JP2723004B2 - 光記録媒体およびその記録再生方法 - Google Patents
光記録媒体およびその記録再生方法Info
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- JP2723004B2 JP2723004B2 JP5218471A JP21847193A JP2723004B2 JP 2723004 B2 JP2723004 B2 JP 2723004B2 JP 5218471 A JP5218471 A JP 5218471A JP 21847193 A JP21847193 A JP 21847193A JP 2723004 B2 JP2723004 B2 JP 2723004B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光により情報の
記録再生を行う光記録媒体およびその記録再生方法に関
し、特に、高さの異なる情報トラックを有する追加記録
可能な（書換も含む）光記録媒体およびその記録再生方
法に関する。
記録再生を行う光記録媒体およびその記録再生方法に関
し、特に、高さの異なる情報トラックを有する追加記録
可能な（書換も含む）光記録媒体およびその記録再生方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報を記録または再生
する光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記
憶方式として優れた特徴を有している。
する光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記
憶方式として優れた特徴を有している。
【０００３】このような光ディスク等では、高密度に情
報を記録するため光記録媒体に１μｍ程度のトラックが
螺旋状または同心円状に設けられており、細く絞り込ま
れたレーザー光で記録または再生を行う際にレーザー光
が所望のトラックから外れて他のトラックにいかないよ
うにトラックサーボが行われている。また、高速度で情
報を記録または再生するために各トラックには単位情報
区間毎にアドレス識別用に凹凸のプリフォーマットが形
成されている。（例えば、特開平１−１６５０５２号公
報，特開平４−１７２６２３号公報）。
報を記録するため光記録媒体に１μｍ程度のトラックが
螺旋状または同心円状に設けられており、細く絞り込ま
れたレーザー光で記録または再生を行う際にレーザー光
が所望のトラックから外れて他のトラックにいかないよ
うにトラックサーボが行われている。また、高速度で情
報を記録または再生するために各トラックには単位情報
区間毎にアドレス識別用に凹凸のプリフォーマットが形
成されている。（例えば、特開平１−１６５０５２号公
報，特開平４−１７２６２３号公報）。
【０００４】図７は従来のＩＳＯ（International Orga
nization for Standardization）準拠の１３０ｍｍ光磁
気形の光記録媒体としての光ディスクの部分拡大図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
nization for Standardization）準拠の１３０ｍｍ光磁
気形の光記録媒体としての光ディスクの部分拡大図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【０００５】図において、情報トラック１００であるラ
ンド部１０１はＶ形グルーブ部１０２により区切られて
おり、ランド部１０１には単位情報区間毎にアドレス識
別用の凹凸であるピット１０３が形成されている。
ンド部１０１はＶ形グルーブ部１０２により区切られて
おり、ランド部１０１には単位情報区間毎にアドレス識
別用の凹凸であるピット１０３が形成されている。
【０００６】図８は従来の他の光記録媒体の部分拡大図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図におい
て、情報トラック１１０であるランド部１１１はＵ形グ
ルーブ部１１２により区切られており、ランド部１１１
には単位情報区間毎にアドレス識別用の凹凸として壁面
の屈曲部１１３が形成されている。
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図におい
て、情報トラック１１０であるランド部１１１はＵ形グ
ルーブ部１１２により区切られており、ランド部１１１
には単位情報区間毎にアドレス識別用の凹凸として壁面
の屈曲部１１３が形成されている。
【０００７】このような凹凸は透明基板に形成されてお
り、この透明基板の上には記録膜が形成されている。
り、この透明基板の上には記録膜が形成されている。
【０００８】一般に記録可能な光ディスク等の光記録媒
体の記録膜としては、磁気カー効果を利用した光磁気形
のもの、または、結晶質と非晶質との反射率差を利用し
た相変化形のものが用いられている。
体の記録膜としては、磁気カー効果を利用した光磁気形
のもの、または、結晶質と非晶質との反射率差を利用し
た相変化形のものが用いられている。
【０００９】記録および再生用のレーザー光は透明基板
を通して入射し、記録膜の近傍でおよそ直径１．４μｍ
になるようにフォーカスサーボにより集光される。レー
ザー光源としては波長６７００〜８３００オングストロ
ーム前後の半導体レーザーが用いられる。
を通して入射し、記録膜の近傍でおよそ直径１．４μｍ
になるようにフォーカスサーボにより集光される。レー
ザー光源としては波長６７００〜８３００オングストロ
ーム前後の半導体レーザーが用いられる。
【００１０】情報の記録は、情報に対応させて高パワー
のレーザー光を照射することにより、記録膜にレーザー
光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギーに変換
