JPH0673335B2 - 薄膜磁気素子 - Google Patents
薄膜磁気素子Info
- Publication number
- JPH0673335B2 JPH0673335B2 JP3164229A JP16422991A JPH0673335B2 JP H0673335 B2 JPH0673335 B2 JP H0673335B2 JP 3164229 A JP3164229 A JP 3164229A JP 16422991 A JP16422991 A JP 16422991A JP H0673335 B2 JPH0673335 B2 JP H0673335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic thin
- insulating layer
- magnetic
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波領域で使用する薄
膜磁気素子の改良に関するものである。
膜磁気素子の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁性薄膜トランスの中で、１次コ
イルと２次コイルを絶縁層を介して、積層して作製した
例（日本応用磁気学会誌 Vol.12,No.2,P.385(1988) ）
を図６に示した。この図は磁性薄膜トランスの性能を計
算するための概念図である。１が上層磁性薄膜、２が１
次コイル、３が２次コイル、４が下層磁性薄膜、６，
７，８が絶縁層で、支持体は省略してある。１次コイル
２に高周波電流を流し、磁性薄膜１，４を励磁し、それ
によって、２次コイル３に誘導起電力を発生させ、薄膜
トランスとして動作させる。
イルと２次コイルを絶縁層を介して、積層して作製した
例（日本応用磁気学会誌 Vol.12,No.2,P.385(1988) ）
を図６に示した。この図は磁性薄膜トランスの性能を計
算するための概念図である。１が上層磁性薄膜、２が１
次コイル、３が２次コイル、４が下層磁性薄膜、６，
７，８が絶縁層で、支持体は省略してある。１次コイル
２に高周波電流を流し、磁性薄膜１，４を励磁し、それ
によって、２次コイル３に誘導起電力を発生させ、薄膜
トランスとして動作させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図６に示した従来例で
は、下層磁性薄膜４と上層磁性薄膜１は、外周部で同一
位置に積層している。一般に積層状態での各層の膜歪み
は周縁部分が最も強い。そのため、従来例では、外周部
は歪みの影響を受けやすく、薄膜トランス作製のプロセ
スにおいて、外周部が局所的に支持体や下の層から離れ
て、浮いたり、そこが起点となって、積層膜全体が剥離
するなどの問題がある。
は、下層磁性薄膜４と上層磁性薄膜１は、外周部で同一
位置に積層している。一般に積層状態での各層の膜歪み
は周縁部分が最も強い。そのため、従来例では、外周部
は歪みの影響を受けやすく、薄膜トランス作製のプロセ
スにおいて、外周部が局所的に支持体や下の層から離れ
て、浮いたり、そこが起点となって、積層膜全体が剥離
するなどの問題がある。
【０００４】図６の従来例では、磁性薄膜と同様に、絶
縁層６，７，８が周縁部で同一位置に積層している。こ
のような場合は、前述の磁性薄膜の積層の場合と同じ理
由で問題がある。特に性能向上を目的として、磁性薄
膜、絶縁層、導体パターン層などを多層積層するにした
がい、従来例では、剥離などの問題が多く、作製歩留が
悪い。本発明は上記課題を解決するために、積層歪みに
よる剥離を防止して、作製歩留を大幅に向上させた薄膜
磁気素子を提供することを目的とする。
縁層６，７，８が周縁部で同一位置に積層している。こ
のような場合は、前述の磁性薄膜の積層の場合と同じ理
由で問題がある。特に性能向上を目的として、磁性薄
膜、絶縁層、導体パターン層などを多層積層するにした
がい、従来例では、剥離などの問題が多く、作製歩留が
悪い。本発明は上記課題を解決するために、積層歪みに
よる剥離を防止して、作製歩留を大幅に向上させた薄膜
磁気素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、第１の手段は上層磁性薄膜と下層磁性薄膜
を絶縁層や導体パターン層を挾んで積層する場合に、そ
の周縁部において、上層磁性薄膜を下層磁性薄膜の周縁
にはみ出るように積層することである。
するために、第１の手段は上層磁性薄膜と下層磁性薄膜
を絶縁層や導体パターン層を挾んで積層する場合に、そ
の周縁部において、上層磁性薄膜を下層磁性薄膜の周縁
にはみ出るように積層することである。
【０００６】又、第２の手段は、磁性薄膜や導体パター
ン層を絶縁するため、複数の絶縁層を積層する場合に、
その周縁部において、上側の絶縁層が下側の絶縁層の外
側にはみ出すように絶縁層を積層することである。
ン層を絶縁するため、複数の絶縁層を積層する場合に、
その周縁部において、上側の絶縁層が下側の絶縁層の外
側にはみ出すように絶縁層を積層することである。
【０００７】
【作用】上記第１の手段により、周縁部で外側にはみ出
させた磁性薄膜の部分は、その１層だけが支持体に密着
することになるから、膜歪みは非常に小さく、支持体と
の密着力が強い。又、その密着力が強い上層磁性薄膜
が、下の導体パターン層、絶縁層、下層磁性薄膜などを
上から押さえる形態にするから、剥離という問題は発生
しなくなり、作製歩留が大幅に向上した。
させた磁性薄膜の部分は、その１層だけが支持体に密着
することになるから、膜歪みは非常に小さく、支持体と
の密着力が強い。又、その密着力が強い上層磁性薄膜
が、下の導体パターン層、絶縁層、下層磁性薄膜などを
上から押さえる形態にするから、剥離という問題は発生
しなくなり、作製歩留が大幅に向上した。
【０００８】又、第２の手段により、周縁部で上層絶縁
層を下層絶縁層の外側にはみ出させるから、周縁部で
は、上層絶縁層一層となり、周縁部の歪みは緩和され密
着力が強くなる。それと同時に、上側の絶縁層は下側の
導体パターン層や絶縁層を上から包み込んで、下側に押
さえるような形態を取るから剥離という問題が発生しな
くなり、作製歩留が大幅に向上した。
層を下層絶縁層の外側にはみ出させるから、周縁部で
は、上層絶縁層一層となり、周縁部の歪みは緩和され密
着力が強くなる。それと同時に、上側の絶縁層は下側の
導体パターン層や絶縁層を上から包み込んで、下側に押
さえるような形態を取るから剥離という問題が発生しな
くなり、作製歩留が大幅に向上した。
【０００９】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【００１０】図１は、本発明の一実施例の磁性薄膜トラ
ンスの上面図で、１１が上層磁性薄膜、１２が１次コイ
ル、１３が２次コイル、１７，１８が磁性薄膜とコイル
を絶縁するための絶縁層の一部である。図２（ａ）、
（ｂ）は本発明のコイル構成を示したもので、（ａ）が
１次コイル１２の全体図で、（ｂ）が２次コイル１３の
全体図である。図３は、図１のＡ−Ｂ線断面図である。
１１が上層磁性薄膜、１２が１次コイル、１３が２次コ
イル、１４が下層磁性薄膜、１５が支持体、１６，１
７，１８が絶縁層である。上層の磁性薄膜１１には下層
の磁性薄膜１４の周縁にはみ出た部分１９が設けられ
る。また、絶縁層１７には絶縁層１６の周縁にはみ出た
部分２０が設けられ、絶縁層１８には絶縁層１７の周縁
にはみ出た部分２１が設けられる。
ンスの上面図で、１１が上層磁性薄膜、１２が１次コイ
ル、１３が２次コイル、１７，１８が磁性薄膜とコイル
を絶縁するための絶縁層の一部である。図２（ａ）、
（ｂ）は本発明のコイル構成を示したもので、（ａ）が
１次コイル１２の全体図で、（ｂ）が２次コイル１３の
全体図である。図３は、図１のＡ−Ｂ線断面図である。
１１が上層磁性薄膜、１２が１次コイル、１３が２次コ
イル、１４が下層磁性薄膜、１５が支持体、１６，１
７，１８が絶縁層である。上層の磁性薄膜１１には下層
の磁性薄膜１４の周縁にはみ出た部分１９が設けられ
る。また、絶縁層１７には絶縁層１６の周縁にはみ出た
部分２０が設けられ、絶縁層１８には絶縁層１７の周縁
にはみ出た部分２１が設けられる。
【００１１】図４は、図１のＣ−Ｄ線断面図で、１次コ
イル１２と磁性薄膜１１と１４を絶縁するための絶縁層
の部分である。１５が支持体、１７と１８が絶縁層であ
る。絶縁層１８には絶縁層１７の周縁にはみ出た部分２
２が設けられる。
イル１２と磁性薄膜１１と１４を絶縁するための絶縁層
の部分である。１５が支持体、１７と１８が絶縁層であ
る。絶縁層１８には絶縁層１７の周縁にはみ出た部分２
２が設けられる。
【００１２】図５は、図１のＥ−Ｆ線断面図で、２次コ
イル１３と磁性薄膜１１と１４を絶縁するための絶縁層
の部分である。１５が支持体、１６，１７が絶縁層であ
る。絶縁層１７には絶縁層１６の周縁にはみ出た部分２
３が設けられる。
イル１３と磁性薄膜１１と１４を絶縁するための絶縁層
の部分である。１５が支持体、１６，１７が絶縁層であ
る。絶縁層１７には絶縁層１６の周縁にはみ出た部分２
３が設けられる。
【００１３】図３から分かるように、絶縁層１７が、内
部の２次コイル１３と絶縁層１６を包み込み、はみ出た
部分２０で下層の磁性薄膜１４に密着し、あたかも糊づ
けしているような形態にしてある。また、絶縁層１８が
その外部にはみ出た部分２１で、下層の磁性薄膜１４に
糊づけし、上層の磁性薄膜１１は、内部の絶縁層１６〜
１８、コイル１２，１３及び下層の磁性薄膜１４を全部
包み込んで、はみ出た部分１９で支持体１５に密着、糊
づけしている形態にしてある。図４、図５についても同
様で、上側の絶縁層１８，１７で内部を包み込んで、周
縁のはみ出た部分２２，２３で支持体１５に糊づけして
いるような形態で密着している。
部の２次コイル１３と絶縁層１６を包み込み、はみ出た
部分２０で下層の磁性薄膜１４に密着し、あたかも糊づ
けしているような形態にしてある。また、絶縁層１８が
その外部にはみ出た部分２１で、下層の磁性薄膜１４に
糊づけし、上層の磁性薄膜１１は、内部の絶縁層１６〜
１８、コイル１２，１３及び下層の磁性薄膜１４を全部
包み込んで、はみ出た部分１９で支持体１５に密着、糊
づけしている形態にしてある。図４、図５についても同
様で、上側の絶縁層１８，１７で内部を包み込んで、周
縁のはみ出た部分２２，２３で支持体１５に糊づけして
いるような形態で密着している。
【００１４】以上のように本発明の特長は、上の層が内
部を包み込んで周縁で積層数を少なくし、膜の積層歪み
が小さい状態で下の層、または支持体に密着させている
ということである。
部を包み込んで周縁で積層数を少なくし、膜の積層歪み
が小さい状態で下の層、または支持体に密着させている
ということである。
【００１５】以上の実施例では磁性薄膜トランスの場合
について述べたが、励磁導体コイルを包み込むように形
成された磁性薄膜を有する、いわゆる閉磁路構造の磁性
薄膜インダクタに上記の方法を適用した場合においても
同等の効果を奏することは明らかである。
について述べたが、励磁導体コイルを包み込むように形
成された磁性薄膜を有する、いわゆる閉磁路構造の磁性
薄膜インダクタに上記の方法を適用した場合においても
同等の効果を奏することは明らかである。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、周縁
部の積層数を最小にすることができるので、周縁部での
積層歪みを最小にすることができる。その結果、従来の
実施例では、超音波洗浄の工程において、磁性薄膜トラ
ンスの周縁部から少しずつ浮き上がって、剥離しかける
こともあったが、本発明によって、超音波洗浄の工程に
おいて、そのような問題がなくなった。また、従来の実
施例では、フォトレジストの現像工程や流水洗浄の工程
において、磁性薄膜トランスの周縁部の積層歪みによる
局部的な密着不良部から液体が浸み込み、じわじわ剥離
するということもあったが、本発明によってそのような
問題は解決できた。以上のように、本発明は作製歩留を
大幅に向上させた。
部の積層数を最小にすることができるので、周縁部での
積層歪みを最小にすることができる。その結果、従来の
実施例では、超音波洗浄の工程において、磁性薄膜トラ
ンスの周縁部から少しずつ浮き上がって、剥離しかける
こともあったが、本発明によって、超音波洗浄の工程に
おいて、そのような問題がなくなった。また、従来の実
施例では、フォトレジストの現像工程や流水洗浄の工程
において、磁性薄膜トランスの周縁部の積層歪みによる
局部的な密着不良部から液体が浸み込み、じわじわ剥離
するということもあったが、本発明によってそのような
問題は解決できた。以上のように、本発明は作製歩留を
大幅に向上させた。
【図１】本発明の一実施例を示す上面図である。
【図２】本発明に係るコイルの一例を示す構成図であ
る。
る。
【図３】図１のＡ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｄ線断面図である。
【図５】図１のＥ−Ｆ線断面図である。
【図６】従来の磁性薄膜トランスを示す一部切欠斜視図
である。
である。
１１…上層磁性薄膜、１２…１次コイル、１３…２次コ
イル、１４…下層磁性薄膜、１５…支持体、１６，１
７，１８…絶縁層。
イル、１４…下層磁性薄膜、１５…支持体、１６，１
７，１８…絶縁層。
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性薄膜トランス、磁性薄膜インダクタ
等の薄膜磁気素子において、絶縁層、導体パターン層を
挾んで複数の磁性薄膜を積層する場合に、磁性薄膜の周
縁部において、上層磁性薄膜が下層磁性薄膜の外部には
み出すように積層することを特徴とする薄膜磁気素子。 - 【請求項２】 磁性薄膜トランス、磁性薄膜インダクタ
等の薄膜磁気素子において、磁性薄膜や導体パターン層
を絶縁するため、上部絶縁層が下部絶縁層の外部にはみ
出すように積層することを特徴とする薄膜磁気素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164229A JPH0673335B2 (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 薄膜磁気素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164229A JPH0673335B2 (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 薄膜磁気素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684639A JPH0684639A (ja) | 1994-03-25 |
| JPH0673335B2 true JPH0673335B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=15789129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3164229A Expired - Lifetime JPH0673335B2 (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 薄膜磁気素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673335B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5126243B2 (ja) | 2010-02-08 | 2013-01-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP6690386B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2020-04-28 | Tdk株式会社 | コイル部品及び電源回路ユニット |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255517A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| US4713711A (en) * | 1985-05-08 | 1987-12-15 | International Business Machines | Thin film magnetic transducer having center tapped winding |
| JPS6324680A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-02 | Toshiba Corp | 半導体素子の薄膜製造方法 |
| JPS63108518A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Sharp Corp | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
| JPS63253513A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Yamaha Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0268704A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Yamaha Corp | 薄膜ヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415926A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Nec Corp | Forming method of fine pattern |
-
1991
- 1991-07-04 JP JP3164229A patent/JPH0673335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4713711A (en) * | 1985-05-08 | 1987-12-15 | International Business Machines | Thin film magnetic transducer having center tapped winding |
| JPS61255517A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPS6324680A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-02 | Toshiba Corp | 半導体素子の薄膜製造方法 |
| JPS63108518A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Sharp Corp | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
| JPS63253513A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Yamaha Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0268704A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Yamaha Corp | 薄膜ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684639A (ja) | 1994-03-25 |
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