showing a semiconductor laser with a ridge waveguide at a process key point for explaining a process for manufacturing an embodiment of the present invention.
【図３】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a main part cut slope showing a semiconductor laser with a ridge waveguide at a process key point for explaining a process for manufacturing an embodiment of the present invention.
【図４】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view of a main-section cutaway view showing a semiconductor laser with a ridge waveguide at a main part of a process for explaining a process for manufacturing an embodiment of the present invention.
【図５】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。FIG. 5 is an explanatory sectional view of the principal part showing a semiconductor laser with a ridge waveguide at a main part of a process for explaining a process for manufacturing the embodiment of the present invention.
【図６】本発明一実施例を製造する工程を解説する為の
工程要所に於けるリッジ導波路付き半導体レーザを表す
要部切断斜面説明図である。FIG. 6 is an explanatory sectional view of an essential part showing a semiconductor laser with a ridge waveguide in a process essential part for explaining a process for manufacturing an embodiment of the present invention.
【図７】従来の標準的なリッジ導波路構造をもった半導
体レーザを表す要部斜面図である。FIG. 7 is a perspective view of a main part of a semiconductor laser having a conventional standard ridge waveguide structure.
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層 ３ ｎ型ＧａＡｓ光閉じ込め層 ４ 歪み量子井戸活性層 ４Ａ 共振器長（レーザ・ダイオード部分） ４Ｂ 透明部分 ５ ｐ型光閉じ込め層 ６ ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層 ７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ８ ＳｉＯ2 からなる絶縁膜 ９ ｐ側電極 １０ ｎ側電極 １１ 光ファイバ1 n-type GaAs substrate 2 n-type InGaP cladding layer 3 n-type GaAs optical confinement layer 4 strained quantum well active layer 4A cavity length (laser diode portion) 4B transparent portion 5 p-type optical confinement layer 6 p-type InGaP cladding layer 7 p-type GaAs contact layer 8 insulating film made of SiO 2 9 p-side electrode 10 n-side electrode 11 optical fiber
Claims (4)
に至る間をレーザ光に対する透明部分とした活性層を備
えてなることを特徴とするリッジ導波路付き半導体レー
ザ。1. A semiconductor laser with a ridge waveguide, comprising an active layer extending beyond the cavity length and having a transparent portion for laser light extending to the end face on the output side.
に至る間を共振器長部分に比較して薄くした活性層を備
えてなることを特徴とするリッジ導波路付き半導体レー
ザ。2. A semiconductor laser with a ridge waveguide, comprising an active layer which extends beyond the cavity length and is made thinner between the end face on the output side and the end face on the output side as compared with the cavity length portion. .
に至る間を無秩序化した活性層を備えてなることを特徴
とするリッジ導波路付き半導体レーザ。3. A semiconductor laser with a ridge waveguide, comprising an active layer extending beyond the cavity length and having a disordered portion extending to the end face on the output side.
に至る間をイオン注入領域とした活性層を備えてなるこ
とを特徴とするリッジ導波路付き半導体レーザ。4. A semiconductor laser with a ridge waveguide, comprising an active layer which extends beyond the cavity length and has an ion-implanted region extending to the end face on the output side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28791493A JPH07142809A (en) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | Semiconductor laser with ridge waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28791493A JPH07142809A (en) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | Semiconductor laser with ridge waveguide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142809A true JPH07142809A (en) | 1995-06-02 |
Family
ID=17723367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28791493A Withdrawn JPH07142809A (en) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | Semiconductor laser with ridge waveguide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142809A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358405A (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nec Corp | Semiconductor laser device and its manufacturing method |
-
1993
- 1993-11-17 JP JP28791493A patent/JPH07142809A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358405A (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nec Corp | Semiconductor laser device and its manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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