させ、記録膜を昇温させる。光磁気形のものは、この部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せし
めることにより情報の記録を行う。相変化形のものは、
レーザー光照射停止によりこの昇温部分を急冷すること
により、この部分を結晶質から非晶質に変化せしめるこ
とにより情報の記録を行う。
のレーザー光を照射することにより、記録膜にレーザー
光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギーに変換
させ、記録膜を昇温させる。光磁気形のものは、この部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せし
めることにより情報の記録を行う。相変化形のものは、
レーザー光照射停止によりこの昇温部分を急冷すること
により、この部分を結晶質から非晶質に変化せしめるこ
とにより情報の記録を行う。
【００１１】情報の読出は、情報トラックに沿って低パ
ワーのレーザー光を照射することにより、記録膜の状態
の違いによる反射光量の違いを信号として検出する。光
磁気形のものは、直線偏光させたレーザー光を記録膜に
照射すると、記録膜の磁化方向によりそこからの反射光
の偏光面が磁化方向に対応して回転することを利用す
る。相変化形のものは、結晶状態の反射率と非晶状態の
反射率とが異なることを利用する。
ワーのレーザー光を照射することにより、記録膜の状態
の違いによる反射光量の違いを信号として検出する。光
磁気形のものは、直線偏光させたレーザー光を記録膜に
照射すると、記録膜の磁化方向によりそこからの反射光
の偏光面が磁化方向に対応して回転することを利用す
る。相変化形のものは、結晶状態の反射率と非晶状態の
反射率とが異なることを利用する。
【００１２】このような光磁気膜や相変化膜は酸化され
やすいので、誘電体膜で挟みこむのが普通である。
やすいので、誘電体膜で挟みこむのが普通である。
【００１３】次に、このような光記録媒体の記録再生方
法について説明する。
法について説明する。
【００１４】情報を記録するかまたはその情報を再生す
る際には、低いパワーのレーザー光を情報トラックに照
射し、情報トラックの単位情報区間毎に形成されている
アドレス識別用の凹凸からそのアドレスを認識し、前述
した記録再生を行う。
る際には、低いパワーのレーザー光を情報トラックに照
射し、情報トラックの単位情報区間毎に形成されている
アドレス識別用の凹凸からそのアドレスを認識し、前述
した記録再生を行う。
【００１５】一方、高密度に記録再生する方法として、
情報トラックを高さを変えて交互に設ける方法も提案さ
れている（例えば、特開平２−５８７３２号公報）。
情報トラックを高さを変えて交互に設ける方法も提案さ
れている（例えば、特開平２−５８７３２号公報）。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の光記録媒体およびその記録再生方法では、情報を
高密度に記録でき、かつ、情報の記録再生を高速度にで
きるというものはないという問題があった。
従来の光記録媒体およびその記録再生方法では、情報を
高密度に記録でき、かつ、情報の記録再生を高速度にで
きるというものはないという問題があった。
【００１７】本発明は上記問題点を鑑みてなされたもの
であり、情報を高密度でかつ高速に記録再生できる光記
録媒体およびその記録再生方法を提供することを目的と
する。
であり、情報を高密度でかつ高速に記録再生できる光記
録媒体およびその記録再生方法を提供することを目的と
する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体で
は、情報を記録するためのトラックを透明基板表面に高
さを変えて交互に設け、該トラックには単位情報区間毎
にアドレス識別用のプリフォーマットをトラックの幅を
変化させて形成している記録可能な光記録媒体であっ
て、低所トラック［或は高所トラック］の隣り合う２ト
ラックづつが単位情報区間内の第１のブロックで同じア
ドレスを有するように配置し、該低所トラック［或は該
高所トラック］と１本ずれて隣り合う２トラックづつが
該単位情報区間内の第２のブロックで同じアドレスを有
するように配置するように構成する。
は、情報を記録するためのトラックを透明基板表面に高
さを変えて交互に設け、該トラックには単位情報区間毎
にアドレス識別用のプリフォーマットをトラックの幅を
変化させて形成している記録可能な光記録媒体であっ
て、低所トラック［或は高所トラック］の隣り合う２ト
ラックづつが単位情報区間内の第１のブロックで同じア
ドレスを有するように配置し、該低所トラック［或は該
高所トラック］と１本ずれて隣り合う２トラックづつが
該単位情報区間内の第２のブロックで同じアドレスを有
するように配置するように構成する。
【００１９】本発明の光記録媒体では、上記第１の発明
の光記録媒体の透明基板上に、第１の誘電体膜，相変化
膜，第２の誘電体膜，金属膜が少なくとも積層するよう
に構成する。
の光記録媒体の透明基板上に、第１の誘電体膜，相変化
膜，第２の誘電体膜，金属膜が少なくとも積層するよう
に構成する。
【００２０】本第５の発明の光記録媒体の記録再生方法
では、情報を記録するためのトラックを透明基板表面に
高さを変えて交互に設け、該トラックには単位情報区間
毎にアドレス識別用のプリフォーマットをトラックの幅
を変化させて形成した光記録媒体であって、低所トラッ
ク［或は高所トラック］の隣り合う２トラックづつが単
位情報区間内の第１のブロックで同じアドレスを有する
ように配置し、該低所トラック［或は該高所トラック］
と１本ずれて隣り合う２トラックづつが該単位情報区間
内の第２のブロックで同じアドレスを有するように配置
した光記録媒体を用い、該高所トラック［或は該低所ト
