JP3253121B2 - 厚膜抵抗体組成物 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導電成分としてルテニウ
ムの酸化物および／またはルテニウムパイロクロア酸化
物を含有する厚膜抵抗体組成物に関し、特にＰｄ／Ａｇ
電極またはＡｇ電極等と組み合わせて使用される厚膜抵
抗体組成物に関するものである。
ムの酸化物および／またはルテニウムパイロクロア酸化
物を含有する厚膜抵抗体組成物に関し、特にＰｄ／Ａｇ
電極またはＡｇ電極等と組み合わせて使用される厚膜抵
抗体組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】厚膜抵抗電子部品や厚膜ハイブリッド等
において広く使用されている厚膜抵抗体組成物は、絶縁
性基体表面に形成された導体パターンまたは電極上に印
刷した後、焼成することによって抵抗体厚膜を生成させ
る組成物である。
において広く使用されている厚膜抵抗体組成物は、絶縁
性基体表面に形成された導体パターンまたは電極上に印
刷した後、焼成することによって抵抗体厚膜を生成させ
る組成物である。
【０００３】厚膜抵抗体組成物は、導電成分および無機
結合剤を有機媒体（ベヒクル）中に分散させることによ
り調製される。導電成分は主に厚膜抵抗体の電気的性質
を決定する役割を有しルテニウム酸化物等が用いられて
いる。無機結合剤はガラスからなるもので主に厚膜を一
体に保持すると共にそれを基体に結合させる役割を有す
る。有機媒体は組成物の適用特性、特にそのレオロジー
に影響を与える分散媒体である。
結合剤を有機媒体（ベヒクル）中に分散させることによ
り調製される。導電成分は主に厚膜抵抗体の電気的性質
を決定する役割を有しルテニウム酸化物等が用いられて
いる。無機結合剤はガラスからなるもので主に厚膜を一
体に保持すると共にそれを基体に結合させる役割を有す
る。有機媒体は組成物の適用特性、特にそのレオロジー
に影響を与える分散媒体である。
【０００４】厚膜抵抗体組成物をハイブリッドマイクロ
電子回路またはチップ抵抗等に使用する場合、電気的安
定性が高いこと、特に多様な抵抗体のパッド長（幅）の
変化に対して抵抗値温度係数（ＴＣＲ：Ｔｅｍｐｅｒａ
ｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓ
ｔａｎｃｅ）の変動が小さいことが重要である。近年抵
抗体のサイズは、そのデバイスのデザインによって極小
（例えば ０．３×０．３ｍｍ）から数ミリ角の大きさ
まで多様化している。ところが、Ｐｄ／Ａｇ電極または
Ａｇ電極等と組み合わせる場合、抵抗形状が小さくなる
と、印刷形状もしくは膜厚が変わってしまったり、電極
からＡｇなどが拡散してくることによって、抵抗体厚膜
の抵抗値およびＴＣＲが変動してしまう。抵抗値は多少
変動したとしても、抵抗体厚膜の一部をレーザによって
除去するレーザートリミングによって、所定の抵抗値に
調整することができる。しかし、ＴＣＲは一度変動して
しまうとそれを能動的に調整することができない。した
がって、抵抗値よりもＴＣＲが抵抗体のパッド長に依存
する程度が小さいことすなわち形状効果（lengtheffec
t）が小さいことが望まれる。ＴＣＲには、高温ＴＣＲ
（ＨＴＣＲ）と低温ＴＣＲ（ＣＴＣＲ）があるが、ＨＴ
ＣＲとＣＴＣＲのいずれもその形状効果が小さいことが
好ましい。
電子回路またはチップ抵抗等に使用する場合、電気的安
定性が高いこと、特に多様な抵抗体のパッド長（幅）の
変化に対して抵抗値温度係数（ＴＣＲ：Ｔｅｍｐｅｒａ
ｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓ
ｔａｎｃｅ）の変動が小さいことが重要である。近年抵
抗体のサイズは、そのデバイスのデザインによって極小
（例えば ０．３×０．３ｍｍ）から数ミリ角の大きさ
まで多様化している。ところが、Ｐｄ／Ａｇ電極または
Ａｇ電極等と組み合わせる場合、抵抗形状が小さくなる
と、印刷形状もしくは膜厚が変わってしまったり、電極
からＡｇなどが拡散してくることによって、抵抗体厚膜
の抵抗値およびＴＣＲが変動してしまう。抵抗値は多少
変動したとしても、抵抗体厚膜の一部をレーザによって
除去するレーザートリミングによって、所定の抵抗値に
調整することができる。しかし、ＴＣＲは一度変動して
しまうとそれを能動的に調整することができない。した
がって、抵抗値よりもＴＣＲが抵抗体のパッド長に依存
する程度が小さいことすなわち形状効果（lengtheffec
t）が小さいことが望まれる。ＴＣＲには、高温ＴＣＲ
（ＨＴＣＲ）と低温ＴＣＲ（ＣＴＣＲ）があるが、ＨＴ
ＣＲとＣＴＣＲのいずれもその形状効果が小さいことが
好ましい。
【０００５】ＴＣＲの形状効果を低減するために、厚膜
抵抗体組成物の成分および組成比を変えるなどの改良が
なされているが、満足な結果は得られていないのが現状
である。
抵抗体組成物の成分および組成比を変えるなどの改良が
なされているが、満足な結果は得られていないのが現状
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、ＴＣＲの形状効果が小さい厚膜抵抗体組成物を
提供することである。
目的は、ＴＣＲの形状効果が小さい厚膜抵抗体組成物を
提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、導電成分と
してルテニウムの酸化物およびルテニウムパイロクロア
酸化物の少なくとも一方を含有する厚膜抵抗体組成物に
おいて、銀を０．０２〜５．０wt％含有させることによ
って達成される。以下本発明をさらに詳細に説明する。
してルテニウムの酸化物およびルテニウムパイロクロア
酸化物の少なくとも一方を含有する厚膜抵抗体組成物に
おいて、銀を０．０２〜５．０wt％含有させることによ
って達成される。以下本発明をさらに詳細に説明する。
【０００８】本発明の厚膜抵抗体組成物は、厚膜抵抗体
組成物は、主成分として導電成分と無機結合剤と有機媒
体（ベヒクル）とを含有し、さらに、銀を０．０２〜
５．０wt％含有するものである。銀は、厚膜抵抗体組成
物中に金属銀（Ａｇ）、銀イオン（Ａｇ+ ）および銀化
合物（Ａｇ2 Ｏなど）のいずれの形態で存在していても
良い。本発明の厚膜抵抗体組成物は、導電成分、無機結
合剤、および場合により無機添加剤を有機媒体を混合し
て製造するが、銀は組成物の製造工程のいずれの段階で
含有させても良い。例えば、銀は、導電成分中に含有さ
せておいても、無機結合剤中に含有させておいてもよ
く、また、これらとは別に無機添加剤として厚膜抵抗体
組成物に添加してもよい。さらに、銀は、有機金属化合
物の形態にして有機媒体中に含有させ、この銀含有の有
機媒体を用いることによって、厚膜抵抗体組成物中に銀
を含有させることもできる。これらの併用すなわちガラ
スと有機媒体の両者に銀を含有させることなどもでき
る。
組成物は、主成分として導電成分と無機結合剤と有機媒
体（ベヒクル）とを含有し、さらに、銀を０．０２〜
５．０wt％含有するものである。銀は、厚膜抵抗体組成
物中に金属銀（Ａｇ）、銀イオン（Ａｇ+ ）および銀化
合物（Ａｇ2 Ｏなど）のいずれの形態で存在していても
良い。本発明の厚膜抵抗体組成物は、導電成分、無機結
合剤、および場合により無機添加剤を有機媒体を混合し
て製造するが、銀は組成物の製造工程のいずれの段階で
含有させても良い。例えば、銀は、導電成分中に含有さ
せておいても、無機結合剤中に含有させておいてもよ
く、また、これらとは別に無機添加剤として厚膜抵抗体
組成物に添加してもよい。さらに、銀は、有機金属化合
物の形態にして有機媒体中に含有させ、この銀含有の有
機媒体を用いることによって、厚膜抵抗体組成物中に銀
を含有させることもできる。これらの併用すなわちガラ
スと有機媒体の両者に銀を含有させることなどもでき
る。
【０００９】厚膜抵抗体組成物中にあらかじめ銀を存在
させておくことによって、電極からの銀成分の拡散が抵
抗体のＴＣＲに及ぼす影響が小さくなり、このことが厚
膜抵抗体のＴＣＲの形状効果の改善に寄与するものと考
えられる。 Ａ．導電成分
させておくことによって、電極からの銀成分の拡散が抵
抗体のＴＣＲに及ぼす影響が小さくなり、このことが厚
膜抵抗体のＴＣＲの形状効果の改善に寄与するものと考
えられる。 Ａ．導電成分
【００１０】本発明の厚膜抵抗体組成物は、導電成分と
して、ルテニウムの酸化物またはルテニウムパイロクロ
ア酸化物を含有する。ルテニウムパイロクロア酸化物
は、次の一般式で表わされるＲｕ+4、Ｉｒ+4またはその
混合物（Ｍ″）の多成分化合物であるパイロクロア酸化
物の一種である。 （Ｍx Ｂｉ2-x ）（Ｍ′y Ｍ″2-y ）Ｏ7-z 式中、Ｍはイットリウム、タリウム、インジウム、カド
ミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ば
れ、Ｍ′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアン
チモンより成る群から選ばれ、Ｍ″はルテニウム、イリ
ジウムまたはその混合物であり、ｘは０〜２であるがた
だし１価の銅に対してはｘ≦１であり、
して、ルテニウムの酸化物またはルテニウムパイロクロ
ア酸化物を含有する。ルテニウムパイロクロア酸化物
は、次の一般式で表わされるＲｕ+4、Ｉｒ+4またはその
混合物（Ｍ″）の多成分化合物であるパイロクロア酸化
物の一種である。 （Ｍx Ｂｉ2-x ）（Ｍ′y Ｍ″2-y ）Ｏ7-z 式中、Ｍはイットリウム、タリウム、インジウム、カド
ミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ば
れ、Ｍ′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアン
チモンより成る群から選ばれ、Ｍ″はルテニウム、イリ
ジウムまたはその混合物であり、ｘは０〜２であるがた
だし１価の銅に対してはｘ≦１であり、
【００１１】ｙは０〜０．５であるがただしＭ′がロジ
ウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムお
よびアンチモンのうちの１種より多い場合にはｙは０〜
１であり、そしてｚは０〜１であるがただしＭが２価の
鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約ｘ／
２に等しい。これらルテニウムパイロクロア酸化物は、
米国特許第３５８３９３１号明細書に詳細に記載されて
いる。
ウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムお
よびアンチモンのうちの１種より多い場合にはｙは０〜
１であり、そしてｚは０〜１であるがただしＭが２価の
鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約ｘ／
２に等しい。これらルテニウムパイロクロア酸化物は、
米国特許第３５８３９３１号明細書に詳細に記載されて
いる。
【００１２】ルテニウムパイロクロア酸化物中好ましい
ものは、ルテン酸ビスマスＢｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 およびルテ
ン酸鉛Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 である。これらは、容易に純粋
の形で得られ、ガラス結合剤により悪影響を受けず、比
較的小さいＴＣＲを有しており、空気中で約１０００℃
まで加熱した場合でも安定であり、そして還元性雰囲気
中でも比較的安定だからである。より好ましいのはルテ
ン酸鉛Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 である。この他、Ｐｂ1.5 Ｂｉ
0.5 Ｒｕ2 Ｏ6.20およびＣｄＢｉＲｕ2 Ｏ6.5のパイロ
クロアも用いることができる。これらすべてについてｙ
＝０である。
ものは、ルテン酸ビスマスＢｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 およびルテ
ン酸鉛Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 である。これらは、容易に純粋
の形で得られ、ガラス結合剤により悪影響を受けず、比
較的小さいＴＣＲを有しており、空気中で約１０００℃
まで加熱した場合でも安定であり、そして還元性雰囲気
中でも比較的安定だからである。より好ましいのはルテ
ン酸鉛Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 である。この他、Ｐｂ1.5 Ｂｉ
0.5 Ｒｕ2 Ｏ6.20およびＣｄＢｉＲｕ2 Ｏ6.5のパイロ
クロアも用いることができる。これらすべてについてｙ
＝０である。
【００１３】ルテニウムの酸化物またはルテニウムパイ
ロクロア酸化物は、有機媒体を含む組成物全体重量を基
準として１０〜５０wt％、好ましくは１２〜４０wt％の
割合で用いる。合計無機固体分を基準とすると、１４〜
７５wt％，好ましくは１７〜５７wt％である。合計無機
固体分とは、導電成分と無機結合剤との合計をいう。本
発明の組成物が導電成分と無機結合剤以外に無機添加剤
を含有するときは、合計無機固体分とは該無機添加剤を
も含めたものである。 Ｂ．無機結合剤
ロクロア酸化物は、有機媒体を含む組成物全体重量を基
準として１０〜５０wt％、好ましくは１２〜４０wt％の
割合で用いる。合計無機固体分を基準とすると、１４〜
７５wt％，好ましくは１７〜５７wt％である。合計無機
固体分とは、導電成分と無機結合剤との合計をいう。本
発明の組成物が導電成分と無機結合剤以外に無機添加剤
を含有するときは、合計無機固体分とは該無機添加剤を
も含めたものである。 Ｂ．無機結合剤
【００１４】本発明の厚膜抵抗体組成物において無機結
合剤としては、一般に厚膜抵抗体組成物に用いられてい
