JP2008294326A - 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 - Google Patents
厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008294326A JP2008294326A JP2007140018A JP2007140018A JP2008294326A JP 2008294326 A JP2008294326 A JP 2008294326A JP 2007140018 A JP2007140018 A JP 2007140018A JP 2007140018 A JP2007140018 A JP 2007140018A JP 2008294326 A JP2008294326 A JP 2008294326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- film thermistor
- composition
- thermistor composition
- thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
【解決手段】遷移金属を含む酸化物を有した半導体セラミックスであって、スピネル型結晶構造の多結晶体から成る。MnとCo及びCaの各イオンの混合水溶液にしゅう酸水溶液を加え、下記の化学式で示される組成となる割合に共沈させる。
(Mnx Coy Caz)3O4
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
その沈殿物を処理して得たスピネル構造の酸化物粉末から成る厚膜サーミスタ組成物である。
【選択図】図1
Description
(Mnx Coy Caz)3O4
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
その沈殿物を処理して得たスピネル構造の酸化物粉末から成る厚膜サーミスタ組成物である。
(Mnx Coy Caz)3O4
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
その沈殿物を精製し、前記沈殿物を大気中で1100℃〜1200℃で1時間〜3時間処理して、スピネル構造の酸化物を得る厚膜サーミスタ組成物の製造方法である。
(Mnx Coy Caz)3O4
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
その沈殿物を処理して得たスピネル構造の酸化物粉末から成るサーミスタ組成物のペーストを、絶縁基板上に塗布して焼成し、チップ状に形成した厚膜サーミスタ素子である。
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
この実施形態の厚膜サーミスタ組成物のペーストの製造方法は、図1に示すように、MnCl2・4H2O、CoCl2・6H2O及びCaCl2・6H2Oを、それぞれスピネル構造の所定の組成物割合となるように秤量し、水に溶かして0.5mol/lの水溶液とする。これに0.2mol/lのしゅう酸アンモニウム水溶液を所定量加え、室温で攪拌し、しゅう酸塩を共沈させる。この沈殿物を吸引ろ過して、例えば150℃程度の温度で乾燥した後、大気中で1100℃〜1200℃、例えば1150℃の温度で、1時間〜3時間、例えば2時間程度熱処理し、スピネル構造の酸化物を得る。
Claims (11)
- 遷移金属を含む酸化物を有した半導体セラミックスであってスピネル型結晶構造の多結晶体から成る厚膜サーミスタ組成物において、MnとCo及びCaの各イオンの混合水溶液にしゅう酸水溶液を加え、下記の化学式で示される組成となる割合に共沈させ、
(Mnx Coy Caz)3O4
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
その沈殿物を処理して得たスピネル構造の酸化物粉末から成ることを特徴とする厚膜サーミスタ組成物。 - 遷移金属を含む酸化物を有した半導体セラミックスであってスピネル型結晶構造の多結晶体から成る厚膜サーミスタ組成物の製造方法において、MnとCo及びCaの各イオンの混合水溶液にしゅう酸水溶液を加え、下記の化学式で示される組成となる割合に共沈させ、
(Mnx Coy Caz)3O4
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
その沈殿物を精製し、前記沈殿物を大気中で1100℃〜1200℃で1時間〜3時間処理して、スピネル構造の酸化物を得ることを特徴とする厚膜サーミスタ組成物の製造方法。 - 前記沈殿物を処理して得たスピネル構造の酸化物とバインダガラス、有機ビヒクルを混合・混練してサーミスタ組成物のペーストを得る請求項2記載の厚膜サーミスタ組成物の製造方法。
- 前記サーミスタ組成物のペーストは、抵抗調整用の導体粉末を含有している請求項3記載の厚膜サーミスタ組成物の製造方法。
- 前記サーミスタ組成物のペーストは、添加物としてのBi2O3,ZnO、Al2O3、或いはSiO2のうちの少なくとも一つの成分を含有している請求項3または4記載の厚膜サーミスタ組成物の製造方法。
- 前記抵抗調整用の導体粉末としては、RuO2、Au、或いはAgとPdの化合物を用いる請求項4記載の厚膜サーミスタ組成物の製造方法。
- 前記抵抗調整用の導体粉末としては、粒径が0.1μ〜1.0μの、RuO2、Au、或いはAgとPdの化合物を、前記ペースト中の無機成分に対して0〜15wt%混合する請求項6記載の厚膜サーミスタ組成物の製造方法。
- 前記添加物である、Bi2O3、ZnO、Al2O3、或いはSiO2は、前記ペースト中の無機成分に対して、0〜20wt%とする請求項5記載の厚膜サーミスタ組成物の製造方法。
- 前記バインダガラスは、SiO2-BaO-CaO系或いは、SiO2-B2O3系のガラスを用いる請求項3記載の厚膜サーミスタ組成物の製造方法。
- 遷移金属を含む酸化物を有した半導体セラミックスであってスピネル型結晶構造の多結晶体から成る厚膜サーミスタ素子において、MnとCo及びCaの各イオンの混合水溶液に蓚酸水溶液を加え、下記の化学式で示される組成となる割合に共沈させ、
(Mnx Coy Caz)3O4
但し、x+y+z=3、x≦1、y≧1、z≦0.1
その沈殿物を処理して得たスピネル構造の酸化物粉末から成るサーミスタ組成物のペーストを、絶縁基板上に塗布して焼成し、チップ状に形成したことを特徴とする厚膜サーミスタ素子。 - 前記チップ状のサーミスタ素子の表面保護コート材として、Bi2O3-SiO2-B2O3系のガラスペーストを用いた請求項10記載の厚膜サーミスタ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140018A JP2008294326A (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140018A JP2008294326A (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008294326A true JP2008294326A (ja) | 2008-12-04 |
Family
ID=40168718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007140018A Pending JP2008294326A (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008294326A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8183973B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-05-22 | Korea Institute Of Machinery And Materials | Highly dense and non-grained spinel NTC thermistor thick film and method for preparing the same |
JP2017514292A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-06-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | Ntcデバイスおよびその製造のための方法 |
JP2020136323A (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987002173A1 (fr) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs | Compositions d'oxydes magnetiques particulaires a structure de type spinelle lacunaire, leur preparation et leur application |
JPH0590010A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜サーミスタ |
JPH05198407A (ja) * | 1991-12-11 | 1993-08-06 | Toyama Pref Gov | 厚膜サーミスタ組成物 |
JPH06227820A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-08-16 | Tosoh Corp | 新規マンガン酸化物及びその製造方法並びにその用途 |
JPH07297010A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサ |
JPH11283810A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JP2006032388A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 厚膜サーミスタ組成物の製造方法 |
JP2006332192A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
JP2007096205A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Tdk Corp | チップ型ntc素子 |
-
2007
- 2007-05-28 JP JP2007140018A patent/JP2008294326A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987002173A1 (fr) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs | Compositions d'oxydes magnetiques particulaires a structure de type spinelle lacunaire, leur preparation et leur application |
JPH0590010A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜サーミスタ |
JPH05198407A (ja) * | 1991-12-11 | 1993-08-06 | Toyama Pref Gov | 厚膜サーミスタ組成物 |
JPH06227820A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-08-16 | Tosoh Corp | 新規マンガン酸化物及びその製造方法並びにその用途 |
JPH07297010A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度センサ |
JPH11283810A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JP2006032388A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 厚膜サーミスタ組成物の製造方法 |
JP2006332192A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
JP2007096205A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Tdk Corp | チップ型ntc素子 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8183973B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-05-22 | Korea Institute Of Machinery And Materials | Highly dense and non-grained spinel NTC thermistor thick film and method for preparing the same |
JP2017514292A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-06-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | Ntcデバイスおよびその製造のための方法 |
US10074466B2 (en) | 2014-02-18 | 2018-09-11 | Epcos Ag | NTC component and method for the production thereof |
JP2020136323A (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
JP7183507B2 (ja) | 2019-02-13 | 2022-12-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008177611A (ja) | 表面実装型負特性サーミスタ | |
CN109844871B (zh) | 电阻膏、电阻体、电子零件以及无铅的电阻体的制造方法 | |
JP6530569B2 (ja) | サーミスタ焼結体及びサーミスタ素子 | |
WO2015072277A1 (ja) | バリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサとその製造方法 | |
CN102347132B (zh) | 带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器 | |
WO2013150779A1 (ja) | 酸化物焼結体及びそれを用いた配線基板 | |
CN111954650B (zh) | 介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件 | |
JP2008294326A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 | |
CN112334430A (zh) | Ntc物料、热敏电阻和制造该热敏电阻的方法 | |
TW202147354A (zh) | 厚膜電阻糊、厚膜電阻體、及電子元件 | |
WO2020090489A1 (ja) | サーミスタ焼結体および温度センサ素子 | |
JP2013197447A (ja) | 積層バリスタの製造方法 | |
JP2006332192A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 | |
JP6675050B1 (ja) | サーミスタ焼結体および温度センサ素子 | |
TWI618686B (zh) | 鈦酸鋇系半導體陶瓷、鈦酸鋇系半導體陶瓷組合物及溫度感測用正特性熱阻器 | |
CN111954649B (zh) | 介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件 | |
JP3141719B2 (ja) | 負の抵抗温度特性を有する半導体セラミックとそれを用いた半導体セラミック部品 | |
JP2005022900A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品及び積層チップバリスタ | |
JP5418993B2 (ja) | 積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法、及び積層型半導体セラミックコンデンサ | |
CN112088411A (zh) | 热敏电阻烧结体及温度传感器元件 | |
JPH11135303A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物 | |
KR102117482B1 (ko) | 서미스터용 조성물 및 그를 이용한 서미스터 | |
JP2006245111A (ja) | ビスマス系酸化亜鉛バリスタ | |
WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
JP5309586B2 (ja) | サーミスタ用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110914 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120125 |