JP2783947B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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Description
られる光ファイバ増幅器の一部として用いられる半導体
レーザに係り、特に、エルビゥム元素をドーピングした
ファイバを用いた光増幅器のポンピング用光源となる半
導体レーザに関するものである。
例えば、「Optical Fiber Commun
ication Conference 1990 T
echnical Digest Post Dead
line papers,PD30−1,“High
Power Operation of narrow
stripe pseudomorphic sing
le quantumwell lasers emi
tting at 980 nm”に開示されるものが
あり、次にその構造及び動作について説明する。
であり、図4(a)はその半導体レーザの断面図、図4
(b)はその半導体レーザの各層の組成及び厚さを示す
図である。まず、n−GaAs基板1上にn−AlGa
Asクラッド層2、AlGaAsグレイデッド・インデ
ックスガイド層3(Alの比率が連続的に変化し、屈折
率とバンドギャップが連続的に変化している光ガイド層
であり、GRIN構造という。)、InGaAs歪み量
子井戸層4、AlGaAs−GRINガイド層5、p−
AlGaAsクラッド層6、p−GaAsコンタクト層
7を成長させる。ここでは、成長方法として分子線エピ
タキシー(MBE)を用いている。各層の組成及び厚さ
は、図4(b)に示す通りである。
As基板1とn−AlGaAsクラッド層2の間にある
GaAs/AlGaAsの多層膜は平坦な結晶成長表面
を得るために設けられたものであり、MBE法を用いる
場合にしばしば用いられるものである。次いで、発振モ
ードの制御、ビームの広がり制御のために〈110〉方
向に幅6μm、高さ0.9μmのリッジ状のストライプ
を形成する。リッジ形成には化学エッチングを用い、p
−AlGaAsクラッド層6の途中でエッチングを止め
てリッジの高さを制御する。
型電極8、p−GaAs側にはSiO2 を絶縁層9とし
てリッジの上側にだけCr/Auによるp型電極10を
形成する。この素子に、適正なバイアスをかけて動作さ
せると、電流はリッジの下のInGaAsを含む活性層
部分に効率よく注入されレーザ発振する。AlGaAs
−GRINガイド層5、p−AlGaAsクラッド層6
により、結晶成長方向に垂直な方向の光の閉じ込めが行
われ、また水平方向にはリッジ部分とその両側の部分の
実効的な屈折率が異なり、この方向の光の閉じ込めが行
われる。これにより、横モードがシングルモードにな
り、放射パターンが単峰性になる。
べた半導体素子においては次に述べる欠点があり、安定
して発振モード、放射パターンを制御することができな
かった。また、長期信頼性にも不安があった。 (1)リッジの高さをエッチングにより制御しているた
めに、高さの精度が悪く、リッジ部分とその両側の部分
の屈折率差を制御できない。 (2)クラッド層にAlの含有率の高いAlGaAs
(AlAs組成50%)を用いているので酸化し易く、
それによる結晶欠陥が発生しやすい。また、Alの比率
が大きいため、p型、n型を形成するには不純物を多く
入れる必要があり、抵抗も高く発熱し易い。このことに
より、素子寿命が短くなる可能性がある。
横モード制御、放射パターンの制御が容易であり、長期
にわたり高い信頼性を得ることができる半導体レーザを
提供することを目的とする。
成するために、半導体レーザにおいて、第1導電型のG
aAs基板と、この基板上に形成され、Alの比率が0
%から20%まで徐々に増加される第1導電型のAlG
aAsグレイデッドクラッド層と、このグレイデッドク
ラッド層上に形成され、Alの比率が約20%の第1導
電型のAlGaAs第1クラッド層と、この第1クラッ
ド層上にAlの比率を20%から40%まで変化させた
第1導電型のAlGaAsグレイデッドクラッド層と、
このグレイデッドクラッド層上に形成され、このグレイ
デッドクラッド層より屈折率の低い第1導電型のInG
aP第2クラッド層と、第2クラッド層上に形成され、
Alの比率を40%から10%まで徐々に減少させたA
lGaAsグレイデッドクラッド層と、このグレイデッ
ドクラッド層上に形成されるGaAs/InGaAs歪
み量子井戸活性層と、この活性層上に形成され、Alの
比率を10%から40%まで徐々に増加させたAlGa
Asグレイデッドクラッド層と、このグレイデッドクラ
ッド層上に形成されるエッチングストップ層としての第
2導電型のInGaP第3クラッド層と、この第3クラ
ッド層上に形成され、Alの比率を40%から20%ま
で徐々に減少させ、前記第3クラッド層の屈折率より高
いリッジストライプ形状の第2導電型のAlGaAsグ
レイデッドクラッド層と、このグレイデッドクラッド層
上に形成され、Alの比率が約20%のリッジストライ
