JPH07121904A

JPH07121904A - 光ディスク

Info

Publication number: JPH07121904A
Application number: JP5264780A
Authority: JP
Inventors: Shiro Miyata; 志郎宮田; Hideki Matsuoka; 秀樹松岡; Tomoaki Hara; 智章原
Original assignee: NKK Corp; Nippon Kokan Ltd; Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp; JFE Engineering Corp
Priority date: 1993-10-22
Filing date: 1993-10-22
Publication date: 1995-05-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】樹脂製透明基板２上に記録層４を有する光デ
ィスクであって、この光ディスクのレーザー光入射側の
基板表面に、２５℃、５０％ＲＨの環境における表面抵
抗が１×１０¹⁰Ω／□以下である下地層８が設けられ、
更に、下地層８の少なくともレーザー光が入射する領域
が活性光線硬化型樹脂の硬化被膜よりなるハードコート
層６により被覆され、かつ下地層８のレーザー光が入射
しない領域の全体又は一部が、ハードコート層６に被覆
されずに露出している光ディスク。【効果】本発明の光ディスクは、レーザー光入射面に
おいて、十分な耐擦傷性を保持したまま、非常に優れた
帯電防止効果を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光などの光ビ
ームにより情報の記録、再生及び／又は消去を行なう光
ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、レーザー光などの光ビームを用い
て、高密度の情報の記録、再生及び／又は消去を行なう
光ディスクが注目されている。

【０００３】光ディスクは、記録方式及び記録層の相違
からＲＯＭディスク、追記型ディスク、相変化型ディス
ク、有機フォトクロミック材料を記録層としたディス
ク、磁気光学効果を利用した光磁気ディスク等に分類す
ることができる。このうち光磁気ディスクは、情報の書
き換えが自在にでき、応用範囲が広く、実用化に最も近
いディスクと云われ、光ディスクの中でも特に注目を集
めている。既に一部実用化もされている。

【０００４】３．５インチの一般的な光磁気ディスクを
例として説明すると、図１に示したように、中心から半
径２３mm〜４１mm程度の領域にグルーブと称される溝が
形成され、グルーブを覆うように中心から半径２１mm〜
４２mm程度の領域に記録層が形成されている。記録層
は、通常、遷移金属と希土類金属との合金であって、膜
面と垂直方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜及
び誘電体膜、反射膜等からなる。記録層は、空気中の酸
素や水分により腐食され易いため、記録層は保護コート
と称される樹脂被膜により被覆されている。

【０００５】また、一般に光磁気ディスクに用いられる
円盤状透明基板は、ポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート、アモルファスポリオレフィン等の傷の付き
易い樹脂よりなるため、基板表面の傷付き防止のため、
保護コートがなされた面とは逆の基板面にはハードコー
トがなされている。上記構成は、３．５インチの一般的
な光磁気ディスクを例としているが、他のタイプの光デ
ィスクも通常上記と同様の構成をとっている。

【０００６】光ディスクでは、ハードコートのなされた
面からレーザー光などの光ビームを照射することにより
情報の記録、再生及び／又は消去を行なっている。この
ため、ハードコートは平滑で透明であることが要求さ
れ、更に傷が付いたり空気中の塵埃等の異物が付着して
光ビームの進路が妨げられることのないように、耐擦傷
性と塵埃付着防止性が要求される。従って、光ディスク
のハードコートは、これらの要求特性をバランス良く満
たす必要がある。

【０００７】これらの特性のなかでも、ハードコート面
への塵埃の付着は、ハードコート面が帯電して空気中の
塵埃が静電気的に吸着されることにより発生することが
多い。このようなハードコート面の帯電による塵埃の吸
着といった不都合を防止するために、ハードコートに帯
電防止効果を付与することが提案されている。

【０００８】ハードコートに帯電防止効果を付与する手
段としては、例えば、特開昭６１一２２２０４２号公報
に開示されているように、スパッタリング法や蒸着法等
の方法により製膜したＩＴＯ等の無機透明導電性膜をハ
ードコートとする方法、あるいは特開平１−１１９９３
４号公報に開示されているように、基板面を紫外線、電
子線等の活性光線により硬化する樹脂の硬化被膜により
被覆し、更にその上に無機透明導電性膜を形成する方法
が知られている。しかし、この方法の無機透明導電性膜
は、その製法上、非常に薄い膜しか得ることができず、
しかも得られた膜は堅くて脆く、容易に欠損してしまう
ため、ハードコートとして必要な耐擦傷性が劣るという
欠点がある。

