JPS6321870A - 光半導体装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野〕
本発明は入射先を電気信号に変換する光型変換素子を光
透過性樹脂を用いて封止した光半導体装置に関する。
透過性樹脂を用いて封止した光半導体装置に関する。
従来、入射先を電気信号に変換する光電変換装置は第２
図に示すように構成されている。
図に示すように構成されている。
すなわち、光電変換素子１を光電変換素子支持部材２上
に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２′の所定
の箇所に、極細金属線３を用いてワイヤボンディングし
、次に、光ｉｆｆ ｉＭ １’ｌ樹脂４を用いて成形し
、外形を形成する。その後、リード端子２′の外部導出
部７を必要長さに切断し、所望状態に曲げるなどして光
半導体装置を構成していた。
に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２′の所定
の箇所に、極細金属線３を用いてワイヤボンディングし
、次に、光ｉｆｆ ｉＭ １’ｌ樹脂４を用いて成形し
、外形を形成する。その後、リード端子２′の外部導出
部７を必要長さに切断し、所望状態に曲げるなどして光
半導体装置を構成していた。
ところで、上記構成の従来の光半導体装置には、下達の
ごとき諸問題が存在する。
ごとき諸問題が存在する。
すなわち、光電変換素子１の光受容部が複数個（ｎ個）
の光受容部から構成されている場合、光電変換素子１の
ｎ個の光受容部に均一な光束を有する光６が入射すると
、該ｎ個の光受容部から得られる電気信号は、すべて同
一なレベルにならなければならないところ、実Ｖ、空上
は同一なレベルにならないという問題がある。また、ｎ
個の光受容部のうちのある１つの光受容部に光を入射さ
せ、その他の光受容部には光を入射させない場合におい
て：よ、光を入射させない光受容部にも暗７流よりも大
なる電気信号出力が得られてしまうという問題もある。
の光受容部から構成されている場合、光電変換素子１の
ｎ個の光受容部に均一な光束を有する光６が入射すると
、該ｎ個の光受容部から得られる電気信号は、すべて同
一なレベルにならなければならないところ、実Ｖ、空上
は同一なレベルにならないという問題がある。また、ｎ
個の光受容部のうちのある１つの光受容部に光を入射さ
せ、その他の光受容部には光を入射させない場合におい
て：よ、光を入射させない光受容部にも暗７流よりも大
なる電気信号出力が得られてしまうという問題もある。
（発明の目的）
本発明は、前述した従来の光半導体装置における上述の
諸問題を克服して、優れた特性を有する光半導体装置を
提供することを目的とする。
諸問題を克服して、優れた特性を有する光半導体装置を
提供することを目的とする。
即ち、本発明の主たる目的は、光透過性樹脂を用いて封
止した光半導体装置において、光電変換素子を構成する
複数個の光受容部から得られる電気信号が均一である光
半導体装置を提供することにある。
止した光半導体装置において、光電変換素子を構成する
複数個の光受容部から得られる電気信号が均一である光
半導体装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明は、前述の従来装置における諸問題を解決して上
記本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたところ、
前述の従来装】の諸問題は以下のごとき原因によるもの
であることが判明した。
記本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたところ、
前述の従来装】の諸問題は以下のごとき原因によるもの
であることが判明した。
前述の間−の４発生原因について、第２図を用いて説明
する。
する。
即ち、空気Ｎ８から光透過性樹脂４および光電変換素子
４に直角に光線６つ（入射ｌ、た時光電変喚素子１の表
面９で、光が反射散乱される。反射散乱された光強度は
表面９の材料、面積度にも依るが角度依存性を持つ。反
射された散乱光は樹脂４がら空気層８へ抜けるものもあ
れば空気層８と樹脂４の界面１０で反射されるものもあ
る。
４に直角に光線６つ（入射ｌ、た時光電変喚素子１の表
面９で、光が反射散乱される。反射散乱された光強度は
表面９の材料、面積度にも依るが角度依存性を持つ。反
射された散乱光は樹脂４がら空気層８へ抜けるものもあ
れば空気層８と樹脂４の界面１０で反射されるものもあ
る。
スネルの法則によればある角度θ１で全反射する。θ１
は光透過性樹脂４と空気層８の屈折率により決定される
。例えば光透過性樹脂４、空気層８の屈折率をそれぞれ