プ形状の第2導電型のAlGaAs第4クラッド層と、
この第4クラッド層上に形成され、Alの比率が20%
から0%まで徐々に減少されるリッジストライプ形状の
第2導電型のAlGaAsグレイデッドクラッド層と、
このグレイデッドクラッド層上に形成される第2導電型
のGaAsコンタクト層と、このコンタクト層上を除き
形成される絶縁膜と、前記コンタクト層に接続される第
2導電型電極と、前記基板に接続される第1導電型電極
とを設けるようにしたものである。
ザにおいて、エッチングストップ層としてInGaPを
用い、クラッド層としてAlの比率の小さいAlGaA
s層を設ける。したがって、リッジを形成する場合に選
択エッチングが可能であり、リッジの高さの制御が容易
である。
めに、Alの比率を約20%としたAlGaAsクラッ
ド層を使用することができ、電気抵抗を下げ易く、結晶
欠陥の少ない結晶を容易に得ることができる。更に、ク
ラッド層のAlGaAs層部分にもAlの比率を連続的
に変化させたグレイデッド層を用いるようにしたので、
電気抵抗を下げることができる。
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示す半
導体レーザの部分構成図であり、図1(a)はその半導
体レーザの断面図、図1(b)はその半導体レーザの部
分断面図である。図2はその半導体レーザの各層の組成
及び厚さを示す図である。図3はその半導体レーザのリ
ッジストライプの形成工程断面図である。
(a)及び図1(b)に示すような構造を結晶成長させ
る。この場合の成長方法は燐を含むInGaP層がある
ために有機金属気相成長法(MOVPE:Metal
organic vaporphase epitax
y)が適しており、一回の成長プロセスで成長させる。
各層の組成及び厚さは、図2に示すとおりである。
GaAsグレイデッドクラッド層12を成長させる。こ
こでは、Alの比率を20%(次のAlGaAs第1ク
ラッド層と同じ組成)まで徐々に増加する。MOVPE
成長の場合は、Alの原料であるトリメチルアルミニウ
ム(TMAl)の流量を連続的に増やしていく。その厚
さは、0.1〜0.2μmとする。
〜1μmのn−AlGaAs第1クラッド層13を成長
させる。Alの比率は40%以下とし、低い程ドーピン
グし易く結晶性のよいものが得られるが、横モードを制
御する上でn−InGaP層の厚さにより適正な組成を
選ぶ。次に、Alの比率を20%から40%まで変化さ
せた厚さ0.1〜0.2μmのn−AlGaAsグレイ
デッドクラッド層14を成長させる。
5を成長する。厚さは後で成長するp型のInGaP第
3クラッド層と同じになるようにする。このp−InG
aP第2クラッド層15の厚さは横モード、ビーム広が
りに大きく影響しており、リッジの幅、AlGaAs層
の組成、厚さと密接な関係があり、横シングルモード発
振するように0.1〜1μm程度の範囲で適正に選ぶ。
ここまでの成長層はn型のものであり、キャリア濃度は
5×1017〜2×1018cm-3程度にする。
徐々に減少させた厚さ0.1〜0.2μmのAlGaA
sグレイデッドクラッド層16を成長する。次に、図1
(b)に示すような、GaAs/InGaAs歪み量子
井戸活性層17を成長する。GaAs層17a,17c
はバリア層であり、InGaAs層17bはウエル層で
ある。InGaAs層17bの組成と厚さはレーザの発
振波長を決めており、980nm付近の発振を得るため
には、Inの比率を15から20%、厚さ5nm〜10
nmにする。
層18、p−InGaP第3クラッド層19、p−Al
GaAsグレイデッドクラッド層20、p−AlGaA
s第4クラッド層21、p−AlGaAsグレイデッド
クラッド層22を、n型の場合とGaAs/InGaA
s歪み量子井戸活性層17を中心にして対称な構造にな
るように成長させる。最後の層はp−GaAsコンタク
ト層23であり、厚さ0.1μm以上、キャリア濃度は
5×1018cm-3程度とする。以上が成長プロセスであ
る。
のリッジストライプ形成について、図3を用いて説明す
る。まず、図3(a)に示すように、n−GaAs基板
11からn−InGaP第2クラッド層15、その上に
AlGaAsグレイデッドクラッド層16、GaAs/
InGaAs歪み量子井戸活性層17、AlGaAsグ
レイデッドクラッド層18、p−InGaP第3クラッ
ド層19、p−AlGaAsグレイデッドクラッド層2
0、p−AlGaAs第4クラッド層21、p−AlG
aAsグレイデッドクラッド層22、p−GaAsコン
タクト層23を順次成長させた後、ストライプ状にp−
AlGaAsグレイデッドクラッド層20、p−AlG
aAs第4クラッド層21及びp−AlGaAsグレイ
デッドクラッド層22を部分的にエッチングする。スト
ライプの形成は、通常のホトリソグラフィにより、Si
O2 等のエッチングマスクを使用して選択的にp−Ga
Asコンタクト層23、p−AlGaAsグレイデッド
クラッド層20、p−AlGaAs第4クラッド層21
