JPH0661013A - 厚膜正特性サーミスタ組成物及びその製造方法並びにそ の組成物を用いた厚膜正特性サーミスタ - Google Patents
厚膜正特性サーミスタ組成物及びその製造方法並びにそ の組成物を用いた厚膜正特性サーミスタInfo
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- JPH0661013A JPH0661013A JP4255337A JP25533792A JPH0661013A JP H0661013 A JPH0661013 A JP H0661013A JP 4255337 A JP4255337 A JP 4255337A JP 25533792 A JP25533792 A JP 25533792A JP H0661013 A JPH0661013 A JP H0661013A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 少なくともＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕから
成る少なくとも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩
のいずれかの組み合わせのうちの少なくとも２種を混合
し加熱焼成した化合物と、ガラスとよりなる。 【効果】 低抵抗でＴＣＲが高い。
成る少なくとも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩
のいずれかの組み合わせのうちの少なくとも２種を混合
し加熱焼成した化合物と、ガラスとよりなる。 【効果】 低抵抗でＴＣＲが高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜正特性サーミスタ
用の厚膜正特性（正の抵抗温度係数）サーミスタ組成物
及びその製造方法、並びにこの組成物を用いた厚膜正特
性サーミスタに関するものである。
用の厚膜正特性（正の抵抗温度係数）サーミスタ組成物
及びその製造方法、並びにこの組成物を用いた厚膜正特
性サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、正の温度係数を有する抵抗器とし
ては、Ｎｉ又はＮｉ−Ｃｒ等を例えばアルミナ基板上に
着膜し、エッチング等の技術により回路パターンを形成
したものが知られている。
ては、Ｎｉ又はＮｉ−Ｃｒ等を例えばアルミナ基板上に
着膜し、エッチング等の技術により回路パターンを形成
したものが知られている。
【０００３】しかしながら、これらは薄膜方式により製
造されるためその製造方法は煩雑であり、しかも厳しい
条件が要求されている。そのため、より簡便かつ低廉で
量産可能な物及びその製造方法が望まれている。
造されるためその製造方法は煩雑であり、しかも厳しい
条件が要求されている。そのため、より簡便かつ低廉で
量産可能な物及びその製造方法が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】厚膜方式では空気中で
加熱焼成を行なうため、酸化しやすいＮｉ又はＮｉ−Ｃ
ｒなどの金属類を使用することができない。
加熱焼成を行なうため、酸化しやすいＮｉ又はＮｉ−Ｃ
ｒなどの金属類を使用することができない。
【０００５】金属は一般に酸化物になると半導体又は絶
縁体となるが、その中にあってＲｕＯ２は金属的伝導を
示す酸化物として知られている。このＲｕＯ２は温度係
数が約＋３０００ｐｐｍ／℃もあるが、ガラス粉末と混
合して加熱焼成すると、＋８００ｐｐｍ／℃程度まで低
下する。最近ではこれに添加物を加え、約±１００ｐｐ
ｍ／℃程度になるように調製されてきている。
縁体となるが、その中にあってＲｕＯ２は金属的伝導を
示す酸化物として知られている。このＲｕＯ２は温度係
数が約＋３０００ｐｐｍ／℃もあるが、ガラス粉末と混
合して加熱焼成すると、＋８００ｐｐｍ／℃程度まで低
下する。最近ではこれに添加物を加え、約±１００ｐｐ
ｍ／℃程度になるように調製されてきている。
【０００６】この場合の添加物としては、抵抗温度係数
（以下、ＴＣＲ）を減少させるもの（負のＴＣＲ駆動体
（ドライバー））としてＮｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｍｎ２
Ｏ３、ＮｉＯ、Ｓｂ２Ｏ３等が、そして正のＴＣＲ駆動
体としてはＣｕＯが、それぞれ知られている。
（以下、ＴＣＲ）を減少させるもの（負のＴＣＲ駆動体
（ドライバー））としてＮｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｍｎ２
Ｏ３、ＮｉＯ、Ｓｂ２Ｏ３等が、そして正のＴＣＲ駆動
体としてはＣｕＯが、それぞれ知られている。
【０００７】しかしながら、これらの添加物の使用目的
はＲｕＯ２を主体とする抵抗ペーストのＴＣＲを或る限
られた範囲（例えば±１００ｐｐｍ／℃）内に設定する
ために極微量添加されるものであり、本発明の目的、構
成、及び効果において、相異している。
はＲｕＯ２を主体とする抵抗ペーストのＴＣＲを或る限
られた範囲（例えば±１００ｐｐｍ／℃）内に設定する
ために極微量添加されるものであり、本発明の目的、構
成、及び効果において、相異している。
【０００８】本発明、ＲｕＯ２と正のＴＣＲ駆動体であ
る例えばＣｕＯをあらかじめ固相反応させて、より大き
なＴＣＲを有する金属的伝導酸化物とし、ガラスと混合
して加熱焼成してもＴＣＲが低下しない厚膜正特性サー
ミスタ組成物及びその製造方法、並びにこの組成物を用
いた厚膜正特性サーミスタを提供するものである。
る例えばＣｕＯをあらかじめ固相反応させて、より大き
なＴＣＲを有する金属的伝導酸化物とし、ガラスと混合
して加熱焼成してもＴＣＲが低下しない厚膜正特性サー
ミスタ組成物及びその製造方法、並びにこの組成物を用
いた厚膜正特性サーミスタを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決することを目的としてなされたもので、上述の課題
を解決する一手段として以下の構成を備える。即ち、少
なくともＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕとから成る少なく
とも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩のいずれか
の組み合わせのうちの少なくとも２種を混合し加熱焼成
した化合物と、ガラスとよりなる厚膜正特性サーミスタ
組成物とする。
解決することを目的としてなされたもので、上述の課題
を解決する一手段として以下の構成を備える。即ち、少
なくともＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕとから成る少なく
とも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩のいずれか
の組み合わせのうちの少なくとも２種を混合し加熱焼成
した化合物と、ガラスとよりなる厚膜正特性サーミスタ
組成物とする。
【００１０】以上の厚膜正特性サーミスタ組成物は、少
なくともＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕとから成る少なく
とも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩のいずれか
の組み合わせのうちの少なくとも２種を混合し加熱焼成
した化合物を更に粉砕し秤量するＡ工程と、ガラス粉末
を秤量するＢ工程と、前記秤量２工程Ａ、Ｂで得られた
各粉末を混合して厚膜ペーストを製造するＣ工程と、前
記Ｃ工程で得られた厚膜ペーストを加熱焼成するＤ工程
より製造される。
なくともＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕとから成る少なく
とも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩のいずれか
の組み合わせのうちの少なくとも２種を混合し加熱焼成
した化合物を更に粉砕し秤量するＡ工程と、ガラス粉末
を秤量するＢ工程と、前記秤量２工程Ａ、Ｂで得られた
各粉末を混合して厚膜ペーストを製造するＣ工程と、前
記Ｃ工程で得られた厚膜ペーストを加熱焼成するＤ工程
より製造される。
【００１１】そして、これを厚膜正特性サーミスタに適
用する。
用する。
【００１２】
【作用】以上の構成において、少なくともＣｕとＲｕ、
又はＣｕとＲｕとから成る化合物の組み合わせのうちの
少なくとも２種類を混合し加熱焼成した化合物とから成
るので低抵抗であってＴＣＲが低下せず、しかも抵抗温
度特性の直線性が良好な厚膜正特性サーミスタ組成物を
提供することができる。又、この厚膜正特性サーミスタ
組成物を使用することにより、生産効率を向上させるこ
とが可能となり、しかも混成集積回路（ＨＩＣ）化の際
には、温度補償回路を同時に形成できる厚膜正特性サー
ミスタを提供することができる。
又はＣｕとＲｕとから成る化合物の組み合わせのうちの
少なくとも２種類を混合し加熱焼成した化合物とから成
るので低抵抗であってＴＣＲが低下せず、しかも抵抗温
度特性の直線性が良好な厚膜正特性サーミスタ組成物を
提供することができる。又、この厚膜正特性サーミスタ
組成物を使用することにより、生産効率を向上させるこ
とが可能となり、しかも混成集積回路（ＨＩＣ）化の際
には、温度補償回路を同時に形成できる厚膜正特性サー
ミスタを提供することができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係わる一実施
例を詳細に説明する。
例を詳細に説明する。
【００１４】［第１実施例］ＣｕＯとＲｕＯ２とを予め
１：１のモル比で混合し、このＣｕＯとＲｕＯ２との混
合粉末を成形した後、磁性ルツボに入れて、９００℃で
１時間加熱焼成して固相反応させた。その後、この酸化
物をボールミルにかけて粉末にした。この粉末をＸ線回
折により分析したところ、ＣｕＲｕＯ３なる化合物であ
ることが同定された。そして、この生成物粉末を４５ｗ
ｔ％と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末５５ｗｔ％とを秤量
し、自動混合機又はボールミルにより混合して混合物と
する。
１：１のモル比で混合し、このＣｕＯとＲｕＯ２との混
合粉末を成形した後、磁性ルツボに入れて、９００℃で
１時間加熱焼成して固相反応させた。その後、この酸化
物をボールミルにかけて粉末にした。この粉末をＸ線回
折により分析したところ、ＣｕＲｕＯ３なる化合物であ
ることが同定された。そして、この生成物粉末を４５ｗ
ｔ％と、ホウケイ酸鉛ガラス粉末５５ｗｔ％とを秤量
し、自動混合機又はボールミルにより混合して混合物と
する。
【００１５】ここで、更に有機ビヒクルとして７ｗｔ％
のエチルセルロースを含むブチルカルビトールを前記混
合物の２５ｗｔ％となるように加え、３本ロール等で充
分に混合し厚膜正特性サーミスタペーストを得た。
のエチルセルロースを含むブチルカルビトールを前記混
合物の２５ｗｔ％となるように加え、３本ロール等で充
分に混合し厚膜正特性サーミスタペーストを得た。
【００１６】上述した例では、Ｃｕ−Ｒｕ−Ｏ系の出発
物質として、ＣｕＯとＲｕＯ２とを使用したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、ＣｕとＲ
ｕ、あるいはＣｕとＲｕからなる水酸化物や炭酸塩もし
くはシュウ酸塩などであってもよい。得られた厚膜正特
性サーミスタペーストを用いて、図１及び図２に示すよ
うに、アルミナ基板１の対向する端面近傍にＡｇ−Ｐｄ
系電極２，２を印刷焼成して形成し、この電極２，２を
跨いで電気的に接続するように前記厚膜正特性サーミス
タペーストを印刷し、８５０℃で１０分間焼成して厚膜
正特性サーミスタ体３を得る。必要に応じて、厚膜正特
性サーミスタ体３にトリミング４を施して抵抗値を調整
してもよい。次に、この厚膜正特性サーミスタ体３及び
トリミング４の全面及び電極２，２の一部が被覆するよ
うに電気絶縁性の保護膜５（例えばエポキシ樹脂等）を
塗布又は印刷し、乾燥して硬化させる。その後、保護膜
５に被覆されていない電極２，２の表面上をＮｉ，Ｓ
ｎ、等で更にメッキ又はスパッタリング等の手段により
半田付け可能な電極６，６を形成する。ここで、保護膜
５はガラス等であってもよい。
物質として、ＣｕＯとＲｕＯ２とを使用したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば、ＣｕとＲ
ｕ、あるいはＣｕとＲｕからなる水酸化物や炭酸塩もし
くはシュウ酸塩などであってもよい。得られた厚膜正特
性サーミスタペーストを用いて、図１及び図２に示すよ
うに、アルミナ基板１の対向する端面近傍にＡｇ−Ｐｄ
系電極２，２を印刷焼成して形成し、この電極２，２を
跨いで電気的に接続するように前記厚膜正特性サーミス
タペーストを印刷し、８５０℃で１０分間焼成して厚膜
正特性サーミスタ体３を得る。必要に応じて、厚膜正特
性サーミスタ体３にトリミング４を施して抵抗値を調整
してもよい。次に、この厚膜正特性サーミスタ体３及び
トリミング４の全面及び電極２，２の一部が被覆するよ
うに電気絶縁性の保護膜５（例えばエポキシ樹脂等）を
塗布又は印刷し、乾燥して硬化させる。その後、保護膜
５に被覆されていない電極２，２の表面上をＮｉ，Ｓ
ｎ、等で更にメッキ又はスパッタリング等の手段により
半田付け可能な電極６，６を形成する。ここで、保護膜
５はガラス等であってもよい。
【００１７】得られた厚膜正特性サーミスタの抵抗値
は、面積１ｍｍ２膜厚１０μｍにおいて、９１．３Ω
（２５℃）、ＴＣＲは２８５２ｐｐｍ／℃（２５℃／１
２５℃）で安定した特性であった。
は、面積１ｍｍ２膜厚１０μｍにおいて、９１．３Ω
（２５℃）、ＴＣＲは２８５２ｐｐｍ／℃（２５℃／１
２５℃）で安定した特性であった。
【００１８】別表１に、本発明の厚膜正特性サーミスタ
試料番号１ないし３のガラス及びＣｕＲｕＯ３の組成
比、抵抗値及びＴＣＲを示す。
試料番号１ないし３のガラス及びＣｕＲｕＯ３の組成
比、抵抗値及びＴＣＲを示す。
【００１９】
【表１】 表１において各試料の抵抗値は２５℃で膜厚１０μｍ、
面積１ｍｍ２の値であり、ＴＣＲは下記の数式１によっ
て与えられる。
面積１ｍｍ２の値であり、ＴＣＲは下記の数式１によっ
て与えられる。
【００２０】
【数１】 これによると、この組成範囲では、ガラスに対するＣｕ
ＲｕＯ３の含有量が増加するのに伴い、抵抗値が減少し
ＴＣＲが増加する傾向にあることが分かる。
ＲｕＯ３の含有量が増加するのに伴い、抵抗値が減少し
ＴＣＲが増加する傾向にあることが分かる。
【００２１】以上の実施例ではＣｕ源及びＲｕ源として
それぞれＣｕＯとＲｕＯ２とを用いたが、最終的にＣｕ
とＲｕの酸化物となれば、他のＣｕ化合物とＲｕ化合物
の組み合わせでもよい。この表１より本発明の組成物を
用いて形成した厚膜正特性サーミスタは、ＣｕとＲｕ、
又はＣｕとＲｕから成る少なくとも酸化物、水酸化物、
炭酸塩、シュウ酸塩のいずれかの組み合わせのうちの少
なくとも２種を混合し加熱焼成した化合物を、金属的伝
導酸化物とすることにより、ガラス粉末と混合し加熱焼
成してもＴＣＲが低下しない。このため、上述の厚膜正
特性サーミスタ組成物をセラミック基板の対向電極間に
跨るように印刷し、加熱焼成することにより、低抵抗で
ＴＣＲの高い厚膜正特性サーミスタを得ることができ
る。
それぞれＣｕＯとＲｕＯ２とを用いたが、最終的にＣｕ
とＲｕの酸化物となれば、他のＣｕ化合物とＲｕ化合物
の組み合わせでもよい。この表１より本発明の組成物を
用いて形成した厚膜正特性サーミスタは、ＣｕとＲｕ、
又はＣｕとＲｕから成る少なくとも酸化物、水酸化物、
炭酸塩、シュウ酸塩のいずれかの組み合わせのうちの少
なくとも２種を混合し加熱焼成した化合物を、金属的伝
導酸化物とすることにより、ガラス粉末と混合し加熱焼
成してもＴＣＲが低下しない。このため、上述の厚膜正
特性サーミスタ組成物をセラミック基板の対向電極間に
跨るように印刷し、加熱焼成することにより、低抵抗で
ＴＣＲの高い厚膜正特性サーミスタを得ることができ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低抵抗であって、しかもガラス粉末と混合し加熱焼成し
てもＴＣＲが低下せず、抵抗温度特性の直線性が良好な
厚膜正特性サーミスタを得ることができる。又、正特性
サーミスタ部分が通常の厚膜形状であるため、チップ抵
抗器と同様もしくは同一の工程で製造が可能となり、新
たな工場設備が不要である。従って、大量生産に適して
おり生産効率が向上し、製造コストを低減させることが
できる。更に、混成集積回路（ＨＩＣ）化の際には、そ
の製造時に、温度補償回路を同時に形成することも可能
である。以上のような厚膜正特性サーミスタ組成物及び
その製造方法並びにこの組成物を用いた厚膜正特性サー
ミスタを提供できる。
低抵抗であって、しかもガラス粉末と混合し加熱焼成し
てもＴＣＲが低下せず、抵抗温度特性の直線性が良好な
厚膜正特性サーミスタを得ることができる。又、正特性
サーミスタ部分が通常の厚膜形状であるため、チップ抵
抗器と同様もしくは同一の工程で製造が可能となり、新
たな工場設備が不要である。従って、大量生産に適して
おり生産効率が向上し、製造コストを低減させることが
できる。更に、混成集積回路（ＨＩＣ）化の際には、そ
の製造時に、温度補償回路を同時に形成することも可能
である。以上のような厚膜正特性サーミスタ組成物及び
その製造方法並びにこの組成物を用いた厚膜正特性サー
ミスタを提供できる。
【図１】本発明の一実施例を示す厚膜正特性サーミスタ
組成物を用いて形成された厚膜正特性サーミスタの平面
図である。
組成物を用いて形成された厚膜正特性サーミスタの平面
図である。
【図２】同上Ａ−Ａ線縦断面図である。
【図３】本発明の一実施例を示す厚膜正特性サーミスタ
の試料番号１における抵抗値の温度特性図である。
の試料番号１における抵抗値の温度特性図である。
【図４】本発明の一実施例を示す厚膜正特性サーミスタ
の試料番号２における抵抗値の温度特性図である。
の試料番号２における抵抗値の温度特性図である。
【図５】本発明の一実施例を示す厚膜正特性サーミスタ
の試料番号３における抵抗値の温度特性図である。
の試料番号３における抵抗値の温度特性図である。
【図６】本発明の厚膜正特性サーミスタにおける厚膜正
特性サーミスタ組成物の組成比と抵抗値の特性図であ
る。
特性サーミスタ組成物の組成比と抵抗値の特性図であ
る。
１． 基板 ２，６． 電極 ３． 厚膜正特性サーミスタ体 ４． トリミング ５． 保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくともＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕ
とから成る少なくとも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュ
ウ酸塩のいずれかの組み合わせのうちの少なくとも２種
を混合し加熱焼成した化合物と、ガラスとよりなること
を特徴とする厚膜正特性サーミスタ組成物。 - 【請求項２】 少なくともＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕ
とから成る少なくとも酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュ
ウ酸塩のいずれかの組み合わせのうちの少なくとも２種
を混合し加熱焼成した化合物を更に粉砕し秤量するＡ工
程と、ガラス粉末を秤量するＢ工程と、前記秤量２工程
Ａ、Ｂで得られた各粉末を混合して厚膜ペーストを製造
するＣ工程と、前記Ｃ工程で得られた厚膜ペーストを加
熱焼成するＤ工程とからなることを特徴とする厚膜正特
性サーミスタ組成物の製造方法。 - 【請求項３】 所定大きさの電気絶縁性を有する基板
と、 前記基板の少なくとも対向する両端部近傍に形成した電
極と、 前記電極間に跨って接続するように形成した少なくとも
ＣｕとＲｕ、又はＣｕとＲｕとから成る少なくとも酸化
物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩のいずれかの組み合
わせのうちの少なくとも２種を混合し加熱焼成した化合
物と、ガラスとよりなる厚膜正特性サーミスタ組成物
と、 前記厚膜サーミスタ組成物と前記電極の一部とを被覆す
る保護膜と、から成ることを特徴とする厚膜正特性サー
ミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25533792A JP3255985B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25533792A JP3255985B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661013A true JPH0661013A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3255985B2 JP3255985B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=17277388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25533792A Expired - Fee Related JP3255985B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255985B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0923085A1 (en) * | 1997-06-16 | 1999-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistance wiring board and method for manufacturing the same |
| CN104464991A (zh) * | 2013-09-12 | 2015-03-25 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种线性正温度系数热敏电阻浆料的制备方法 |
| CN105741903A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-07-06 | 西安电子科技大学 | 一种银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法 |
| JP2018067640A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法 |
| JP2020151983A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
| CN113405688A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-17 | 北京航空航天大学杭州创新研究院 | 一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器及其制备方法 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP25533792A patent/JP3255985B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0923085A1 (en) * | 1997-06-16 | 1999-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistance wiring board and method for manufacturing the same |
| EP0923085A4 (en) * | 1997-06-16 | 2005-12-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | RESISTANCE CONNECTION TABLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| CN104464991A (zh) * | 2013-09-12 | 2015-03-25 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种线性正温度系数热敏电阻浆料的制备方法 |
| CN105741903A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-07-06 | 西安电子科技大学 | 一种银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法 |
| JP2018067640A (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法 |
| JP2020151983A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
| CN113405688A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-17 | 北京航空航天大学杭州创新研究院 | 一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器及其制备方法 |
| CN113405688B (zh) * | 2021-06-22 | 2023-08-11 | 北京航空航天大学杭州创新研究院 | 一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3255985B2 (ja) | 2002-02-12 |
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