JPH07112050B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH07112050B2 JPH07112050B2 JP61166896A JP16689686A JPH07112050B2 JP H07112050 B2 JPH07112050 B2 JP H07112050B2 JP 61166896 A JP61166896 A JP 61166896A JP 16689686 A JP16689686 A JP 16689686A JP H07112050 B2 JPH07112050 B2 JP H07112050B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoelectric conversion
- conversion element
- semiconductor device
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は入射光を電気信号に変換する光電変換素子を光
透過性樹脂を用いて封止した光半導体装置に関する。
透過性樹脂を用いて封止した光半導体装置に関する。
従来、入射光を電気信号に変換する光電変換装置は第２
図に示すように構成されている。
図に示すように構成されている。
すなわち、光電変換素子１を光電変換素子支持部材２上
に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２′の所定
の箇所に、極細金属線３を用いてワイヤボンデイング
し、次に、光透過性樹脂４を用いて成形し、外形を形成
する。その後、リード端子２′の外部導出部７を必要長
さに切断し、所望状態に曲げるなどして光半導体装置を
構成していた。
に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２′の所定
の箇所に、極細金属線３を用いてワイヤボンデイング
し、次に、光透過性樹脂４を用いて成形し、外形を形成
する。その後、リード端子２′の外部導出部７を必要長
さに切断し、所望状態に曲げるなどして光半導体装置を
構成していた。
ところで、上記構成の従来の光半導体装置には、下述の
ごとき諸問題が存在する。
ごとき諸問題が存在する。
すなわち、光電変換素子１の光受容部が複数個（ｎ個）
の光受容部から構成されている場合、光電変換素子１の
ｎ個の光受容部に均一な光束を有する光６が入射する
と、該ｎ個の光受容部から得られる電気信号は、すべて
同一なレベルにならなければならないところ、実際上は
同一なレベルにならないという問題がある。また、ｎ個
の光受容部のうちのある１つの光受容部に光を入射さ
せ、その他の光受容部には光を入射させない場合におい
ては、光を入射させない光受容部にも暗電流よりも大な
る電気信号出力が得られてしまうという問題もある。
の光受容部から構成されている場合、光電変換素子１の
ｎ個の光受容部に均一な光束を有する光６が入射する
と、該ｎ個の光受容部から得られる電気信号は、すべて
同一なレベルにならなければならないところ、実際上は
同一なレベルにならないという問題がある。また、ｎ個
の光受容部のうちのある１つの光受容部に光を入射さ
せ、その他の光受容部には光を入射させない場合におい
ては、光を入射させない光受容部にも暗電流よりも大な
る電気信号出力が得られてしまうという問題もある。
本発明は、前述した従来の光半導体装置における上述の
諸問題を克服して、優れた特性を有する光半導体装置を
提供することを目的とする。
諸問題を克服して、優れた特性を有する光半導体装置を
提供することを目的とする。
即ち、本発明の主たる目的は、光透過性樹脂を用いて封
止した光半導体装置において、光電変換素子を構成する
複数個の光受容部から得られる電気信号が均一である光
半導体装置を提供することにある。
止した光半導体装置において、光電変換素子を構成する
複数個の光受容部から得られる電気信号が均一である光
半導体装置を提供することにある。
本発明は、前述の従来装置における諸問題を解決して上
記本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたところ、
前述の従来装置の諸問題は以下のごとき原因によるもの
であることが判明した。
記本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたところ、
前述の従来装置の諸問題は以下のごとき原因によるもの
であることが判明した。
前述の問題の発生原因について、第２図を用いて説明す
る。
る。
即ち、空気層８から光透過性樹脂４および光電変換素子
４に直角に光線６が入射した時光電変換素子１の表面９
で、光が反射散乱される。反射散乱された光強度は表面
９の材料、面積度にも依るが角度依存性を持つ。反射さ
れた散乱光は樹脂４から空気層８へ抜けるものもあれば
空気層８と樹脂４の界面10で反射されるものもある。
４に直角に光線６が入射した時光電変換素子１の表面９
で、光が反射散乱される。反射散乱された光強度は表面
９の材料、面積度にも依るが角度依存性を持つ。反射さ
れた散乱光は樹脂４から空気層８へ抜けるものもあれば
空気層８と樹脂４の界面10で反射されるものもある。
スネルの法則によればある角度θ1で全反射する。θ1は
光透過性樹脂４と空気層８の屈折率により決定される。
例えば光透過性樹脂４、空気層８の屈折率をそれぞれ1.
5、１とした時、θ1は略40度となり略40度以上になった
場合全反射する。従って光電変換素子１の受光部５の入
射光量Ａは、次式Ｉで表わされる。
光透過性樹脂４と空気層８の屈折率により決定される。
例えば光透過性樹脂４、空気層８の屈折率をそれぞれ1.
5、１とした時、θ1は略40度となり略40度以上になった
場合全反射する。従って光電変換素子１の受光部５の入
射光量Ａは、次式Ｉで表わされる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（θｒ（θｒ≧θ1）をなす光
線の全反射光量の積分値）＋（θｒ（θｒ＜θ1）をな
す光線の反射光量の積分値） ……Ｉ 式Ｉの第３項においてθｒの値がθ1より小さい時反射
光量は非常に小さく無視できる値であるが、θｒがθ1
にほぼ近い値になった時に反射光量は大になる。
線の全反射光量の積分値）＋（θｒ（θｒ＜θ1）をな
す光線の反射光量の積分値） ……Ｉ 式Ｉの第３項においてθｒの値がθ1より小さい時反射
光量は非常に小さく無視できる値であるが、θｒがθ1
にほぼ近い値になった時に反射光量は大になる。
つまり受光部５の入射光量は光線６の光量と光電変換素
子１面上で受光部５を中心にl1を半径にして描いた円の
円周近傍および円外から反射した光の入射光量の和とな
り、後者の不要反射光が入射するために光学特性異常が
生じ、前述のごとき問題が生じることとなる。
子１面上で受光部５を中心にl1を半径にして描いた円の
円周近傍および円外から反射した光の入射光量の和とな
り、後者の不要反射光が入射するために光学特性異常が
生じ、前述のごとき問題が生じることとなる。
本発明は、上述の知見に基づいて更に研究を続けた結果
完成するに至ったものである。
完成するに至ったものである。
即ち、本発明の光半導体装置は、光電変換素子を光電変
換素子支持部材上に固定保持し、該素子とリード端子を
極細金属線を介して電気的に接続したのち、光透過性樹
脂を用いて封止した光半導体体装置であって、封止体外
形の少なくとも光透過面と光電変換素子との間の厚さお
よび前記光透過面の形成が、光電変換素子の受光部から
の反射光がさらに封止体外形面で反射されて別の受光部
へ入射する入射光および光電変換素子の受光部周辺から
の反射光がさらに封止体外形面で反射されて受光部へ入
射する入射光の影響を減少させうる厚味および形状であ
ることを特徴とするものである。
換素子支持部材上に固定保持し、該素子とリード端子を
極細金属線を介して電気的に接続したのち、光透過性樹
脂を用いて封止した光半導体体装置であって、封止体外
形の少なくとも光透過面と光電変換素子との間の厚さお
よび前記光透過面の形成が、光電変換素子の受光部から
の反射光がさらに封止体外形面で反射されて別の受光部
へ入射する入射光および光電変換素子の受光部周辺から
の反射光がさらに封止体外形面で反射されて受光部へ入
射する入射光の影響を減少させうる厚味および形状であ
ることを特徴とするものである。
本発明の光半導体装置は、下述する態様を含有する。
１つの態様は下記の構成の光半導体装置である。
即ち、複数の受光部を有する光電変換素子と、該光電変
換素子とリード端子とを接続する細線と、を光透過性樹
脂を用いて封止してなる光半導体装置であって、封止体
外形の光透過面と前記光電変換素子の表面との間の距離
をＤ、前記光透過面における全反射角度をθ1としたと
きに、前記光電変換素子の表面において前記複数の受光
部のうち任意の受光部を中心に２・Ｄ・tanθ1を半径に
して描いた円内の領域に該複数の受光部が全て位置して
いることを特徴とする。
換素子とリード端子とを接続する細線と、を光透過性樹
脂を用いて封止してなる光半導体装置であって、封止体
外形の光透過面と前記光電変換素子の表面との間の距離
をＤ、前記光透過面における全反射角度をθ1としたと
きに、前記光電変換素子の表面において前記複数の受光
部のうち任意の受光部を中心に２・Ｄ・tanθ1を半径に
して描いた円内の領域に該複数の受光部が全て位置して
いることを特徴とする。
前記光透過面は、前記封止体外形の凸部表面であること
ができる。
ができる。
他の態様は下記の構成の焦点検出装置である。
即ち、結像レンズと測距用センサーとを具備する焦点検
出装置であって、前記測距用センサーが、並列に配され
た２つのラインセンサーを含む光電変換素子と、該光電
変換素子とリード端子とを接続する細線とを光透過性樹
脂を用いて封止してなり、封止体外形の光透過面と前記
光電変換素子の表面との間の距離をＤ、前記光透過面に
おける全反射角度をθ1としたときに、前記光電変換素
子の表面において前記ラインセンサーの任意の受光部を
中心に２・Ｄ・tanθ1を半径にして描いた円内の領域に
該ラインセンサーの受光部が全て位置しているセンサー
であることを特徴とする。
出装置であって、前記測距用センサーが、並列に配され
た２つのラインセンサーを含む光電変換素子と、該光電
変換素子とリード端子とを接続する細線とを光透過性樹
脂を用いて封止してなり、封止体外形の光透過面と前記
光電変換素子の表面との間の距離をＤ、前記光透過面に
おける全反射角度をθ1としたときに、前記光電変換素
子の表面において前記ラインセンサーの任意の受光部を
中心に２・Ｄ・tanθ1を半径にして描いた円内の領域に
該ラインセンサーの受光部が全て位置しているセンサー
であることを特徴とする。
以下、図示の実施例により本発明を詳しく説明するが、
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
第１図は、本発明の光半導体装置の１実施例を模式的に
示す断面略図である。なお、第１図において、前述の第
２図と同一符号を付したものは、第２図と同一のものを
示している。すなわち光電変換素子１を光電変換素子支
持部材２に固定保持し、光電変換素子１とリード端子
２′の所定箇所に極細金属線３を用いてワイヤボンデイ
ングし、次に光透過性樹脂４を用いて、トランスファー
モールド法等の成形手段により１体的に成形し、外形を
形成する。成形型は、封止体外形の少なくとも光透過面
と光電変換素子との間の距離が従来のものに比べて大で
ある型を用いる。即ち、第１図において、d1を従来の光
半導体装置の封止体外形表面と光電変換素子１との間の
距離、d1＋d2を本発明の封止体外形の少なくとも光透過
面と光電変換素子１との間の距離とすると、従来のもの
の場合Ｄ＝d1であるのに対し、本発明の場合Ｄ＝d1＋d2
（d2＞０）であるようにする。その後、リード端子２′
の外部導出部７を必要長さに切断し、所望形状に曲げる
などして、光半導体装置を形成する。
示す断面略図である。なお、第１図において、前述の第
２図と同一符号を付したものは、第２図と同一のものを
示している。すなわち光電変換素子１を光電変換素子支
持部材２に固定保持し、光電変換素子１とリード端子
２′の所定箇所に極細金属線３を用いてワイヤボンデイ
ングし、次に光透過性樹脂４を用いて、トランスファー
モールド法等の成形手段により１体的に成形し、外形を
形成する。成形型は、封止体外形の少なくとも光透過面
と光電変換素子との間の距離が従来のものに比べて大で
ある型を用いる。即ち、第１図において、d1を従来の光
半導体装置の封止体外形表面と光電変換素子１との間の
距離、d1＋d2を本発明の封止体外形の少なくとも光透過
面と光電変換素子１との間の距離とすると、従来のもの
の場合Ｄ＝d1であるのに対し、本発明の場合Ｄ＝d1＋d2
（d2＞０）であるようにする。その後、リード端子２′
の外部導出部７を必要長さに切断し、所望形状に曲げる
などして、光半導体装置を形成する。
光線６が光透過性樹脂４の外形および光電変換素子１に
直角に入射した時、θをスネルの法則に従う全反射角度
とすると、光電変換素子１の受光部５に入射する光量
は、従来の光半導体装置（d2＝０）の場合、次式IIで表
わされるものとなる。
直角に入射した時、θをスネルの法則に従う全反射角度
とすると、光電変換素子１の受光部５に入射する光量
は、従来の光半導体装置（d2＝０）の場合、次式IIで表
わされるものとなる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（光電変換素子１面上でl1を半
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……II これに対し、本発明の光半導体装置（d2≠０）の場合、
次式IIIで表わされるものとなる。
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……II これに対し、本発明の光半導体装置（d2≠０）の場合、
次式IIIで表わされるものとなる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（光電変換素子１面上でl2を半
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……III 式IIIにおいて、l1＝2d1tanθ1 l2＝２（d1＋d2）tanθ1 l2−l1＝2d2tanθ1 （θ1、l1は一定） となる。従ってd2（＝嵩上げ高さ）を大きくすればする
程l2−l1の値が大になることにより反射光の入射する領
域が狭くなり反射による影響が少なくなる。また光の強
度は光路長の二乗に反比例することから、本発明の場
合、光路長が長くなるゆえに、反射光の入射する強度の
絶対値も減少し影響が少なくなる。つまり反射光の影響
を少なくするためには、光電変換素子１の受光部以外か
らの反射光の影響を少なくするため受光部以外は光到達
できないようにマスキングすることと、光電変換素子１
の任意の受光部が略l2を半径にして描いた円内に入るよ
うにd2（＝嵩上げ高さ）の厚さおよび封止体外形の少な
くとも光透過面形状を設計すれば良い。またマスキング
しても光電変換素子１面の受光部部以外にも光到達する
場合、また任意の受光部が略l2を半径にして描いた円外
に存在せざるを得ない場合は予め影響の程度を把握しd2
（＝嵩上げ高さ）および封止体外形の少なくとも光透過
面形状を設計すれば良い。
径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の入
射光量の和） ……III 式IIIにおいて、l1＝2d1tanθ1 l2＝２（d1＋d2）tanθ1 l2−l1＝2d2tanθ1 （θ1、l1は一定） となる。従ってd2（＝嵩上げ高さ）を大きくすればする
程l2−l1の値が大になることにより反射光の入射する領
域が狭くなり反射による影響が少なくなる。また光の強
度は光路長の二乗に反比例することから、本発明の場
合、光路長が長くなるゆえに、反射光の入射する強度の
絶対値も減少し影響が少なくなる。つまり反射光の影響
を少なくするためには、光電変換素子１の受光部以外か
らの反射光の影響を少なくするため受光部以外は光到達