及びp−AlGaAsグレイデッドクラッド層22をエ
ッチングする。この場合にエッチング液として硫酸系エ
ッチャント、例えばH2 SO4 +H2 O2+H2 Oを用
いると、エッチングがInGaP第3クラッド層19に
達したところで自動的に停止する。
極25をストライプの上のp−GaAsコンタクト層2
3部分にのみ形成するために、SiO2 絶縁膜24を通
常の熱CVD等により形成し、ホトリソグラフィ、エッ
チングにより、p−GaAsコンタクト層23部分のS
iO2 絶縁膜24を取り除く。その後、p型電極25を
形成する。更に、n型電極26を形成する。
に適正なバイアスをかけて動作すると、リッジ部分から
その下の活性層に電流が注入されレーザ発振する。ま
た、ジャンクションに水平方向にはリッジ部分とその両
側で導波する光に対しての実効的な屈折率が異なり、リ
ッジ両側の方の屈折率が小さく、リッジの高さ、両側の
InGaPの厚さを選ぶことにより、横シングルモード
で発振するようになる。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
半導体レーザによれば、クラッド層にInGaPとAl
GaAsを用いているため、リッジを形成する場合に選
択エッチングが可能であり、リッジの高さの制御が容易
である。このために、横モードの制御性が非常によくな
る。
lの比率を約20%としたAlGaAsクラッド層を使
用することができ、電気抵抗を下げ易く、結晶欠陥の少
ない結晶を容易に得ることができる。このため、半導体
レーザの寿命を延ばすことができる。更に、クラッド層
のAlGaAs層部分にもAlの比率を連続的に変化さ
せたグレイデッド層を用いるようにしたので、電気抵抗
を下げることができる。
図である。
を示す図である。
トライプ形成工程図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 (a)第1導電型のGaAs基板と、 (b)該基板上に形成され、Alの比率が0%から20
%まで徐々に増加される第1導電型のAlGaAsグレ
イデッドクラッド層と、 (c)該グレイデッドクラッド層上に形成され、Alの
比率が約20%の第1導電型のAlGaAs第1クラッ
ド層と、 (d)該第1クラッド層上にAlの比率を20%から4
0%まで変化させた第1導電型のAlGaAsグレイデ
ッドクラッド層と、 (e)該グレイデッドクラッド層上に形成され、該グレ
イデッドクラッド層より屈折率の低い第1導電型のIn
GaP第2クラッド層と、 (f)第2クラッド層上に形成され、Alの比率を40
%から10%まで徐々に減少させたAlGaAsグレイ
デッドクラッド層と、 (g)該グレイデッドクラッド層上に形成されるGaA
s/InGaAs歪み量子井戸活性層と、 (h)該活性層上に形成され、Alの比率を10%から
40%まで徐々に増加させたAlGaAsグレイデッド
クラッド層と、 (i)該グレイデッドクラッド層上に形成されるエッチ
ングストップ層としての第2導電型のInGaP第3ク
ラッド層と、 (j)該第3クラッド層上に形成され、Alの比率を4
0%から20%まで徐々に減少させ、前記第3クラッド
層の屈折率より高いリッジストライプ形状の第2導電型
のAlGaAsグレイデッドクラッド層と、 (k)該グレイデッドクラッド層上に形成され、Alの
比率が約20%のリッジストライプ形状の第2導電型の
AlGaAs第4クラッド層と、 (l)該第4クラッド層上に形成され、Alの比率が2
0%から0%まで徐々に減少されるリッジストライプ形
状の第2導電型のAlGaAsグレイデッドクラッド層
と、 (m)該グレイデッドクラッド層上に形成される第2導
電型のGaAsコンタクト層と、 (n)該コンタクト層上を除き形成される絶縁膜と、 (o)前記コンタクト層に接続される第2導電型電極
と、 (p)前記基板に接続される第1導電型電極とを具備す
ることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項2】 前記活性層は、その活性層部分はInG
aAs層の量子井戸層からなり、これを挟むGaAs層
からなるバリア層とを有する歪み量子井戸構造であるこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
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---|---|---|---|
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Family Applications (1)
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1992
- 1992-08-25 JP JP4225545A patent/JP2783947B2/ja not_active Expired - Fee Related
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