ラック］に情報を記録するかまたはその情報を再生する
際には、第１のブロックと第２のブロックのうちどちら
か一方のアドレス識別用のトラック幅変化からそのアド
レスを認識し、該低所トラック［或は該高所トラック］
に情報を記録するかまたはその情報を再生する際には、
第１のブロックの該アドレス識別用のトラック幅変化と
第２のブロックの該アドレス識別用のトラック幅変化と
からそのアドレスを認識するように制御するように構成
する。
では、情報を記録するためのトラックを透明基板表面に
高さを変えて交互に設け、該トラックには単位情報区間
毎にアドレス識別用のプリフォーマットをトラックの幅
を変化させて形成した光記録媒体であって、低所トラッ
ク［或は高所トラック］の隣り合う２トラックづつが単
位情報区間内の第１のブロックで同じアドレスを有する
ように配置し、該低所トラック［或は該高所トラック］
と１本ずれて隣り合う２トラックづつが該単位情報区間
内の第２のブロックで同じアドレスを有するように配置
した光記録媒体を用い、該高所トラック［或は該低所ト
ラック］に情報を記録するかまたはその情報を再生する
際には、第１のブロックと第２のブロックのうちどちら
か一方のアドレス識別用のトラック幅変化からそのアド
レスを認識し、該低所トラック［或は該高所トラック］
に情報を記録するかまたはその情報を再生する際には、
第１のブロックの該アドレス識別用のトラック幅変化と
第２のブロックの該アドレス識別用のトラック幅変化と
からそのアドレスを認識するように制御するように構成
する。
【００２１】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明の光記録媒体のプリフォーマ
ットの部分拡大説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
断面図、図２はその記録再生における各トラックのアド
レスを説明するための概略フローチャートである。
ットの部分拡大説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
断面図、図２はその記録再生における各トラックのアド
レスを説明するための概略フローチャートである。
【００２３】透明基板１の表面には情報を記録するため
のトラックとして高所トラック（Ｌ2m-1, Ｌ2m等）と低
所トラック（Ｇn 等）とを交互に設ける。低所トラック
の第１ブロックで同じアドレスを有する間の高所トラッ
クをここでは高所奇数トラックと呼び、低所トラックの
第２ブロックで同じアドレスを有する間の高所トラック
をここでは高所偶数トラックと呼んで以下説明する。各
ブロックのアドレッシングされた部分は、互いに連続す
る第１ブロックと第２ブロックとを有し、例えば、第１
ブロックでは４ビット、第２ブロックでも４ビットが記
録されている。なお、第１ブロックと第２ブロックはそ
れぞれトラックの単位情報区間で、各ブロックのアドレ
スビットはその区間内に存在する。
のトラックとして高所トラック（Ｌ2m-1, Ｌ2m等）と低
所トラック（Ｇn 等）とを交互に設ける。低所トラック
の第１ブロックで同じアドレスを有する間の高所トラッ
クをここでは高所奇数トラックと呼び、低所トラックの
第２ブロックで同じアドレスを有する間の高所トラック
をここでは高所偶数トラックと呼んで以下説明する。各
ブロックのアドレッシングされた部分は、互いに連続す
る第１ブロックと第２ブロックとを有し、例えば、第１
ブロックでは４ビット、第２ブロックでも４ビットが記
録されている。なお、第１ブロックと第２ブロックはそ
れぞれトラックの単位情報区間で、各ブロックのアドレ
スビットはその区間内に存在する。
【００２４】低所トラックでは第１および第２トラック
の両方を使ってアドレッシングされ、そのアドレスの符
号の１，０はトラックの壁に一定間隔毎に幅広の屈曲部
を設けるか設けないかによって記録されている。たとえ
ば、低所トラックＧn-1 のアドレスは（Ａ１，Ａ２，Ａ
３，Ａ４，Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４）、低所トラックＧ
n のアドレスは（Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４）のそれぞれ８ビットである。また、低
所トラックのアドレスの屈曲部の配置には次のような条
件がある。すなわち、第１ブロックでは２トラック毎に
アドレスの符号と位置が変わり、第２ブロックでも２ト
ラック毎にアドレスの符号と位置が変わるがその変化は
第１ブロックより１トラックずれている。
の両方を使ってアドレッシングされ、そのアドレスの符
号の１，０はトラックの壁に一定間隔毎に幅広の屈曲部
を設けるか設けないかによって記録されている。たとえ
ば、低所トラックＧn-1 のアドレスは（Ａ１，Ａ２，Ａ
３，Ａ４，Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４）、低所トラックＧ
n のアドレスは（Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４）のそれぞれ８ビットである。また、低
所トラックのアドレスの屈曲部の配置には次のような条
件がある。すなわち、第１ブロックでは２トラック毎に
アドレスの符号と位置が変わり、第２ブロックでも２ト
ラック毎にアドレスの符号と位置が変わるがその変化は
第１ブロックより１トラックずれている。
【００２５】一方、高所トラックのうちの高所奇数トラ
ック（Ｌ2m-1, Ｌ2m+1等）は第１ブロックにアドレッシ
ングされ、高所偶数トラック（Ｌ2m-2, Ｌ2m等）は第２
ブロックにアドレッシングされ、それぞれのアドレスの
符号の１，０は、トラックの壁に一定間隔ごとに幅狭の
屈曲部を設けるか設けないかによって記録されている。
したがって高所偶数および奇数トラックのそれぞれのア
ドレスは４ビットである。また、高所奇数トラックのア
ドレスは、隣接する低所トラックの第１ブロック部分の
アドレスと同じで、高所偶数トラックのアドレスは、隣
接する低所トラックの第２ブロック部分のアドレスと同
じである。
ック（Ｌ2m-1, Ｌ2m+1等）は第１ブロックにアドレッシ
ングされ、高所偶数トラック（Ｌ2m-2, Ｌ2m等）は第２
ブロックにアドレッシングされ、それぞれのアドレスの
符号の１，０は、トラックの壁に一定間隔ごとに幅狭の
屈曲部を設けるか設けないかによって記録されている。
したがって高所偶数および奇数トラックのそれぞれのア
ドレスは４ビットである。また、高所奇数トラックのア
ドレスは、隣接する低所トラックの第１ブロック部分の
アドレスと同じで、高所偶数トラックのアドレスは、隣
接する低所トラックの第２ブロック部分のアドレスと同
じである。
【００２６】次に図２を参照してアドレスの検出方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２７】最初、高所トラックと低所トラックとの区
別がレーザ光がトラック境界の壁面を横切ったときに受
光器から得られるプッシュプル信号の極性により判断さ
れる。ここで、高所トラックであることが判別されレー
ザ光がトラックの長さ方向に走査されると、第１ブロッ
クで４ビットだけのアドレス（たとえばＡ１〜Ａ４ある
いはＣ１〜Ｃ４等）が検出されるときには、高所奇数ア
ドレスとしてそのアドレスを識別し、第１ブロックでア
ドレスＡ１〜Ａ４とＣ１〜Ｃ４（あるいはほかのアドレ
スの組み合わせ）が混ざったアドレスが検出され４ビッ
トのアドレスが検出できないときには、高所偶数トラッ
クとして第１ブロックではアドレスを検出せず、同じト
ラックの第２ブロックで４ビットのアドレスを検出す
る。また、高所、低所トラックの区別後、低所トラック
と判別されると、第１および第２ブロックで８ビットの
アドレスを検出する。
別がレーザ光がトラック境界の壁面を横切ったときに受
光器から得られるプッシュプル信号の極性により判断さ
れる。ここで、高所トラックであることが判別されレー
ザ光がトラックの長さ方向に走査されると、第１ブロッ
クで４ビットだけのアドレス（たとえばＡ１〜Ａ４ある
いはＣ１〜Ｃ４等）が検出されるときには、高所奇数ア
ドレスとしてそのアドレスを識別し、第１ブロックでア
ドレスＡ１〜Ａ４とＣ１〜Ｃ４（あるいはほかのアドレ
スの組み合わせ）が混ざったアドレスが検出され４ビッ
トのアドレスが検出できないときには、高所偶数トラッ
クとして第１ブロックではアドレスを検出せず、同じト
ラックの第２ブロックで４ビットのアドレスを検出す
る。また、高所、低所トラックの区別後、低所トラック
と判別されると、第１および第２ブロックで８ビットの
アドレスを検出する。
【００２８】以上のように各トラックごとにアドレッシ
ングされアドレスが検出される。
ングされアドレスが検出される。
【００２９】アドレス信号をバイフェーズ変調で行なう
と、連続する高所奇数トラック番号の搬送波は交互に逆
位相であり、連続する高所偶数トラック番号の搬送波も
交互に逆位相であるので、高所偶数トラックでの第１の
ブロックでのアドレス識別信号の振幅は相殺されて小さ
いので偶数トラックであることをすぐに判別できる。
と、連続する高所奇数トラック番号の搬送波は交互に逆
位相であり、連続する高所偶数トラック番号の搬送波も
交互に逆位相であるので、高所偶数トラックでの第１の
ブロックでのアドレス識別信号の振幅は相殺されて小さ
いので偶数トラックであることをすぐに判別できる。
【００３０】上述の高所トラックと低所トラックとの役
割は、プリフォーマットを形成するためのスタンパーの
作製方法により逆転する場合もあるが、ここでは、スタ
ンパーを作製するための原盤露光機の光ビームが照射さ
れたところが低所トラックになる場合について説明して
いる。
割は、プリフォーマットを形成するためのスタンパーの
作製方法により逆転する場合もあるが、ここでは、スタ
ンパーを作製するための原盤露光機の光ビームが照射さ
れたところが低所トラックになる場合について説明して
いる。
【００３１】図３は本発明の光記録媒体の一実施例の膜
構成の基本構成を示す概略断面図である。
構成の基本構成を示す概略断面図である。
【００３２】図３に示す光記録媒体は、図１で示した透
明基板１の上に第１の誘電体膜２１を設け、その上に光
磁気膜２２を設け、その上に第２の誘電体膜２３を順に
設けたものである。
明基板１の上に第１の誘電体膜２１を設け、その上に光
磁気膜２２を設け、その上に第２の誘電体膜２３を順に
設けたものである。
【００３３】図４は本発明の光記録媒体の他の実施例の
膜構成の基本構成を示す概略断面図である。
膜構成の基本構成を示す概略断面図である。
【００３４】図４に示す光記録媒体は、図１で示した透
明基板１の上に第１の誘電体膜３１を設け、その上に光
磁気膜３２を設け、その上に第２の誘電体膜３３を設
け、その上に金属膜３４を順に設けたものである。
明基板１の上に第１の誘電体膜３１を設け、その上に光
磁気膜３２を設け、その上に第２の誘電体膜３３を設
け、その上に金属膜３４を順に設けたものである。
【００３５】図５は本発明の光記録媒体の他の実施例の
膜構成の基本構成を示す概略断面図である。
膜構成の基本構成を示す概略断面図である。
【００３６】図５に示す光記録媒体は、図１で示した透
明基板１の上に第１の誘電体膜４１を設け、その上に相
変化膜４２を設け、その上に第２の誘電体膜４３を順に
設けたものである。
明基板１の上に第１の誘電体膜４１を設け、その上に相
変化膜４２を設け、その上に第２の誘電体膜４３を順に
設けたものである。
【００３７】図６は本発明の光記録媒体の他の実施例の
膜構成の基本構成を示す概略断面図である。
膜構成の基本構成を示す概略断面図である。
【００３８】図６に示す光記録媒体は、図１で示した透
明基板１の上に第１の誘電体膜５１を設け、その上に相
変化膜５２を設け、その上に第２の誘電体膜５３を設
け、その上に金属膜５４を順に設けたものである。
明基板１の上に第１の誘電体膜５１を設け、その上に相
変化膜５２を設け、その上に第２の誘電体膜５３を設
け、その上に金属膜５４を順に設けたものである。
【００３９】これらの光記録媒体は図３から図６のよう
な構成のままで、レーザー光を透明基板１を通して入射
することにより情報の記録再生を行う場合もあるが、さ
らにその上にＵＶ硬化樹脂等の保護膜を設ける場合もあ
る。また、ＵＶ硬化樹脂等の保護膜の上にホットメルト
剤を塗布することにより、２つの光記録媒体を透明基板
が外側になるように貼合わせる場合もある。
な構成のままで、レーザー光を透明基板１を通して入射
することにより情報の記録再生を行う場合もあるが、さ
らにその上にＵＶ硬化樹脂等の保護膜を設ける場合もあ
る。また、ＵＶ硬化樹脂等の保護膜の上にホットメルト
剤を塗布することにより、２つの光記録媒体を透明基板
が外側になるように貼合わせる場合もある。
【００４０】さらにまた、上記記録膜とは反対側の透明
基板１の上にＳｉＯ2 等の反射防止膜や、硬度の高い透
明有機樹脂の表面硬化膜や、導電性の高い透明な膜を設
ける場合もある。
基板１の上にＳｉＯ2 等の反射防止膜や、硬度の高い透
明有機樹脂の表面硬化膜や、導電性の高い透明な膜を設
ける場合もある。
【００４１】透明基板１としては、ポリカーボネイト樹
脂板や，ポリオレフィン樹脂板や，アクリル樹脂板や，
ガラス板や，フォトポリマーのついたアクリル樹脂板
や，フォトポリマーのついたガラス板を用いる。前述し
たプリフォーマットは前記板そのものに形成するか或は
フォトポリマーの表面に形成する。情報トラックのピッ
チはおよそ０．５〜１．４μｍである。
脂板や，ポリオレフィン樹脂板や，アクリル樹脂板や，
ガラス板や，フォトポリマーのついたアクリル樹脂板
や，フォトポリマーのついたガラス板を用いる。前述し
たプリフォーマットは前記板そのものに形成するか或は
フォトポリマーの表面に形成する。情報トラックのピッ
チはおよそ０．５〜１．４μｍである。
【００４２】第１の誘電体膜２１，３１の材料として
は、窒化シリコンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミ
ニウムや，酸化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコ
ンや，酸化タンタルを主成分とするのが特に望ましい。
は、窒化シリコンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミ
ニウムや，酸化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコ
ンや，酸化タンタルを主成分とするのが特に望ましい。
【００４３】第１の誘電体膜４１，５１の材料として
は、硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合物や，窒化シリ
コンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミニウムや，酸
化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコンや，酸化タ
ンタルを主成分とするのが特に望ましい。
は、硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合物や，窒化シリ
コンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミニウムや，酸
化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコンや，酸化タ
ンタルを主成分とするのが特に望ましい。
【００４４】光磁気膜２２，３２の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅや，ＴｂＦｅＣｏや，ＴｂＦｅＴｉや，ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉや，ＴｂＦｅＣｒや，ＴｂＦｅＣｏＣｒや，Ｔｂ
ＦｅＴａや，ＴｂＦｅＣｏＴａや，ＴｂＦｅＮｉＣｒ
や，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅや，ＴｂＧ
ｄＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉや，ＴｂＧｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ
や，ＴｂＧｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａや，Ｔ
ｂＧｄＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，
ＴｂＤｙＦｅや，ＴｂＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＤｙＦｅＴ
ｉや，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＤｙＦｅＣｒや，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＤｙＦｅＴａや，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＴａや，ＴｂＤｙＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅや，ＴｂＧｄＮ
ｄＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＮｄ
ＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＮ
ｄＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄ
ＮｄＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，Ｔ
ｂＧｄＮｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅや，
ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴｉや，Ｔ
ｂＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｒや，
ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴａ
や，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＮ
ｉＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒが特に望まし
い。また、これらの層には他の層を複数重ねてもよい。
また、ＧｄＦｅや，ＧｄＦｅＣｏや，ＧｄＦｅＴｉや，
ＧｄＦｅＣｏＴｉや，ＧｄＦｅＣｒや，ＧｄＦｅＣｏＣ
ｒや，ＧｄＦｅＴａや，ＧｄＦｅＣｏＴａや，ＧｄＦｅ
ＮｉＣｒや，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅ
や，ＧｄＮｄＦｅＣｏや，ＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＧｄＮ
ｄＦｅＣｏＴｉや，ＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＧｄＮｄＦｅ
ＣｏＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＴａや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＴ
ａや，ＧｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＮｉ
Ｃｒ等の読出層を重ねてもよい。
Ｆｅや，ＴｂＦｅＣｏや，ＴｂＦｅＴｉや，ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉや，ＴｂＦｅＣｒや，ＴｂＦｅＣｏＣｒや，Ｔｂ
ＦｅＴａや，ＴｂＦｅＣｏＴａや，ＴｂＦｅＮｉＣｒ
や，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅや，ＴｂＧ
ｄＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉや，ＴｂＧｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ
や，ＴｂＧｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａや，Ｔ
ｂＧｄＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，
ＴｂＤｙＦｅや，ＴｂＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＤｙＦｅＴ
ｉや，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＤｙＦｅＣｒや，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＤｙＦｅＴａや，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＴａや，ＴｂＤｙＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅや，ＴｂＧｄＮ
ｄＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＮｄ
ＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＮ
ｄＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄ
ＮｄＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，Ｔ
ｂＧｄＮｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅや，
ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴｉや，Ｔ
ｂＧｄＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｒや，
ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴａ
や，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＮ
ｉＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒが特に望まし
い。また、これらの層には他の層を複数重ねてもよい。
また、ＧｄＦｅや，ＧｄＦｅＣｏや，ＧｄＦｅＴｉや，
ＧｄＦｅＣｏＴｉや，ＧｄＦｅＣｒや，ＧｄＦｅＣｏＣ
ｒや，ＧｄＦｅＴａや，ＧｄＦｅＣｏＴａや，ＧｄＦｅ
ＮｉＣｒや，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅ
や，ＧｄＮｄＦｅＣｏや，ＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＧｄＮ
ｄＦｅＣｏＴｉや，ＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＧｄＮｄＦｅ
ＣｏＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＴａや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＴ
ａや，ＧｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＮｉ
Ｃｒ等の読出層を重ねてもよい。
【００４５】相変化膜４２，５２の材料としては、カル
コゲン元素の化合物が望ましいが、特にＧｅＳｂＴｅが
望ましい。相変化膜４２，５２には窒素等の元素を小量
添加してもよい。
コゲン元素の化合物が望ましいが、特にＧｅＳｂＴｅが
望ましい。相変化膜４２，５２には窒素等の元素を小量
添加してもよい。
【００４６】第２の誘電体膜２３，３３の材料として
は、窒化シリコンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミ
ニウムや，酸化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコ
ンや，酸化タンタルを主成分とするのが特に望ましい。
は、窒化シリコンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミ
ニウムや，酸化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコ
ンや，酸化タンタルを主成分とするのが特に望ましい。
【００４７】第２の誘電体膜４３，５３の材料として
は、硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合物や，窒化シリ
コンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミニウムや，酸
化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコンや，酸化タ
ンタルを主成分とするのが特に望ましい。
は、硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合物や，窒化シリ
コンや，酸化窒化シリコンや，窒化アルミニウムや，酸
化窒化アルミニウムや，水素化炭化シリコンや，酸化タ
ンタルを主成分とするのが特に望ましい。
【００４８】金属膜３４，５４の材料としては、アルミ
ニウム合金が望ましい。添加元素としては、Ｔｉや，Ｃ
ｒや，Ｔａや，Ｎｉや，ＮｉＣｒが特に望ましい。
ニウム合金が望ましい。添加元素としては、Ｔｉや，Ｃ
ｒや，Ｔａや，Ｎｉや，ＮｉＣｒが特に望ましい。
【００４９】記録および再生用のレーザー光は透明基板
１を通して入射し、記録膜の近傍でおよそφ１．０〜φ
１．４μｍになるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６５００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザー等を用いる。
１を通して入射し、記録膜の近傍でおよそφ１．０〜φ
１．４μｍになるようにフォーカシング・サーボにより
集光する。レーザー光源としては波長６５００〜８３０
０オングストローム前後の半導体レーザー等を用いる。
【００５０】
【発明の効果】本発明の光記録媒体およびその記録再生
方法は、情報を高密度でかつ高速度で記録再生できると
いう効果がある。
方法は、情報を高密度でかつ高速度で記録再生できると
いう効果がある。
【図１】本発明の光記録媒体のプリフォーマットの部分
拡大説明図であり、
拡大説明図であり、
【図２】本発明の光記録媒体のアドレスの記録再生方法
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図３】本発明の一実施例の光記録媒体の基本構造を示
す平面図であり、
す平面図であり、
【図４】本発明の他の実施例の光記録媒体の基本構造を
示す平面図であり、
示す平面図であり、
【図５】本発明の他の実施例の光記録媒体の基本構造を
示す平面図であり、
示す平面図であり、
【図６】本発明の他の実施例の光記録媒体の基本構造を
示す平面図であり、
示す平面図であり、
【図７】従来の光記録媒体のプリフォーマットの部分拡
大説明図であり、
大説明図であり、
【図８】従来の光記録媒体のプリフォーマットの部分拡
大説明図である。
大説明図である。
１ 透明基板 ２１，３１，４１，５１ 第１の誘電体膜 ２２，３２ 光磁気膜 ２３，３３，４３，５３ 第２の誘電体膜 ３４，５４ 金属膜 １００，１１０ 情報トラック １０１，１１１ ランド部 １０２ Ｖ形グルーブ部 １０３ ピット １１２ Ｕ形グルーブ部 １１３ 壁面の屈曲部
Claims (6)
- 【請求項１】情報を記録するためのトラックを透明基板
表面に高さを変えて交互に設け、該トラックには単位情
報区間毎にアドレス識別用のプリフォーマットをトラッ
クの幅を変化させて形成している記録可能な光記録媒体
であって、 低所トラック［或は高所トラック］の隣り合う２トラッ
クづつが単位情報区間内の第１のブロックで同じアドレ
スを有するように配置し、該低所トラック［或は該高所
トラック］と１本ずれて隣り合う２トラックづつが該単
位情報区間内の第２のブロックで同じアドレスを有する
ように配置したことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】前記透明基板上には、第１の誘電体膜，光
磁気膜，第２の誘電体膜が少なくとも積層されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】前記透明基板上には、第１の誘電体膜，光
磁気膜，第２誘電体膜，金属膜が少なくとも積層されて
いることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】前記透明基板上には、第１の誘電体膜，相
変化膜，第２の誘電体膜が少なくとも積層されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】前記透明基板上には、第１の誘電体膜，相
変化膜，第２の誘電体膜，金属膜が少なくとも積層され
ていることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項６】情報を記録するためのトラックを透明基板
表面に高さを変えて交互に設け、該トラックには単位情
報区間毎にアドレス識別用のプリフォーマットをトラッ
クの幅を変化させて形成した光記録媒体であって、低所
トラック［或は高所トラック］の隣り合う２トラックづ
つが単位情報区間内の第１のブロックで同じアドレスを
有するように配置し、該低所トラック［或は該高所トラ
ック］と１本ずれて隣り合う２トラックづつが該単位情
報区間内の第２のブロックで同じアドレスを有するよう
に配置した光記録媒体を用い、 該高所トラック［或は該低所トラック］に情報を記録す
るかまたはその情報を再生する際には、第１のブロック
と第２のブロックのうちどちらか一方のアドレス識別用
のトラック幅変化からそのアドレスを認識し、 該低所トラック［或は該高所トラック］の情報を記録す
るかまたはその情報を再生する際には、第１のブロック
の該アドレス識別用のトラック幅変化と第２のブロック
の該アドレス識別用のトラック幅変化とからそのアドレ
スを認識するように制御する光記録媒体の記録再生方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5218471A JP2723004B2 (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 光記録媒体およびその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5218471A JP2723004B2 (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 光記録媒体およびその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773508A JPH0773508A (ja) | 1995-03-17 |
| JP2723004B2 true JP2723004B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=16720446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5218471A Expired - Fee Related JP2723004B2 (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 光記録媒体およびその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723004B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917033A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nec Corp | 光ディスクとその信号再生方法及び光ディスク装置 |
| AU3460497A (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Recording medium and its reproducer |
| AU4725797A (en) | 1997-05-28 | 1998-12-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Recording medium and reproducing apparatus therefor |
| US6302192B1 (en) | 1999-05-12 | 2001-10-16 | Thermal Corp. | Integrated circuit heat pipe heat spreader with through mounting holes |
| EP1098302A3 (en) | 1999-11-03 | 2007-12-12 | SAMSUNG ELECTRONICS Co. Ltd. | Physical identification data addressing method using wobble signal, wobble address encoding circuit, method and circuit for detecting wobble address, and recording medium |
| JPWO2002063615A1 (ja) * | 2001-02-06 | 2004-09-09 | 富士通株式会社 | 情報記録媒体 |
-
1993
- 1993-09-02 JP JP5218471A patent/JP2723004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773508A (ja) | 1995-03-17 |
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|---|---|---|---|
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