できないようにマスキングすることと、光電変換素子１
の任意の受光部が略l2を半径にして描いた円内に入るよ
うにd2（＝嵩上げ高さ）の厚さおよび封止体外形の少な
くとも光透過面形状を設計すれば良い。またマスキング
しても光電変換素子１面の受光部部以外にも光到達する
場合、また任意の受光部が略l2を半径にして描いた円外
に存在せざるを得ない場合は予め影響の程度を把握しd2
（＝嵩上げ高さ）および封止体外形の少なくとも光透過
面形状を設計すれば良い。
次に本発明の効果について第１図を用いて説明する。本
発明の光半導体装置において、d2が大になればなる程反
射の影響が少なくなるとともに、光路長が長くなること
による反射光量の絶対値が小さくなりさらに影響が少な
くなる。
発明の光半導体装置において、d2が大になればなる程反
射の影響が少なくなるとともに、光路長が長くなること
による反射光量の絶対値が小さくなりさらに影響が少な
くなる。
本発明の光半導体装置は、光電変換素子がCCD等受光面
が多分割化されているラインセンサー、エリアセンサー
等反射の影響がシビアに問われるセンサーに有効であ
る。
が多分割化されているラインセンサー、エリアセンサー
等反射の影響がシビアに問われるセンサーに有効であ
る。
第３〜４図を用いて、本発明の光半導体装置をカメラの
オートフォーカスセンサーとして用いた時の光学特性向
上効果について説明する。
オートフォーカスセンサーとして用いた時の光学特性向
上効果について説明する。
第３図は本発明の光半導体装置をカメラのAFセンサーと
して用いた場合の光学系展開図を示す。図中、13〜18は
焦点検出装置（AFu）を構成する部品を夫々示してい
る。即ち、13はピント面近傍に置かれた視野マスク、14
はフィールドレンズ、15は開口15a、15bを持つ測距光束
分割用マスク、16は二次結像レンズで、16a、16bがレン
ズ部である。17は測距用センサー（本発明の光半導体装
置）で、多数の画素が一直線上に並んだ一対のラインセ
ンサー17a、17bを有している。
して用いた場合の光学系展開図を示す。図中、13〜18は
焦点検出装置（AFu）を構成する部品を夫々示してい
る。即ち、13はピント面近傍に置かれた視野マスク、14
はフィールドレンズ、15は開口15a、15bを持つ測距光束
分割用マスク、16は二次結像レンズで、16a、16bがレン
ズ部である。17は測距用センサー（本発明の光半導体装
置）で、多数の画素が一直線上に並んだ一対のラインセ
ンサー17a、17bを有している。
18a、18bは各々二次結像レンズ16のレンズ部16a、16bに
よって投影された13aの像で、該18a、18bの境界部がぴ
ったり隣接する様に15aの大きさが決められている。14
は通過した光束を有効に測距光束分割用マスク15および
二次結像レンズ16に導くためのレンズである。
よって投影された13aの像で、該18a、18bの境界部がぴ
ったり隣接する様に15aの大きさが決められている。14
は通過した光束を有効に測距光束分割用マスク15および
二次結像レンズ16に導くためのレンズである。
従って当光学系において撮影レンズを通った光束は13の
上で結像し、更に開口15a、15bを通過して、レンズ部16
a、16bによりラインセンサー17a、17b上の18a、18b内に
再結像される。そしてラインセンサー17a、17b上の２像
の相対位置を検出して合焦状態を判別する様になってい
る。
上で結像し、更に開口15a、15bを通過して、レンズ部16
a、16bによりラインセンサー17a、17b上の18a、18b内に
再結像される。そしてラインセンサー17a、17b上の２像
の相対位置を検出して合焦状態を判別する様になってい
る。
第４図にその原理を示す。ラインセンサー17a17b上に投
影された像の各々の出力をEa、Ebとすると、合焦状態で
は２像の距離Ｓがある値Soとなるように設定されている
ものとする。そして撮影レンズが非合焦の状態ではＳ≠
Soとなるが、これを検出するためにはEaとEbを相対的に
bitシフトさせて２像の相関をとるという手法が用いら
れる。
影された像の各々の出力をEa、Ebとすると、合焦状態で
は２像の距離Ｓがある値Soとなるように設定されている
ものとする。そして撮影レンズが非合焦の状態ではＳ≠
Soとなるが、これを検出するためにはEaとEbを相対的に
bitシフトさせて２像の相関をとるという手法が用いら
れる。
ここでもし18a上の像が前述した反射により18a上自体の
像に反射の影響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反
射により18b上自体の像に反射の影響を及ぼすとか、ま
た18a上の像が前述した反射により18b上の像に反射の影
響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反射により18a上
の像に反射の影響を及ぼすとEaとEbは本来の被写体輝度
分布とは異なった形状となるので真の被写体情報とは異
なった情報で相関演算をしていることになり、その結果
として検出されたピント情報に誤差を生ずることとな
る。
像に反射の影響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反
射により18b上自体の像に反射の影響を及ぼすとか、ま
た18a上の像が前述した反射により18b上の像に反射の影
響を及ぼすとか、18b上の像が前述した反射により18a上
の像に反射の影響を及ぼすとEaとEbは本来の被写体輝度
分布とは異なった形状となるので真の被写体情報とは異
なった情報で相関演算をしていることになり、その結果
として検出されたピント情報に誤差を生ずることとな
る。
本発明の光半導体装置を用いると反射の影響が減少し正
確なピント情報を与えることになり、特にAFとして有利
なものである。
確なピント情報を与えることになり、特にAFとして有利
なものである。
第１図は本発明の光半導体装置の一実施例を模式的に示
す断面略図であり、第２図は従来の光半導体装置を模式
的に示す断面略図である。第３図は、本発明の光半導体
装置をカメラのAFセンサーとして用いた場合の光学系展
開図であり、第４図は、その原理を説明するための図で
ある。 １……光電変換素子、２……光電変換素子支持部材、
２′……リード端子、３……極細金属線、４……光透過
性樹脂、５……光電変換素子の受光部、６……光線、７
……リード端子の外部導出部、８……空気層、９……光
電変換素子の表面、10……光透過性樹脂と空気層との界
面、13……視野マスク、14……フィールドレンズ、15…
…測距光束分割用マスク、15a、15b……開口、16……二
次結像レンズ、16a、16b……レンズ部、17……測距用セ
ンサー、17a、17b……ラインセンサー、18a、18b……投
影された13aの像
す断面略図であり、第２図は従来の光半導体装置を模式
的に示す断面略図である。第３図は、本発明の光半導体
装置をカメラのAFセンサーとして用いた場合の光学系展
開図であり、第４図は、その原理を説明するための図で
ある。 １……光電変換素子、２……光電変換素子支持部材、
２′……リード端子、３……極細金属線、４……光透過
性樹脂、５……光電変換素子の受光部、６……光線、７
……リード端子の外部導出部、８……空気層、９……光
電変換素子の表面、10……光透過性樹脂と空気層との界
面、13……視野マスク、14……フィールドレンズ、15…
…測距光束分割用マスク、15a、15b……開口、16……二
次結像レンズ、16a、16b……レンズ部、17……測距用セ
ンサー、17a、17b……ラインセンサー、18a、18b……投
影された13aの像
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大貫 一朗 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内 (72)発明者 須田 康夫 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内 (72)発明者 大高 圭史 神奈川県川崎市高津区下野毛770番地 キ ヤノン株式会社玉川事業所内
Claims (3)
- 【請求項１】複数の受光部を有する光電変換素子と、該
光電変換素子とリード端子とを接続する細線と、を光透
過性樹脂を用いて封止してなる光半導体装置であって、
封止体外形の光透過面と前記光電変換素子の表面との間
の距離をＤ、前記光透過面における全反射角度をθ1と
したときに、前記光電変換素子の表面において前記複数
の受光部のうち任意の受光部を中心に２・Ｄ・tanθ1を
半径にして描いた円内の領域に該複数の受光部が全て位
置していることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】前記光透過面は、前記封止体外形の凸部表
面であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の半導体装置。 - 【請求項３】結像レンズと測距用センサーとを具備する
焦点検出装置であって、前記測距用センサーが、並列に
配された２つのラインセンサーを含む光電変換素子と、
該光電変換素子とリード端子とを接続する細線と、を光
透過性樹脂を用いて封止してなり、封止体外形の光透過
面と前記光電変換素子の表面との間の距離をＤ、前記光
透過面における全反射角度をθ1としたときに、前記光
電変換素子の表面において前記ラインセンサーの任意の
受光部を中心に２・Ｄ・tanθ1を半径にして描いた円内
の領域に該ラインセンサーの受光部が全て位置している
センサーであることを特徴とする焦点検出装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166896A JPH07112050B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
| EP87306304A EP0253664B1 (en) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
| DE8787306304T DE3782201T2 (de) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung. |
| US08/472,110 US5583076A (en) | 1986-07-16 | 1995-06-07 | Method for manufacturing a semiconductor photo-sensor |
| US09/013,031 US5912504A (en) | 1986-07-16 | 1998-01-26 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166896A JPH07112050B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321870A JPS6321870A (ja) | 1988-01-29 |
| JPH07112050B2 true JPH07112050B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15839635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166896A Expired - Fee Related JPH07112050B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112050B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2998326B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-01-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
| JP3614840B2 (ja) | 2002-11-28 | 2005-01-26 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| EP2140412B1 (en) | 2007-04-23 | 2018-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Remote medical-diagnosis system and method |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61166896A patent/JPH07112050B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6321870A (ja) | 1988-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920010921B1 (ko) | 이미지 센서(Image Sensor) | |
| JP5022601B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5952645A (en) | Light-sensing array with wedge-like reflective optical concentrators | |
| JP5737971B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
| JP5127899B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5583076A (en) | Method for manufacturing a semiconductor photo-sensor | |
| JP5506517B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2770301B2 (ja) | 焦点検出用光学装置 | |
| JP4813929B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3044734B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| US4586786A (en) | Area beam type splitter | |
| JP3166220B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH07112050B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| US10451483B2 (en) | Short wave infrared polarimeter | |
| US6535249B1 (en) | Digital camera optical system with field lens | |
| JPH0719893B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0540216A (ja) | マイクロレンズおよびその製造方法 | |
| KR100649011B1 (ko) | 광섬유를 이용한 이미지센서 | |
| JP2699318B2 (ja) | 日射センサ | |
| JPS6212154A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2546362Y2 (ja) | レンズユニット | |
| KR20020059094A (ko) | 마이크로렌즈의 특성 측정 방법 | |
| CN117810237A (zh) | 固态摄像装置 | |
| JPH02161772A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0653455A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |