JPH07130024A - 光磁気検出器 - Google Patents
光磁気検出器Info
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- JPH07130024A JPH07130024A JP29606193A JP29606193A JPH07130024A JP H07130024 A JPH07130024 A JP H07130024A JP 29606193 A JP29606193 A JP 29606193A JP 29606193 A JP29606193 A JP 29606193A JP H07130024 A JPH07130024 A JP H07130024A
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- magneto
- prism
- optical disk
- optical
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Abstract
(57)【要約】
【目的】所定の光源から射出された光ビームを光磁気デ
イスクに焦光し、当該光磁気デイスクにおいて反射して
なる戻り光を所定の受光素子において受光する光磁気検
出器において、光磁気デイスクに対して照射する光ビー
ムを一段と正確にモニタすると共に製造工程を一段と簡
単化する。 【構成】光源から射出された光ビームを光磁気デイスク
方向に反射すると共に光ビームを透過する第１のプリズ
ムと、光磁気デイスクからの戻り光の偏光面を所定角度
回転させる旋回子と、旋回子を介して入射される光磁気
デイスクからの戻り光を分離して同一基板上に設けられ
た２つの受光素子に導く第２のプリズムと、第１のプリ
ズムにおいて透過した光源からの光ビームを２つの受光
素子と共に基板上に設けられたモニタ用受光素子に導く
第３のプリズムとをそれぞれ一体に固着することによ
り、光磁気デイスクに照射する光ビームを直接モニタし
得る光磁気検出器を一段と高精度で位置決めすることが
できる。
イスクに焦光し、当該光磁気デイスクにおいて反射して
なる戻り光を所定の受光素子において受光する光磁気検
出器において、光磁気デイスクに対して照射する光ビー
ムを一段と正確にモニタすると共に製造工程を一段と簡
単化する。 【構成】光源から射出された光ビームを光磁気デイスク
方向に反射すると共に光ビームを透過する第１のプリズ
ムと、光磁気デイスクからの戻り光の偏光面を所定角度
回転させる旋回子と、旋回子を介して入射される光磁気
デイスクからの戻り光を分離して同一基板上に設けられ
た２つの受光素子に導く第２のプリズムと、第１のプリ
ズムにおいて透過した光源からの光ビームを２つの受光
素子と共に基板上に設けられたモニタ用受光素子に導く
第３のプリズムとをそれぞれ一体に固着することによ
り、光磁気デイスクに照射する光ビームを直接モニタし
得る光磁気検出器を一段と高精度で位置決めすることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気検出器に関し、特
に複合プリズムを用いた光磁気検出器に適用して好適な
ものである。
に複合プリズムを用いた光磁気検出器に適用して好適な
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光磁気検出器においては
図３に示すような構成のものがある。すなわち図３にお
いて１は全体として光磁気検出器を示し、半導体レーザ
ＬＤから射出光ビームＬＡ１を射出する。光磁気検出器
１においては、射出光ビームＬＡ１をリレーレンズ４及
び波形整形プリズム５によつて平行光線に変換した後、
ビームスプリツタ６を透過させ、対物レンズ８を介して
光磁気デイスク１０に焦光する。
図３に示すような構成のものがある。すなわち図３にお
いて１は全体として光磁気検出器を示し、半導体レーザ
ＬＤから射出光ビームＬＡ１を射出する。光磁気検出器
１においては、射出光ビームＬＡ１をリレーレンズ４及
び波形整形プリズム５によつて平行光線に変換した後、
ビームスプリツタ６を透過させ、対物レンズ８を介して
光磁気デイスク１０に焦光する。
【０００３】また当該光磁気デイスク１０に焦光した射
出光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０の磁化方
向に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光Ｌ
Ａ２はビームスプリツタ６に入射され、ここで反射され
て 1/2波長板１４を透過する。当該戻り光ＬＡ２は 1/2
波長板１４を透過する際、 1/2波長板１４の偏光特性に
より、偏光方向が45度回転されて偏光ビームスプリツタ
１６に導かれる。
出光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０の磁化方
向に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光Ｌ
Ａ２はビームスプリツタ６に入射され、ここで反射され
て 1/2波長板１４を透過する。当該戻り光ＬＡ２は 1/2
波長板１４を透過する際、 1/2波長板１４の偏光特性に
より、偏光方向が45度回転されて偏光ビームスプリツタ
１６に導かれる。
【０００４】従つて当該偏光ビームスプリツタ１６にお
いて、戻り光ＬＡ２はＰ偏光及びＳ偏光に分離され、そ
れぞれ集光レンズ１８及び２０を介して受光素子ＰＤ１
及びＰＤ２に入射される。
いて、戻り光ＬＡ２はＰ偏光及びＳ偏光に分離され、そ
れぞれ集光レンズ１８及び２０を介して受光素子ＰＤ１
及びＰＤ２に入射される。
【０００５】このように戻り光ＬＡ２を２つの受光素子
ＰＤ１及びＰＤ２において受光することにより、当該２
つの受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の検出結果から、光磁気
検出信号、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー
信号等を得るようになされている。
ＰＤ１及びＰＤ２において受光することにより、当該２
つの受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の検出結果から、光磁気
検出信号、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー
信号等を得るようになされている。
【０００６】またこれに対して図３との対応部分に同一
符号を付して示す図４に示すように、光磁気検出器３０
はビームスプリツタ膜３２を介してガラス部材３１及び
３３を接合すると共に、偏光ビームスプリツタ膜３６を
介してガラス部材３５及び３７を接合し、さらに偏光ビ
ームスプリツタ膜４３がガラス部材３７に設けられてい
る。ガラス部材３３及び３７間には水晶等でなる１／２
波長板３４が挟着されている。
符号を付して示す図４に示すように、光磁気検出器３０
はビームスプリツタ膜３２を介してガラス部材３１及び
３３を接合すると共に、偏光ビームスプリツタ膜３６を
介してガラス部材３５及び３７を接合し、さらに偏光ビ
ームスプリツタ膜４３がガラス部材３７に設けられてい
る。ガラス部材３３及び３７間には水晶等でなる１／２
波長板３４が挟着されている。
【０００７】このように形成された複合プリズムを、受
光素子ＰＤ１及びＰＤ２が設けられた基板４０上に固定
される。
光素子ＰＤ１及びＰＤ２が設けられた基板４０上に固定
される。
【０００８】従つて半導体レーザＬＤから射出された射
出光ビームＬＡ１はガラス部材３１を介してビームスプ
リツタ膜３２に入射し、当該ビームスプリツタ膜３２に
おいて光磁気デイスク１０方向に反射される。さらに図
４に示すように当該反射した射出光ビームＬＡ１は対物
レンズＬ１、反射ミラーＭＲ及び対物レンズＬ２を介し
て光磁気デイスク１０に集光され、当該光磁気デイスク
１０上に記録された磁区における磁気カー効果によつて
偏光面が回転しながら反射し、戻り光ＬＡ２として再び
光磁気検出器３０に戻る。
出光ビームＬＡ１はガラス部材３１を介してビームスプ
リツタ膜３２に入射し、当該ビームスプリツタ膜３２に
おいて光磁気デイスク１０方向に反射される。さらに図
４に示すように当該反射した射出光ビームＬＡ１は対物
レンズＬ１、反射ミラーＭＲ及び対物レンズＬ２を介し
て光磁気デイスク１０に集光され、当該光磁気デイスク
１０上に記録された磁区における磁気カー効果によつて
偏光面が回転しながら反射し、戻り光ＬＡ２として再び
光磁気検出器３０に戻る。
【０００９】光磁気検出器３０に戻つた反射光ＬＡ２は
図４に示すようにビームスプリツタ膜３２に導かれ当該
ビームスプリツタ膜３２を透過して１／２波長板３４に
入射する。
図４に示すようにビームスプリツタ膜３２に導かれ当該
ビームスプリツタ膜３２を透過して１／２波長板３４に
入射する。
【００１０】１／２波長板３４は偏光特性（複屈折及び
旋光性）を有し、入射光（ＬＡ２）は当該１／２波長板
３４を透過する際に偏光面を所定角度回転し、偏光ビー
ムスプリツタ膜３６に入射する。
旋光性）を有し、入射光（ＬＡ２）は当該１／２波長板
３４を透過する際に偏光面を所定角度回転し、偏光ビー
ムスプリツタ膜３６に入射する。
【００１１】従つて所定角度傾いた偏光方向で偏光ビー
ムスプリツタ膜３６に入射した戻り光ＬＡ２は、偏光方
向の異なる２つの偏光成分に分離されて、第１の偏光成
分は当該偏光ビームスプリツタ膜３６を透過して受光素
子ＰＤ１に受光される。これに対して第２の偏光成分は
当該偏光ビームスプリツタ膜３６において反射し、ガラ
ス部材３７を透過して偏光ビームスプリツタ膜４３に入
射され、ここで全反射することによつて受光素子ＰＤ２
に受光される。
ムスプリツタ膜３６に入射した戻り光ＬＡ２は、偏光方
向の異なる２つの偏光成分に分離されて、第１の偏光成
分は当該偏光ビームスプリツタ膜３６を透過して受光素
子ＰＤ１に受光される。これに対して第２の偏光成分は
当該偏光ビームスプリツタ膜３６において反射し、ガラ
ス部材３７を透過して偏光ビームスプリツタ膜４３に入
射され、ここで全反射することによつて受光素子ＰＤ２
に受光される。
【００１２】従つて２つの受光素子ＰＤ１及びＰＤ２に
おいて光磁気デイスク１０からの戻り光ＬＡ２の第１の
偏光成分及び第２の偏光成分を検出することにより、光
磁気検出信号を得ることができる。
おいて光磁気デイスク１０からの戻り光ＬＡ２の第１の
偏光成分及び第２の偏光成分を検出することにより、光
磁気検出信号を得ることができる。
【００１３】またこれに対して図６に示すように、例え
ばモニタ用の受光素子ＰＤＭが設けられたＳｉ基板ＳＩ
に半導体レーザＬＤを固定し、当該半導体レーザＬＤの
後面から射出される射出光ビームＬＡＢを受光素子ＰＤ
Ｍにおいて受光することにより、半導体レーザＬＤの発
光パワーをモニタすることができると考えられる。
ばモニタ用の受光素子ＰＤＭが設けられたＳｉ基板ＳＩ
に半導体レーザＬＤを固定し、当該半導体レーザＬＤの
後面から射出される射出光ビームＬＡＢを受光素子ＰＤ
Ｍにおいて受光することにより、半導体レーザＬＤの発
光パワーをモニタすることができると考えられる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで半導体レーザ
ＬＤの後面から射出される射出光ビームＬＡＢは当該半
導体レーザＬＤの前面から射出される射出光ビームＬＡ
１に対して光量に誤差があり、当該後面から射出される
射出光ビームＬＡＢをモニタした場合において光磁気デ
イスク１０に射出される前面光のパワーを正確にモニタ
することが困難な問題があつた。
ＬＤの後面から射出される射出光ビームＬＡＢは当該半
導体レーザＬＤの前面から射出される射出光ビームＬＡ
１に対して光量に誤差があり、当該後面から射出される
射出光ビームＬＡＢをモニタした場合において光磁気デ
イスク１０に射出される前面光のパワーを正確にモニタ
することが困難な問題があつた。
【００１５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、一段と確実に半導体レーザの前面光をモニタし得る
光磁気検出器を提案しようとするものである。
で、一段と確実に半導体レーザの前面光をモニタし得る
光磁気検出器を提案しようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、所定の光源ＬＤから射出された光
ビームＬＡ１を光磁気デイスク１０に焦光し、当該光磁
気デイスク１０において反射してなる戻り光ＬＡ２を所
定の受光素子ＰＤ１、ＰＤ２において受光する光磁気検
出器５０において、光源ＬＤから射出された光ビームＬ
Ａ１を光磁気デイスク１０方向に反射すると共に光ビー
ムＬＡ１を透過する第１のプリズム３１、３２、３３
と、第１のプリズム３１、３２、３３に固着され、光磁
気デイスク１０からの戻り光ＬＡ２の偏光面を所定角度
回転させる旋回子３４と、旋回子３４に固着され、旋回
子３４を介して入射される光磁気デイスク１０からの戻
り光ＬＡ２を分離して同一基板４０上に設けられた２つ
の受光素子ＰＤ１、ＰＤ２に導く第２のプリズム３５、
３６、３７、４３、４４と、第１のプリズム３１、３
２、３３と旋回子３４と第２のプリズム３５、３６、３
７、４３、４４の側端面に固着され、第１のプリズム３
１、３２、３３において透過した光源ＬＤからの光ビー
ムＬＡ１を２つの受光素子ＰＤ１、ＰＤ２と共に基板４
０上に設けられたモニタ用受光素子ＰＤＭに導く第３の
プリズム３９とを備えるようにする。
め本発明においては、所定の光源ＬＤから射出された光
ビームＬＡ１を光磁気デイスク１０に焦光し、当該光磁
気デイスク１０において反射してなる戻り光ＬＡ２を所
定の受光素子ＰＤ１、ＰＤ２において受光する光磁気検
出器５０において、光源ＬＤから射出された光ビームＬ
Ａ１を光磁気デイスク１０方向に反射すると共に光ビー
ムＬＡ１を透過する第１のプリズム３１、３２、３３
と、第１のプリズム３１、３２、３３に固着され、光磁
気デイスク１０からの戻り光ＬＡ２の偏光面を所定角度
回転させる旋回子３４と、旋回子３４に固着され、旋回
子３４を介して入射される光磁気デイスク１０からの戻
り光ＬＡ２を分離して同一基板４０上に設けられた２つ
の受光素子ＰＤ１、ＰＤ２に導く第２のプリズム３５、
３６、３７、４３、４４と、第１のプリズム３１、３
２、３３と旋回子３４と第２のプリズム３５、３６、３
７、４３、４４の側端面に固着され、第１のプリズム３
１、３２、３３において透過した光源ＬＤからの光ビー
ムＬＡ１を２つの受光素子ＰＤ１、ＰＤ２と共に基板４
０上に設けられたモニタ用受光素子ＰＤＭに導く第３の
プリズム３９とを備えるようにする。
【００１７】
【作用】光源ＬＤから光磁気デイスク１０に照射される
光ビームＬＡ１を直接モニタすることにより、一段と正
確なモニタ結果を得ると共に、光磁気デイスク１０から
の戻り光ＬＡ２を受光する復合プリズム７５と光ビーム
ＬＡ１をモニタするモニタ用プリズム３９とを一体化し
たことにより、当該復合プリズムを一段と簡単に基板４
０上に位置決めすることができる。
光ビームＬＡ１を直接モニタすることにより、一段と正
確なモニタ結果を得ると共に、光磁気デイスク１０から
の戻り光ＬＡ２を受光する復合プリズム７５と光ビーム
ＬＡ１をモニタするモニタ用プリズム３９とを一体化し
たことにより、当該復合プリズムを一段と簡単に基板４
０上に位置決めすることができる。
【００１８】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１９】図３との対応部分に同一符号を付して示す
図１において、光磁気検出器５０はビームスプリツタ膜
３２を介してガラス部材３１及び３３を接合すると共
に、偏光ビームスプリツタ膜３６を介してガラス部材３
５及び３７を接合し、さらに偏光ビームスプリツタ膜４
３を介してガラス部材３７及び４４を接合し、ガラス部
材３３及び３７間に水晶等でなる１／２波長板３４を挟
着して復合プリズム７５を形成している。
図１において、光磁気検出器５０はビームスプリツタ膜
３２を介してガラス部材３１及び３３を接合すると共
に、偏光ビームスプリツタ膜３６を介してガラス部材３
５及び３７を接合し、さらに偏光ビームスプリツタ膜４
３を介してガラス部材３７及び４４を接合し、ガラス部
材３３及び３７間に水晶等でなる１／２波長板３４を挟
着して復合プリズム７５を形成している。
【００２０】またガラス部材３３、１／２波長板３４及
びガラス部材４４の側端面には接着剤を用いて樹脂材料
でなるモニタ用プリズム３９が接合されている。このよ
うに形成された複合プリズムを、受光素子ＰＤ１、ＰＤ
２及びモニタ用受光素子ＰＤＭが設けられた基板４０上
に固定するようになされている。
びガラス部材４４の側端面には接着剤を用いて樹脂材料
でなるモニタ用プリズム３９が接合されている。このよ
うに形成された複合プリズムを、受光素子ＰＤ１、ＰＤ
２及びモニタ用受光素子ＰＤＭが設けられた基板４０上
に固定するようになされている。
【００２１】従つて半導体レーザＬＤの前面から射出さ
れた射出光ビームＬＡ１はガラス部材３１を介してビー
ムスプリツタ膜３２に入射し、当該ビームスプリツタ膜
３２において光磁気デイスク１０方向に反射される。
れた射出光ビームＬＡ１はガラス部材３１を介してビー
ムスプリツタ膜３２に入射し、当該ビームスプリツタ膜
３２において光磁気デイスク１０方向に反射される。
【００２２】また光磁気デイスク１０に焦光された射出
光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０上で記録さ
れた磁区における磁気カー効果によつて偏光面が回転し
ながら反射し、戻り光ＬＡ２として再びビームスプリツ
タ膜３２に導かれ当該ビームスプリツタ膜３２を透過し
て結晶部材３４に入射する。
光ビームＬＡ１は、当該光磁気デイスク１０上で記録さ
れた磁区における磁気カー効果によつて偏光面が回転し
ながら反射し、戻り光ＬＡ２として再びビームスプリツ
タ膜３２に導かれ当該ビームスプリツタ膜３２を透過し
て結晶部材３４に入射する。
【００２３】１／２波長板３４は偏光特性（複屈折及び
旋光性）を有し、当該１／２波長板３４への入射光（Ｌ