る種々のガラスを用いることができる。すなわちＰｂＯ
を４０〜８０wt％およびＳｉＯ2 を１０〜５０wt％含有
し、これらＰｂＯとＳｉＯ2 との合計が６０％以上であ
るガラスを用いることができ、例えば、約２３〜３４ｗ
ｔ％のＳｉＯ2 を含有する珪酸鉛ガラス、約２３〜３４
wt％のＳｉＯ2 、約５２〜７３wt％のＰｂＯおよび約４
〜１４wt％のＢ2 Ｏ3 を含有する硼珪酸鉛ガラスを用い
ることができる。本発明において無機結合剤として使用
することができるガラスの組成の例を表１および表２に
示す。表１および表２に挙げたガラスは通常の製造方法
で製造することができる。
合剤としては、一般に厚膜抵抗体組成物に用いられてい
る種々のガラスを用いることができる。すなわちＰｂＯ
を４０〜８０wt％およびＳｉＯ2 を１０〜５０wt％含有
し、これらＰｂＯとＳｉＯ2 との合計が６０％以上であ
るガラスを用いることができ、例えば、約２３〜３４ｗ
ｔ％のＳｉＯ2 を含有する珪酸鉛ガラス、約２３〜３４
wt％のＳｉＯ2 、約５２〜７３wt％のＰｂＯおよび約４
〜１４wt％のＢ2 Ｏ3 を含有する硼珪酸鉛ガラスを用い
ることができる。本発明において無機結合剤として使用
することができるガラスの組成の例を表１および表２に
示す。表１および表２に挙げたガラスは通常の製造方法
で製造することができる。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】本発明の厚膜抵抗体組成物においては、無
機結合剤として、上述のガラスを用いることができる
が、ＳｉＯ2 ３０〜６０wt％、ＣａＯ ５〜３０wt
％、Ｂ2Ｏ3 １〜４０wt％、ＰｂＯ ０〜５０wt％、
およびＡｌ2 Ｏ3 ０〜２０wt％を含有し且つこれらＳ
ｉＯ2 、ＣａＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＰｂＯおよびＡｌ2 Ｏ3 の
合計がその９５wt％以上を占める第１のガラスと、Ｐｂ
Ｏが少なくとも５０wt％を占めるＰｂＯ−ＳｉＯ2 系ガ
ラスからなる第２のガラスとの混合物を用いると、より
好ましい効果を得ることができる。
機結合剤として、上述のガラスを用いることができる
が、ＳｉＯ2 ３０〜６０wt％、ＣａＯ ５〜３０wt
％、Ｂ2Ｏ3 １〜４０wt％、ＰｂＯ ０〜５０wt％、
およびＡｌ2 Ｏ3 ０〜２０wt％を含有し且つこれらＳ
ｉＯ2 、ＣａＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＰｂＯおよびＡｌ2 Ｏ3 の
合計がその９５wt％以上を占める第１のガラスと、Ｐｂ
Ｏが少なくとも５０wt％を占めるＰｂＯ−ＳｉＯ2 系ガ
ラスからなる第２のガラスとの混合物を用いると、より
好ましい効果を得ることができる。
【００１８】前記第１のガラスは酸化鉛を最大５０wt%
しか含まないので一般的に高軟化点ガラスである。第２
のガラスは酸化鉛を最低５０wt% 含むので一般的に低軟
化点ガラスである。
しか含まないので一般的に高軟化点ガラスである。第２
のガラスは酸化鉛を最低５０wt% 含むので一般的に低軟
化点ガラスである。
【００１９】第１のガラスおよび第２のガラスはそれぞ
れ単独では厚膜抵抗体組成物のガラス結合剤として使用
することはできない。前者は焼結しないし、後者はガラ
スがやわらかすぎて抵抗体形状がくずれてしまうからで
ある。そうした単独では使用不可能とされていたガラス
を混合して使用することで、ＴＣＲの形状効果が小さく
且つオーバーコートガラスの焼成による抵抗値およびＴ
ＣＲの変動も小さい厚膜抵抗体が得られたことは予期し
得ないことであった。
れ単独では厚膜抵抗体組成物のガラス結合剤として使用
することはできない。前者は焼結しないし、後者はガラ
スがやわらかすぎて抵抗体形状がくずれてしまうからで
ある。そうした単独では使用不可能とされていたガラス
を混合して使用することで、ＴＣＲの形状効果が小さく
且つオーバーコートガラスの焼成による抵抗値およびＴ
ＣＲの変動も小さい厚膜抵抗体が得られたことは予期し
得ないことであった。
【００２０】第１のガラスは、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｂ2
Ｏ3 、ＰｂＯおよびＡｌ2 Ｏ3 の合計がその９５wt％以
上を占めるガラスである。ＳｉＯ2 は少なくとも３０wt
% 必要である。それ未満では十分な高軟化点が得られに
くいからである。ただし６０wt％以下とする。それより
多いとＳｉが結晶化するおそれがあるからである。Ｃａ
Ｏは少なくとも５wt% 必要である。ただし３０wt％以下
とする。３０wt％を越えるとＣａが他の元素と結晶化を
おこすおそれがあるからである。Ｂ2 Ｏ3 は少なくとも
１wt% 必要である。ただし４０wt％以下とする。それよ
り多いとガラス化しないおそれがあるからである。Ｐｂ
Ｏは５０wt% 以下でなければならない。５０wt% を越え
ると十分な高軟化点が得られにくいからである。好まし
くは０〜３０wt％、より好ましくは０〜２０wt％であ
る。Ａｌ2 Ｏ3 は２０wt% 以下でなければならない。２
０wt% を越えるとガラス化しないからである。好ましく
は０〜５wt％である。
Ｏ3 、ＰｂＯおよびＡｌ2 Ｏ3 の合計がその９５wt％以
上を占めるガラスである。ＳｉＯ2 は少なくとも３０wt
% 必要である。それ未満では十分な高軟化点が得られに
くいからである。ただし６０wt％以下とする。それより
多いとＳｉが結晶化するおそれがあるからである。Ｃａ
Ｏは少なくとも５wt% 必要である。ただし３０wt％以下
とする。３０wt％を越えるとＣａが他の元素と結晶化を
おこすおそれがあるからである。Ｂ2 Ｏ3 は少なくとも
１wt% 必要である。ただし４０wt％以下とする。それよ
り多いとガラス化しないおそれがあるからである。Ｐｂ
Ｏは５０wt% 以下でなければならない。５０wt% を越え
ると十分な高軟化点が得られにくいからである。好まし
くは０〜３０wt％、より好ましくは０〜２０wt％であ
る。Ａｌ2 Ｏ3 は２０wt% 以下でなければならない。２
０wt% を越えるとガラス化しないからである。好ましく
は０〜５wt％である。
【００２１】第１のガラスは、有機媒体を含む組成物全
体重量を基準として５〜３５wt％、好ましくは１０〜２
５wt％の割合で用いる。合計無機固体分を基準とする
と、７〜５０wt％好ましくは１４〜３６wt％である。
体重量を基準として５〜３５wt％、好ましくは１０〜２
５wt％の割合で用いる。合計無機固体分を基準とする
と、７〜５０wt％好ましくは１４〜３６wt％である。
【００２２】第２のガラスは、ＰｂＯが少なくとも５０
wt％を占めるＰｂＯ−ＳｉＯ2 系ガラスである。前記第
１のガラスはこの第２のガラスと組み合わせて用いるこ
とによって初めて抵抗体のＴＣＲの形状効果の低減を達
成することができる。
wt％を占めるＰｂＯ−ＳｉＯ2 系ガラスである。前記第
１のガラスはこの第２のガラスと組み合わせて用いるこ
とによって初めて抵抗体のＴＣＲの形状効果の低減を達
成することができる。
【００２３】第２のガラスは、ＰｂＯ ５０〜８０wt
％、ＳｉＯ2 １０〜３５wt％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜１０
wt％、Ｂ2 Ｏ3 １〜１０wt％、ＣｕＯ １〜１０wt％
およびＺｎＯ １〜１０wt％を含有し且つこれらＰｂ
Ｏ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯがその９５wt％以上を占めるガラスであることが好
ましい。この範囲の組成の第２のガラスと前記第１のガ
ラスとを混合することにより、ＴＣＲの形状効果および
オーバーコートガラスの焼成による抵抗値およびＴＣＲ
の変動が小さいことに加えてさらに焼結性も向上するか
らである。
％、ＳｉＯ2 １０〜３５wt％、Ａｌ2 Ｏ3 ０〜１０
wt％、Ｂ2 Ｏ3 １〜１０wt％、ＣｕＯ １〜１０wt％
およびＺｎＯ １〜１０wt％を含有し且つこれらＰｂ
Ｏ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯがその９５wt％以上を占めるガラスであることが好
ましい。この範囲の組成の第２のガラスと前記第１のガ
ラスとを混合することにより、ＴＣＲの形状効果および
オーバーコートガラスの焼成による抵抗値およびＴＣＲ
の変動が小さいことに加えてさらに焼結性も向上するか
らである。
【００２４】第２のガラスは、有機媒体を含む組成物全
体重量を基準として５〜４０wt％、好ましくは１０〜３
５wt％の割合で用いる。合計無機固体分を基準とする
と、７〜５７wt％好ましくは１４〜５０wt％である。
体重量を基準として５〜４０wt％、好ましくは１０〜３
５wt％の割合で用いる。合計無機固体分を基準とする
と、７〜５７wt％好ましくは１４〜５０wt％である。
【００２５】本発明の厚膜抵抗体組成物はガラス結合剤
としてさらに第３のガラスを含有することができる。こ
の第３のガラスは、その軟化点が第１のガラスより低く
第２のガラスより高くなるように調製したＰｂＯ−Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスである。例えば、ＰｂＯ ６５．０wt％、
ＳｉＯ2 ３４．０wt％、およびＡｌ2 Ｏ3 １．０wt
％の組成を有するものである。
としてさらに第３のガラスを含有することができる。こ
の第３のガラスは、その軟化点が第１のガラスより低く
第２のガラスより高くなるように調製したＰｂＯ−Ｓｉ
Ｏ2 系ガラスである。例えば、ＰｂＯ ６５．０wt％、
ＳｉＯ2 ３４．０wt％、およびＡｌ2 Ｏ3 １．０wt
％の組成を有するものである。
【００２６】第３のガラスは、有機媒体を含む組成物全
体重量を基準として０〜３０wt％、好ましくは５〜２５
wt％の割合で用いる。合計無機固体分を基準とすると、
０〜４３wt％好ましくは７〜３６wt％である。
体重量を基準として０〜３０wt％、好ましくは５〜２５
wt％の割合で用いる。合計無機固体分を基準とすると、
０〜４３wt％好ましくは７〜３６wt％である。
【００２７】第１、第２および第３のガラスを含めて本
発明において無機結合剤として使用するガラスには、そ
れぞれ、前述した成分の他に、厚膜抵抗体の熱膨脹係数
およびガラス結合剤の熟成温度を調整するための成分を
５wt％未満含有させることができる。一般的な基体であ
る９６％アルミナセラミックは７５×１０-7／℃の熱膨
張係数を有しているので、厚膜抵抗体の熱膨張係数はそ
れより低いことが好ましい。シリカ、酸化鉛及び酸化硼
素の含有量を調節することによって熱膨張係数を調整で
きることができる。少量のリチウム、カリウムまたはナ
トリウムの酸化物の導入によっても熱膨張係数を調整で
きることがある。酸化リチウムは約３重量％の程度まで
ガラス結合剤成分に包含させるのが有利である。約４％
までのＺｒＯ2 はアルカリ溶液中への溶解に対するガラ
スの抵抗性を強化させ、ＴｉＯ2はガラスの酸による攻
撃に対する抵抗性を強化させるのである。ガラスがＰｂ
Ｏを含まない亜鉛アルミノ硼硅酸塩ガラスである場合に
は、Ｎａ2 Ｏを含有させることにより好ましい熱膨張係
数範囲を得ることができる。
発明において無機結合剤として使用するガラスには、そ
れぞれ、前述した成分の他に、厚膜抵抗体の熱膨脹係数
およびガラス結合剤の熟成温度を調整するための成分を
５wt％未満含有させることができる。一般的な基体であ
る９６％アルミナセラミックは７５×１０-7／℃の熱膨
張係数を有しているので、厚膜抵抗体の熱膨張係数はそ
れより低いことが好ましい。シリカ、酸化鉛及び酸化硼
素の含有量を調節することによって熱膨張係数を調整で
きることができる。少量のリチウム、カリウムまたはナ
トリウムの酸化物の導入によっても熱膨張係数を調整で
きることがある。酸化リチウムは約３重量％の程度まで
ガラス結合剤成分に包含させるのが有利である。約４％
までのＺｒＯ2 はアルカリ溶液中への溶解に対するガラ
スの抵抗性を強化させ、ＴｉＯ2はガラスの酸による攻
撃に対する抵抗性を強化させるのである。ガラスがＰｂ
Ｏを含まない亜鉛アルミノ硼硅酸塩ガラスである場合に
は、Ｎａ2 Ｏを含有させることにより好ましい熱膨張係
数範囲を得ることができる。
【００２８】無機結合剤としての第１、第２および第３
のガラスは、それぞれ、通常のガラス製造技術により製
造することができる。すなわち、所望の比率で所望の成
分またはその前駆体例えばＢ2 Ｏ3 に対するＨ3 ＢＯ3
を混合し、そしてこの混合物を加熱して溶融物を生成さ
せることにより製造することができる。当技術分野にお
いて周知のように、加熱は、ピーク温度まで、そして溶
融物が完全に液体となりしかも気体発生が停止するよう
な時間実施される。本発明においてはピーク温度は１１
００〜１５００℃、通常１２００〜１４００℃の範囲で
ある。次いで、溶融物を典型的には冷ベルト上かまたは
冷流水中に注いで冷却させることによって、急冷する。
その後、所望によりミル処理によって粒子サイズを低減
することができる。
のガラスは、それぞれ、通常のガラス製造技術により製
造することができる。すなわち、所望の比率で所望の成
分またはその前駆体例えばＢ2 Ｏ3 に対するＨ3 ＢＯ3
を混合し、そしてこの混合物を加熱して溶融物を生成さ
せることにより製造することができる。当技術分野にお
いて周知のように、加熱は、ピーク温度まで、そして溶
融物が完全に液体となりしかも気体発生が停止するよう
な時間実施される。本発明においてはピーク温度は１１
００〜１５００℃、通常１２００〜１４００℃の範囲で
ある。次いで、溶融物を典型的には冷ベルト上かまたは
冷流水中に注いで冷却させることによって、急冷する。
その後、所望によりミル処理によって粒子サイズを低減
することができる。
【００２９】更に詳しくは、これらのガラスは、白金る
つぼ中で電気加熱された炭化珪素炉で約１２００〜１４
００℃において２０分〜１時間溶融させることにより製
造することができる。回転または振動ミル処理により最
終粒子サイズを１〜１０ｍ2 ／ｇとすることができる。
振動ミル処理は、容器中に無機粉末とアルミナ等のシリ
ンダを入れ、次いでこの容器を特定時間振動させること
により水性媒体中で実施される。
つぼ中で電気加熱された炭化珪素炉で約１２００〜１４
００℃において２０分〜１時間溶融させることにより製
造することができる。回転または振動ミル処理により最
終粒子サイズを１〜１０ｍ2 ／ｇとすることができる。
振動ミル処理は、容器中に無機粉末とアルミナ等のシリ
ンダを入れ、次いでこの容器を特定時間振動させること
により水性媒体中で実施される。
【００３０】本発明において、銀を無機結合剤に含有さ
せる場合には、無機結合剤であるガラスの製造時に、ガ
ラス原料中に、Ａｇ2 ＯまたはＡｇＮＯ3 を入れる方法
を採ることが好ましい。この場合、Ａｇ2 ＯまたはＡｇ
ＮＯ3 の量はそのガラスの約０．１wt％〜約１０wt％程
度、厚膜抵抗体組成物の約０．０２wt％〜約５wt％程度
が好ましい。 Ｃ．無機添加剤
せる場合には、無機結合剤であるガラスの製造時に、ガ
ラス原料中に、Ａｇ2 ＯまたはＡｇＮＯ3 を入れる方法
を採ることが好ましい。この場合、Ａｇ2 ＯまたはＡｇ
ＮＯ3 の量はそのガラスの約０．１wt％〜約１０wt％程
度、厚膜抵抗体組成物の約０．０２wt％〜約５wt％程度
が好ましい。 Ｃ．無機添加剤
【００３１】本発明の厚膜抵抗体組成物は、さらに、Ｚ
ｒＳｉＯ4 、金属酸化物例えばＭｎＯおよびＮｂ2 Ｏ5
等の無機添加剤を含有することができる。ＺｒＳｉＯ4
は厚膜抵抗体のレーザートリミング性の向上に寄与し、
ＭｎＯおよびＮｂ2 Ｏ5 は、ＴＣＲの調整に寄与する。
これら無機添加剤は、有機媒体を含む組成物全体重量を
基準として０〜２０wt％、合計無機固体分を基準とする
と、０〜３０wt％の割合で用いる。
ｒＳｉＯ4 、金属酸化物例えばＭｎＯおよびＮｂ2 Ｏ5
等の無機添加剤を含有することができる。ＺｒＳｉＯ4
は厚膜抵抗体のレーザートリミング性の向上に寄与し、
ＭｎＯおよびＮｂ2 Ｏ5 は、ＴＣＲの調整に寄与する。
これら無機添加剤は、有機媒体を含む組成物全体重量を
基準として０〜２０wt％、合計無機固体分を基準とする
と、０〜３０wt％の割合で用いる。
【００３２】本発明において、銀を、導電成分あるいは
無機結合剤とは別に無機添加剤として含有させる場合に
は、金属銀の粉末、Ａｇ2 Ｏの粉末、またはＡｇＮＯ3
の粉末を用い、これらを、導電成分および無機結合剤と
ともに有機媒体に混合する方法を採ることが好ましい。
この場合、金属銀、Ａｇ2 Ｏ、またはＡｇＮＯ3 の量
は、厚膜抵抗体組成物の約０．０２wt％〜約５wt％程度
が好ましい。また、金属銀粉末は球状で粒径５μｍ以下
であるものが好ましい。Ａｇ2 Ｏの好ましい粒径も５μ
ｍ以下であり、ＡｇＮＯ3 の好ましい粒径も５μｍ以下
である。 Ｄ．有機媒体
無機結合剤とは別に無機添加剤として含有させる場合に
は、金属銀の粉末、Ａｇ2 Ｏの粉末、またはＡｇＮＯ3
の粉末を用い、これらを、導電成分および無機結合剤と
ともに有機媒体に混合する方法を採ることが好ましい。
この場合、金属銀、Ａｇ2 Ｏ、またはＡｇＮＯ3 の量
は、厚膜抵抗体組成物の約０．０２wt％〜約５wt％程度
が好ましい。また、金属銀粉末は球状で粒径５μｍ以下
であるものが好ましい。Ａｇ2 Ｏの好ましい粒径も５μ
ｍ以下であり、ＡｇＮＯ3 の好ましい粒径も５μｍ以下
である。 Ｄ．有機媒体
【００３３】これら本発明の無機固体分は、有機媒体中
に分散させて、印刷可能な組成物ペーストとする。有機
媒体は、組成物全体重量を基準として２０〜４０wt％、
好ましくは２５〜３５wt％の割合で用いる。
に分散させて、印刷可能な組成物ペーストとする。有機
媒体は、組成物全体重量を基準として２０〜４０wt％、
好ましくは２５〜３５wt％の割合で用いる。
【００３４】すべての不活性液体をベヒクルとして使用
することができる。濃厚化剤および／または安定剤およ
び／またはその他の一般的添加剤を加えたかまたはこれ
らを加えていない水または種々の有機液体のいずれか一
つをベヒクルとして使用することができる。使用しうる
有機液体の例は，脂肪族アルコール、そのようなアルコ
ールのエステル例えばアセテートおよびプロピオネー
ト、テルペン例えば松根油、テルピネオールその他、溶
媒例えば松根油およびエチレングリコールモノアセテー
トのモノブチルエーテル中の樹脂例えば低級アルコール
のポリメタクリレートの溶液またはエチルセルロースの
溶液である。ベヒクルには基体への適用後の迅速な固化
を促進させるための揮発性液体を含有させることができ
るしまたはベヒクルはこれにより構成されていることも
できる。好ましいベヒクルはエチルセルロースおよびベ
ータテルピネオールをベースとするものである。
することができる。濃厚化剤および／または安定剤およ
び／またはその他の一般的添加剤を加えたかまたはこれ
らを加えていない水または種々の有機液体のいずれか一
つをベヒクルとして使用することができる。使用しうる
有機液体の例は，脂肪族アルコール、そのようなアルコ
ールのエステル例えばアセテートおよびプロピオネー
ト、テルペン例えば松根油、テルピネオールその他、溶
媒例えば松根油およびエチレングリコールモノアセテー
トのモノブチルエーテル中の樹脂例えば低級アルコール
のポリメタクリレートの溶液またはエチルセルロースの
溶液である。ベヒクルには基体への適用後の迅速な固化
を促進させるための揮発性液体を含有させることができ
るしまたはベヒクルはこれにより構成されていることも
できる。好ましいベヒクルはエチルセルロースおよびベ
ータテルピネオールをベースとするものである。
【００３５】本発明において、銀を有機媒体中に含有さ
せる場合には、銀を銀レジネート等有機金属化合物の形
態にして有機媒体中に含有させることが好ましい。銀化
合物の量は、有機媒体の約０．０５wt％〜約１２．５wt
％程度、厚膜抵抗体組成物の約０．０２wt％〜約５wt％
程度が好ましい。 Ｅ．調製、適用および試験方法 本発明の抵抗体組成物は、例えば３本ロールミルで製造
することができる。
せる場合には、銀を銀レジネート等有機金属化合物の形
態にして有機媒体中に含有させることが好ましい。銀化
合物の量は、有機媒体の約０．０５wt％〜約１２．５wt
％程度、厚膜抵抗体組成物の約０．０２wt％〜約５wt％
程度が好ましい。 Ｅ．調製、適用および試験方法 本発明の抵抗体組成物は、例えば３本ロールミルで製造
することができる。
【００３６】本発明の抵抗体組成物は、セラミック、ア
ルミナまたはその他の誘電体基体上に、通常の方法でフ
ィルムとして印刷することができる。有利には、アルミ
ナ基体を使用し、抵抗体組成物を前焼成したパラジウム
−銀もしくは銀端子上に印刷する。
ルミナまたはその他の誘電体基体上に、通常の方法でフ
ィルムとして印刷することができる。有利には、アルミ
ナ基体を使用し、抵抗体組成物を前焼成したパラジウム
−銀もしくは銀端子上に印刷する。
【００３７】一般にスクリーンステンンシル技術を好ま
しく使用することができる。得られる印刷パターンは、
一般には放置して水平化し、約１０分間高温例えば１５
０℃で乾燥し、そして空気中ベルト炉中で約８５０℃の
ピーク温度で焼成する。次に、厚膜抵抗体組成物の各種
特性の試験方法を説明する。 (1) 厚膜抵抗体組成物ペーストの製造方法 所定の無機固体分とベヒクルを混合後、ロールミルによ
ってペーストを練る。 (2) 印刷および焼成
しく使用することができる。得られる印刷パターンは、
一般には放置して水平化し、約１０分間高温例えば１５
０℃で乾燥し、そして空気中ベルト炉中で約８５０℃の
ピーク温度で焼成する。次に、厚膜抵抗体組成物の各種
特性の試験方法を説明する。 (1) 厚膜抵抗体組成物ペーストの製造方法 所定の無機固体分とベヒクルを混合後、ロールミルによ
ってペーストを練る。 (2) 印刷および焼成
【００３８】１インチ×１インチ（25mm角）の９６％ア
ルミナ基板に、Ｐｄ／Ａｇ系厚膜導体を乾燥膜厚を１８
±２μｍになるように印刷し、１５０℃で１０分間乾燥
する。このＰｄ／Ａｇ系厚膜導体は、ペースト中にＰｄ
を０．５wt％含有するものである。
ルミナ基板に、Ｐｄ／Ａｇ系厚膜導体を乾燥膜厚を１８
±２μｍになるように印刷し、１５０℃で１０分間乾燥
する。このＰｄ／Ａｇ系厚膜導体は、ペースト中にＰｄ
を０．５wt％含有するものである。
【００３９】次いで、厚膜抵抗体組成物ペーストを０．
２ｍｍ×０．２ｍｍ、０．３ｍｍ×０．３ｍｍ、０．８
ｍｍ×０．８ｍｍまたは１．３ｍｍ×１．３ｍｍに印刷
する。厚さはいずれも乾燥膜厚が１８±２μｍになるよ
うにする。これを１５０℃で１０分間乾燥した後、ベル
ト炉中で昇温し焼成する。ベルト炉の温度プロファイル
は、ピーク温度８５０℃に１０分間維持した後冷却する
ものとし、焼成時間は昇温中１００℃を越えたときから
冷却中１００℃を下回ったときまでを３０分間とする。 (3) 抵抗値およびＨＴＣＲおよびＣＴＣＲの測定
２ｍｍ×０．２ｍｍ、０．３ｍｍ×０．３ｍｍ、０．８
ｍｍ×０．８ｍｍまたは１．３ｍｍ×１．３ｍｍに印刷
する。厚さはいずれも乾燥膜厚が１８±２μｍになるよ
うにする。これを１５０℃で１０分間乾燥した後、ベル
ト炉中で昇温し焼成する。ベルト炉の温度プロファイル
は、ピーク温度８５０℃に１０分間維持した後冷却する
ものとし、焼成時間は昇温中１００℃を越えたときから
冷却中１００℃を下回ったときまでを３０分間とする。 (3) 抵抗値およびＨＴＣＲおよびＣＴＣＲの測定
【００４０】抵抗値（Ｒ）の測定は、０．０１％の精度
のオートレンジ・オートバランス・デイジタル・オーム
メーターを使用して端子パターンのプローブにより実施
する。具体的には、試料をチャンバー中の端子ポストに
載置し、そしてデジタルオームメーターに電気的に接続
する。チャンバー内の温度を２５℃に調整し平衡化した
後各試料の抵抗を測定しそして記録する。次いでチャン
バーの温度を１２５℃に上げてまたは−５５℃に下げて
平衡化した後、その試料の抵抗を再び測定しそして記録
する。高温抵抗値温度係数（ＨＴＣＲ）および低温抵抗
値温度係数（ＣＴＣＲ）を次式により計算する。 ＨＴＣＲ＝（（Ｒ125 C −Ｒ25C ）／Ｒ25C ）× １０
０００ ppm／℃ ＣＴＣＲ＝（（Ｒ -55C −Ｒ25C ）／Ｒ25C ）× １０
０００ ppm／℃ 形状効果は、サイズの異なる２つの抵抗体のＨＴＣＲ値
の差（ΔＨＴＣＲ）およびＣＴＣＲの差（ΔＣＴＣＲ）
で評価する。
のオートレンジ・オートバランス・デイジタル・オーム
メーターを使用して端子パターンのプローブにより実施
する。具体的には、試料をチャンバー中の端子ポストに
載置し、そしてデジタルオームメーターに電気的に接続
する。チャンバー内の温度を２５℃に調整し平衡化した
後各試料の抵抗を測定しそして記録する。次いでチャン
バーの温度を１２５℃に上げてまたは−５５℃に下げて
平衡化した後、その試料の抵抗を再び測定しそして記録
する。高温抵抗値温度係数（ＨＴＣＲ）および低温抵抗
値温度係数（ＣＴＣＲ）を次式により計算する。 ＨＴＣＲ＝（（Ｒ125 C −Ｒ25C ）／Ｒ25C ）× １０
０００ ppm／℃ ＣＴＣＲ＝（（Ｒ -55C −Ｒ25C ）／Ｒ25C ）× １０
０００ ppm／℃ 形状効果は、サイズの異なる２つの抵抗体のＨＴＣＲ値
の差（ΔＨＴＣＲ）およびＣＴＣＲの差（ΔＣＴＣＲ）
で評価する。
【００４１】
【実施例】実施例において導電成分として用いるＰｂ2
Ｒｕ2 Ｏ6 を、ＰｂＯおよびＲｕＯ2 を空気中８００〜
１０００℃で反応させ、続いて約３〜６０ｍ2 ／ｇの表
面積まで微細化することにより製造した。実施例におい
て、ＲｕＯ2 は、表面積約２５ｍ2 ／ｇのものを用い
た。
Ｒｕ2 Ｏ6 を、ＰｂＯおよびＲｕＯ2 を空気中８００〜
１０００℃で反応させ、続いて約３〜６０ｍ2 ／ｇの表
面積まで微細化することにより製造した。実施例におい
て、ＲｕＯ2 は、表面積約２５ｍ2 ／ｇのものを用い
た。
【００４２】無機結合剤として用いる６種のガラス（ガ
ラスＡ，ガラスＢ１およびＢ２、ガラスＣおよびガラス
Ｄ１およびＤ２）を、所定の原料を気体の発生が完全に
停止するまでガラスの組成に応じて約３０分間〜５時
間、１０００℃〜１７００℃の範囲で加熱して溶融さ
せ、水中で急冷しそして約２〜５ｍ2 ／ｇの表面積まで
ミル処理することによって製造した。これらのガラスの
組成を表３に示す。なお、ガラスＡは前述した第１のガ
ラスに該当し、ガラスＢ１およびＢ２は第２のガラス
に、ガラスＣは第３のガラスに該当する。
ラスＡ，ガラスＢ１およびＢ２、ガラスＣおよびガラス
Ｄ１およびＤ２）を、所定の原料を気体の発生が完全に
停止するまでガラスの組成に応じて約３０分間〜５時
間、１０００℃〜１７００℃の範囲で加熱して溶融さ
せ、水中で急冷しそして約２〜５ｍ2 ／ｇの表面積まで
ミル処理することによって製造した。これらのガラスの
組成を表３に示す。なお、ガラスＡは前述した第１のガ
ラスに該当し、ガラスＢ１およびＢ２は第２のガラス
に、ガラスＣは第３のガラスに該当する。
【００４３】
【表３】 実施例において用いた有機媒体は、エチルセルロース１
０〜３０部とβ−テルピネオール９０〜７０部との混合
物である。 実施例１
０〜３０部とβ−テルピネオール９０〜７０部との混合
物である。 実施例１
【００４４】ルテニウムパイロクロア酸化物（Ｐｂ2 Ｒ
ｕ2 Ｏ6 ）系の従来品の組成物（例１）と、該組成物に
Ａｇ粉を添加したもの（例２）を調製してＴＣＲの形状
効果を比較した。抵抗体のサイズは１．３ｍｍ×１．３
ｍｍおよび０．２ｍｍ×０．２ｍｍである。例１の組成
を次に示す。例２は、例１の組成物に平均粒径１〜２μ
ｍの球状のＡｇ粉を１wt％添加したものである。 例 １ Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 ２９．０wt％ ガラスＤ１ ３１．０wt％ ガラスＤ２ ８．０Wt％ ＺｒＳｉＯ4 ５．０Wt％ ＭｎＯ ０．２Wt％ 有機媒体 ２６．８Wt％ 例１および例２の結果を次に示す。ここで、０．２ｍｍ
×０．２ｍｍの抵抗体の抵抗値は厚膜換算が困難なた
め、シート抵抗値ではなく実測値である。 例１と例２の比較から、ΔＨＴＣＲおよびΔＣＴＣＲは
ともに銀粉を添加することによって非常に小さくなるこ
とがわかる。 実施例２
ｕ2 Ｏ6 ）系の従来品の組成物（例１）と、該組成物に
Ａｇ粉を添加したもの（例２）を調製してＴＣＲの形状
効果を比較した。抵抗体のサイズは１．３ｍｍ×１．３
ｍｍおよび０．２ｍｍ×０．２ｍｍである。例１の組成
を次に示す。例２は、例１の組成物に平均粒径１〜２μ
ｍの球状のＡｇ粉を１wt％添加したものである。 例 １ Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 ２９．０wt％ ガラスＤ１ ３１．０wt％ ガラスＤ２ ８．０Wt％ ＺｒＳｉＯ4 ５．０Wt％ ＭｎＯ ０．２Wt％ 有機媒体 ２６．８Wt％ 例１および例２の結果を次に示す。ここで、０．２ｍｍ
×０．２ｍｍの抵抗体の抵抗値は厚膜換算が困難なた
め、シート抵抗値ではなく実測値である。 例１と例２の比較から、ΔＨＴＣＲおよびΔＣＴＣＲは
ともに銀粉を添加することによって非常に小さくなるこ
とがわかる。 実施例２
【００４５】ルテニウム酸化物（ＲｕＯ2 ）／ルテニウ
ムパイロクロア酸化物（Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 ）系の組成物
（例３）と、該組成物の無機結合剤のガラスの一つにＡ
ｇＯ2 を含有させたもの（例４）を調製してＴＣＲの形
状効果を比較した。抵抗体のサイズは０．８ｍｍ×０．
８ｍｍおよび０．３ｍｍ×０．３ｍｍである。例３およ
び例４の組成と測定結果を次に示す。 例３ 例４ ＲｕＯ2 ３．０wt％ ３．０wt％ Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 １７．０wt％ １７．０wt％ ガラスＡ １２．０wt％ １２．０wt％ ガラスＢ１ ２０．０Wt％ −− ガラスＢ２ −− ２０．０wt％ ガラスＣ １６．８Wt％ １６．８wt％ Ｎｂ2 Ｏ5 １．２Wt％ １．２wt％ 有機媒体 ３０．０Wt％ ３０．０wt％ Ｒ (0.8mm) ３０．９ｋΩ ３１．０ｋΩ ＨＴＣＲ (0.8mm) ＋２７ ＋４３ ＣＴＣＲ (0.8mm) −５２ −２７ Ｒ (0.3mm) ２３．４ｋΩ ２５．２ｋΩ ＨＴＣＲ (0.3mm) ＋９４ ＋１０３ ＣＴＣＲ (0.3mm) ＋４１ ＋５２ ΔＲ（％） −２４．３％ −１８．７％ ΔＨＴＣＲ (ppm/℃） ＋６７ ＋６０ ΔＣＴＣＲ (ppm/℃） ＋９３ ＋７９ 例３と例４の比較から、ΔＲ、ΔＨＴＣＲおよびΔＣＴ
ＣＲは、銀を含有するガラス（ガラスＢ２）を用いるこ
とによって小さくなることがわかる。
ムパイロクロア酸化物（Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 ）系の組成物
（例３）と、該組成物の無機結合剤のガラスの一つにＡ
ｇＯ2 を含有させたもの（例４）を調製してＴＣＲの形
状効果を比較した。抵抗体のサイズは０．８ｍｍ×０．
８ｍｍおよび０．３ｍｍ×０．３ｍｍである。例３およ
び例４の組成と測定結果を次に示す。 例３ 例４ ＲｕＯ2 ３．０wt％ ３．０wt％ Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 １７．０wt％ １７．０wt％ ガラスＡ １２．０wt％ １２．０wt％ ガラスＢ１ ２０．０Wt％ −− ガラスＢ２ −− ２０．０wt％ ガラスＣ １６．８Wt％ １６．８wt％ Ｎｂ2 Ｏ5 １．２Wt％ １．２wt％ 有機媒体 ３０．０Wt％ ３０．０wt％ Ｒ (0.8mm) ３０．９ｋΩ ３１．０ｋΩ ＨＴＣＲ (0.8mm) ＋２７ ＋４３ ＣＴＣＲ (0.8mm) −５２ −２７ Ｒ (0.3mm) ２３．４ｋΩ ２５．２ｋΩ ＨＴＣＲ (0.3mm) ＋９４ ＋１０３ ＣＴＣＲ (0.3mm) ＋４１ ＋５２ ΔＲ（％） −２４．３％ −１８．７％ ΔＨＴＣＲ (ppm/℃） ＋６７ ＋６０ ΔＣＴＣＲ (ppm/℃） ＋９３ ＋７９ 例３と例４の比較から、ΔＲ、ΔＨＴＣＲおよびΔＣＴ
ＣＲは、銀を含有するガラス（ガラスＢ２）を用いるこ
とによって小さくなることがわかる。
【００４６】また、得られた抵抗体の焼成表面状態は例
３と例４とで差はなかった。したがって、本発明により
低抗体組成物の焼結の状態を変えずにＴＣＲの形状効果
を小さくすることができることがわかる。 実施例３
３と例４とで差はなかった。したがって、本発明により
低抗体組成物の焼結の状態を変えずにＴＣＲの形状効果
を小さくすることができることがわかる。 実施例３
【００４７】ルテニウム酸化物（ＲｕＯ2 ）系組成物に
ＡｇＯ2 粉を含有させたもの（例５および例６）を調製
してＴＣＲの形状効果を調べた。抵抗体のサイズは０．
８ｍｍ×０．８ｍｍおよび０．３ｍｍ×０．３ｍｍであ
る。例５および例６の組成と測定結果を次に示す。例５
と例６はいずれもΔＲ、ΔＨＴＣＲおよびΔＣＴＣＲが
小さく本発明の効果が明らかである。 例 ５ 例 ６ ＲｕＯ2 ２０．０wt％ ２０．０wt％ ガラスＡ １４．５wt％ １４．５wt％ ガラスＢ１ １９．０Wt％ １９．０wt％ ガラスＣ １２．０Wt％ １２．０wt％ Ｎｂ2 Ｏ5 １．４Wt％ １．４wt％ Ａｇ2 Ｏ ０．２wt％ ０．５wt％ 有機媒体 ３２．９Wt％ ３２．６wt％ Ｒ (0.8mm) ７．３３ｋΩ ７．５１ｋΩ ＨＴＣＲ (0.8mm) −１３ −９ ＣＴＣＲ (0.8mm) −８１ −６８ Ｒ (0.3mm) ６．８６ｋΩ ６．９３ｋΩ ＨＴＣＲ (0.3mm) ＋１１ ＋２０ ＣＴＣＲ (0.3mm) −４３ −３４ ΔＲ（％） −６．４％ −７．７％ ΔＨＴＣＲ (ppm/℃） ＋２４ ＋２９ ΔＣＴＣＲ (ppm/℃） ＋３８ ＋３４
ＡｇＯ2 粉を含有させたもの（例５および例６）を調製
してＴＣＲの形状効果を調べた。抵抗体のサイズは０．
８ｍｍ×０．８ｍｍおよび０．３ｍｍ×０．３ｍｍであ
る。例５および例６の組成と測定結果を次に示す。例５
と例６はいずれもΔＲ、ΔＨＴＣＲおよびΔＣＴＣＲが
小さく本発明の効果が明らかである。 例 ５ 例 ６ ＲｕＯ2 ２０．０wt％ ２０．０wt％ ガラスＡ １４．５wt％ １４．５wt％ ガラスＢ１ １９．０Wt％ １９．０wt％ ガラスＣ １２．０Wt％ １２．０wt％ Ｎｂ2 Ｏ5 １．４Wt％ １．４wt％ Ａｇ2 Ｏ ０．２wt％ ０．５wt％ 有機媒体 ３２．９Wt％ ３２．６wt％ Ｒ (0.8mm) ７．３３ｋΩ ７．５１ｋΩ ＨＴＣＲ (0.8mm) −１３ −９ ＣＴＣＲ (0.8mm) −８１ −６８ Ｒ (0.3mm) ６．８６ｋΩ ６．９３ｋΩ ＨＴＣＲ (0.3mm) ＋１１ ＋２０ ＣＴＣＲ (0.3mm) −４３ −３４ ΔＲ（％） −６．４％ −７．７％ ΔＨＴＣＲ (ppm/℃） ＋２４ ＋２９ ΔＣＴＣＲ (ppm/℃） ＋３８ ＋３４
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の厚膜抵抗
体組成物は、ＴＣＲの形状効果が小さい厚膜抵抗体を与
える。
体組成物は、ＴＣＲの形状効果が小さい厚膜抵抗体を与
える。
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 剛 神奈川県横浜市港北区新吉田町4997 デ ュポン ジャパン 中央技術研究所内 (72)発明者 ジェイ・ディ・スミス 神奈川県横浜市港北区新吉田町4997 デ ュポン ジャパン 中央技術研究所内 (72)発明者 ウイリアム・ボーランド 神奈川県横浜市港北区新吉田町4997 デ ュポン ジャパン 中央技術研究所内 (56)参考文献 特開 平３−134905（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−24101（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/00 H01B 1/16
Claims (3)
- 【請求項１】 導電成分としてルテニウムの酸化物およ
びルテニウムパイロクロア酸化物の少なくとも一方を１
４〜７５ｗｔ％、および無機結合剤を８６〜２５ｗｔ％
含有する無機固形分６０〜８０ｗｔ％と、有機媒体４０
〜２０ｗｔ％とからなる、アルミナを主成分として含有
する基体用の厚膜抵抗体組成物において、 前記厚膜抵抗体組成物が該組成物の全重量基準で金属銀
または銀化合物０．０２〜５．０ｗｔ％を含有し、さら
に無機結合剤がＰｂＯを４０〜８０ｗｔ％含む鉛ガラス
からなることを特徴とするアルミナを主成分として含有
する基体用の厚膜抵抗体組成物。 - 【請求項２】 前記無機結合剤が無機結合剤の重量基準
でＰｂＯ４０〜８０ｗｔ％およびＳｉＯ ２ １０〜５０ｗ
ｔ％を含有し、かつＰｂＯとＳｉＯ ２ との合計が６０ｗ
ｔ％以上である珪酸鉛ガラスおよび／または硼珪酸鉛ガ
ラスからなることを特徴とする請求項1記載のアルミナ
を主成分として含有する基体用の厚膜抵抗体組成物。 - 【請求項３】 前記無機結合剤が、ＰｂＯ含有量が最大
５０ｗｔ％である第１のガラスと、少なくとも５０ｗｔ
％である第２のガラスとの混合物である請求項１記載の
アルミナを主成分として含有する基体用の厚膜抵抗体組
成物。
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|---|---|---|---|
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| EP93105111A EP0563838B1 (en) | 1992-03-30 | 1993-03-27 | Thick film resistor composition |
| DE69300503T DE69300503T2 (de) | 1992-03-30 | 1993-03-27 | Zusammensetzung für einen Dickschichtwiderstand. |
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| TW082102564A TW299450B (ja) | 1992-03-30 | 1993-04-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07451892A JP3253121B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 厚膜抵抗体組成物 |
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|---|---|
| JPH0645102A JPH0645102A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3253121B2 true JP3253121B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=13549631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3253121B2 (ja) |
| CN (1) | CN1032722C (ja) |
| DE (1) | DE69300503T2 (ja) |
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| CN108053960B (zh) * | 2017-10-23 | 2019-10-15 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料 |
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| JPH03134905A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-07 | Showa Denko Kk | 銅ペースト |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP07451892A patent/JP3253121B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-03-27 EP EP93105111A patent/EP0563838B1/en not_active Revoked
- 1993-03-27 DE DE69300503T patent/DE69300503T2/de not_active Revoked
- 1993-03-30 CN CN93104009A patent/CN1032722C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-07 TW TW082102564A patent/TW299450B/zh not_active IP Right Cessation
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| TW299450B (ja) | 1997-03-01 |
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| CN1032722C (zh) | 1996-09-04 |
| EP0563838B1 (en) | 1995-09-20 |
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