JPH069222B2 - 多層配線構造の製造法 - Google Patents
多層配線構造の製造法Info
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- JPH069222B2 JPH069222B2 JP61001129A JP112986A JPH069222B2 JP H069222 B2 JPH069222 B2 JP H069222B2 JP 61001129 A JP61001129 A JP 61001129A JP 112986 A JP112986 A JP 112986A JP H069222 B2 JPH069222 B2 JP H069222B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は,半導体集積回路,バブルメモリ素子等の電子
回路部品における多層配線構造の製造法に関する。
回路部品における多層配線構造の製造法に関する。
(従来の技術) 従来,半導体集積回路等における多層配線構造の製造法
としては,パターン形成された配線層を有する基板上に
真空蒸着,CVD(ケキカルベーパーデポジシヨン)等
の気相成長法によりSiO2,SiN等からなる層間絶縁膜を
形成し,スルーホールを開孔した後,上層配線法を形成
する方法が用いられている。しかし,気相成長法によつ
て層間絶縁膜を形成する方法では,第3図のように下層
配線層2の段差が層間絶縁膜3形成後もそのまま残り,
上層配線層4を形成した際,上記段差部分で配線層がき
わめて薄くなり配線切れが起こりやすいという問題があ
つた。第3図において1は基体である。
としては,パターン形成された配線層を有する基板上に
真空蒸着,CVD(ケキカルベーパーデポジシヨン)等
の気相成長法によりSiO2,SiN等からなる層間絶縁膜を
形成し,スルーホールを開孔した後,上層配線法を形成
する方法が用いられている。しかし,気相成長法によつ
て層間絶縁膜を形成する方法では,第3図のように下層
配線層2の段差が層間絶縁膜3形成後もそのまま残り,
上層配線層4を形成した際,上記段差部分で配線層がき
わめて薄くなり配線切れが起こりやすいという問題があ
つた。第3図において1は基体である。
そこでこれを改良するために,層間絶縁膜の形成を芳香
族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とから得
られたポリアミツク酸の溶液を塗布,硬化して行なう方
法が提案され(特公昭51−44871号公報)実用化
されている。
族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物とから得
られたポリアミツク酸の溶液を塗布,硬化して行なう方
法が提案され(特公昭51−44871号公報)実用化
されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、近年半導体集積回路等の電子部品における集積
度の向上はめざましく,配線構造もますます多層化さ
れ,配線段差の平坦化に対する必要性は一層増大してき
ている。上記芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸
から得られるポリアミツク酸では,ポリアミツク酸の溶
媒に対する溶解性が非常に低く,溶液を高濃度化するこ
とができないため,上記配線段差の平坦化性が十分でな
く,2層以上の多層配線構造の製造は困難であつた。
度の向上はめざましく,配線構造もますます多層化さ
れ,配線段差の平坦化に対する必要性は一層増大してき
ている。上記芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸
から得られるポリアミツク酸では,ポリアミツク酸の溶
媒に対する溶解性が非常に低く,溶液を高濃度化するこ
とができないため,上記配線段差の平坦化性が十分でな
く,2層以上の多層配線構造の製造は困難であつた。
(問題点を解決するための手段) 本発明者らは,これら従来技術の欠点に鑑み鋭意検討し
た結果,パターンの形成された配線層を有する基材上に
塗布するポリアミツク酸溶液を高濃度化する程,配線段
差の平坦化率が向上すること,また,ポリアミツク酸溶
液を高濃度化するためには,低分子量のエステルオリゴ
マー化することが効果的であることを見い出し本発明に
到達した。
た結果,パターンの形成された配線層を有する基材上に
塗布するポリアミツク酸溶液を高濃度化する程,配線段
差の平坦化率が向上すること,また,ポリアミツク酸溶
液を高濃度化するためには,低分子量のエステルオリゴ
マー化することが効果的であることを見い出し本発明に
到達した。
本発明は,パターンの形成された配線層を有する基材上
に,芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及び
/又はアルコール誘導体とを反応させて得られる芳香族
テトラカルボン酸エステルに,芳香族ジアミン及び/又
はジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミツ
ク酸エステルオリゴマーの溶液を塗布し,硬化して層間
絶縁膜としたのちスルーホールを形成し,その後上層配
線層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法
に関する。
に,芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及び
/又はアルコール誘導体とを反応させて得られる芳香族
テトラカルボン酸エステルに,芳香族ジアミン及び/又
はジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミツ
ク酸エステルオリゴマーの溶液を塗布し,硬化して層間
絶縁膜としたのちスルーホールを形成し,その後上層配
線層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法
に関する。
本発明におけるパターンの形成された配線層を有する基
材とは,例えば,Al配線層を形成したシリコン半導体
基板,Cu配線層を形成したセラミツクハイフリツド基
板等を指す。
材とは,例えば,Al配線層を形成したシリコン半導体
基板,Cu配線層を形成したセラミツクハイフリツド基
板等を指す。
また,本発明におけるポリアミツク酸エステルオリゴマ
ーは,必要に応じて溶媒の存在下で芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物とアルコール及び/又はアルコール誘導体
とを反応させて得られる芳香族テトラカルボン酸エステ
ルに,芳香族ジアミン及び/又はジアミノシロキサンを
反応させて得られる。この際必要に応じて芳香族テトラ
カルボン酸エステルとともに芳香族テトラカルボン酸二
無水物を併用し,生成するポリアミツク酸エステルオリ
ゴマーの分子量を調整することも可能である。芳香族テ
トラカルボン酸二無水物を併用する場合には,芳香族テ
トラカルボン酸エステルを合成する際に用いるアルコー
ル及び/又はアルコール誘導体の量を芳香族テトラカル
ボン酸二無水物の当量より少なくして二無水物を残す様
にしてもよいし,また,後で芳香族ジアミン及び/又は
ジアミノシロキサンと反応させる際に新たに添加しても
よい。
ーは,必要に応じて溶媒の存在下で芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物とアルコール及び/又はアルコール誘導体
とを反応させて得られる芳香族テトラカルボン酸エステ
ルに,芳香族ジアミン及び/又はジアミノシロキサンを
反応させて得られる。この際必要に応じて芳香族テトラ
カルボン酸エステルとともに芳香族テトラカルボン酸二
無水物を併用し,生成するポリアミツク酸エステルオリ
ゴマーの分子量を調整することも可能である。芳香族テ
トラカルボン酸二無水物を併用する場合には,芳香族テ
トラカルボン酸エステルを合成する際に用いるアルコー
ル及び/又はアルコール誘導体の量を芳香族テトラカル
ボン酸二無水物の当量より少なくして二無水物を残す様
にしてもよいし,また,後で芳香族ジアミン及び/又は
ジアミノシロキサンと反応させる際に新たに添加しても
よい。
溶解性,硬化時の発泡等の点から芳香族テトラカルボン
酸二無水物1モルに対し,アルコール及び/又はアルコ
ール誘導体1.5〜2モルを反応させることが好まし
い。
酸二無水物1モルに対し,アルコール及び/又はアルコ
ール誘導体1.5〜2モルを反応させることが好まし
い。
また,必要に応じて用いられる溶媒としてはブチルセロ
ソルブ等のエーテルグリコール系溶媒,N−メチル−2
−ピロリドン,N,N−ジメチルアセトアミド,N,N−
ジメチルホルムアミド,ジメチルスルホキサイド等のア
ミド系溶媒等の1種または2種以上が用いられる。
ソルブ等のエーテルグリコール系溶媒,N−メチル−2
−ピロリドン,N,N−ジメチルアセトアミド,N,N−
ジメチルホルムアミド,ジメチルスルホキサイド等のア
ミド系溶媒等の1種または2種以上が用いられる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物は,一般式 (ここでR1は4価の芳香族炭化水素基である。)で示さ
れるが,例えば,3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラ
カルボン酸二無水物,ピロメリツト酸二無水物,3,3′,
4,4′−ジフエニルテトラカルボン酸二無水物,シクロ
ペンタンテトラカルボン酸二無水物,1,2,5,6−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物,2,3,6,7−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物,2,3,5,6−ピリジンテトラ
カルボン酸二無水物,1,4,5,8−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物,3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン
酸二無水物,4,4′−スルホニルジフタル酸二無水物な
どがあり,これらは1種又は2種以上が用いられる。
れるが,例えば,3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラ
カルボン酸二無水物,ピロメリツト酸二無水物,3,3′,
4,4′−ジフエニルテトラカルボン酸二無水物,シクロ
ペンタンテトラカルボン酸二無水物,1,2,5,6−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物,2,3,6,7−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物,2,3,5,6−ピリジンテトラ
カルボン酸二無水物,1,4,5,8−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物,3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン
酸二無水物,4,4′−スルホニルジフタル酸二無水物な
どがあり,これらは1種又は2種以上が用いられる。
また,芳香族テトラカルボン酸二無水物をエステル化す
るアルコール及びアルコール誘導体としては,メタノー
ル,エタノール,プロパノール,イソプロピルアルコー
ル,ブタノール等の1価アルコール,エチレングリコー
ル,プロピレングリコール,グリセリン,トリメチロー
ルプロパン等の多価アルコール,セロソルブ類,カルビ
トール類などがあり,これらの1種または2種以上が用
いられる。アルコールとアルコール誘導体とを併用して
もよい。
るアルコール及びアルコール誘導体としては,メタノー
ル,エタノール,プロパノール,イソプロピルアルコー
ル,ブタノール等の1価アルコール,エチレングリコー
ル,プロピレングリコール,グリセリン,トリメチロー
ルプロパン等の多価アルコール,セロソルブ類,カルビ
トール類などがあり,これらの1種または2種以上が用
いられる。アルコールとアルコール誘導体とを併用して
もよい。
また,本発明に用いられる芳香族ジアミンは一般式 H2N−R2−NH2 (ここでR2は2価の芳香族炭化水素基である。)で示さ
れるが,例えば,4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル,4,4′−ジアミノジフエニルメタン,4,4′−ジアミ
ノジフエニルスルホン,4,4′−ジアミノジフエニルサ
ルフアイド,ベンジジン,メタフエニレンジアミン,パ
ラフエニレンジアミン,1,5−ナフタレンジアミン,2,
6−ナフタレンジアミン等があり,これらは1種または
2種以上が用いられる。
れるが,例えば,4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル,4,4′−ジアミノジフエニルメタン,4,4′−ジアミ
ノジフエニルスルホン,4,4′−ジアミノジフエニルサ
ルフアイド,ベンジジン,メタフエニレンジアミン,パ
ラフエニレンジアミン,1,5−ナフタレンジアミン,2,
6−ナフタレンジアミン等があり,これらは1種または
2種以上が用いられる。
また本発明に用いられるジアミノシロキサンは一般式 (ここでR3は炭素数1〜10の2価の炭化水素基,R4,
R5,R6,R7は炭素数1〜10の1価の炭化水素基であ
り,これらは同一であつても相違してもよい。nは1〜
10の整数である)で示され,例えば, 等があり,これらは1種または2種以上が用いられる。
R5,R6,R7は炭素数1〜10の1価の炭化水素基であ
り,これらは同一であつても相違してもよい。nは1〜
10の整数である)で示され,例えば, 等があり,これらは1種または2種以上が用いられる。
芳香族ジアミンとジアミノシロキサンとは併用してもよ
い。
い。
本発明における芳香族テトラカルボン酸二無水物のエス
テル化反応の反応温度は使用する溶媒,アルコール及び
アルコール誘導体によつて異なり,特に制限はないが,
例えば3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸
二無水物をN−メチル−2−ピロリドン中でエタノール
を用いてエステル化する場合には80℃〜150℃の反
応温度が好ましい。
テル化反応の反応温度は使用する溶媒,アルコール及び
アルコール誘導体によつて異なり,特に制限はないが,
例えば3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸
二無水物をN−メチル−2−ピロリドン中でエタノール
を用いてエステル化する場合には80℃〜150℃の反
応温度が好ましい。
芳香族テトラカルボン酸エステルおよび必要に応じて芳
香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン及び/
又はジアミノシロキサンとの反応は,生成したポリアミ
ツク酸エステルオリゴマーを硬化して得られるポリイミ
ド樹脂の耐熱性を最良とするために芳香族テトラカルボ
ン酸エステル(芳香族テトラカルボン酸二無水物を用い
る場合にはそれとの総和)と,芳香族ジアミン及び/又
はジアミノシロキサンとをほぼ等モルとして行なうこと
が好ましい。またこの反応温度は,高すぎると生成する
ポリアミツク酸エステルオリゴマーがイミド化し,溶解
性が落ちて析出してしまうため,高くとも90℃までの
反応温度で行なうことが好ましい。
香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン及び/
又はジアミノシロキサンとの反応は,生成したポリアミ
ツク酸エステルオリゴマーを硬化して得られるポリイミ
ド樹脂の耐熱性を最良とするために芳香族テトラカルボ
ン酸エステル(芳香族テトラカルボン酸二無水物を用い
る場合にはそれとの総和)と,芳香族ジアミン及び/又
はジアミノシロキサンとをほぼ等モルとして行なうこと
が好ましい。またこの反応温度は,高すぎると生成する
ポリアミツク酸エステルオリゴマーがイミド化し,溶解
性が落ちて析出してしまうため,高くとも90℃までの
反応温度で行なうことが好ましい。
次にこうして得られたポリアミツク酸エステルオリゴマ
ー溶液を,あらかじめパターンの形成された配線層を有
する基材上に,スピンナ等を用いて塗布し,100〜2
00℃好ましくは120〜180℃の温度で好ましくは
1〜2時間乾燥した後,300〜400℃好ましくは3
20〜380℃の温度で好ましくは1〜2時間硬化する
ことによりポリイミドの層間絶縁膜が得られる。
ー溶液を,あらかじめパターンの形成された配線層を有
する基材上に,スピンナ等を用いて塗布し,100〜2
00℃好ましくは120〜180℃の温度で好ましくは
1〜2時間乾燥した後,300〜400℃好ましくは3
20〜380℃の温度で好ましくは1〜2時間硬化する
ことによりポリイミドの層間絶縁膜が得られる。
こうして得られた層間絶縁膜上に通常のホトレソグラフ
イー工程によつてレジストパターンを形成した後,ヒド
ラジン系エツチヤントを用たウエツトエツチングもしく
はO2プラズマによるドライエツチング等の方法で所定の
部位にスルーホールを開孔する。
イー工程によつてレジストパターンを形成した後,ヒド
ラジン系エツチヤントを用たウエツトエツチングもしく
はO2プラズマによるドライエツチング等の方法で所定の
部位にスルーホールを開孔する。
次に,上記のスルーホールを形成した層間絶縁膜上に上
層配線層を真空蒸着,CVD等の方法を用いて形成する
ことにより本発明の多層配線構造が得られる。
層配線層を真空蒸着,CVD等の方法を用いて形成する
ことにより本発明の多層配線構造が得られる。
また,さらに上層配線層をパターニングし,上記プロセ
スをくり返すことにより,配線層と絶縁層の多層化され
た構造を形成することができる。
スをくり返すことにより,配線層と絶縁層の多層化され
た構造を形成することができる。
(実施例) 以下,実施例,比較例を用いて本発明を説明する。
実施例1 a.ポリアミツク酸エステルオリゴマー溶液の合成 3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物32.21gをN−メチル−2−ピロリドン69.1
gに添加し,80℃まで加熱した後エタノール9.21
gを加え,100℃で2時間反応させベンゾフエノンテ
トラカルボン酸エステルとした。次にこの液に4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル20.01gを添加し,8
0℃で3時間反応させた。得られたポリアミツク酸エス
テルオリゴマー溶液は25℃で2ポイズの粘度であつ
た。
物32.21gをN−メチル−2−ピロリドン69.1
gに添加し,80℃まで加熱した後エタノール9.21
gを加え,100℃で2時間反応させベンゾフエノンテ
トラカルボン酸エステルとした。次にこの液に4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル20.01gを添加し,8
0℃で3時間反応させた。得られたポリアミツク酸エス
テルオリゴマー溶液は25℃で2ポイズの粘度であつ
た。
b.多層配線層の形成 次に厚さ1μmで幅1.0〜5.0μmのAl配線パタ
ーンを真空蒸着および通常のホトリソプロセスで形成し
たシリコンウエフア上に,スピンナー塗布材を用いて3
000rpm/30secで上記ポリアミツク酸エステル
オリゴマー液を塗布した。その後,150℃で1時間乾
燥,350℃で1時間硬化し,ポリイミドの層間絶縁膜
とした。ポリイミド膜の厚みは2μmであつた。次に通
常のホトリソプロセスでレジストパターンを形成した
後,ヒドラジンとエチレンジアミンからなるエツチング
液で上記ポリイミド膜にスルーホールを開孔した。
ーンを真空蒸着および通常のホトリソプロセスで形成し
たシリコンウエフア上に,スピンナー塗布材を用いて3
000rpm/30secで上記ポリアミツク酸エステル
オリゴマー液を塗布した。その後,150℃で1時間乾
燥,350℃で1時間硬化し,ポリイミドの層間絶縁膜
とした。ポリイミド膜の厚みは2μmであつた。次に通
常のホトリソプロセスでレジストパターンを形成した
後,ヒドラジンとエチレンジアミンからなるエツチング
液で上記ポリイミド膜にスルーホールを開孔した。
その後,上層Al配線層を真空蒸着法によつて形成し,第
1図の様な多層配線構造を得た。図において5はポリイ
ミドの層間絶縁膜,1,2および4は第3図と同じであ
る。
1図の様な多層配線構造を得た。図において5はポリイ
ミドの層間絶縁膜,1,2および4は第3図と同じであ
る。
こうして得られた多層配線構造の下層配線段差平坦化率
を第2図のa,bの値から次式 により求めたところおよそ90%であつた。
を第2図のa,bの値から次式 により求めたところおよそ90%であつた。
実施例2 3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物32.21gをN,N−ジメチルホルムアミド69.1
gに添加し,80℃まで加熱した後エタノール8.29
gを加え,100℃で2時間反応させベンゾフエノンテ
トラカルボン酸エステルとした。次にこの液に4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル19.01gと1,3−ビス
(3−アミノプロピル)1,1,3,3−テトラメチルジシロ
キサン0.74gを加え80℃で2時間反応させた。こ
うして得られたシロキサン結合を含むポリアミツク酸エ
ステルオリゴマー溶液は25℃で3ポイズの粘度であつ
た。次にこの溶液を用いて実施例1と同様にして厚さ2
μmの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形成し,その平
坦化率を求めたところおよそ95%であつた。
物32.21gをN,N−ジメチルホルムアミド69.1
gに添加し,80℃まで加熱した後エタノール8.29
gを加え,100℃で2時間反応させベンゾフエノンテ
トラカルボン酸エステルとした。次にこの液に4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル19.01gと1,3−ビス
(3−アミノプロピル)1,1,3,3−テトラメチルジシロ
キサン0.74gを加え80℃で2時間反応させた。こ
うして得られたシロキサン結合を含むポリアミツク酸エ
ステルオリゴマー溶液は25℃で3ポイズの粘度であつ
た。次にこの溶液を用いて実施例1と同様にして厚さ2
μmの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形成し,その平
坦化率を求めたところおよそ95%であつた。
比較列1 3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水
物と4,4′−ジアミノジフエニルエーテルから公知の方
法によつて合成されたポリアミツク酸溶液(濃度15
%,粘度10Ps)を用いて,実施例1と同様にして厚さ
2μmの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形成した。こ
うして得られた多層配線構造の平坦化率を実施例1と同
様にして求めたところおよそ30%であつた。
物と4,4′−ジアミノジフエニルエーテルから公知の方
法によつて合成されたポリアミツク酸溶液(濃度15
%,粘度10Ps)を用いて,実施例1と同様にして厚さ
2μmの層間絶縁膜をもつ多層配線構造を形成した。こ
うして得られた多層配線構造の平坦化率を実施例1と同
様にして求めたところおよそ30%であつた。
(発明の効果) 本発明によれば,下層配線層の段差を層間絶縁層によつ
てほぼ完全に平坦化出来るため,多層配線化による段差
の発生がほとんどなく,従つて配線の信頼性が飛躍的に
向上する。
てほぼ完全に平坦化出来るため,多層配線化による段差
の発生がほとんどなく,従つて配線の信頼性が飛躍的に
向上する。
第1図は,本発明の一実施例になる多層配線構造の断面
図,第2図は,平坦化率評価法パターンの断面図および
第3図は,気相成長法によるSiO2膜を層間絶縁膜とした
従来法による多層配線構造の断面図を示す。 符号の説明 1…基材 2…下層配線層 3…層間絶縁膜 4…上層配線層 5…ポリイミドの層間絶縁膜
図,第2図は,平坦化率評価法パターンの断面図および
第3図は,気相成長法によるSiO2膜を層間絶縁膜とした
従来法による多層配線構造の断面図を示す。 符号の説明 1…基材 2…下層配線層 3…層間絶縁膜 4…上層配線層 5…ポリイミドの層間絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項1】パターンの形成された配線層を有する基材
上に,芳香族テトラカルボン酸二無水物とアルコール及
び/又はアルコール誘導体とを反応させて得られる芳香
族テトラカルボン酸エステルに芳香族ジアミン及び/又
はジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミツ
ク酸エステルオリゴマーの溶液を塗布し,硬化して層間
絶縁膜としたのちスルホールを形成し,その後上層配線
層を形成することを特徴とする多層配線構造の製造法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61001129A JPH069222B2 (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 多層配線構造の製造法 |
GB8700065A GB2188191B (en) | 1986-01-07 | 1987-01-05 | Process for producing multilayer wiring structure |
DE3700301A DE3700301C2 (de) | 1986-01-07 | 1987-01-07 | Verfahren zur Herstellung einer Vielschicht-Verdrahtungsstruktur |
GB8902665A GB2211352B (en) | 1986-01-07 | 1989-02-07 | Multilayer wiring structure |
US07/593,309 US5165957A (en) | 1986-01-07 | 1990-10-04 | Process for producing multilayer wiring structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61001129A JPH069222B2 (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 多層配線構造の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62159449A JPS62159449A (ja) | 1987-07-15 |
JPH069222B2 true JPH069222B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=11492833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61001129A Expired - Lifetime JPH069222B2 (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 多層配線構造の製造法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5165957A (ja) |
JP (1) | JPH069222B2 (ja) |
DE (1) | DE3700301C2 (ja) |
GB (2) | GB2188191B (ja) |
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US5310862A (en) * | 1991-08-20 | 1994-05-10 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive polyimide precursor compositions and process for preparing same |
US5708300A (en) * | 1995-09-05 | 1998-01-13 | Woosley; Alan H. | Semiconductor device having contoured package body profile |
DE19811878C2 (de) * | 1998-03-18 | 2002-09-19 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen |
JP2001288362A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Hitachi Ltd | 耐熱性樹脂組成物及びその製造方法 |
Family Cites Families (23)
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US4030948A (en) * | 1975-07-21 | 1977-06-21 | Abe Berger | Polyimide containing silicones as protective coating on semiconductor device |
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JPS601846A (ja) * | 1983-06-18 | 1985-01-08 | Toshiba Corp | 多層配線構造の半導体装置とその製造方法 |
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DE3407799A1 (de) * | 1984-03-02 | 1985-09-05 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zur herstellung einer multilayer-hybridschaltung |
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JPH0791509B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1995-10-04 | 住友化学工業株式会社 | 半導体用絶縁膜形成塗布液 |
-
1986
- 1986-01-07 JP JP61001129A patent/JPH069222B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-01-05 GB GB8700065A patent/GB2188191B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-07 DE DE3700301A patent/DE3700301C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-07 GB GB8902665A patent/GB2211352B/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-04 US US07/593,309 patent/US5165957A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2211352B (en) | 1990-07-11 |
GB8700065D0 (en) | 1987-02-11 |
GB8902665D0 (en) | 1989-03-30 |
US5165957A (en) | 1992-11-24 |
DE3700301C2 (de) | 1994-03-24 |
DE3700301A1 (de) | 1987-07-09 |
GB2188191A (en) | 1987-09-23 |
GB2211352A (en) | 1989-06-28 |
GB2188191B (en) | 1990-08-22 |
JPS62159449A (ja) | 1987-07-15 |
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