JPH0660303A - 記録再生方法 - Google Patents
記録再生方法Info
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- JPH0660303A JPH0660303A JP22648892A JP22648892A JPH0660303A JP H0660303 A JPH0660303 A JP H0660303A JP 22648892 A JP22648892 A JP 22648892A JP 22648892 A JP22648892 A JP 22648892A JP H0660303 A JPH0660303 A JP H0660303A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記録においても高い記録再生を可能と
し、かつ簡便に情報の一括複写を可能とする記録再生方
法を提供すること。 【構成】 反強磁性−強磁性遷移を生ずる磁性材料を、
遷移を生ずる温度範囲に保持した状態で、磁性材料を局
所的に加熱し、この加熱部分を強磁性または反強磁性を
生じさせて情報の記録を行い、その後、前記部分の磁化
量，磁化変化あるいは磁化の方向等の状態量を検出する
ことによって情報の再生を行う記録再生方法。
し、かつ簡便に情報の一括複写を可能とする記録再生方
法を提供すること。 【構成】 反強磁性−強磁性遷移を生ずる磁性材料を、
遷移を生ずる温度範囲に保持した状態で、磁性材料を局
所的に加熱し、この加熱部分を強磁性または反強磁性を
生じさせて情報の記録を行い、その後、前記部分の磁化
量，磁化変化あるいは磁化の方向等の状態量を検出する
ことによって情報の再生を行う記録再生方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク，磁気ディ
スクなどの情報の書き換え可能な不揮発記憶の分野にお
ける記録再生方法に関するものである。
スクなどの情報の書き換え可能な不揮発記憶の分野にお
ける記録再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報のファイル記憶の分野では、書き換
えが可能で、高密度な記憶方式として、磁気ディスクや
光ディスクが用いられている。これらは年々記録密度の
増加が図られているが、再生の際のＳＮを確保するのが
難しく限界に近づきつつある。また、これら方式におい
ては、媒体１枚の記録情報を他の媒体に複写する際に
は、逐次元の情報を読み取り、複写先の媒体に書き込む
操作が必要であり、大量の情報を一括で複写する方法の
開発が望まれていた。
えが可能で、高密度な記憶方式として、磁気ディスクや
光ディスクが用いられている。これらは年々記録密度の
増加が図られているが、再生の際のＳＮを確保するのが
難しく限界に近づきつつある。また、これら方式におい
ては、媒体１枚の記録情報を他の媒体に複写する際に
は、逐次元の情報を読み取り、複写先の媒体に書き込む
操作が必要であり、大量の情報を一括で複写する方法の
開発が望まれていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みて提案されたもので、高密度記録においても高い
ＳＮを示す記録再生の方法を提供すること、ならびに簡
便に情報の一括複写を可能にする技術を提供することを
目的としている。
に鑑みて提案されたもので、高密度記録においても高い
ＳＮを示す記録再生の方法を提供すること、ならびに簡
便に情報の一括複写を可能にする技術を提供することを
目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は反強磁性−強磁性遷移を生ずる磁性材料
を、前記遷移を生ずる温度範囲に保持しつつ、前記磁性
材料を局所的に加熱し、前記加熱部分を強磁性または反
強磁性を生じせしめて情報の記録を行い、その後、前記
部分の磁化量，磁化変化あるいは磁化の方向等の状態量
を検出することによって情報の再生を行うことを特徴と
する記録再生方法を発明の要旨とするものである。さら
に、本発明は反強磁性−強磁性遷移を生ずる第１の磁性
材料を、前記遷移を生ずる温度範囲に保持しつつ、前記
磁性材料を局所的に加熱して、前記加熱部分に強磁性あ
るいは反強磁性を生じせしめて情報の記録を行った後、
前記温度範囲にて第２の磁性材料を密着させて前記情報
が記録された第１の磁性材料からの情報を第２の磁性材
料に転写させ、密着状態および脱着状態にて前記第２の
磁性材料からの磁化量，磁化変化あるいは磁化の方向等
の状態量を検出することによって情報の再生を行うこと
を特徴とする記録再生方法を発明の要旨とするものであ
る。
め、本発明は反強磁性−強磁性遷移を生ずる磁性材料
を、前記遷移を生ずる温度範囲に保持しつつ、前記磁性
材料を局所的に加熱し、前記加熱部分を強磁性または反
強磁性を生じせしめて情報の記録を行い、その後、前記
部分の磁化量，磁化変化あるいは磁化の方向等の状態量
を検出することによって情報の再生を行うことを特徴と
する記録再生方法を発明の要旨とするものである。さら
に、本発明は反強磁性−強磁性遷移を生ずる第１の磁性
材料を、前記遷移を生ずる温度範囲に保持しつつ、前記
磁性材料を局所的に加熱して、前記加熱部分に強磁性あ
るいは反強磁性を生じせしめて情報の記録を行った後、
前記温度範囲にて第２の磁性材料を密着させて前記情報
が記録された第１の磁性材料からの情報を第２の磁性材
料に転写させ、密着状態および脱着状態にて前記第２の
磁性材料からの磁化量，磁化変化あるいは磁化の方向等
の状態量を検出することによって情報の再生を行うこと
を特徴とする記録再生方法を発明の要旨とするものであ
る。
【０００５】
【作用】本発明によれば、磁化のヒステリシス現象を利
用して記録再生を行うため、高記録密度で高いＳＮ再生
及び多値記録を可能とすることができる。
用して記録再生を行うため、高記録密度で高いＳＮ再生
及び多値記録を可能とすることができる。
【０００６】まず、本発明の記録再生方法の原理を説明
する。反強磁性−強磁性遷移はＦｅＲｈ合金，ＨｆＴａ
Ｆｅ2 ，ＳｏＴｉＦｅ2 ，Ｃｏ（ＦｅＡｌ）2 系の金属
間化合物，Ｍｎ3 Ｐｔ規則合金等で発生し、ある温度に
おいて急激に反強磁性から強磁性へ、あるいは強磁性か
ら反強磁性へと変化する現象である。この遷移は一般的
にヒステリシス現象を示し、加熱時と冷却時ではその遷
移温度が異なる。本発明はこのヒステリシス現象を利用
して新しい記録再生方法を実現するものである。
する。反強磁性−強磁性遷移はＦｅＲｈ合金，ＨｆＴａ
Ｆｅ2 ，ＳｏＴｉＦｅ2 ，Ｃｏ（ＦｅＡｌ）2 系の金属
間化合物，Ｍｎ3 Ｐｔ規則合金等で発生し、ある温度に
おいて急激に反強磁性から強磁性へ、あるいは強磁性か
ら反強磁性へと変化する現象である。この遷移は一般的
にヒステリシス現象を示し、加熱時と冷却時ではその遷
移温度が異なる。本発明はこのヒステリシス現象を利用
して新しい記録再生方法を実現するものである。
【０００７】図１には反強磁性−強磁性遷移の温度に対
する磁化の変化の例を模式的に示した。まず、低温にお
いては反強磁性状態であるために、磁化はほとんど無い
が、ｔ2 の温度において強磁性に遷移するために、磁化
が発生する。一度ｔ2 以上に加熱した後にはｔ2 よりも
低い温度ｔ1 において強磁性から反強磁性に遷移し、温
度に対してヒステリシスを示す。ここで、反強磁性−強
磁性遷移を示す材料を、ヒステリシスを示す領域の温度
ｔb の環境に保持し、記録したい部分をｔ2 以上に加熱
すると、一度加熱されてからｔb に戻った領域のみＭ2
の磁化を有することとなる。このｔb の温度状態に保っ
ていれば、この磁化Ｍ2 の記録ビットは保持できる。温
度ｔb 、あるいはヒステリシスの開始，終了温度ｔ2 ，
ｔ1 は合金系，添加元素，圧力，印加磁場等によって、
容易に制御することができる。また、ｔ1 を室温以下
に、ｔ2 を室温以上に設定すれば、バイアス温度を特別
に設定しなくても、通常温度下での記録保持が可能であ
る。情報消去にあたっては、ｔb 状態からｔ1 以下の温
度にすれば、全体の磁化がＭ1 となるために、記録ビッ
トは消去される。また、ｔ2 以上に加熱しても同様に全
体がＭ2 となり、消去が可能である。従来の磁気ディス
クや光ディスク等における記録状態とここで大きく異な
ることは、記録された領域と、そうでない部分とでは、
磁化そのものの有無の状態が保持されていることであ
る。このため、磁気ヘッドや磁気抵抗効果素子で再生す
ると、ノイズレベルを非常に小さくでき、小さいビット
でも敏感に再生ができる。磁気ディスク，光ディスクに
おける記録媒体はある一定の磁化を有しており、この磁
化の方向を媒体の垂直方向、あるいは水平方向に変化さ
せて、ビットを記録する方式になっている。
する磁化の変化の例を模式的に示した。まず、低温にお
いては反強磁性状態であるために、磁化はほとんど無い
が、ｔ2 の温度において強磁性に遷移するために、磁化
が発生する。一度ｔ2 以上に加熱した後にはｔ2 よりも
低い温度ｔ1 において強磁性から反強磁性に遷移し、温
度に対してヒステリシスを示す。ここで、反強磁性−強
磁性遷移を示す材料を、ヒステリシスを示す領域の温度
ｔb の環境に保持し、記録したい部分をｔ2 以上に加熱
すると、一度加熱されてからｔb に戻った領域のみＭ2
の磁化を有することとなる。このｔb の温度状態に保っ
ていれば、この磁化Ｍ2 の記録ビットは保持できる。温
度ｔb 、あるいはヒステリシスの開始，終了温度ｔ2 ，
ｔ1 は合金系，添加元素，圧力，印加磁場等によって、
容易に制御することができる。また、ｔ1 を室温以下
に、ｔ2 を室温以上に設定すれば、バイアス温度を特別
に設定しなくても、通常温度下での記録保持が可能であ
る。情報消去にあたっては、ｔb 状態からｔ1 以下の温
度にすれば、全体の磁化がＭ1 となるために、記録ビッ
トは消去される。また、ｔ2 以上に加熱しても同様に全
体がＭ2 となり、消去が可能である。従来の磁気ディス
クや光ディスク等における記録状態とここで大きく異な
ることは、記録された領域と、そうでない部分とでは、
磁化そのものの有無の状態が保持されていることであ
る。このため、磁気ヘッドや磁気抵抗効果素子で再生す
ると、ノイズレベルを非常に小さくでき、小さいビット
でも敏感に再生ができる。磁気ディスク，光ディスクに
おける記録媒体はある一定の磁化を有しており、この磁
化の方向を媒体の垂直方向、あるいは水平方向に変化さ
せて、ビットを記録する方式になっている。
【０００８】図２は従来の磁気ディスク，光ディスクに
おける媒体の記録状態を示すもので、（ａ）は磁気記録
における記録ビットの状態を示す。ここに矢印は磁化の
方向を示す。（ｂ）は光記録における記録ビットの状態
を示すものである。このため記録ビットとそうでない部
分との境界部分あるいは記録が不十分である領域は、記
録しようとするビットの磁化の方向とは異なる、逆方向
の磁化情報が存在することとなり、磁気ヘッドや光磁気
ヘッド等の磁気センサで再生する場合には直接のビット
情報とは逆のノイズ情報として検出されるため、ＳＮ比
の低下の原因となるという、本質的な問題がある。これ
に対して、本発明においては、記録ビット以外の領域は
磁化そのものがない、あるいは、記録ビットのみ磁化が
ない、という状態を保持するため、磁気センサによる再
生では、ビット以外からのノイズは本質的に存在せず、
高記録密度で記録しても高ＳＮ再生が実現できる。
おける媒体の記録状態を示すもので、（ａ）は磁気記録
における記録ビットの状態を示す。ここに矢印は磁化の
方向を示す。（ｂ）は光記録における記録ビットの状態
を示すものである。このため記録ビットとそうでない部
分との境界部分あるいは記録が不十分である領域は、記
録しようとするビットの磁化の方向とは異なる、逆方向
の磁化情報が存在することとなり、磁気ヘッドや光磁気
ヘッド等の磁気センサで再生する場合には直接のビット
情報とは逆のノイズ情報として検出されるため、ＳＮ比
の低下の原因となるという、本質的な問題がある。これ
に対して、本発明においては、記録ビット以外の領域は
磁化そのものがない、あるいは、記録ビットのみ磁化が
ない、という状態を保持するため、磁気センサによる再
生では、ビット以外からのノイズは本質的に存在せず、
高記録密度で記録しても高ＳＮ再生が実現できる。
【０００９】図３は本発明における磁場印加書き込みに
よる多値記録の例を示すもので、（ａ）は記録の状態を
上から見た図であり、（ｂ）は断面の状態を示すもの
で、（ｃ）は光ヘッドによる再生波形の状態を示す。こ
のように書き込みの際に磁場を印加しておくと、記録ビ
ットの磁化の方向が固定されるので、記録情報は磁化の
有無だけではなく、磁化の方向の情報としても蓄積記憶
ができる。このため、多値情報記録方式としても利用で
きる。これらに加えての利点として、以下の点が挙げら
れる。すなわち、反強磁性−強磁性遷移による磁化変化
は、従来の磁気ディスク，光ディスク媒体における記録
磁化量と比較して非常に大きいため、記録情報を容易に
他の磁性材料に転写することができる。たとえば磁気デ
ィスク媒体の残留磁化は２５００〜１００００Ｇ、光磁
気ディスク媒体の残留磁化は２０００Ｇ以下であるが、
反強磁性−強磁性遷移材料であるＦｅＲｈでは約１４０
００Ｇの磁化が生じる。本発明の記録方法において、Ｔ
ｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅなどのアモルファス磁性薄膜、あ
るいはＹＧｄＧａＦｅＯ等のガーネット磁性薄膜を密着
した２層の構成にすれば、反強磁性−強磁性遷移材料の
記録情報を２次元的に一括に複写することができる、と
いう従来困難であった情報複写が可能となるものであ
る。
よる多値記録の例を示すもので、（ａ）は記録の状態を
上から見た図であり、（ｂ）は断面の状態を示すもの
で、（ｃ）は光ヘッドによる再生波形の状態を示す。こ
のように書き込みの際に磁場を印加しておくと、記録ビ
ットの磁化の方向が固定されるので、記録情報は磁化の
有無だけではなく、磁化の方向の情報としても蓄積記憶
ができる。このため、多値情報記録方式としても利用で
きる。これらに加えての利点として、以下の点が挙げら
れる。すなわち、反強磁性−強磁性遷移による磁化変化
は、従来の磁気ディスク，光ディスク媒体における記録
磁化量と比較して非常に大きいため、記録情報を容易に
他の磁性材料に転写することができる。たとえば磁気デ
ィスク媒体の残留磁化は２５００〜１００００Ｇ、光磁
気ディスク媒体の残留磁化は２０００Ｇ以下であるが、
反強磁性−強磁性遷移材料であるＦｅＲｈでは約１４０
００Ｇの磁化が生じる。本発明の記録方法において、Ｔ
ｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅなどのアモルファス磁性薄膜、あ
るいはＹＧｄＧａＦｅＯ等のガーネット磁性薄膜を密着
した２層の構成にすれば、反強磁性−強磁性遷移材料の
記録情報を２次元的に一括に複写することができる、と
いう従来困難であった情報複写が可能となるものであ
る。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 〔実施例１〕ガラスディスク基板上にスパッタにて膜厚
約１０００ÅのＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 合金薄膜を形成した。
図４はＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 薄膜の温度−磁化の関係を示す
もので、横軸に温度、縦軸に磁化の状態を示す。この薄
膜の磁化の温度変化は図４に示すように、ｔ2が８０
℃、ｔ1 が−１５℃、強磁性状態の磁化Ｍ2 約１０００
Ｇ、反強磁性領域での磁化Ｍ1 約１２Ｇとなるヒステリ
シスを示した。波長８３３ｎｍの半導体レーザによる力
−効果の温度依存性も図５のようなヒステリシスを示し
た。図５はＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 薄膜の温度−力−回転角
（波長８３３ｎｍ）の関係を示す。この薄膜を室温状態
に保持しつつ、半導体レーザの光ヘッドにより円周方向
に１μｍの間隔で６０ｍＷで加熱を行い、１５ｍＷで再
生したところ、ＣＮ比５２ｄＢの再生ができた。また、
連続的に１５ｍＷで照射することで、消去が可能であっ
た。
約１０００ÅのＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 合金薄膜を形成した。
図４はＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 薄膜の温度−磁化の関係を示す
もので、横軸に温度、縦軸に磁化の状態を示す。この薄
膜の磁化の温度変化は図４に示すように、ｔ2が８０
℃、ｔ1 が−１５℃、強磁性状態の磁化Ｍ2 約１０００
Ｇ、反強磁性領域での磁化Ｍ1 約１２Ｇとなるヒステリ
シスを示した。波長８３３ｎｍの半導体レーザによる力
−効果の温度依存性も図５のようなヒステリシスを示し
た。図５はＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 薄膜の温度−力−回転角
（波長８３３ｎｍ）の関係を示す。この薄膜を室温状態
に保持しつつ、半導体レーザの光ヘッドにより円周方向
に１μｍの間隔で６０ｍＷで加熱を行い、１５ｍＷで再
生したところ、ＣＮ比５２ｄＢの再生ができた。また、
連続的に１５ｍＷで照射することで、消去が可能であっ
た。
【００１１】〔実施例２〕Ｈｆ0.8 Ｔａ0.2 Ｆｅ2 薄膜
をガラス上に膜厚３０００Å形成した。磁化の温度変化
は図６のようになった。実施例１とは異なり、ｔｂ＝−
９０℃保持状態で局所的に加熱すると、加熱領域の磁化
が消失する。雰囲気温度を−９０℃に保ちつつ、Ａｒレ
ーザで１０μｍ間隔で加熱し、光ヘッドで再生したとこ
ろ、再生が可能であった。
をガラス上に膜厚３０００Å形成した。磁化の温度変化
は図６のようになった。実施例１とは異なり、ｔｂ＝−
９０℃保持状態で局所的に加熱すると、加熱領域の磁化
が消失する。雰囲気温度を−９０℃に保ちつつ、Ａｒレ
ーザで１０μｍ間隔で加熱し、光ヘッドで再生したとこ
ろ、再生が可能であった。
【００１２】〔実施例３〕Ｆｅ0.52Ｒｈ0.48合金薄膜３
０００Åを実施例１と同様にガラスディスク基板上に形
成した。磁化温度変化は図７に示した。この薄膜につい
て、雰囲気温度を６０℃にして、膜面垂直に６００Ｇの
磁場を５ｋＨｚで極性を変化させて、これに同期させな
がら、半導体レーザで８０ｍＷで記録した。これを同ヘ
ッド１０ｍＷで再生した波形を図８に示す。記録磁化が
膜面下部を向いているビットからの情報、膜面上部を向
いているヒットからの再生情報、記録しない領域からの
情報の３値のシグナルが明瞭に認められ、多値情報記録
が実現できた。なお、バイアス磁場は膜面内方向に印加
することもできる。
０００Åを実施例１と同様にガラスディスク基板上に形
成した。磁化温度変化は図７に示した。この薄膜につい
て、雰囲気温度を６０℃にして、膜面垂直に６００Ｇの
磁場を５ｋＨｚで極性を変化させて、これに同期させな
がら、半導体レーザで８０ｍＷで記録した。これを同ヘ
ッド１０ｍＷで再生した波形を図８に示す。記録磁化が
膜面下部を向いているビットからの情報、膜面上部を向
いているヒットからの再生情報、記録しない領域からの
情報の３値のシグナルが明瞭に認められ、多値情報記録
が実現できた。なお、バイアス磁場は膜面内方向に印加
することもできる。
【００１３】〔実施例４〕第２層と組み合わせた記録，
転写，再生の実施例を示す。図９は転写の状態を示すも
ので、図において、１はガラス基板、２はＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ薄膜、３はＦｅＲｈ薄膜、４はガラス基板、５は記
録ビットを示す。実施例３で用いた薄膜について、同様
に６０℃の雰囲気下で、膜面垂直方向に５ｋＯｅの磁場
を印加しながら、８０ｍＷのレーザビームにてビットを
記録した。加熱部分のみ垂直方向に磁化を有する領域が
形成，保持されている。この後に、あらかじめＦｅＲｈ
薄膜に記録する際の磁場と反対方向に磁化させた第２の
磁性薄膜Ｇｄ11.7Ｔｂ8.6 Ｆｅ71.1Ｃｏ8.6 （膜厚：１
５００Å）をＦｅＲｈ薄膜に相対するように密着させ
た。このＧｄ11.7Ｔｂ8.6 Ｆｅ71.1Ｃｏ8.6 薄膜は力−
効果が大きく、垂直磁気異方性を有しており、図１０に
示す磁気特性の温度が生じる。図において、Ｈc は保持
力、Ｍs は飽和磁化を示す。環境温度６０℃において
は、保磁力約４００Ｏｅであり、図７の磁化状態Ｍ2の
記録ビットからの漏洩磁場によりビット情報のみがＧｄ
11.7Ｔｂ8.6 Ｆｅ71.1Ｃｏ8.6 薄膜に転写された。密着
した状態で第２層の方向から（図９では上部から）光ヘ
ッドを用いて再生が可能であり、第１層のみのビットの
再生よりも高感度で検出できた。さらに密着状態から引
き離し、室温の環境下においても、Ｇｄ11.7Ｔｂ8.6 Ｆ
ｅ71.1Ｃｏ8.6 薄膜の保磁力は室温にてさらに増大する
ため、情報はさらに安定化され保存ができる。第２層単
独でも記録状態を再生できる。また、同様にして、ヒー
トペンでまず、ＦｅＲｈ薄膜に絵や文字を記録し、Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ薄膜を密着させることにより、これらも転
写することができた。上記のように、第１層に記録後、
第２層を密着させることによって、再生感度の向上が
はかれる。第１層の情報をオリジナルとして、何枚で
も２次元情報を一括に転写ができる、という効果が現れ
てくることが実証された。
転写，再生の実施例を示す。図９は転写の状態を示すも
ので、図において、１はガラス基板、２はＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ薄膜、３はＦｅＲｈ薄膜、４はガラス基板、５は記
録ビットを示す。実施例３で用いた薄膜について、同様
に６０℃の雰囲気下で、膜面垂直方向に５ｋＯｅの磁場
を印加しながら、８０ｍＷのレーザビームにてビットを
記録した。加熱部分のみ垂直方向に磁化を有する領域が
形成，保持されている。この後に、あらかじめＦｅＲｈ
薄膜に記録する際の磁場と反対方向に磁化させた第２の
磁性薄膜Ｇｄ11.7Ｔｂ8.6 Ｆｅ71.1Ｃｏ8.6 （膜厚：１
５００Å）をＦｅＲｈ薄膜に相対するように密着させ
た。このＧｄ11.7Ｔｂ8.6 Ｆｅ71.1Ｃｏ8.6 薄膜は力−
効果が大きく、垂直磁気異方性を有しており、図１０に
示す磁気特性の温度が生じる。図において、Ｈc は保持
力、Ｍs は飽和磁化を示す。環境温度６０℃において
は、保磁力約４００Ｏｅであり、図７の磁化状態Ｍ2の
記録ビットからの漏洩磁場によりビット情報のみがＧｄ
11.7Ｔｂ8.6 Ｆｅ71.1Ｃｏ8.6 薄膜に転写された。密着
した状態で第２層の方向から（図９では上部から）光ヘ
ッドを用いて再生が可能であり、第１層のみのビットの
再生よりも高感度で検出できた。さらに密着状態から引
き離し、室温の環境下においても、Ｇｄ11.7Ｔｂ8.6 Ｆ
ｅ71.1Ｃｏ8.6 薄膜の保磁力は室温にてさらに増大する
ため、情報はさらに安定化され保存ができる。第２層単
独でも記録状態を再生できる。また、同様にして、ヒー
トペンでまず、ＦｅＲｈ薄膜に絵や文字を記録し、Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ薄膜を密着させることにより、これらも転
写することができた。上記のように、第１層に記録後、
第２層を密着させることによって、再生感度の向上が
はかれる。第１層の情報をオリジナルとして、何枚で
も２次元情報を一括に転写ができる、という効果が現れ
てくることが実証された。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、反強磁性−強磁性
遷移を生ずる磁性材料を、前記遷移を生ずる温度範囲に
保持しつつ、前記磁性材料を局所的に加熱し、前記加熱
部分を強磁性または反強磁性を生じせしめて情報の記録
を行い、その後、前記部分の磁化量，磁化変化あるいは
磁化の方向等の状態量を検出する本発明の記録再生方法
を用いれば、高記録密度の高ＳＮ再生，多値記録が可能
であり、また情報の２次元的な一括複写が可能となる。
遷移を生ずる磁性材料を、前記遷移を生ずる温度範囲に
保持しつつ、前記磁性材料を局所的に加熱し、前記加熱
部分を強磁性または反強磁性を生じせしめて情報の記録
を行い、その後、前記部分の磁化量，磁化変化あるいは
磁化の方向等の状態量を検出する本発明の記録再生方法
を用いれば、高記録密度の高ＳＮ再生，多値記録が可能
であり、また情報の２次元的な一括複写が可能となる。
【図１】反強磁性−強磁性遷移磁性材料の磁化の温度変
化の例を示す。
化の例を示す。
【図２】従来の磁気ディスク，光ディスクにおける媒体
の記録状態を示す。
の記録状態を示す。
【図３】本発明における磁場印加書き込みによる、多値
記録の例を示す。
記録の例を示す。
【図４】実施例１で用いたＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 薄膜の温度
−磁化の関係を示す。
−磁化の関係を示す。
【図５】実施例１で用いたＦｅ0.5 Ｒｈ0.5 薄膜の温度
−力−回転角（波長８３３ｎｍ）の関係を示す。
−力−回転角（波長８３３ｎｍ）の関係を示す。
【図６】実施例２で用いたＨｆ0.8 Ｔａ0.2 Ｆｅ2 薄膜
の温度−磁化の関係を示す。
の温度−磁化の関係を示す。
【図７】実施例３で用いたＦｅ0.52Ｒｈ0.48薄膜の温度
−磁化の関係を示す。
−磁化の関係を示す。
【図８】実施例３における再生波形を示す。
【図９】実施例４の転写方法を示す。
【図１０】実施例４におけるＧｄＴｂＦｅＣｏ薄膜の磁
気特性の温度変化を示す。
気特性の温度変化を示す。
１ ガラス基板 ２ ＧｄＴｂＦｅＣｏ薄膜 ３ ＦｅＲｈ薄膜 ４ ガラス基板 ５ 記録ビット
Claims (4)
- 【請求項１】 反強磁性−強磁性遷移を生ずる磁性材料
を、前記遷移を生ずる温度範囲に保持しつつ、前記磁性
材料を局所的に加熱し、前記加熱部分を強磁性または反
強磁性を生じせしめて情報の記録を行い、その後、前記
部分の磁化量，磁化変化あるいは磁化の方向等の状態量
を検出することによって情報の再生を行うことを特徴と
する記録再生方法。 - 【請求項２】 磁性材料を遷移を生ずる温度範囲より低
温あるいは高温にすることにより、記録情報の消去を行
うことを特徴とする請求項１記載の記録再生方法。 - 【請求項３】 情報の記録の際に磁性材料の面に対し
て、垂直方向あるいは面内方向に、一定のバイアス磁場
あるいは周期的に変化する交番磁場を印加することを特
徴とする請求項１記載の記録再生方法。 - 【請求項４】 反強磁性−強磁性遷移を生ずる第１の磁
性材料を、前記遷移を生ずる温度範囲に保持しつつ、前
記磁性材料を局所的に加熱して、前記加熱部分に強磁性
あるいは反強磁性を生じせしめて情報の記録を行った
後、前記温度範囲にて第２の磁性材料を密着させて前記
情報が記録された第１の磁性材料からの情報を第２の磁
性材料に転写させ、密着状態および脱着状態にて前記第
２の磁性材料からの磁化量，磁化変化あるいは磁化の方
向等の状態量を検出することによって情報の再生を行う
ことを特徴とする記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22648892A JP3128095B2 (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22648892A JP3128095B2 (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660303A true JPH0660303A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3128095B2 JP3128095B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=16845887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22648892A Expired - Lifetime JP3128095B2 (ja) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | 記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128095B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010103982A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | 昭和電工株式会社 | 情報記憶媒体および情報記憶装置 |
-
1992
- 1992-08-03 JP JP22648892A patent/JP3128095B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010103982A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | 昭和電工株式会社 | 情報記憶媒体および情報記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3128095B2 (ja) | 2001-01-29 |
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