JPH07115081A - 処理装置 - Google Patents
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- JPH07115081A JPH07115081A JP25717893A JP25717893A JPH07115081A JP H07115081 A JPH07115081 A JP H07115081A JP 25717893 A JP25717893 A JP 25717893A JP 25717893 A JP25717893 A JP 25717893A JP H07115081 A JPH07115081 A JP H07115081A
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- drying
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 自動洗浄装置のスピン乾燥においてウェーハ
を固定して回転させるチャックピンの部分での水滴残り
を無くす。 【構成】 自動洗浄装置において、スピン乾燥でウェー
ハエッジ部を固定するチャックピン４５〔４５Ａ，４５
Ｂ〕の中央部に水滴残りを逃すための透孔５７を設けて
構成する。
を固定して回転させるチャックピンの部分での水滴残り
を無くす。 【構成】 自動洗浄装置において、スピン乾燥でウェー
ハエッジ部を固定するチャックピン４５〔４５Ａ，４５
Ｂ〕の中央部に水滴残りを逃すための透孔５７を設けて
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造工程における半導体ウェーハの洗浄処理等に使用され
る処理装置に関する。
造工程における半導体ウェーハの洗浄処理等に使用され
る処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＳメモリーの微細化が進み、６４Ｍ
ＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭ、さらにその次へと、研
究開発は進んでいる。このような情況の中、ウェーハ洗
浄技術は、今後、半導体デバイスの信頼性、歩留りを確
保する上で非常に重要になると考えられている。
ＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭ、さらにその次へと、研
究開発は進んでいる。このような情況の中、ウェーハ洗
浄技術は、今後、半導体デバイスの信頼性、歩留りを確
保する上で非常に重要になると考えられている。
【０００３】ウェーハ洗浄方法としては、例えばアンモ
ニア過水（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の薬液によ
る有機物の洗浄、例えば塩酸過水（ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2Ｏ）の薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッファ
ード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化の除
去及びそれら間でのリンス処理（薬液水洗）を行う洗浄
方法（通称ＲＣＡ洗浄と呼ばれる）が一般的であり、そ
の洗浄装置はウェーハを処理槽に浸漬するバッチタイプ
が主流であった。
ニア過水（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の薬液によ
る有機物の洗浄、例えば塩酸過水（ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋
Ｈ2Ｏ）の薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッファ
ード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化の除
去及びそれら間でのリンス処理（薬液水洗）を行う洗浄
方法（通称ＲＣＡ洗浄と呼ばれる）が一般的であり、そ
の洗浄装置はウェーハを処理槽に浸漬するバッチタイプ
が主流であった。
【０００４】しかしながら、ウェーハの大口径化による
洗浄装置の大型化（フットプリントの増大）、ウェーハ
裏面からのウェーハ表面への汚染などの問題もあり、枚
葉式の自動洗浄装置も見直されている。
洗浄装置の大型化（フットプリントの増大）、ウェーハ
裏面からのウェーハ表面への汚染などの問題もあり、枚
葉式の自動洗浄装置も見直されている。
【０００５】図６は、枚葉式自動洗浄装置を示す。この
枚葉式自動洗浄装置１は、アルカリ系の薬液チェンバー
２、酸系の薬液チェンバー３、純水リンスとスピン乾燥
を行うリンス・スピン乾燥チェンバー４を装備してい
る。ウェーハ５は、各チェンバー２，３及び４内でその
周辺端部をウェーハチャック７にて保持される。
枚葉式自動洗浄装置１は、アルカリ系の薬液チェンバー
２、酸系の薬液チェンバー３、純水リンスとスピン乾燥
を行うリンス・スピン乾燥チェンバー４を装備してい
る。ウェーハ５は、各チェンバー２，３及び４内でその
周辺端部をウェーハチャック７にて保持される。
【０００６】アルカリ系の薬液チェンバー２では、例え
ばアンモニア過水の薬液を吐出できる薬液ノズル８と純
水を吐出できるリンスノズル９がウェーハ５の表裏面に
対向するように設置される。
ばアンモニア過水の薬液を吐出できる薬液ノズル８と純
水を吐出できるリンスノズル９がウェーハ５の表裏面に
対向するように設置される。
【０００７】酸系の薬液チェンバー３では、例えば塩酸
過水の薬液を吐出できる薬液ノズル１１と、例えばバッ
ファード弗酸を吐出できる薬液ノズル１２と、純水を吐
出できるリンスノズル１３がウェーハの表裏面に対向す
るように設置される。
過水の薬液を吐出できる薬液ノズル１１と、例えばバッ
ファード弗酸を吐出できる薬液ノズル１２と、純水を吐
出できるリンスノズル１３がウェーハの表裏面に対向す
るように設置される。
【０００８】リンス・スピン乾燥チェンバー４では、最
終リンスを行うための純水を吐出するリンスノズル１４
がウェーハ５の表裏面に対向するように設置される。
終リンスを行うための純水を吐出するリンスノズル１４
がウェーハ５の表裏面に対向するように設置される。
【０００９】洗浄方法は、ウェーハ５がアルカリ系、酸
系及びリンス乾燥の各チェンバー２，３及び４を順次搬
送されるもので、アルカリ系、酸系のチェンバー２，３
においてウェーハチャック７によりウェーハ５の周辺端
部即ちエッジ部を保持し例えば１０００ｒ／ｍ程度で回
転させながらウェーハ５の表裏面から薬液を吐出させて
洗浄を行い、リンス・スピン乾燥系のチェンバー４にお
いて、最終的な純水リンスと回転振り切りによるウェー
ハ乾燥とを行うようにしている。
系及びリンス乾燥の各チェンバー２，３及び４を順次搬
送されるもので、アルカリ系、酸系のチェンバー２，３
においてウェーハチャック７によりウェーハ５の周辺端
部即ちエッジ部を保持し例えば１０００ｒ／ｍ程度で回
転させながらウェーハ５の表裏面から薬液を吐出させて
洗浄を行い、リンス・スピン乾燥系のチェンバー４にお
いて、最終的な純水リンスと回転振り切りによるウェー
ハ乾燥とを行うようにしている。
【００１０】ウェーハチャック７は、図７に示すよう
に、チャックベース１６の放射状に延びるアーム７の各
先端部にウェーハ５の周辺エッジ部を挟持的に保持する
チャックピン１８〔１８Ａ，１８Ｂ〕を有して構成され
る。チャックピン１８は複数、本例では６つ設けられ、
そのうちの３つが固定ピン１８Ａとされ、残りの３つが
可動ピン１８Ｂとされ、この可動ピン１８Ｂと固定ピン
１８Ａの共働で保持するようになれる。可動ピン１８Ｂ
は図示せざるも、カムによってウェーハ５に対する押し
付け、解除がなされる。
に、チャックベース１６の放射状に延びるアーム７の各
先端部にウェーハ５の周辺エッジ部を挟持的に保持する
チャックピン１８〔１８Ａ，１８Ｂ〕を有して構成され
る。チャックピン１８は複数、本例では６つ設けられ、
そのうちの３つが固定ピン１８Ａとされ、残りの３つが
可動ピン１８Ｂとされ、この可動ピン１８Ｂと固定ピン
１８Ａの共働で保持するようになれる。可動ピン１８Ｂ
は図示せざるも、カムによってウェーハ５に対する押し
付け、解除がなされる。
【００１１】チャックピン１８〔１８Ａ，１８Ｂ〕は図
８に示すように、そのウェーハ５を保持する上部がウェ
ーハ５のエッジ部裏面を受ける水平面２０とエッジ側面
を受ける垂直面２１を有するように断面Ｌ字形状に形成
され、その水平面２０にはウェーハ５を点で支えるよう
に突起部２２が設けられる。
８に示すように、そのウェーハ５を保持する上部がウェ
ーハ５のエッジ部裏面を受ける水平面２０とエッジ側面
を受ける垂直面２１を有するように断面Ｌ字形状に形成
され、その水平面２０にはウェーハ５を点で支えるよう
に突起部２２が設けられる。
【００１２】スピン乾燥については、図７に示すよう
に、チャックピン１８〔１８Ａ，１８Ｂ〕によりウェー
ハエッジ部を押えて固定し、ウェーハ５を３０００ｒ／
ｍ程度まで回転して回転時に発生させる遠心力で水分を
飛ばして乾燥させる方法をとっている。
に、チャックピン１８〔１８Ａ，１８Ｂ〕によりウェー
ハエッジ部を押えて固定し、ウェーハ５を３０００ｒ／
ｍ程度まで回転して回転時に発生させる遠心力で水分を
飛ばして乾燥させる方法をとっている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した枚
葉式自動洗浄装置１におけるスピン乾燥では、ウェーハ
５をチャックピン１８により固定した状態で回転時に発
生する遠心力で水分を飛ばして乾燥させるため、ウェー
ハ５表面が親水面か、疎水面かで乾燥状態が大きく変化
してしまう。ウェーハ表面に例えばＳｉＯ2 等の絶縁膜
が被着形成されていれば、親水面となり、シリコン面で
あれば疎水面となる。
葉式自動洗浄装置１におけるスピン乾燥では、ウェーハ
５をチャックピン１８により固定した状態で回転時に発
生する遠心力で水分を飛ばして乾燥させるため、ウェー
ハ５表面が親水面か、疎水面かで乾燥状態が大きく変化
してしまう。ウェーハ表面に例えばＳｉＯ2 等の絶縁膜
が被着形成されていれば、親水面となり、シリコン面で
あれば疎水面となる。
【００１４】即ち、ウェーハ中心部分にある水分に関し
ては、遠心力が掛りにくくなる為、その周辺に残留して
いる水分に引きずってもらう必要がある。しかし、疎水
面では水分がはじく為に、ウェーハ中心部分に水滴が残
り易く、乾燥不良となってしまう。
ては、遠心力が掛りにくくなる為、その周辺に残留して
いる水分に引きずってもらう必要がある。しかし、疎水
面では水分がはじく為に、ウェーハ中心部分に水滴が残
り易く、乾燥不良となってしまう。
【００１５】そこで、ウェーハ表面に関しては、スピン
乾燥前に極く低回転速度（７０ｒ／ｍ程度）で回転させ
て、ウェーハ中心部の水滴をウェーハ周辺へ移動させる
事で乾燥不良をなくしている。
乾燥前に極く低回転速度（７０ｒ／ｍ程度）で回転させ
て、ウェーハ中心部の水滴をウェーハ周辺へ移動させる
事で乾燥不良をなくしている。
【００１６】しかしながら、ウェーハエッジに関して、
疎水面では加速時に水滴は飛んでしまう為に問題無い
が、親水面では回転数と保持時間に依存して振り切るた
め、図７に示した様にチャックピン１８〔１８Ａ，１８
Ｂ〕部分で水分の逃げが悪くなり水滴残り２４が発生し
てしまう。
疎水面では加速時に水滴は飛んでしまう為に問題無い
が、親水面では回転数と保持時間に依存して振り切るた
め、図７に示した様にチャックピン１８〔１８Ａ，１８
Ｂ〕部分で水分の逃げが悪くなり水滴残り２４が発生し
てしまう。
【００１７】この乾燥不良は、最終的にはパーティクル
として残る為、次工程でＣＶＤ膜などを堆積したときに
は、増長されて巨大パーティクルとなったり、表面平坦
性に問題を発生させる可能性もある。
として残る為、次工程でＣＶＤ膜などを堆積したときに
は、増長されて巨大パーティクルとなったり、表面平坦
性に問題を発生させる可能性もある。
【００１８】本発明は、上述の点に鑑み、例えば乾燥処
理等、いわゆるウェーハ面の処理液の除去を充分達成で
きるようにした処理装置を提供するものである。
理等、いわゆるウェーハ面の処理液の除去を充分達成で
きるようにした処理装置を提供するものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転によりウ
ェーハ表面の処理液を除去する処理装置において、ウェ
ーハ５の周辺端部に接するウェーハ保持部４５に処理液
を逃すための除液部５７，５８又は５９を設けて構成す
る。
ェーハ表面の処理液を除去する処理装置において、ウェ
ーハ５の周辺端部に接するウェーハ保持部４５に処理液
を逃すための除液部５７，５８又は５９を設けて構成す
る。
【００２０】この処理液の除去は、乾燥処理に用いるこ
とができる。
とができる。
【００２１】ウェーハ保持部４５に設ける除液部は透孔
５７，５８又は溝５９で形成することができる。
５７，５８又は溝５９で形成することができる。
【００２２】そして、除液部を構成する透孔５７，５８
又は溝５９は、その下面５７Ａ，５８Ａ又は５９Ａがウ
ェーハ保持部４５に保持されたウェーハ５の上面５Ａと
面一となるように形成する。
又は溝５９は、その下面５７Ａ，５８Ａ又は５９Ａがウ
ェーハ保持部４５に保持されたウェーハ５の上面５Ａと
面一となるように形成する。
【００２３】
【作用】本発明においては、ウェーハ５の周辺端部に接
するウェーハ保持部４５に処理液を逃す除液部５７，５
８又は５９が設けられるので、回転による遠心力でウェ
ーハ面特に親水面に付着されている処理液を振り切って
除去する際、ウェーハ保持部４５での残り液２４が除液
部５７，５８又は５９を通って除去される。従って、ウ
ェーハ面の処理液を充分に除去することができる。
するウェーハ保持部４５に処理液を逃す除液部５７，５
８又は５９が設けられるので、回転による遠心力でウェ
ーハ面特に親水面に付着されている処理液を振り切って
除去する際、ウェーハ保持部４５での残り液２４が除液
部５７，５８又は５９を通って除去される。従って、ウ
ェーハ面の処理液を充分に除去することができる。
【００２４】乾燥処理に用いたときは、ウェーハ保持部
分の乾燥不良がなくなり、完全乾燥を可能にする。
分の乾燥不良がなくなり、完全乾燥を可能にする。
【００２５】除液部を透孔５７，５８又は溝５９で形成
することにより、ウェーハ保持部分での残り液２４を容
易に逃すことができる。
することにより、ウェーハ保持部分での残り液２４を容
易に逃すことができる。
【００２６】除液部を構成する透孔５７，５８又は溝５
９をその下面５７Ａ，５８Ａ又は５９Ａが保持されたウ
ェーハ上面５Ａと面一となるように形成することによ
り、ウェーハ保持部分での残り液２４を透孔５７，５８
又は溝５９を通って確実に逃すことができる。
９をその下面５７Ａ，５８Ａ又は５９Ａが保持されたウ
ェーハ上面５Ａと面一となるように形成することによ
り、ウェーハ保持部分での残り液２４を透孔５７，５８
又は溝５９を通って確実に逃すことができる。
【００２７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による処理装置
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
【００２８】図１は本発明を枚葉式自動洗浄装置に適用
した場合である。本例の枚葉式自動洗浄装置３１は、ア
ルカリ系の薬液チェンバー３２と、酸系の薬液チェンバ
ー３３と、最終純水リンス及びスピン乾燥を行うリンス
・スピン乾燥チェンバー３４を備えている。
した場合である。本例の枚葉式自動洗浄装置３１は、ア
ルカリ系の薬液チェンバー３２と、酸系の薬液チェンバ
ー３３と、最終純水リンス及びスピン乾燥を行うリンス
・スピン乾燥チェンバー３４を備えている。
【００２９】アルカリ系の薬液チェンバー３２では有機
物の洗浄を行うための必要な薬液、例えばアンモニア過
水（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の薬液を吐出でき
る薬液ノズル３６と純水を吐出できるリンスノズル３７
がウェーハ５の表、裏面に対向するように設置される。
物の洗浄を行うための必要な薬液、例えばアンモニア過
水（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の薬液を吐出でき
る薬液ノズル３６と純水を吐出できるリンスノズル３７
がウェーハ５の表、裏面に対向するように設置される。
【００３０】酸系の薬液チェンバー３３では、金属汚染
の洗浄を行うための必要な薬液、例えば塩酸過水（ＨＣ
ｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の薬液を吐出できる薬液ノズル
３８と、自然酸化の除去を行うための例えばバッファー
ド弗酸の薬液を吐出する薬液ノズル３９と、純水を吐出
できるリンスノズル４０がウェーハ５の表、裏面に対向
するように設置される。
の洗浄を行うための必要な薬液、例えば塩酸過水（ＨＣ
ｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の薬液を吐出できる薬液ノズル
３８と、自然酸化の除去を行うための例えばバッファー
ド弗酸の薬液を吐出する薬液ノズル３９と、純水を吐出
できるリンスノズル４０がウェーハ５の表、裏面に対向
するように設置される。
【００３１】リンス・スピン乾燥チェンバー３４では、
最終リンスを行うための純水を吐出するリンスノズル４
１がウェーハ５の表、裏面に対向するように設置され
る。
最終リンスを行うための純水を吐出するリンスノズル４
１がウェーハ５の表、裏面に対向するように設置され
る。
【００３２】各チェンバー３２，３３及び３４内でウェ
ーハ５は図２に示すように、チャックベース４３の放射
状に延びるアーム４４の先端部上に、ウェーハ５の周辺
のエッジ部を押し付けるチャックピン４５〔４５Ａ，４
５Ｂ〕を有した所謂ウェーハチャック４６にて保持され
る。この各チェンバー３２，３３及び３４内のウェーハ
チャック４６は、ウェーハ５を保持した状態で軸４７を
中心に回転できるように構成される。チャックピン４５
は複数個、本例では６つ設けられ、そのうちの３つが固
定ピン４５Ａとされ、他の３つが可動ピン４５Ｂとされ
る。この固定ピン４５Ａと可動ピン４５Ｂとの共働でウ
ェーハ５が挟持的に保持される。
ーハ５は図２に示すように、チャックベース４３の放射
状に延びるアーム４４の先端部上に、ウェーハ５の周辺
のエッジ部を押し付けるチャックピン４５〔４５Ａ，４
５Ｂ〕を有した所謂ウェーハチャック４６にて保持され
る。この各チェンバー３２，３３及び３４内のウェーハ
チャック４６は、ウェーハ５を保持した状態で軸４７を
中心に回転できるように構成される。チャックピン４５
は複数個、本例では６つ設けられ、そのうちの３つが固
定ピン４５Ａとされ、他の３つが可動ピン４５Ｂとされ
る。この固定ピン４５Ａと可動ピン４５Ｂとの共働でウ
ェーハ５が挟持的に保持される。
【００３３】図１におけるウェーハ５の流れを説明す
る。ローダ部５１から搬出されたウェーハ５は薬液チェ
ンバー３２に導入され、１０００ｒ／ｍ程度で回転しな
がら、薬液ノズル３６からのアンモニア過水による有機
物及びパーティクル洗浄処理が施され、その後、同一チ
ェンバー３２内でリンスノズル３７からの純水による粗
リンスが行われる。
る。ローダ部５１から搬出されたウェーハ５は薬液チェ
ンバー３２に導入され、１０００ｒ／ｍ程度で回転しな
がら、薬液ノズル３６からのアンモニア過水による有機
物及びパーティクル洗浄処理が施され、その後、同一チ
ェンバー３２内でリンスノズル３７からの純水による粗
リンスが行われる。
【００３４】次に、ウェーハ５は薬液チェンバー３３に
導入され、１０００ｒ／ｍ程度で回転しながら、薬液ノ
ズル３８からの塩酸過水による金属汚染の洗浄処理及び
続く薬液ノズル４０からのバッファード弗酸による自然
酸化膜の除去処理が施される。その後、同一チェンバー
３３内でリンスノズル４０からの純水による粗リンスが
施される。
導入され、１０００ｒ／ｍ程度で回転しながら、薬液ノ
ズル３８からの塩酸過水による金属汚染の洗浄処理及び
続く薬液ノズル４０からのバッファード弗酸による自然
酸化膜の除去処理が施される。その後、同一チェンバー
３３内でリンスノズル４０からの純水による粗リンスが
施される。
【００３５】そして、ウェーハ５は、リンス・スピン乾
燥チェンバー３４に導入され、リンスノズル４１からの
純水により最終リンスが施され、ウェーハ５の表裏面に
付着されている薬液を充分に解除した後、ウェーハ５自
体を例えば３０００ｒ／ｍ程度まで回転させることによ
り水分を振り切り乾燥させる。最後に、乾燥したウェー
ハ５をアンローダ部５２に搬出し１サイクルが終了す
る。
燥チェンバー３４に導入され、リンスノズル４１からの
純水により最終リンスが施され、ウェーハ５の表裏面に
付着されている薬液を充分に解除した後、ウェーハ５自
体を例えば３０００ｒ／ｍ程度まで回転させることによ
り水分を振り切り乾燥させる。最後に、乾燥したウェー
ハ５をアンローダ部５２に搬出し１サイクルが終了す
る。
【００３６】ウェーハ５の最終薬液処理がバッファード
弗酸による処理以外の場合はウェーハ５表裏面共に親水
面となる。
弗酸による処理以外の場合はウェーハ５表裏面共に親水
面となる。
【００３７】しかして、本例においては、ウェーハチャ
ック４６のウェーハエッジ部を固定するチャックピン４
５〔４５Ａ，４５Ｂ〕を、図３〜図５に示すように構成
する。
ック４６のウェーハエッジ部を固定するチャックピン４
５〔４５Ａ，４５Ｂ〕を、図３〜図５に示すように構成
する。
【００３８】図３Ａ，図３Ｂのチャックピン４５は、ウ
ェーハエッジ部を保持する上部がウェーハのエッジ部裏
面を受ける水平面５４とエッジ部側面を受ける垂直面５
５を有する断面Ｌ字形状をなし、その水平面５４にウェ
ーハ５の裏面を点で支える突起部５６が設けられ、さら
に、垂直面５５の中心部分に水抜き用の微小な透孔５７
を形成して構成する。
ェーハエッジ部を保持する上部がウェーハのエッジ部裏
面を受ける水平面５４とエッジ部側面を受ける垂直面５
５を有する断面Ｌ字形状をなし、その水平面５４にウェ
ーハ５の裏面を点で支える突起部５６が設けられ、さら
に、垂直面５５の中心部分に水抜き用の微小な透孔５７
を形成して構成する。
【００３９】透孔５７は、ウェーハ５をチャックピン４
５に保持した状態で透孔５７の下面５７Ａとウェーハ上
面５Ａとが面一となるように形成する。
５に保持した状態で透孔５７の下面５７Ａとウェーハ上
面５Ａとが面一となるように形成する。
【００４０】図３の実施例によれば、リンス・スピン乾
燥チェンバー３４内での親水面を有するウェーハ５のス
ピン乾燥の際に、チャックピン４５〔４５Ａ，４５Ｂ〕
の中心部で振り切れなかった水滴残り２４は、微小透孔
５７を通って振り切られるようになり、水滴残りがなく
なり、乾燥不良が解消される。
燥チェンバー３４内での親水面を有するウェーハ５のス
ピン乾燥の際に、チャックピン４５〔４５Ａ，４５Ｂ〕
の中心部で振り切れなかった水滴残り２４は、微小透孔
５７を通って振り切られるようになり、水滴残りがなく
なり、乾燥不良が解消される。
【００４１】図４Ａ，図４Ｂのチャックピン４５〔４５
Ａ，４５Ｂ〕は、その垂直面５５の中心部分に水抜き用
の透孔５８を回転による遠心力で水分が流れていく軌跡
に沿って貫通するように形成して構成する。透孔５８の
下面５８Ａとウェーハ上面５Ａとは面一に形成される。
Ａ，４５Ｂ〕は、その垂直面５５の中心部分に水抜き用
の透孔５８を回転による遠心力で水分が流れていく軌跡
に沿って貫通するように形成して構成する。透孔５８の
下面５８Ａとウェーハ上面５Ａとは面一に形成される。
【００４２】この図４のチャックピン４５〔４５Ａ，４
５Ｂ〕では、振り切られる水分の流れに沿う透孔５８が
設けられているので、より効率的にチャックピン部での
水滴残り２４の振り切りが行われる。
５Ｂ〕では、振り切られる水分の流れに沿う透孔５８が
設けられているので、より効率的にチャックピン部での
水滴残り２４の振り切りが行われる。
【００４３】図５のチャックピン４５〔４５Ａ，４５
Ｂ〕は、垂直面５５の中心部を通るような溝５９を形成
して構成する。この場合の溝５９も溝下面５９Ａと保持
されているウェーハ５の上面５Ａとが面一となるように
形成するを可とする。
Ｂ〕は、垂直面５５の中心部を通るような溝５９を形成
して構成する。この場合の溝５９も溝下面５９Ａと保持
されているウェーハ５の上面５Ａとが面一となるように
形成するを可とする。
【００４４】この図５の実施例においても、リンス・ス
ピン乾燥チェンバー３４内での親水面を有するウェーハ
５のスピン乾燥に際し、チャックピン４５〔４５Ａ，４
５Ｂ〕の中心部で振り切れなかった水滴残り２４は、溝
４５を通って振り切られ、乾燥不良が解消される。
ピン乾燥チェンバー３４内での親水面を有するウェーハ
５のスピン乾燥に際し、チャックピン４５〔４５Ａ，４
５Ｂ〕の中心部で振り切れなかった水滴残り２４は、溝
４５を通って振り切られ、乾燥不良が解消される。
【００４５】上述の枚葉式自動洗浄装置３１によれば、
ウェーハ５を保持するウェーハチャック４６のチャック
ピン４５〔４５Ａ，４５Ｂ〕の中央部に水抜き用の透孔
５７，５８又は溝５９を設けることにより、ウェーハ５
が親水面である場合の洗浄及びその後の乾燥処理を行っ
た場合に、ウェーハエッジ部分の乾燥不良がなくなり、
パーティクルを低減することができる。
ウェーハ５を保持するウェーハチャック４６のチャック
ピン４５〔４５Ａ，４５Ｂ〕の中央部に水抜き用の透孔
５７，５８又は溝５９を設けることにより、ウェーハ５
が親水面である場合の洗浄及びその後の乾燥処理を行っ
た場合に、ウェーハエッジ部分の乾燥不良がなくなり、
パーティクルを低減することができる。
【００４６】また、クリーンな乾燥が可能になるため、
乾燥処理後にケース内でヘイズが増加する異常が防止で
き、半導体デバイスの歩留りが向上する。
乾燥処理後にケース内でヘイズが増加する異常が防止で
き、半導体デバイスの歩留りが向上する。
【００４７】上例では洗浄後のスピン乾燥に適用した
が、その他エッチング装置のスピン乾燥にも適用でき
る。その他、薬液処理後のウェーハ面に残った薬液除去
等にも適用できる。
が、その他エッチング装置のスピン乾燥にも適用でき
る。その他、薬液処理後のウェーハ面に残った薬液除去
等にも適用できる。
【００４８】また、上例では枚葉式の洗浄装置に適用し
たが、バッチ式の洗浄装置でスピン乾燥する場合にも適
用できる。このバッチ式の場合も、ウェーハの保持部に
水抜き用の除液部（透孔，溝等）を設けるようになす。
たが、バッチ式の洗浄装置でスピン乾燥する場合にも適
用できる。このバッチ式の場合も、ウェーハの保持部に
水抜き用の除液部（透孔，溝等）を設けるようになす。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、ウェーハ表面の処理液
の除去に際し、ウェーハ保持部分の液残りがなくなり、
完全な処理液除去が可能となる。従って、信頼性の高い
デバイスを歩留り良く製造できる。
の除去に際し、ウェーハ保持部分の液残りがなくなり、
完全な処理液除去が可能となる。従って、信頼性の高い
デバイスを歩留り良く製造できる。
【図１】本発明に係る枚葉式自動洗浄装置の一例を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明に係るウェーハチャック及び水滴除去の
説明図である。
説明図である。
【図３】Ａ 本発明に係るチャックピンの一例を示す正
面図である。 Ｂ 図３Ａの断面図である。
面図である。 Ｂ 図３Ａの断面図である。
【図４】Ａ 本発明に係るチャックピンの他の例を示す
正面図である。 Ｂ 図４のＡ−Ａ線上の拡大断面図である。
正面図である。 Ｂ 図４のＡ−Ａ線上の拡大断面図である。
【図５】Ａ 本発明に係るチャックピンの他の例を示す
正面図である。 Ｂ 図５Ａの拡大平面図である。
正面図である。 Ｂ 図５Ａの拡大平面図である。
【図６】従来の説明に供する枚葉式自動洗浄装置の構成
図である。
図である。
【図７】従来例に係るウェーハチャック及び水滴残りの
説明図である。
説明図である。
【図８】Ａ 従来例に係るチャックピンの正面図であ
る。 Ｂ 図８Ａの断面図である。
る。 Ｂ 図８Ａの断面図である。
１，３１ 枚葉式自動洗浄装置 ２，３，４，３２，３３，３４ チェンバー ５ 半導体ウェーハ ７，４６ ウェーハチャック ８，１１，１２，３６，３８，３９ 薬液ノズル ９，１３，１４，３７，４０，４２ リンスノズル １６，４３ チャックベース １７，４４ アーム １８〔１８Ａ，１８Ｂ〕，４５〔４５Ａ，４５Ｂ〕 チ
ャックピン ２４ 水滴残り ５７，５８ 透孔 ５９ 溝
ャックピン ２４ 水滴残り ５７，５８ 透孔 ５９ 溝
Claims (4)
- 【請求項１】 回転によりウェーハ表面の処理液を除去
する処理装置において、上記ウェーハの周辺端部に接す
るウェーハ保持部に上記処理液を逃すための除液部が設
けられて成ることを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 上記処理液の除去が乾燥処理であること
を特徴とする請求項１記載の処理装置。 - 【請求項３】 上記除液部が透孔又は溝で形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の処理装置。 - 【請求項４】 上記除液部を構成する透孔又は溝の下面
が上記ウェーハ面と面一であることを特徴とする請求項
３記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25717893A JPH07115081A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25717893A JPH07115081A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115081A true JPH07115081A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17302770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25717893A Pending JPH07115081A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115081A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10107129A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2001319849A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2002329696A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2008198241A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Showa Denko Kk | 基板の乾燥装置およびホルダー |
| KR20150035388A (ko) | 2013-09-27 | 2015-04-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2015170609A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| KR20200043639A (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 주식회사 이오테크닉스 | 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치 |
| CN112820689A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 浮动销、晶圆承载装置及沉积设备 |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP25717893A patent/JPH07115081A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10199231B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-02-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| US10720333B2 (en) | 2013-09-27 | 2020-07-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20210018379A (ko) | 2013-09-27 | 2021-02-17 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR20210148032A (ko) | 2013-09-27 | 2021-12-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR20220010753A (ko) | 2013-09-27 | 2022-01-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11342190B2 (en) | 2013-09-27 | 2022-05-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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