Ａ１）は当該１／２波長板３４を透過する際に偏光面を
所定角度回転し、偏光ビームスプリツタ膜３６に入射す
る。
旋光性）を有し、当該１／２波長板３４への入射光（Ｌ
Ａ１）は当該１／２波長板３４を透過する際に偏光面を
所定角度回転し、偏光ビームスプリツタ膜３６に入射す
る。
【００２４】従つて所定角度傾いた偏光方向で偏光ビー
ムスプリツタ膜３６に入射した戻り光ＬＡ２は、偏光方
向の異なる２つの偏光成分に分離されて、第１の偏光成
分は当該偏光ビームスプリツタ膜３６を透過して受光素
子ＰＤ１に受光される。これに対して第２の偏光成分は
当該偏光ビームスプリツタ膜３６において反射し、ガラ
ス部材３７を透過して偏光ビームスプリツタ膜４３に入
射され、ここで全反射することによつて受光素子ＰＤ２
に受光される。
ムスプリツタ膜３６に入射した戻り光ＬＡ２は、偏光方
向の異なる２つの偏光成分に分離されて、第１の偏光成
分は当該偏光ビームスプリツタ膜３６を透過して受光素
子ＰＤ１に受光される。これに対して第２の偏光成分は
当該偏光ビームスプリツタ膜３６において反射し、ガラ
ス部材３７を透過して偏光ビームスプリツタ膜４３に入
射され、ここで全反射することによつて受光素子ＰＤ２
に受光される。
【００２５】これに対して半導体レーザ２からの射出光
ビームＬＡ１の一部は、ビームスプリツタ膜３２を透過
してガラス部材３３を透過し、モニタ用プリズム３９に
おいて反射した後モニタ用受光素子ＰＤＭに導かれる。
ビームＬＡ１の一部は、ビームスプリツタ膜３２を透過
してガラス部材３３を透過し、モニタ用プリズム３９に
おいて反射した後モニタ用受光素子ＰＤＭに導かれる。
【００２６】従つて２つの受光素子ＰＤ１及びＰＤ２に
おいて光磁気デイスク１０からの戻り光ＬＡ２の第１の
偏光成分及び第２の偏光成分を検出することにより、光
磁気検出信号を得ることができると共に、モニタ用受光
素子ＰＤＭにおいて射出光ビームＬＡ１を受光すること
により、当該射出光ビームＬＡ１のパワーをモニタする
ことができる。
おいて光磁気デイスク１０からの戻り光ＬＡ２の第１の
偏光成分及び第２の偏光成分を検出することにより、光
磁気検出信号を得ることができると共に、モニタ用受光
素子ＰＤＭにおいて射出光ビームＬＡ１を受光すること
により、当該射出光ビームＬＡ１のパワーをモニタする
ことができる。
【００２７】ここで図２は受光素子ＰＤ１、ＰＤ２及び
モニタ用受光素子ＰＤＭにおいて受光された射出光ビー
ムＬＡ１の光量に基づいて光磁気検出信号及び半導体レ
ーザＬＤの光量を調整する検出信号を得るための受光回
路を示し、受光素子ＰＤ１の第１分割領域ａの受光光量
は演算増幅回路ＡＭＰａに入力され、第２分割領域ｂの
受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｂに入力され、第３分割
領域ｃの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｃに入力され、
第１分割領域ｄの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｄに入
力され、また受光素子ＰＤ２の第１分割領域ｅの受光光
量は演算増幅回路ＡＭＰｅに入力され、第２分割領域ｆ
の受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｆに入力され、第３分
割領域ｇの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｇに入力さ
れ、第４分割領域ｈの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｈ
に入力される。
モニタ用受光素子ＰＤＭにおいて受光された射出光ビー
ムＬＡ１の光量に基づいて光磁気検出信号及び半導体レ
ーザＬＤの光量を調整する検出信号を得るための受光回
路を示し、受光素子ＰＤ１の第１分割領域ａの受光光量
は演算増幅回路ＡＭＰａに入力され、第２分割領域ｂの
受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｂに入力され、第３分割
領域ｃの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｃに入力され、
第１分割領域ｄの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｄに入
力され、また受光素子ＰＤ２の第１分割領域ｅの受光光
量は演算増幅回路ＡＭＰｅに入力され、第２分割領域ｆ
の受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｆに入力され、第３分
割領域ｇの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｇに入力さ
れ、第４分割領域ｈの受光光量は演算増幅回路ＡＭＰｈ
に入力される。
【００２８】従つて各演算増幅回路ＡＭＰａ〜ＡＭＰｈ
において増幅された各受光光量は演算回路６３Ａ、６３
Ｂ、６３Ｃ及び６３Ｄにそれぞれ入力される。演算回路
６３Ａは受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈ
における受光光量（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づい
て、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＋（ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ）の演算を
実行することにより、光磁気デイスク１０に形成された
ピツトに基づいて再生されるピツト再生信号ＰＲＦを得
る。
において増幅された各受光光量は演算回路６３Ａ、６３
Ｂ、６３Ｃ及び６３Ｄにそれぞれ入力される。演算回路
６３Ａは受光素子ＰＤ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈ
における受光光量（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づい
て、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＋（ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ）の演算を
実行することにより、光磁気デイスク１０に形成された
ピツトに基づいて再生されるピツト再生信号ＰＲＦを得
る。
【００２９】これに対して演算回路６３Ｂは受光素子Ｐ
Ｄ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈにおける受光光量
（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づいて、（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ）−（ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ）の演算を実行することによ
り、光磁気デイスク１０に磁化記録された情報を再生し
てなる光磁気再生信号ＭＯＲＦを得る。
Ｄ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈにおける受光光量
（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づいて、（ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ）−（ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ）の演算を実行することによ
り、光磁気デイスク１０に磁化記録された情報を再生し
てなる光磁気再生信号ＭＯＲＦを得る。
【００３０】これに対して演算回路６３Ｃは受光素子Ｐ
Ｄ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈにおける受光光量
（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づいて、（（ａ＋ｄ）
−（ｂ＋ｃ））−（（ｅ＋ｈ）−（ｆ＋ｇ））の演算を
実行することにより、光磁気デイスク１０に対する射出
光ビームＬＡ１のフオーカスエラー検出信号ＦＥＳを得
る。
Ｄ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈにおける受光光量
（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づいて、（（ａ＋ｄ）
−（ｂ＋ｃ））−（（ｅ＋ｈ）−（ｆ＋ｇ））の演算を
実行することにより、光磁気デイスク１０に対する射出
光ビームＬＡ１のフオーカスエラー検出信号ＦＥＳを得
る。
【００３１】これに対して演算回路６３Ｄは受光素子Ｐ
Ｄ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈにおける受光光量
（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づいて、（（ａ＋ｂ）
−（ｃ＋ｄ））−（（ｅ＋ｆ）−（ｇ＋ｈ））の演算を
実行することにより、光磁気デイスク１０に対する射出
光ビームＬＡ１のトラツキングエラー検出信号ＴＥＳを
得る。
Ｄ１及びＰＤ２の各分割領域ａ〜ｈにおける受光光量
（同様の記号ａ〜ｈを付す）に基づいて、（（ａ＋ｂ）
−（ｃ＋ｄ））−（（ｅ＋ｆ）−（ｇ＋ｈ））の演算を
実行することにより、光磁気デイスク１０に対する射出
光ビームＬＡ１のトラツキングエラー検出信号ＴＥＳを
得る。
【００３２】またモニタ用受光素子ＰＤＭの受光光量は
演算増幅回路ＡＭＰｉに入力され、所定レベルに増幅さ
れた後、ＡＰＣ（auto power control) 構成の半導体レ
ーザドライブ回路６１に入力される。
演算増幅回路ＡＭＰｉに入力され、所定レベルに増幅さ
れた後、ＡＰＣ（auto power control) 構成の半導体レ
ーザドライブ回路６１に入力される。
【００３３】半導体レーザドライブ回路６１はモニタ用
受光素子ＰＤＭにおいて受光された射出光ビームＬＡ１
の光量に基づいて半導体レーザＬＤの出力を制御するこ
とにより、常に一定光量の射出光ビームＬＡ１を半導体
レーザＬＤから射出させることができる。。
受光素子ＰＤＭにおいて受光された射出光ビームＬＡ１
の光量に基づいて半導体レーザＬＤの出力を制御するこ
とにより、常に一定光量の射出光ビームＬＡ１を半導体
レーザＬＤから射出させることができる。。
【００３４】以上の構成において、光磁気検出器５０は
複数のプリズムを互いに固着してなる復合プリズムを基
板４０上に配置することにより、当該復合プリズムを基
板４０上に位置合わせ及び固定するだけの簡単な方法に
よつて光磁気検出器５０を製造することができる。
複数のプリズムを互いに固着してなる復合プリズムを基
板４０上に配置することにより、当該復合プリズムを基
板４０上に位置合わせ及び固定するだけの簡単な方法に
よつて光磁気検出器５０を製造することができる。
【００３５】このときガラス部材３３、１／２波長板３
４及びガラス部材４４の側端面には接着剤を用いて樹脂
材料でなるモニタ用プリズム３９を接合するようになさ
れており、当該接合面には空気層が介在しないことによ
り、空気層及びガラス層間の屈折率の差による反射が発
生せず、反射防止膜を省くことができ、さらに屈折率差
が小さくなつた分当該接合面の研磨精度を粗くすること
ができる。
４及びガラス部材４４の側端面には接着剤を用いて樹脂
材料でなるモニタ用プリズム３９を接合するようになさ
れており、当該接合面には空気層が介在しないことによ
り、空気層及びガラス層間の屈折率の差による反射が発
生せず、反射防止膜を省くことができ、さらに屈折率差
が小さくなつた分当該接合面の研磨精度を粗くすること
ができる。
【００３６】以上の構成によれば、光磁気デイスク１０
からの戻り光ＬＡ２を検出する復合プリズムと半導体レ
ーザＬＤからの射出光ビームＬＡ１をモニタするモニタ
用プリズム３９を一体化したことにより、基板４０に対
する位置合わせを一段と簡単化し得ると共に、光磁気デ
イスク１０に対して照射される半導体レーザＬＤの前面
からの射出光ビームＬＡ１をモニタすることができ、後
面から射出される射出光ビームＬＡＢをモニタするよう
になされた従来の場合に比して一段と正確なモニタ結果
を得ることができる。
からの戻り光ＬＡ２を検出する復合プリズムと半導体レ
ーザＬＤからの射出光ビームＬＡ１をモニタするモニタ
用プリズム３９を一体化したことにより、基板４０に対
する位置合わせを一段と簡単化し得ると共に、光磁気デ
イスク１０に対して照射される半導体レーザＬＤの前面
からの射出光ビームＬＡ１をモニタすることができ、後
面から射出される射出光ビームＬＡＢをモニタするよう
になされた従来の場合に比して一段と正確なモニタ結果
を得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、光源から
射出された光ビームを光磁気デイスク方向に反射すると
共に光ビームを透過する第１のプリズムと、光磁気デイ
スクからの戻り光の偏光面を所定角度回転させる旋回子
と、旋回子を介して入射される光磁気デイスクからの戻
り光を分離して同一基板上に設けられた２つの受光素子
に導く第２のプリズムと、第１のプリズムにおいて透過
した光源からの光ビームを２つの受光素子と共に基板上
に設けられたモニタ用受光素子に導く第３のプリズムと
をそれぞれ一体に固着することにより、光磁気デイスク
に照射する光ビームを直接モニタし得る光磁気検出器を
一段と高精度で位置決めすることができる。
射出された光ビームを光磁気デイスク方向に反射すると
共に光ビームを透過する第１のプリズムと、光磁気デイ
スクからの戻り光の偏光面を所定角度回転させる旋回子
と、旋回子を介して入射される光磁気デイスクからの戻
り光を分離して同一基板上に設けられた２つの受光素子
に導く第２のプリズムと、第１のプリズムにおいて透過
した光源からの光ビームを２つの受光素子と共に基板上
に設けられたモニタ用受光素子に導く第３のプリズムと
をそれぞれ一体に固着することにより、光磁気デイスク
に照射する光ビームを直接モニタし得る光磁気検出器を
一段と高精度で位置決めすることができる。
【図１】本発明による光磁気検出器の構成を示す側面図
である。
である。
【図２】受光回路の構成を示すブロツク図である。
【図３】従来の光磁気検出器を示すブロツク図である。
【図４】従来の光磁気検出器を示す側面図である。
【図５】従来の光磁気検出器を示す側面図である。
【図６】従来の光ビームのモニタ方法を示す略線的斜視
図である。
図である。
１０……光磁気デイスク、３２……ビームスプリツタ、
３６、４３……偏光ビームスプリツタ、４０……基板、
５０……光磁気検出器、ＬＤ……半導体レーザ、ＰＤ
１、ＰＤ２……受光素子、ＰＤＭ……モニタ用受光素
子。
３６、４３……偏光ビームスプリツタ、４０……基板、
５０……光磁気検出器、ＬＤ……半導体レーザ、ＰＤ
１、ＰＤ２……受光素子、ＰＤＭ……モニタ用受光素
子。
Claims (1)
- 【請求項１】所定の光源から射出された光ビームを光磁
気デイスクに集光し、当該光磁気デイスクにおいて反射
してなる戻り光を所定の受光素子において受光する光磁
気検出器において、 上記光源から射出された上記光ビームを上記光磁気デイ
スク方向に反射すると共に上記光ビームを透過する第１
のプリズムと、 上記第１のプリズムに固着され、上記光磁気デイスクか
らの上記戻り光の偏光面を所定角度回転させる旋回子
と、 上記旋回子に固着され、上記旋回子を介して入射される
上記光磁気デイスクからの上記戻り光を分離して同一基
板上に設けられた２つの受光素子に導く第２のプリズム
と、 上記第１のプリズムと上記旋回子と上記第２のプリズム
の側端面に固着され、上記第１のプリズムにおいて透過
した上記光源からの光ビームを上記２つの受光素子と共
に上記基板上に設けられたモニタ用受光素子に導く第３
のプリズムとを具えることを特徴とする光磁気検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29606193A JPH07130024A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | 光磁気検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29606193A JPH07130024A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | 光磁気検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130024A true JPH07130024A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17828601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29606193A Pending JPH07130024A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | 光磁気検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100351930C (zh) * | 2003-10-23 | 2007-11-28 | 松下电器产业株式会社 | 光学头及光信息介质驱动装置 |
-
1993
- 1993-11-01 JP JP29606193A patent/JPH07130024A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100351930C (zh) * | 2003-10-23 | 2007-11-28 | 松下电器产业株式会社 | 光学头及光信息介质驱动装置 |
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