【０００９】また、例えば、特開平２−１２３５３４公
報に開示されているように、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ等の金属
酸化物の微粒子を含有した活性光線硬化型樹脂などによ
り基板面を被覆する方法が知られている。この方法で
は、スピンコート法等の量産性に優れた簡便な手段によ
りハードコート層を形成することができるが、十分な帯
電防止効果を付与するためには、酸化物微粒子の含有率
を高める必要があり、この場合、ハードコート層の表面
の平滑性あるいはハードコート層の光学的な均一性を保
つことが著しく困難となり、光ディスクとしての記録再
生特性が低下するという欠点がある。

【００１０】一方、ハードコートに帯電防止性を付与す
る方法としては、界面活性剤等の有機系帯電防止剤を含
有した活性光線硬化型樹脂をハードコートとして用いる
方法も知られている。この場合、量産性に優れたスピン
コート法が適用でき、かつ、コート剤は基本的に均一系
であるので、ハードコート表面の平滑性やハードコート
層の光学的均一性を損なうことがないという利点があ
る。しかし、この方法では、ハードコート表面の帯電防
止剤成分の極性基に水分が吸着されることにより帯電防
止効果が発現されるため、帯電防止効果の湿度依存性が
大きいと云う欠点がある。湿度の低い冬季において十分
な帯電防止効果を発現させるためには多量の帯電防止剤
成分を用いる必要があり、この場合、湿度の高い夏季に
おいては表面に大量の水分が吸着されてハードコート表
面が粘着性となり、かえって塵埃を吸着し易くなるとい
う欠点がある。また帯電防止剤成分の割合が増加すると
ハードコートの耐擦傷性が損なわれるという問題も発生
する。

【００１１】上記のように、光ディスクのハードコート
に関しては、帯電防止性と耐擦傷性や平滑性を両立させ
るのは極めて困難であるのが実状である。

【００１２】そこで、上記の各種帯電防止層の表面を、
紫外線等の活性光線により硬化可能であって、耐擦傷性
に優れた樹脂の硬化被膜で被覆するという方法が提案さ
れている。例えば、特開平４−６４９３２号公報には、
まず基板面上にＩＴＯ等の無機透明導電性膜をスパッタ
リング等の真空製膜法で形成し、その膜を活性光線硬化
型樹脂の硬化被膜により被覆してなる光ディスクが開示
されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、帯電防止層
の表面を活性光線硬化樹脂の硬化被膜により被覆したハ
ードコートは、表面抵抗測定時に電流が下地の帯電防止
層を経由して流れるため、見かけの表面抵抗値は低くな
るが、最表層が絶縁性の高い活性光線硬化樹脂の硬化被
膜であることには変わりはないので、例えば、表面の摩
擦やコロナ放電等を行なうと、容易に高電圧まで帯電し
てしまい、かつ、その電位がなかなか減衰しないという
欠点がある。従って、見かけの表面抵抗値が低くても真
の意味での帯電防止性が達成できているとは言えない。

【００１４】本発明が解決しようとする課題は、真の意
味での帯電防止性に優れ、十分な塵埃吸着防止性能を発
現し、かつ十分な耐擦傷性を保持したハードコート層を
有する光ディスクを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、樹脂製透明基板上に記録層を有する光ディ
スクであって、レーザー光入射側の基板表面に、２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗が１×１０¹⁰Ω
／□以下である下地層が設けられ、更に、前記下地層の
少なくともレーザー光が入射する領域が活性光線硬化型
樹脂の硬化被膜よりなるハードコート層により被覆さ
れ、かつ前記下地層のレーザー光が入射しない領域の全
体又は一部が、前記ハードコート層に被覆されずに露出
していることを特徴とする光ディスクを提供する。

【００１６】以下、本発明を図を用いて詳細に説明す
る。本発明の光ディスクの構成を３．５インチの光磁気
ディスクを例として図２に示した。本発明の光ディスク
は、レーザー光入射面、即ち、記録層の形成された面と
は逆の基板表面に２５℃、５０％ＲＨの環境における表
面抵抗値が１×１０ ¹⁰Ω／□以下である下地層が設けら
れている。この下地層は、レーザー光入射面において、
レーザー光が入射する領域以外の領域にも形成されてい
る。ここでレーザー光が入射する領域とは、本発明の光
ディスクのレーザー光入射面において、記録、再生及び
／又は消去を行なうレーザー光が入射する可能性のある
すべての領域を意味し、通常、レーザー光入射面とは反
対側の面にグルーブが形成されている領域が該当する。

【００１７】更に、この下地層の表面の、少なくともレ
ーザー光が入射する領域は活性光線硬化型樹脂の硬化被
膜によりなるハードコート層により被覆されており、か
つ、レーザー光が入射しない領域の全体又は一部におい
て前記下地層が露出している。

【００１８】本発明において下地層が露出している領域
は、通常、図２に示したように、レーザー光入射領域の
内側の、同心円の帯状領域である。この場合、帯状領域
の半径方向の幅は、好ましくは３mm以上、更に好ましく
は５mm以上である。これら以下の幅では静電気の漏洩性
が劣るので好ましくない。なお、下地層の露出している
領域の形状は図２に例示した形状に限定されず、十分な
静電気の漏洩性が発現されるならば、いかなる形状でも
構わない。

【００１９】２５℃、５０％ＲＨの環境における表面抵
抗値が１×１０¹⁰Ω／□以下である下地層は、レーザー
光に対する透明性が、記録再生に支障のない程度に高い
もので有ればよい。かかる下地層の例としては、（１）
金属の酸化物よりなる無機透明導電性膜、（２）金属の
酸化物の微粒子を含有する活性光線硬化型樹脂の透明導
電性硬化被膜、（３）有機系帯電防止剤を含有する有機
化合物層、（４）シリコン系帯電防止剤を含有する層よ
りなる被膜等を挙げることができる。

【００２０】金属の酸化物よりなる無機透明導電性膜と
しては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎのうちの少なくとも
１種を含む金属の酸化物よりなる無機導電性膜が透明性
が高いので好ましく、その中でもＩｎ及びＳｎの酸化物
よりなる膜（ＩＴＯ）は、透明性が高く、電気抵抗値が
低い膜を得ることができるので、特に好ましい。これら
の無機透明導電性膜は、真空蒸着法やスパッタリング法
により形成することができる。この無機透明導電性膜
は、記録再生に用いるレーザー光の波長において８５％
以上の透過率を有することが好ましい。前記透過率を達
成するため、無機透明導電性膜の膜厚は通常１００〜４
０００オングストロームの範囲より選択される。

【００２１】金属酸化物の微粒子を含有する活性光線硬
化型樹脂を下地層として用いる金属酸化物の微粒子の例
としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｂのうちの少
なくとも１種を含む金属の酸化物の微粒子を挙げること
ができる。これらの中でも酸化スズ、酸化インジウムが
透明度や電気抵抗値の観点から好ましく用いられる。こ
れらの酸化物にリン原子などをドープしても良い。金属
の酸化物の微粒子を均一に分散させた活性光線硬化型樹
脂の硬化被膜は、該樹脂をスピンコート法などの方法に
より基板上に塗布し、紫外線などの活性光線を照射して
硬化せしめることにより形成することができる。微粒子
の平均粒径は０．０１〜１μｍの範囲が好ましく、硬化
被膜の膜厚は０．５〜５μｍの範囲が好ましい。なお、
本発明においては、金属の酸化物微粒子を含有する活性
光線硬化型樹脂の硬化被膜よりなる下地層のレーザー光
入射表面を、別の活性光線硬化型樹脂よりなるハードコ
ート層により被覆するため、下地層には耐擦傷性は要求
されない。従って、下地層を極めて薄くすることも可能
であり、樹脂中の金属酸化物微粒子の含有率を通常より
高めて、電気抵抗値を低下せしめても透明度が損なわれ
ない。また下地層表面が、微粒子の浮き出しによる乱反
射のために、透明度が低下しても、その上からハードコ
ートすることにより乱反射が抑えられ透明度が回復す
る。従って、特開平２−１２３５３４公報の様に、金属
酸化物微粒子を含有する活性光線硬化型樹脂の硬化被膜
を単独でハードコートとした場合の欠点は、本発明にお
いて解決される。

【００２２】有機系帯電防止剤を含有する有機化合物層
を下地層とした場合、これらは（１）有機系帯電防止剤
を揮発性溶剤に溶解し、これをスピンコート法などの方
法により基板表面に塗布し乾燥する、又は（２）有機系
帯電防止剤を含有する活性光線硬化型樹脂をスピンコー
ト法などの方法により基板表面に塗布し、活性光線照射
により硬化せしめる、等の方法により形成することがで
きる。（１）の方法では乾燥に時間がかかり生産性に劣
るため、（２）の方法の方が好ましい。

【００２３】本発明において、有機系帯電防止剤とは、
その分子中に親水性部分と、主として有機化合物よりな
る疎水性部分を共に有するような化合物であり、親水性
部分がカチオン性、アニオン性、非イオン性のいずれの
場合でも用いることができる。カチオン性帯電防止剤の
親水性部分としては第１級アミン、第２級アミン、第３
級アミン、ピリジン誘導体及びこれらの塩、更に第４級
アンモニウム塩などを例示することができ、アニオン性
帯電防止剤の親水性部分としては、スルホン酸、カルボ
ン酸、リン酸、及びこれらの金属塩等を例示することが
でき、非イオン性帯電防止剤の親水性部分としてはアル
コール、アミド、エステル、及びこれらのエチレンオキ
シド付加物、あるいはプロピレンオキシド付加物等を例
示することができる。また通常両性界面活性剤と称され
る帯電防止剤も使用可能である。

【００２４】また、これら有機系帯電防止剤の疎水性部
分としては特に制限はないが、アクリロイル基及び／又
はメタクリロイル基等の、適当な光重合開始剤の存在下
で紫外線等の活性光線照射をすることにより硬化可能な
官能基を有している帯電防止剤であれば、活性光線照射
により容易に被膜を形成することができ帯電防止効果の
持続性にも優れるので好ましい。

【００２５】本発明において、シリコン系帯電防止剤と
しては、ポリシロキサン等のシロキサン結合を有するも
のが好ましく用いられる。これらシリコン系帯電防止剤
は、通常溶剤により希釈された形で提供されるが、スピ
ンコート法などの方法により基板上に均一に塗布した
後、加熱や室温放置等の方法により被膜を形成して本発
明の下地層とすることができる。

【００２６】本発明において図２に示されるハードコー
ト層としては、光ディスクのハードコート剤として一般
に用いられるアクリル系の活性光線硬化型樹脂等の硬化
被膜を用いることができる。このような活性光線硬化型
樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキ
シアクリレート、ポリエステルアクリレート等の活性光
線硬化性オリゴマー；プロピレングリコールジ（メタ）
アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、テトラメチレングリコールジ（メタ）アク
リレート、ヘキサメチレングリコールジ（メタ）アクリ
レート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、グリセリン及びペンタエリスリトール等のポリ（メ
タ）アクリレート等の活性光線硬化性多官能モノマー；
エチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メ
タ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、
ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル
（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレー
ト、イソボルニル（メタ）アクリレート等の活性光線硬
化性単官能モノマー；更に必要に応じて光重合開始剤、
重合禁止剤、レベリング剤、潤滑剤等の樹脂添加剤等を
適宜混合して構成した組成物が用いられる。

【００２７】尚、このハードコート用組成物に耐擦傷性
を損なわない範囲で界面活性剤及び／又は導電性無機微
粒子等の帯電防止成分を含有せしめることも可能であ
り、かかる成分を含有させハードコート層の膜厚方向の
電気抵抗を若干低下させることで、本発明の効果は著し
く向上する。この帯電防止成分が含まれたハードコート
の表面抵抗は２５℃、５０％ＲＨにおいて好ましくは１
０¹⁵Ω／□以下、更に好ましくは１０¹⁴Ω／□以下であ
れば十分である。通常この程度の表面抵抗のハードコー
ト剤を単独で用いた場合には、帯電防止効果が不十分で
あるが、本発明の方法によれば下地層との相乗効果によ
り著しく良好な帯電防止効果を発現する。図２に示した
ハードコート層は、上記の樹脂組成物を下地層の表面に
スピンコート法により塗布し、活性光線を照射すること
により形成することができる。この際のハードコート層
の膜厚は１〜１０μｍの範囲であることが好ましい。膜
厚が１μｍ未満であるとハードコートとしての耐擦傷性
が劣り、また、膜厚が１０μｍより厚くするとハードコ
ート表面の帯電防止効果が劣る傾向にあるので、好まし
くない。また、ハードコート層を構成する活性光線硬化
型樹脂の硬化被膜は、耐擦傷性の面から鉛筆硬度が２Ｈ
以上であることが好ましい。

【００２８】光ディスクは、通常、案内溝を有する基板
上に、干渉膜、記録膜、反射膜を構成単位とし、それら
の組み合わせにより形成される記録層を有する。

【００２９】案内溝を有する基板としては、例えば、基
板面に対応する位置に案内溝を形成した金型に、ポリカ
ーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモルファス
ポリオレフィンの如き成形性に優れた樹脂を用いて射出
成形したもの、或いは、フォトポリマー法により、樹脂
の平板上に案内溝を形成したものが挙げられる。

【００３０】干渉膜には透明性、屈折率の高い無機誘電
体膜が用いられる。材質としては、例えば、ＳｉＮ_x、
ＳｉＯ_x、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＴ
ｉＮ、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｎＳ等が挙げられる。これら干渉膜
の屈折率は、１．８〜２．８の範囲が好ましく、吸収係
数は０〜０．１の範囲が好ましい。

【００３１】記録膜を構成する材質としては、例えば、
追記型光ディスクでは、Ｔｅ、ＳｎＳｅ等のカルコゲナ
イト系合金、或いはシアニン系等の有機色素、光磁気デ
ィスクでは、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の遷移
金属と希土類金属の合金、相変化型光ディスクでは、Ｔ
ｅＯ_x、ＩｎＳｅ、ＳｎＳｂ等のカルコゲナイト系合金
等が挙げられる。

【００３２】反射膜には反射率の高い金属膜或いは合金
膜を使用する。材質は、例えば、金属膜としては、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等、合金膜としてはＡｌ−Ｔｉ、
Ａｌ−Ｃｒ等が挙げられる。

【００３３】干渉膜、金属系記録膜、反射膜は、スパッ
タリング、イオンプレーディング等の物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）、プラズマＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等によ
って形成し、有機色素系記録膜は溶液をスピンコート
法、ロールコート法等により塗布した後、溶媒を除去し
て形成する。

【００３４】更に、反射膜の上に保護コート層を設ける
こともできる。

【００３５】保護コート層の材料には有機系、無機系の
双方が用いられている。有機系の保護コート層を形成す
る場合には、ディッピング法、スピンコート法、ロール
コーター法、蒸着法等の手法が用いられている。一方、
無機系の保護コート層を形成する場合には、スパッタリ
ング法や蒸着法、含浸法等の手法が用いられる。

【００３６】これらの保護コート層の形成方法のうち、
紫外線硬化樹脂を用いたスピンコート法は簡便で迅速な
方法であるので好ましい。この方法は、ディスペンサー
を用いて基板上に紫外線硬化樹脂を吐出し、光磁気記録
媒体を高速回転して遠心力により樹脂を広げて塗布を行
なう。塗布された樹脂は、その後、紫外線照射によって
硬化させる。また、スピンコート法は、紫外線硬化樹脂
以外の樹脂に対しても好適に用いることができる。いず
れの場合においても、保護コート層に用いる樹脂は、硬
化後に鉛筆硬度でＨ以上の硬度を有するものが好まし
い。

【００３７】

【作用】一般に最表層の表面抵抗値が１０¹⁰Ω／□以下
であれば、静電気は容易に空気中に漏洩し、帯電するこ
とはないが、本発明においては、１０¹⁰Ω／□以下の低
い表面抵抗を有する下地層が一部露出しているため、活
性光線硬化型樹脂被膜よりなるハードコート層に帯電し
た静電気は一旦下地層に移行した後、露出した部分から
速やかに漏洩していくことができる。従って、本発明の
光ディスクは、静電気の漏洩性に優れる。また、この効
果はハードコート層に微量の帯電防止成分を含有させ、
ハードコート層の垂直方向の電気抵抗を若干低下せしめ
ることで更に向上する。

【００３８】また、レーザー光が入射し、耐擦傷性が要
求される領域には、最表層に耐擦傷性に優れた活性光線
硬化型樹脂被膜が形成されているので、本発明の光ディ
スクはレーザー光入射領域での耐擦傷性にも優れる。

【００３９】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説
明する。なお、実施例中、「部」は『重量部』を表わ
す。表面抵抗値は三菱油化(株)製のＨｉｒｅｓｔａＩ
Ｐを用いて測定した。また、帯電圧の減衰性は、シシド
静電気(株)製のスタチックオネストメーターにより測定
した。耐擦傷性はＪＩＳ−Ｋ５４００に定められたテー
バー摩耗試験（摩耗輪ＣＳ−１０Ｆ、荷重２５０ｇ、回
転回数１００回、回転速度７０ｒｐｍ）の前後のヘーズ
値の差である摩耗ヘーズ値により評価した。摩耗ヘーズ
値は記録層を作製する前の段階で測定した。

【００４０】（実施例１）直径８６mmのポリカーボネー
ト基板のレーザー光入射面に、金属酸化物膜をスパッタ
リング法により形成した。即ち、該基板を真空チャンバ
ー内にセットし、３×１０^-7Ｔｏｒｒまで排気し、その
後、アルゴンと酸素の混合ガス（流量比＝３７：３）を
５×１０^-3Ｔｏｒｒまで導入し、Ｉｎ₂Ｏ₃・ＳｎＯ
₂（ＳｎＯ₂：５％）ターゲットを用いてマグネトロンス
パッタにより基板の半径位置１５〜４１mmまでの領域に
約５００オングストロームのＩＴＯ膜を製膜した。

【００４１】次に、基板の中心からの半径２３mmの位置
より外側の部分であって該金属酸化物膜表面に、活性光
線硬化型樹脂の硬化被膜よりなるハードコート層をスピ
ンコート法により形成した。即ち、アクリル系紫外線硬
化樹脂（大日本インキ化学工業(株)製「ダイキュアクリ
アＥＸ−７０４」）を約３μｍの膜厚となるようにスピ
ンコータにより塗布し、紫外線を照射して硬化させた。
この樹脂は、ガラス板上での硬化被膜の鉛筆硬度が５Ｈ
であり、耐擦傷性に優れた樹脂であった。

【００４２】更に、この基板のハードコート層とは反対
の面に、ＳｉＮから成る膜厚１００nmの誘電体層、Ｔｂ
ＦｅＣｏから成る膜厚２５nmの記録膜層、ＡｌＴｉから
成る膜厚１５０nmの反射膜層を順次スパッタ法により製
膜した。

【００４３】更に、反射膜層を上にしてスピンコーター
にセットし、ディスクを６０ｒｐｍの速度で回転させな
がら、大日本インキ化学工業(株)製の保護コート剤「ダ
イキュアクリアＥＸ−９１１」をディスク中心から２０
mmの位置に同心円状に塗布した。このディスクを２，０
００ｒｐｍの回転速度で３秒間回転せしめることによ
り、保護コート剤を基板全面に広げ、更に基板周囲を窒
素雰囲気として紫外線を照射することにより保護コート
剤を硬化せしめて保護コート層を形成した。

【００４４】この光ディスクのハードコート表面の２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗値は８×１０¹⁰
Ω／□であった。また、スタチックオネストメーターに
よりハードコート表面に１０ｋＶのコロナ放電を行な
い、ハードコート表面の電荷を測定した。ハードコート
表面の飽和電圧は０．５ｋＶで、この電荷は速やかに漏
洩した。また本実施例において記録層を製膜する前の段
階で摩耗ヘーズ値を測定したところ、４．０であり、レ
ーザー光入射面で十分な耐擦傷性を示した。

【００４５】（比較例１）実施例１において、ＩＴＯ膜
を基板の中心からの半径２４〜４０mmの位置に形成し、
該ＩＴＯ膜をハードコート層で完全に被覆した以外は実
施例１と同様にして光ディスクを得た。

【００４６】この光ディスクのハードコート表面の２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗値は３×１０¹¹
Ω／□であった。また、スタチックオネストメーターに
よりハードコート表面に１０ｋＶのコロナ放電を行な
い、ハードコート表面の電荷を測定した。ハードコート
表面の飽和電圧は１．５ｋＶで、コロナ放電終了後、１
５０秒後の電圧は１．２ｋＶで殆ど電荷が減衰しなかっ
た。このように下地層を完全にハードコート層で被覆し
てしまうと、見かけの表面抵抗は低くなるが、電荷の漏
洩性に劣っていた。

【００４７】（比較例２）実施例１において、ＩＴＯ膜
を形成した後にハードコート層を形成しなかった以外は
実施例１と同様にして光ディスクを得た。

【００４８】この光ディスクのハードコート表面の２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗値は３×１０⁵
Ω／□であった。また、スタチックオネストメーターに
よりＩＴＯ層の表面に１０ｋＶのコロナ放電を行ない、
表面の電荷を測定した。表面の飽和電圧は０．１ｋＶ以
下で全く帯電しなかった。しかしながら、記録層を製膜
する前の段階での摩耗ヘーズ値は４０で、基板のポリカ
ーボネートと同等で、耐擦傷性の機能はなかった。

【００４９】（実施例２）実施例１において、「ダイキ
ュアクリアＥＸ−７０４」に帯電防止剤ノプコスタット
０９２（サンノプコ(株)製）を１重量％添加して樹脂組
成物Ａを作製した。この樹脂は、ガラス板上での硬化被
膜の鉛筆硬度が４Ｈであり、耐擦傷性に優れた樹脂であ
った。

【００５０】実施例１において、「ダイキュアクリアＥ
Ｘ−７０４」の代わりに、この樹脂組成物Ａを用いた以
外は、実施例１と同様にして光ディスクを得た。

【００５１】この光ディスクのハードコート表面の２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗値は８×１０⁸
Ω／□であった。また、スタチックオネストメーター
によりハードコート表面に１０ｋＶのコロナ放電を行な
い、ハードコート表面の電荷を測定した。ハードコート
表面の飽和電圧は０．１ｋＶ以下で、全く帯電せず、極
めて良好な帯電防止効果を示した。また、本実施例にお
いて記録層を製膜する前の段階で摩耗ヘーズ値を測定し
たところ、４．４であり、レーザー光入射面で十分な耐
擦傷性を示した。

【００５２】（比較例３）実施例２において、記録膜層
を有する面と反対側の基板面に、下地層を設けずに、直
接樹脂組成物Ａから成るハードコートを設けた以外は、
実施例２と同様にして光ディスクを作製した。

【００５３】この光ディスクのハードコート表面の２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗値は９×１０¹³
Ω／□であった。また、スタチックオネストメーターに
よりハードコート表面に１０ｋＶのコロナ放電を行な
い、ハードコート表面の電荷を測定した。ハードコート
表面の飽和電圧は２．５ｋＶで、コロナ放電終了後、１
５０秒後の電圧は２．１ｋＶであった。即ち、樹脂組成
物Ａのみでは帯電防止効果はなかった。

【００５４】（実施例３）直径８６mmのポリカーボネー
ト基板のレーザー光入射面に、金属の酸化物の微粒子を
含有する活性光線硬化型樹脂の硬化被膜をスピンコート
法により形成した。即ち、金属酸化物を含有する紫外線
硬化型樹脂（シントーケミトロン(株)製「シントロン
（Ｓｈｉｎｔｒｏｎ）Ｃ−４４５６」）を基板の中心か
らの半径２０mmの位置より外側の領域に０．５μｍの膜
厚になるように塗布、硬化せしめた。

【００５５】次に、該硬化層の半径位置２３mmより外の
部分に、実施例２における樹脂組成物Ａの硬化被膜より
成る層厚５μｍのハードコート層をスピンコート法によ
り形成した。

【００５６】更に、この基板のハードコート層とは反対
の面に、実施例１と同様にして、誘電体層、記録膜層、
反射膜層を順次スパッタ法により製膜し、更に保護コー
トを行ない本発明の光ディスクを得た。

【００５７】この光ディスクのハードコート表面の２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗値は１×１０¹⁰
Ω／□であった。また、スタチックオネストメーターに
よりハードコート表面に１０ｋＶのコロナ放電を行な
い、ハードコート表面の電荷を測定した。ハードコート
表面の飽和電圧は、０．２ｋＶでほとんど帯電しなかっ
た。また、記録層を製膜する前の段階での、ディスクそ
のもののヘーズ値は３．０でディスクの透明性も問題な
かった。摩耗ヘーズ値は実施例２と同じであった。

【００５８】（比較例４）実施例３において、金属酸化
物含有活性光線硬化樹脂層を基板からの半径２４〜４０
mmの位置に形成し、該樹脂層をハードコート層で完全に
被覆した以外は、実施例３と同様にして光ディスクを得
た。

【００５９】この光ディスクのハードコート表面の２５
℃、５０％ＲＨの環境における表面抵抗値は３×１０¹⁰
Ω／□であった。また、スタチックオネストメーターに
よりハードコート表面に１０ｋＶのコロナ放電を行な
い、ハードコート表面の電荷を測定した。ハードコート
表面の飽和電圧は１．６ｋＶで、１５０秒後の電圧は
１．３ｋＶで殆ど減衰しなかった。即ち樹脂組成物Ａと
抵抗値の低い下地層との組み合わせでも、下地が露出し
ていないと、電荷の漏洩性が劣っていた。

【００６０】（比較例５）実施例３において、金属酸化
物を含有する樹脂層を形成した後に、ハードコート層を
形成しなかった以外は、実施例３と同様にして光ディス
クを得た。

【００６１】この光ディスクの下地層表面の２５℃、５
０％ＲＨの環境における表面抵抗値は１×１０⁸Ω／□
で抵抗値が低かった。スタチックオネストメーターに
よりハードコート表面に１０ｋＶのコロナ放電を行な
い、表面の電荷の減衰を測定したが、ほとんど帯電しな
かった。しかしながら、記録層を製膜する前の段階での
ディスク自体のヘーズ値は２２．２であり、下地層とし
ての透明性が著しく劣っていた。また摩耗ヘーズ値も３
３で耐擦傷性の機能はなかった。

【００６２】（実施例４）実施例３において、金属酸化
物微粒子を含有する紫外線硬化型樹脂から成る下地層に
代えて、有機系帯電防止剤である「ＳＡＴ−５」（日本
純薬(株)製）の乾燥被膜を用いた以外は、実施例３と同
様にして光ディスクを作製し、評価した。

【００６３】「ＳＡＴ−５」自体の表面抵抗は２×１０
⁹Ω／□で、ハードコート後は１×１０¹¹Ω／□であっ
た。スタチックオネストメーターによる飽和帯電圧は
０．３ｋＶで殆ど帯電しなかった。

【００６４】（実施例５）実施例３において、金属酸化
物微粒子を含有する紫外線硬化型樹脂から成る下地層に
代えて、シリコン系帯電防止剤である「ＳｉコートＴ
２」（大八化学工業所製）の乾燥被膜を用いた以外は、
実施例３と同様にして光ディスクを作製し、評価した。

【００６５】「ＳｉコートＴ２」自体の表面抵抗は１×
１０⁹Ω／□で、ハードコート後は３×１０¹¹Ω／□で
あった。スタチックオネストメーターによる飽和帯電圧
は０．２ｋＶで殆ど帯電しなかった。

【００６６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の光ディスク
は、電気抵抗が低い下地層と耐擦傷性に優れたハードコ
ートの２層構造であって、耐擦傷性が要求されない部位
において電気抵抗が低い下地層が露出しているので、非
常に優れた帯電防止効果を示し、かつレーザー光が入射
する部位においては優れた耐擦傷性を示す。従って、本
発明の光ディスクは、レーザー光入射面の傷付きや塵埃
の付着による記録再生エラーが起こりにくい、信頼性に
優れたものである。

【００６７】更に、本発明の光ディスクは、ハードコー
ト層の電気抵抗を若干低下させることにより、下地層と
の相乗効果により帯電防止効果が顕著に向上したもので
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光ディスクの一般的な構成を示す模式断
面図である。

【図２】本発明の光ディスクの構成を示す模式断面図で
ある。

【符号の説明】

１ディスク中心線２円盤状透明基板３グルーブ４記録層５保護コート６ハードコート７レーザー光入射領域８下地層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者原智章千葉県佐倉市六崎台１−28−Ａ−208

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂製透明基板上に記録層を有する光デ
ィスクであって、この光ディスクのレーザー光入射側の
基板表面に、２５℃、５０％ＲＨの環境における表面抵
抗が１×１０¹⁰Ω／□以下である下地層が設けられ、更
に、前記下地層の少なくともレーザー光が入射する領域
が活性光線硬化型樹脂の硬化被膜よりなるハードコート
層により被覆され、かつ前記下地層のレーザー光が入射
しない領域の全体又は一部が、前記ハードコート層に被
覆されずに露出していることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】前記下地層が、金属の酸化物よりなる無
機透明導電性膜である請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】前記下地層が、金属酸化物の微粒子を含
有する活性光線硬化型樹脂からなる透明導電性硬化被膜
である請求項１記載の光ディスク。
【請求項４】前記下地層が、有機系帯電防止剤を含有
する有機化合物層である請求項１記載の光ディスク。
【請求項５】前記下地層が、シリコン系帯電防止剤を
含有する層である請求項１記載の光ディスク。
【請求項６】請求項１におけるハードコート層を構成
する活性光線硬化型樹脂に、帯電防止成分が含有されて
いる請求項１、２、３、４又は５の光ディスク。