１．５．１とした時、θ１は略４０度となり略４０度以
上になった場合全反射する。従って光電変換素子１の受
光部５の入射先量Ａは、次式！で表わされる。
は光透過性樹脂４と空気層８の屈折率により決定される
。例えば光透過性樹脂４、空気層８の屈折率をそれぞれ
１．５．１とした時、θ１は略４０度となり略４０度以
上になった場合全反射する。従って光電変換素子１の受
光部５の入射先量Ａは、次式！で表わされる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（θｒ （θ「≧θ１）をなす
光線の全反射光量の積分値）＋ （θｒ （θｒ〈θ１）をなす光線の反射光量の積分値
）・・・・・Ｉ 式１の第３項においてθ「の値がθユより小さい時反射
光量は非常に小さく無視できる値であるが、θｒが０１
にほぼ近い値になった時に反射光量は犬になる。
光線の全反射光量の積分値）＋ （θｒ （θｒ〈θ１）をなす光線の反射光量の積分値
）・・・・・Ｉ 式１の第３項においてθ「の値がθユより小さい時反射
光量は非常に小さく無視できる値であるが、θｒが０１
にほぼ近い値になった時に反射光量は犬になる。
つまり受光部５の入射先量は光線６の光量と光電変換素
子１面上で受光部５を中心に１１を半径にして描いた円
の円周近傍および円外から反射した光の入射先量の和と
なり、後者の不要反射光が入射するために光学特性異常
が生じ、前述のごとき問題が生じることとなる。
子１面上で受光部５を中心に１１を半径にして描いた円
の円周近傍および円外から反射した光の入射先量の和と
なり、後者の不要反射光が入射するために光学特性異常
が生じ、前述のごとき問題が生じることとなる。
本発明は、上述の知見に基づいて更に研究を続けた結果
完成するに至ったものである。
完成するに至ったものである。
即ち、本発明の光半導体装置は、光電変換素子を光電変
換素子支持部材上に固定保持し、該素子とリード端子を
極細金属線を介して電気的に接続したのち、光透過性樹
脂を用いて封止した光半導体装置であって、封止体外形
の少なくとも光透過面と光電変換素子との間の厚さおよ
び前記光透過面の形成が、光電変換素子の受光部からの
反射光がさらに封止体外形面で反射されて別の受光部へ
入射する入射先および光電変換素子の受光部周辺からの
反射光がさらに封止体外形面で反射されて受光部へ入射
する入射先の影響を減少させうる厚味および形状である
ことを特徴とするものである。
換素子支持部材上に固定保持し、該素子とリード端子を
極細金属線を介して電気的に接続したのち、光透過性樹
脂を用いて封止した光半導体装置であって、封止体外形
の少なくとも光透過面と光電変換素子との間の厚さおよ
び前記光透過面の形成が、光電変換素子の受光部からの
反射光がさらに封止体外形面で反射されて別の受光部へ
入射する入射先および光電変換素子の受光部周辺からの
反射光がさらに封止体外形面で反射されて受光部へ入射
する入射先の影響を減少させうる厚味および形状である
ことを特徴とするものである。
以下、図示の実施例により本発明の詳細な説明するが、
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
第１図は、本発明の光半導体装置の１実施例を模式的に
示す断面略図である。なお、第１図において、前述の第
２図と同一符号を付したものは、第２図と同一のものを
示している。すなわち光電変換素子１を光電変換素子支
持部材２に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２
′の所定箇所に極細金属線３を用いてワイヤボンディン
グし、次に光透過性樹脂４を用いて、トランスファーモ
−ルド法等の成形手段により１体的に成形し、外形を形
成する。成形型は、打止体外形の少なくとも光透過面と
光電変換素子との間の距離が従来のものに比べて犬であ
る型を用いる。即ち、第１図において、ｄｌを従来の光
半導体装置の封止体外形表面と光電変換素子１との間の
距離、 ｄ、 ＋ ｄ２を本発明の打止体外形の少な
くとも光透過面と光；変））素子；との間の距離とする
と、従来のもつの場合 Ｄ＝ｄ＋であるのに対し２本発
明の場合Ｄ ＝ ｄ、 ＋ ｄ２（ａ２＞ Ｏ）であ
るようにする。その後、リード端子２′の外部導出部７
を必要長さに切断し、所望形状に曲げるなどして、光半
導体装置を形成する。
示す断面略図である。なお、第１図において、前述の第
２図と同一符号を付したものは、第２図と同一のものを
示している。すなわち光電変換素子１を光電変換素子支
持部材２に固定保持し、光電変換素子１とリード端子２
′の所定箇所に極細金属線３を用いてワイヤボンディン
グし、次に光透過性樹脂４を用いて、トランスファーモ
−ルド法等の成形手段により１体的に成形し、外形を形
成する。成形型は、打止体外形の少なくとも光透過面と
光電変換素子との間の距離が従来のものに比べて犬であ
る型を用いる。即ち、第１図において、ｄｌを従来の光
半導体装置の封止体外形表面と光電変換素子１との間の
距離、 ｄ、 ＋ ｄ２を本発明の打止体外形の少な
くとも光透過面と光；変））素子；との間の距離とする
と、従来のもつの場合 Ｄ＝ｄ＋であるのに対し２本発
明の場合Ｄ ＝ ｄ、 ＋ ｄ２（ａ２＞ Ｏ）であ
るようにする。その後、リード端子２′の外部導出部７
を必要長さに切断し、所望形状に曲げるなどして、光半
導体装置を形成する。
光線６が光ｉ！を過性樹脂４の外形および光電変換素子
１に直角に入射した時、θをスネルの法則に従う全反射
角度とすると、光電変換素子１の受光部５に入射する光
量は、従来の光半導体装置（ｄ２＝０）の場合、次式Ｉ
＋で表わされるものとなる。
１に直角に入射した時、θをスネルの法則に従う全反射
角度とすると、光電変換素子１の受光部５に入射する光
量は、従来の光半導体装置（ｄ２＝０）の場合、次式Ｉ
＋で表わされるものとなる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（光電変換素子１面上でｐ、を
半径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の
入射先量の和）・・・・・１１これに対し、本発明の光
墨導体装ＦＦ （ｄ２≠０）の場合、次式ｉｌ＋で表わ
されるものとなる。
半径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光の
入射先量の和）・・・・・１１これに対し、本発明の光
墨導体装ＦＦ （ｄ２≠０）の場合、次式ｉｌ＋で表わ
されるものとなる。
Ａ＝（光線６の光量）＋（光電変換素子１面上で、Ｑ２
を半径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光
の入射先量の和）・・・・・ＩＩＩ式ＩＩ＋において、
ＪＩＨ＝２ｄｌ ｔａｎθ１ｘ２＝２ぐｄ、＝−づ２）
ｊａｎｅ１ １１２Ｂ、 ＋ ＝ ２ｄ２ｊａｎθ１（θ１．１１は
一定） となる。従ってａ２（−嵩上げ高さ）を犬きくすればす
る程ｕ２−４．の値が犬になることにより反射光の入射
する領域が狭くなり反射による影響が少なくなる。また
光の強度は光路長の二乗に反比例することから、本発明
の場合、光路長が長くなるゆえに、反射光の入射する強
度の絶対値も減少し影響が少なくなる。つまり反射光の
影響を少なくするためには、光電変換素子１の受光部以
外からの反射光の影響を少なくするため受光部以外は光
到達できないようにマスキングすることと、光電変換素
子１の任意の受光部が略１□を半径にして描いた円内に
入るようにｄ２（＝嵩上げ高さ）の７厚さおよび打止体
外形の少なくとも光透過面形状を設計すれば良い。また
マスキングしても光電変換素子１面の受光部部具外にも
光到達する場合、また任意の受光部が略λ２を半径にし
て描いた円外に存在せざるを得ない場合は予め影■の程
度を把握しｄ２（−嵩上げ高さ）および打止体外形の少
なくとも光透過面形状を設計すれば良い。
を半径にして描いた円の円周近傍と円外から反射した光
の入射先量の和）・・・・・ＩＩＩ式ＩＩ＋において、
ＪＩＨ＝２ｄｌ ｔａｎθ１ｘ２＝２ぐｄ、＝−づ２）
ｊａｎｅ１ １１２Ｂ、 ＋ ＝ ２ｄ２ｊａｎθ１（θ１．１１は
一定） となる。従ってａ２（−嵩上げ高さ）を犬きくすればす
る程ｕ２−４．の値が犬になることにより反射光の入射
する領域が狭くなり反射による影響が少なくなる。また
光の強度は光路長の二乗に反比例することから、本発明
の場合、光路長が長くなるゆえに、反射光の入射する強
度の絶対値も減少し影響が少なくなる。つまり反射光の
影響を少なくするためには、光電変換素子１の受光部以
外からの反射光の影響を少なくするため受光部以外は光
到達できないようにマスキングすることと、光電変換素
子１の任意の受光部が略１□を半径にして描いた円内に
入るようにｄ２（＝嵩上げ高さ）の７厚さおよび打止体
外形の少なくとも光透過面形状を設計すれば良い。また
マスキングしても光電変換素子１面の受光部部具外にも
光到達する場合、また任意の受光部が略λ２を半径にし
て描いた円外に存在せざるを得ない場合は予め影■の程
度を把握しｄ２（−嵩上げ高さ）および打止体外形の少
なくとも光透過面形状を設計すれば良い。
次に本発明の効果について第１図を用いて説明する。本
発明の光半導体装置において、ｄ２が大になればなる程
反尉の影響が少なくなるとともに、光路長が長くなるこ
とによる反射光量の絶対値が小さくなりざらに影響が少
なくなる。
発明の光半導体装置において、ｄ２が大になればなる程
反尉の影響が少なくなるとともに、光路長が長くなるこ
とによる反射光量の絶対値が小さくなりざらに影響が少
なくなる。
本発明の光半導体装置は、光電変換素子がＣＣＤ等受光
面か多分割化されているラインセンサー、エリアセンサ
ー等反射の影響がシビアに問われるセンサーに有効であ
る。
面か多分割化されているラインセンサー、エリアセンサ
ー等反射の影響がシビアに問われるセンサーに有効であ
る。
第３〜４図を用いて、本発明の光半導体装置をカメラの
オートフォーカスセンサーとして用いた時の光学特性向
上効果について説明する。
オートフォーカスセンサーとして用いた時の光学特性向
上効果について説明する。
第３図は本発明の光半導体装置をカメラのＡＦセンサー
として用いた場合の光学系展開区を示す。図中、１３〜
１８は焦点検出装置（ＡＦｕ ）を構成する部品を夫々
示している。即ち、１３はピント面近傍に置かれた視野
マスク、１４はフィールドレンズ、１５は開口１５ａ
、１５ｂを持つ測距光束分割用マスク、１６は二次結像
レンズで、１６ａ 、 １６ｂがレンズ部である。１７
は測距用センサー（本発明の光半導体装置）で、多数の
画素が一直線上に並んだ一対のラインセンサー１７ａ
、 １７ｂを有している。
として用いた場合の光学系展開区を示す。図中、１３〜
１８は焦点検出装置（ＡＦｕ ）を構成する部品を夫々
示している。即ち、１３はピント面近傍に置かれた視野
マスク、１４はフィールドレンズ、１５は開口１５ａ
、１５ｂを持つ測距光束分割用マスク、１６は二次結像
レンズで、１６ａ 、 １６ｂがレンズ部である。１７
は測距用センサー（本発明の光半導体装置）で、多数の
画素が一直線上に並んだ一対のラインセンサー１７ａ
、 １７ｂを有している。
１８ａ 、Ｌ８ｂは各々二次結像レンズ１６のレンズ部
１６ａ 、１５ｂによって投影された１３ａの像で、該
１８ａ 、 １８ｂは境界部がぴったり請接する様に１
５ａの大きさが決められている。１４は通過した光束を
有効に測距光束分割用マスク１５および二次結像レンズ
１６に導くためのレンズである。
１６ａ 、１５ｂによって投影された１３ａの像で、該
１８ａ 、 １８ｂは境界部がぴったり請接する様に１
５ａの大きさが決められている。１４は通過した光束を
有効に測距光束分割用マスク１５および二次結像レンズ
１６に導くためのレンズである。
従って当光学系において撮影レンズを通った光束は１３
の上で結像し、更に開口１５ａ 、 １５ｂを通過して
、レンズ部１ｔｉａ 、１６ｂによりラインセンサー１
７ａ 、 １７ｂ上の１８ａ 、 １８ｂ内に再結像さ
れる。そしてラインセンサー１７ａ 、 １７ｂ上の２
像の相対位置を検出して合焦状、預を判別する様になっ
ている。
の上で結像し、更に開口１５ａ 、 １５ｂを通過して
、レンズ部１ｔｉａ 、１６ｂによりラインセンサー１
７ａ 、 １７ｂ上の１８ａ 、 １８ｂ内に再結像さ
れる。そしてラインセンサー１７ａ 、 １７ｂ上の２
像の相対位置を検出して合焦状、預を判別する様になっ
ている。
第４図にその原理を示す。ラインセンサー１７ａ１７ｂ
上に投影された像の各々の出力をＥａ、 Ｅｂとすると
、合焦状態では２像の距ＢＳがある値Ｓｏとなるように
設定されているものとする、そして撮影レンズが非合焦
の状態ではＳ≠ Ｓｏとなるが、これを検出するために
はＥａとＥｂを相対的にｂｉｔシフトさせて２像の相関
をとるという手法が用いられる。
上に投影された像の各々の出力をＥａ、 Ｅｂとすると
、合焦状態では２像の距ＢＳがある値Ｓｏとなるように
設定されているものとする、そして撮影レンズが非合焦
の状態ではＳ≠ Ｓｏとなるが、これを検出するために
はＥａとＥｂを相対的にｂｉｔシフトさせて２像の相関
をとるという手法が用いられる。
ここでもし１８ａ上の像が前述した反射により１８ａ上
自体の像に反射の影響を及ぼすとか、ｔａｂ上の像が前
述した反射により１８ｂ上自体の像に反射の影響を及ぼ
すとか、また１８ａ上の像が前述した反射により１８ｂ
上の像に反射の影響を及ぼすとか、１８ｂ上の像が前述
した反射により１８ａ上の像に反射の影響を及ぼすとＥ
ａとＥｂは本来の被写体輝度分布とは異なった形状とな
る。ので真の被写体情報とは異なった情報で相関演算を
していることになり、その結果として検出されたピント
情報に誤差を生ずることとなる。
自体の像に反射の影響を及ぼすとか、ｔａｂ上の像が前
述した反射により１８ｂ上自体の像に反射の影響を及ぼ
すとか、また１８ａ上の像が前述した反射により１８ｂ
上の像に反射の影響を及ぼすとか、１８ｂ上の像が前述
した反射により１８ａ上の像に反射の影響を及ぼすとＥ
ａとＥｂは本来の被写体輝度分布とは異なった形状とな
る。ので真の被写体情報とは異なった情報で相関演算を
していることになり、その結果として検出されたピント
情報に誤差を生ずることとなる。
本発明の光半導体装置を用いると反射の影響が減少し正
確なピント情報を与えることになり、特にＡＦとして有
利なものである。
確なピント情報を与えることになり、特にＡＦとして有
利なものである。
東１図は本発明の光半導体装！の一実施例を模式的に示
す断面略図であり、第２図は従来の光半導体装置を模式
的に示す断面略図である。第３図は、本発明の光半導体
装置をカメラのＡＦセンサーとして用いた場合の光学系
展開図であり、第４図は、その原理を説明するための図
である。 １・・・・・光電変換素子、２・・・・・光電変換素子
支持部材、２′・・・・・リード端子、３・・・・・極
細金属線、４・・・・・光透過性樹脂、５・・・・・光
電変換素子の受光部、６・・・・・光線、７・・・・・
リード端子の外部導出部、８・・・・・空気層、９・・
・・・光電変換素子の表面、ｌＯ・・・・・ 光透過性
樹脂と空気層との界面、１３・・・・・ 視舒マスク、
１４・・・・・フィールドレンズ、１５・・・・・ 測
距光束分割用マスク、１５ａ 、 １５ｂ・・・・・開
口、１６・・・・・ 二次結像レンズ、１６ａ ％ １
８ｂ・・・・・レンズ部、１７・・・・・測距用センサ
ー、 １７ａ 、１７ｂ・・・・・ラインセンサー、１
８ａ 、 １８ｂ・・・・・投影された１３ａの像図面
の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 ！（！（ 第３図 ｊρａ 第４図 手 続 補 正 書 （方式）％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願１６６８９６号 ２、発明の名称 光 半 導 体 装 蓋 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グリ
ーンビル ６、補正の対象 明細書及び図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書及び図面の浄書・別紙のと
おり（内容に変更なし） 以 上
す断面略図であり、第２図は従来の光半導体装置を模式
的に示す断面略図である。第３図は、本発明の光半導体
装置をカメラのＡＦセンサーとして用いた場合の光学系
展開図であり、第４図は、その原理を説明するための図
である。 １・・・・・光電変換素子、２・・・・・光電変換素子
支持部材、２′・・・・・リード端子、３・・・・・極
細金属線、４・・・・・光透過性樹脂、５・・・・・光
電変換素子の受光部、６・・・・・光線、７・・・・・
リード端子の外部導出部、８・・・・・空気層、９・・
・・・光電変換素子の表面、ｌＯ・・・・・ 光透過性
樹脂と空気層との界面、１３・・・・・ 視舒マスク、
１４・・・・・フィールドレンズ、１５・・・・・ 測
距光束分割用マスク、１５ａ 、 １５ｂ・・・・・開
口、１６・・・・・ 二次結像レンズ、１６ａ ％ １
８ｂ・・・・・レンズ部、１７・・・・・測距用センサ
ー、 １７ａ 、１７ｂ・・・・・ラインセンサー、１
８ａ 、 １８ｂ・・・・・投影された１３ａの像図面
の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 ！（！（ 第３図 ｊρａ 第４図 手 続 補 正 書 （方式）％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願１６６８９６号 ２、発明の名称 光 半 導 体 装 蓋 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住所 東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グリ
ーンビル ６、補正の対象 明細書及び図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書及び図面の浄書・別紙のと
おり（内容に変更なし） 以 上
Claims (2)
- （１）光電変換素子を光電変換素子支持部材上に固定保
持し、該素子とリード端子を極細金属線を介して電気的
に接続したのち、光透過性樹脂を用いて封止してなる光
半導体装置であって、封止体外形の少なくとも光透過面
と光電変換素子との間の厚さおよび前記光透過面の形成
が、光電変換素子の受光部からの反射光がさらに封止体
外形面で反射されて別の受光部へ入射する入射先および
光電変換素子の受光部周辺からの反射光がさらに封止体
外形面で反射されて受光部へ入射する入射先の影響を減
少させうる厚味および形状であることを特徴とする光半
導体装置。 - （２）光半導体装置の封止体外形の少なくとも光透過面
が凸状形状であり、その他の部分の封止体外形よりも厚
味が厚い特許請求の範囲第（１）項に記載された光半導
体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166896A JPH07112050B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
| DE8787306304T DE3782201T2 (de) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung. |
| EP87306304A EP0253664B1 (en) | 1986-07-16 | 1987-07-16 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
| US08/472,110 US5583076A (en) | 1986-07-16 | 1995-06-07 | Method for manufacturing a semiconductor photo-sensor |
| US09/013,031 US5912504A (en) | 1986-07-16 | 1998-01-26 | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166896A JPH07112050B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321870A true JPS6321870A (ja) | 1988-01-29 |
| JPH07112050B2 JPH07112050B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=15839635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166896A Expired - Fee Related JPH07112050B2 (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112050B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350914A (en) * | 1991-08-09 | 1994-09-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading apparatus |
| JP2004179495A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US8630867B2 (en) | 2007-04-23 | 2014-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Remote-medical-diagnosis system method |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61166896A patent/JPH07112050B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350914A (en) * | 1991-08-09 | 1994-09-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading apparatus |
| JP2004179495A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US7009295B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-03-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8630867B2 (en) | 2007-04-23 | 2014-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Remote-medical-diagnosis system method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07112050B2 (ja) | 1995-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |