JPH0668021B2 - 光ディスク基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク基板の製造方法Info
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- JPH0668021B2 JPH0668021B2 JP60186961A JP18696185A JPH0668021B2 JP H0668021 B2 JPH0668021 B2 JP H0668021B2 JP 60186961 A JP60186961 A JP 60186961A JP 18696185 A JP18696185 A JP 18696185A JP H0668021 B2 JPH0668021 B2 JP H0668021B2
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- resin
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、カーボネート結合を構成する単位の中で懸
垂する芳香族基を少なくとも１個以上含む単位が全カー
ボネート結合構成単位に対して２５〜１００重量％含ま
れるポリカーボネート樹脂に関するものである。なかで
も耐熱性や光学的特性の優れた成形物の製造に用いられ
る材料、特に透明性が優れ、光学的な歪みが小さい光デ
ィスク基板を製造するのに適する材料に関する。
垂する芳香族基を少なくとも１個以上含む単位が全カー
ボネート結合構成単位に対して２５〜１００重量％含ま
れるポリカーボネート樹脂に関するものである。なかで
も耐熱性や光学的特性の優れた成形物の製造に用いられ
る材料、特に透明性が優れ、光学的な歪みが小さい光デ
ィスク基板を製造するのに適する材料に関する。
従来カーボネート結合を構成する単位の中で懸垂する芳
香族基を少なくとも１個以上含むポリカーボネート樹脂
は文献等には記載されているが物性値としてはTg，Tmな
どが記載されているにずぎず、成形体として実用的に優
れた物性を有するのか、加工が実質的に可能なのがどう
かまつたくわからないのが現状である。ところで光学的
用途に使用する成形物、例えば、板状、シート状の成形
物は透明であると共に光学的歪みの小さいものであるこ
とが必要とされる。特にデイジタル信号を利用して光情
報材料すなわち光ディスクとして供する場合、例えばデ
イジタルオーデイオデイスク、デイジタルビデオデイス
ク、更には情報読み取り、書き込みを目的としたデイス
クにおいては透明性の要求が極めて厳格であり、光学的
歪みについては実成形品において複屈折にして５×１０
-5以下であることが要求される。
香族基を少なくとも１個以上含むポリカーボネート樹脂
は文献等には記載されているが物性値としてはTg，Tmな
どが記載されているにずぎず、成形体として実用的に優
れた物性を有するのか、加工が実質的に可能なのがどう
かまつたくわからないのが現状である。ところで光学的
用途に使用する成形物、例えば、板状、シート状の成形
物は透明であると共に光学的歪みの小さいものであるこ
とが必要とされる。特にデイジタル信号を利用して光情
報材料すなわち光ディスクとして供する場合、例えばデ
イジタルオーデイオデイスク、デイジタルビデオデイス
ク、更には情報読み取り、書き込みを目的としたデイス
クにおいては透明性の要求が極めて厳格であり、光学的
歪みについては実成形品において複屈折にして５×１０
-5以下であることが要求される。
通常、このような形状のものを成形するには、簡便な方
法として、射出成形法が採用されるのであるが、光学的
歪みを少なくする方法として溶融樹脂温度を上げて、あ
るいは樹脂の分子量を下げて溶融流動性をよくする方法
がとられる。また、長期に亘り連続使用されるデイスク
の場合過酷な使用環境にも耐える必要から耐熱性の要求
も厳格である。
法として、射出成形法が採用されるのであるが、光学的
歪みを少なくする方法として溶融樹脂温度を上げて、あ
るいは樹脂の分子量を下げて溶融流動性をよくする方法
がとられる。また、長期に亘り連続使用されるデイスク
の場合過酷な使用環境にも耐える必要から耐熱性の要求
も厳格である。
光学的歪みを少なくする方法として溶融樹脂温度を上げ
ると樹脂の熱劣化に伴なう種々のトラブルを生起する。
また樹脂の分子量を下げるとデイスクの強度が低下して
満足な成形片が得られない。
ると樹脂の熱劣化に伴なう種々のトラブルを生起する。
また樹脂の分子量を下げるとデイスクの強度が低下して
満足な成形片が得られない。
更に耐熱性の尺度となるガラス転移温度は、樹脂が固有
の値を持つ為改良の余地はない。以上の様に従来の技術
では充分な解決に到つていない。
の値を持つ為改良の余地はない。以上の様に従来の技術
では充分な解決に到つていない。
本発明者らは、2,2−ビス−（４ヒドロキシフエニル）
−プロパンからのポリカーボネートに比べて、光学的特
性、耐熱性等に優れ、かつ溶融成形が可能であるポリカ
ーボネート樹脂を鋭意検討したところ、カーボネート結
合を構成する単位の中で懸垂する芳香族基を少なくとも
１個以上含むポリカーボネート樹脂で特定の分子量のも
のが本発明の目的に合致することを見い出し、上記従来
技術の問題点を解決したものである。
−プロパンからのポリカーボネートに比べて、光学的特
性、耐熱性等に優れ、かつ溶融成形が可能であるポリカ
ーボネート樹脂を鋭意検討したところ、カーボネート結
合を構成する単位の中で懸垂する芳香族基を少なくとも
１個以上含むポリカーボネート樹脂で特定の分子量のも
のが本発明の目的に合致することを見い出し、上記従来
技術の問題点を解決したものである。
すなわち、本発明の要旨は、カーボネート結合を構成す
る単位の中で、一般式［Ｉ］ （式［Ｉ］中、ＸおよびＹは水素原子、炭素数１〜６の
脂肪族炭化水素基および炭素数６〜１２のアリール基も
しくはアラルキル基より選択され、かつ、ＸおよびＹの
少なくとも一つは炭素数６〜１２のアリール基もしくは
アラルキル基である。また、ＺおよびＷは、水素原子ま
たは炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を示す。） で示される構成単位を全カーボネート結合構成単位に対
して２５〜１００重量％、及び、一般式［II］ （式［II］中、Ｘ′は −Ｏ−、−Ｓ−、または−ＳＯ２−で示される２価の基
を示し（Ｒ1，Ｒ2は水素原子または炭素数１〜６のアル
キル基、Ｒ3は炭素数４〜５のシクロアルキレン基）、
芳香環はアルキル基またはハロゲン原子を有していても
よい。） で示される構成単位を全カーボネート結合構成単位に対
して０〜７５重量％含有し、且つ、粘度平均分子量が
９，５００〜１４，０００であるポリカーボネートを射
出成形することを特徴とする、光ディスク基板の製造方
法、に存する。
る単位の中で、一般式［Ｉ］ （式［Ｉ］中、ＸおよびＹは水素原子、炭素数１〜６の
脂肪族炭化水素基および炭素数６〜１２のアリール基も
しくはアラルキル基より選択され、かつ、ＸおよびＹの
少なくとも一つは炭素数６〜１２のアリール基もしくは
アラルキル基である。また、ＺおよびＷは、水素原子ま
たは炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を示す。） で示される構成単位を全カーボネート結合構成単位に対
して２５〜１００重量％、及び、一般式［II］ （式［II］中、Ｘ′は −Ｏ−、−Ｓ−、または−ＳＯ２−で示される２価の基
を示し（Ｒ1，Ｒ2は水素原子または炭素数１〜６のアル
キル基、Ｒ3は炭素数４〜５のシクロアルキレン基）、
芳香環はアルキル基またはハロゲン原子を有していても
よい。） で示される構成単位を全カーボネート結合構成単位に対
して０〜７５重量％含有し、且つ、粘度平均分子量が
９，５００〜１４，０００であるポリカーボネートを射
出成形することを特徴とする、光ディスク基板の製造方
法、に存する。
ところで、この発明でいうカーボネート結合とは、アル
コール性水酸基またはフエノール性水酸基と例えばホス
ゲンとを反応させて得られるような 結合を指している。また、このカーボネート結合間の構
成単位中に他の結合種、例えばポリエステル結合、アミ
ド結合、カーバメート結合、エーテル結合等が含まれて
いてもさしつかえはない。
コール性水酸基またはフエノール性水酸基と例えばホス
ゲンとを反応させて得られるような 結合を指している。また、このカーボネート結合間の構
成単位中に他の結合種、例えばポリエステル結合、アミ
ド結合、カーバメート結合、エーテル結合等が含まれて
いてもさしつかえはない。
本発明のポリカーボネートは、下記一般式［Ｉ］で示さ
れる、懸垂する芳香族基を少なくとも１個以上含むカー
ボネート結合構成単位（以下、カーボネート結合単位Ａ
という。）を全カーボネート結合構成単位に対して２５
〜１００重量％含む。
れる、懸垂する芳香族基を少なくとも１個以上含むカー
ボネート結合構成単位（以下、カーボネート結合単位Ａ
という。）を全カーボネート結合構成単位に対して２５
〜１００重量％含む。
（式〔Ｉ〕中、ＸおよびＹは水素原子、炭素数１〜６の
脂肪族炭化水素基および炭素数６〜１２のアリール基も
しくはアラルキル基より選択され、かつ、ＸおよびＹの
少なくとも一つは炭素数６〜１２のアリール基もしくは
アラルキル基である。また、ＺおよびＷは、水素原子ま
たは炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を示す。） また、この構成単位と共に、下記一般式［II］で示され
る構成単位が全カーボネート結合構成単位に対して０〜
７５重量％含まれていてもよい。
脂肪族炭化水素基および炭素数６〜１２のアリール基も
しくはアラルキル基より選択され、かつ、ＸおよびＹの
少なくとも一つは炭素数６〜１２のアリール基もしくは
アラルキル基である。また、ＺおよびＷは、水素原子ま
たは炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を示す。） また、この構成単位と共に、下記一般式［II］で示され
る構成単位が全カーボネート結合構成単位に対して０〜
７５重量％含まれていてもよい。
（式［II］中、Ｘ′は −Ｏ−、−Ｓ−、または−ＳＯ２−で示される２価の基
を示し（Ｒ1，Ｒ2は水素原子または炭素数１〜６のアル
キル基、Ｒ3は炭素数４〜５のシクロアルキレン基）、
芳香環はアルキル基またはハロゲン原子を有していても
よい。） このようなポリカーボネートを製造する方法としては、
懸垂する芳香族基を少なくとも１個以上含むジオール化
合物、特に芳香族ジオール化合物の一種以上にホスゲン
を吹き込み、界面重合または溶液重合させる公知の方法
が提案される。
を示し（Ｒ1，Ｒ2は水素原子または炭素数１〜６のアル
キル基、Ｒ3は炭素数４〜５のシクロアルキレン基）、
芳香環はアルキル基またはハロゲン原子を有していても
よい。） このようなポリカーボネートを製造する方法としては、
懸垂する芳香族基を少なくとも１個以上含むジオール化
合物、特に芳香族ジオール化合物の一種以上にホスゲン
を吹き込み、界面重合または溶液重合させる公知の方法
が提案される。
懸垂する芳香族基を少なくとも１つ以上有するジオー
ル、とりわけ、芳香族ジオールとしては例えば、ビス
（４−ヒドロキシフエニル）フエニルメタン、1,1−ビ
ス（４−ヒドロキシフエニル）−１−フエニルエタン、
1,1−ビス（４−ヒドロキシフエニル）−１−フエニル
プロパン、ビス（４−ヒドロキシフエニル）ジフエニル
メタン、ビス−４−ヒドロキシフエニル）ジペンジルメ
タン等を挙げることができる。
ル、とりわけ、芳香族ジオールとしては例えば、ビス
（４−ヒドロキシフエニル）フエニルメタン、1,1−ビ
ス（４−ヒドロキシフエニル）−１−フエニルエタン、
1,1−ビス（４−ヒドロキシフエニル）−１−フエニル
プロパン、ビス（４−ヒドロキシフエニル）ジフエニル
メタン、ビス−４−ヒドロキシフエニル）ジペンジルメ
タン等を挙げることができる。
この発明においては、本発明で規定するような芳香族基
を有しないカーボネート結合構成単位を導入してもさし
つかえない。これは、得られるポリカーボネートの溶融
流動性を高め、成形性改良をはかる上で好ましいが懸垂
する芳香族基を有する単位が２５重量％に満たないとポ
リマーのガラス転移温度が大幅に低下し、耐熱性及び光
学的特性を低下されるので好ましくない。その際に用い
られる共重合用化合物としては例えば1,1−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）メタン、1,1−ビス（４−ヒドロ
キシフエニル）エタン、1,1−ビス（４−ヒドロキシフ
エニル）プロパン、2,2−ビス（４−ヒドロキシフエニ
ル）プロパン（ビスフエノールＡ）、2,2−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）ブタン、2,2−ビス（４−ヒドロ
キシフエニル）ペンタン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ
フエニル）−３−メチルブタン、2,2−ビス（４−ヒド
ロキシフエニル）ヘキサン、2,2−ビス（４−ヒドロキ
シフエニル）−４−メチルペンタン、1,1−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）シクロヘキサン、2,2−ビス（４
−ヒドロキシ−３−クロロフエニル）プロパン、2,2−
ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフエニル）プロパ
ン、4,4′ジヒドロキシジフエニルエーテル、4,4′−ジ
ヒドロキシジフエニルスルフイドといつたビスフエノー
ル類等を挙げることができる。
を有しないカーボネート結合構成単位を導入してもさし
つかえない。これは、得られるポリカーボネートの溶融
流動性を高め、成形性改良をはかる上で好ましいが懸垂
する芳香族基を有する単位が２５重量％に満たないとポ
リマーのガラス転移温度が大幅に低下し、耐熱性及び光
学的特性を低下されるので好ましくない。その際に用い
られる共重合用化合物としては例えば1,1−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）メタン、1,1−ビス（４−ヒドロ
キシフエニル）エタン、1,1−ビス（４−ヒドロキシフ
エニル）プロパン、2,2−ビス（４−ヒドロキシフエニ
ル）プロパン（ビスフエノールＡ）、2,2−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）ブタン、2,2−ビス（４−ヒドロ
キシフエニル）ペンタン、2,2−ビス（４−ヒドロキシ
フエニル）−３−メチルブタン、2,2−ビス（４−ヒド
ロキシフエニル）ヘキサン、2,2−ビス（４−ヒドロキ
シフエニル）−４−メチルペンタン、1,1−ビス（４−
ヒドロキシフエニル）シクロヘキサン、2,2−ビス（４
−ヒドロキシ−３−クロロフエニル）プロパン、2,2−
ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフエニル）プロパ
ン、4,4′ジヒドロキシジフエニルエーテル、4,4′−ジ
ヒドロキシジフエニルスルフイドといつたビスフエノー
ル類等を挙げることができる。
これらカーボネート結合単位Ａ以外のカーボネート結合
構成単位を導入するにあたつては、本発明の要件を満た
す範囲で共重合させても又別途重合したものについて本
発明の要件を満たすようにあとから適宜混合させてもよ
い。
構成単位を導入するにあたつては、本発明の要件を満た
す範囲で共重合させても又別途重合したものについて本
発明の要件を満たすようにあとから適宜混合させてもよ
い。
本発明を実施するにあたり、懸垂する芳香族基を少なく
とも１個以上含むジオールとホスゲンからポリカーボネ
ート樹脂を製造する方法は、具体的には塩化メチレン、
1,2−ジクロルメタンなどの不活性溶媒存在下ジオール
類に酸受容体としてアルカリ水溶液あるいはピリジンな
どを入れ、ホスゲンを導入しながら反応させる。酸受容
体としてアルカリ水溶液を使う時は触媒としてトリメチ
ルアミン、トリエチルアミン等の第３級アミン、あるい
はテトラブチルアンモニウムクロリド、ベンジルトルブ
チルアンモニウムブロミド等第４級アンモニウム化合物
を用いると反応速度が増大する。また必要に応じて分子
調節剤としてフエノール、ｐ−ターシヤリ−ブチルフエ
ノール等一価のフエノールを共存させる。反応温度は０
〜１００℃である。触媒は最初から入れてもよいし、オ
リゴマーを作つた後に入れて高分子量化する等任意の方
法がとられる。また、前記共重合用化合物を懸垂する芳
香族基を少なくとも１つ以上有するジオールと共重合す
る方法としては、 (イ)最初に同時にホスゲンと反応させて重合する。
とも１個以上含むジオールとホスゲンからポリカーボネ
ート樹脂を製造する方法は、具体的には塩化メチレン、
1,2−ジクロルメタンなどの不活性溶媒存在下ジオール
類に酸受容体としてアルカリ水溶液あるいはピリジンな
どを入れ、ホスゲンを導入しながら反応させる。酸受容
体としてアルカリ水溶液を使う時は触媒としてトリメチ
ルアミン、トリエチルアミン等の第３級アミン、あるい
はテトラブチルアンモニウムクロリド、ベンジルトルブ
チルアンモニウムブロミド等第４級アンモニウム化合物
を用いると反応速度が増大する。また必要に応じて分子
調節剤としてフエノール、ｐ−ターシヤリ−ブチルフエ
ノール等一価のフエノールを共存させる。反応温度は０
〜１００℃である。触媒は最初から入れてもよいし、オ
リゴマーを作つた後に入れて高分子量化する等任意の方
法がとられる。また、前記共重合用化合物を懸垂する芳
香族基を少なくとも１つ以上有するジオールと共重合す
る方法としては、 (イ)最初に同時にホスゲンと反応させて重合する。
(ロ)一方をまずホスゲンと反応させある程度反応を行な
つた後他方を入れて重合する。
つた後他方を入れて重合する。
(ハ)別々にホスゲンと反応させてオリゴマーをつくり、
それらが反応させて重合する。
それらが反応させて重合する。
等任意の方法がとれる。
更に別途重合したものについて混合する方法としては、
それぞれの粉末あるいは粒状物を混合した後押圧機、ニ
ーダー混練ロール等で溶融状態にして混合する方法溶液
ブレンド法等任意の方法がとれる。
それぞれの粉末あるいは粒状物を混合した後押圧機、ニ
ーダー混練ロール等で溶融状態にして混合する方法溶液
ブレンド法等任意の方法がとれる。
また、この発明に使用されるポリカーボネートは粘度平
均分子量（以下、単に平均分子量ということがある。）
にして９５００〜１４０００のものが好ましい。ここで
言う平均分子量とはポリマー６ｇ／の塩化メチレン溶
液を用い２０℃で測定されるηspから下記の式−１およ
び式−２より求められる値である。
均分子量（以下、単に平均分子量ということがある。）
にして９５００〜１４０００のものが好ましい。ここで
言う平均分子量とはポリマー６ｇ／の塩化メチレン溶
液を用い２０℃で測定されるηspから下記の式−１およ
び式−２より求められる値である。
ηsp／ｃ＝〔η〕（１＋Ｋ′ηsp……(1) 〔η〕＝ＫＭα……(2) 式中Ｃポリマー濃度ｇ／ 〔η〕極限粘度，Ｋ′＝0.28 Ｋ1.23×１０-5，α＝0.83 Ｍ粘度平均分子量 すなわち９５００に満たないと機械的物性の面で好まし
くなく、また、１４０００を越えると光学的歪みの小さ
い成形材料を得る上で支障をきたす。
くなく、また、１４０００を越えると光学的歪みの小さ
い成形材料を得る上で支障をきたす。
この発明のポリカーボネート系重合体を成形するにあた
つて、亜リン酸エステル類を樹脂に対し0.01〜２重量％
添加することは樹脂の分解による着色、透明性の低下を
抑制する上で好ましい。
つて、亜リン酸エステル類を樹脂に対し0.01〜２重量％
添加することは樹脂の分解による着色、透明性の低下を
抑制する上で好ましい。
かかる亜リン酸エステルとしては、トリブチルホスフア
イト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスフアイト、ト
リデシルホスフアイト、トリステアリルホスフアイト、
トリフエニルホスフアイト、トリクレジルホスフアイ
ト、２−エチルヘキシルジフエニルホスフアイト、デシ
ルジフエニルホスフアイト、トリシクロヘキシルホスフ
アイト、ジステアリルペンタエリスリチルジホスフアイ
ト等を挙げることが出来る。かかる亜リン酸エステルを
含有させる方法としてはドライブレンドする方法、押し
出し機でペレツト化する際に溶融混合する方法、あるい
はその際亜リン酸エステル濃度の高いマスターペレツト
をつくり未添加ペレツトとドライブレンドする方法を挙
げることが出来る。このようにして得られる本発明のポ
リカーボネートは、光ディスク基板等の光学用成形材料
として用いられる。
イト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスフアイト、ト
リデシルホスフアイト、トリステアリルホスフアイト、
トリフエニルホスフアイト、トリクレジルホスフアイ
ト、２−エチルヘキシルジフエニルホスフアイト、デシ
ルジフエニルホスフアイト、トリシクロヘキシルホスフ
アイト、ジステアリルペンタエリスリチルジホスフアイ
ト等を挙げることが出来る。かかる亜リン酸エステルを
含有させる方法としてはドライブレンドする方法、押し
出し機でペレツト化する際に溶融混合する方法、あるい
はその際亜リン酸エステル濃度の高いマスターペレツト
をつくり未添加ペレツトとドライブレンドする方法を挙
げることが出来る。このようにして得られる本発明のポ
リカーボネートは、光ディスク基板等の光学用成形材料
として用いられる。
以下、この発明で用いるポリカーボネートおよびそのオ
リゴマーの具体的製造方法を実施例として例示する。な
お、以下各組成物の成分の量を示す部はすべて重量部で
ある。
リゴマーの具体的製造方法を実施例として例示する。な
お、以下各組成物の成分の量を示す部はすべて重量部で
ある。
尚、実施例、比較例で得られた樹脂は２エチルヘキシル
ジフエニルホスフアイトを１３０ppm添加した後、成形
温度３４０℃で、 の射出成形機（日精樹脂製）で表に示す成形条件で、厚
さ1.2mm、直径１０cmの円板を成形した。
ジフエニルホスフアイトを１３０ppm添加した後、成形
温度３４０℃で、 の射出成形機（日精樹脂製）で表に示す成形条件で、厚
さ1.2mm、直径１０cmの円板を成形した。
また、同時に高化式フローテスターにより、２８０℃、
せん断速度１０3sec-1における見掛けの溶融粘度ηａを
測定し、溶融流動性の目やすとした。
せん断速度１０3sec-1における見掛けの溶融粘度ηａを
測定し、溶融流動性の目やすとした。
複屈折については円板中心より2.0cmおよび4.5cm位置で
の複屈折（以後Δｎ2.0、Δｎ4.5と略記する）で評価し
た。複屈折は日本光学工業株式会社製の偏光顕微鏡によ
り測定した。引張特性は引張試験機により５mm/minの引
張速度でASTM D638に準じた測定を行ない求めた。ガラ
ス転移温度(Tg)は示差走査熱量計（パーキンエルマー社
製）により求めた。各実施例の測定結果を後記表−１に
示す。
の複屈折（以後Δｎ2.0、Δｎ4.5と略記する）で評価し
た。複屈折は日本光学工業株式会社製の偏光顕微鏡によ
り測定した。引張特性は引張試験機により５mm/minの引
張速度でASTM D638に準じた測定を行ない求めた。ガラ
ス転移温度(Tg)は示差走査熱量計（パーキンエルマー社
製）により求めた。各実施例の測定結果を後記表−１に
示す。
実施例１ ＜ポリカーボネートの製造例＞ 1,1−ビス（４−ヒドロキシフエニル） −１−フエニルエタン １００部 Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノール １．３部 ピリジン ２００部 塩化メチレン １０００部 から成る混合物を攪拌機つき反応器に仕込み５００rpm
で撹拌した。
で撹拌した。
次にホスゲン５０部を１時間の間に吹き込み、溶液重合
を行なつた。
を行なつた。
反応終了後、塩酸水溶液で過剰のピリジンを中和し、
水、塩酸水溶液、ついで水を用いて洗浄し、最終的には
塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取り出した。
水、塩酸水溶液、ついで水を用いて洗浄し、最終的には
塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取り出した。
この樹脂の平均分子量は１０４００であつた。
実施例２ ＜ポリカーボネートの製造例＞ 1,1−ビス（４−ヒドロキシフエニル） −１−フエニルエタン １００部 2,2−ビス（４−ヒドロキシ −３−メチルフエニル）プロパン ３０部 ｐ−ターシャリ−ブチルフエノール 1.0部 ピリジン ５００部 塩化メチレン ２３００部 上記混合物を攪拌機つき反応器で仕込み、５００rpmで
撹拌した。
撹拌した。
次にホスゲン５０部を１時間の中に吹き込み、溶液重合
を行なつた。反応終了後、塩酸水溶液で過剰のピリジン
を中和し、水、塩酸水溶液ついで水を用いて洗浄し、最
後に塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取り出した。
を行なつた。反応終了後、塩酸水溶液で過剰のピリジン
を中和し、水、塩酸水溶液ついで水を用いて洗浄し、最
後に塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取り出した。
この樹脂の平均分子量は１１０００であり、ＮＭＲの分
析結果より共重合されている2,2−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−メチルフエニル）プロパンの量は２３重量％で
あつた。
析結果より共重合されている2,2−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−メチルフエニル）プロパンの量は２３重量％で
あつた。
実施例３ ＜ポリカーボネートのオリゴマーの製造例＞ 1,1−ビス（４−ヒドロキシ フエニル）−１−フエニルエタン １００部 水酸化ナトリウム ４０部 水 ６００部 塩化メチレン ３７５部 上記混合物を攪拌機付反応器に仕込み８００rpmで撹拌
した。これにホスゲン５７部を１時間の間に吹き込み、
界面重合を行なつた。反応終了後ポリカーボネートオリ
ゴマーを含有する塩化メチレン溶液のみを捕集した。得
られたオリゴマーの塩化メチレン溶液の分析結果は下記
のとおりであつた。
した。これにホスゲン５７部を１時間の間に吹き込み、
界面重合を行なつた。反応終了後ポリカーボネートオリ
ゴマーを含有する塩化メチレン溶液のみを捕集した。得
られたオリゴマーの塩化メチレン溶液の分析結果は下記
のとおりであつた。
オリゴマー濃度 22.5重量％ （注１） 末端クロロホーメート基濃度 0.42規定 （注２） 末端フエノール性水酸基濃度 0.020規定 （注３） 以上の方法で得られたオリゴマー溶液を以下オリゴマー
溶液−Ａと略称する。
溶液−Ａと略称する。
注１）蒸発乾固させて測定。
注２）アニリンと反応させて得られるアニリン塩酸塩0.
2規定水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定。
2規定水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定。
注３）四塩化チタン、酢酸溶液に溶解させたときの発色
を５４６nmで比色定量。
を５４６nmで比色定量。
実施例４ ＜ポリカーボネートの製造例＞ ポリカーボネートオリゴマー 溶液−Ａ １４０部 Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノール 1.9部 塩化メチレン ８０部 上記混合物を攪拌機付反応器に仕込み５５０rpmで撹拌
した。更に下記組成の水溶液すなわち、 水酸化ナトリウムの7.3％水溶液 ８０部 トリエチルアミンの２％水溶液 １部 を加え、３時間界面重合を行ない反応混合物を分液し、
ポリカーボネート樹脂を含む塩化メチレン溶液、水、塩
酸水溶液ついで水を用いて洗浄し最後に塩化メチレンを
蒸発させて樹脂を取り出した。この樹脂の平均分子量は
11,200であつた。
した。更に下記組成の水溶液すなわち、 水酸化ナトリウムの7.3％水溶液 ８０部 トリエチルアミンの２％水溶液 １部 を加え、３時間界面重合を行ない反応混合物を分液し、
ポリカーボネート樹脂を含む塩化メチレン溶液、水、塩
酸水溶液ついで水を用いて洗浄し最後に塩化メチレンを
蒸発させて樹脂を取り出した。この樹脂の平均分子量は
11,200であつた。
比較例１ ＜ポリカーボネートの製造例＞ Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノールを2.5部に変更する
以外は上記実施例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。この樹脂の平均分子量は７８００であつ
た。
以外は上記実施例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。この樹脂の平均分子量は７８００であつ
た。
比較例２ ＜ポリカーボネートの製造例＞ Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノールを0.5部に変更する
以外は上記実施例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。この樹脂の平均分子量は16,900であつ
た。
以外は上記実施例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。この樹脂の平均分子量は16,900であつ
た。
比較例３ ＜ポリカーボネートオリゴマーの製造例＞ 水酸化ナトリウム水溶液にビスフエノールＡを溶解して
調整したビスフエノールＡ ナトリウム塩の16.6％水溶液 １００部 Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノール 0.23部 塩化メチレン ４０部 ホスゲン ７部 上記組成の混合物を定量的にパイプリアクターへ供給
し、界面重合を行なつた。
調整したビスフエノールＡ ナトリウム塩の16.6％水溶液 １００部 Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノール 0.23部 塩化メチレン ４０部 ホスゲン ７部 上記組成の混合物を定量的にパイプリアクターへ供給
し、界面重合を行なつた。
反応混合物を分液し、ポリカーボネートオリゴマーを含
有する塩化メチレン溶液のみを捕集した。
有する塩化メチレン溶液のみを捕集した。
得られたオリゴマーの塩化メチレン溶液の分析結果は下
記のとおりであつた。（測定方法は前述の通り） オリゴマー濃度 24.5重量％ 末端クロロホーメート基濃度 1.3規定 末端フエノール性水酸基濃度 0.3規定 以上の方法で得られたオリゴマー溶液を以下オリゴマー
溶液−Ｂと略称する。
記のとおりであつた。（測定方法は前述の通り） オリゴマー濃度 24.5重量％ 末端クロロホーメート基濃度 1.3規定 末端フエノール性水酸基濃度 0.3規定 以上の方法で得られたオリゴマー溶液を以下オリゴマー
溶液−Ｂと略称する。
比較例４ ＜ポリカーボネートの製造例＞ ポリカーボネートオリゴマー溶液−Ｂ １６０部 Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノール 0.7部 塩化メチレン １３０部 上記混合物を、撹拌機付反応器に仕込み、５５０rpmで
撹拌した。更に下記組成の水溶液、すなわち、 ビスフエノールＡナトリウム塩の 16.6％水溶液 ８０部 水酸化ナトリウムの２５％水溶液 ８部 トリエチルアミンの２％水溶液 １部 を加え、約1.5時間界面重合を行ない、反応混合物を分
液し、ポリカーボネート樹脂を含む塩化メチレン溶液
を、水、塩酸水溶液、ついで水を用いて洗浄し、最後に
塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取り出した。
撹拌した。更に下記組成の水溶液、すなわち、 ビスフエノールＡナトリウム塩の 16.6％水溶液 ８０部 水酸化ナトリウムの２５％水溶液 ８部 トリエチルアミンの２％水溶液 １部 を加え、約1.5時間界面重合を行ない、反応混合物を分
液し、ポリカーボネート樹脂を含む塩化メチレン溶液
を、水、塩酸水溶液、ついで水を用いて洗浄し、最後に
塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取り出した。
この樹脂の平均分子量は１７４００であつた。
比較例５ ＜ポリカーボネートの製造例＞ Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノールを1.3部に変更する
以外は前記比較例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。
以外は前記比較例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。
この樹脂の平均分子量は１４７００であつた。
比較例６ ＜ポリカーボネートの製造例＞ Ｐ−ターシヤリ−ブチルフエノールを2.0部に変更する
以外は前記比較例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。この樹脂の平均分子量は13,000であつ
た。
以外は前記比較例４と同様の方法によりポリカーボネー
トを製造した。この樹脂の平均分子量は13,000であつ
た。
この表に示される様に本発明のポリカーボネート樹脂は
ビスフエノールＡのポリカーボネート樹脂に比較して溶
融流動性は低下しているにもかかわらず、複屈折がかな
り低くなることおよびΔｎの変化が極めて小さいことが
認められまた耐熱性についても大巾に改善されている。
ビスフエノールＡのポリカーボネート樹脂に比較して溶
融流動性は低下しているにもかかわらず、複屈折がかな
り低くなることおよびΔｎの変化が極めて小さいことが
認められまた耐熱性についても大巾に改善されている。
一方平均分子量が9,500に満たないと強度の面で好まし
くなく14,000を越えると光学的歪みの小さい成形材料を
得る上で支障をきたす。
くなく14,000を越えると光学的歪みの小さい成形材料を
得る上で支障をきたす。
以上説明したように本発明の成形材料は耐熱性光学的特
性に優れかつ溶融成形が可能なポリカーボネート樹脂で
あり、優れた光情報材料の製造に用いることができる。
性に優れかつ溶融成形が可能なポリカーボネート樹脂で
あり、優れた光情報材料の製造に用いることができる。
フロントページの続き (72)発明者 吉田 清次 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 抜井 正博 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭50−98332（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−8317（ＪＰ，Ａ) 特公 昭38−25549（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】カーボネート結合を構成する単位の中で、
一般式［１］ （式［Ｉ］中、ＸおよびＹは水素原子、炭素数１〜６の
脂肪族炭化水素基および炭素数６〜１２のアリール基も
しくはアラルキル基より選択され、かつ、ＸおよびＹの
少なくとも一つは炭素数６〜１２のアリール基もしくは
アラルキル基である。また、ＺおよびＷは、水素原子ま
たは炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を示す。） で示される構成単位を全カーボネート結合構成単位に対
して２５〜１００重量％、及び、一般式［II］ （式［II］中、Ｘ′は −Ｏ−、−Ｓ−、または−ＳＯ２−で示される２価の基
を示し（Ｒ1，Ｒ2は水素原子または炭素数１〜６のアル
キル基、Ｒ3は炭素数４〜５のシクロアルキレン基）、
芳香環はアルキル基またはハロゲン原子を有していても
よい。） で示される構成単位は全カーボネート結合構成単位に対
して０〜７５重量％含有し、且つ、粘度平均分子量が
９，５００〜１４，０００であるポリカーボネートを射
出成形することを特徴とする、光ディスク基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186961A JPH0668021B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 光ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186961A JPH0668021B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 光ディスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245623A JPS6245623A (ja) | 1987-02-27 |
| JPH0668021B2 true JPH0668021B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=16197755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60186961A Expired - Lifetime JPH0668021B2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 光ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668021B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2505166B2 (ja) * | 1986-08-27 | 1996-06-05 | 出光興産株式会社 | 新規共重合体とその製造法 |
| JP2538566B2 (ja) * | 1986-09-10 | 1996-09-25 | 出光興産株式会社 | 新規重合体とその製造方法 |
| JPS6389527A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式デイスク |
| JP2516883B2 (ja) * | 1986-10-09 | 1996-07-24 | 出光興産株式会社 | 重合体とその製造方法 |
| JP2516882B2 (ja) * | 1986-10-09 | 1996-07-24 | 出光興産株式会社 | 重合体とその製造法 |
| JPS63154729A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Daicel Chem Ind Ltd | 光学式デイスク |
| JPH0578466A (ja) * | 1991-04-09 | 1993-03-30 | Nippon G Ii Plast Kk | 共重合ポリカーボネートの製造方法 |
| JP3431927B2 (ja) * | 1991-04-09 | 2003-07-28 | 日本ジーイープラスチックス株式会社 | 共重合ポリカーボネート |
| JPH10109950A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光学部品 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5098332A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-05 | ||
| JPS58179224A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学用樹脂組成物および光学用素子 |
| JPS608317A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 芳香族ポリカ−ボネ−ト成形体 |
| JPS6011530A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポリカ−ボネ−ト共縮合体の製造法 |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP60186961A patent/JPH0668021B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6245623A (ja) | 1987-02-27 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |