JPH07142439A - 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法Info
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- JPH07142439A JPH07142439A JP28309393A JP28309393A JPH07142439A JP H07142439 A JPH07142439 A JP H07142439A JP 28309393 A JP28309393 A JP 28309393A JP 28309393 A JP28309393 A JP 28309393A JP H07142439 A JPH07142439 A JP H07142439A
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- cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オリエンテーションフラット部を含めて半導
体ウェーハの全周を効率よく洗浄する。 【構成】 洗浄ヘッド４は上下の舌状片５，６間に半導
体ウェーハＷの周縁部が入り込むとともに排気装置につ
ながる溝部７を形成し、舌状片５，６には洗浄液供給チ
ューブ８，９をコネクタ８ａ，９ａにて連結し、これら
チューブ８，９から供給される洗浄液をノズル孔１０，
１１を介して半導体ウェーハＷの周縁部に噴出するよう
にしている。
体ウェーハの全周を効率よく洗浄する。 【構成】 洗浄ヘッド４は上下の舌状片５，６間に半導
体ウェーハＷの周縁部が入り込むとともに排気装置につ
ながる溝部７を形成し、舌状片５，６には洗浄液供給チ
ューブ８，９をコネクタ８ａ，９ａにて連結し、これら
チューブ８，９から供給される洗浄液をノズル孔１０，
１１を介して半導体ウェーハＷの周縁部に噴出するよう
にしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハの周縁部
を洗浄する装置と洗浄方法に関する。
を洗浄する装置と洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハにフォトリソグラフィ等
を施すには、半導体ウェーハ表面にレジスト用塗布液を
塗布する。この塗布の方法としてスピンナー式の塗布装
置を用いた場合には、半導体ウェーハの表面に塗布液を
滴下し、半導体ウェーハを回転せしめて遠心力により外
側に向けて拡散せしめるため、半導体ウェーハの外周エ
ッジ部において、塗布液が表面表力により盛り上がる。
そして、盛り上がった部分をそのままにしておくと、半
導体ウェーハを収納するカセットや搬送系部材を汚した
り、或いは塗布液が乾燥して小さなパーティクルとなっ
て半導体ウェーハの表面に付着する等の不都合が生じ
る。そこで、従来から裏面洗浄装置などにより半導体ウ
ェーハの外周エッジ部の塗布液を除去するようにしてい
る。
を施すには、半導体ウェーハ表面にレジスト用塗布液を
塗布する。この塗布の方法としてスピンナー式の塗布装
置を用いた場合には、半導体ウェーハの表面に塗布液を
滴下し、半導体ウェーハを回転せしめて遠心力により外
側に向けて拡散せしめるため、半導体ウェーハの外周エ
ッジ部において、塗布液が表面表力により盛り上がる。
そして、盛り上がった部分をそのままにしておくと、半
導体ウェーハを収納するカセットや搬送系部材を汚した
り、或いは塗布液が乾燥して小さなパーティクルとなっ
て半導体ウェーハの表面に付着する等の不都合が生じ
る。そこで、従来から裏面洗浄装置などにより半導体ウ
ェーハの外周エッジ部の塗布液を除去するようにしてい
る。
【０００３】しかしながら、半導体ウェーハには位置決
めを行うためにオリエンテーションフラット部が形成さ
れている。そして、このオリエンテーションフラット部
としては半導体ウェーハの外周の一部を切り落とした形
状のものが多い。このような形状のオリエンテーション
フラット部が形成されている場合、オリエンテーション
フラット部のエッジに塗布液が溜まりやすく、また従来
の裏面洗浄では溜まった塗布液を効果的に除去できな
い。
めを行うためにオリエンテーションフラット部が形成さ
れている。そして、このオリエンテーションフラット部
としては半導体ウェーハの外周の一部を切り落とした形
状のものが多い。このような形状のオリエンテーション
フラット部が形成されている場合、オリエンテーション
フラット部のエッジに塗布液が溜まりやすく、また従来
の裏面洗浄では溜まった塗布液を効果的に除去できな
い。
【０００４】そこで、オリエンテーションフラット部を
含む半導体ウェーハの全周を洗浄する装置が提案されて
いる。（発明協会公開技報９３−１３１５６号）この洗
浄装置は、溶媒滴下ノズルをチャックに保持されている
半導体ウェーハのオリエンテーションフラット部の位置
まで移動させ、溶媒を滴下しながら半導体ウェーハを平
行移動させることで、オリエンテーションフラット部の
洗浄を行い、オリエンテーションフラット部以外の周縁
部については、半導体ウェーハを回転させることで洗浄
を行うものと推定される。
含む半導体ウェーハの全周を洗浄する装置が提案されて
いる。（発明協会公開技報９３−１３１５６号）この洗
浄装置は、溶媒滴下ノズルをチャックに保持されている
半導体ウェーハのオリエンテーションフラット部の位置
まで移動させ、溶媒を滴下しながら半導体ウェーハを平
行移動させることで、オリエンテーションフラット部の
洗浄を行い、オリエンテーションフラット部以外の周縁
部については、半導体ウェーハを回転させることで洗浄
を行うものと推定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した洗浄装置にあ
っては、洗浄液を回収するカップがないため、装置周辺
が汚染されてしまう。また、チャックをカップ内に収納
することも考えられるが、上述した洗浄装置にあっては
チャック及びこれを回転せしめる機構全体を平行移動す
る機構が必要であり、この移動機構までカップ内に収納
しなければならず、装置全体が大型化する。更に、単に
溶媒を滴下するだけであるので、塗布液の乾燥が遅れ、
半導体ウェーハの外端部が接触するカセットや搬送系部
材に塗布液が付着するおそれが残されている。
っては、洗浄液を回収するカップがないため、装置周辺
が汚染されてしまう。また、チャックをカップ内に収納
することも考えられるが、上述した洗浄装置にあっては
チャック及びこれを回転せしめる機構全体を平行移動す
る機構が必要であり、この移動機構までカップ内に収納
しなければならず、装置全体が大型化する。更に、単に
溶媒を滴下するだけであるので、塗布液の乾燥が遅れ、
半導体ウェーハの外端部が接触するカセットや搬送系部
材に塗布液が付着するおそれが残されている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る半導体ウェーハの洗浄装置は、半導体ウェー
ハを吸着して回転せしめるチャックと、このチャックを
収納する洗浄カップと、半導体ウェーハの周縁部を洗浄
する洗浄ヘッドと、オリエンテーションフラット部を検
出するセンサを備え、洗浄ヘッドはチャックに向かって
進退可能でオリエンテーションフラット部に沿って移動
可能とされ、更に洗浄ヘッドには半導体ウェーハの周縁
部が入り込む溝部が形成され、この溝部を排気装置につ
なげた。
発明に係る半導体ウェーハの洗浄装置は、半導体ウェー
ハを吸着して回転せしめるチャックと、このチャックを
収納する洗浄カップと、半導体ウェーハの周縁部を洗浄
する洗浄ヘッドと、オリエンテーションフラット部を検
出するセンサを備え、洗浄ヘッドはチャックに向かって
進退可能でオリエンテーションフラット部に沿って移動
可能とされ、更に洗浄ヘッドには半導体ウェーハの周縁
部が入り込む溝部が形成され、この溝部を排気装置につ
なげた。
【０００７】また本発明に係る半導体ウェーハの洗浄方
法は、塗布工程が終了した半導体ウェーハをチャックに
吸着せしめ、洗浄ヘッドをチャックに向かって前進せし
め、チャックを回転することで半導体ウェーハに形成し
たオリエンテーションフラット部の一端を検出し、次い
で、洗浄ヘッドをオリエンテーションフラット部の一端
から他端へ向かって移動させつつオリエンテーションフ
ラット部の洗浄を行い、この後洗浄ヘッドを停止した状
態で半導体ウェーハを回転させ半導体ウェーハの周縁部
の洗浄を行うか、または洗浄ヘッドを停止した状態で半
導体ウェーハを回転させ半導体ウェーハの円弧状周縁部
の洗浄を行い、この後洗浄ヘッドをオリエンテーション
フラット部の一端から他端へ向かって移動させつつオリ
エンテーションフラット部の洗浄を行うようにした。
法は、塗布工程が終了した半導体ウェーハをチャックに
吸着せしめ、洗浄ヘッドをチャックに向かって前進せし
め、チャックを回転することで半導体ウェーハに形成し
たオリエンテーションフラット部の一端を検出し、次い
で、洗浄ヘッドをオリエンテーションフラット部の一端
から他端へ向かって移動させつつオリエンテーションフ
ラット部の洗浄を行い、この後洗浄ヘッドを停止した状
態で半導体ウェーハを回転させ半導体ウェーハの周縁部
の洗浄を行うか、または洗浄ヘッドを停止した状態で半
導体ウェーハを回転させ半導体ウェーハの円弧状周縁部
の洗浄を行い、この後洗浄ヘッドをオリエンテーション
フラット部の一端から他端へ向かって移動させつつオリ
エンテーションフラット部の洗浄を行うようにした。
【０００８】
【作用】洗浄ヘッドから洗浄液（溶媒）を半導体ウェー
ハの周縁部に噴出することで、周縁部に溜まっている塗
布液が希釈されて除去され、更にこの部分は排気装置に
つながっているので、強制的に乾燥せしめられる。
ハの周縁部に噴出することで、周縁部に溜まっている塗
布液が希釈されて除去され、更にこの部分は排気装置に
つながっているので、強制的に乾燥せしめられる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係る半導体ウェーハ
の洗浄装置の全体斜視図、図２は洗浄ヘッドの斜視図、
図３は洗浄ヘッドの平面図、図４は図３のＡーＡ線断面
図である。
説明する。ここで、図１は本発明に係る半導体ウェーハ
の洗浄装置の全体斜視図、図２は洗浄ヘッドの斜視図、
図３は洗浄ヘッドの平面図、図４は図３のＡーＡ線断面
図である。
【００１０】図中１は洗浄カップであり、この洗浄カッ
プ１内にはスピンナーにて回転せしめられるチャック２
が収納されている。このチャック２は半導体ウェーハＷ
を吸着保持するとともに昇降動可能となっている。ま
た、洗浄カップ１近傍には洗浄カップ１に対して進退動
するレール３を配置し、このレール３に洗浄ヘッド４を
移動可能に取り付けている。
プ１内にはスピンナーにて回転せしめられるチャック２
が収納されている。このチャック２は半導体ウェーハＷ
を吸着保持するとともに昇降動可能となっている。ま
た、洗浄カップ１近傍には洗浄カップ１に対して進退動
するレール３を配置し、このレール３に洗浄ヘッド４を
移動可能に取り付けている。
【００１１】洗浄ヘッド４は図２乃至図４に示すよう
に、上下の舌状片５，６間に半導体ウェーハＷの周縁部
が入り込む溝部７を形成し、舌状片５，６には洗浄液供
給チューブ８，９をコネクタ８ａ，９ａにて連結し、こ
れらチューブ８，９から供給される洗浄液をノズル孔１
０，１１を介して半導体ウェーハＷの周縁部に噴出する
ようにしている。
に、上下の舌状片５，６間に半導体ウェーハＷの周縁部
が入り込む溝部７を形成し、舌状片５，６には洗浄液供
給チューブ８，９をコネクタ８ａ，９ａにて連結し、こ
れらチューブ８，９から供給される洗浄液をノズル孔１
０，１１を介して半導体ウェーハＷの周縁部に噴出する
ようにしている。
【００１２】また、上方の舌状片５には種類の異なる洗
浄液を供給するチューブ１２をコネクタ１２ａにて止着
し、より確実な洗浄を行えるようにしている。尚、下方
の舌状片６にも２本の洗浄液供給チューブを接続するよ
うにしてもよい。
浄液を供給するチューブ１２をコネクタ１２ａにて止着
し、より確実な洗浄を行えるようにしている。尚、下方
の舌状片６にも２本の洗浄液供給チューブを接続するよ
うにしてもよい。
【００１３】また、前記溝部７は通路１３及びパイプ１
４を介して図示しない排気装置につながっており、ノズ
ル孔から噴出した洗浄液を回収するとともに、半導体ウ
ェーハＷの周縁部の乾燥を速めるようにしている。
４を介して図示しない排気装置につながっており、ノズ
ル孔から噴出した洗浄液を回収するとともに、半導体ウ
ェーハＷの周縁部の乾燥を速めるようにしている。
【００１４】更に、洗浄ヘッド４には半導体ウェーハＷ
の回転方向を基準として前後に２カ所半導体ウェーハＷ
のオリエンテーションフラット部Ｗｏを検出するセンサ
１５，１６を設けている。ここで、センサ１５，１６は
例えば発光素子と受光素子にて構成し、発光素子を上方
の舌状片５の下面に、受光素子を下方の舌状片６の上面
に設け、受光素子が発光素子からの光を検出した時点を
オリエンテーションフラット部Ｗｏの開始点とし、受光
素子が発光素子からの光を検出しなくなった時点をオリ
エンテーションフラット部Ｗｏの終点とする。尚、オリ
エンテーションフラット部Ｗｏを検出するセンサは洗浄
ヘッド４以外の部材に設けてもよい。
の回転方向を基準として前後に２カ所半導体ウェーハＷ
のオリエンテーションフラット部Ｗｏを検出するセンサ
１５，１６を設けている。ここで、センサ１５，１６は
例えば発光素子と受光素子にて構成し、発光素子を上方
の舌状片５の下面に、受光素子を下方の舌状片６の上面
に設け、受光素子が発光素子からの光を検出した時点を
オリエンテーションフラット部Ｗｏの開始点とし、受光
素子が発光素子からの光を検出しなくなった時点をオリ
エンテーションフラット部Ｗｏの終点とする。尚、オリ
エンテーションフラット部Ｗｏを検出するセンサは洗浄
ヘッド４以外の部材に設けてもよい。
【００１５】以上において、塗布工程が終了した半導体
ウェーハＷの周縁部を洗浄するには、先ず図５の（ａ）
に示すように、洗浄カップ１から上昇したチャック２上
に半導体ウェーハＷを吸着せしめ、次いで（ｂ）に示す
ように、半導体ウェーハＷをチャック２とともに反時計
方向に回転させ、（ｃ）に示すように、洗浄ヘッド４に
設けたセンサ１５，１６によって半導体ウェーハＷのオ
リエンテーションフラット部Ｗｏの一端を検出する。そ
して、オリエンテーションフラット部Ｗｏの一端を検出
したならば半導体ウェーハＷの回転を停止し、（ｄ）に
示すように、オリエンテーションフラット部Ｗｏに沿っ
て洗浄ヘッド４を直線動させつつオリエンテーションフ
ラット部Ｗｏの周縁部の洗浄を行い、センサ１５，１６
がオリエンテーションフラット部Ｗｏの他端を検出した
ならば洗浄ヘッド４の移動を停止する。これに続いて、
（ｅ）に示すように、洗浄ヘッド４を停止したまま半導
体ウェーハＷの回転を開始し、半導体ウェーハＷの円弧
状周縁の洗浄を行う。そして、（ｆ）に示すように、半
導体ウェーハＷの周縁部全周の洗浄が終了したら、
（ｇ）に示すように、洗浄ヘッド４を元の位置に戻し、
次の洗浄に備える。尚、排気装置は常時排気するように
してもよく、洗浄時のみ排気するようにしてもよい。ま
た、洗浄液の乾燥が遅い時には、温風の吹き出し口を半
導体ウェーハＷの周縁部に向けて洗浄ヘッドに設ける
と、効率よく乾燥を行うことができる。
ウェーハＷの周縁部を洗浄するには、先ず図５の（ａ）
に示すように、洗浄カップ１から上昇したチャック２上
に半導体ウェーハＷを吸着せしめ、次いで（ｂ）に示す
ように、半導体ウェーハＷをチャック２とともに反時計
方向に回転させ、（ｃ）に示すように、洗浄ヘッド４に
設けたセンサ１５，１６によって半導体ウェーハＷのオ
リエンテーションフラット部Ｗｏの一端を検出する。そ
して、オリエンテーションフラット部Ｗｏの一端を検出
したならば半導体ウェーハＷの回転を停止し、（ｄ）に
示すように、オリエンテーションフラット部Ｗｏに沿っ
て洗浄ヘッド４を直線動させつつオリエンテーションフ
ラット部Ｗｏの周縁部の洗浄を行い、センサ１５，１６
がオリエンテーションフラット部Ｗｏの他端を検出した
ならば洗浄ヘッド４の移動を停止する。これに続いて、
（ｅ）に示すように、洗浄ヘッド４を停止したまま半導
体ウェーハＷの回転を開始し、半導体ウェーハＷの円弧
状周縁の洗浄を行う。そして、（ｆ）に示すように、半
導体ウェーハＷの周縁部全周の洗浄が終了したら、
（ｇ）に示すように、洗浄ヘッド４を元の位置に戻し、
次の洗浄に備える。尚、排気装置は常時排気するように
してもよく、洗浄時のみ排気するようにしてもよい。ま
た、洗浄液の乾燥が遅い時には、温風の吹き出し口を半
導体ウェーハＷの周縁部に向けて洗浄ヘッドに設ける
と、効率よく乾燥を行うことができる。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
半導体ウェーハのオリエンテーションフラット部を洗浄
するにあたり、半導体ウェーハを固定にし、洗浄ヘッド
を移動するようにしたので、従来のようなチャックを平
行移動せしめる機構が不要になり、チャックを収めるカ
ップの容量も小さくて済む。
半導体ウェーハのオリエンテーションフラット部を洗浄
するにあたり、半導体ウェーハを固定にし、洗浄ヘッド
を移動するようにしたので、従来のようなチャックを平
行移動せしめる機構が不要になり、チャックを収めるカ
ップの容量も小さくて済む。
【００１７】また、本発明にあっては洗浄ヘッドに半導
体ウェーハの周縁部が入り込む溝部を形成し、この溝部
を排気装置につなげることで、半導体ウェーハの周縁部
の洗浄と乾燥を同時に行うようにしたので、カセットや
搬送系部材に塗布液が付着するおそれがない。
体ウェーハの周縁部が入り込む溝部を形成し、この溝部
を排気装置につなげることで、半導体ウェーハの周縁部
の洗浄と乾燥を同時に行うようにしたので、カセットや
搬送系部材に塗布液が付着するおそれがない。
【００１８】また、洗浄ノズルを２カ所に設けること
で、種類の異なる洗浄液を使用することが可能になり、
より確実な洗浄を行うことができ、また、多層成膜プロ
セスにおいて、洗浄位置をずらすことによりエッジ部の
盛り上がりを防ぐことができる。
で、種類の異なる洗浄液を使用することが可能になり、
より確実な洗浄を行うことができ、また、多層成膜プロ
セスにおいて、洗浄位置をずらすことによりエッジ部の
盛り上がりを防ぐことができる。
【００１９】更に、本発明に係る洗浄装置は塗布後の減
圧乾燥工程の下流側等に設けることができるので１つの
ライン上に配置することが可能で、また、オリエンテー
ションフラット部を検出するセンサを洗浄ヘッドに設け
るようにすれば、従来は別ユニットで行ってきた位置合
せを同一装置でできることになり、省ユニット化にな
る。
圧乾燥工程の下流側等に設けることができるので１つの
ライン上に配置することが可能で、また、オリエンテー
ションフラット部を検出するセンサを洗浄ヘッドに設け
るようにすれば、従来は別ユニットで行ってきた位置合
せを同一装置でできることになり、省ユニット化にな
る。
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの洗浄装置の全体
斜視図
斜視図
【図２】洗浄ヘッドの斜視図
【図３】洗浄ヘッドの平面図
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図
【図５】（ａ）〜（ｇ）は先行工程を順位説明した図
【符号の説明】 １…洗浄カップ、２…チャック、３…レール、４…洗浄
ヘッド、５，６…舌状片、７…溝、８，９，１２…洗浄
液供給チューブ、１０，１１…ノズル孔、１４…パイ
プ、Ｗ…半導体ウェーハ。
ヘッド、５，６…舌状片、７…溝、８，９，１２…洗浄
液供給チューブ、１０，１１…ノズル孔、１４…パイ
プ、Ｗ…半導体ウェーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小針 英也 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 外周の一部を切り落として位置決め用の
オリエンテーションフラット部を形成した半導体ウェー
ハの洗浄装置において、この洗浄装置は半導体ウェーハ
を吸着して回転せしめるチャックと、このチャックを収
納する洗浄カップと、半導体ウェーハの周縁部を洗浄す
る洗浄ヘッドと、オリエンテーションフラット部を検出
するセンサを備えてなり、洗浄ヘッドはチャックに向か
って進退可能でオリエンテーションフラット部に沿って
移動可能とされ、更に洗浄ヘッドには半導体ウェーハの
周縁部が入り込む溝部が形成され、この溝部は排気装置
につながっていることを特徴とする半導体ウェーハの洗
浄装置。 - 【請求項２】 塗布工程が終了した半導体ウェーハをチ
ャックに吸着せしめ、洗浄ヘッドをチャックに向かって
前進せしめ、チャックを回転することで洗浄ヘッドに設
けたセンサで半導体ウェーハに形成したオリエンテーシ
ョンフラット部の一端を検出し、次いで、洗浄ヘッドを
オリエンテーションフラット部の一端から他端へ向かっ
て移動させつつオリエンテーションフラット部の洗浄を
行い、この後洗浄ヘッドを停止した状態で半導体ウェー
ハを回転させ半導体ウェーハの円弧状周縁部の洗浄を行
うか、または洗浄ヘッドを停止した状態で半導体ウェー
ハを回転させ半導体ウェーハの円弧状周縁部の洗浄を行
い、この後洗浄ヘッドをオリエンテーションフラット部
の一端から他端へ向かって移動させつつオリエンテーシ
ョンフラット部の洗浄を行うようにしたことを特徴とす
る半導体ウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28309393A JPH07142439A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28309393A JPH07142439A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142439A true JPH07142439A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17661130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28309393A Pending JPH07142439A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142439A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6199563B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method |
| US6548115B1 (en) | 1998-11-30 | 2003-04-15 | Fastar, Ltd. | System and method for providing coating of substrates |
| US6767840B1 (en) | 1997-02-21 | 2004-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method |
| JP2007165488A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Ses Co Ltd | ベベル処理方法及びベベル処理装置 |
| JP2009094534A (ja) * | 2008-12-26 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁部のエッチング処理方法および基板周縁部のエッチング処理装置 |
| JP2011205110A (ja) * | 2011-05-09 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP28309393A patent/JPH07142439A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020618 |